JP2003171136A - 光ファイバ用多孔質材およびその製造方法、光ファイバ母材およびその製造方法 - Google Patents

光ファイバ用多孔質材およびその製造方法、光ファイバ母材およびその製造方法

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さやか 伊東
Masahiro Horikoshi
雅博 堀越
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 気泡が発生したり、ひび割れが生じたりする
ことのない光ファイバ用多孔質材およびその製造方法、
光ファイバ母材およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 出発部材2と、数十層の多孔質層3とか
らなり、多孔質層3のかさ密度が、任意の連続する1層
以上10層以下毎に、径方向の外方に向って低くなって
いる光ファイバ用多孔質材1。多孔質層3の任意の連続
する10層と、これに続く連続する10層において、両
者のかさ密度の平均値の差が1×10-3g/cm3
上。多孔質層3のかさ密度が0.1〜0.7g/c
3。多孔質層3の形成温度を、任意の連続する1層以
上10層以下毎に、径方向の外方に向って低くする光フ
ァイバ用多孔質材1の製造方法。多孔質層3の任意の連
続する10層と、これに続く連続する10層において、
両者の形成温度の平均値の差を10℃以上とする。多孔
質層3の形成温度を、600〜1200℃とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ用多孔
質材およびその製造方法、光ファイバ母材およびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバは、高屈折率のコアの周上に
低屈折率のクラッドが形成されてなるものである。この
ような光ファイバの製造方法としては、光ファイバ用多
孔質材を形成し、この光ファイバ用多孔質材を焼結して
光ファイバ母材とした後、これを溶融線引きして光ファ
イバを得る方法がある。
【0003】光ファイバ母材の製造方法としては、VA
D法、OVD法、MCVD法、PCVD法などがある。
なかでも、OVD(Outside Vapor Phase Deposition)
法は、コアとなるガラス材を備えた円柱形の出発部材の
表面に、四塩化ケイ素(SiCl4)、四塩化ゲルマニ
ウム(GeCl4)などのガラス原料ガスを酸素、水素
とともに吹き付け、その軸回りに回転する出発部材の表
面を酸水素バーナーにより加熱して、ガラス微粒子(ス
ート)を堆積させて多孔質層を形成して光ファイバ用多
孔質材とし、これを電気炉中で脱水、焼結しながら透明
ガラス化し、光ファイバ母材を製造する方法である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような光ファイバ
母材の製造方法において、光ファイバ用多孔質材を焼結
すると、光ファイバ母材内に気泡が発生し、良好な光フ
ァイバ母材が得られないという問題があった。また、焼
結する温度を一定に設定しても、光ファイバ母材内に気
泡が発生するものと、気泡が発生しないものがあり、安
定に良好な光ファイバ母材が得られないという問題があ
った。また、出発部材の表面にガラス微粒子を堆積中
に、光ファイバ用多孔質材の多孔質層にひび割れが生じ
るなどの問題があった。
【0005】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、気泡が発生したり、ひび割れが生じたりすることの
ない光ファイバ用多孔質材およびその製造方法、光ファ
イバ母材およびその製造方法を提供することを課題とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記課題は、コアとなる
ガラス材を備えた円柱形の出発部材と、該出発部材の外
周部の径方向に、ガラス微粒子を堆積させた数十層の多
孔質層とからなる光ファイバ用多孔質材であって、前記
多孔質層のかさ密度が、任意の連続する1層以上10層
以下毎に、前記光ファイバ用多孔質材の径方向の外方に
向って次第に低くなっている光ファイバ用多孔質材によ
って解決できる。前記多孔質層の任意の連続する10層
と、これに続く前記多孔質層の連続する10層におい
て、後者のかさ密度の平均値が、前者のかさ密度の平均
値よりも1×10-3g/cm3以上低いことが好まし
い。前記多孔質層のかさ密度は0.1〜0.7g/cm
3であることが好ましい。また、前記課題は、上記光フ
ァイバ用多孔質材が焼結されて形成された光ファイバ母
材が好ましい。
【0007】また、前記課題は、コアとなるガラス材を
備えた円柱形の出発部材の外周部の径方向に、ガラス微
粒子を堆積させ、数十層の多孔質層を形成する光ファイ
バ用多孔質材の製造方法において、前記多孔質層の形成
温度を、任意の連続する1層以上10層以下毎に、前記
光ファイバ用多孔質材の径方向の外方に向って次第に低
くする光ファイバ用多孔質材の製造方法によって解決で
きる。前記多孔質層の任意の連続する10層と、これに
続く前記多孔質層の連続する10層において、後者の形
成温度の平均値を、前者の形成温度の平均値よりも10
℃以上低くすることが好ましい。前記多孔質層の形成温
度を、600〜1200℃とすることが好ましい。ま
た、前記課題は、上記光ファイバ用多孔質材の製造方法
によって形成された光ファイバ用多孔質材を焼結して、
光ファイバ母材を形成する光ファイバ母材の製造方法に
よって解決できる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図1は、本発明の光ファイバ用多孔質材の一例を示す概
略斜視図である。この例の光ファイバ用多孔質材1は、
光ファイバのコアとなるガラス材をその中心部に備えた
円柱形の出発部材2と、この出発部材2の外周部の径方
向に、ガラス微粒子(スート)を堆積させた、数十層の
多孔質層3とから概略構成されている。また、光ファイ
バ用多孔質材1は、外径100〜400mm程度、長さ
500〜2000mm程度の円柱形をなしている。
【0009】出発部材2は、外径10〜40mm程度、
長さ500〜2000mm程度の円柱形で、光ファイバ
母材のコア部となる酸化ゲルマニウムを添加した石英ガ
ラスからなるガラス材をその中心部に備えたものであ
る。また、このガラス材の外周部には、光ファイバ母材
のクラッド部の一部となる石英ガラスが積層されていて
もよい。
【0010】多孔質層3は、光ファイバ用多孔質材1を
焼結することにより光ファイバ母材のクラッド部となる
ものである。また、多孔質層3は、粒径0.1〜0.2
μm程度のシリカ(SiO2)および二酸化ゲルマニウ
ム(GeO2)からなるガラス微粒子が数十層堆積され
たものである。また、多孔質層3を形成するSiO2
GeO2との比率は、所要のクラッドの屈折率分布に応
じて、適宜設定される。また、多孔質層3のかさ密度は
0.1〜0.7g/cm3であることが好ましく、0.
15〜0.6g/cm3がより好ましい。多孔質層3の
かさ密度が0.1g/cm3未満では、ガラス微粒子を
堆積中に、多孔質層3にひび割れが生じる。また、多孔
質層3が柔らか過ぎて、光ファイバ用多孔質材1の焼結
時に、出発部材2の表面から剥離することがある。一
方、かさ密度が0.7g/cm3を超えると、光ファイ
バ用多孔質材1を焼結して、光ファイバ母材を形成する
際に、光ファイバ母材のクラッド部に気泡が発生する。
【0011】また、多孔質層3のかさ密度は、光ファイ
バ用多孔質母材1の中心に近い方から任意の連続する1
層以上10層以下毎に、光ファイバ用多孔質材1の径方
向の外方に向って次第に低くなっている。これにより、
光ファイバ用多孔質母材1の焼結によって得られる光フ
ァイバ母材内に、気泡が発生することはない。
【0012】さらに、多孔質層3の任意の連続する10
層と、これに続く多孔質層3の連続する10層におい
て、後者のかさ密度の平均値が、前者のかさ密度の平均
値よりも1×10-3g/cm3以上低いことが好まし
く、2×10-3〜1×10-1g/cm3低いことがより
好ましい。多孔質層3の任意の連続する10層と、これ
に続く連続する10層のかさ密度の平均値の差が、1×
10-3g/cm3未満では、光ファイバ用多孔質母材1
の焼結によって得られる光ファイバ母材内に、気泡が発
生する。
【0013】以下、本発明の光ファイバ用多孔質材の製
造方法を説明する。図2は、本発明の光ファイバ用多孔
質材の製造方法の一例を示す概略構成図である。この例
の光ファイバ用多孔質材の製造方法は、まず、出発部材
2を用意し、その両端部を専用の把持具(図示略)で把
持し、出発部材2を水平に配置する。次いで、この状態
で、出発部材2を、その中心軸を中心にして回転させな
がら、酸水素バーナー10の酸水素炎中に、SiC
4、GeCl4などのガラス原料ガスを酸素、水素とと
もに供給し、火炎中における加水分解反応(火炎加水分
解反応)により、ガラス微粒子を合成し、このガラス微
粒子を回転する出発部材2に半焼結状態で半径方向に数
十層堆積し、多孔質層3を形成する。このとき、酸水素
バーナー10を、出発部材2の長手方向と平行にトラバ
ースさせる。また、所要のクラッドの屈折率分布に応じ
て、酸水素バーナー10の酸水素炎中に供給されるガラ
ス原料ガスのSiCl4、GeCl4の比率が適宜調整さ
れる。また、所要の多孔質層3のかさ密度に応じて、S
iCl4、GeCl4の供給量が適宜調整される。
【0014】本発明の光ファイバ用多孔質材の製造方法
にあっては、多孔質層3の形成温度を600〜1200
℃とすることが好ましく、650〜1200℃がより好
ましい。多孔質層3の形成温度が600℃未満では、S
iCl4、GeCl4などのガラス原料ガスが酸水素炎中
で十分に加水分解反応しないため、多孔質層3が形成さ
れない。一方、形成温度が1200℃を超えると、光フ
ァイバ用多孔質材1の焼結後、光ファイバ母材内に気泡
が残留する。また、GeCl4の火炎加水分解反応によ
り得られるGeO2が、気体のGeOとなって飛散して
しまい、多孔質層3が形成されないことがある。
【0015】また、本発明の光ファイバ用多孔質材の製
造方法にあっては、多孔質層3の形成温度を、光ファイ
バ用多孔質母材1の中心に近い方から任意の連続する1
層以上10層以下毎に、光ファイバ用多孔質材1の径方
向の外方に向って次第に低くする。このようにすれば、
光ファイバ用多孔質母材1の多孔質3の堆積中に、その
表面にひび割れが生じることがない。
【0016】さらに、多孔質層3の任意の連続する10
層以下と、これに続く多孔質層3の連続する10層以下
において、後者の形成温度の平均値を、前者の形成温度
の平均値よりも10℃以上低くすることが好ましく、2
0〜100℃低くすることがより好ましい。多孔質層3
の任意の連続する10層以下と、これに続く連続する1
0層以下の形成温度の平均値の差が10℃未満では、出
発部材2の表面にガラス微粒子を堆積中に、多孔質層3
にひび割れが生じることがある。
【0017】次に、出発部材2の余分な部分を除去し、
得られた光ファイバ用多孔質材1を電気炉に入れ、ヘリ
ウム(He)やネオン(Ne)などの不活性ガス雰囲気
中で脱水しながら、透明なガラスになるまで焼結し、外
径50〜200mm程度、長さ300〜2000mm程
度の円柱形の光ファイバ母材を得る。得られた光ファイ
バ母材は、そのクラッド部内に気泡が存在せず、また、
クラッド部の表面にひび割れもない。
【0018】以下、図1および図2を用いて具体的な実
施例を示し、本発明の効果を明らかにする。 (実施例1)まず、外径20mm、長さ1000mmの
石英系ガラスからなる円柱形の出発部材2を用意した。
次いで、この出発部材2の両端部を把持具で把持し、出
発部材2を水平に配置した。次いで、出発部材2を、そ
の中心軸を中心にして回転させながら、酸水素バーナー
10の酸水素炎中に、SiCl4、GeCl4などのガラ
ス原料ガスを酸素、水素とともに供給して、ガラス微粒
子を合成し、酸水素バーナー10を、出発部材2の長手
方向と平行にトラバースさせならが、ガラス微粒子を、
回転する出発部材2の半径方向に数十層堆積して、多孔
質層3を形成し、外径120mm、長さ1000mmの
円柱形の光ファイバ用多孔質材1を得た。また、多孔質
層3の形成温度を、光ファイバ用多孔質材1の中心に近
い方から任意の連続する1層以上10層以下毎に、光フ
ァイバ用多孔質材1の径方向の外方に向って次第に低く
した。そして、多孔質層3の形成温度の最高温度を11
30℃、最低温度を750℃とした。さらに、多孔質層
3の任意の連続する10層と、これに続く連続する10
層の形成温度の平均値の差を15℃とした。次いで、こ
のようにして得られた光ファイバ用多孔質材1を電気炉
に入れ、不活性ガス雰囲気中で脱水しながら、透明なガ
ラスになるまで焼結し、外径65mm、長さ1000m
mの円柱形の光ファイバ母材を得た。
【0019】(比較例1)多孔質層3の形成温度の最高
温度を1120℃、最低温度を750℃とし、多孔質層
3の任意の連続する10層と、これに続く連続する10
層の形成温度の平均値の差を8℃とした以外は、実施例
1と同様にして、光ファイバ用多孔質材1および光ファ
イバ母材を得た。 (比較例2)多孔質層3の形成温度の最高温度を113
0℃、最低温度を750℃とし、多孔質層3の任意の連
続する10層と、これに続く連続する10層の形成温度
の平均値の差を16℃とした以外は、実施例1と同様に
して、光ファイバ用多孔質材1および光ファイバ母材を
得た。 (比較例3)多孔質層3の形成温度の最高温度を122
0℃、最低温度を800℃とし、多孔質層3の任意の連
続する10層と、これに続く連続する10層の形成温度
の平均値の差を14℃とした以外は、実施例1と同様に
して、光ファイバ用多孔質材1および光ファイバ母材を
得た。
【0020】(比較例4)多孔質層3の形成温度の最高
温度を1000℃、最低温度を560℃とし、多孔質層
3の任意の連続する10層と、これに続く連続する10
層の形成温度の平均値の差を14℃とした以外は、実施
例1と同様にして、光ファイバ用多孔質材1および光フ
ァイバ母材を得た。 (比較例5)多孔質層3の形成温度の最高温度を110
0℃、最低温度を780℃とし、多孔質層3の任意の連
続する10層と、これに続く連続する10層の形成温度
の平均値の差を13℃とした以外は、実施例1と同様に
して、光ファイバ用多孔質材1および光ファイバ母材を
得た。 (比較例6)多孔質層3の形成温度の最高温度を111
0℃、最低温度を710℃とし、多孔質層3の任意の連
続する10層と、これに続く連続する10層の形成温度
の平均値の差を13℃とした以外は、実施例1と同様に
して、光ファイバ用多孔質材1および光ファイバ母材を
得た。
【0021】上記実施例1および比較例1〜6で得られ
た光ファイバ用多孔質材1または光ファイバ母材に関し
て、以下の項目について評価した。 (1)多孔質層のかさ密度 得られた各光ファイバ用多孔質材1、10本について、
多孔質層全体のかさ密度の最高値および最低値と、多孔
質層3の任意の連続する10層と、これに続く連続する
10層のかさ密度の平均値の差を測定した。 (2)光ファイバ母材内の気泡 得られた各光ファイバ母材10本について、光ファイバ
母材内の気泡の有無を、目視により確認した。 (3)光ファイバ母材表面のひび割れ 得られた各光ファイバ母材10本について、光ファイバ
母材表面のひび割れの有無を、目視により確認した。以
上の結果を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】表1の結果から、多孔質層3の形成温度が
600〜1200℃、多孔質層3の任意の連続する10
層と、これに続く連続する10層の形成温度の平均値の
差が10℃以上、かつ得られた光ファイバ用多孔質材1
の多孔質層3全体のかさ密度が0.1〜0.7g/cm
3、多孔質層3の任意の連続する10層と、これに続く
連続する10層のかさ密度の平均値の差が1×10-3
/cm3以上であれば、光ファイバ母材内に気泡が発生
したり、光ファイバ母材表面にひび割れが発生すること
がないことが確認された。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ファイ
バ用多孔質材によれば、光ファイバ用多孔質材の焼結に
よって得られる光ファイバ母材内に、気泡が発生するこ
とがない。また、本発明の光ファイバ母材は、光ファイ
バ用多孔質材が焼結されて形成されたものであるから、
クラッド部内に気泡が存在せず、また、クラッド部の表
面にひび割れもない。
【0025】本発明の光ファイバ用多孔質材の製造方法
によれば、得られた光ファイバ用多孔質材を焼結して、
光ファイバ母材を形成しても、クラッド部内に気泡が発
生することがなく、また、クラッド部の表面にひび割れ
も発生しない。また、本発明の光ファイバ母材の製造方
法は、上記光ファイバ用多孔質材の製造方法によって形
成された光ファイバ用多孔質材を焼結して、光ファイバ
母材を形成するから、光ファイバ母材のクラッド部内に
気泡が発生することがなく、また、クラッド部の表面に
ひび割れも発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の光ファイバ用多孔質材の一例を示す
概略斜視図である。
【図2】 本発明の光ファイバ用多孔質材の製造方法の
一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1・・・光ファイバ用多孔質材、2・・・出発部材、3・・・多
孔質層、10・・・酸水素バーナー

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コアとなるガラス材を備えた円柱形の出
    発部材と、該出発部材の外周部の径方向に、ガラス微粒
    子を堆積させた数十層の多孔質層とからなる光ファイバ
    用多孔質材であって、 前記多孔質層のかさ密度が、任意の連続する1層以上1
    0層以下毎に、前記光ファイバ用多孔質材の径方向の外
    方に向って次第に低くなっていることを特徴とする光フ
    ァイバ用多孔質材。
  2. 【請求項2】 前記多孔質層の任意の連続する10層
    と、これに続く前記多孔質層の連続する10層におい
    て、後者のかさ密度の平均値が、前者のかさ密度の平均
    値よりも1×10-3g/cm3以上低いことを特徴とす
    る請求項1記載の光ファイバ用多孔質材。
  3. 【請求項3】 前記多孔質層のかさ密度は0.1〜0.
    7g/cm3であることを特徴とする請求項1または2
    記載の光ファイバ用多孔質材。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の光
    ファイバ用多孔質材が焼結されて形成されたことを特徴
    とする光ファイバ母材。
  5. 【請求項5】 コアとなるガラス材を備えた円柱形の出
    発部材の外周部の径方向に、ガラス微粒子を堆積させ、
    数十層の多孔質層を形成する光ファイバ用多孔質材の製
    造方法において、 前記多孔質層の形成温度を、任意の連続する1層以上1
    0層以下毎に、前記光ファイバ用多孔質材の径方向の外
    方に向って次第に低くすることを特徴とする光ファイバ
    用多孔質材の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記多孔質層の任意の連続する10層
    と、これに続く前記多孔質層の連続する10層におい
    て、後者の形成温度の平均値を、前者の形成温度の平均
    値よりも10℃以上低くすることを特徴とする請求項5
    記載の光ファイバ用多孔質材の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記多孔質層の形成温度を、600〜1
    200℃とすることを特徴とする請求項5または6記載
    の光ファイバ用多孔質材の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項5ないし7のいずれかに記載の光
    ファイバ用多孔質材の製造方法によって形成された光フ
    ァイバ用多孔質材を焼結して、光ファイバ母材を形成す
    ることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
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