KR102196229B1 - 회로 부품 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29411—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29417—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/2942—Antimony [Sb] as principal constituent
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29463—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29469—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/29298—Fillers
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    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29463—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29484—Tungsten [W] as principal constituent
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Abstract

본 발명은 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있는 회로 부품 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 회로 부품은, 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하여 이루어지는 회로 부품으로서, IC칩의 실장면에는 범프 전극과, 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면이 설치되어 있다. 기판의 표면과 비전극면 사이에는, 각 도전 입자가 기판의 표면 및 비전극면의 쌍방에 접하는 제1 상태로 배치되어 있다. 기판의 표면과 범프 전극 사이에는, 각 도전 입자가 제1 상태보다도 편평한 제2 상태로 범프 전극에 침식되도록 배치되어 있다.

Description

회로 부품 및 그의 제조 방법 {CIRCUIT COMPONENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 회로 부품 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시용 유리 패널 등의 기판과 액정 구동용 IC 등의 IC칩을 접속하여 회로 부품을 제조할 때, 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제가 이용되는 경우가 있다. 회로 부품의 제조에 도전성 접착제를 이용하는 경우, IC칩에 설치된 복수의 범프 전극을 한번에 기판에 접속하는 것이 가능해진다. 예를 들면, 일본 특허 공개 제2010-251789호 공보에서는, LCD 패널과 IC칩을, 도전 입자 및 광 경화성 수지를 포함하는 이방성 도전 필름에 의해 접합하고 있다. 그리고, LCD 패널과 IC칩을 이방성 도전 필름을 통해 압접하기 전에 초음파를 인가하고, 초음파를 인가한 후에 LCD 패널과 IC칩을 이방성 도전 필름을 통해 압접하면서 이방성 도전 필름에 광을 조사함으로써, LCD 패널의 휘어짐을 억제하고 있다.
그런데, 최근 기판 및 IC칩은 대형화나 박막화가 진행되고 있다. 대형이면서 박형인 기판 및 IC칩은 변형되기 쉽다. 이러한 IC칩 및 기판을 도전성 접착제에 의해 접속하면, 범프 전극이 없는 부분에 충전된 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해 기판 및 IC칩이 서로 인장되고, 기판 및 IC칩이 범프 전극이 없는 부분에서 간격이 좁아지도록 변형되어, 전체적으로 휘어짐이 발생하는 경우가 있다. 기판 및 IC칩이 휘면, 기판과 IC칩 사이의 간격이 넓어진 부분에서, 범프 전극과 기판 사이의 간격이 확대되어 범프 전극과 기판이 충분히 접촉되지 않아, 기판과 IC칩과의 양호한 접속이 얻어지지 않을 경우가 있다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있는 회로 부품 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면의 회로 부품은, 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하여 이루어지는 회로 부품으로서, IC칩의 실장면에는, 범프 전극과, 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면이 설치되고, 기판의 표면과 비전극면 사이에는, 기판의 표면 및 비전극면의 쌍방에 접하는 제1 상태의 도전 입자가 존재하고, 기판의 표면과 범프 전극 사이에는, 제1 상태보다도 편평한 제2 상태로 범프 전극에 침식되도록 배치된 도전 입자가 존재하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일측면의 회로 부품에 따르면, 회로 부품의 제조시에, 기판의 표면과 비전극면 사이에 충전된 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 기판 및 IC칩이 서로 인장되어 변형되려고 할 때, 기판의 표면 및 비전극면의 쌍방에 접하도록 배치된 제1 상태의 도전 입자가 기판 및 IC칩의 변형에 대항하여, 기판 및 IC칩의 휘어짐이 억제된다. 따라서, 기판의 표면과 범프 전극 사이의 간격이 넓어지는 것이 억제되어, 범프 전극에 침식되도록 배치된 제2 상태의 도전 입자에 의해 범프 전극과 기판이 양호하게 접속된다. 따라서, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면의 회로 부품은, 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하여 이루어지는 회로 부품으로서, IC칩의 실장면에는, 범프 전극과, 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면이 설치되고, 기판의 표면과 비전극면 사이에는, 범프 전극의 높이 방향의 크기가 기판의 표면과 비전극면 사이의 간격에 대략 일치하고 있는 도전 입자가 존재하는 것을 특징으로 하는 것일 수도 있다.
본 발명의 다른 측면의 회로 부품에 따르면, 기판의 표면과 비전극면 사이에는, 범프 전극의 높이 방향의 크기가 기판의 표면과 비전극면 사이의 간격에 대략 일치하고 있는 도전 입자가 존재하여, 당해 도전 입자는 기판의 표면과 비전극면에 의해 협지되게 된다. 따라서, 기판의 표면과 비전극면 사이에 충전된 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 기판 및 IC칩이 서로 인장되어 변형되려고 할 때, 기판의 표면과 비전극면에 의해 협지된 도전 입자가 기판 및 IC칩의 변형에 대항하여, 기판 및 IC칩의 휘어짐이 억제된다. 따라서, 기판의 표면과 범프 전극 사이의 간격이 넓어지는 것이 억제되어, 범프 전극과 기판이 양호하게 접속된다. 이에 따라, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 기판은 유리 기판일 수도 있다. 이 경우, 유리 기판과 IC칩을 양호하게 접속하는 것이 가능해진다.
본 발명의 일측면의 회로 부품의 제조 방법은, 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하는 회로 부품의 제조 방법으로서, 기판의 표면과 IC칩 사이에, IC칩의 범프 전극의 높이보다 큰 평균입경의 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제를 개재시킨 후, 기판과 IC칩을 압착시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일측면의 회로 부품의 제조 방법에 따르면, 기판 및 IC칩이, IC칩의 범프 전극의 높이보다 큰 평균입경의 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 접속된다. 따라서, IC칩의 실장면에서 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면과, 기판의 표면에 개재되는 도전 입자는 범프 전극의 높이까지 압축되어 비전극면과 기판의 표면에 의해 협지된다. 따라서, 기판의 표면과 비전극면 사이에 충전된 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 기판 및 IC칩이 서로 인장되어 변형되려고 하는 경우, 비전극면과 기판의 표면에 의해 협지된 도전 입자가 기판 및 IC칩의 변형에 대항하여, 기판 및 IC칩의 휘어짐이 억제된다. 이에 따라, 범프 전극과 기판 사이의 간격이 넓어지는 것이 억제되어, 범프 전극과 기판이 양호하게 접속된다. 이 때문에, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있다.
여기서 압착 전의 도전성 접착제의 두께가, 도전 입자의 평균입경의 80％ 이상 200％ 이하가 되도록 도전성 접착제를 개재시킬 수도 있다. 이와 같이 하면, 압착에 의해 범프 전극이 밀어내는 접착제의 양은 도전 입자의 평균입경과 동일한 정도의 높이만큼이 되어, 범프 전극과 기판 사이에서 범프 전극의 측방으로 흘러 나오는 도전성 접착제의 양이 감소된다. 이 때문에, 범프 전극과 기판 사이에 도전 입자를 양호하게 개재시킬 수 있다. 따라서, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있다.
또한, IC칩의 실장면에서 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면과, 기판의 표면 사이의 압착 후의 간격이, 도전 입자 중 입경의 크기가 상위 1％가 되는 도전 입자를 제외한 나머지 도전 입자의 최대입경의 70％ 이상 100％ 이하가 되도록 기판과 IC칩을 압착시킬 수도 있다. 이와 같이 하면, 비전극면과 기판의 표면 사이에 도전 입자가 양호하게 협지된다. 따라서, 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해 기판 및 IC칩이 서로 인장되어도, 협지된 도전 입자가 기판 및 IC칩의 변형에 더 대항하여, 기판 및 IC칩의 휘어짐이 억제된다. 따라서, 기판과 IC칩을 한층 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 압착에 의해 범프 전극과 기판의 표면 사이에 개재되는 도전 입자는, 범프 전극의 높이 방향에서의 압착 후의 크기가 도전 입자의 평균입경의 15％ 이상 80％ 이하가 되도록 기판과 IC칩을 압착시킬 수도 있다. 이와 같이 하면, 압착에 의해 도전 입자가 범프 전극에 양호하게 침식되어, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판과 IC칩을 양호하게 접속할 수 있는 회로 부품 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시 형태에 따른 회로 부품이 적용된 전자 기기를 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 회로 부품을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2 중 III-III 화살 표시 단면을 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 도 3 중 A부를 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 3 중 B부를 도시하는 단면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 회로 부품의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 도 6에 이어지는 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 종래의 회로 부품을 나타내는 모식 단면도이다.
도 9는 종래의 회로 부품을 나타내는 모식 단면도이다.
도 10은 종래의 회로 부품을 나타내는 모식 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시 형태에 따른 회로 부품 및 그의 제조 방법에 대해서 상세히 설명한다.
[기판 및 IC칩]
도 1은 실시 형태에 따른 회로 부품이 적용된 전자 기기를 도시하는 평면도, 도 2는 도 1의 회로 부품을 도시하는 평면도, 도 3은 도 2 중 III-III 화살 표시 단면을 나타내는 모식 단면도이다. 또한, 도 3에 있어서는, 후술하는 도전성 접착제 (5)에 함유되어 있는 도전 입자의 도시는 생략되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 회로 부품 (1)은, 예를 들면 터치 패널 등의 전자 기기 (2)에 적용되어 있다. 전자 기기 (2)는 액정 패널 (3) 및 IC칩 (4)를 구비하여 구성되어 있다.
액정 패널 (3)은, 유리 기판 (31)과 액정 표시부 (32)를 갖고 있다. 유리 기판 (31)은, 직사각형 판상(장방형 판상)을 나타내고 있고, 그의 표면 (33)에는, 액정 표시부 (32) 및 IC칩 (4)의 범프 전극 (42)(후술)와 대응하도록 도시되지 않은 회로 전극이 형성되어 있다. 회로 전극은, 예를 들면 합금(알루미늄 및 네오듐을 포함하는 합금, 또는 알루미늄, 네오듐 및 몰리브덴을 포함하는 합금 등), 또는 다층의 금속층(2층의 티탄막 사이에 알루미늄막을 갖는 3층의 금속층 등) 등의 금속에 의해 형성할 수 있다. 회로 전극에는, ITO(인듐-주석 산화물) 또는 IZO(인듐-아연 산화물)등이 피복되어 있다. 이 유리 기판 (31)은, 그의 크기가 예를 들면 20 내지 300 mm×20 내지 400 mm 정도, 그의 두께가 예를 들면 0.1 내지 0.3 mm 정도로 되어 있고, 비교적 대형이면서 박형으로 되어 있다. 회로 전극의 두께는, 예를 들면 100 내지 200 nm 정도로 되어 있다. 유리 기판 (31)을 형성하는 재료로는, 예를 들면 무알칼리 유리 등을 사용할 수 있다. 액정 표시부 (32)는 유리 기판 (31)의 표면 (33)에 부착되어 있고, 상술한 회로 전극에 접속되어 있다.
IC칩 (4)는, 유리 기판 (31)보다도 작은 직사각형 판상(장방형 판상)을 나타낸 전자 부품으로서, 유리 기판 (31)의 표면 (33)에 부착되어 있다. 이 IC칩 (4)는, 액정 표시부 (32)와 이격 배치되어 있고, 상술한 유리 기판 (31)의 회로 전극에 접속되어 있다. 그리고, 도 3에 나타낸 바와 같이, 회로 부품 (1)은, 도전 입자를 함유한 도전성 접착제 (5)를 IC칩 (4)와 유리 기판 (31) 사이에 개재시켜, IC칩 (4)와 유리 기판 (31)을 압착하여 접속함으로써 형성되어 있다(상세하게는 후술).
IC칩 (4)는, 그의 크기가 예를 들면 0.6 내지 3.0 mm×10 내지 40 mm 정도, 그의 두께가 예를 들면 0.1 내지 0.3 mm 정도로 되어 있고, 유리 기판 (31)과 마찬가지로 비교적 대형이면서 박형으로 되어 있다. IC칩 (4)에 있어서, 유리 기판 (31)과 대향하는 면은, 실장면 (41)로 되어 있다. 이 실장면 (41)에는, 실장면 (41)로부터 돌출된 범프 전극 (42)가 복수 형성되어 있다. 또한, 실장면 (41)에 있어서, 범프 전극 (42)가 형성되어 있는 부분을 제외한 부분은, 비전극면 (43)으로 되어 있다. 실장면 (41)의 반대측의 면은, 비실장면 (44)로 되어 있다. IC칩 (4)의 본체 부분을 형성하는 재료로는, 예를 들면 실리콘 등을 사용할 수 있다. 또한, 범프 전극 (42)를 형성하는 재료로는, 예를 들면 Au 등을 사용할 수 있고, 범프 전극 (42)는 도전성 접착제 (5)에 함유되어 있는 도전 입자보다도 부드럽게 되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 실장면 (41)의 한쪽의 긴 변 (44a)를 따라, 복수의 범프 전극 (42)가 대략 등간격으로 일렬로 배치되어 있다. 또한, 실장면 (41)의 다른쪽의 긴 변 (44b)를 따라, 복수의 범프 전극 (42)가 대략 등간격으로 삼열에 걸쳐 배치되어 있고, 지그재그상을 나타내고 있다. 긴 변 (44a)측의 범프 전극 (42)의 열과, 긴 변 (44b)측의 범프 전극 (42)의 열 사이에는 간격 dx가 형성되어 있다. 또한, 긴 변 (44a)측에 배치된 일렬의 범프 전극 (42)는 입력측의 전극으로 되어 있고, 긴 변 (44b)측에 배치된 삼열의 범프 전극 (42)는 출력측의 전극으로 되어 있다. 범프 전극 (42)는, 그의 높이(비전극면 (43)으로부터의 높이)가 예를 들면 2 내지 5 ㎛ 정도로 되어 있다. 다른 관점에서는, IC칩(4)는 장방형 판상을 나타내고 있고, 범프 전극 (42)는 IC칩(4)의 폭 방향(짧은 변 방향, 도 2에서 좌우 방향)에서 이격되어 복수 배치되어 있다. IC칩(4)의 폭 방향에서, 서로 이웃한 범프 전극 (42, 42)의 내측의 단부끼리의 간격 중 최대 간격 dx와, 양 단부에 배치된 범프 전극 (42, 42)의 외측 단부끼리의 간격 dO와의 비율은 0.3 내지 0.9로 되어 있다.
[도전성 접착제]
다음으로, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 접속하는 도전성 접착제 (5)에 대해서 상세히 설명한다. 도전성 접착제 (5)의 접착제 성분으로는, 열이나 광에 의해 경화성을 나타내는 재료를 넓게 적용할 수 있고, 예를 들면 에폭시계 접착제나 아크릴계 접착제를 사용할 수 있다. 또한, 접속 후 내열성이나 내습성이 우수하기 때문에, 가교성 재료의 사용이 바람직하다. 그 중에서도 열경화성 수지인 에폭시 수지를 주성분으로서 함유하는 에폭시계 접착제는, 단시간에서의 경화가 가능하고 접속 작업성이 양호하며, 분자 구조상 접착성이 우수하다는 등의 특징으로부터 바람직하다.
에폭시계 접착제의 구체예로서, 고분자량 에폭시, 고형 에폭시 또는 액상 에폭시, 또는 이들을 우레탄, 폴리에스테르, 아크릴 고무, 니트릴 고무(NBR), 합성 선상 폴리아미드 등으로 변성한 에폭시를 주성분으로 하는 것을 들 수 있다. 에폭시계 접착제는, 주성분을 이루는 상기 에폭시에 경화제, 촉매, 커플링제, 충전제 등을 첨가하여 이루어지는 것이 일반적이다.
아크릴계 접착제의 구체예로서, 아크릴산, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르 및 아크릴로니트릴 중 적어도 하나를 단량체 성분으로 한 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다.
또한, IC칩 (4)의 선팽창 계수와 유리 기판 (31)의 선팽창 계수와의 차로부터 발생하는 유리 기판 (31)의 휘어짐을 억제하는 관점에서, 내부응력의 완화 작용을 발휘하는 성분을 접착제 성분에 배합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 접착제 성분에 아크릴 고무나 엘라스토머 성분을 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 국제공개 제98/44067호에 기재되어 있는 라디칼 경화계 접착제도 사용할 수 있다.
도전성 접착제 (5)에 함유되는 도전 입자로는, 예를 들면 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, W, Sb, Sn, 땜납 등의 금속이나 카본의 입자를 들 수 있다. 또는, 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등을 핵으로 하고, 이 핵을 상기한 금속이나 카본으로 피복한 피복 입자를 사용할 수도 있다. 압착 전의 도전 입자의 형상으로는, 예를 들면 대략 구상인 것이나, 직경 방향으로 복수의 돌기가 돌출되어 있는 형상(별 형상)인 것 등을 들 수 있다. 압착 전에 있어서의 도전 입자의 평균입경 da는, 분산성, 도전성 측면에서 1 내지 18 ㎛ 정도인 것이 바람직하고, 여기서는 2 내지 4 ㎛ 정도로 되어 있다. 이 범위 내에서, 평균입경 da가 범프 전극 (42)의 높이보다도 큰 도전 입자를 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 도전 입자의 평균입경 da가 범프 전극 (42)의 높이 보다 다소(20％ 정도) 작은 경우에도 허용하는 것이 가능하다. 이는 도전 입자의 평균입경 da가 범프 전극 (42)의 높이보다 작은 경우, 도전성 접착제의 열 수축이나 경화 수축에 의해 IC칩 (4)가 약간 유리 기판 (31)측으로 휘는 경우가 있지만, 이 휘어짐에 의해 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 IC칩 (4)의 비전극면 (43)과의 간격이 좁아져, 결과적으로 도전 입자가 접촉하여 그 이상의 휘어짐이 억제되기 때문이다. 여기서 평균입경이란, 예를 들면 콜터카운터로 구한 평균 직경으로 정의된다. 또한, 도전 입자를 절연층으로 피복하여 이루어지는 절연 피복 입자를 사용할 수도 있고, 인접하는 전극끼리의 절연성을 향상시키는 관점에서 도전 입자와 절연성 입자를 병용할 수도 있다.
도전성 접착제 (5)에 있어서의 도전 입자의 배합 비율은, 전극간의 접속 저항 및 단락 측면에서, 접착제층에 포함되는 접착제 성분 100 부피부에 대하여, 예를 들면 0.1 내지 30 부피부이고, 여기서는 5 내지 20 부피부로 되어 있다. 이에 따라, 범프 전극 (42)에 포착되는 도전 입자의 수가 최저라도 3개 이상이 되도록 조절할 수 있다.
[도전 입자]
다음으로, 회로 부품 (1)에 있어서, 기판 (31)과 IC칩 (4) 사이에 개재하고 있는 도전 입자에 대해서 상세히 설명한다. 도 4는 도 3 중 A부를 도시하는 단면도, 도 5는 도 3 중 B부를 도시하는 단면도이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에는, 도전 입자 (51a)가 배치되어 있다. 이 도전 입자 (51a)는, 표면 (33) 및 비전극면 (43)에 의해 범프 전극 (42)의 높이 방향으로 약간 압축되어 있고, 이들 표면 (33) 및 비전극면 (43)의 쌍방에 접하는 제1 상태로 되어 있다. 즉, 도전 입자 (51a)에서, 그의 범프 전극 (42)의 높이 방향의 크기 h1이, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이의 간격에 대략 일치하고 있다. 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에는, 제1 상태가 아닌 도전 입자 (표면 (33) 및 비전극면 (43) 중 적어도 한쪽과 접하고 있지 않은 도전 입자)가 존재하고 있을 수도 있다.
도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 서로 접촉한 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 범프 전극 (42) 사이에는, 도전 입자 (51b)가 배치되어 있다. 상술한 바와 같이, 범프 전극 (42)는 도전 입자보다도 부드럽기 때문에, 압착시에 도전 입자 (51b)를 압축함과 함께 도전 입자 (51b)을 따라서 변형된다. 이 때문에, 도전 입자 (51b)는, 범프 전극 (42)에 침식된 상태로 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 범프 전극 (42) 사이에 개재하고 있다. 그리고, 도전 입자 (51b)는, 표면 (33) 및 범프 전극 (42)에 의해 범프 전극 (42)의 높이 방향으로 압축되어 있고, 상술한 제1 상태의 도전 입자 (51a)보다도 편평한 제2 상태로 되어 있다. 이와 같이, 제1 상태보다도 편평한 제2 상태의 도전 입자 (51b)가 범프 전극 (42)에 충분히 침식되어 있는 경우, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)는 양호하게 접속되어 있다. 또한, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 범프 전극 (42) 사이에 간극이 발생할 수도 있다. 이 경우에도, 도전 입자 (51b)에 의해 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)와의 접속이 양호하게 확보된다. 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 범프 전극 (42) 사이에는, 제2 상태가 아닌 도전 입자 (제1 상태보다도 편평하지 않은 도전 입자)가 존재하고 있을 수도 있다.
[회로 부품의 제조 방법]
다음으로, 회로 부품의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 6은 실시 형태에 따른 회로 부품의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도, 도 7은 도 6에 이어지는 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다. 또한, 도 6, 7에 있어서는, 도 3과 마찬가지로 도전성 접착제 (5)에 함유되어 있는 도전 입자의 도시는 생략되어 있다.
우선, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (31)을 준비한다.
다음으로, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (31)의 표면 (33) 상에 도전성 접착제 (5)를 배치한다. 이 때, 도전성 접착제 (5)의 두께 dt가, 압착 전에 있어서의 도전 입자의 평균입경 da의 80％ 이상 200％ 이하인 것이 바람직하고, 95％ 이상 160％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100％ 이상 130％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 하면, 압착시에 범프 전극 (42)가 밀어내는 도전성 접착제 (5)의 양은 도전 입자의 평균입경 da와 대략 동일한 정도(평균입경 da의 80％ 이상 200％ 이하 정도)의 높이만큼이 되어, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31) 사이에서 범프 전극 (42)의 측방으로 흘러 나오는 도전성 접착제 (5)의 양을 감소시킬 수 있다.
다음으로, 도 7(a)에 나타낸 바와 같이 IC칩 (4)를 준비하고, IC칩 (4)의 실장면 (41)과 유리 기판 (31)의 표면 (33)을 도전성 접착제 (5)를 통해 대향시킨다.
다음으로, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 압착하여 접속한다. 이 때, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 IC칩 (4)의 비전극면 (43) 사이의 간격 dy가, 도전성 접착제 (5)에 함유되는 도전 입자 중 입경의 크기가 상위 1％가 되는 도전 입자를 제외한 나머지 도전 입자의 최대입경 d99의 70％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하고, 80％ 이상 98％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 90％ 이상 95％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 다시 말해서, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 개재되는 도전 입자 (51a)에 있어서, 범프 전극 (42)의 높이 방향의 크기 h1(도 4 참조)가 상술한 최대입경 d99의 70％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하고, 80％ 이상 98％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 90％ 이상 95％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 하면, 유리 기판 (31)의 표면 (33) 및 비전극면 (43)에 의해 도전 입자 (51a)를 적절히 압축할 수 있고, 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 도전 입자 (51a)를 양호하게 협지할 수 있다. 또한, 최대입경 d99는, 예를 들면 이하와 같이 하여 결정할 수 있다. 즉, 우선, 도전성 접착제 (5)에 함유시키는 도전 입자의 입경 분포를 콜터카운터에 의해 측정한다. 그리고, 측정된 입경 중 큰 상위 1％인 것을 제외하고, 나머지 99％의 입경에 있어서의 최대입경을 최대입경 d99로서 결정할 수 있다.
또한, 압착시, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31)의 표면 (33) 사이에 개재되는 도전 입자 (51b)에 있어서, 범프 전극 (42)의 높이 방향의 크기 h2(도 5 참조)가 압착 전에 있어서의 도전 입자의 평균입경 da의 15％ 이상 80％ 이하인 것이 바람직하고, 30％ 이상 80％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 하면, 압착에 의한 도전 입자 (51b)의 입자 파손과 범프 전극 (42)으로의 침식과의 균형이 양호해진다.
또한, 압착시, 도전 입자 (51b)가 범프 전극 (42)에 침식되어 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31)이 양호하게 접속되면, 범프 전극 (42)와 대응하는 위치에 범프 전극 (42)으로 침식된 도전 입자 (51b)에 의한 압흔(壓痕)이 유리 기판 (31)에서의 표면 (33)과 반대측의 면(비실장면)에서 관찰된다. 따라서, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31)이 양호하게 접속되었는지의 여부를 판정하기 위해서는, 범프 전극 (42)와 대응하는 위치에 압흔이 형성되어 있는지의 여부를 유리 기판 (31)의 비실장면에서 관찰하면 된다.
이상과 같은 회로 부품 (1)에서는, 회로 부품 (1)의 제조시, 긴 변 (44a)측의 범프 전극 (42)의 열과, 긴 변 (44b)측의 범프 전극 (42)의 열 사이의 간격 dx(도 2 참조)에 있어서, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 충전된 도전성 접착제 (5)의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)가 서로 인장되어 휘려고 할 때, 유리 기판 (31)의 표면 (33) 및 비전극면 (43)의 쌍방에 접하도록 배치된 제1 상태의 도전 입자 (51a)가, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐에 대항한다. 이에 따라, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐이 억제된다.
환언하면, 회로 부품 (1)에서는, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 개재하는 도전 입자 (51a)는, 범프 전극 (42)의 높이 방향의 크기 h1이 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이의 간격에 대략 일치하고 있기 때문에, 표면 (33)과 비전극면 (43)에 의해 협지된다. 따라서, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 충전된 도전성 접착제 (5)의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)가 서로 인장되어 변형되려고 할 때, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43)에 의해 협지된 도전 입자 (51a)가, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 변형에 대항한다. 이에 따라, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐이 억제된다.
여기서, 도 8, 도 9 및 도 10은, 종래의 회로 부품을 나타내는 모식 단면도이다. 또한, 도 8, 도 9 및 도 10에 있어서는, 도 3과 마찬가지로 도전성 접착제 (90)에 함유되어 있는 도전 입자의 도시는 생략되어 있다.
도 8, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 종래의 회로 부품 (60)에서는, IC칩 (80)의 범프 전극 (82)의 높이는, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)의 범프 전극 (42)(도 3 참조)에 비하여 크고, 또한 도전성 접착제 (90)에 함유되어 있는 도전 입자의 평균입경보다도 크다. 이 때문에, 유리 기판 (71)의 표면 (73)과 IC칩 (80)의 비전극면 (83) 사이에는, 이들 표면 (73) 및 비전극면 (83)의 쌍방에 접하는 도전 입자는 개재되어 있지 않다. 따라서, 범프 전극 (82)의 열 사이의 간격 dx에서, 유리 기판 (71)의 표면 (73)과 비전극면 (83) 사이에 충전된 도전성 접착제 (90)이 열 수축이나 경화 수축하면, 유리 기판 (71) 및 IC칩 (80)이 서로 인장되어 전체적으로 휘어짐이 발생할 우려가 있다. 또한, 도 8에서는 IC칩 (80)에 휘어짐이 발생하는 경우가 나타나 있고, 도 9에서는 유리 기판 (71)에 휘어짐이 발생하는 경우가 나타나 있고, 도 10에서는 유리 기판 (71) 및 IC칩 (80)에 휘어짐이 발생하는 경우가 나타나 있다. 예를 들면, IC칩 (80)과 유리 기판 (71)의 두께가 동일한 정도일 때는, 도 9에 나타낸 바와 같이 유리 기판 (71)에 휘어짐이 발생하는 경우가 있다. 유리 기판 (71)의 비실장면에서 유리 기판 (71) 및 IC칩 (80)에 휘어짐이 발생하면, 외측의 범프 전극 (82)와 유리 기판 (71)의 표면 (73) 사이의 간격이 넓어져, 범프 전극 (82)와 유리 기판 (71)이 양호하게 접속되지 않는 경우가 있다. 그리고, 이 상태에서는 유리 기판 (71)의 비실장면에서 외측의 범프 전극 (82)에 대응하는 위치에 압흔이 관찰되지 않는 경우가 있다.
이에 비하여, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)에서는, 상술한 바와 같이, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐이 억제되기 때문에, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 범프 전극 (42) 사이의 간격이 넓어지는 것이 억제되어, 도전 입자 (51b)가 범프 전극 (42)에 양호하게 침식되어, 유리 기판 (31)과 범프 전극 (42)가 양호하게 접속된다. 이에 따라, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 양호하게 접속할 수 있다. 그리고, 도전 입자 (51b)가 범프 전극 (42)에 양호하게 침식됨으로 압흔이 형성되고, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)가 양호하게 접속된 것을 유리 기판 (31)의 비실장면에서 확인할 수 있다.
또한, 일반적으로 유리 기판은 비교적 딱딱하기 때문에, 회로 부품이 박형이 아닌 경우에는, 상술한 바와 같은 유리 기판 및 IC칩의 휘어짐에 기인하는 접속 불량이 발생하는 경우는 적다. 이에 비하여, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)과 같이, 유리 기판 (31)이 박형인 경우, 유리 기판 (31)에 휘어짐이 발생하기 쉽기 때문에, 기판 및 IC칩의 휘어짐을 억제한다는 본 발명의 효과를 보다 발휘하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)과 같이, IC칩 (4)가 대형인 경우, (IC칩 (4)의 폭 방향의 길이 (도 1에서 상하 방향의 길이)가 긴 경우), 더욱 휘어짐이 발생하기 쉬워지기 때문에, 휘어짐을 억제한다는 본 발명의 효과를 한층 발휘하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)과 같이, IC칩 (4)의 폭 방향에서 서로 이웃한 범프 전극 (42, 42)의 내측의 단부끼리의 간격 중 최대 간격 dx와, 양 단부에 배치된 범프 전극 (42, 42)의 외측 단부끼리의 간격 dO와의 비율이 0.3 내지 0.9로 되어 있으며, 비교적 큰 간역 dx가 존재하는 경우, 더욱 휘어짐이 발생하기 쉬워지기 때문에, 휘어짐을 억제한다는 본 발명의 효과를 한층 발휘하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)의 제조 방법에서는, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)가, IC칩 (4)의 범프 전극 (42)의 높이보다 큰 평균입경의 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제 (5)에 의해 접속된다. 따라서, 상술한 바와 같이, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43)에 개재되는 도전 입자 (51a)는, 범프 전극 (42)의 높이까지 압축되어, 비전극면 (43)과 유리 기판 (31)의 표면 (33)에 의해 협지된다. 따라서, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 충전된 도전성 접착제 (5)의 열 수축이나 경화 수축에 의해, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)가 서로 인장되어 변형되려고 할 때, 비전극면 (43)과 유리 기판 (31)의 표면 (33)에 의해 협지된 도전 입자 (51a)가 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 변형에 대항하여, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐이 억제된다. 이에 따라, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31) 사이의 간격이 넓어지는 것이 억제되어, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31)이 양호하게 접속된다. 이 때문에, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)의 제조 방법에서는, 압착 전의 도전성 접착제 (5)의 두께 dt가, 압착 전에 있어서의 도전 입자의 평균입경 da의 80％ 이상 200％ 이하가 되도록 도전성 접착제 (5)를 개재시키기 때문에, 압착에 의해 범프 전극 (42)가 밀어내는 도전성 접착제 (5)의 양은 도전 입자의 평균입경 da와 동일한 정도(평균입경 da의 80％ 이상 200％ 이하 정도)의 높이만큼이 되어, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31) 사이에서 범프 전극 (42)의 측방으로 흘러 나오는 도전성 접착제 (5)의 양이 감소된다. 이 때문에, 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31) 사이에 도전 입자 (51b)를 양호하게 개재시킬 수 있다. 따라서, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)의 제조 방법으로는, 비전극면 (43)과, 유리 기판 (31)의 표면 (33) 사이의 압착 후의 간격 dy가, 도전 입자 중 입경의 크기가 상위 1％가 되는 도전 입자를 제외한 나머지 도전 입자의 최대입경 d99의 70％ 이상 100％ 이하가 되도록, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 압착시키기 때문에, 유리 기판 (31)의 표면 (33) 및 비전극면 (43)에 의해 도전 입자 (51a)를 적절히 압축할 수 있어, 유리 기판 (31)의 표면 (33)과 비전극면 (43) 사이에 도전 입자 (51a)가 양호하게 협지된다. 따라서, 도전성 접착제 (5)의 열 수축이나 경화 수축에 의해 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)가 서로 인장되어 변형되려고 할 때, 양호하게 협지된 도전 입자 (51a)가 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 변형에 더 대항하여, 유리 기판 (31) 및 IC칩 (4)의 휘어짐이 더 억제된다. 따라서, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 한층 양호하게 접속할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 회로 부품 (1)의 제조 방법에서는, 압착에 의해 범프 전극 (42)와 유리 기판 (31)의 표면 (33) 사이에 개재되는 도전 입자 (51b)는, 범프 전극 (42)의 높이 방향에서의 압착 후의 크기 h2가, 압착 전에 있어서의 도전 입자의 평균입경 da의 15％ 이상 80％ 이하가 되도록, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 압착시키기 때문에, 압착에 의해 도전 입자 (51b)가 범프 전극 (42)에 양호하게 침식되어, 유리 기판 (31)과 IC칩 (4)를 양호하게 접속할 수 있다.
이상, 실시 형태에 관한 회로 부품 및 회로 부품의 제조 방법에 대해서 설명했지만, 본 발명이 상기 실시 형태로 한정되지는 않는다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 기판으로서 유리 기판 (31)이 이용되고 있지만, 예를 들면 금속 배선을 갖는 플렉시블 테이프, 플렉시블 인쇄 배선판 등의 유기 기판, 유리 섬유 강화 에폭시 기판 등의 유리 섬유 강화 유기 기판, 또는 종이 페놀 기판, 세라믹 기판, 적층판 등의 기판이 이용될 수도 있다.
또한, 기판 및 IC칩에 관해, 직사각형 판상(장방형 판상)이란 실질적으로 직사각형 판상인 경우를 포함한다. 구체적으로는, 직사각형 판상이란, 모따기 가공이 실시된 형상, 및 모서리를 둥그스름하게 한 형상 등을 포함한다.

Claims (7)

  1. 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하여 이루어지는 회로 부품으로서,
    상기 IC칩의 실장면에는 범프 전극과, 상기 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면이 설치되고,
    상기 기판의 표면과 상기 비전극면 사이에는, 상기 기판의 표면 및 상기 비전극면의 쌍방에 접하는 제1 상태의 도전 입자가 존재하고,
    상기 기판의 표면과 상기 범프 전극 사이에는, 상기 제1 상태보다도 편평한 제2 상태로 상기 범프 전극에 침식되도록 배치된 도전 입자가 존재하는 것을 특징으로 하는 회로 부품.
  2. 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하여 이루어지는 회로 부품으로서,
    상기 IC칩의 실장면에는 범프 전극과, 상기 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면이 설치되고,
    상기 기판의 표면과 상기 비전극면 사이에는, 상기 범프 전극의 높이 방향의 크기가 상기 기판의 표면과 상기 비전극면 사이의 간격에 일치하고 있는 도전 입자가 존재하는 것을 특징으로 하는 회로 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판인 것을 특징으로 하는 회로 부품.
  4. 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제에 의해 IC칩을 기판에 접속하는 회로 부품의 제조 방법으로서,
    상기 기판의 표면과 상기 IC칩 사이에, 상기 IC칩의 범프 전극의 높이보다 큰 평균입경의 도전 입자를 함유하는 도전성 접착제를 개재시킨 후, 상기 기판과 상기 IC칩을 압착시키고, 상기 기판의 표면과, 상기 IC칩의 실장면에서 상기 범프 전극이 형성된 부분을 제외한 비전극면 사이에, 상기 기판의 표면 및 상기 비전극면의 쌍방에 접하는 제1 상태의 도전 입자를 배치하는 것을 특징으로 하는 회로 부품의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 압착 전의 상기 도전성 접착제의 두께가, 상기 도전 입자의 상기 평균입경의 80％ 이상 200％ 이하가 되도록 상기 도전성 접착제를 개재시키는 것을 특징으로 하는 회로 부품의 제조 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 비전극면과, 상기 기판의 표면 사이의 상기 압착 후의 간격이, 상기 도전 입자 중, 입경의 크기가 상위 1％가 되는 도전 입자를 제외한 나머지 도전 입자의 최대입경의 70％ 이상 100％ 이하가 되도록 상기 기판과 상기 IC칩을 압착시키는 것을 특징으로 하는 회로 부품의 제조 방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 압착에 의해 상기 범프 전극과 상기 기판의 표면 사이에 개재되는 도전 입자는, 상기 범프 전극의 높이 방향에서의 상기 압착 후의 크기가 상기 도전 입자의 상기 평균입경의 15％ 이상 80％ 이하가 되도록, 상기 기판과 상기 IC칩을 압착시키는 것을 특징으로 하는 회로 부품의 제조 방법.
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