KR102381794B1

KR102381794B1 - 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치

Info

Publication number: KR102381794B1
Application number: KR1020167016191A
Authority: KR
Inventors: 야스노리 하시다
Original assignee: 가부시키가이샤 브이티에스 터치센서
Priority date: 2013-11-22
Filing date: 2014-11-07
Publication date: 2022-03-31
Also published as: EP3073358A1; WO2015076129A1; US20160266713A1; TWI650237B; JP6502012B2; ES2813366T3; KR20160088373A; JP2015102942A; PT3073358T; CN105765509A; US10133399B2; EP3073358A4; CN105765509B; EP3073358B1; TW201527111A

Abstract

본 발명의 투명 도전성 적층체에 있어서의 제1 전극층은, 복수의 제1 전극과 복수의 제1 배선을 포함한다. 서로 이웃하는 2개의 제1 배선이 배선 쌍을 구성한다. 복수의 제1 배선은 복수의 접속 요소로 나뉘고, 각 접속 요소가 하나 이상의 제1 배선을 포함한다. 복수의 접속 요소는 서로 이웃하는 기준 접속 요소와 분기 접속 요소를 포함하고, 분기 접속 요소의 경로가 기준 접속 요소의 경로로부터 분기된다. 제1 및 제2 전극층 중 적어도 한쪽은 보정 패턴을 구비하고, 그 보정 패턴은, 기준 접속 요소와 분기 접속 요소에 걸치는 배선 쌍에 대해서, 그 배선 쌍을 구성하는 2개의 제1 배선의 사이에서 분기에 기인하여 발생하는 시상수의 차를 저감시키도록 구성된다.

Description

투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치{TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYERED PRODUCT, TOUCH PANEL, AND DISPLAY DEVICE}

본 개시의 기술은, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널에 사용되는 투명 도전성 적층체, 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널 및, 터치 패널을 구비한 표시 장치에 관한 것이다.

투영형 정전 용량 방식의 터치 패널에서는, X 방향으로 연장되는 복수의 드라이브 전극과, X 방향에 대하여 직교하는 Y 방향으로 연장되는 복수의 센싱 전극이, 투명 유전체층을 사이에 두고 겹쳐 있다. 서로 대향하는 드라이브 전극과 센싱 전극 사이의 정전 용량값은, 터치 패널의 조작면에 손가락 등이 접촉할 때 감소된다. 그러므로, 복수의 드라이브 전극의 각각과 그것에 대향하는 하나의 센싱 전극과의 사이에 있어서의 정전 용량값의 감소의 유무가, 센싱 전극마다 검출됨으로써, 조작면에서의 조작 위치가 검출된다.

드라이브 전극이 존재하는 면 내에 있어서, 복수의 드라이브 전극의 각각으로부터 연장되는 배선이, 드라이브 전극의 외측 영역에 배치되고, 드라이브 전극의 각각에 신호를 입력하는 드라이브 회로에 접속되어 있다. 또한, 센싱 전극이 존재하는 면 내에 있어서, 복수의 센싱 전극의 각각으로부터 연장되는 배선이, 센싱 전극의 외측 영역에 배치되고, 센싱 전극의 각각으로부터 출력된 신호가 입력되는 센싱 회로에 접속되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

일본 특허 공개 제2012-230471호 공보

그런데, 드라이브 전극이 형성되어 있는 면 중, 드라이브 전극의 외측 영역이 외주 영역이고, 센싱 전극이 형성되어 있는 면 중, 센싱 전극의 외측 영역이 외주 영역이다. 각 외주 영역은, 터치 패널의 조작면 중 조작 위치의 검출 대상이 되는 영역의 외측 영역과 대향한다. 통상, 외주 영역에는, 각종 센서나 카메라 등의 부속 부품을 배치하기 위한 영역이 형성된다. 이 부속 부품을 배치하기 위한 영역에는, 배선을 형성할 수 없다.

도 12는, 배선을 형성할 수 없는 영역인 배선 불가 영역을 피하여 배선을 배치한 일례를 도시하는 도면이다. 도 12에 도시되는 예에서는, 복수의 배선(100)이, 배선 불가 영역 NA에 경로를 저해받지 않고 직선적으로 연장되는 접속 요소(110A)와, 배선 불가 영역 NA를 우회하여 연장되는 접속 요소(110B)로 양분되어 있다. 그로 인해, 접속 요소(110A)에 포함되는 배선(100)의 길이와 접속 요소(110B)에 포함되는 배선(100)의 길이 사이에 차가 발생하여, 배선 저항값이나 배선 용량값에 차가 발생하는 등, 접속 요소(110A)에 포함되는 배선(100)과 접속 요소(110B)에 포함되는 배선(100) 사이에 전기 특성의 차가 발생한다. 그 결과, 배선 불가 영역 NA의 근방에서는, 서로 이웃하는 배선(100) 사이의 시상수의 차인 시상수 차가, 접속 요소(110A)와 접속 요소(110B)의 사이에 있어 변한다. 보다 구체적으로는, 접속 요소(110A)에 포함되는 배선(100) 중 접속 요소(110B)에 가장 가까운 배선(100)과, 접속 요소(110B)에 포함되는 배선(100) 중 접속 요소(110A)에 가장 가까운 배선(100) 사이의 시상수 차는, 그 이외의 이웃하는 배선(100) 사이의 시상수 차와 크게 상이하다. 복수의 배선(100) 내에 있어서의 이러한 국부적인 시상수 차의 변화는, 조작 위치의 검출 정밀도를 저하시키는 요인이 되고 있다.

또한, 배선 불가 영역 NA가 형성되지 않는 경우여도, 예를 들어 외주 영역의 형상이나, 배선과 드라이브 회로 또는 센싱 회로와의 접속 위치 등에 기인하여, 복수의 배선(100)이 서로 상이한 경로를 통과하는 접속 요소(110A)와 접속 요소(110B)로 나뉠 경우에는, 마찬가지의 문제가 발생한다.

본 개시의 기술은, 조작 위치의 검출 정밀도의 저하를 억제하는 것이 가능한 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결할 투명 도전성 적층체는, 제1 방향을 따라서 연장되는 복수의 제1 전극과, 복수의 제1 배선을 포함하는 제1 전극층이며, 상기 복수의 제1 배선이 각각 상이한 상기 제1 전극에 접속되는, 상기 제1 전극층과, 제2 방향을 따라서 연장되는 복수의 제2 전극과, 복수의 제2 배선을 포함하는 제2 전극층이며, 상기 복수의 제2 배선이 각각 상이한 상기 제2 전극에 접속되는, 상기 제2 전극층과, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하는 투명 유전체층을 구비한다. 서로 이웃하는 2개의 상기 제1 배선이 배선 쌍을 구성하고, 상기 복수의 제1 배선은 복수의 접속 요소로 나뉜다. 그리고, 각 접속 요소가 하나 이상의 상기 제1 배선을 포함하고, 상기 복수의 접속 요소는 서로 이웃하는 기준 접속 요소와 분기 접속 요소를 포함하고, 상기 분기 접속 요소의 경로가 상기 기준 접속 요소의 경로로부터 분기되고, 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 중 적어도 한쪽은 보정 패턴을 구비하고, 그 보정 패턴은, 상기 기준 접속 요소와 상기 분기 접속 요소에 걸치는 상기 배선 쌍에 대해서, 그 배선 쌍을 구성하는 2개의 상기 제1 배선의 사이에서 상기 분기에 기인하여 발생하는 시상수의 차를 저감시키도록 구성된다.

상기 과제를 해결하는 터치 패널은, 상기 투명 도전성 적층체를 구비한다.

상기 과제를 해결하는 표시 장치는, 표시 패널과, 상기 표시 패널에 적층된 터치 패널을 구비하는 표시 장치이며, 상기 터치 패널은, 상기 투명 도전성 적층체를 구비한다.

도 1은 본 개시의 기술을 구체화한 제1 내지 제3 실시 형태에 있어서의 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치의 단면 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 투명 도전성 적층체의 평면 구조를 도시하는 평면도이다.
도 3은 제1 실시 형태의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 3의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 5는 제1 실시 형태의 배선의 등가 회로를 도시하는 회로도이다.
도 6은 제1 실시 형태의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역과 배선의 배치예를 도시하는 도면이다.
도 7은 제1 실시 형태의 투명 도전성 적층체의 변형예에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 8은 제2 실시 형태의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 9는 제2 실시 형태의 투명 도전성 적층체의 변형예에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 10은 제3 실시 형태의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 11은 제3 실시 형태의 투명 도전성 적층체의 변형예에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 12는 종래의 투명 도전성 적층체에 있어서의 배선 불가 영역의 부근을 확대하여 도시하는 평면도이다.

(제1 실시 형태)

도 1 내지 도 7을 참조하여, 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치의 제1 실시 형태에 대하여 설명한다. 먼저, 도 1을 참조하여 표시 장치의 전체 구성에 대하여 설명한다. 또한, 도 1에서는, 투명 도전성 적층체가 구비하는 전극의 수 및 배선의 수를 생략하여 도시하고 있다.

도 1에 도시되는 바와 같이, 표시 장치(10)는 표시 패널(11)과, 표시 패널(11) 상에 접착 부재를 개재하여 적층된 터치 패널(12)을 구비하고 있다.

터치 패널(12)은, 기재 및 기재 상에 형성된 복수의 전극을 구비하는 투명 도전성 적층체(13)와, 투명 도전성 적층체(13)에 적층되어 터치 패널(12)의 표면인 조작면을 구성하는 커버층(14)을 구비하고 있다.

투명 도전성 적층체(13)는, 드라이브 기재(20)와, 드라이브 기재(20) 상에 형성된 드라이브 전극층(21)과, 센싱 기재(22)와, 센싱 기재(22) 상에 형성된 센싱 전극층(23)을 구비하고 있다. 드라이브 기재(20)와 센싱 기재(22)는, 예를 들어 유리나 수지 필름 등으로 형성된다.

드라이브 전극층(21)은, 복수의 드라이브 전극(30)과, 드라이브 전극(30)의 각각에 하나씩 접속된 복수의 드라이브 배선(31)을 구비하고, 센싱 전극층(23)은, 복수의 센싱 전극(40)과, 센싱 전극(40)의 각각에 하나씩 접속된 복수의 센싱 배선(41)을 구비하고 있다.

드라이브 전극(30)은, 예를 들어 드라이브 기재(20)의 표면에 성막된 구리막이나 은막 등의 금속 박막이 에칭됨으로써 형성되고, 센싱 전극(40)은, 예를 들어 센싱 기재(22)의 표면에 성막된 구리막이나 은막 등의 금속막이 에칭됨으로써 형성된다. 또는, 드라이브 전극(30)과 센싱 전극(40)은, 예를 들어 산화인듐 주석(ITO) 등의 금속 산화물의 에칭에 의해 형성되어도 된다.

드라이브 배선(31)은, 드라이브 전극(30)과 함께, 동일한 금속 박막의 에칭에 의해 형성되어도 되고, 드라이브 전극(30)과는 상이한 금속 박막의 에칭에 의해 형성되어도 된다. 센싱 배선(41)은, 센싱 전극(40)과 함께, 동일한 금속 박막의 에칭에 의해 형성되어도 되고, 센싱 전극(40)과는 상이한 금속 박막의 에칭에 의해 형성되어도 된다.

투명 도전성 적층체(13)에 있어서, 드라이브 전극층(21)이 형성된 드라이브 기재(20) 상에, 센싱 전극층(23)이 형성된 센싱 기재(22)가 접착 부재를 개재하여 적층되어 있다. 또한, 상기 구성 대신에, 투명 도전성 적층체(13)는, 하나의 기재의 한쪽 면에 드라이브 전극층(21)이 형성되고, 다른 쪽 면에 센싱 전극층(23)이 형성된 구성이어도 된다. 또한, 투명 도전성 적층체(13)는, 상기 구성층 외에, 적층체의 기계적 강도를 높이기 위한 층이나 적층체의 광학적인 특성을 조정하기 위한 층 등의 기능층을 구비하고 있어도 된다.

커버층(14)은, 예를 들어 강화 유리나 합성 수지 등으로 형성되며, 접착 부재를 개재하여 투명 도전성 적층체(13)에 부착된다. 또한, 드라이브 전극(30)과 센싱 전극(40)에 신호를 입출력하는 회로 등이 드라이브 전극(30)과 센싱 전극(40)에 접속되어 있다.

표시 패널(11)은, 예를 들어 액정 패널이나 유기 EL 패널 등이다. 표시 패널(11)과 터치 패널(12)이 적층되고, 각종 센서나 카메라, 회로 등이 부착됨으로써, 표시 장치(10)가 형성된다.

도 2를 참조하여, 투명 도전성 적층체(13)에 있어서의 각 전극(30, 40)과 각 배선(31, 41)의 배치에 대해서 설명한다. 또한, 도 2에서는, 각 전극(30, 40)의 수 및 각 배선(31, 41)의 수를 생략하여 나타내고 있다.

도 2에 도시되는 바와 같이, 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때, 복수의 드라이브 전극(30)은 X 방향으로 연장되고, X 방향과 직교하는 Y 방향으로 간극을 두고 병설되어 있다. 또한, 복수의 센싱 전극(40)은 Y 방향으로 연장되고, X 방향으로 간극을 두고 병설되어 있다. 전극(30, 40)이 금속 박막으로 형성되는 경우에는, 전극(30, 40)의 하나하나는, 예를 들어 에칭에 의해 형성된 복수의 금속선으로 구성된다. 또는, 전극(30, 40)이 ITO로 형성되는 경우에는, 전극(30, 40)의 하나하나는, 예를 들어 직사각 형상으로 형성되거나, 또는, 복수의 마름모꼴이 일 방향으로 연결된 형상으로 형성된다.

복수의 드라이브 전극(30)과 복수의 센싱 전극(40)이 대향하고 있는 영역은, 조작면에서의 조작 위치를 검출 가능한 검출 영역 SA이다. 즉, 드라이브 기재(20) 상에서 복수의 드라이브 전극(30)이 형성되어 있는 영역 및, 센싱 기재(22) 상에서 복수의 센싱 전극(40)이 형성되어 있는 영역이, 검출 영역 SA에 상당한다.

드라이브 기재(20) 상에서, 복수의 드라이브 전극(30)의 각각에는, 드라이브 배선(31)이 접속되어 있다. 드라이브 배선(31)은, 드라이브 전극(30)의 한쪽 단부로부터 인출되어, 검출 영역 SA의 외측 영역인 외주 영역 OA로 연장 형성되어 있다. 마찬가지로, 센싱 기재(22) 상에서, 복수의 센싱 전극(40)의 각각에는, 센싱 배선(41)이 접속되어 있다. 센싱 배선(41)은, 센싱 전극(40)의 한쪽 단부로부터 인출되어, 검출 영역 SA의 외측 영역인 외주 영역 OA로 연장 형성되어 있다. 드라이브 배선(31)과 센싱 배선(41)의 사이에 용량이 형성되는 것을 억제하기 위해서, 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때, 드라이브 배선(31)과 센싱 배선(41)은 겹치지 않는 것이 바람직하다.

투명 도전성 적층체(13)를 사용하여 터치 패널(12)이 조립될 때에는, 드라이브 배선(31)은 드라이브 회로(50)에 접속되고, 센싱 배선(41)은 센싱 회로(51)에 접속된다. 드라이브 회로(50)는 드라이브 배선(31)을 통해서, 센싱 기재(22)의 전하를 충방전시키는 선택 신호를 각 드라이브 전극(30)에 순서대로 인가한다. 그리고, 각 센싱 전극(40)은, 센싱 배선(41)을 통해서, 각 드라이브 전극(30)과 그 센싱 전극(40) 사이의 정전 용량 크기에 따른 검출 신호를 센싱 회로(51)에 출력한다. 출력된 검출 신호에 기초하여, 각 드라이브 전극(30)과 각 센싱 전극(40)의 사이에 있어서의 정전 용량값 감소의 유무가 판정됨으로써, 조작면에서의 조작 위치가 검출된다.

드라이브 기재(20) 및, 센싱 기재(22)는, 직사각형 판형상을 갖는 기판의 일례이며, 기판의 주연부 영역인 외주 영역 OA 중에서, 기판의 한 변에 따른 부분인 일측연부 영역에는, 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있다. 배선 불가 영역 NA는, 터치 패널(12) 또는 표시 장치(10)가 조립되었을 때, 예를 들어 각종 센서, 카메라, 스피커 및 마이크 등이 배치되는 영역이나, 터치 패널(12)이나 표시 장치(10)의 각 부재를 고정하기 위한 나사가 통과되는 영역이나, 제조 번호가 부여되는 영역 등을 포함한다. 투명 도전성 적층체(13)에 있어서는, 배선 불가 영역 NA는, 예를 들어 상술한 바와 같은 부품을 배치하기 위한 구멍으로서 구체화된다.

이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여, 외주 영역 OA에 있어서의 배선의 배치의 상세에 대해서, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 예를 들어 설명한다.

도 3에 도시되는 바와 같이, 배선 불가 영역 NA의 부근에서, 복수의 센싱 배선(41)은, 배선 불가 영역 NA에 경로를 저해받지 않고, 배선 불가 영역 NA와 이웃하는 직선 형상의 기준 접속 요소(42A)와, 배선 불가 영역 NA를 우회하여 연장되는 분기 접속 요소(42B)로 양분되어 있다. 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)의 연장되는 경로는, 배선 불가 영역 NA의 앞에서 일단 분기되었다가, 배선 불가 영역 NA를 지난 곳에서 다시 합류되고 있다.

분기 접속 요소(42B)는, 배선 불가 영역 NA의 외주를 따라, 배선 불가 영역 NA를 우회하고 있기 때문에, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 센싱 배선(41)의 길이는, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 센싱 배선(41)의 길이보다도 길다. 센싱 배선(41)의 길이는, 센싱 회로(51)로부터 더 멀리 떨어진 센싱 전극(40)에 접속된 센싱 배선(41)일수록 길어진다. 이 센싱 배선(41)의 길이 변화는 점차적이지만, 이러한 점차적인 배선 길이의 변화에 기인하여 발생하는 시상수 차는, 센싱 회로(51)에 있어서 보정 가능하다.

이에 반해, 기준 접속 요소(42A) 중에서 분기 접속 요소(42B)에 가장 가까운 센싱 배선(41)과, 분기 접속 요소(42B) 중에서 기준 접속 요소(42A)에 가장 가까운 센싱 배선(41) 사이에서의 배선 길이의 변화는, 접속 요소 사이에서의 변화이며, 복수의 센싱 배선(41) 중에 있어서의 국부적인 변화이다.

상세하게는, 기준 접속 요소(42A)에서 배선(41a, 41b, 41c)이 이 순서대로 배열되고, 분기 접속 요소(42B)에서 배선(41d, 41e, 41f)이 이 순서대로 배열되고, 배선(41c)과 배선(41d)이 이웃한다. 이때, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 사이에서의 길이의 차는, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)와의 경계를 형성하는 배선(41c)과 배선(41d) 사이에서 급격하게 커진다. 이러한 국부적인 배선 길이의 변화에 기인하여 발생하는 시상수 차의 변화를 센싱 회로(51)가 보정하기 위해서는, 국부적인 변화의 요인이 되는 센싱 배선(41)을 센싱 회로(51)에 있어서 개별로 취급할 필요가 있기 때문에, 센싱 회로(51)의 설계에 과대한 부하를 면치 못한다.

제1 실시 형태에 있어서, 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때, 기준 접속 요소(42A)와 겹치는 영역의 일부에는, 드라이브 기재(20) 상에 보정 패턴의 일례인 보정용 전극(32)이 형성되어 있다. 보정용 전극(32)은, 외주 영역 OA 중, 배선 불가 영역 NA가 형성되는 일측연부 영역에 위치하고 있다.

도 4에 도시되는 바와 같이, 보정용 전극(32)은, 드라이브 기재(20) 상에 있어서, 기준 접속 요소(42A)와 대향하는 영역에 형성되고, 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때, 기준 접속 요소(42A)를 구성하는 복수의 배선(41a 내지 41c)과 겹쳐 있다. 보정용 전극(32)은, 분기 접속 요소(42B)와 대향하는 영역에는 형성되어 있지 않다. 보정용 전극(32)은, 예를 들어 접지 전위 등, 보정용 전극(32)과 대향하는 센싱 배선(41)과는 상이한 전위를 갖고 있다. 보정용 전극(32)의 전위는, 보정용 전극(32)과 센싱 배선(41)의 사이에 용량이 형성되는 전위이면 된다.

도 5를 참조하여, 상술한 구성이 초래하는 작용에 대하여 설명한다.

도 5에 도시되는 바와 같이, 직선 형상의 드라이브 배선(31)이나 센싱 배선(41)은, 인덕턴스를 거의 갖지 않는 전송로이며, 그 등가 회로는, 서로 상이한 전위인 전위 V1과 전위 V2를 접속하는 저항 R과, 저항 R과 전위 V2 사이에 접지 전위를 접속하는 콘덴서 C를 사용한 RC 회로에 의해 표현된다. RC 회로에 있어서, 시상수 τ는, 하기 식 (1)에 표시되는 바와 같이, 저항 R의 저항값 r과 콘덴서 C의 용량값 c의 곱으로서 구해진다.

τ(s)=r(Ω)×c(F) …(1)

센싱 배선(41)의 길이의 차에 기인하여, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 ra는, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 rb보다도 전반적으로 작다. 상세하게는, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)을 하나의 배선 쌍으로 할 때, 배선(41a 내지 41f)에 대해서, 배선 쌍에 포함되는 센싱 배선(41)의 사이에서의 저항값의 차는, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍에 있어서 급격하게 커진다.

보정용 전극(32)이 형성되지 않는 경우, 이러한 저항값의 변화에 기인하여, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 시상수 τ의 차는, 배선(41c)과 배선(41d)의 사이에서 급격하게 커진다. 이와 같이, 센싱 배선(41) 사이에 있어서의 시상수 τ의 차의 변화가 국부적으로 발생하면, 조작 위치의 산출 시에, 시상수 τ의 차에 기인하여 발생하는 출력의 차가 노이즈라고 판단되어, 조작 위치의 검출 정밀도가 저하된다.

한편, 보정용 전극(32)이 형성됨으로써, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 센싱 배선(41)의 용량값 ca는 증가한다. 용량값 ca의 증가량은, 보정용 전극(32)이 형성되는 영역의 크기에 따라 조정이 가능하기 때문에, 저항값 ra와 저항값 rb의 차에 따라서 용량값 ca의 증가량이 조정된다. 이에 의해, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍, 즉, 배선(41c)과 배선(41d)의 사이에 있어서 시상수 τ의 차는 작아진다. 그 결과, 보정용 전극(32)이 형성되어 있지 않은 경우와 비교하여, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)의 사이에 있어서, 분기에 기인하는 시상수 차의 변화가 발생하기 어렵고, 그러므로, 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하가 억제된다.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에서는, 센싱 배선(41)이 배선 불가 영역 NA의 주위에서 서로 상이한 경로를 통과하는 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)로 갈라져도, 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하가 억제된다. 종래, 배선에 있어서의 시상수 τ의 급격한 변화를 억제하기 위해서는, 모든 배선을 하나의 다발형으로 정렬시켜서 배치할 필요가 있었다. 이 경우, 배선 불가 영역 NA를, 배선의 경로에 영향을 주지 않는 영역에 통합하여 배치할 수밖에 없으므로, 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 자유도는 낮게 되어 있었다. 이에 반해, 제1 실시 형태에서는, 배선이 연장되는 경로를 분기시켜도 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하가 억제되므로, 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 자유도가 높아진다.

또한, 제1 실시 형태에서는, 보정용 전극(32)과 배선 불가 영역 NA가, 공통되는 하나의 일측연부 영역에 위치하고 있다. 가령 배선 불가 영역 NA와 보정용 전극(32)이 서로 상이한 측연부 영역에 위치하는 구성을 채용한 경우, 배선 불가 영역 NA와 보정용 전극(32)의 사이에 배선 불가 영역 NA 이외의 다른 많은 요소가 배치되게 된다. 이것은, 시상수 차에 변화를 발생시키는 요인을 배선 불가 영역 NA 이외에도 포함할 가능성을 높이기 때문에, 보정용 전극(32)의 설계가 용이하지 않다. 이 점에 있어서, 제1 실시 형태의 구성이면, 배선 불가 영역 NA의 위치와 보정용 전극(32)의 위치가 가깝기 때문에, 보정용 전극(32)의 설계가 용이하다.

또한, 제1 실시 형태에서는, 보정용 전극(32)이 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때, 기준 접속 요소(42A)를 구성하는 복수의 배선(41a 내지 41c)과 겹침으로써, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 배선(41d)과, 배선(41a 내지 41c)의 각각과의 사이에 있어서, 시상수의 차를 저감시키고 있다. 그로 인해, 복수의 센싱 배선(41)의 전체에 걸쳐, 국부적으로 시상수 차에 변화가 발생하는 것이 억제된다.

예를 들어, 도 6은 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 복수의 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 예를 도시한다.

도 6에 도시되는 예에서는, 센싱 배선(41)은, 배선(41g, 41h, 41i)을 포함하는 접속 요소(42C)와, 배선(41j)을 포함하는 접속 요소(42D)와, 배선(41k)을 포함하는 접속 요소(42E)와, 배선(41l)을 포함하는 접속 요소(42F)로 나뉜다. 접속 요소(42C 내지 42F)의 각각은, 하나 이상의 센싱 배선(41)을 포함하고, 서로 이웃하는 접속 요소(42)가 연장되는 경로는, 적어도 1군데의 분기점을 갖고 있다. 접속 요소(42C 내지 42F)가 연장되는 경로는, 배선 불가 영역 NA의 주위에서 분기와 합류를 행하고, 배선 불가 영역 NA를 둘러싸고 있다.

서로 이웃하는 접속 요소(42)의 한쪽을 기준 접속 요소로 할 때, 서로 이웃하는 접속 요소(42)의 다른 쪽은 분기 접속 요소이다. 기준 접속 요소의 경로로부터 분기 접속 요소의 경로가 1군데 이상에서 분기되는 구성이면, 기준 접속 요소의 경로의 형상 및, 분기 접속 요소의 경로는 한정되지 않는다. 서로 이웃하는 접속 요소(42)는, 접속 요소(42C 내지 42F)에 포함되는 센싱 배선(41)의 각각이 센싱 회로(51)에 접속되는 형태이면, 분기점에서 분기된 후에 합류되지 않아도 된다.

보정용 전극(32)은, 배선 불가 영역 NA의 주위에서, 상대적으로 배선 길이가 짧은 센싱 배선(41)과 대향하고 있다. 복수의 보정용 전극(32)을 이렇게 배치함으로써, 복수의 접속 요소(42C 내지 42F)가 연장되는 경로가, 복수의 배선 불가 영역 NA의 주위를 통과하도록 분기해도, 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 외주 영역 OA에서 복수의 배선 불가 영역 NA를 점재시킬 수 있기 때문에, 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 자유도가 높아진다.

또한, 센싱 배선(41)과 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 제약이 적어지는 결과, 센싱 배선(41)과 배선 불가 영역 NA를 좁은 영역에 배치하는 것도 가능하게 되므로, 외주 영역 OA의 크기를 축소하는 것이 가능해진다. 그 결과, 조작면에 있어서의 조작 위치의 검출 대상이 되는 영역의 외측 영역이 축소되어, 표시 장치(10)의 소형화가 가능해진다. 또한, 외주 영역 OA의 외형, 드라이브 회로(50)에 대한 드라이브 배선(31)의 접속 위치 및, 센싱 회로(51)에 대한 센싱 배선(41)의 접속 위치에 관한 자유도도 높아진다. 따라서, 예를 들어 투명 도전성 적층체(13)의 평면에서 볼 때의 외경을 직사각형과는 상이한 형상으로 형성할 수 있기 때문에, 표시 장치(10)의 설계에 관한 자유도가 높아진다.

또한, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)에 보정용 전극(32)이 부가하는 용량은, 보정용 전극(32)이 형성되지 않는 구성과 비교하여, 복수의 센싱 배선(41)에 있어서, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 시상수 차의 차이가 작아지는 크기이면 된다. 즉, 보정용 전극(32)이 부가하는 용량은, 분기에 의해 발생하는 시상수 차를 저감시키는 크기이면 되고, 배선(41a 내지 41c)에 부가되는 용량의 크기에 따라, 보정용 전극(32)의 크기는 설정된다.

예를 들어, 도 7에 도시되는 바와 같이, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)의 각각과, 보정용 전극(32)이 대향하는 영역의 크기는, 배선(41a 내지 41c)마다 상이해도 된다. 도 7에 도시되는 예에서는, 센싱 배선(41)이 연장되는 방향에 있어서의 보정용 전극(32)의 길이가, 센싱 배선(41)이 연장되는 방향과 직교하는 방향을 따라서 서서히 변화하고 있다. 그로 인해, 배선(41a), 배선(41b), 배선(41c)의 순서대로, 보정용 전극(32)과 대향하는 영역의 크기가 점점 작아지게 되어 있다. 따라서, 배선(41a 내지 41c)의 각각과 보정용 전극(32) 사이에 형성되는 용량의 크기는, 배선(41a 내지 41c)마다 상이하다.

이러한 구성에 의하면, 각 배선(41a 내지 41c)의 저항값이, 각 배선(41a 내지 41c)의 길이의 차이 등에 기인하여, 배선(41a 내지 41c)마다 상이한 경우에, 각 배선(41a 내지 41c)의 저항값의 차이에 따른 크기의 용량을 부가할 수도 있다.

또한, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)에 부가되는 용량의 크기의 조정 시에, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 배선(41d 내지 41f)과 대향하는 영역에도, 보정용 전극(32)이 필요에 따라서 형성되어도 된다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 센싱 전극층(23)이 제1 전극층의 일례이고, 센싱 전극(40)이 제1 전극의 일례이며, 센싱 배선(41)이 제1 배선의 일례이다. 그리고, 드라이브 전극층(21)이 제2 전극층의 일례이고, 드라이브 전극(30)이 제2 전극의 일례이며, 드라이브 배선(31)이 제2 배선의 일례이다. 센싱 기재(22)는 투명 유전체층의 일례이다.

상기 실시 형태에서는, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에 대하여 설명했지만, 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에 대해서도, 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다. 즉, 드라이브 배선(31)은, 서로 상이한 경로를 통과하는 기준 접속 요소와 분기 접속 요소로 나뉘고, 기준 접속 요소와 분기 접속 요소에 포함되는 복수의 드라이브 배선(31) 중, 상대적으로 저항값이 작아지는 드라이브 배선(31)과 대향하는 센싱 기재(22) 상의 영역에, 보정용 전극이 형성된다. 이 경우, 드라이브 전극층(21)이 제1 전극층의 일례이고, 드라이브 전극(30)이 제1 전극의 일례이며, 드라이브 배선(31)이 제1 배선의 일례이다. 그리고, 센싱 전극층(23)이 제2 전극층의 일례이며, 센싱 전극(40)이 제2 전극의 일례이며, 센싱 배선(41)이 제2 배선의 일례이다.

또한, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA와 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA의 양쪽에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에는, 상술한 구성이 조합되면 된다. 이 경우, 제1 배선 외에, 제2 배선도, 서로 상이한 경로를 통과하는 기준 접속 요소와 분기 접속 요소로 나뉘어, 제1 배선과 제2 배선의 양쪽이 보정 패턴에 의한 시상수 차의 보정 대상이 된다.

또한, 분기 접속 요소의 경로가 기준 접속 요소의 경로로부터 분기되는 구성이면, 배선 불가 영역 NA가 형성되지 않는 구성이어도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태에 의하면, 이하의 효과가 얻어진다.

(1) 서로 이웃하는 접속 요소가 연장되는 경로가 분기되는 경우에도, 서로 이웃하는 접속 요소를 걸친 배선 쌍에서, 분기에 기인하여 시상수 차의 변화가 발생하는 것이 억제되기 때문에, 조작 위치의 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.

(2) 서로 이웃하는 접속 요소가 연장되는 경로가 분기되는 경우에도, 조작 위치의 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있기 때문에, 배선 불가 영역 NA를 점재시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 자유도가 높아진다.

(3) 배선과 배선 불가 영역 NA의 배치에 관한 제약이 적어지는 결과, 이들이 배치되는 외주 영역 OA의 크기를 축소하는 것이 가능해지고, 또한 외주 영역 OA의 외형에 관한 자유도도 높아진다.

(4) 보정용 전극과 배선의 사이에 용량이 형성됨으로써, 배선의 시상수가 보정된다. 즉, 보정용 전극(32)과 배선의 사이에 형성되는 용량에 의해, 접속 요소(42) 사이에 있어서의 배선의 시상수 차가 저감된다. 따라서, 시상수의 보정이 적절하게 실현된다.

(제2 실시 형태)

도 8을 참조하여, 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 제2 실시 형태는, 시상수 차를 보정하기 위한 구성이 제1 실시 형태와 주로 상이하다. 이하에서는, 제1 실시 형태와의 상위점을 중심으로 설명하고, 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하며 그 설명을 생략한다.

또한, 이하에서는, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 예에 대하여 설명한다.

도 8에 도시되는 바와 같이, 센싱 배선(41)은, 보정 패턴의 일례로서 선 폭 상이부(43)를 구비하고, 선 폭 상이부(43)는, 센싱 배선(41) 중, 다른 부분과는 선 폭이 상이한 부분이다. 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a, 41b, 41c)의 선 폭은, 선 폭 상이부(43)에 있어서 좁게 되어 있다. 한편, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 배선(41d, 41e, 41f)의 선 폭은, 선 폭 상이부(43)에서 넓게 되어 있다. 센싱 배선(41)이 연장되는 방향에 있어서, 각 배선(41a 내지 41f)의 선 폭 상이부(43)의 길이는 모두 동등하다.

상술한 구성이 초래하는 작용에 대하여 설명한다.

제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 모든 배선(41a 내지 41f)에 대해서, 선 폭이 일정한 경우, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 ra는, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 rb보다도, 전반적으로 작아진다. 상세하게는, 배선(41a 내지 41f)에 대해서, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 저항값의 차는, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍에 있어서 급격하게 커진다.

이에 반해, 제2 실시 형태에서는, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)의 선 폭은 부분적으로 좁기 때문에, 선 폭이 일정한 경우와 비교하여, 배선(41a 내지 41c)의 저항값은 높다. 한편, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 배선(41d 내지 41f)의 선 폭은 부분적으로 넓기 때문에, 선 폭이 일정한 경우와 비교하여, 배선(41d 내지 41f)의 저항값은 낮다. 배선(41a 내지 41c)의 저항값이나, 배선(41d 내지 41f)의 저항값은, 선 폭 상이부(43)의 길이에 의해 조정이 가능하다.

따라서, 선 폭 상이부(43)가 형성되어 있지 않은 경우와 비교하여, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍, 즉, 배선(41c)과 배선(41d)의 사이에 있어서 시상수 τ의 차는 작아진다. 그러므로, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)의 사이에서, 분기에 기인하는 시상수 차의 변화가 발생하기 어렵고, 그러므로, 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하가 억제된다.

선 폭 상이부(43)가 형성됨에 따른 배선(41a 내지 41f)의 저항값의 증감량은, 선 폭 상이부(43)가 형성되지 않는 경우와 비교하여, 복수의 센싱 배선(41)에 있어서, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 시상수 차의 차이가 작아지는 크기면 된다. 즉, 선 폭 상이부(43)에 의한 저항값의 증감량은, 경로의 분기에 따라 발생하는 시상수 차를 저감시키는 크기이면 되고, 배선(41a 내지 41f)의 저항값의 증감량에 따라, 선 폭 상이부(43)가 형성되는 영역의 크기는 설정된다.

예를 들어, 도 9에 도시되는 바와 같이, 배선(41a 내지 41c)마다 선 폭 상이부(43)의 크기는 상이해도 되고, 배선(41d 내지 41f)마다 선 폭 상이부(43)의 크기는 상이해도 된다. 도 9에 도시되는 예에서는, 배선(41a), 배선(41b), 배선(41c)의 순서대로, 배선이 연장되는 방향을 따르는 선 폭 상이부(43)의 크기가 점점 작아지게 되어 있다. 또한, 배선(41d), 배선(41e), 배선(41f)의 순서대로, 배선이 연장되는 방향을 따르는 선 폭 상이부(43)의 크기가 점점 크게 되어 있다. 따라서, 배선(41a 내지 41c)에 있어서의 저항값의 증가량은, 배선(41a 내지 41c)마다 상이하고, 배선(41d 내지 41f)에 있어서의 저항값의 감소량은, 배선(41d 내지 41f)마다 상이하다.

이러한 구성에 의하면, 선 폭 상이부(43)가 형성되지 않는 경우의 각 배선(41a 내지 41c)의 저항값이 서로 상이한 경우에, 그 저항값의 차이에 따라서 저항값을 증가시킬 수 있다. 또는, 선 폭 상이부(43)가 형성되지 않는 경우의 각 배선(41d 내지 41f)의 저항값이 서로 상이한 경우에, 그 저항값의 차이에 따라서 저항값을 감소시킬 수 있다.

또한, 시상수 차의 보정에 필요해지는 저항값에 따라서는, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)에만 선 폭 상이부(43)가 형성되어도 되고, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 배선(41d 내지 41f)에만 선 폭 상이부(43)가 형성되어도 된다.

또한, 선 폭 상이부(43)의 구성은, 실질적으로 배선(41a 내지 41f)의 선 폭이 변경되는 구성이면 되고, 예를 들어 배선(41d 내지 41f)에서는, 선 폭 상이부(43)에서 배선이 2개로 분기됨으로써 실질적인 선 폭이 넓게 되어도 된다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에 대하여 설명했지만, 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에는, 드라이브 배선(31)에, 다른 부분과 선 폭이 상이한 선 폭 상이부를 형성하면 된다. 또한, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA와 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA의 양쪽에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에는, 이들 구성이 조합되면 된다. 또한, 분기 접속 요소의 경로가 기준 접속 요소의 경로로부터 분기되는 구성이면, 배선 불가 영역 NA가 형성되지 않는 구성이어도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태의 (1) 내지 (3)의 효과 외에, 이하의 효과가 얻어진다.

(5) 배선에 선 폭 상이부(43)가 형성되고, 배선의 저항값이 조정됨으로써, 배선의 시상수 차가 적절하게 보정된다. 즉, 선 폭 상이부(43)에 있어서의 저항값에 의해 분기에 기인하여 발생하는 시상수의 차가 저감된다. 또한, 제1 실시 형태와 비교하여, 검출 영역 SA에 있어서의 용량값이, 외주 영역 OA에 형성되는 용량값에 따라 바뀌는 것이 억제된다. 또한, 배선의 저항값은, 용량값보다도 계산이나 측정이 용이하기 때문에, 시상수 차의 보정이 용이하기도 하다.

(제3 실시 형태)

도 10을 참조하여, 투명 도전성 적층체, 터치 패널 및, 표시 장치의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 제3 실시 형태는, 시상수 차를 보정하기 위한 구성이 제1 실시 형태와 주로 상이하다. 이하에서는, 제1 실시 형태와의 상위점을 중심으로 설명하고, 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하며 그 설명을 생략한다.

도 10에 도시되는 바와 같이, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a, 41b, 41c)은, 보정 패턴의 일례인 이형부(44)를 구비하고 있다. 이형부(44)에서는 배선(41a 내지 41c)이, 배선(41a 내지 41c)이 연장되는 방향과 직교하는 방향으로 복수회 절곡된 구절양장 형상(또는, 직사각형 물결 형상)을 갖고 있다. 배선(41a 내지 41c)이 절곡된 부분에 있어서, 배선(41a 내지 41c)이 연장되는 방향이 90° 바뀌어 있다. 배선(41a 내지 41c)이 연장되는 방향에 있어서의 단위 길이당에 있어, 이형부(44)의 경로 길이는, 이형부(44)를 포함하는 센싱 배선(41) 중의 이형부(44) 이외의 부분의 경로 길이보다도 길다. 「경로 길이」란, 배선을 따라가면서 얻어지는 길이를 의미한다. 이에 의해, 배선(41a 내지 41c)이 단순히 직선형으로 연장되는 경우와 비교하여, 배선(41a 내지 41c)의 길이는 실질적으로 증가하고 있다. 즉, 이형부(44)를 갖는 배선(41a) 내지 배선(41c)의 길이는, 이들 배선(41a 내지 41c)이 포함되는 기준 접속 요소(42A) 전체가 연장되는 경로 길이보다도 길다.

상술한 구성이 초래하는 작용에 대하여 설명한다.

제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 이형부(44)가 형성되지 않은 경우, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 ra는, 분기 접속 요소(42B)에 포함되는 센싱 배선(41)의 저항값 rb보다도 전반적으로 작다. 상세하게는, 배선(41a 내지 41f)에 대해서, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 저항값의 차는, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍에서 급격하게 커진다.

이에 반해, 제3 실시 형태에서는, 이형부(44)가 형성됨으로써, 기준 접속 요소(42A)에 포함되는 배선(41a 내지 41c)의 길이가 실질적으로 증가하고 있기 때문에, 배선(41a 내지 41c)의 저항값은 증가한다. 배선(41a 내지 41c)의 저항값의 증가량은, 이형부(44)에서 부가되는 배선의 경로 길이에 따라 조정이 가능하다.

따라서, 이형부(44)가 형성되어 있지 않은 경우와 비교하여, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)를 걸친 배선 쌍, 즉, 배선(41c)과 배선(41d) 사이에 있어서 시상수 τ의 차는 작아진다. 그러므로, 기준 접속 요소(42A)와 분기 접속 요소(42B)의 사이에서, 분기에 기인하는 시상수 차의 변화가 발생하기 어려워, 결과적으로 접촉 위치의 검출 정밀도의 저하가 억제된다.

이형부(44)가 형성됨에 따른 배선(41a 내지 41c)의 저항값의 증가량은, 이형부(44)가 형성되지 않는 경우와 비교하여, 복수의 센싱 배선(41)에 있어서, 서로 이웃하는 센싱 배선(41)의 시상수 차의 차이가 작아지는 크기이면 된다. 즉, 이형부(44)에 의한 저항값의 증가량은, 분기에 의해 발생하는 시상수 차를 저감시키는 크기이면 된다. 배선(41a 내지 41c)의 저항값의 증가량에 따라, 이형부(44)에서 부가되는 배선의 경로 길이가 설정되고, 이것에 기초하여 이형부(44)가 형성되는 영역의 크기는 설정된다.

예를 들어, 도 11에 도시되는 바와 같이, 배선(41a 내지 41c)마다, 이형부(44)에서 부가되는 배선의 경로 길이는 상이해도 된다. 도 11에 도시되는 예에서는, 배선(41a), 배선(41b), 배선(41c)의 순서대로, 이형부(44)에서 배선이 절곡되는 횟수가 적어져, 부가되는 배선의 경로 길이가 작게 되어 있다. 따라서, 배선(41a 내지 41c)에 있어서의 저항값의 증가량은, 배선(41a 내지 41c)마다 상이하다.

이러한 구성에 의하면, 이형부(44)가 형성되지 않은 경우의 각 배선(41a 내지 41c)의 저항값이 서로 상이한 경우에, 그 저항값의 차이에 따라서 저항값을 증가시킬 수 있다.

또한, 이형부(44)의 형상은, 상술한 형상에 한정되지 않고, 예를 들어 곡선 형상으로 절곡되는 형상이나, 배선이 연장되는 방향으로 복수회 절곡되는 형상이어도 된다. 요는, 이형부(44)가 차지하는 영역의 양단을 직선으로 연결하는 것보다도, 센싱 배선(41)의 경로 길이가 길어지는 형상으로 이형부(44)가 형성되어 있으면 된다. 단, 이형부(44)의 형상이, 센싱 배선(41)이 직각으로 절곡되는 것을 반복하는 형상이면, 이형부(44)가 센싱 배선(41)이 연장되는 방향에 대하여 비스듬히 연장되는 형상이나, 이형부(44)가 곡선으로 구성되는 형상과 비교하여, 센싱 배선(41)을 높은 정밀도로 가공할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에 대하여 설명했지만, 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에는, 드라이브 배선(31)에, 드라이브 배선(31)의 경로 길이를 증가시키는 이형부를 형성하면 된다. 또한, 센싱 기재(22) 상의 외주 영역 OA와 드라이브 기재(20) 상의 외주 영역 OA의 양쪽에 배선 불가 영역 NA가 형성되어 있는 경우에는, 이들 구성이 조합되면 된다. 또한, 분기 접속 요소의 경로가 기준 접속 요소의 경로로부터 분기되는 구성이면, 배선 불가 영역 NA가 형성되지 않는 구성이어도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태의 (1) 내지 (3)의 효과 외에, 이하의 효과가 얻어진다.

(6) 이형부(44)가 형성되고, 배선의 저항값이 조정됨으로써, 배선의 시상수가 보정된다. 즉, 이형부(44)에 있어서의 저항값에 의해 분기에 기인하여 발생하는 시상수의 차가 저감된다. 따라서, 시상수의 보정이 적절하게 실현된다. 배선의 경로 길이의 부가에 의해 시상수를 보정할 경우, 예를 들어 서로 이웃하는 접속 요소의 경로 길이의 차를, 이형부(44)에서 부가되는 배선의 경로 길이로 하면 되고, 제2 실시 형태의 선 폭 상이부(43)의 폭이나 길이의 설정과 비교하여, 이형부(44)의 경로 길이의 설정에 관한 부담은 적다. 그로 인해, 용이하게 시상수의 보정을 행할 수 있다.

(변형예)

상기 실시 형태는, 이하와 같이 변경하여 실시하는 것이 가능하다.

·제1 내지 제3 실시 형태가 조합되어도 된다. 즉, 투명 도전성 적층체(13)가, 보정 패턴으로서, 보정용 전극(32)과 선 폭 상이부(43)와 이형부(44) 중 어느 2개 이상을 구비하고 있어도 된다.

·상기 각 실시 형태에 있어서, 보정용 전극(32), 선 폭 상이부(43) 및, 이형부(44) 중 적어도 하나는, 기준 접속 요소와 분기 접속 요소를 걸친 배선 쌍에 있어서만, 분기에 기인하여 발생하는 시상수 차를 저감시키는 구성이어도 된다. 예를 들어, 보정용 전극(32)은, 배선(41c)만과 대향하는 형상을 가져도 되고, 배선(41b) 및 배선(41c)만과 대향하는 형상을 가져도 된다. 이러한 구성이어도, 기준 접속 요소와 분기 접속 요소에 걸치는 배선 쌍에 있어서 분기에 기인하여 발생하는 시상수 차가 줄어들기 때문에, 이 배선 쌍에 기인한 조작 위치의 검출 정밀도의 저하는 억제된다.

·상기 각 실시 형태에서는, 보정 패턴을, 배선 불가 영역 NA의 부근에 형성했지만, 시상수를 보정하는 배선의 경로 상이면, 보정 패턴이 형성되는 위치는 한정되지 않는다.

예를 들어, 외주 영역 OA 상에서 배선의 밀집도가 낮은 영역이나, 배선이 배치되어 있지 않은 간극이 있는 영역에 보정 패턴을 형성하면, 외주 영역 OA 상의 영역을 유효하게 활용할 수 있다.

또한, 드라이브 배선(31)의 시상수 차를 보정하는 보정 패턴이, 외주 영역 OA 중, 드라이브 회로(50)가 배치되는 변과 동일한 변에 따른 영역에 배치되고, 센싱 배선(41)의 시상수 차를 보정하는 보정 패턴이, 외주 영역 OA 중, 센싱 회로(51)가 배치되는 변과 동일한 변에 따른 영역에 배치되어도 된다. 이러한 구성이면, 외주 영역 OA에 배치되는 구성 요소가 하나의 측연부 영역에 모아진다. 따라서, 외주 영역 OA의 불필요한 확대를 억제할 수 있다.

또한, 배선 불가 영역 NA의 부근에 보정 패턴을 형성하면, 시상수 차의 국부적인 변화의 요인이 되는 지점에 가까운 위치에서, 회로에 입출력되는 신호가 보정되기 때문에, 접속 요소가 통과하는 경로가 배선 불가 영역 NA에서 분기됨에 따른 영향이 넓은 영역에 미치는 것이 억제된다.

또한, 복수의 드라이브 배선(31)에 있어서의 국부적인 시상수 차의 변화를 억제하는 보정 패턴이, 검출 영역 SA의 부근에 형성되는 구성에 의하면, 보정 직후의 신호가 드라이브 전극(30)에 입력된다. 또한, 복수의 센싱 배선(41)에 있어서의 국부적인 시상수 차의 변화를 억제하는 보정 패턴이, 센싱 회로(51)의 부근에 형성되는 구성에 의하면, 보정 직후의 신호가 센싱 회로(51)에 입력된다. 따라서, 보정 직후의 신호가 신호의 입력처에 입력되기 때문에, 신호 변화의 지연에 의한 검출 오차를 더욱 억제할 수 있다.

Claims

제1 방향을 따라서 연장되는 복수의 제1 전극과, 복수의 제1 배선을 포함하는 제1 전극층으로서, 상기 복수의 제1 배선이 각각 상이한 상기 제1 전극에 접속되는, 상기 제1 전극층과,
제2 방향을 따라서 연장되는 복수의 제2 전극과, 복수의 제2 배선을 포함하는 제2 전극층으로서, 상기 복수의 제2 배선이 각각 상이한 상기 제2 전극에 접속되는, 상기 제2 전극층과,
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하는 투명 유전체층을 구비하고,
서로 이웃하는 2개의 상기 제1 배선이 배선 쌍을 구성하고,
상기 복수의 제1 배선은 복수의 접속 요소로 나뉘고, 각 접속 요소가 하나 이상의 상기 제1 배선을 포함하고, 상기 복수의 접속 요소는 서로 이웃하는 기준 접속 요소와 분기 접속 요소를 포함하고, 상기 분기 접속 요소의 경로가 상기 기준 접속 요소의 경로로부터 분기되고,
상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 중 적어도 한쪽은 보정 패턴을 구비하고, 그 보정 패턴은, 상기 기준 접속 요소와 상기 분기 접속 요소에 걸치는 상기 배선 쌍에 대해서, 상기 기준 접속 요소 또는 상기 분기 접속 요소에 포함되는 상기 제1 배선의 전기 특성을 조정함으로써 그 배선 쌍을 구성하는 2개의 상기 제1 배선의 사이에서 상기 분기에 기인하여 발생하는 시상수의 차를 저감시키도록 구성되고,
상기 보정 패턴은, 상기 제2 전극층이 구비하는 보정용 전극을 포함하고,
상기 기준 접속 요소를 구성하는 상기 제1 배선의 길이는, 상기 분기 접속 요소를 구성하는 상기 제1 배선의 길이보다도 짧고,
상기 보정용 전극은, 상기 투명 유전체층을 사이에 두고 상기 기준 접속 요소와 대향하는 영역의 일부에 배치되고, 상기 보정용 전극과 대향하는 상기 제1 배선과는 상이한 전위를 갖고,
상기 복수의 제1 배선은, 직사각형 판형상을 갖는 기판의 주연부 영역 중에서 상기 기판의 1변에 따른 부분인 일측연부 영역에 형성되고, 상기 일측연부 영역은 배선 불가 영역을 포함하고,
상기 기준 접속 요소는, 상기 일측연부 영역에서 상기 배선 불가 영역과 이웃하는 직선 형상의 경로를 통과하고,
상기 분기 접속 요소는, 상기 기준 접속 요소가 통과하는 경로로부터 상기 배선 불가 영역을 우회한 경로를 통과하고,
상기 보정 패턴이 상기 일측연부 영역에 위치하는, 투명 도전성 적층체.
삭제
제1항에 있어서,
상기 기준 접속 요소는, 복수의 상기 제1 배선을 포함하고,
상기 보정 패턴은, 상기 분기 접속 요소 중에서 상기 기준 접속 요소에 가장 가까운 상기 제1 배선과, 상기 기준 접속 요소를 구성하는 복수의 상기 제1 배선의 각각과의 사이에 있어서, 상기 기준 접속 요소 또는 상기 분기 접속 요소에 포함되는 상기 제1 배선의 전기 특성을 조정함으로써 상기 분기에 기인하여 발생하는 상기 시상수의 상기 차를 저감시키도록 구성되는, 투명 도전성 적층체.
제1항에 있어서,
상기 보정 패턴은, 상기 제1 배선의 일부인 선 폭 상이부를 포함하고,
상기 선 폭 상이부는, 상기 분기에 기인하여 발생하는 상기 시상수의 상기 차를 저감시키도록, 상기 선 폭 상이부를 포함하는 상기 제1 배선 중에서 상기 선 폭 상이부 이외의 부분과 상이한 선 폭을 갖는, 투명 도전성 적층체.
제1항에 있어서,
상기 보정 패턴은, 상기 제1 배선의 일부인 이형부를 포함하고,
상기 이형부를 포함하는 상기 제1 배선이 연장되는 방향에 있어서의 단위 길이에 대해,
상기 이형부의 경로 길이는, 상기 분기에 기인하여 발생하는 상기 시상수의 상기 차를 저감시키도록, 상기 제1 배선에 있어서의 상기 이형부 이외의 부분의 경로 길이와 상이한, 투명 도전성 적층체.
제1항에 기재된 투명 도전성 적층체를 구비하는, 터치 패널.
표시 패널과,
상기 표시 패널에 적층된 터치 패널을 구비하는 표시 장치이며,
상기 터치 패널은, 제1항에 기재된 투명 도전성 적층체를 구비하는, 표시 장치.