KR100766771B1 - 초음파 장치를 구비한 플라즈마 장치 및 그 표면처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공정가스에 초음파를 인가하여 표면처리 효과를 높일 수 있는 플라즈마 장치 및 방법에 관한 것이다.

이를 위해 본 발명은, 피처리물 상에 배치되는 한 쌍의 전극판과, 상기 한 쌍의 전극판 사이에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 한 쌍의 전극판에 전원을 인가하여 대기압하에서 플라즈마를 형성시키는 전원부와, 상기 한 쌍의 전극판 중 접지전극에 형성되어 상기 전극판 내에 유입된 가스 입자에 진동에너지를 인가하는 초음파 장치를 구비하여 구성되며, 플라즈마 반응과 동시에 상기 초음파 장치를 통해 상기 가스 입자에 진동에너지가 인가되고, 가스 분출구를 통해 상기 진동에너지를 가진 플라즈마 반응된 가스가 상기 피처리물에 분사되어 표면 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치 및 방법을 제공한다.

플라즈마 장치, 기판, 표면처리, 초음파

Description

초음파 장치를 구비한 플라즈마 장치 및 그 표면처리 방법{PLASMA APPARATUS WITH ULTRA SONIC WAVE GENERATOR THEREIN AND METHOD FOR CLEANING WAFER ETC. BY USING ULTRA SONIC WAVE}

도 1은 종래의 플라즈마 장치를 나타낸다.

도 2는 종래의 플라즈마 장치를 이용한 기판 표면처리의 모식도이다.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 장치를 이용한 기판 표면처리의 모식도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>

220, 230, 240, 250 : 플라즈마 장치

221, 231 : 가스분배기

222, 232 : 플라즈마 전극부

223, 233 : 초음파 진동자

224, 234, 244 : 분출구

227, 237 : 전원공급부

본 발명은 기판의 표면처리를 위한 플라즈마 장치에 관한 것으로, 특히, 가스에 초음파를 인가하여 표면처리 효과를 높일 수 있는 플라즈마 장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적으로, TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등 FPD(Flat Panel Display) 및 반도체 소자 등을 생산하는 과정에서 기판 세정 공정은 필연적으로 거치게 된다.

종래의 기판 세정 공정으로는 습식 공정을 사용하였으나, 최근에는 건식 청정기술인 플라즈마 기술을 많이 사용하고 있다.

이러한 플라즈마 기술의 하나로 저온 저압상태의 플라즈마를 이용하는 방법을 들 수 있다.

저압 플라즈마를 이용한 기판 세정 방법은 저압의 진공조 내에 플라즈마를 발생시켜 만들어진 이온이나 활성화된 가스를 기판 표면과 접촉시켜 기판 표면의 불순물이나 오염물질을 제거하는 것이다.

이러한 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 기판 세정 방법은 우수한 세정효과에도 불구하고 널리 이용되지 않고 있는 실정인데, 이는 저압 플라즈마를 발생시키기 위해서는 진공장치가 필요하게 되고, 따라서 대기압 상태에서 이루어지는 연속공정에는 적합하지 않은 면이 있기 때문이다.

이에 따라 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판 표면 세정에 이용하는 상압 플라즈마 기술이 활발히 연구되고 있으며, 현재 FPD(Flat Panel Display) 표면처리장치 중에서 상압 플라즈마 발생장치의 적용이 점점 확대되어가고 있는데, 이는 별도의 챔버나 진공시스템의 구비없이 인라인(in-line) 시스템으로 구현할 수 있다는 장점 때문이다.

즉, 기존의 플라즈마 장치는 고가의 진공챔버와 시스템이 필요하였고, 이로인해, 처리속도, 장비가격, 유지보수비용 등이 많이 소요되어, 근래에 이르러서는 상압 플라즈마 발생장치의 개발과 공정 적용이 활발히 진행되는 추세에 있다.

도 1은 일반적인 상압 플라즈마 발생장치(110)를 이용한 세정시스템(100)의 구성을 나타낸 도면이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 상압 플라즈마 발생장치를 이용한 세정시스템(100)은, 세정 대상인 LCD 글래스(130)의 표면에 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬(O radical)(107)을 분사하는 상압 플라즈마 발생장치(110)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치(110)에 교류 전압을 인가하는 전원공급장치(140)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치(110)에 연결된 가스 배관을 통해 질소, 산소, 공기 등의 가스를 공급하는 가스공급장치(120)와, 상압 플라즈마 발생장치(110)가 플라즈마 상압방전을 실시하는 동안 LCD 글래스(130)를 일정한 속도로 일방향으로 이송하는 이송장치(160)로 구성된다.

또한, 가스 공급 장치(120)에서 공급된 가스는 가스 주입구(108)를 통해 상압 플라즈마 발생장치(110)의 격벽 유전체 공간(105)으로 유입되는데, 유입 전에 유량조절기(MFC:Mass Flow Controller)(121)를 통해 공급되는 가스의 유량이 조절 된다.

또한, 상압 플라즈마 발생장치(110)의 상부에 가스 주입구(108)를 통해 공급된 가스가 격벽 유전체 공간(105) 내부에 균일하게 분포되도록 가스분배기(gas distributor)(109)가 배치된다.

또한, 가스분배기(109)의 하부에는 유전체의 충전 및 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 제1 유전체(101)와 제2 유전체(102)가 형성된다.

또한, 제1 유전체(101) 및 제2 유전체(102) 상에 교류 전압을 인가하기 위해, 제1 유전체(101) 상에 전원전극(104)이 형성되고, 제2 유전체(102) 상에 접지전극(103)이 각각 형성되는데, 도 1에 도시된 제1 유전체(101)와 제2 유전체(102)는 수직하게 마주보고 있는 수직평행 대향형의 DBD(Dielectric Barrier Discharge: 유전체 격벽 방전) 타입으로 구성되어 있다.

또한, 제1 유전체(101) 상의 전원전극(104)은 전원공급장치(140)와 연결되고, 제2 유전체(102) 상의 접지전극(103)은 접지(112)된다.

또한, 전원전극(104) 및 접지 전극(103) 상에는 방열판(111)이 설치되어 가열된 전극을 냉각시킨다.

이러한 세정시스템(100)에서의 세정과정을 살펴보면 다음과 같다.

즉, LCD 글래스(130)의 하부에 형성된 이송 장치(160)가 세정 대상인 LCD 글래스(130)를 일정한 속도로 일방향으로 이송시킨다. 이때, 제1 유전체(101) 상에 형성된 전원전극(104) 및 제2 유전체(102) 상에 형성된 접지전극(103)에 교류 전압을 인가하면, 격벽 유전체 공간(105)에 유입된 가스가 플라즈마 반응을 일으키고, 플라즈마 반응에서 생성된 산소 라디컬(107)이 가스 방출구(106)를 통해 상압 플라즈마 발생장치(110)의 본체 외부로 방출된다.

또한, 외부로 방출된 산소 라디컬(107)이 세정 대상인 LCD 글래스(130) 표면에 분사되어 LCD 글래스(130) 표면의 유기물을 제거하게 된다.

이와 같이, 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 상압 플라즈마 세정방법은 유기물, 기판 절단시의 수분, 회로 제작시 발생하는 잔류 폴리머 등의 오염물질을 플라즈마 내의 산소 라디컬(radical)을 이용하여 제거함으로써, 환경적으로 안전하고 세정 효율이 높은 장점이 있다.

그러나, 종래의 상기와 같은 플라즈마 장치(110)를 이용하여 기판(130)을 표면처리하는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(130)의 표면을 따라 형성된 유선(stream line)에 외부 기류의 침입을 차단하는 유체 경계층(Boundary Layer)(180)이 형성된다. 이때, 상기 유체 경계층(180)에 의해 플라즈마 반응된 가스(190)가 기판(130)의 표면에 닿지 못하게 되어 기판(130)의 표면처리가 제대로 이루어지지 않을 수 있다.

특히, LCD 생산량을 늘리기 위해 피처리 기판(130)의 이송속도를 높이고 있는데, 이 경우 이송속도가 증가할수록 상기 유체 경계층(180)의 크기가 더 커지게 되어 전술한 유체 경계층(180)의 형성에 따른 표면처리 효율의 감소는 더 심화될 수 있다.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 피처 리 기판의 이송 속도의 증가에도 불구하고 표면처리 효과를 높일 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.

그리고, 피처리 기판이 원거리에 있는 경우에도 우수한 표면처리 효과를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.

아울러, 공정가스의 사용량을 줄이더라도 우수한 표면처리 효과를 얻을 수 있어 효율적이고, 또한, 기판에 있는 파티클의 제거 능력이 우수하며, 유지보수 비용이 현저히 감소하는 장치 및 방법을 제공한다.

본 발명은 기판 표면처리를 위해 가스공급장치로부터 공급받은 가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 장치에 있어서, 상기 플라즈마 반응된 가스의 공정 흐름을 따라 진동에너지를 갖도록 상기 가스에 진동에너지를 인가하는 진동에너지장치를 포함하여 구성된다.

바람직하게는 상기 플라즈마 장치는 상압 플라즈마 장치이다. 대기압 상태에서의 연속 공정에 적합하며, 기판의 이송속도를 증가시킴에 따라 생산량을 증대시킬 수 있다. 기판의 이송속도 증가에 따라 기판에 경계층이 형성되어 플라즈마 반응된 가스의 기판 접촉이 방해되지만, 본 발명에서는 상기 가스에 진동에너지를 부여하기 때문에 상기 가스는 상기 경계층을 뚫고 기판 표면까지 접근할 수 있다.

또한, 바람직하게는 상기 진동에너지 장치는 초음파장치이다. 상기 초음파장치는 플라즈마 반응과 동시에 상기 가스에 초음파를 인가하도록 설치되는 것이 바람직하다.

한편, 본 발명에 의한 기판 표면처리 방법은, 가스를 공급하는 단계와, 상기 공급된 가스의 공정 흐름을 따라 진동에너지를 인가하는 단계와, 상기 공급된 가스를 대기압하에서 플라즈마 반응시키는 단계와, 상기 진동에너지를 가진 플라즈마 반응된 가스로 기판을 표면처리하는 단계를; 포함하여 구성된다.

상기 진동에너지를 인가하는 단계는 플라즈마 반응과 동시에 수행되는 것이 바람직하다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예들을 나타낸다.

도 3에 도시된 본 발명에 따른 일실시예는 수평 대향 평판형 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 방식의 상압 플라즈마 장치(220)에 관한 것이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상압 플라즈마 장치(220)는, 상부에 가스분배기(221)를 형성하여 공급된 가스가 공간 내부에 균일하게 분포되도록 하고, 수평DBD 형태로 구성된 플라즈마 전극부(222)에 전원공급부(227)를 통해 전원이 인가되면 상기 유입된 가스에 대해 플라즈마를 생성하게 된다.

또한, 상부의 가스분배기(221)에서 상기 플라즈마 전극부(222)로 공정가스(290)의 진행 부분에 초음파 장치(226)를 설치하여 상기 공정가스(290)의 흐름에 진동에너지를 인가한다.

즉, 상기 초음파 장치(226)가 설치되는 위치에 따라, 상기 공정가스(290)는 플라즈마 반응 전 또는 후에, 또는 플라즈마 반응과 동시에 초음파 에너지를 인가받을 수 있다.

가령, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 초음파 장치(226)가 가스분배기(221)의 측면에 형성되어 플라즈마 반응 전에 상기 공정가스(290)에 초음파를 인가받게 된다.

또한, 상기 초음파 장치(226)는 상기 가스분배기(221)의 측면에 소정 간격을 두고 복수로 설치되어 인가되는 초음파 에너지의 분배상태를 균일하게 할 수 있다.

상기 초음파 장치(226)는, 크게 공정가스(290) 진행 부분의 측면에 위치하여 초음파 에너지를 발생시키는 초음파 진동자(223)와 상기 초음파 진동자에 전원을 공급하는 초음파 전원공급부(225)를 포함하여 구성될 수 있다.

또한, 상기 초음파 진동자(223)는 압전소자와 같이 전기적으로 구동하는 방식일 수도 있고, 판상형의 진동판을 이용하여 공명을 이용하여 진동하는 자체 공명 방식일 수도 있다.

한편, 플라즈마 전극부(222)에서 생성시킨 반응가스는 하부에 형성된 다수의 작은 직경을 갖는 반응가스 분출구(224)를 통해서 분출되는데, 상기 분출구(224)에서는 유기물과 반응가스와의 반응 생성물, 유기물, 파티클 등의 오염으로 구멍이 작아지거나 막히는 현상이 발생될 수 있다. 종래의 경우, 유기물의 잔사, 부유성 파티클, 기타 오염물질이 상기 분출구(224) 내부에 흡착되어 상기 분출구(224)를 막게 되지만, 본 발명에서는 상기 초음파 장치(226)를 통해 인가된 초음파 에너지 때문에 상기와 같은 오염물질이 분출구(224)에 흡착되지 않거나, 흡착되더라도 상기 가스에 의해 제거된다.

또한, 상기 오존 등의 유해가스와 부유성 파티클 등의 오염물질을 제거하기 위한 진공 배기부(미도시)가 설치될 수 있다.

이와 같은 현상으로 인해 종래의 경우에는 자주 장치를 분해하여 세척하여야 하므로 유지 보수 비용이 많이 들었으나, 본 발명에서는 초음파 장치를 통해 공정 가스에 진동에너지를 부여하므로 상기 분출구(224)에 부착되어 있는 오염물을 자체적으로 세정할 수 있어 장치의 유지 보수 기간을 늘려 비용을 절감할 수 있게 한다.

도 4에 도시된 본 발명에 따른 다른 실시예는 수직 대향 평판형 DBD 방식의 상압 플라즈마 장치(230)에 관한 것으로, 도 3에 도시한 본 발명에 따른 일실시예와 유사한 형태로 이하에서 차이점 위주로 설명한다.

도 4에 도시되는 바와 같이, 가스분배기(231)의 상부에 초음파 장치(236)가 설치되어 상기 가스분배기(231)에 의한 가스의 분배 과정에 초음파 에너지가 인가된다. 이때, 초음파 에너지가 인가된 상태에서 플라즈마 반응을 일으키고 기판 상에 분사됨으로써, 초음파 인가에 따른 세정효율을 극대화할 수 있다.

또한, 도 5에 도시된 본 발명에 따른 또 다른 실시예도 수직 대향 평판형 DBD 방식의 상압 플라즈마 장치(240)에 관한 것이다. 여기서는, 플라즈마 전극부(232) 중 접지 전극 자체에 초음파 장치(246)를 설치하여, 플라즈마 전극부(232) 에서 플라즈마 방전과 동시에 초음파를 인가한다. 즉, 본 예에서는 플라즈마 반응과 함께 초음파 에너지를 공정 가스에 인가하는 것이다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 장치를 이용한 기판 표면처리의 모식도이다.

먼저, 도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 장치(250)를 이용하여 기판(130)을 표면처리하는 것을 보이고 있다.

본 발명에 따른 플라즈마 장치(250)를 이용한 기판 표면처리 과정을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 상기 플라즈마 장치(250)는 상부에 형성된 가스 공급구(미도시)를 통해 가스공급장치로부터 가스를 공급받는다. 이후, 상기 플라즈마 장치(250)에 설치된 초음파 장치를 통해 상기 공급된 가스의 공정 흐름을 따라 진동에너지가 인가 되고, 상기 진동에너지를 인가하는 단계는 플라즈마 반응 전 또는 후에 수행될 수도 있고, 플라즈마 반응과 동시에 수행될 수도 있다.

이후, 상기 공급된 가스는 플라즈마 전극부에서 플라즈마 반응을 하고, 진동에너지를 가진 플라즈마 반응된 가스가 분출구를 통해 기판에 분사되어 표면처리가 이루어진다. 이때, 초음파가 인가된 반응 가스 입자(290)들이 피처리 기판(130)상에 형성된 경계층(180)을 교란하여 깨뜨리고, 초음파 진동의 가속 효과에 의해서 기판(130) 표면에 더욱 효과적으로 도달하게 된다.

즉, 초음파는 매질을 압축하고 팽창하면서 에너지를 전달하는데 이로 인한 효과는 캐비테이션 효과, 교반 효과, 가속 효과 등이 있다. 특히, 가속 효과 및 교 반 효과에 의해 초음파를 인가받은 가스는 표면처리 능력이 우수하게 된다.

또한, 교반 효과는 입자의 진동에 의해 발생하는데, 이 효과에 의해서 이송되는 피처리 기판상에 형성된 경계층을 교란 파괴시키는 역할을 하게 된다. 이로써, 기판상으로 분출되는 반응가스 분자들이 기판 표면상에 좀 더 효율적으로 도달할 수 있게 된다.

또한, 초음파 주파수에 따라 가스 입자의 가속도를 최고 1,000,000G까지 높일 수 있는데, 이와 같은 가속 효과에 의해 표면처리 효과가 배가된다.

도 7은 본 발명의 파티클 제거 효과에 대한 설명을 위한 것이다. 도 7에서 왼쪽은 피처리 기판(130)과 무기물성 파티클(170)이 유기물 등의 매개체 없이 단순히 표면에 접촉되어 있는 상태이다. 이 경우에는 정전기력과 중력만이 파티클(170)과 표면 사이에 작용하므로 결합력(173)이 매우 작다.

그리고, 도 7에서 오른쪽은 무기물성 파티클(171)이 기판(130)과 유기물 등의 오염물질(172)과 함께 결합되어 있는 경우를 나타낸다. 이 경우에는 유기 오염물(172)이 표면장력과 모세관 현상 또는 화학적인 결합력이 파티클과 기판을 단단히 붙잡고 있는 상태이기 때문에 결합력(174)은 매우 높다. 본 발명에서는 플라즈마 장치에 의해 생성되는 반응가스(290)가 유기물(172)을 산화시켜 분해할 수 있기 때문에 파티클(171)을 붙잡고 있는 유기 오염물(172)을 화학적으로 제거하여 결합력(174)을 약화시키고, 초음파 진동에너지에 의해 파티클(171)을 제거하게 된다.

이와 같이, 본 발명은 초음파를 적용함으로써 파티클의 제거 효과를 얻을 수 있는데, 초음파에 의해 인가되는 진동에너지 및 높은 가속도에 의해 기판 표면에 부착되어 있는 파티클에 에너지를 가함으로써 파티클을 표면에서 제거할 수 있다.

종래에도 초음파를 이용해 파티클을 제거하는 건식 초음파 세정기술은 있었지만, 종래의 기술은 무기물 파티클이 기판 표면과 아무런 매개체 없이 부착되어 있을 경우에만 효과를 발휘할 수 있었다.

따라서, 유기물 파티클이나 또는 무기물 파티클이라도 유기물에 의해 기판에 흡착되어 있는 경우에는 기판과 오염물의 결합력이 크기 때문에 제거할 수 없었다. 또한, 액상이 아닌 기상에서의 초음파 에너지는 작을 수밖에 없으며, 기상에서는 캐비테이션 효과가 없을 뿐만 아니라, 진동에너지의 전달율은 매질의 밀도에 비례하기 때문이다.

그러나, 본 발명에 따른 플라즈마 장치에 의한 세정은 반응가스를 이용하며, 반응가스는 유기물의 화학 또는 분해작용이 있으므로, 유기물을 분해하면서 기판 표면과 파티클과의 화학적인 결합을 끊어줌으로써 유기물성 파티클의 제거도 가능하다.

또한, 상압 플라즈마 장치는 반응가스 분자들의 mean free path가 짧기 때문에 플라즈마 발생부와 피처리 기판 사이의 거리를 최대한 작게 유지하는 것이 바람직하다.

그러나, 실제 공정에서는 컨베이어 상에서 이송하는 글래스(glass) 등 피처리 기판의 진동, 컨베이어 롤러의 공차, 대형화에 의한 처짐 등으로 인해 일정 간격이상의 거리를 둘 필요가 있다. 이와 같은 거리 때문에 종래의 장치로서는 우수한 표면처리 효과를 얻을 수 없었다. 하지만, 본 발명에 의한 장치는 원거리로 떨 어져 있는 기판의 표면처리 효과도 우수하다.

여기서, 본 발명과 같이 초음파 장치 등 진동에너지장치를 사용하지 않는다면, 원거리의 기판까지 가스를 보내기 위해 반응가스의 분출속도를 높여야 한다. 그러나, 이를 위해서는 가스의 압력을 높여야 하는데, 이는 곧 가스의 사용량을 늘리는 결과를 초래하게 되는 문제가 있다.

본 발명에서는 그와 같이 가스의 압력을 높이지 않더라도, 초음파장치에 의한 가속 효과로 인해 가스의 사용량을 늘리지 않더라도 반응가스의 유속을 높일 수 있어 효율적으로 원거리 기판의 표면처리가 가능하다. 더불어, 가속 효과로 인해 가스의 사용량을 줄일 수 있다.

이상에서는 본 발명에 따른 플라즈마 장치 및 그 방법의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 소정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 응용 및 변형실시가 가능한 것은 물론이다.

본 발명에 의하면 아래와 같은 효과를 얻을 수 있다.

첫째, 피처리 기판의 이송 속도를 증가하여도 우수한 표면처리 효과를 얻을 수 있다.

둘째, 원거리 피처리 기판의 표면처리도 우수하게 이루어질 수 있다.

셋째, 공정가스의 사용량을 줄일 수 있다.

넷째, 파티클의 제거 능력이 우수하고, 자체 세정 능력이 있다.

다섯째, 유지 보수 비용을 절감할 수 있다.

Claims (10)

1. 피처리물 상에 배치되는 한 쌍의 전극판과,

   상기 한 쌍의 전극판 사이에 가스를 공급하는 가스 공급부와,

   상기 한 쌍의 전극판에 전원을 인가하여 대기압하에서 플라즈마를 형성시키는 전원부와,

   상기 한 쌍의 전극판 중 접지전극에 형성되어 상기 전극판 내에 유입된 가스 입자에 진동에너지를 인가하는 초음파 장치를 구비하여 구성되며;

   플라즈마 반응과 동시에 상기 초음파 장치를 통해 상기 가스 입자에 진동에너지가 인가되고, 가스 분출구를 통해 상기 진동에너지를 가진 플라즈마 반응된 가스가 상기 피처리물에 분사되어 표면 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
2. 제1항의 플라즈마 장치에 있어서,

   상기 가스를 공급하는 단계와,

   상기 공급된 가스를 대기압하에서 플라즈마 반응시키는 단계와,

   상기 플라즈마 반응과 동시에 진동에너지를 인가하는 단계와,

   상기 진동에너지를 가진 플라즈마 반응된 가스로 상기 피처리물을 표면처리하는 단계

   를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표면처리 방법.
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