JPS63315531A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPS63315531A JPS63315531A JP14843087A JP14843087A JPS63315531A JP S63315531 A JPS63315531 A JP S63315531A JP 14843087 A JP14843087 A JP 14843087A JP 14843087 A JP14843087 A JP 14843087A JP S63315531 A JPS63315531 A JP S63315531A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
ＶＡＤ法や外付は法などにおいて、酸素／水素バーナな
どの火炎内にＳｉＣｌ４やＧｅＣＱ４などの金属ハロゲ
ン化物が導入されて金属酸化物微粒子が作られ、これが
堆積させられてすすプリフォームが作製される。通常、
このすすプリフォームは塩素ガス雰囲気の加熱炉内に挿
入されて、すす内に含まれるＯＨ基等の不純物が除去さ
れる。このすすプリフォームは、さらに温度上昇した加
熱炉内で透明なガラス塊とされる。
どの火炎内にＳｉＣｌ４やＧｅＣＱ４などの金属ハロゲ
ン化物が導入されて金属酸化物微粒子が作られ、これが
堆積させられてすすプリフォームが作製される。通常、
このすすプリフォームは塩素ガス雰囲気の加熱炉内に挿
入されて、すす内に含まれるＯＨ基等の不純物が除去さ
れる。このすすプリフォームは、さらに温度上昇した加
熱炉内で透明なガラス塊とされる。
ところが、すすプリフォームを、塩素単独もしくは炭素
や硫黄を含む塩素系化合物の雰囲気中で加熱すると、こ
れらの炭素や硫黄が光ファイバとなるべき金属酸化物微
粒子の中から酸素原子を奪い、ガラス中に酸素空孔を生
じさせ、このような構造欠陥に起因した損失増加をもた
らす問題がある。 また、たとえばグレーデッド型光ファイバのようにドー
パントを所定の濃度分布に添加することにより所望の屈
折率分布を形成しなければならない場合に、上記のよう
な塩素系ガスの還元作用によりドーパントが揮散し、歪
んだ屈折率分布しか得られないという問題もある。 さらに、加熱炉では、通常、アルミナ、石英、ジルコニ
ウム等の酸化物を耐火材とした炉心管が用いられている
が、これらの材料と上記の塩素系ガスとの組合せによっ
ては、炉心管内の不純物が逆に光ファイバ内に取り込ま
れる結果になりかねない。また、このような塩素系ガス
としてたとえばＣＣＱ４も使用可能であるが、ＣＣ（１
４に含まれる炭素がこれらの酸化物炉心管材料を還元す
るとともに、塩素が炉心管の構成原子であるアルミニウ
ム、珪素、ジルコニウム等と容易に酸化物を作り、その
結果、炉心管の侵食が進み、寿命が短縮する。 この発明は、塩素系ガスを用いて行う熱処理における問
題を解決した、光ファイバ母材の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
や硫黄を含む塩素系化合物の雰囲気中で加熱すると、こ
れらの炭素や硫黄が光ファイバとなるべき金属酸化物微
粒子の中から酸素原子を奪い、ガラス中に酸素空孔を生
じさせ、このような構造欠陥に起因した損失増加をもた
らす問題がある。 また、たとえばグレーデッド型光ファイバのようにドー
パントを所定の濃度分布に添加することにより所望の屈
折率分布を形成しなければならない場合に、上記のよう
な塩素系ガスの還元作用によりドーパントが揮散し、歪
んだ屈折率分布しか得られないという問題もある。 さらに、加熱炉では、通常、アルミナ、石英、ジルコニ
ウム等の酸化物を耐火材とした炉心管が用いられている
が、これらの材料と上記の塩素系ガスとの組合せによっ
ては、炉心管内の不純物が逆に光ファイバ内に取り込ま
れる結果になりかねない。また、このような塩素系ガス
としてたとえばＣＣＱ４も使用可能であるが、ＣＣ（１
４に含まれる炭素がこれらの酸化物炉心管材料を還元す
るとともに、塩素が炉心管の構成原子であるアルミニウ
ム、珪素、ジルコニウム等と容易に酸化物を作り、その
結果、炉心管の侵食が進み、寿命が短縮する。 この発明は、塩素系ガスを用いて行う熱処理における問
題を解決した、光ファイバ母材の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【問題点を解決するための手段］
この発明による光ファイバ母材の製造方法は、ＳｉＯ２
を含む金属酸化物微粒子を堆積して形成されたすすプリ
フォームを、ＳｉＣｌ４を含む雰囲気を有する加熱炉内
で熱処理することを特徴とする。 【作 用】 脱水工程において、５ＯＣＱ４やＣＣＱ４などの塩素系
ガスを用いると、その炭素や硫黄が光ファイバとなるべ
き金属酸化物微粒子の中から酸素原子を奪って、ガラス
中に酸素空孔を生じさせ、拡散してきた水素がこの構造
欠陥部分に反応して新たにＯＨ基を形成し、そのため、
ＯＨ基吸収が増え、光伝送特性が損なわれる。 これに対して、ＳｉＣｌ４を用いる場合は、このような
構造欠陥が生じないので、ＯＨ基吸収による伝送損失増
加は生じない。 また、屈折率分布を形成するためのドーパントであるＧ
ｅＯ□はもともと結合力が弱いので、ＳＯＣＱ ａやＣ
ＣＱ４などの塩素系ガスを用いると熱で解離した塩素原
子がこれを還元してＧｅＯとしたり、ＧｅＣＱ４として
揮散させ、ゲルマニウム濃度分布が歪められ、結果とし
て所望の屈折率分布が得られないが、ＳｉＣｌ４を使用
するとこの揮散が低く抑えられ、濃度分布制御が容易で
、所望の屈折率分布をたやすく得ることができる。
を含む金属酸化物微粒子を堆積して形成されたすすプリ
フォームを、ＳｉＣｌ４を含む雰囲気を有する加熱炉内
で熱処理することを特徴とする。 【作 用】 脱水工程において、５ＯＣＱ４やＣＣＱ４などの塩素系
ガスを用いると、その炭素や硫黄が光ファイバとなるべ
き金属酸化物微粒子の中から酸素原子を奪って、ガラス
中に酸素空孔を生じさせ、拡散してきた水素がこの構造
欠陥部分に反応して新たにＯＨ基を形成し、そのため、
ＯＨ基吸収が増え、光伝送特性が損なわれる。 これに対して、ＳｉＣｌ４を用いる場合は、このような
構造欠陥が生じないので、ＯＨ基吸収による伝送損失増
加は生じない。 また、屈折率分布を形成するためのドーパントであるＧ
ｅＯ□はもともと結合力が弱いので、ＳＯＣＱ ａやＣ
ＣＱ４などの塩素系ガスを用いると熱で解離した塩素原
子がこれを還元してＧｅＯとしたり、ＧｅＣＱ４として
揮散させ、ゲルマニウム濃度分布が歪められ、結果とし
て所望の屈折率分布が得られないが、ＳｉＣｌ４を使用
するとこの揮散が低く抑えられ、濃度分布制御が容易で
、所望の屈折率分布をたやすく得ることができる。
この発明の一実施例では、まず、ＶＡＤ法によりすすプ
リフォームを作成した。第１図に示すように、酸水素バ
ーナ３より金属酸化物微粒子（ＳｔＯ□微粒子）を発生
し、種棒１の先端に堆積させる。 種棒１を回転させながら引き上げてこの堆積を行ってす
すプリフォーム２を円柱状に成長させる。 不要な排気ガスは排気管４によって排気される。 酸水素バーナ３には、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣＱ４などの原
料ガスと、０２、Ｈ２の燃料ガスと、Ａｒ、Ｈｅなどの
反応調整ガスとが送り込まれる。この実施例では、 ５ｉＣ９４２５０ｃｃ／分 Ｈ２１０Ｑ／分 ０２ １０ Ｑ ７分 Ａｒ ２ Ｑ／分 の流量条件によりガスを供給し、長さ６００ ｍｍ、直
径８０■のすすプリフォーム２を作成した。 つぎにこのプリフォームを第２図に示すように加熱路５
の炉心管７内に入れ、発熱体６により加熱して、脱水及
びそれに引き続いて透明ガラス化を行った。まず第１段
階の脱水工程では、炉心管７内に０．５容量％のＳｉＣ
ｌ４と９９．５容量％のＨｅからなる雰囲気ガスを導入
し、炉内温度を約９００°Ｃに保った。この炉内に、毎
分１０ｍｍの速度ですすプリフォーム２を挿入した。第
２段階の透明ガラス化工程では、ＳｉＣｌ４の導入を停
止するとともに炉内の温度を約１６００℃に保って、毎
分１０ｍｍの速度ですすプリフォーム２を挿入した。こ
れによりすすプリフォーム２は完全に透明なガラスの塊
になった。その形状は、直径４０鴫、長さ２８０ ｍｍ
であった。 このようにして得られた透明ガラス塊を加熱炉内で延伸
して第３図のような直径６１ｎ１１１の純粋な石英ガラ
ス棒８を得た。この純粋な石英ガラス棒８の上に、外付
は法を用いて第３図のように純粋な石英ガラスの微粒子
を堆積してすすプリフォーム９を形成した。すなわち、
酸水素バーナ１０に、５ｉＣ１！４ ８００ｃｃ／分 ８２ １２〜１８Ｑ／分 ０２ １２〜１８Ｑ／分 Ａｒ １．５Ｑ／分 の条件でガスを送り込んで、石英ガラス棒８を回転させ
ながら酸水素バーナ１０をトラバースさせて、直径１７
０ｍｍ、長さ６５０ｎｖｎのすすプリフォーム９を得た
。 このすすプリフォーム９を、３容積％のＣＦ４と９７容
積％のＨｅを含む雰囲気ガスを有する加熱炉内で透明ガ
ラス化し、直径６５醜、長さ６００ｍｍの形状の透明ガ
ラスプリフォームを得た。このプリフォームを約２１０
０℃の加熱炉内で線引きして、直径１２５μｍの光ファ
イバを得た。この光ファイバの屈折率分布は第４図のよ
うになり、コア部は純粋な石英ガラス棒８から作られ、
クラッド部はずすプリフォーム９から作られるが透明カ
ラス化の過程でフッ素のドープが行われることにより屈
折率が低下させられている。 次に参考例として、コアとなるべきガラスの脱水工程に
おいてＳｉＣｌ４の代わりにＣＱ２あるいは５ＯＣＱ４
を用いたことが違うだけで、他は上記と全く同じ工程・
条件で光ファイバを作製し、第４図と同じ屈折率分布を
有する光ファイバを得た。 このようにして得られた一実施例の光ファイバと参考例
の光ファイバとを、温度２００℃、気圧１気圧の１００
％水素雰囲気下で熱処理した。そして、この水素爆露前
後の損失波長特性を測定してみた。すると、参考例の光
ファイバの場合は、水素爆露前は第５図Ａのようであっ
たものか爆露後同図Ｂのようになり、波長１．３８μｍ
におけるＯＨ基吸収損失が大きく増大していることが分
かる。これに対して、実施例の光ファイバの場合は、第
６図に示すように水素爆露前後で波長１．３８μｍでの
ＯＨ基吸収損失の変化は全くみられなかった。 このことは、参考例の光ファイバのガラス特にコアをな
すガラスの中に、水素爆露前に構造欠陥か生じており、
水素爆露により拡散してきた水素がその欠陥部分に反応
して新たにＯＨ基を形成したためであり、実施例の光フ
ァイバではこのような構造欠陥がないのでそのような反
応が生じなかったものと思われる。 つぎに、この発明をグレーデッド型多モード光ファイバ
の製造に適用した他の実施例について説明する。この場
合、第１図に示すようなＶＡＤ法によるすすプリフォー
ム作製工程において、すすプリフォームの中心付近では
原料ガスであるＧｅＣＱ４の反応が高く、プリフォーム
の周辺部ではこの反応が低くなるよう原料ガスの流量条
件を定めて、グレーデッド型の屈折率分布を形成する。 つぎに、ＳｉＣｌ４雰囲気中で脱水工程及び透明ガラス
化工程を順次行い、こうして得た透明ガラスプリフォー
ムを線引き紡糸して光ファイバを作製した。この光ファ
イバの屈折率分布を測定してみると、第７図の点線のよ
うになっており、理想的な屈折率分布である逆２乗分布
となっていることが分かった。これに対して、通常、脱
水工程において使用する塩素系ガスとしてＣＱ２．５Ｏ
ＣＱ２、ＣＣＱ４などの塩素系ガスを用いるが、そうす
ると光ファイバの屈折率分布は第７図の実線のようにコ
ア周辺部で変形したものとなる。これは、ＣＱ２、ＳＯ
ＣＱ２、ＣＣＱ４などの塩素系ガスを用いると、炉内の
熱で解離した塩素原子が、残留しているＯＨ基だけでな
く、もともと結合力の弱いＧｅＯ□を還元してＧｅＯに
したり、さらには、ＧｅＣＱ４としてすすプリフォーム
から揮散させることになり、最初に予定していたすすプ
リフォームの半径方向のゲルマニウム濃度分布を歪める
結果になるからである。 なお、上記の各実施例では、ＳｉＣｌ４を脱水工程での
み流すことにしているが、必要に応じて透明ガラス化工
程でも加熱炉内に流すようにしてもよい。
リフォームを作成した。第１図に示すように、酸水素バ
ーナ３より金属酸化物微粒子（ＳｔＯ□微粒子）を発生
し、種棒１の先端に堆積させる。 種棒１を回転させながら引き上げてこの堆積を行ってす
すプリフォーム２を円柱状に成長させる。 不要な排気ガスは排気管４によって排気される。 酸水素バーナ３には、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣＱ４などの原
料ガスと、０２、Ｈ２の燃料ガスと、Ａｒ、Ｈｅなどの
反応調整ガスとが送り込まれる。この実施例では、 ５ｉＣ９４２５０ｃｃ／分 Ｈ２１０Ｑ／分 ０２ １０ Ｑ ７分 Ａｒ ２ Ｑ／分 の流量条件によりガスを供給し、長さ６００ ｍｍ、直
径８０■のすすプリフォーム２を作成した。 つぎにこのプリフォームを第２図に示すように加熱路５
の炉心管７内に入れ、発熱体６により加熱して、脱水及
びそれに引き続いて透明ガラス化を行った。まず第１段
階の脱水工程では、炉心管７内に０．５容量％のＳｉＣ
ｌ４と９９．５容量％のＨｅからなる雰囲気ガスを導入
し、炉内温度を約９００°Ｃに保った。この炉内に、毎
分１０ｍｍの速度ですすプリフォーム２を挿入した。第
２段階の透明ガラス化工程では、ＳｉＣｌ４の導入を停
止するとともに炉内の温度を約１６００℃に保って、毎
分１０ｍｍの速度ですすプリフォーム２を挿入した。こ
れによりすすプリフォーム２は完全に透明なガラスの塊
になった。その形状は、直径４０鴫、長さ２８０ ｍｍ
であった。 このようにして得られた透明ガラス塊を加熱炉内で延伸
して第３図のような直径６１ｎ１１１の純粋な石英ガラ
ス棒８を得た。この純粋な石英ガラス棒８の上に、外付
は法を用いて第３図のように純粋な石英ガラスの微粒子
を堆積してすすプリフォーム９を形成した。すなわち、
酸水素バーナ１０に、５ｉＣ１！４ ８００ｃｃ／分 ８２ １２〜１８Ｑ／分 ０２ １２〜１８Ｑ／分 Ａｒ １．５Ｑ／分 の条件でガスを送り込んで、石英ガラス棒８を回転させ
ながら酸水素バーナ１０をトラバースさせて、直径１７
０ｍｍ、長さ６５０ｎｖｎのすすプリフォーム９を得た
。 このすすプリフォーム９を、３容積％のＣＦ４と９７容
積％のＨｅを含む雰囲気ガスを有する加熱炉内で透明ガ
ラス化し、直径６５醜、長さ６００ｍｍの形状の透明ガ
ラスプリフォームを得た。このプリフォームを約２１０
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イバを得た。この光ファイバの屈折率分布は第４図のよ
うになり、コア部は純粋な石英ガラス棒８から作られ、
クラッド部はずすプリフォーム９から作られるが透明カ
ラス化の過程でフッ素のドープが行われることにより屈
折率が低下させられている。 次に参考例として、コアとなるべきガラスの脱水工程に
おいてＳｉＣｌ４の代わりにＣＱ２あるいは５ＯＣＱ４
を用いたことが違うだけで、他は上記と全く同じ工程・
条件で光ファイバを作製し、第４図と同じ屈折率分布を
有する光ファイバを得た。 このようにして得られた一実施例の光ファイバと参考例
の光ファイバとを、温度２００℃、気圧１気圧の１００
％水素雰囲気下で熱処理した。そして、この水素爆露前
後の損失波長特性を測定してみた。すると、参考例の光
ファイバの場合は、水素爆露前は第５図Ａのようであっ
たものか爆露後同図Ｂのようになり、波長１．３８μｍ
におけるＯＨ基吸収損失が大きく増大していることが分
かる。これに対して、実施例の光ファイバの場合は、第
６図に示すように水素爆露前後で波長１．３８μｍでの
ＯＨ基吸収損失の変化は全くみられなかった。 このことは、参考例の光ファイバのガラス特にコアをな
すガラスの中に、水素爆露前に構造欠陥か生じており、
水素爆露により拡散してきた水素がその欠陥部分に反応
して新たにＯＨ基を形成したためであり、実施例の光フ
ァイバではこのような構造欠陥がないのでそのような反
応が生じなかったものと思われる。 つぎに、この発明をグレーデッド型多モード光ファイバ
の製造に適用した他の実施例について説明する。この場
合、第１図に示すようなＶＡＤ法によるすすプリフォー
ム作製工程において、すすプリフォームの中心付近では
原料ガスであるＧｅＣＱ４の反応が高く、プリフォーム
の周辺部ではこの反応が低くなるよう原料ガスの流量条
件を定めて、グレーデッド型の屈折率分布を形成する。 つぎに、ＳｉＣｌ４雰囲気中で脱水工程及び透明ガラス
化工程を順次行い、こうして得た透明ガラスプリフォー
ムを線引き紡糸して光ファイバを作製した。この光ファ
イバの屈折率分布を測定してみると、第７図の点線のよ
うになっており、理想的な屈折率分布である逆２乗分布
となっていることが分かった。これに対して、通常、脱
水工程において使用する塩素系ガスとしてＣＱ２．５Ｏ
ＣＱ２、ＣＣＱ４などの塩素系ガスを用いるが、そうす
ると光ファイバの屈折率分布は第７図の実線のようにコ
ア周辺部で変形したものとなる。これは、ＣＱ２、ＳＯ
ＣＱ２、ＣＣＱ４などの塩素系ガスを用いると、炉内の
熱で解離した塩素原子が、残留しているＯＨ基だけでな
く、もともと結合力の弱いＧｅＯ□を還元してＧｅＯに
したり、さらには、ＧｅＣＱ４としてすすプリフォーム
から揮散させることになり、最初に予定していたすすプ
リフォームの半径方向のゲルマニウム濃度分布を歪める
結果になるからである。 なお、上記の各実施例では、ＳｉＣｌ４を脱水工程での
み流すことにしているが、必要に応じて透明ガラス化工
程でも加熱炉内に流すようにしてもよい。
この発明の光ファイバ母材の製造方法によれば、伝送損
失の少ない光ファイバを得ることができる。 また、屈折率分布を所望のものとすることも容易である
。さらに、炉心管材料からの汚染を防止することができ
、併せて炉心管の寿命を延ばすこともできる。
失の少ない光ファイバを得ることができる。 また、屈折率分布を所望のものとすることも容易である
。さらに、炉心管材料からの汚染を防止することができ
、併せて炉心管の寿命を延ばすこともできる。
第１図、第２図、第３図はこの発明の一実施例の製造方
法における各工程を表す模式図、第４図は同実施例で得
られた光ファイバの屈折率分布を表すグラフ、第５図は
参考例の光ファイバの水素爆露前後での損失波長特性を
表すグラフ、第６図は実施例で得た光ファイバの水素爆
露前後での損失波長特性を表すグラフ、第７図は他の実
施例で得た光ファイバの屈折率分布を表すグラフである
。 １・・・種棒、２．９・・・すすプリフォーム、３．１
０・・・酸水素バーナ、４・・・排気管、５・・・加熱
炉、６・・・発熱体、７・・・炉心管、８・・・石英ガ
ラス棒。
法における各工程を表す模式図、第４図は同実施例で得
られた光ファイバの屈折率分布を表すグラフ、第５図は
参考例の光ファイバの水素爆露前後での損失波長特性を
表すグラフ、第６図は実施例で得た光ファイバの水素爆
露前後での損失波長特性を表すグラフ、第７図は他の実
施例で得た光ファイバの屈折率分布を表すグラフである
。 １・・・種棒、２．９・・・すすプリフォーム、３．１
０・・・酸水素バーナ、４・・・排気管、５・・・加熱
炉、６・・・発熱体、７・・・炉心管、８・・・石英ガ
ラス棒。
Claims (4)
- （１）ＳｉＯ＿２を含む金属酸化物微粒子を堆積してす
すプリフォームを形成する工程と、該すすプリフォーム
を、ＳｉＣｌ＿４を含む雰囲気を有する加熱炉内で熱処
理する工程とからなる光ファイバ母材の製造方法。 - （２）上記金属酸化物微粒子は純粋のＳｉＯ＿２である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイ
バ母材の製造方法。 - （３）上記金属酸化物微粒子は、３０重量％までのＧｅ
Ｏ＿２を含むＳｉＯ＿２であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光ファイバ母材の製造方法。 - （４）上記加熱炉内の雰囲気は、３容量％までのＳｉＣ
ｌ＿４と、もっとも多くてもこのＳｉＣｌ＿４の容積の
２分の１までの酸素と、残部のヘリウムとからなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14843087A JPS63315531A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14843087A JPS63315531A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315531A true JPS63315531A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15452620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14843087A Pending JPS63315531A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63315531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318611A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-07 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides and waveguides made thereby |
| US6116055A (en) * | 1996-08-09 | 2000-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making synthetic silica glass |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP14843087A patent/JPS63315531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318611A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-07 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides and waveguides made thereby |
| US6116055A (en) * | 1996-08-09 | 2000-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making synthetic silica glass |
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