KR102217746B1 - 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 - Google Patents

탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 Download PDF

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Abstract

송신 필터의 발열에 의해 생긴 열의 방열성을 높이고, 송신 필터로부터 수신 필터로의 열의 전파를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공한다. 탄성파 장치(10)는, 실장기판(2)과, 제1 압전기판(3A)을 가지며, 제1 범프(6A)에 의해 실장기판(2)에 접합되어 있는 송신 필터(1A)와, 제2 압전기판(3B)을 가지며, 제2 범프(6B)에 의해 실장기판(2)에 접합되어 있는 수신 필터(1B)와, 실장기판(2) 상에 마련되어 있는 밀봉 수지층(8)을 포함한다. 제1 범프(6A)의 높이를 H1, 제1 범프(6A)의 제1 압전기판(3A) 측의 접합 면적을 A1, 제1 범프(6A)의 실장기판(2) 측의 접합 면적을 B1로 하고, 제2 범프(6B)의 높이를 H2, 제2 범프(6B)의 제2 압전기판(3B) 측의 접합 면적을 A2, 제2 범프(6B)의 실장기판(2) 측의 접합 면적을 B2로 했을 때에, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2 중 적어도 한쪽의 관계에 있다.

Description

탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
본 발명은 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치가 휴대전화기의 필터 등에 널리 이용되고 있다. 하기의 특허문헌 1에는 탄성파 장치의 일례가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 송신 필터 및 수신 필터가 실장기판에 실장되어 있다. 실장기판 상에는, 송신 필터 및 수신 필터를 덮도록 절연재가 마련되어 있다. 송신 필터에서는 지지 기판 상에 압전체층이 마련되어 있고, 압전체층 상에 IDT 전극이 마련되어 있다. 지지 기판의 열전도율은 압전체층의 열전도율보다 높다.
국제공개공보 WO2013/141184
탄성파 장치에서는 수신 필터 및 송신 필터 중 송신 필터 쪽이 보다 발열된다. 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 송신 필터의 압전체층 및 지지 기판으로부터, 절연재를 통해 수신 필터에 열이 전파되는 경우가 있었다. 그 때문에 수신 필터가 고온이 되어 수신 필터에서 문제가 발생할 우려가 있었다.
본 발명의 목적은 송신 필터의 발열에 의해 생긴 열의 방열성을 높이고, 송신 필터로부터 수신 필터로의 열의 전파를 억제할 수 있는, 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 실장기판과, 제1 압전기판과, 상기 제1 압전기판 상에 마련되어 있는 제1 IDT 전극과, 제1 범프(bump)를 가지며, 상기 제1 범프에 의해 상기 실장기판에 접합되어 있는 송신 필터와, 제2 압전기판과, 상기 제2 압전기판 상에 마련되어 있는 제2 IDT 전극과, 제2 범프를 가지며, 상기 제2 범프에 의해 상기 실장기판에 접합되어 있는 수신 필터와, 상기 송신 필터 및 상기 수신 필터를 덮도록, 상기 실장기판 상에 마련되어 있는 밀봉 수지층을 포함하고, 상기 제1 압전기판이, 상기 실장기판 측의 주면(主面)인 제1 주면과, 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면을 가지며, 상기 제2 압전기판이, 상기 실장기판 측의 주면인 제1 주면과, 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면을 가지며, 상기 실장기판과 상기 제1 압전기판을 잇는 방향을 높이 방향으로 하고, 상기 제1 범프의 높이를 H1, 상기 제1 범프에서의 상기 제1 압전기판 측의 접합 면적을 A1, 상기 제1 범프에서의 상기 실장기판 측의 접합 면적을 B1로 하고, 상기 제2 범프의 높이를 H2, 상기 제2 범프에서의 상기 제2 압전기판 측의 접합 면적을 A2, 상기 제2 범프에서의 상기 실장기판 측의 접합 면적을 B2로 했을 때에, 상기 제1 범프와 상기 제2 범프가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2 중 적어도 한쪽의 관계에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정 국면에서는 상기 제1 범프와 상기 제2 범프가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2의 관계에 있다. 이 경우에는 방열성을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판의 상기 제1 주면 상에 마련되어 있다. 이 경우에는 방열성을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면과 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면의 상기 높이 방향의 위치, 및 상기 제1 압전기판에서의 상기 제2 주면과 상기 제2 압전기판에서의 상기 제2 주면의 상기 높이 방향의 위치 중 적어도 한쪽이 다르다. 이 경우에는 제1 압전기판으로부터 제2 압전기판으로, 밀봉 수지층을 통해 열이 전파되기 어렵다. 따라서, 수신 필터에서 문제가 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 IDT 전극 및 상기 제2 IDT 전극의 상기 제1 압전기판 및 상기 제2 압전기판에서의 배치가, 상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면 상에 위치하고 있으면서, 상기 제2 IDT 전극이 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면 상에 위치하고 있는 배치, 및 상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판에서의 상기 제2 주면 상에 위치하고 있으면서, 상기 제2 IDT 전극이 상기 제2 압전기판에서의 상기 제2 주면 상에 위치하고 있는 배치 중 한쪽의 배치이며, 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면 중 상기 제1 IDT 전극이 위치하고 있는 주면과, 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면 중 상기 제2 IDT 전극이 위치하고 있는 주면의 상기 높이 방향의 위치가 다르다. 이 경우에는 제1 IDT 전극으로부터 제2 IDT 전극으로, 밀봉 수지층을 개재하여 열이 전파되기 어렵다. 따라서, 수신 필터에서 불량이 한층 더 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면의 상기 높이 방향의 위치보다, 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면의 높이 방향의 위치가 상기 실장기판에 가깝다. 이 경우에는 제1 IDT 전극으로부터 제2 IDT 전극으로, 밀봉 수지층을 통해 열이 전파되기 어렵다. 따라서, 수신 필터에서 문제가 한층 더 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 고주파 프론트 엔드 회로는 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치와, 파워 앰프를 포함한다.
본 발명에 따른 통신 장치는 본 발명에 따라 구성된 고주파 프론트 엔드 회로와, RF 신호 처리 회로를 포함한다.
본 발명에 의하면, 송신 필터의 발열에 의해 생긴 열의 방열성을 높이고, 송신 필터로부터 수신 필터로의 열의 전파를 억제할 수 있는, 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치 실장 구조체의 정면 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 통신 장치 및 고주파 프론트 엔드 회로의 구성도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 사이에서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도이다.
탄성파 장치(10)는 실장기판(2)을 가진다. 실장기판(2)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 유리 에폭시 수지나 적절한 세라믹스로 이루어진다.
실장기판(2) 상에는 송신 필터(1A)와 수신 필터(1B)가 실장되어 있다. 송신 필터(1A)는 제1 압전기판(3A)을 가진다. 제1 압전기판(3A)은 실장기판(2) 측의 면인 제1 주면(3Aa)과, 제1 주면(3Aa)에 대향하는 제2 주면(3Ab)을 가진다. 제1 압전기판(3A)은 제1 주면(3Aa)과 제2 주면(3Ab)을 접속하고 있는 측면(3Ac)을 가진다. 제1 압전기판(3A)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, LiTaO3이나 LiNbO3 등의 압전 단결정이나, 적절한 압전 세라믹스로 이루어진다.
제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa) 상에는 제1 IDT 전극(4A)이 마련되어 있다. 제1 주면(3Aa) 상에는 제1 IDT 전극(4A)에 전기적으로 접속되어 있는 제1 전극 패드(5A)가 마련되어 있다. 제1 전극 패드(5A) 상에는 제1 범프(6A)가 마련되어 있다. 제1 범프(6A)는 예를 들면, 솔더(solder) 등으로 이루어진다.
송신 필터(1A)는 제1 범프(6A)에 의해 실장기판(2)에 접합되어 있다. 보다 구체적으로는, 실장기판(2)의 송신 필터(1A) 및 수신 필터(1B) 측의 주면 상에는 복수개의 단자(7a)가 마련되어 있다. 제1 전극 패드(5A)와 단자(7a)가 제1 범프(6A)에 의해 접합되어 있다. 실장기판(2)의 상기 주면과는 반대 측의 주면 상에도 복수개의 단자(7b)가 마련되어 있다. 송신 필터(1A)의 제1 IDT 전극(4A)은, 제1 전극 패드(5A), 제1 범프(6A) 및 단자(7a, 7b)를 통해 외부에 전기적으로 접속된다.
한편, 수신 필터(1B)는 제2 압전기판(3B)을 가진다. 제2 압전기판(3B)은, 실장기판(2) 측의 면인 제1 주면(3Ba)과, 제1 주면(3Ba)에 대향하는 제2 주면(3Bb)을 가진다. 제2 압전기판(3B)은 제1 주면(3Ba)과 제2 주면(3Bb)을 접속하고 있는 측면(3Bc)을 가진다. 제2 압전기판(3B)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, LiTaO3이나 LiNbO3 등의 압전 단결정이나, 적절한 압전 세라믹스로 이루어진다.
제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba) 상에는 제2 IDT 전극(4B)이 마련되어 있다. 제1 주면(3Ba) 상에는 제2 IDT 전극(4B)에 전기적으로 접속되어 있는 제2 전극 패드(5B)가 마련되어 있다. 제2 전극 패드(5B) 상에는 제2 범프(6B)가 마련되어 있다. 제2 범프(6B)는 예를 들면, 솔더 등으로 이루어진다.
수신 필터(1B)는 제2 범프(6B)에 의해 실장기판(2)에 접합되어 있다. 보다 구체적으로는 제2 전극 패드(5B)와 단자(7a)가 제2 범프(6B)에 의해 접합되어 있다. 수신 필터(1B)의 제2 IDT 전극(4B)은 제2 전극 패드(5B), 제2 범프(6B) 및 단자(7a, 7b)를 통해 외부에 전기적으로 접속된다.
실장기판(2) 상에는, 송신 필터(1A) 및 수신 필터(1B)를 덮도록 밀봉 수지층(8)이 마련되어 있다.
여기서, 실장기판(2)과 제1 압전기판(3A)을 잇는 방향을 높이 방향으로 한다. 제1 범프(6A)의 높이를 H1, 제1 범프(6A)의 제1 압전기판(3A) 측의 접합 면적을 A1, 제1 범프(6A)의 실장기판(2) 측의 접합 면적을 B1로 한다. 제2 범프(6B)의 높이를 H2, 제2 범프(6B)의 제2 압전기판(3B) 측의 접합 면적을 A2, 제2 범프(6B)의 실장기판(2) 측의 접합 면적을 B2로 한다. 이때, 본 실시형태에서는, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)는 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2의 관계에 있다. 한편, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)는 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2 중 적어도 한쪽의 관계에 있으면 된다.
탄성파 장치(10)에서는 제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa)과 제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba)의 높이 방향의 위치는 다르다. 보다 구체적으로는, 제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa)의 높이 방향의 위치는, 제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba)의 높이 방향의 위치보다 실장기판(2)에 가깝다.
제1 압전기판(3A)의 제2 주면(3Ab)과 제2 압전기판(3B)의 제2 주면(3Bb)의 높이 방향의 위치도 다르다. 보다 구체적으로는, 제1 압전기판(3A)의 제2 주면(3Ab)의 높이 방향의 위치는, 제2 압전기판(3B)의 제2 주면(3Bb)의 높이 방향의 위치보다 실장기판(2)에 가깝다.
본 발명의 특징은 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2 중 적어도 한쪽의 관계에 있는 것에 있다. 그로써, 송신 필터(1A)의 발열에 의해 생긴 열의 방열성을 높일 수 있고, 송신 필터(1A)로부터 수신 필터(1B)로의 열의 전파를 억제할 수 있다. 이를 이하에서 설명한다.
일반적으로, 송신 필터 및 수신 필터 중 송신 필터 쪽이 보다 발열된다. 본 실시형태에서는 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)는 A1＞A2이면서 B1＞B2의 관계에 있다. 이와 같이, 제1 범프(6A)의 제1 압전기판(3A) 측의 접합 면적이 크기 때문에, 제1 압전기판(3A) 측으로부터 제1 범프(6A)로 열이 신속하게 전파된다. 더욱이, 제1 범프(6A)의 실장기판(2) 측의 접합 면적도 크기 때문에, 송신 필터(1A)의 발열에 의해 생긴 열이 실장기판(2)으로 신속하게 전파된다. 실장기판(2) 내에는 단자(7a)와 단자(7b)를 접속하고 있는, 도시하고 있지 않은 배선이 마련되어 있다. 단자(7a), 상기 배선 및 단자(7b)를 통해, 열은 탄성파 장치(10)의 외부로 방열된다. 이와 같이, 송신 필터(1A)로부터 실장기판(2)을 통해 효율적으로 방열할 수 있고, 송신 필터(1A)로부터 밀봉 수지층(8)으로 열이 전파되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 필터(1A)로부터 수신 필터(1B)로의, 밀봉 수지층(8)을 통한 열의 전파를 억제할 수 있다.
더욱이, 본 실시형태에서는, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)는 H1＜H2의 관계에도 있다. 그로써, 송신 필터(1A)로부터 실장기판(2)으로의 방열 경로를 짧게 할 수 있다. 이로써, 송신 필터(1A)의 발열에 의해 생긴 열은 실장기판(2)으로 한층 더 신속하게 전파된다. 따라서, 실장기판(2)을 통해 탄성파 장치(10)의 방열성을 한층 더 높일 수 있다. 따라서, 송신 필터(1A)로부터 수신 필터(1B)로의, 밀봉 수지층(8)을 통한 열의 전파를 한층 더 억제할 수 있다.
상기와 같이, 송신 필터(1A)의 방열성을 높일 수 있기 때문에, 송신 필터(1A)에서 문제가 생기기 어렵다. 더욱이, 열이 수신 필터(1B)에 전파되기 어렵기 때문에, 수신 필터(1B)에서도 문제가 생기기 어렵다.
본 실시형태와 같이, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)는 A1＞A2이면서 B1＞B2 및 H1＜H2의 관계에 있는 것이 바람직하다. 물론, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2 중 적어도 한쪽의 관계에 있으면 된다. 상술한 바와 같이, 제1 범프(6A)와 제2 범프(6B)가 A1＞A2이면서 B1＞B2의 관계에 있는 경우에는 제1 범프(6A)의 제1 압전기판(3A) 측 및 실장기판(2) 측의 접합 면적이 크다. 그로써, 제1 압전기판(3A) 측으로부터 제1 범프(6A)를 통해 실장기판(2) 측으로 열이 신속하게 전파된다. 한편, H1＜H2의 관계에도 있는 경우에는 송신 필터(1A)로부터 실장기판(2)으로의 방열 경로를 짧게 할 수 있다. 이로써, 송신 필터(1A)의 발열에 의해 생긴 열은 실장기판(2)으로 신속하게 전파된다. 이와 같이, 실장기판(2)을 통해 송신 필터(1B)의 방열성을 높일 수 있다. 따라서, 송신 필터(1A)로부터 수신 필터(1B)로의 열의 전파를 억제할 수 있다.
본 실시형태와 같이, 송신 필터(1A)에서의 제1 IDT 전극(4A)이, 제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa) 상에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 송신 필터(1A)에서는 주로 제1 IDT 전극(4A)으로부터 발열된다. 제1 IDT 전극(4A)이 제1 주면(3Aa) 상에 마련되어 있기 때문에, 제1 IDT 전극(4A)으로부터 실장기판(2)으로 열이 전파되는 방열 경로를 짧게 할 수 있다. 따라서, 송신 필터(1A)의 방열성을 효과적으로 높일 수 있다.
마찬가지로, 수신 필터(1B)에서의 제2 IDT 전극(4B)이, 제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba) 상에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 수신 필터(1B)에서는 주로 제2 IDT 전극(4B)으로부터 발열된다. 제2 IDT 전극(4B)이 제1 주면(3Ba) 상에 마련되어 있기 때문에, 제2 IDT 전극(4B)으로부터 실장기판(2)으로의 방열 경로를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 필터(1B)의 방열성을 효과적으로 높일 수 있다. 한편, 제1 IDT 전극(4A)이 제1 압전기판(3A)의 제2 주면(3Ab) 상에 마련되어 있으면서, 제2 IDT 전극(4B)이 제2 압전기판(3B)의 제2 주면(3Bb) 상에 마련되어 있는 구성이어도 된다.
제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa)과 제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba)의 높이 방향의 위치 및 제1 압전기판(3A)의 제2 주면(3Ab)과 제2 압전기판(3B)의 제2 주면(3Bb)의 높이 방향의 위치 중 적어도 한쪽이 다른 것이 바람직하다. 이 경우에는, 탄성파 장치(10)는 제1 압전기판(3A)의 측면(3Ac)과 제2 압전기판(3B)의 측면(3Bc)이 대향하고 있지 않은 부분을 가진다. 이 대향하고 있지 않은 부분에서는, 제1 압전기판(3A)의 측면(3Ac)과 제2 압전기판(3B)의 측면(3Bc)의 거리가 길어진다. 그로써, 제1 압전기판(3A)으로부터 제2 압전기판(3B)으로, 밀봉 수지층(8)을 통해 열이 전파되기 어렵다.
제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba) 및 제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa)의 높이 방향의 위치가 다른 것이 보다 바람직하다. 상술한 바와 같이, 송신 필터(1A)에서는 주로 제1 IDT 전극(4A)으로부터 발열된다. 제1 IDT 전극(4A)과 제2 IDT 전극(4B)의 거리를 길게 할 수 있기 때문에, 제1 IDT 전극(4A)으로부터 제2 IDT 전극(4B)으로, 밀봉 수지층(8)을 통해 열이 전파되기 어렵다. 따라서, 수신 필터(1B)에서 문제가 한층 더 생기기 어렵다. 한편, 제1 IDT 전극(4A) 및 제2 IDT 전극(4B)이 각각 제2 주면(3Ab) 상 및 제2 주면(3Bb) 상에 마련되어 있는 경우에는 제2 주면(3Ab) 및 제2 주면(3Bb)의 높이 방향의 위치가 다른 것이 바람직하다.
제2 압전기판(3B)의 제1 주면(3Ba)의 높이 방향의 위치보다, 제1 압전기판(3A)의 제1 주면(3Aa)의 높이 방향의 위치가 실장기판(2)에 가까운 것이 더 바람직하다. 이 경우에는, 제1 IDT 전극(4A)으로부터 실장기판(2)으로 열이 전파되는 방열 경로를 한층 더 짧게 할 수 있다. 따라서, 방열성을 한층 더 높일 수 있다. 게다가, 제1 IDT 전극(4A)으로부터 제2 IDT 전극(4B)으로, 밀봉 수지층(8)을 통해 열이 한층 더 전파되기 어렵다. 따라서, 수신 필터(1B)에서 문제가 한층 더 생기기 어렵다.
탄성파 장치(10)는 적어도 1세트의 송신 필터(1A) 및 수신 필터(1B)를 가지고 있으면 되고, 실장기판(2)에 다른 송신 필터나 수신 필터가 실장되어 있어도 된다.
도 2는 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치 실장 구조체의 정면 단면도이다.
탄성파 장치 실장 구조체(20)는 기판(22)을 가진다. 기판(22)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 유리 에폭시 수지나 적절한 세라믹스로 이루어진다.
기판(22) 상에는 제1 실시형태의 탄성파 장치(10)가 실장되어 있다. 보다 구체적으로는, 기판(22) 상에는 단자(27)가 마련되어 있다. 탄성파 장치(10)의 단자(7b)와 기판(22) 상의 단자(27)가 도전성 접합재(26)에 의해 접합되어 있다.
기판(22) 상에는 탄성파 장치(10) 이외의 소자(29A, 29B)가 실장되어 있다. 이와 같이, 탄성파 장치 실장 구조체(20)는 탄성파 장치(10) 이외의 소자를 가지고 있어도 된다.
기판(22) 상에는, 탄성파 장치(10) 및 소자(29A, 29B)를 덮도록 밀봉 수지층(28)이 마련되어 있다.
송신 필터(1A)의 발열에 의해 생긴 열은, 제1 범프(6A), 단자(7a, 7b), 도전성 접합재(26) 및 단자(27)를 통해 기판(22) 측으로 방열된다. 탄성파 장치 실장 구조체(20)에서는, 실장되어 있는 탄성파 장치(10)가 제1 실시형태의 구성을 가지기 때문에, 탄성파 장치(10)의 방열성을 높일 수 있다. 탄성파 장치(10)에서, 송신 필터(1A)로부터 수신 필터(1B)로의 열의 전파를 억제할 수도 있다.
한편, 도전성 접합재(26)는 범프인 것이 바람직하다. 이 경우에는 탄성파 장치(10)의 방열성을 알맞게 높일 수 있다. 한편, 도전성 접합재(26)는 범프에 한정되지는 않는다.
상기 탄성파 장치는 고주파 프론트 엔드 회로의 듀플렉서 등으로 이용할 수 있다. 이 예를 하기에서 설명한다.
도 3은 통신 장치 및 고주파 프론트 엔드 회로의 구성도이다. 한편, 같은 도면에는, 고주파 프론트 엔드 회로(230)와 접속되는 각 구성 요소, 예를 들면, 안테나 소자(202)나 RF 신호 처리 회로(RFIC)(203)도 함께 도시되어 있다. 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 RF 신호 처리 회로(203)는 통신 장치(240)를 구성하고 있다. 한편, 통신 장치(240)는 전원, CPU나 디스플레이를 포함하고 있어도 된다.
고주파 프론트 엔드 회로(230)는 스위치(225)와 듀플렉서(201A, 201B)와 필터(231, 232), 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224)와 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 포함한다. 한편, 도 3의 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 통신 장치(240)는 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치의 일례이며, 이 구성에 한정되는 것은 아니다.
듀플렉서(201A)는 필터(211, 212)를 가진다. 듀플렉서(201B)는 필터(221, 222)를 가진다. 듀플렉서(201A, 201B)는 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다. 한편, 상기 탄성파 장치는 듀플렉서(201A, 201B)이어도 되고, 필터(211, 212, 221, 222)이어도 된다.
더욱이, 상기 탄성파 장치는 예를 들면, 3개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 트리플렉서나, 6개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 헥사플렉서 등, 3 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서에 대해서도 적용할 수 있다.
즉, 상기 탄성파 장치는 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 3 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서를 포함한다. 그리고 상기 멀티플렉서는 송신 필터 및 수신 필터 쌍방을 포함하는 구성에 한정되지 않고, 송신 필터만 또는 수신 필터만을 포함하는 구성이어도 상관없다.
스위치(225)는, 제어부(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 따라, 안테나 소자(202)와 소정의 밴드에 대응하는 신호 경로를 접속하고, 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throw)형 스위치에 의해 구성된다. 한편, 안테나 소자(202)와 접속되는 신호 경로는 하나에 한정되지 않고, 복수개이어도 된다. 즉, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 캐리어 어그리게이션에 대응하고 있어도 된다.
로우 노이즈 앰프 회로(214)는, 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201A)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)에 출력하는 수신 증폭 회로이다. 로우 노이즈 앰프 회로(224)는, 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201B)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)에 출력하는 수신 증폭 회로이다.
파워 앰프 회로(234a, 234b)는, RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201A) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다. 파워 앰프 회로(244a, 244b)는, RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201B) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다.
RF 신호 처리 회로(203)는, 안테나 소자(202)로부터 수신 신호 경로를 통해 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 수신 신호를 출력한다. 또한, RF 신호 처리 회로(203)는, 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 고주파 송신 신호를 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)에 출력한다. RF 신호 처리 회로(203)는 예를 들면, RFIC이다. 한편, 통신 장치는 BB(베이스 밴드)IC를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, BBIC는, RFIC로 처리된 수신 신호를 신호 처리한다. 또한, BBIC는 송신 신호를 신호 처리하고, RFIC에 출력한다. BBIC로 처리된 수신 신호나, BBIC가 신호 처리하기 전의 송신 신호는 예를 들면, 화상 신호나 음성 신호 등이다. 한편, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 상술한 각 구성 요소 사이에 다른 회로 소자를 포함하고 있어도 된다.
한편, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 상기 듀플렉서(201A, 201B) 대신에 듀플렉서(201A, 201B)의 변형예에 따른 듀플렉서를 포함하고 있어도 된다.
한편, 통신 장치(240)에서의 필터(231, 232)는, 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224) 및 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 통하지 않고, RF 신호 처리 회로(203)와 스위치(225) 사이에 접속되어 있다. 필터(231, 232)도 듀플렉서(201A, 201B)와 마찬가지로 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다.
이상과 같이 구성된 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 통신 장치(240)에 의하면, 상기 듀플렉서(201A, 201B)에서의 송신 필터의 발열에 의해 생긴 열의 방열성을 높이고, 송신 필터로부터 수신 필터로의 열의 전파를 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 따른 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 대해, 실시형태 및 그 변형예를 들어 설명했는데, 본 발명은, 상기 실시형태 및 변형예에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
본 발명은 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 멀티 밴드 시스템에 적용할 수 있는 멀티플렉서, 프론트 엔드 회로 및 통신 장치로서, 휴대전화기 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1A: 송신 필터 1B: 수신 필터
2: 실장기판 3A, 3B: 제1, 제2 압전기판
3Aa, 3Ab: 제1, 제2 주면 3Ac: 측면
3Ba, 3Bb: 제1, 제2 주면 3Bc: 측면
4A, 4B: 제1, 제2 IDT 전극 5A, 5B: 제1, 제2 전극 패드
6A, 6B: 제1, 제2 범프 7a, 7b: 단자
8: 밀봉 수지층 10: 탄성파 장치
20: 탄성파 장치 실장 구조체 22: 기판
26: 도전성 접합재 27: 단자
28: 밀봉 수지층 29A, 29B: 소자
201A, 201B: 듀플렉서 202: 안테나 소자
203: RF 신호 처리 회로 211, 212: 필터
214: 로우 노이즈 앰프 회로 221, 222: 필터
224: 로우 노이즈 앰프 회로 225: 스위치
230: 고주파 프론트 엔드 회로 231, 232: 필터
234a, 234b: 파워 앰프 회로 240: 통신 장치
244a, 244b: 파워 앰프 회로

Claims (8)

  1. 실장기판과,
    제1 압전기판과, 상기 제1 압전기판 상에 마련되어 있는 제1 IDT 전극과, 제1 범프를 가지며, 상기 제1 범프에 의해 상기 실장기판에 접합되어 있는 송신 필터와,
    제2 압전기판과, 상기 제2 압전기판 상에 마련되어 있는 제2 IDT 전극과, 제2 범프를 가지며, 상기 제2 범프에 의해 상기 실장기판에 접합되어 있는 수신 필터와,
    상기 송신 필터 및 상기 수신 필터를 덮도록 상기 실장기판 상에 마련되어 있는 밀봉 수지층을 포함하고,
    상기 제1 압전기판이, 상기 실장기판 측의 주면(主面)인 제1 주면과, 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면을 가지며,
    상기 제2 압전기판이, 상기 실장기판 측의 주면인 제1 주면과, 상기 제1 주면에 대향하는 제2 주면을 가지며,
    상기 실장기판과 상기 제1 압전기판을 잇는 방향을 높이 방향으로 하고, 상기 제1 범프의 높이를 H1, 상기 제1 범프에서의 상기 제1 압전기판 측의 접합 면적을 A1, 상기 제1 범프에서의 상기 실장기판 측의 접합 면적을 B1로 하고, 상기 제2 범프의 높이를 H2, 상기 제2 범프에서의 상기 제2 압전기판 측의 접합 면적을 A2, 상기 제2 범프에서의 상기 실장기판 측의 접합 면적을 B2로 했을 때에, 상기 제1 범프와 상기 제2 범프가
    i) A1>A2이면서 B1＞B2,
    ii) H1＜H2, 및
    iii) A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2
    중 하나의 관계에 있는, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 범프와 상기 제2 범프가 A1＞A2이면서 B1＞B2, 및 H1＜H2의 관계에 있는, 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판의 상기 제1 주면 상에 마련되어 있는, 탄성파 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면과 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면의 상기 높이 방향의 위치, 및 상기 제1 압전기판에서의 상기 제2 주면과 상기 제2 압전기판에서의 상기 제2 주면의 상기 높이 방향의 위치 중 적어도 한쪽이 다른, 탄성파 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 IDT 전극 및 상기 제2 IDT 전극의 상기 제1 압전기판 및 상기 제2 압전기판에서의 배치가, 상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면 상에 위치하고 있으면서, 상기 제2 IDT 전극이 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면 상에 위치하고 있는 배치, 및 상기 제1 IDT 전극이 상기 제1 압전기판에서의 상기 제2 주면 상에 위치하고 있으면서, 상기 제2 IDT 전극이 상기 제2 압전기판에서의 상기 제2 주면 상에 위치하고 있는 배치 중 한쪽의 배치이며,
    상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면 중 상기 제1 IDT 전극이 위치하고 있는 주면과, 상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면 및 상기 제2 주면 중 상기 제2 IDT 전극이 위치하고 있는 주면의 상기 높이 방향의 위치가 다른, 탄성파 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 압전기판에서의 상기 제1 주면의 상기 높이 방향의 위치보다, 상기 제1 압전기판에서의 상기 제1 주면의 높이 방향의 위치가 상기 실장기판에 가까운, 탄성파 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 탄성파 장치와,
    파워 앰프를 포함하는, 고주파 프론트 엔드 회로.
  8. 제7항에 기재된 고주파 프론트 엔드 회로와,
    RF 신호 처리 회로를 포함하는, 통신 장치.
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