KR102272440B1 - 반송 기구 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고, 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼(W)를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구(51)이며, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재(65)와, 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부에 접촉 및 이격시키는 클로 부재 작동 수단(68)과, 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 검출하는 구동 부하 검출 수단(71)과, 웨이퍼의 외주부에 대한 클로 부재의 접촉 위치를 검출하는 위치 검출 수단(72)과, 클로 부재 작동 수단의 구동을 제어하는 제어 수단(75)을 구비하고, 제어 수단이, 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 상승으로부터 클로 부재와 웨이퍼의 외주부의 접촉을 검출하고, 복수의 클로 부재를 정지시키며 각 클로 부재의 접촉 위치를 웨이퍼의 외주부의 외주 위치로 하여 웨이퍼의 중심을 산출하는 구성으로 하였다.

Description

반송 기구{TRANSFER MECHANISM}
본 발명은 웨이퍼의 외주부를 유지하여 반송하는 반송 기구에 관한 것이다.
최근, 전기 기기의 박형화나 소형화에 따라, 웨이퍼를 100 ㎛ 이하의 얇기로 연삭 마무리하는 것이 요구되고 있다. 종래, 웨이퍼에는 제조 공정 중의 깨짐이나 발진(發塵) 방지를 위해서, 웨이퍼의 외주에 모따기 가공이 실시되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 얇게 연삭하면, 외주의 모따기 부분이 나이프 에지(차양형)로 형성된다. 웨이퍼의 모따기 부분이 나이프 에지형이 되면, 외주로부터 이지러짐이 발생하여 웨이퍼가 파손된다고 하는 문제가 발생한다. 이 문제를 해결하기 위해서, 미리 웨이퍼의 모따기 부분을 절삭 블레이드로 둘레 방향으로 제거한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
또한, 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주부를 둘레 방향으로 제거할 때에, 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심이 일치하지 않으면, 웨이퍼의 외주부의 제거폭이 일정해지지 않는다. 그래서, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정하면서 절삭하는 방법이 채용되고 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 척 테이블 상의 웨이퍼의 외주 에지의 3점이 촬상되고, 3점의 좌표 위치로부터 산출된 웨이퍼의 중심과 척 테이블의 회전 중심의 어긋남량이 구해진다. 이 어긋남량을 보정하도록 절삭 블레이드가 이동되어, 웨이퍼의 중심으로부터 동일한 거리로 모따기부가 둘레 방향으로 절삭된다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-173961호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2006-093333호 공보
그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 척 테이블 상에서 웨이퍼의 외주 에지를 검출하여, 웨이퍼와 척 테이블의 어긋남량을 산출하는 데 긴 시간을 필요로 하여, 가공 스루풋이 나빠진다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고, 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있는 반송 기구를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
본 발명의 일 양태의 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하여 웨이퍼를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구로서, 상기 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와, 상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와, 상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재의 위치가 검출되고, 각 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 웨이퍼 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시키도록 하여, 척 테이블 상에 웨이퍼가 배치된다. 웨이퍼의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블 상에서는 웨이퍼의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블에 대한 웨이퍼의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 반송하면서 웨이퍼 중심 위치를 산출하기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블에 대해 웨이퍼를 효율적으로 반송하여, 가공 스루풋을 개선할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다.
도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다.
도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 반송 기구를 구비한 가공 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태의 가공 장치의 상면 모식도이다. 한편, 이하의 설명에서는, 웨이퍼의 외주부를 트리밍 가공하는 가공 장치에, 본 발명의 반송 기구를 적용하는 구성에 대해 설명하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 또한, 반송 기구는, 연삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 다른 가공 장치에 이용되어도 좋다.
도 1에 도시된 바와 같이, 가공 장치(1)는, 풀 오토 타입의 가공 장치이며, 원판형의 웨이퍼(W)에 대한 반입 처리, 절삭 처리, 세정 처리, 반출 처리로 이루어지는 일련의 작업을 전자동으로 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 외주 에지에는, 제조 공정 중에 있어서의 깨짐이나 발진 방지를 위한 모따기부(88)(도 2 참조)가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 외주부에는 결정 방위를 나타내는 노치(89)가 형성되어 있다. 한편, 웨이퍼(W)는, 반도체 기판에 반도체 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 좋고, 무기 재료 기판에 광디바이스가 형성된 광디바이스 웨이퍼여도 좋다.
가공 장치(1)에는, 장치 전방에 반입 영역(A1), 장치 안쪽에 가공 영역(A2), 반입 영역(A1) 및 가공 영역(A2)에 인접하여 세정 영역(A3)이 설정되어 있다. 또한, 가공 장치(1)의 전면(12)에는, 반입 영역(A1)으로부터 전방으로 돌출되도록, 한 쌍의 카세트 스테이지(13, 14)가 설치되어 있다. 카세트 스테이지(13)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 수용된 반입용 카세트(C1)가 배치된다. 카세트 스테이지(14)에는, 가공 후의 웨이퍼(W)가 수용되는 반출용 카세트(C2)가 배치된다. 카세트 스테이지(13)는 가공 장치(1)의 반입구로서 기능하고, 카세트 스테이지(14)는 가공 장치(1)의 반출구로서 기능한다.
반입 영역(A1)에는, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 웨이퍼(W)를 출납하는 다관절 로봇(21)이 설치되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 리니어 모터식의 이동 기구(24)의 슬라이드 헤드에 로봇 아암(22)을 부착하고, 로봇 아암(22)의 선단에 핸드부(23)를 장착하여 구성되어 있다. 다관절 로봇(21)은, 이동 기구(24)에 의해 X축 방향으로 이동되고, 로봇 아암(22)의 각 관절의 회전이 서보 모터 등으로 제어됨으로써, 반입용 카세트(C1) 및 반출용 카세트(C2)에 대해 핸드부(23)가 원하는 위치나 자세로 조정된다.
가공 영역(A2)에는, 가공 전의 웨이퍼(W)가 임시 배치되는 포지션 테이블(26)과, 척 테이블(31) 상에서 웨이퍼(W) 표면의 외주부를 절삭하는 절삭 기구(41)가 설치되어 있다. 포지션 테이블(26)에는 복수의 배치 핀(27)이 돌출 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 외주부가 복수의 배치 핀(27)에 하방으로부터 지지됨으로써, 테이블로부터 뜬 상태로 웨이퍼(W)가 위치 결정된다. 포지션 테이블(26)의 안쪽에는, 웨이퍼(W)의 반입 위치와 절삭 위치 사이에서 X축 방향으로 왕복 이동하는 척 테이블(31)이 설치되어 있다. 베이스(11) 상에는, 이 척 테이블(31)의 이동 궤적을 따라 X축 방향으로 연장되는 개구부(17)가 형성되어 있다.
개구부(17)는, 주름상자형의 방수 커버(18)에 덮여 있고, 방수 커버(18)의 하방에는 척 테이블(31)을 X축 방향으로 왕복 이동시키는 볼 나사식의 척 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 척 테이블(31)의 표면에는, 다공질재에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하는 유지면(32)이 형성되어 있다. 유지면(32)은, 척 테이블(31) 내의 유로를 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 유지면(32)에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다. 또한, 척 테이블(31)은, 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 Z축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.
절삭 기구(41)는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 교대로 이용하여, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 외주부를 절삭하도록 구성되어 있다. 절삭 기구(41)는, 개구부(17)에 걸치도록 베이스(11) 상에 세워져 설치된 문형의 기둥부(43)를 갖고 있다. 기둥부(43)의 표면에는, 한 쌍의 블레이드 유닛(42)을 이동시키는 볼 나사식의 블레이드 유닛 이동 기구(44)가 설치되어 있다. 블레이드 유닛 이동 기구(44)는, Y축 방향으로 이동하는 한 쌍의 Y축 테이블(45)과, 각 Y축 테이블(45)에 대해 Z축 방향으로 이동되는 Z축 테이블(46)을 갖고 있다. 블레이드 유닛(42)은, Y축 테이블(45) 및 Z축 테이블(46)에 의해 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다.
블레이드 유닛(42)은, 스핀들(47)의 선단에 원판형의 절삭 블레이드(48)를 장착하여 구성되어 있다. 고속 회전한 절삭 블레이드(48)에 의해 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 모따기부(88)(도 2 참조)가 절입된 상태에서, 척 테이블(31)을 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 모따기부(88)가 전체 둘레에 걸쳐 트리밍 가공된다. 웨이퍼(W)의 외주부로부터 모따기부(88)가 제거됨으로써, 후단의 연삭 공정에서 웨이퍼(W)가 이면측으로부터 마무리 두께까지 연삭되어도, 연삭 후에 남은 모따기부(88)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 나이프 에지형으로 형성되는 일이 없다.
가공 영역(A2)에 있어서는, 에지 클램프식의 반송 기구(51)에 의해 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 반입되고, 에지 클램프식의 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이 경우, 반송 기구(51)에 의해 포지션 테이블(26)로부터 가공 전의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)에 반송된다. 또한, 반송 기구(54)에 의해 척 테이블(31) 상으로부터 가공 후의 웨이퍼(W)가 픽업되고, 반송 기구(54)의 기단부를 중심으로 한 선회 이동에 의해 세정 영역(A3)에 웨이퍼(W)가 반송된다.
세정 영역(A3)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 기구(81)와, 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 표면 세정 기구(82)가 설치되어 있다. 이면 세정 기구(81)에서는, 복수의 배치 핀(83) 상에 웨이퍼(W)의 외주부가 지지된 상태에서, 웨이퍼(W)의 이면에 세정수가 분사되어 회전 브러시(84)에 의해 이면 세정된다. 이면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 에지 클램프식의 반송 기구(57)에 의해 이면 세정 기구(81)로부터 픽업되고, 리니어 모터식의 이동 기구(58)에 의해 표면 세정 기구(82)에 반송된다. 표면 세정 기구(82)에서는, 스피너 테이블(85)의 복수의 클램프부(86)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된 상태에서, 웨이퍼(W)에 세정수가 분사되어 표면 세정된 후, 건조 에어가 분무되어 건조된다.
표면 세정 후의 웨이퍼(W)는, 다관절 로봇(21)에 의해 스피너 테이블(85)로부터 픽업되고, 반출용 카세트(C2)를 향해 반송된다. 이와 같이 구성된 가공 장치(1)에서는, 포지션 테이블(26)과 척 테이블(31) 사이, 척 테이블(31)과 이면 세정 기구(81) 사이, 이면 세정 기구(81)와 표면 세정 기구(82) 사이에서, 각각 에지 클램프식의 반송 기구(51, 54, 57)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 경우, 각 반송 기구(51, 54, 57)의 3개의 클로 부재(65)(도 2 참조)가 웨이퍼(W)의 외주부 측면에 대해 적절한 위치까지 접근되어 웨이퍼(W)의 외주부가 유지된다.
그런데, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 소정의 정밀도로 위치 결정되어 있으나, 포지션 테이블(26)의 중심에 웨이퍼(W)의 중심을 확실하게 맞추는 것은 어렵다. 따라서, 포지션 테이블(26)로부터 척 테이블(31)에 배치할 때에, 웨이퍼(W)의 중심이 척 테이블(31)의 중심에 대해 위치가 어긋나는 경우가 있다. 이 때문에, 척 테이블(31) 상의 웨이퍼(W)의 촬상 화상으로부터 중심 위치를 구하고, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)를 재배치하는 것도 고려되지만, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출이나 웨이퍼(W)의 재배치에 시간을 필요로 하기 때문에 가공 스루풋이 악화된다.
또한, 센터링 기능을 갖는 반송 기구에 의해 반송하면서 센터링하여 가공 스루풋을 향상시키는 구성도 고려된다. 그러나, 접합 웨이퍼나 수지로 몰드한 웨이퍼는, 1장마다 외부 직경이나 외연(外緣) 형상에 변동이 발생하여 중심 위치로부터 외주부까지의 거리가 일정하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 클로 부재가 압박되어 파손될 우려가 있다. 그래서, 본 실시형태의 반송 기구(51, 54, 57)에서는, 구동 부하의 변화로부터 복수의 클로 부재가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 위치에 각 클로 부재를 정지시키고, 이 접촉 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여, 중심 위치를 산출하면서 웨이퍼(W)를 반송하도록 하고 있다.
이하, 도 2를 참조하여, 반송 기구의 상세 구성에 대해 설명한다. 도 2는 본 실시형태의 반송 기구의 측면 모식도이다. 한편, 반송 기구는, 도 2에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 반송 기구는, 웨이퍼의 외주부를 유지했을 때의 클로 부재의 위치를 웨이퍼의 외주 위치로 하여 중심 위치를 산출하는 것이 가능하면, 어떻게 구성되어도 좋다. 여기서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이에서 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해 설명한다. 한편, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이에서, 웨이퍼를 반송하는 반송 기구에 대해서도 동일한 구성으로 해도 좋다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반송 기구(51)는, 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 에지 클램프식의 유지 수단(52)을 갖고 있고, 유지 수단(52)의 3개의 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하도록 구성되어 있다. 유지 수단(52)은, 반송 아암(55)의 선단측에 지지부(61)를 통해 지지되어 있고, 지지부(61)에 의해 연직 방향으로 이동되며, 리니어 모터식의 이동 기구(53)(도 1 참조)에 의해 수평 방향으로 이동된다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 지지부(61)와 리니어 모터식의 이동 기구(53)에 의해, 유지 수단(52)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단이 구성되어 있다.
유지 수단(52)의 베이스 플레이트(62) 상에는, 세 방면으로 연장되는 장척(長尺)형의 가이드(63)가 설치되고, 각 가이드(63) 상에는 가동 블록(64)이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 각 가동 블록(64)에는 각각 클로 부재(65)가 부착되어 있고, 클로 부재(65)는 클로 끝(66)을 지지부(61)측으로 향하게 한 단면에서 보아 대략 L자형으로 형성되어 있다. 또한, 가동 블록(64)은 이송 나사(67)가 나사 결합되어 있고, 이송 나사(67)의 일단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 내측의 클로 부재 작동 수단(68)에 연결되고, 이송 나사(67)의 타단은 베이스 플레이트(62)의 직경 방향 외측에서 지지벽(69)에 지지되어 있다. 이와 같이, 베이스 플레이트(62) 상에는, 클로 부재(65)마다 이송 나사식의 이동 기구가 설치되어 있다.
클로 부재 작동 수단(68)은, 이른바 서보 모터로 구성되어 있고, 클로 부재(65)의 현재 위치, 현재 속도, 구동 부하(토크)가 후술하는 제어 수단(75)에 출력되어 서보 제어된다. 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 이송 나사(67)가 회전되고, 가동 블록(64)이 가이드(63)에 가이드되면서 가동된다. 이때, 각 가동 블록(64)에 설치한 각 클로 부재(65)는, 웨이퍼(W)의 외주부로부터 이격된 대기 위치와, 서로 반경 방향으로 접근하여 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 각각 반경 방향으로 독립적으로 이동된다. 각 가동 블록(64)이 접근하여 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)가 얹혀짐으로써, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다.
클로 부재 작동 수단(68)에는, 각각 클로 부재(65)를 구동할 때의 구동 부하를 검출하는 구동 부하 검출 수단(71)이 설치되어 있다. 구동 부하 검출 수단(71)은, 예컨대 서보 모터의 전용 드라이버의 토크 검출 기능으로 구성되고, 클로 부재(65)와 웨이퍼(W)의 외주부의 접촉에 의한 구동 부하의 증가를 검출하고 있다. 또한, 클로 부재(65)의 이동 위치는, 각각 위치 검출 수단(72)에 의해 검출되어 있다. 위치 검출 수단(72)은, 예컨대 리니어 스케일이고, 가동 블록(64)에 설치한 판독부(73)에 의해 가이드(63)를 따른 스케일(74)의 눈금을 판독함으로써, 클로 부재(65)의 이동 위치를 검출하고 있다. 구동 부하 검출 수단(71) 및 위치 검출 수단(72)의 출력 결과는 제어 수단(75)에 출력된다.
제어 수단(75)은, 클로 부재 작동 수단(68), 구동 부하 검출 수단(71), 위치 검출 수단(72)으로부터의 각종 정보로부터 클로 부재(65)의 이동을 제어하고 있다. 또한, 제어 수단(75)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성되어 있다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성되어 있다. 메모리에는, 클로 부재 작동 수단(68)의 서보 제어의 프로그램에 더하여, 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 프로그램이 기억되어 있다. 한편, 위치 검출 수단(72)은, 리니어 스케일 대신에, 클로 부재 작동 수단(68)에 설치한 인코더로 구성되어도 좋다.
또한, 제어 수단(75)에는, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 접촉을 판정하는 임계값을 기억하는 기억부(76)와, 클로 부재(65)의 접촉 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출하는 산출부(77)가 설치되어 있다. 기억부(76)에는, 사전에 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 값이 임계값으로서 기억되어 있다. 산출부(77)에는, 임계값을 초과한 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)으로부터 검출되었을 때에, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치가 입력된다. 또한, 제어 수단(75)에 의해 클로 부재(65)의 이동이 정지되고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 클로 부재(65)의 압입이 방지된다.
보다 상세하게는, 각 클로 부재(65)는 웨이퍼(W)의 외주부를 압입하지 않고, 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉한 타이밍에서 정지되고 있다. 따라서, 각 클로 부재(65)에 의해 웨이퍼(W)는 센터링되어 있지 않고, 유지 수단(52)에 대해 웨이퍼(W)의 중심이 위치 어긋남된 상태로 유지되어 있다. 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주까지의 거리에 변동이 발생하고 있어도, 웨이퍼(W)의 변동에 따라 적절한 위치에 클로 부재(65)가 정지되기 때문에, 웨이퍼(W)가 클로 부재(65)에 과도하게 압입되는 일이 없어, 웨이퍼(W)의 파손이 확실하게 방지된다.
그리고, 산출부(77)에서는, 위치 검출 수단(72)에 의해 검출된 클로 부재(65)의 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 구체적으로는, 3개의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)에 설정된 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 2점의 좌표를 연결하는 각 현(弦)의 수직 이등분선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 한편, 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표 중, 적어도 2점을 지나는 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 법선의 교점으로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되어도 좋다.
웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출되면, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 척 테이블(31)(도 4a 참조)의 중심 위치에 위치시키도록, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31) 상에 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 중에 중심 위치가 산출되기 때문에, 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31)의 회전 중심에 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 산출부(77)에 의해 산출된 웨이퍼(W)의 중심 위치에 기초하여, 에지 얼라인먼트를 하지 않고 웨이퍼(W)의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)(도 4b 참조)를 정밀도 좋게 위치시킬 수 있다.
계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 반송 기구의 반송 동작 및 절삭 기구의 절삭 동작에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 반송 기구의 반송 동작의 일례를 도시한 도면이다. 도 4는 본 실시형태의 절삭 기구의 절삭 동작의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 도 3에서는, 포지션 테이블과 척 테이블 사이의 반송 동작에 대해 설명하지만, 척 테이블과 이면 세정 기구 사이, 이면 세정 기구와 표면 세정 기구 사이의 반송 기구에 의한 반송 동작도 마찬가지이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27) 상에 웨이퍼(W)가 배치되어 있고, 포지션 테이블(26)의 상방에 유지 수단(52)이 위치된다. 이때, 배치 핀(27)에 웨이퍼(W)가 하방으로부터 지지됨으로써, 포지션 테이블(26)과 웨이퍼(W)와 테이블에 간극이 형성되어 있다. 또한, 유지 수단(52)의 각 클로 부재(65)가 각각 대기 위치에 위치되고, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부보다 직경 방향 외측으로 이격되어 있다. 또한, 포지션 테이블(26)의 중심에 유지 수단(52)의 중심이 위치된 상태에서, 유지 수단(52)이 하강되어 포지션 테이블(26)에 접근된다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 유지 수단(52)의 하강에 의해 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 하측에 위치되면, 각 클로 부재 작동 수단(68)에 의해 각 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)를 향해 개별적으로 이동된다. 이때, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하가 구동 부하 검출 수단(71)에 의해 검출되어 있고, 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 제어 수단(75)에 출력되어 구동 부하의 변화가 감시되고 있다. 구동 부하 검출 수단(71)의 검출 결과가 기억부(76)에 기억된 임계값을 초과하면, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉하는 작용 위치까지 이동했다고 판정되어 클로 부재 작동 수단(68)이 정지된다.
이 작용 위치에서는, 복수의 클로 부재(65)의 클로 끝(66)이 웨이퍼(W)의 외주부의 하측으로 들어가고, 웨이퍼(W)의 외주부 이면이 각 클로 부재(65)에 의해 하측으로부터 지지된다. 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 상면이, 선단을 향해 낮아지도록 경사져 있기 때문에, 클로 끝(66)의 사면(斜面)에 웨이퍼(W)의 외주부가 닿음으로써 웨이퍼(W)의 파손이 방지되어 있다. 또한, 복수의 클로 부재(65)가 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 개별적으로 접근되기 때문에, 웨이퍼(W)의 외부 직경의 크기나 변동에 의하지 않고, 웨이퍼(W)의 외주부에 대해 각 클로 부재(65)를 적절한 위치로 조정할 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 각 클로 부재(65)가 작용 위치에 위치되면, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 웨이퍼(W)의 외주부가 걸리고, 웨이퍼(W)의 외주부가 유지 수단(52)에 유지된다. 웨이퍼(W)는, 유지 수단(52)에 의해 유지된 상태에서 포지션 테이블(26)의 배치 핀(27)으로부터 들어 올려지고, 척 테이블(31)(도 4a 참조)을 향해 반송된다. 또한, 클로 부재(65)의 클로 끝(66)의 접촉 위치가 웨이퍼(W)의 외주부의 3점으로서, 유지 수단(52)의 평면 좌표계에 설정된다. 그리고, 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)까지 반송되는 동안에, 산출부(77)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부의 3점의 좌표로부터 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)의 상방에 유지 수단(52)이 위치되면, 척 테이블(31)의 중심 위치에 유지 수단(52)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심 위치가 위치된다. 그리고, 유지 수단(52)이 바로 아래로 하강함으로써, 각 클로 부재(65)의 클로 끝(66)에 얹혀진 웨이퍼(W)가 척 테이블(31)의 유지면(32)에 바뀌어 얹혀진다. 이와 같이, 클로 부재 작동 수단(68)의 구동 부하의 상승으로부터 클로 부재(65)의 위치 정보, 즉 웨이퍼(W)의 외주부의 좌표를 검출하도록 했기 때문에, 반송 중에 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출할 수 있다. 따라서, 부품 개수를 저감할 수 있고 작업 시간을 단축할 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 척 테이블(31)에 웨이퍼(W)가 유지되면, 웨이퍼(W)의 외주의 모따기부(88)에 절삭 블레이드(48)가 위치 맞춤된다. 절삭 블레이드(48)에 의해 웨이퍼(W)의 외주부가 절입되면, 척 테이블(31)이 회전되어 웨이퍼(W)의 외주부가 전체 둘레에 걸쳐 절삭된다. 이때, 척 테이블(31)과 웨이퍼(W)의 중심이 일치하기 때문에, 이 중심을 기준으로 절삭 블레이드(48)를 위치시킬 수 있다. 따라서, 에지 얼라인먼트하지 않고, 웨이퍼(W)에 대한 트리밍 가공을 개시할 수 있어, 가공 스루풋이 향상된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 반송 기구(51)에 의하면, 웨이퍼(W)의 외주부에 접촉했을 때의 구동 부하로부터 복수의 클로 부재(65)의 위치가 검출되고, 각 클로 부재(65)의 위치를 웨이퍼(W)의 외주 위치로 하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 산출된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 척 테이블(31)의 중심 위치에 위치하도록 하여, 척 테이블(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 웨이퍼(W)의 반송 시간을 이용하여 웨이퍼(W)의 중심 위치의 산출 처리가 실시되기 때문에, 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 척 테이블(31)에 대해 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송할 수 있다. 또한, 척 테이블(31) 상에서는 웨이퍼(W)의 중심 기준으로 가공을 개시할 수 있기 때문에, 척 테이블(31)에 대한 웨이퍼(W)의 재배치 등을 없애어 가공 스루풋을 개선할 수 있다.
한편, 본 실시형태에서는, 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 대해 설명하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명의 반송 기구는, 워크를 가공하는 다른 가공 장치에도 적용 가능하다. 예컨대, 워크 반송을 실시하는 가공 장치이면, 절삭 장치, 연삭 장치, 연마 장치, 레이저 가공 장치, 플라즈마 에칭 장치, 및 이들을 조합한 클러스터 장치 등의 다른 가공 장치의 반송 기구에 적용되어도 좋다.
또한, 가공 대상의 워크는, 가공의 종류에 따라, 예컨대, 반도체 디바이스 웨이퍼, 광디바이스 웨이퍼, 패키지 기판, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 산화물 웨이퍼, 그린 세라믹스 기판, 압전 기판 등의 각종 워크가 이용되어도 좋다. 반도체 디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 광디바이스 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후의 사파이어 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 또한, 패키지 기판으로서는 CSP(Chip Size Package) 기판, 반도체 기판으로서는 실리콘이나 갈륨비소 등, 무기 재료 기판으로서는 사파이어, 세라믹스, 유리 등이 이용되어도 좋다. 또한, 산화물 웨이퍼로서는, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트가 이용되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 클로 부재 작동 수단으로서 서보 모터를 예시하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 클로 부재 작동 수단은, 웨이퍼의 외주부로부터 이격된 대기 위치와 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치로 클로 부재를 이동시키는 구성이면 되고, 다른 액추에이터로 구성되어 있어도 좋다. 또한, 구동 부하 검출 수단은, 서보 모터의 드라이버가 아니라, 토크 검출기로 실현되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 유지 수단이 3개의 클로 부재를 갖는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 유지 수단은, 웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로 부재를 갖고 있으면 되고, 4개 이상의 클로 부재를 갖고 있어도 좋다. 또한, 클로 부재는 웨이퍼를 유지 가능한 형상이면 되고, 특별히 클로 부재의 형상은 한정되지 않는다.
또한, 본 실시형태 및 변형예를 설명하였으나, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 좋다.
또한, 본 발명의 실시형태는 상기한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 다른 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방식으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 특허청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 본 발명을 에지 트리밍 장치의 반송 기구에 적용한 구성에 대해 설명하였으나, 반송 대상의 중심 위치를 검출하여 반송 효율을 향상시킬 수 있는 다른 장치의 반송 기구에 적용하는 것도 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 척 테이블에 대해 웨이퍼의 위치 맞춤 정밀도를 낮추지 않고 효율적으로 반송하여 가공 스루풋을 개선할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 수지로 몰드된 웨이퍼나 접합 웨이퍼 등을 반송하는 반송 기구에 유용하다.
1: 가공 장치 26: 포지션 테이블
31: 척 테이블 41: 절삭 기구
48: 절삭 블레이드 51: 반송 기구
52: 유지 수단 53: 이동 기구(이동 수단)
61: 지지부(이동 수단) 65: 클로 부재
68: 클로 부재 작동 수단 71: 구동 부하 검출 수단
72: 위치 검출 수단 75: 제어 수단
76: 기억부 77: 산출부
W: 웨이퍼

Claims (1)

  1. 웨이퍼의 외주부를 유지하는 유지 수단과, 상기 유지 수단을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하여 웨이퍼를 척 테이블 상에 반송하는 반송 기구로서,
    상기 유지 수단은,
    웨이퍼의 외주부를 유지하는 복수의 클로(claw) 부재와,
    상기 복수의 클로 부재를 웨이퍼의 외주부로부터 이격시킨 대기 위치와 상기 복수의 클로 부재를 서로 반경 방향으로 접근시켜 웨이퍼의 외주부를 유지하는 작용 위치 사이에서 상기 복수의 클로 부재를 각각 독립적으로 반경 방향으로 작동시키는 클로 부재 작동 수단과, 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하를 각각 검출하는 구동 부하 검출 수단과, 각 상기 클로 부재의 위치를 각각 검출하는 위치 검출 수단과, 적어도 상기 클로 부재 작동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은,
    각 상기 클로 부재가 웨이퍼의 외주부에 접촉했을 때의 상기 클로 부재 작동 수단의 구동 부하의 값을 임계값으로서 기억하는 기억부와,
    상기 구동 부하 검출 수단으로부터의 상기 임계값을 초과한 구동 부하를 검출하면 정지되고 상기 위치 검출 수단에 의해 검출된 각 상기 클로 부재의 위치로부터 웨이퍼 중심 위치를 산출하는 산출부를 구비하며,
    상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼는, 상기 산출부에 의해 산출된 상기 웨이퍼 중심 위치를 척 테이블 중심 위치에 위치시켜 상기 척 테이블 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 반송 기구.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7274350B2 (ja) * 2019-05-28 2023-05-16 東京エレクトロン株式会社 搬送システム、検査システム及び検査方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4547524B2 (ja) 2000-12-05 2010-09-22 川崎重工業株式会社 ワーク処理方法、ワーク処理装置およびロボット
JP2015216191A (ja) 2014-05-09 2015-12-03 株式会社ディスコ 搬送装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3515917B2 (ja) 1998-12-01 2004-04-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006093333A (ja) 2004-09-22 2006-04-06 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
JP5188952B2 (ja) * 2006-02-22 2013-04-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2010021257A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ウェーハアライメント装置及びそれを用いたウェーハ搬送装置
KR101695434B1 (ko) * 2009-03-30 2017-01-23 에이티에스 오토메이션 툴링 시스템즈 인코포레이티드 웨이퍼를 다루기 위한 시스템 및 방법
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5959216B2 (ja) * 2012-02-06 2016-08-02 日東電工株式会社 基板搬送方法および基板搬送装置
JP5664570B2 (ja) * 2012-02-09 2015-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6091867B2 (ja) * 2012-12-04 2017-03-08 株式会社ディスコ 搬送機構
JP6120791B2 (ja) * 2014-03-13 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
JP6292155B2 (ja) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4547524B2 (ja) 2000-12-05 2010-09-22 川崎重工業株式会社 ワーク処理方法、ワーク処理装置およびロボット
JP2015216191A (ja) 2014-05-09 2015-12-03 株式会社ディスコ 搬送装置

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