KR102115169B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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KR102115169B1
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다. 기판처리장치는 기판을 반송하는 반송유닛 및 상기 반송유닛에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되, 상기 처리액공급유닛은 기판의 반송방향에 대해 상류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제1노즐, 기판의 반송방향에 대해 하류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제2노즐, 그리고 기판 상에 공급된 처리액을 진동시키는 메가소닉 부재를 포함하되, 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 제1노즐 및 제2노즐은 서로 일체로 제공되므로, 각각의 노즐로부터 처리액이 공급되는 영역들은 서로 인접하게 위치되고, 초음파는 각각의 영역에 전달될 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리액 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 또는 평판 표시 디스플레이 제조 공정에는 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이들 각각의 공정의 진행 전 또는 후 단계에는 공정들이 수행되는 과정에서 발생되는 각종 오염물을 제거하기 위한 세정공정이 수행된다.
일반적으로 세정공정으로는 기판 상에 처리액을 이용하여 기판 상에 잔류된 오염물을 제거한다. 최근에는 패턴의 고 집적화 및 고 미세화가 이뤄짐에 따라 이로부터 발생되는 파티클을 세정하기 위한 메가소닉 세정을 수행한다. 메가소닉 세정은 초음파가 처리액에 전달되어 진동을 발생시키고, 그 오염물을 제거하는 방법이다.
도1은 일반적인 세정공정을 수행하는 장치를 보여주는 일 예로서, 제1노즐(10) 및 제2노즐(2)은 기판 상(S)에 처리액을 공급하고, 제1노즐(10)과 제2노즐(20)은 서로 이격되게 위치된다. 메가소닉부재(30)는 각각의 노즐(10,20)로부터 공급된 처리액에 초음파를 제공하여 파티클을 제거한다.
메가소닉부재(30)는 상부에서 바라볼 때 제1노즐(10)과 제2노즐(20) 사이에 위치된다. 그러나 제1노즐(10)로부터 처리액이 공급된 제1영역(A)과 제2노즐(20)로부터 처리액이 공급된 제2영역(B)는 이격되게 위치된다. 이로 인해 메가소닉부재(30)와 제1영역(A) 간의 거리 및 메가소닉부재(30)와 제2영역(B) 간의 거리는 상당하며, 각각의 공급영역(A,B)에는 초음파가 제대로 전달되지 않고, 그 세정 효율이 낮다.
본 발명은 세정효율을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 처리액이 공급되는 복수의 영역에 초음파을 전달할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 세정 처리하는 장치에 관한 것이다. 기판처리장치는 기판을 반송하는 반송유닛 및 상기 반송유닛에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되, 상기 처리액공급유닛은 기판의 반송방향에 대해 상류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제1노즐, 기판의 반송방향에 대해 하류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제2노즐, 그리고 기판 상에 공급된 처리액을 진동시키는 메가소닉 부재를 포함하되, 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 서로 인접하게 위치될 수 있다.
상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 서로 일체로 제공될 수 있다. 상기 초음파 발생기는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐의 중앙지점에 대향되게 위치될 수 있다. 상기 메가소닉 부재는 하우징 및 상기 하우징의 내부에 위치되며, 초음파를 발생하는 진동자를 포함할 수 있다.
또한 기판처리장치는 기판을 반송하는 반송유닛 및 상기 반송유닛에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되, 상기 처리액공급유닛은 처리액을 분사하는 제1분사구 및 처리액을 분사하는 제2분사구를 가지는 몸체를 포함하는 노즐 및 초음파를 발생하여 기판 상에 공급된 처리액을 진동시키는 메가소닉 부재를 포함한다.
상기 메가소닉부재는 상기 몸체와 대향되게 위치될 수 있다. 상기 반송유닛은 일방향을 따라 순차적으로 배열되며, 기판을 지지하는 복수 개의 샤프트들을 포함하되,상기 몸체 및 상기 메가소닉부재는 상기 샤프트를 사이에 두고 대향되게 위치될 수 있다. 상기 처리액공급유닛은 처리액이 채워진 처리액탱크 및 처리액이 상기 몸체에 공급되도록 상기 처리액탱크 및 상기 몸체를 서로 연결시키는 처리액공급라인을 포함하되, 상기 노즐은 상기 처리액공급라인에 연결되는 유입포트 및 상기 유입포트와 상기 제1분사구, 그리고 상기 유입포트와 상기 제2분사구를 연결하도록 상기 몸체 내에 형성되는 공급유로를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 제1노즐 및 제2노즐은 서로 일체로 제공되므로, 각각의 노즐로부터 처리액이 공급되는 영역들은 서로 인접하게 위치되고, 초음파는 각각의 영역에 전달될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1노즐 및 제2노즐은 서로 일체로 제공되므로, 그 공간효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제1노즐 및 제2노즐은 서로 일체로 제공되므로, 1 개의 처리액공급라인 및 1 개의 처리액탱크를 통해 처리액을 공급할 수 있다.
도1은 일반적인 세정공정을 수행하는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 도면이다.
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 반송유닛을 보여주는 사시도이다.
도5는 도3의 세정노즐 및 메가소닉부재를 보여주는 단면도이다.
도6은 도3의 공정모듈의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다. 또한 본 실시예에는 기판(S)을 현상 처리하는 공정에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 반송되는 기판(S) 상에 처리액을 공급 및 회수하고 기판(S)을 세정 처리하는 공정을 수행하는 다양한 구조 및 다양한 공정의 장치에 적용될 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비는 기판을 현상 및 세정 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 설비는 공정모듈(100) 및 세정모듈(200)을 포함한다. 공정모듈(100)은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 공정처리하는 장치이다. 세정모듈(200)은 공정모듈(100)에서 공정처리된 기판을 세정처리하는 장치이다. 공정모듈(100) 및 세정모듈(200)은 제1방향(12)을 따라 일렬로 배치된다.
공정모듈(100)은 공정챔버(110), 반송유닛(300), 처리액공급유닛(350), 그리고 처리액회수유닛(360)을 포함한다.
공정챔버(110)는 내부에 공정이 수행되는 제1처리공간을 제공한다. 공정챔버(110)는 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 공정챔버(110)의 양단에는 개구가 형성된다. 공정챔버(110)의 일단에 형성된 개구(102)는 기판(S)이 반입되는 입구로 제공되고, 타단에 형성된 개구(104)는 기판(S)이 반입되는 출구로 제공된다. 공정챔버(110)의 출구는 세정모듈(200)과 대향되게 위치된다. 공정챔버(110)의 제1처리공간은 세정모듈(200)의 내부와 서로 통하도록 제공된다.
반송유닛(300)은 기판을 제1방향(12)으로 반송한다. 반송유닛(300)은 공정모듈(100)과 세정모듈(200) 에 각각 배치된다. 반송유닛(300)은 샤프트(330), 반송롤러(320), 그리고 프레임을 포함한다. 샤프트(330)는 복수 개로 제공된다. 각각의 샤프트(330)는 그 길이방향이 제1방향(12)과 수직한 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 샤프트(330)들은 제1방향(12)을 따라 나란히 배치된다. 각각의 샤프트(330)는 서로 간에 이격되게 배치된다. 샤프트(330)는 입구 및 출구에 대응되는 높이에 위치된다.
반송 롤러(320)는 각각의 샤프트(330)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(320)는 샤프트(330)에 장착되어 기판(S)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(320)는 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(330)는 홀에 강제 끼움된다. 반송 롤러(320)는 샤프트(330)와 함께 회전된다.
프레임(340)은 샤프트(330)들이 회전 가능하도록 샤프트(330)들을 지지한다. 프레임은 샤프트(330)의 양측에 각각 배치되어 샤프트(330)들의 양단을 지지한다. 프레임(340)은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 프레임(340)은 샤프트(330)의 양단이 서로 동일한 높이를 가지도록 고정 설치된다.
처리액공급유닛(350)은 기판(S) 상에 처리액을 공급한다. 처리액공급유닛(350)은 제1처리공간에서 샤프트(330)의 상부에 위치된다. 처리액공급유닛(350)은 제1방향(12)으로 반송되는 기판(S) 상에 처리액을 공급한다. 처리액 공급유닛(350)은 공정노즐(350)을 포함한다. 공정노즐(350)은 바 형상을 가지며, 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 공정노즐(350)의 길이는 기판(S)의 폭과 대응되거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 공정노즐(350)의 저면에는 복수의 분사구들이 형성된다. 분사구들은 제2방향(14)을 따라 순차적으로 나열된다. 예컨대, 처리액은 현상액일 수 있다.
처리액 회수 유닛(360)은 기판(S) 상에 제공된 처리액을 회수한다. 처리액 회수유닛(360)은 기판(S) 상에 퍼지가스를 분사하여 처리액을 회수한다. 처리액 회수 유닛(360)은 제1처리공간에 위치된다. 처리액회수유닛(360)은 공정챔버(110)의 출구와 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 기판(S)의 반송방향에 대해 처리액공급유닛(350)은 상류에 위치되고, 처리액회수유닛(360)은 하류에 위치될 수 있다. 처리액회수유닛(360)은 가스노즐(360)을 포함한다. 가스노즐(360)은 샤프트(330)의 상부에 위치된다. 가스노즐(360)은 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하는 바 형상으로 제공된다. 가스노즐(360)의 하단에는 슬릿형상의 분사구가 형성된다. 가스노즐(360)의 분사구는 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 분사구의 길이는 기판(S)의 폭과 대응되거나, 이보다 길게 제공된다. 가스노즐(260)의 분사구는 기판(S)의 반송방향과 반대방향으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 기판(S) 상에 처리액은 분사된 가스에 의해 기판(S)의 반송방향과 반대방향으로 흐를 수 있다. 예컨대, 가스는 대기 중의 공기이거나 비활성 가스일 수 있다.
세정모듈(200)은 세정챔버(210), 세정액공급유닛(500), 그리고 메가소닉부재(550)를 포함한다. 세정챔버(210)는 공정챔버(110)와 대체로 유사한 형상을 가진다. 세정챔버(210)는 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 세정챔버(210)는 내부에 제2처리공간을 제공한다. 세정챔버(210)의 양단에는 개구가 형성된다. 세정챔버(210)의 일단에 형성된 개구(202)는 기판(S)이 반입되는 입구로 제공되고, 타단에 형성된 개구(204)는 기판(S)이 반입되는 출구로 제공된다. 세정챔버(210)의 입구는 공정챔버(110)의 출구와 대향되게 위치된다. 상술한 바와 같이, 반송유닛(300)은 제1처리공간 및 제2처리공간 각각에 위치된다. 반송유닛(300)은 제1처리공간에 제공된 기판(S)을 제1방향(12)에 따라 제2처리공간으로 반송한다.
세정액공급유닛(500)은 제2처리공간에 위치된 기판(S)으로 세정액을 공급한다. 세정액공급유닛(500)은 세정노즐(510) 및 세정액 공급라인(530)을 포함한다. 도5는 도3의 세정노즐 및 메가소닉부재를 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 세정노즐(510)은 몸체(515) 및 유입포트(517)를 포함한다. 몸체(515)는 저면에 복수 개의 분사구들(511,512)이 형성된다. 분사구들(511,512)은 제1방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 일 예에 의하면, 분사구(511,512)는 2 개로 제공될 수 있다. 분사구(511,512)는 기판(S)의 반송방향을 따라 상류에 위치한 제1분사구(511)와 하류에 위치한 제2분사구(512)로 제공될 수 있다. 제1분사구(511)는 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 제1분사구(511)의 길이방향을 제2방향을 향하도록 제공된다. 제1분사구(511)의 길이는 기판의 폭과 동일하거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 제2분사구(512)는 제1분사구(511)와 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 제1분사구(511)를 통해 세정액이 제공된 제1영역(A') 및 제2분사구(512)를 통해 세정액이 제공된 제2영역(B')은 서로 인접하게 위치된다.
몸체(515)의 상단에는 유입포트(517)가 설치된다. 유입포트(517)는 몸체(515)에 세정액이 유입되는 통로로 제공된다. 몸체(515)의 내부에는 공급유로(미도시)가 형성된다. 공급유로는 제1분사구(511)와 유입포트(517), 그리고 제2분사구(512)와 유입포트(517)를 서로 간에 연결시킨다.
세정액 공급라인(530)은 세정액 탱크와 유입포트(517)를 연결한다. 세정액 탱크 내에 채워진 세정액은 세정액 공급라인(530)을 통해 유입포트(517)로 공급된다. 유입포트(517)에 공급된 세정액은 제1분사구(511) 및 제2분사구(512)를 통해 분사된다. 예컨대, 세정액은 미립자 제거용하는 기능수일 수 있다. 기능수는 수소(H2)가 첨가된 순수(H20)일 수 있다. 선택저으로 기능수는 이산화탄소(CO2)가 첨가된 순수(H20)이거나, 오존(O3)이 첨가된 순수일 수 있다.
메가소닉부재(600)는 기판(S) 상에 공급된 세정액을 진동시켜 파티클을 제거한다. 메가소닉 부재(600)는 기판(S) 상에 공급된 세정액에 고주파의 메가소닉 에너지를 제공하여 세정액을 진동시키고, 이러한 세정액은 기판(S) 상에 미세입자를 제거한다. 메가소닉부재(600)는 샤프트(330)의 하부에 위치된다. 메가소닉부재(600)는 세정노즐(510)과 대향되게 위치된다. 메가소닉부재(600)의 내부에는 복수 개의 진동자들(미도시)이 제공된다. 각각의 진동자는 고주파를 발생한다. 상부에서 바라볼 때, 메가소닉부재(550)는 세정노즐(510)의 중심축과 대향되게 위치될 수 있다. 메가소닉부재(550)와 제1영역(A') 간의 거리(D2), 그리고 메가소닉부재(550)와 제2영역(B') 간의 거리(D2)는 동일하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에는 메가소닉부재(550)와 세정액이 공급된 영역(A',B') 간의 거리(D2)가 배경기술에서 설명한 거리(D1)에 비해 짧다. 이로 인해 세정액이 공급된 영역들에는 더 많은 초음파가 제공되고, 그 세정효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에는 공정모듈(100)이 현상공정을 수행하는 장치로 설명하였다. 그러나 공정모듈(100)은 도포공정을 수행하는 장치로 제공될 수 있다. 세정모듈(200)은 기판 상에 도포된 도포막에 세정액을 공급하고 초음파를 발생하여 도포막 상에 미립자를 제거할 수 있다. 공정모듈(400)이 도포공정을 수행하는 장치로 제공되는 경우, 기판은 반송로봇에 의해 세정모듈(200)로 반송될 수 있다.
도6은 도3의 공정모듈의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다. 도6을 참조하면, 공정모듈(400)은 베이스(401), 노즐세정유닛(404), 예비토출유닛(403), 분사유닛(480), 그리고 지지플레이트(200)를 포함한다. 베이스(401)는 사각의 판 형상으로 제공되며, 상면은 평평하게 제공된다. 베이스(401)는 노즐세정유닛(404), 예비토출유닛(403), 분사유닛(480), 그리고 지지플레이트(200)를 지지한다. 노즐세정유닛(404), 예비토출유닛(403), 그리고 지지플레이트(200)는 일방향을 따라 베이스(401)의 상면에 순차적으로 배치된다.
지지플레이트(402)는 기판(S)을 지지한다. 지지플레이트(402)는 직사각의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지플레이트(402)의 상면은 평평하게 제공된다. 지지플레이트(402)의 상면에는 복수의 흡착홀들(미도시)이 형성된다. 각각의 흡착홀은 진공부재(미도시)에 연결된다. 진공부재로부터 제공된 진공압은 흡착홀에 음압을 형성한다.
분사유닛(480)은 기판(S) 상으로 처리액을 공급한다. 분사유닛(480)은 노즐(410) 및 노즐구동부를 포함한다.
노즐(410)은 기판(S) 상으로 처리액을 공급한다. 노즐(410)은 그 길이방향이 제2방향을 향하는 바 형상을 가지도록 제공된다. 노즐(410)의 하단부에는 토출구(412)가 형성된다. 토출구(412)는 노즐(410)의 길이방향과 평행한 방향을 향하는 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 토출구(412)는 기판(S)의 폭에 대응되거나 이보다 긴 길이를 가진다.
다시 도2를 참조하면, 노즐구동부는 노즐(410)을 제1방향(12)으로 이동시킨다. 또한 노즐구동부는 노즐(410)을 제3방향(16)으로 이동시킨다. 노즐구동부는 수평지지대(422), 지지축(426), 수직구동기(440), 그리고 수평구동기(460)를 포함한다. 수평지지대(422)는 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 지지플레이트(200)의 상부에 위치된다. 수평지지대(422)는 그 양단의 저면에 지지축(426)이 설치된다. 지지축(426)은 수평지지대(422)를 지지한다.
수직구동기(440)는 노즐(410)을 제3방향(16)으로 이동시킨다. 수직구동기(440)는 수직가이드레일(446), 브라켓(442), 그리고 구동기(448)를 포함한다. 수직가이드레일(446)은 수평지지대(422)의 일측면에 설치된다. 수직가이드레일(446)은 그 길이방향이 제3방향(16)으로 제공된다. 브라켓(442)은 노즐(410)을 지지한다. 브라켓(442)의 일측면에는 노즐(410)이 고정설치된다. 브라켓(442)은 그 양단이 수직가이드레일(446)에서 제3방향(16)으로 이동 가능하게 설치된다. 구동기(448)는 브라켓(442)을 제3방향(16)으로 이동 가능하도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(448)는 모터일 수 있다.
수평구동기(460)는 노즐(410)을 제1방향(12)(12)으로 이동시킨다. 수평구동기(460)는 수평가이드레일(462), 브라켓(466), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다. 수평가이드레일(462)은 그 길이방향이 제1방향(12)(12)을 향하도록 제공된다. 수평가이드레일(462)은 지지플레이트(200)를 중심으로 베이스(401)의 상면 양측 가장자리에 각각 설치된다. 브라켓(466)은 지지축(426)을 지지한 채로 수평가이드레일(462)에 각각 설치된다. 구동기(미도시)는 브라켓(466)이 제1방향(12)(12)으로 이동 가능하도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.
예비토출유닛(403)은 노즐(410)이 기판(S)으로 처리액을 공급하기 전, 처리액을 미리 토출하여 노즐(410)의 처리액 토출 압력을 균일하도록 유지시킨다. 또한 노즐(410)은 처리액을 토출하여 그 토출단에 처리액을 균일하게 액맺힘시킨다.
노즐세정유닛(404)은 분사유닛(480)의 노즐(410)의 토출구(412)에 잔류하는 처리액이 경화되거나 고착되는 것을 방지한다.
상술한 실시예에는 세정노즐이 1 개의 몸체로 제공되며, 복수 개의 분사구를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 세정노즐들은 복수 개로 제공되며, 각각의 세정노즐은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 예컨대, 제1세정노즐 및 제2세정노즐은 일체로 제공될 수 있다.
300: 반송유닛 350: 처리액공급유닛
500: 세정액공급유닛 510: 세정노즐
600: 메가소닉 부재

Claims (8)

  1. 기판을 반송하는 반송유닛과;
    상기 반송유닛에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되,
    상기 처리액공급유닛은,
    기판의 반송방향에 대해 상류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제1노즐과;
    기판의 반송방향에 대해 하류에서 기판 상에 처리액을 공급하는 제2노즐과;
    기판 상에 공급된 처리액을 진동시키는 메가소닉 부재를 포함하되,
    상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 서로 인접하게 위치되고,
    상기 메가소닉 부재와 상기 처리액이 공급되는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 이격되어 배치되고,
    상기 메가소닉 부재는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐로부터 공급되는 처리액에 초음파를 인가하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1노즐 및 상기 제2노즐은 서로 일체로 제공되는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 메가소닉 부재는 상기 제1노즐 및 상기 제2노즐의 중앙지점에 대향되게 위치되는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 메가소닉 부재는,
    하우징과;
    상기 하우징의 내부에 위치되며, 초음파를 발생하는 진동자를 포함하는 기판처리장치.
  5. 기판을 반송하는 반송유닛과;
    상기 반송유닛에 의해 반송되는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되,
    상기 처리액공급유닛은,
    처리액을 분사하는 제1분사구 및 처리액을 분사하는 제2분사구를 가지는 몸체를 포함하는 노즐과;
    초음파를 발생하여 기판 상에 공급된 처리액을 진동시키는 메가소닉 부재를 포함하고,
    상기 메가소닉 부재와 상기 처리액이 공급되는 상기 제1분사구 및 상기 제2분사구는 이격되어 배치되고,
    상기 메가소닉 부재는 상기 제1분사구 및 상기 제2분사구로부터 공급되는 처리액에 초음파를 인가하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 메가소닉부재는 상기 몸체와 대향되게 위치되는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반송유닛은,
    일방향을 따라 순차적으로 배열되며, 기판을 지지하는 복수 개의 샤프트들을 포함하되,
    상기 몸체 및 상기 메가소닉부재는 상기 샤프트를 사이에 두고 대향되게 위치되는 기판처리장치.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액공급유닛은,
    처리액이 채워진 처리액탱크와;
    처리액이 상기 몸체에 공급되도록 상기 처리액탱크 및 상기 몸체를 서로 연결시키는 처리액공급라인을 포함하되,
    상기 노즐은,
    상기 처리액공급라인에 연결되는 유입포트와;
    상기 유입포트와 상기 제1분사구, 그리고 상기 유입포트와 상기 제2분사구를 연결하도록 상기 몸체 내에 형성되는 공급유로를 더 포함하는 기판처리장치.
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