JP3198162B2 - 半導体集積回路装置の接続方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置と回
路基板との接続方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置と回路基板と
の接続方法としては、半導体集積回路装置を封止した上
で、この封止ずみの半導体集積回路装置をソケットを介
して回路基板に接続する方法や、あるいはこのソケット
を省略して、封止ずみの半導体集積回路装置を直接回路
基板にはんだ接続する方法が一般的である。

【０００３】ソケットを用いて接続する方法では、ソケ
ットの接続部の摺動部、あるいは封止ずみの半導体集積
回路装置部品の細長い足ピン部分の機械的変形により、
回路基板と半導体集積回路装置との温度熱膨張係数の差
異による機械的歪みや、応力が吸収され、機械的接続と
電気的接続とが両立する。

【０００４】またさらに、ソケットの電気的接触部分の
表面には金メッキが施され、酸化による接続不良が生じ
ないようにしている。

【０００５】これらの実装方法は、長年に渡る使用実績
がある優れた方法である。しかしながら、半導体集積回
路装置と回路基板との実装に要する体積が大きく、装置
の小形化の隘路になっている。

【０００６】この実装体積が大きいという点を解決する
方法として、半導体集積回路片（以下ＩＣチップと記載
する）の各接続電極部分に、バンプと呼ばれるはんだの
突起電極を形成し、回路基板に直接ＩＣチップをはんだ
付けする、いわゆるフリップチップ方式が提案され、実
用化されている。

【０００７】しかし、ＩＣチップと回路基板とを数十μ
ｍの短い距離で対向させ、直径が数十μｍと大きいハン
ダバンプを用いて機械的に固着するため、ＩＣチップと
と回路基板とにおける機械的寸法が温度熱膨脹係数の差
異による変形が発生し、応力の逃げ場がなく、これによ
る機械的破壊が生じる。

【０００８】この機械的破壊を抑制するためには、シリ
コンのＩＣチップとエポキシ材料からなる回路基板とを
接続する場合、ＩＣチップの大きさとしては数ｍｍ、シ
リコンのＩＣチップとガラス材料からなる回路基板とを
接続する場合で、ＩＣチップの大きさは１０ｍｍ程度が
上限である。

【０００９】ハンダバンプの代わりに、半導体集積回路
装置の外部接続電極であるアルミニウム電極上にバリヤ
金属層を介して金バンプを形成し、薄い絶縁フィルム上
に薄い銅箔を形成してパターニングした可撓性を有する
回路基板にＩＣチップを実装して、温度熱膨脹係数の差
異による変形や、応力を吸収し、この可撓性の回路基板
を通常の回路基板に接続する方法、いわゆるＴＡＢ方式
が提案され実施されている。

【００１０】しかし、このＴＡＢ方式では、可撓性の回
路基板を介在させるための実装面積が大きくなり、半導
体集積回路装置へのバリヤ金属層形成のための工程追
加、および金バンプ形成のための貴金属使用によるコス
トの増加の欠点がある。

【００１１】またさらにＩＣチップと微細パターンの可
撓性の回路基板との接続部における貴金属の使用は、簡
易的な耐湿樹脂封止においては、短い距離の接続電極間
において、貴金属溶出再結晶化による電極短絡事故を生
じ易いという信頼性上の欠点がある。

【００１２】安価な実装方法の１つとして信頼性におい
て多少不安はあるが、ＩＣチップを導電ペ−ストを用い
て回路基板に、直接実装する方法が存在する。

【００１３】ＩＣチップの接続電極部分のみを回路基板
と電気的接続するために、半導体集積回路装置の外部接
続電極であるアルミニウム電極上に、バンプとよばれる
金メッキを行った、大きさが数十μｍの多数の突起電極
を形成する。さらに、昔から知られる凸版印刷の手法を
用いて、この突起電極部分にのみ導電ペ−ストを塗布
し、これを回路基板に接続する。

【００１４】ＩＣチップと回路基板とを接続する導電ペ
−ストは、二液混合型あるいは熱硬化型の接着剤と、銀
粒子あるいはパラジウム銀微粒子を混練したもので、機
械的接続と電気的接続とを同時に達成する。

【００１５】この導電ペーストを用いた接続を成立させ
るには、多数の突起電極の高さが揃っていることと、接
続電極間ピッチ寸法を充分広くして導電ペ−ストの接続
電極からのはみ出し距離よりも大きいこととが必要であ
る。

【００１６】さらに、この導電ペーストを用いた実装方
法においても、前述の温度熱膨脹係数の差異によって発
生する機械的歪みによる応力や、変形の問題を解決しな
ければならない。

【００１７】現在は導電ペーストを用いた実装方法での
ＩＣチップの大きさは、数ｍｍ以下の寸法で実用になっ
ている。これ以上の寸法のＩＣチップでは、機械的歪み
による接続の剥がれやＩＣチップの破壊が生じる。

【００１８】さらに、導電ペーストを用いた実装方法で
は、前述のバンプの形成のための半導体集積回路の製造
プロセスにおける追加工程のためのコスト増加と、通常
と異なる大きな接続電極のためのＩＣチップの面積効率
の低下とが存在し、かえってＩＣチップの単価が増大す
る。

【００１９】すなわち、信頼性とコストと実装体積との
総合評価では、ＩＣチップを回路基板へ直接実装するこ
とによる経済効果は必ずしも大きくなく、信頼性では不
安定要素が存在し、体積効果にのみの優位性に依存する
傾向がある。

【００２０】しかし装置の小形化は時代の趨勢であり、
ＩＣチップ実装面積と、実装体積の縮小と、多接続端子
の接続コストの画期的低下とは、強く望まれ有効な技術
の出現が待たれている。

【００２１】上記の理解の便利のため、図７の断面図に
従来の導電ペ−ストを用いた実装方法におけるＩＣチッ
プと回路基板とを含む断面構造を示す。

【００２２】図７に示すように、ＩＣチップ７０２は、
トランジスタや抵抗やコンデンサーなどの素子を形成す
る能動領域７０４の最上部のアルミニウムからなる金属
導電層７０６の一部が露出するように、保護膜層７０８
に接続穴をエッチングで形成する。この金属導電層７０
６上には、クロムやチタンの単層膜、あるいは積層膜か
らなるバリヤ層（図示せず）を介してバンプ７１０を設
ける。

【００２３】このバンプ７１０は銅で形成し、銅表面に
金メッキ膜を設ける。バンプ７１０の直径は百数十μｍ
あり、バンプの高さは数十μｍある。通常、バンプ７１
０高さのばらつきは、１０μｍ程度ある。

【００２４】導電ペ−スト７１２は、ＩＣチップ７０２
と回路基板７１６との隙間が規定されているために、バ
ンプ７１０高さの誤差を吸収しており、導電ペ−スト７
１２の横方向のはみ出し量は、バンプ７１０高さのばら
つき程度、すなわち１０μｍ程度のばらつきが発生す
る。

【００２５】このためバンプ間距離７４８は、最悪条件
で隣り合った電極同志が短絡しないために、導電ペース
ト７１２の最低はみ出し量の２倍以上の距離、たとえば
３０μｍ以上の寸法を必要とする。

【００２６】したがって実装するＩＣチップ７０２の電
極ピッチは、数十μｍ以下の実装は無理があるのが実情
である。

【００２７】さらにバンプ７１０高さのばらつきは、短
絡事故を生じて接続歩留りを低下させ、そのうえ温度変
化により実装領域での接続はがれを生じ、接続抵抗が不
安定になる。

【００２８】導電ペーストを用いた接続方法とは別に、
金バンプの高さを数μｍと低くして直接回路基板に押し
付け、紫外線硬化樹脂により、ＩＣチップと回路基板と
を接続する構造が提案されている。しかしながらバンプ
高さばらつきを押し付け圧力のみで吸収させるには無理
がある。

【００２９】さらに別のＩＣチップと回路基板との接続
方法として、導電性被膜を被覆したプラスチック球を、
さらに薄い膜厚の熱溶融性のプラスチックで覆い、数μ
ｍの高さの金バンプと回路基板とを接着し、熱によって
回路基板とＩＣチップとの導通接続をはかり、横方向の
電極間短絡を逃げるという構造の提案もあるが、導電接
続性にも短絡防止にもゆとりを持った材料や条件は厳し
い。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来技術のＩＣチップ実装方法で解決が望まれている課
題は、ＩＣチップに形成するバンプと呼ばれる接続用の
突起電極の形成コストの低下と、電極面積の縮小と、金
属溶出再結晶短絡事故を引き起こす恐れのある高価な貴
金属使用の廃止と、温度熱膨脹係数の差異により生ずる
接続剥がれの防止と、ＩＣチップの破壊防止とである。

【００３１】本発明の目的は、上記課題の解決を図るた
めの新しい接続方法を提供することにある。さらに詳し
く記すと、貴金属を用いずに安定であり、なおかつ導電
性に優れ、金属溶出再結晶短絡を起こしにくい接続方法
を提供することが、本発明の目的である。

【００３２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は下記記載の方法を採用する。

【００３３】本発明の半導体集積回路装置の接続方法
は、接続電極を備える半導体集積回路片と、回路基板電
極を備える回路基板とを、弾力性のある導電性粒子、も
しくは導電性粒子と弾力性のある非導電性粒子とを絶縁
性接着剤と共に混練し導電接続体とし、導電性粒子ある
いは非導電性粒子の粒子径間隔で回路基板電極と半導体
集積回路片とを接着し、半導体集積回路片の接続電極と
回路基板の回路基板電極の電気的接続を導電接続体を用
いて行うことを特徴とする。

【００３４】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基き説明する。
図１は本発明による半導体集積回路装置の接続方法にお
ける実施例の一つである。

【００３５】図１に示すように、ＩＣチップ１０２は、
トランジスタや抵抗やコンデンサーなどの能動素子や受
動素子を形成した能動領域１０４上にアルミニウムから
なる接続電極１１０が露出するように保護膜１０８に開
口を形成する。

【００３６】一方、回路基板１１６上には回路基板電極
１１４を設ける。回路基板１１６は液晶表示装置の場合
は、ガラス基板であり、回路基板電極１１４は、透明電
極膜で構成する。

【００３７】ＩＣチップ１０２の接続電極１１０と、回
路基板電極１１４とは、導電接続体１１２を用いて、電
気的接続を行う。

【００３８】つぎに導電接続体を用いて回路基板の回路
基板電極とＩＣチップの接続電極との接続を行う実施例
を説明する。

【００３９】図２に示すように、導電接続体は、テトロ
ン、あるいはポリイミドなどの弾力性のある絶縁性プラ
スチック粒子２１０の表面に、パラジウム銀や酸化物導
電体の導電性被膜２１２を形成し、さらに軟化点の低い
絶縁性プラスチック微粒子、あるいはワックス微粒子か
らなる絶縁性粒子２１４を設けたもので構成する。この
絶縁性粒子２１４の大きさは、１μｍ以下のものを用い
る。

【００４０】ＩＣチップ２０２と回路基板２０６とは、
ＩＣチップ２０２の両側に配置した接着剤２３２中のス
ペ−サ部材２３０により一定の間隔、たとえば５μｍで
対向配置する。同時に導電性が付与された絶縁性プラス
チック粒子２１０を歪ませて接続圧を発生させる。

【００４１】絶縁性プラスチック粒子２１０の表面は、
導電性被膜２１２により導電被覆されているが、図２の
上下方向は、強い圧力で絶縁性プラスチック粒子２１０
の表面の絶縁性粒子２１４が、絶縁性プラスチック粒子
２１０内に埋没したり、熱で潰れたりして、上下方向で
回路基板電極２０８と、ＩＣチップ２０２の接続電極２
０４とを導通させる。

【００４２】しかしながら電極の横方向では、圧力の逃
げ場があるので絶縁性粒子２１４の埋没や潰れが起き
ず、導通が行われない。

【００４３】導通を与える粒子は、お互いに密着しない
程度の平面密度で均一にＩＣチップ２０２上、もしくは
回路基板２０６上に塗布する。

【００４４】しかしながら、絶縁性プラスチック粒子２
１０表面の絶縁性粒子２１４の存在により、電極横方向
の導通は疎外され、電極上下方向のみ強い圧力が発生で
き、導通する。

【００４５】上下に導電性の接続電極２０４や回路基板
電極２０８が存在する領域だけが導通するので、従来の
導電ぺ−ストを凸版印刷法にて、パターン化印刷する方
法と異なり、１０μｍピッチ程度までの微細ピッチの電
極接続が達成できる。

【００４６】図３に、本発明の半導体集積回路装置の接
続方法におけるさらに別の実施例を示す。

【００４７】図３に示すように、導電接続体は、直径数
μｍ程度のテトロン、あるいはポリイミドなどの弾力性
のある絶縁性プラスチック表面にパラジウム銀や酸化物
導電体膜を形成した導電性粒子３１２と、導電性粒子３
１２より粒径の小さいテトロン、あるいはポリイミドな
どの絶縁性プラスチックからなる非導電性粒子３１０と
を絶縁性接着剤３１６とを混練して構成する。

【００４８】導電性粒子３１２と非導電性粒子３１０と
の２種類の粒子が混在しており、上下方向すなわちＩＣ
チップ３０２の接続電極３０４と回路基板３０６の回路
基板電極３０８との間には、導電性粒子３１２と非導電
性粒子３１０とが一層に配列し、横方向には導電性粒子
３１２と非導電性粒子３１０とが混ざって配列する。

【００４９】一層配列の方向は、接着剤３３２に混入し
たスペ−サ部材３３０の寸法を導電性粒子３１２寸法よ
りも小さく設定することにより、導電性粒子３１２に押
し付け圧が発生し、接続電極３０４と回路基板電極３０
８との導通が得られる。

【００５０】電極横方向には、導電性粒子３１２と非導
電性粒子３１０の直列接続状態が発生するので、非導電
性粒子３１０に対する導電性粒子３１２の比率を１／７
以下にしておくと、１個の導電性粒子３１２の周囲を全
て非導電性粒子３１０とすることが可能となり、電極横
方向短絡は起こらなくなる。

【００５１】非導電性粒子３１０の直径を導電性粒子３
１２の直径よりも少しだけ小さくすることにより、電極
上下方向の導通確率を低下させることがなくなり、導通
確率の低下を防ぐことができる。

【００５２】ただし非導電性粒子３１０の直径を導電性
粒子３１２の直径の１／４以下にすると、非導電性粒子
３１０の横方向接続防止の寸法効果が減少する。

【００５３】図４は本発明におけるさらに別の実施例を
示し、異方性導電部材を用いた接続方法を示す。

【００５４】シート状の異方性導電部材は、形状記憶合
金の細線を冷間加工で少し折り曲げて絶縁性プラスチッ
クなどの柔らかい媒体中に分散固定する。形状記憶合金
細線は、鉄やニッケルのメッキ処理で磁場中配向を可能
にし、さらに接続抵抗を低下させるために銀パラジウム
メッキを施すと良い。形状記憶合金細線に、あらかじめ
絶縁被覆を施してから、束ねて絶縁性接着剤で固着する
方法も作り易い利点がある。

【００５５】図４に示すように、絶縁性接着剤４０２中
に形状記憶合金細線４０４を柔らかいプラスチックから
なる鞘４０６で被覆し、シート状にして、これを異方性
導電部材とする。

【００５６】形状記憶合金は一定の温度以下では可塑性
を示すが、温度が上昇して一定温度以上になると可塑性
を失い、高温時の形状に戻る。

【００５７】したがって高温時に真っ直ぐな形状記憶合
金細線４０４を、冷間加工で曲げた形状記憶合金細線４
０４を用い、ＩＣチップと回路基板とを絶縁性接着剤４
０２を用いて固着した後に、加熱を行うとＩＣチップの
実装時に、形状記憶合金細線４０４が真っ直ぐに伸び、
挫屈や変形で減少していた接続用の接触圧が回復して実
装接続抵抗を安定確保できる。

【００５８】鞘４０６は、形状記憶合金細線４０４同志
の電気的接触によるショートを防いで、異方性導電部材
の絶縁シ−トを形成するのに有効である。さらに鞘４０
６をワックスのような熱軟化性の材料で構成しておく
と、加熱時の形状記憶合金細線４０４の形状回復による
接続圧の発生が容易になる。

【００５９】絶縁性接着剤４０２は、形状記憶合金細線
４０４を固めてシ−ト状にするのに用いるだけではな
く、ＩＣチップと回路基板とを固着する作用も有する。

【００６０】図５は本発明の導電性粒子の構造の実施例
を示す。

【００６１】図５（ａ）は形状記憶合金細線５０２を冷
やして小さく丸めたものであり、図５（ｂ）は形状記憶
合金細線とプラスチック材料やワックス材料とともに丸
めて球状導電性粒子５０４としたものであり、図５
（ｃ）は加熱により膨脹した形状記憶合金細線ボ−ル５
０６をそれぞれ示す。

【００６２】丸めた形状記憶合金細線５０２は単独では
互いに絡みやすく、表面を導電被覆したプラスチック粒
子のような異方性導電構造を形成し難い。

【００６３】しかし形状記憶合金細線５０２をワックス
材料やプラスチック材料と共に練り合わせた球状導電性
粒子５０４は団子状にすることができ、絡み合いを防ぎ
導電性粒子として取扱うことができる。

【００６４】しかもこの球状導電性粒子５０４は、実装
後に加熱工程を経過すると、溶融したワックス球のなか
で形状記憶合金細線が形状を膨らませ、図５（ｃ）に示
す形状記憶合金細線ボール５０６の状態となり、接続圧
を発生し、プラスチック材料からなる導電性粒子にない
利点がある。

【００６５】あるいは可撓性の細線、もしくは金属酸化
物被覆や金属膜を被覆して導電性を持たせた可撓性絶縁
性細線を、ワックスと共に低温で練り固めた複合材料
は、形状記憶合金と全く同様に高温加熱工程で篭状に膨
脹して接続圧を発生するので、図５に示す導電性粒子と
同様に利用することができる。

【００６６】図６は、本発明の半導体集積回路装置の接
続方法を、液晶表示素子を構成するガラス基板上の配線
とＩＣチップとの接続に適用したチップオングラス実装
方法における実施例を示す。

【００６７】図６の断面図に示すように、液晶表示装置
を構成するガラス基板６０４とガラス基板６０６との間
に液晶層６００を設ける。この液晶層６００は封止材６
２２により、ガラス基板６０４とガラス基板６０６との
間に封入されている。

【００６８】それぞれのガラス基板６０４、６０６に
は、光の振動面の方向を規定する偏向板６２４、６２６
を設ける。

【００６９】さらにそれぞれのガラス基板６０４、６０
６には、表示を行うための透明電極膜６３０、６３２を
設ける。

【００７０】さらにガラス基板６０４には、液晶表示装
置を駆動するための液晶駆動用ＩＣチップ６０２を、本
発明の接続方法を用いて、導電接続体６０８により実装
している。

【００７１】液晶駆動用ＩＣチップ６０２を制御する信
号や電源は、ガラス基板６０４に熱硬化型導電性接着剤
６１２を用いて接続する回路基板接続電極６１４より供
給する。

【００７２】図６に示すように、透過光６２８は液晶層
６００を透過するとき変調され、偏向板６２４、６２６
の効果で振幅変調に変化させられる。

【００７３】液晶表示素子を構成するガラス基板６０４
とガラス基板６０６とには、表面に酸化インジウムすず
混合物薄膜からなる透明導電膜６３０、６３２を形成
し、液晶層６００に駆動電圧を印加する。

【００７４】透明導電膜６３０、６３２は、数μｍの狭
い間隔を介して対向して配置し、その間に一定方向に配
向処理した液晶層６００を挟持している。

【００７５】温度変化によるガラス基板６０４と液晶駆
動用ＩＣチップ６０２との温度熱膨脹係数の差異に起因
する機械的歪は、導電接続体６０８の使用で吸収され、
電気接続のための接続圧は本発明の接続方法で安定して
維持され、電気的接続の問題は生じない。

【００７６】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体集積回路装置の接続方法においては、ＩＣチップ
と回路基板との接続に貴金属を用いずに接続を行ってい
るので貴金属固有の金属溶出短絡事故を抑圧できる。ま
たさらに従来使用していた導電ペーストとは異なり、本
発明の接続方法で用いる導電接続体は、物理的、化学的
に安定である。

【００７７】このため電極ピッチが１０μｍ程度と、従
来に比較して小さな寸法でＩＣチップの実装が可能にな
る。また導電ペースト形成のための凸版印刷工程ののよ
うな時間と手間の掛かる工程を必要としないので、プロ
セスコストが大幅に低下できる。接続の安定性の点から
見ると、形状記憶合金効果で温度熱膨脹や経時変化に対
して接続圧が安定して確保され、接続の安定性と信頼性
とで優れている。さらに、貴金属を用いないために材料
費の点でも優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における半導体集積回路装置の
接続方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例における半導体集積回路装置の
接続方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施例における半導体集積回路装置の
接続方法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例における半導体集積回路装置の
接続方法に用いる異方性導電部材を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施例における半導体集積回路装置の
接続方法に用いる導電接続体を示す斜視図である。

【図６】本発明の半導体集積回路装置の接続方法を液晶
表示装置に適用した実施例を示す断面図である。

【図７】従来の半導体集積回路装置の接続方法を示す断
面図である。

【符号の説明】

１０２ 半導体集積回路片（ＩＣチップ） １１０ 接続電極 １１２ 導電接続体 １１４ 回路基板電極 １１６ 回路基板

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接続電極を備える半導体集積回路片と、
   回路基板電極を備える回路基板とを、弾力性のある導電
   性粒子、もしくは導電性粒子と弾力性のある非導電性粒
   子とを絶縁性接着剤とともに混練し導電接続体とし、前
   記導電性粒子あるいは非導電性粒子の粒子径間隔で前記
   回路基板電極と前記半導体集積回路片とを接着し、前記
   半導体集積回路片の接続電極と前記回路基板の回路基板
   電極の電気的接続を前記導電接続体を用いて行う半導体
   集積回路装置の接続方法であって、 前記 導電接続体は、形状記憶合金から形成する微小バネ
   構造体であることを特徴とする半導体集積回路装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 接続電極を備える半導体集積回路片と、
   回路基板電極を備える回路基板とを、弾力性のある導電
   性粒子、もしくは導電性粒子と弾力性のある非導電性粒
   子とを絶縁性接着剤とともに混練し導電接続体とし、前
   記導電性粒子あるいは非導電性粒子の粒子径間隔で前記
   回路基板電極と前記半導体集積回路片とを接着し、前記
   半導体集積回路片の接続電極と前記回路基板の回路基板
   電極の電気的接続を前記導電接続体を用いて行う半導体
   集積回路装置の接続方法であって、 前記 導電接続体は、表面が導電被覆された微小な弾力性
   プラスチックバネ構造体であることを特徴とする半導体
   集積回路装置の製造方法。
3. 【請求項３】 接続電極を備える半導体集積回路片と、
   回路基板電極を備える回路基板とを、弾力性のある導電
   性粒子、もしくは導電性粒子と弾力性のある非導電性粒
   子とを絶縁性接着剤とともに混練し導電接続体とし、前
   記導電性粒子あるいは非導電性粒子の粒子径間隔で前記
   回路基板電極と前記半導体集積回路片とを接着し、前記
   半導体集積回路片の接続電極と前記回路基板の回路基板
   電極の電気的接続を前記導電接続体を用いて行う半導体
   集積回路装置の接続方法であって、 前記 導電接続体は、表面を導電被覆した微小な弾力性プ
   ラスチック体で、さらにこの弾力性プラスチック体上に
   絶縁性の熱可塑性微細粉末を塗布した構造であることを
   特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 接続電極を備える半導体集積回路片と、
   回路基板電極を備える回路基板とを、弾力性のある導電
   性粒子、もしくは導電性粒子と弾力性のある非導電性粒
   子とを絶縁性接着剤とともに混練し導電接続体とし、前
   記導電性粒子あるいは非導電性粒子の粒子径間隔で前記
   回路基板電極と前記半導体集積回路片とを接着し、前記
   半導体集積回路片の接続電極と前記回路基板の回路基板
   電極の電気的接続を前記導電接続体を用いて行う半導体
   集積回路装置の接続方法であって、 前記 導電接続体は、冷間圧縮した形状記憶合金細片をプ
   ラスチックで固めた複合体であり、温度上昇により圧縮
   が解ける構造であることを特徴とする半導体集積回路装
   置の製造方法。
5. 【請求項５】 ＩＣチップの接続電極と、回路基板の回
   路基板電極との接続は異方性導電部材を用いて行い、前記 異方性導電部材は、形状記憶合金が冷間加工変形さ
   れた微小バネ構造体であり、バネ構造体の側面が絶縁性
   の鞘で覆われ、バネ構造体を多数束ねて異方性導電部材
   を構成し、 半導体集積回路片と回路基板とを異方性導電部材を挟ん
   で固着した後、加熱して電気的接続のための接続圧を前
   記異方性導電部材に発生させることを特徴とする半導体
   集積回路装置の接続方法。