JP2002231763A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばら
つきを適正に管理することにより、ＩＣのバンプ電極と
基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上する
ことのできる電気光学装置および電子機器を提供するこ
と。 【解決手段】 導電粒子１５０を含む異方性導電膜１５
を介しての圧着により、透明基板２０に形成されている
複数の端子２７に対して、駆動用ＩＣ１３の各バンプ電
極１３０を実装するにあたって、バンプ電極１３０を含
む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを、圧着前
の導電粒子１５０の平均粒径未満に管理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ（以
下、ＩＣという。）が異方性導電膜によって基板上に実
装された電気光学装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フェイスダウンボンディングタイプのＩ
Ｃを異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ／１５）を用いてＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐｏｎ ｇｌａｓｓ）実装する方法は、ファインピッ
チへの対応が可能であるとともに、多接点を一括して電
気的に接続できるので、液晶装置などといった電気光学
装置において、電気光学物質を保持する基板上に駆動用
ＩＣを実装するのに適している。

【０００３】この異方性導電膜では、樹脂粒子の表面が
金属で被覆された導電粒子が樹脂中分散しており、図３
（Ａ）に示すように、ＩＣ実装領域２６に所定の大きさ
の異方性導電膜１５を残した後、図３（Ｂ）に示すよう
に、圧着ヘッド９を用いて駆動用ＩＣ１３を基板側に熱
圧着すると、図３（Ｃ）に示すように、駆動用ＩＣ１３
のバンプ電極１３０と基板側の端子２７との間におい
て、異方性導電膜１５に含まれている導電粒子１５０が
潰れ、この潰れた導電粒子１５０によって、バンプ電極
１３０と端子２７とが電気的に接続する。

【０００４】このような実装を行う際、図４（Ａ）に示
すように、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極
１３０を含めた総厚さ寸法がｔ１の薄い部分と、総厚さ
寸法がｔ２の厚い部分とがある場合、総厚さ寸法がｔ１
の薄い部分と総厚さ寸法がｔ２の厚い部分とでは、各々
のバンプ電極１３０と導通されるべき端子１３０までの
距離が異なることから、導電粒子１５０の大きさが小さ
いと総厚さ寸法がｔ１の薄い部分を端子１３０と導通さ
せることができないと考えられる。しかしながら、実際
にはこのような問題はほとんど生じない。

【０００５】その理由として、まず、圧着する際に、総
厚さ寸法がｔ１の薄い部分と総厚さ寸法がｔ２の厚い部
分とでは各々の端子との間に介在する導電粒子１５０に
加わる力が異なるため、導電粒子１５０は、図４（Ｂ）
に示すように、バンプ電極１３０を介して加わった力の
大きさに応じて、総厚さ寸法がｔ１の薄い部分では軽く
潰れる一方、総厚さ寸法がｔ２と厚い部分では激しく潰
れるので、総厚さ寸法のばらつきＲが導電粒子１３０の
潰れ具合により補正される。また、各々のバンプ電極１
３０と端子２７との間には複数の導電粒子１５０が介在
しており（図４（Ｂ）では、便宜上、各々のバンプ電極
１３０と端子２７との間に導電粒子が１つしかないよう
に示してある）、複数の導電粒子１５０が積層している
ため、などが考えられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが近年の電気光
学装置では、画素の高密度化などに伴なって電極パター
ンの数が増大していく傾向にあり、それに伴ない、端子
２７およびバンプ電極１３０の面積は、小さくなる傾向
にある。その結果、バンプ電極１３０と端子２７との間
に介在する導電粒子１５０の数が少なくなるため、各々
のバンプ電極１３０と端子２７との間に介在する導電粒
子１５０がバンプ電極１３０と端子２７とを導通させる
まで積層しにくくなる。また、導電粒子１５０が十分に
積層されないと総厚さ寸法のばらつきＲの補正は導電粒
子１５０の潰れ具合に大きく左右されるが、導電粒子１
５０の潰れ具合による総厚さ寸法のばらつきＲの補正に
も限界があるので、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバ
ンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲが電気
的な接続不良として表面化しやすくなる。

【０００７】そこで、駆動用ＩＣ１３を製造する際、バ
ンプ電極１３０を研磨して、バンプ電極１３０を含めた
駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを可能な限り
小さくする方法が考えられるが、このような管理方法で
は、駆動用ＩＣ１３の製造コストが著しく増大するとい
う問題点がある。

【０００８】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばらつきを適正
に管理することにより、ＩＣのバンプ電極と基板側の端
子との電気的な接続部分の信頼性を向上することのでき
る電気光学装置、および電子機器を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、導電粒子を含む異方性導電膜を介して
の圧着により、電気光学物質を保持する基板に形成され
ている複数の端子に対して、ＩＣの複数のバンプ電極が
それぞれ電気的に接続された電気光学装置において、前
記バンプ電極を含む前記ＩＣの総厚さ寸法のばらつき
は、前記導電粒子の平均粒径未満であることを特徴とす
る。

【００１０】本願発明者が繰り返し行った実験結果によ
れば、バンプ電極を含むＩＣの総厚さ寸法のばらつき
が、圧着前の導電粒子の平均粒径（圧着後、潰れていな
い導電粒子の平均粒径）未満となるように管理すれば、
ＩＣの総厚さ寸法にばらつきがあっても、バンプ電極と
端子との間にある導電粒子が適正に潰れることによって
十分、吸収、補正できるので、ＩＣのバンプ電極と基板
側の端子との間に電気的な接続不良が発生しないという
結果が得られた。それ故、圧着前の異方性導電膜に含ま
れている導電粒子の平均粒径を考慮して、１つのＩＣ内
においてバンプ電極を含めた総厚さ寸法のばらつきを管
理すれば、この寸法ばらつきを過剰なレベルにまで圧縮
せずとも、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的
な接続部分の信頼性を向上することができる。

【００１１】本発明において、電気光学装置において駆
動用ＩＣを実装する際には、導電粒子の平均粒径が約５
μｍのものが多用されており、この場合には、前記バン
プ電極を含む前記ＩＣの総厚さ寸法のばらつきは４μｍ
以下にすることが好ましい。本発明において、前記電気
光学物質は、例えば、一対の基板間に封入された液晶で
あり、当該一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に
前記ＩＣが実装されている。

【００１２】本発明において、電気光学装置では、液晶
などの電気光学物質がガラス基板や石英基板に保持され
ているので、このような基板に対してＩＣが実装され
る。

【００１３】本発明において、前記端子は、該端子が形
成されている基板上に半導体プロセスにより形成された
薄膜と同時形成されてなることが好ましい。このような
構成によれば、基板側の端子は、半導体プロセスで形成
されたものであるため、膜厚にばらつきがほとんどな
い。それ故、ＩＣ側の厚さ寸法のばらつきについてのみ
管理すれば、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子とを確実
に電気的に接続することができる。

【００１４】本発明において、前記ＩＣは、例えば、前
記電気光学物質を駆動するための電極パターンに信号を
供給する駆動用ＩＣである。このような異方性導電膜を
用いた実装は、多接点を一括して電気的に接続できるの
で、駆動用ＩＣを実装するのに適している。

【００１５】このように構成した電気光学装置は、電子
機器の表示部として用いられる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。

【００１７】（全体構成）図１および図２はそれぞれ、
本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜
視図である。なお、図１および図２には、電極パターン
および端子などを模式的に示してあるだけであり、実際
の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が
形成されている。

【００１８】図１および図２において、本形態の電気光
学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー液晶パネル
１′を備えており、所定の間隙を介してシール材３０に
よって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の
透明基板間にシール材３０によって液晶封入領域３５が
区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に
は、電気光学物質としての液晶が封入されている。ここ
では、前記一対の透明基板のうち、液晶封入領域３５内
で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形
成されている方の基板を第１の透明基板１０とし、液晶
封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パ
ターン５０が形成されている方の基板を第２の透明基板
２０とする。

【００１９】ここに示す電気光学装置１は透過型であ
り、照明装置４をバックライトとして所定の表示を行な
う。このため、第２の透明基板２０の外側表面には偏光
板６１が貼られ、第１の透明基板１０の外側表面には偏
光板６２が貼られている。なお、図示を省略するが、第
２の透明基板２０には、第１の電極パターン４０と第２
の電極パターン５０との交点に相当する領域に、赤、
緑、青のカラーフィルタが形成され、これらのカラーフ
ィルタの表面側に絶縁性の平坦化膜（図示せず）、第２
の電極パターン５０、および配向膜がこの順に形成され
ている。これに対して、第１の透明基板１０には、第１
の電極パターン４０および配向膜（図示せず）がこの順
に形成されている。この電気光学装置１において、第１
の電極パターン４０および第２の電極パターン５０は、
いずれもＩＴＯ膜によって形成されている。

【００２０】電気光学装置１では、外部との間での信号
の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第
１の透明基板１０および第２の透明基板２０の同一方向
に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の
透明基板１０および第２の透明基板２０のそれぞれに形
成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子
形成領域２１が用いられる。第２の透明基板２０として
は、第１の透明基板１０よりも大きな基板が用いられ、
第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わ
せたときに第１の透明基板１０の基板辺１０１から第２
の透明基板２０が張り出す部分２５に、駆動用ＩＣ１３
（半導体チップ）の実装領域２６が形成されており、こ
こに駆動用ＩＣ１３がフェイスダウンボンディングによ
りＣＯＧ実装されている。

【００２１】（実装領域の構成）この部分での実装構造
について、詳しくは後述するが、異方性導電膜を第２の
透明基板２と駆動用ＩＣ１３との間に挟んだ上で、それ
らを加熱圧着することによって行われる。ここで、実装
領域２６には、以下に説明する多数の端子２７が形成さ
れ、これらの端子２７に対して、駆動用ＩＣ１３のバン
プ電極が電気的に接続される。

【００２２】まず、第２の透明基板２０では、ＩＴＯ膜
からなる第２の電極パターン５０が実装領域２６まで延
びており、その端部によって、駆動用ＩＣ１３のバンプ
電極が電気的に接続される端子２７が形成されている。

【００２３】第２の透明基板２０の第２の端子形成領域
２１は、駆動用ＩＣ１３より基板辺２０１の側に位置す
る部分に入出力端子２８（パネル側端子）が形成され、
これらの入出力端子２８にはフレキシブル基板２９が接
続されている。入出力端子２８の各々から実装領域２６
に向けては、ＩＴＯ膜からなる配線パターンが延びてお
り、これらの配線パターンの端部によって、駆動用ＩＣ
１３のバンプ電極と電気的に接続される端子２７が形成
されている。

【００２４】第２の端子形成領域２１において、駆動用
ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、
第１の透明基板１０の側との基板間導通用に用いられる
ので、第１の透明基板１０との重なり部分に、複数の基
板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間
導通用端子７０の各々から実装領域２６に向けては、Ｉ
ＴＯ膜からなる配線パターンが延びており、これらの配
線パターンの端部によって、駆動用ＩＣ１３のバンプ電
極と電気的に接続される端子２７が形成されている。

【００２５】また、第１の透明基板１０において、第１
の端子形成領域１１は、第２の透明基板２０の側との基
板間導通に用いられるので、第２の透明基板２０との重
なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成され
ている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩ
ＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって
構成されている。

【００２６】従って、第１の透明基板１０と第２の透明
基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で
貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士
を導通させるとともに、第２の透明基板２０に駆動用Ｉ
Ｃ１３およびフレキシブル基板２９を実装した以降、第
２の透明基板２０の入出力端子２８から駆動用ＩＣ１３
に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力さ
れた信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極
パターン５０に供給されるので、第１の電極パターン４
０と第２の電極パターン５０との交点に相当する画素を
各々駆動することができる。

【００２７】（駆動用ＩＣ１３の実装構造）図３（Ａ）
〜（Ｃ）は、図１に示す電気光学装置において、異方性
導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装する様子を示す工程断
面図である。図４は、図１に示す電気光学装置におい
て、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装した様子を
示す説明図である。なお、異方性導電膜において、電極
と端子との間には複数の導電粒子が介在するが、図４
（Ｂ）では、便宜上、電極と端子との間に１つの導電粒
子のみを表してある。

【００２８】図１に示す電気光学装置を製造するにあた
って、バンプ電極を含む駆動用ＩＣの総厚さ寸法のばら
つきと、工程能力指数との関係を示すグラフである。

【００２９】このような電気光学装置１を構成するにあ
たって、駆動用ＩＣ１３を実装するのに用いた異方性導
電膜では、弾性変形可能な樹脂粒子の表面が金属で被覆
された導電粒子が、エポキシ樹脂などといった熱硬化性
樹脂、あるいは熱可塑性樹脂中に分散している。このた
め、図３（Ａ）に示すように、ステージ８上において、
第２の透明基板２０のＩＣ実装領域２６に所定の大きさ
の異方性導電膜１５を残した後、図３（Ｂ）に示すよう
に、圧着ヘッド９を用いて駆動用ＩＣ１３を基板側に熱
圧着すると、図３（Ｃ）に示すように、駆動用ＩＣ１３
のバンプ電極１３０と端子２７との間において、異方性
導電膜１５に含まれている導電粒子１５０が潰れ、潰れ
た導電粒子１５０によって、バンプ電極１３０と端子２
７とが電気的に接続する。

【００３０】このような実装を行う際、基板側の端子２
７は、いずれも第２の透明基板２０に半導体プロセスに
よりＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０を形成す
る際、これらの第２の電極パターン５０と同時形成され
たものであるため、膜厚にばらつきはほとんどない。

【００３１】これに対して、図４（Ａ）に示すように、
駆動用ＩＣ１３では、バンプ電極１３０を含めた総厚さ
寸法がｔ１の薄い部分と、総厚さ寸法がｔ２の厚い部分
とが発生しやすく、このようなばらつきがあると、個々
のバンプ電極１３０に加わる力がばらつく。それでも、
導電粒子１５０は、図４（Ｂ）に示すように、バンプ電
極１３０を介して加わった力の大きさに応じて、総厚さ
寸法がｔ１の薄い部分では軽く潰れる一方、総厚さ寸法
がｔ２の厚い部分では激しく潰れるので、ある程度のば
らつき（駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を
含めた総厚さ寸法のばらつきＲ）を吸収、補正できる。
また、バンプ電極１３０および端子２７が大きければ、
それらの間で導電粒子１５０が積層して電気的な接続が
行われるので、駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１
３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲをある程度は吸
収、補正できる。但し、電気光学装置１では、画素の高
密度化などに伴なって端子２７の数が増大しているの
で、端子２７およびバンプ電極１３０については、小さ
くなる傾向にある。その結果、バンプ電極１３０と端子
２７との間に介在する導電粒子１５０の数が少なくなる
ため、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３
０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲが電気的な接続不良
として表面化しやすい。

【００３２】そこで、本形態では、バンプ電極１３０を
含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを、圧着
前の導電粒子１５０の平均粒径未満に管理してある。例
えば、平均粒径が約５μｍの導電粒子１５０を含む異方
性導電膜１５を用いる場合、バンプ電極１３０を含む駆
動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲは、４μｍ以下
に管理する。

【００３３】このような基準は、繰り返し行った実験結
果に基づいて決定されたものである。例えば、平均粒径
が約５μｍの導電粒子１５０を含む異方性導電膜１５を
用いて、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚
さ寸法のばらつきＲが２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍ
の駆動用ＩＣ１３をガラス基板からなる第２の透明基板
２０にそれぞれ実装したとき、バンプ電極１３０と端子
２７との間でいくつの導電粒子１５０が潰れた状態にあ
るかを規格値にして工程能力指数などを検討したとこ
ろ、図５に示す結果が得られた。

【００３４】図５は、バンプ電極１３０を含む駆動用Ｉ
Ｃ１３の総厚さ寸法のばらつきＲと、工程能力指数との
関係を示すグラフである。

【００３５】図５に示すように、バンプ電極１３０を含
む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲが２μｍ、
３μｍ、４μｍであれば、十分、目標となる工程能力指
数をクリアできるのに対して、ばらつきＲが５μｍであ
れば、不良品が発生するおそれがあるという結果が得ら
れた。また、ばらつきＲが２μｍ、３μｍ、４μｍの場
合には、バンブ電極１３０と端子２７との間において潰
れた導電粒子１５０の数がゼロという結果が発生しなか
ったのに対して、ばらつきＲが５μｍの場合には、バン
ブ電極１３０と端子２７との間において潰れた導電粒子
１５０の数がゼロという結果が発生した。

【００３６】従って、圧着前の導電粒子１５０の平均粒
径が、例えば、約５μｍである場合には、駆動用ＩＣ１
３として、バンプ電極１３０を含む総厚さ寸法のばらつ
きＲが４μｍ以下のものを使用するなど、駆動用ＩＣ１
３のバンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸
法のばらつきＲを、圧着前の導電粒子１５０の平均粒径
未満に管理すれば、このようなばらつきについては、バ
ンプ電極１３０と端子との間で導電粒子１５０が潰れる
ことによって十分、吸収できる。それ故、駆動用ＩＣ１
３のバンプ電極１３０と第２の透明基板２０側の端子と
の間に電気的な接続不良が発生しない。

【００３７】また、圧着前の異方性導電膜１５に含まれ
ている導電粒子１５０の平均粒径を考慮して駆動用ＩＣ
１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法の
ばらつきＲを管理するので、総厚さ寸法のばらつきＲを
過剰なレベルにまで圧縮しなくてよいので、過剰品質に
起因するコストの増大を招くことなく、駆動用ＩＣ１３
のバンプ電極１３０と基板側の端子との電気的な接続部
分の信頼性を向上することができる。

【００３８】（その他の実施の形態）なお、上記形態
は、電気光学装置として、パッシブマトリクスタイプの
液晶装置を例に説明したが、これに限らず、例えば、ア
クティブマトリクスタイプの液晶装置において、石英基
板などに駆動用ＩＣを実装するのに本発明を適用しても
よい。

【００３９】また、上記形態では、基板間導通構造を採
用しているので、電気光学物質としての液晶を保持する
２枚の基板の一方の基板に駆動用ＩＣを実装する例を説
明したが、２枚の基板の各々に駆動用ＩＣを実装するの
に本発明を適用してもよい。

【００４０】（電子機器の実施形態）図６は、本発明に
係る電気光学装置（液晶装置）を各種の電子機器の表示
装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここ
に示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理
回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７
３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４
は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液
晶装置７４および液晶表示パネル７５としては、前述し
た電気光学装置１、および液晶パネル１′を用いること
ができる。

【００４１】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
たメモリ、各種ディスク等といったストレージユニッ
ト、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備
え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給
する。

【００４２】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。駆動回路７６は、走査線駆動回路やデータ線
駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電
源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。

【００４３】図７は、本発明に係る電子機器の一実施形
態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示して
いる。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボー
ド８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３と
を有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学
装置１を含んで構成される。

【００４４】図８は、本発明に係る電子機器の他の実施
形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電
話機９０は、複数の操作ボタン９１と、液晶装置からな
る電気光学装置１を有している。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ＩＣ
内においてバンプ電極を含む総厚さ寸法のばらつきを、
圧着前の導電粒子の平均粒径（圧着後、潰れていない導
電粒子の平均粒径）未満となるように管理するので、Ｉ
Ｃの厚さ寸法のばらつきについては、バンプ電極と端子
との間で導電粒子が潰れることによって十分、吸収でき
る。従って、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との間に
電気的な接続不良が発生しない。また、圧着前の異方性
導電膜に含まれている導電粒子の平均粒径を考慮して、
バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばらつきを管理
するので、過剰品質に起因するコストの増大を招くこと
なく、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的な接
続部分の信頼性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図であ
る。

【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１に示す電気光学装置に
おいて、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装する様
子を示す工程断面図である。

【図４】図１に示す電気光学装置において、異方性導電
膜を用いて駆動用ＩＣを実装した様子を示す説明図であ
る。

【図５】図１に示す電気光学装置を製造するにあたっ
て、バンプ電極を含む駆動用ＩＣの総厚さ寸法のばらつ
きと、工程能力指数との関係を示すグラフである。

【図６】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機
器の構成を示すブロック図である。

【図７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の
一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュー
タを示す説明図である。

【図８】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の
一実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【符号の説明】

１ 電気光学装置 １′ 液晶パネル ４ 照明装置 １０ 第１の透明基板 １１ 第１の端子形成領域 １３ 駆動用ＩＣ（半導体チップ） １５ 異方性導電膜 ２０ 第２の透明基板 ２１ 第２の端子形成領域 ２５ 第２の透明基板が張り出す部分 ２６ 駆動用ＩＣの実装領域 ２７ 基板側の端子 ２８ 入出力端子 ２９ フレキシブル基板 ３０ シール材 ３５ 液晶封入領域 ４０ 第１の電極パターン ５０ 第２の電極パターン ６０、７０ 基板間導通用端子 ６１、６２ 偏光板 １０１、２０１ 基板辺 １３０ バンプ電極 １５０ 導電粒子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電粒子を含む異方性導電膜を介しての
   圧着により、電気光学物質を保持する基板に形成されて
   いる複数の端子に対して、半導体チップの複数のバンプ
   電極がそれぞれ電気的に接続された電気光学装置におい
   て、 前記バンプ電極を含む前記半導体チップの総厚さ寸法の
   ばらつきは、前記導電粒子の平均粒径未満であることを
   特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記導電粒子の平均
   粒径は約５μｍであり、前記バンプ電極を含む前記半導
   体チップの総厚さ寸法のばらつきは４μｍ以下であるこ
   とを特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記電気光
   学物質は、一対の基板間に封入された液晶であり、当該
   一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に前記半導体
   チップが実装されていることを特徴とする電気光学装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
   前記半導体チップが実装されている基板は、ガラス基板
   あるいは石英基板であることを特徴とする電気光学装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記端子は、該端子が形成されている基板上に半導体プ
   ロセスにより形成された薄膜と同時形成されてなること
   を特徴とする電気光学装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記半導体チップは、前記電気光学物質を駆動するため
   の電極パターンに信号を供給する駆動用半導体チップで
   あることを特徴とする電気光学装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに規定する
   電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とす
   る電子機器。