KR102075893B1 - 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치 - Google Patents

열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102075893B1
KR102075893B1 KR1020187009825A KR20187009825A KR102075893B1 KR 102075893 B1 KR102075893 B1 KR 102075893B1 KR 1020187009825 A KR1020187009825 A KR 1020187009825A KR 20187009825 A KR20187009825 A KR 20187009825A KR 102075893 B1 KR102075893 B1 KR 102075893B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
conductive sheet
sheet
heat conductive
carbon fiber
Prior art date
Application number
KR1020187009825A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180050392A (ko
Inventor
히로키 가나야
유 노무라
슌스케 우치다
?스케 우치다
신이치 우치다
게이스케 아라마키
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Publication of KR20180050392A publication Critical patent/KR20180050392A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102075893B1 publication Critical patent/KR102075893B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14Solid materials, e.g. powdery or granular
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/04Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/28Nitrogen-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/06Elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/28Nitrogen-containing compounds
    • C08K2003/282Binary compounds of nitrogen with aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/271Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H01L2224/2711Shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/276Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/27602Mechanical treatment, e.g. polishing, grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/278Post-treatment of the layer connector
    • H01L2224/27848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29291The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29393Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/166Material
    • H01L2924/167Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/16717Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400 C and less than 950 C
    • H01L2924/16724Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/166Material
    • H01L2924/167Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/16738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/16747Copper [Cu] as principal constituent

Abstract

바인더 수지와, 탄소 섬유와, 상기 탄소 섬유 이외의 열전도성 필러를 함유하는 열전도 시트로서, 상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 질량비 (탄소 섬유/바인더 수지) 가, 1.30 미만이며, 상기 열전도성 필러의 함유량이, 48 체적% ∼ 70 체적% 이며, 상기 탄소 섬유가, 상기 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있는, 열전도 시트이다.

Description

열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
본 발명은, 반도체 소자 등의 발열체와 히트 싱크 등의 방열체 사이에 배치되는 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 열전도 시트를 구비한 방열 부재 및 반도체 장치에 관한 것이다.
종래, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전기 기기나 그 밖의 기기에 탑재되어 있는 반도체 소자에 있어서는, 구동에 의해 열이 발생하고, 발생된 열이 축적되면 반도체 소자의 구동이나 주변 기기에 악영향이 발생하기 때문에, 각종 냉각 수단이 사용되고 있다. 반도체 소자 등의 전자 부품의 냉각 방법으로는, 당해 기기에 팬을 장착하여, 기기 케이싱 내의 공기를 냉각시키는 방식이나, 그 냉각시켜야 하는 반도체 소자에 방열 핀이나 방열판 등의 히트 싱크를 장착하는 방법 등이 알려져 있다.
상기 서술한 반도체 소자에 히트 싱크를 장착하여 냉각을 실시하는 경우, 반도체 소자의 열을 효율적으로 방출시키기 위해서, 반도체 소자와 히트 싱크 사이에 열전도 시트가 형성되어 있다. 이 열전도 시트로는, 실리콘 수지에 열전도성 필러 등의 충전제를 분산 함유시킨 것이 널리 사용되고 있고, 열전도성 필러의 하나로서, 탄소 섬유가 바람직하게 채용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ~ 4 참조).
그러나, 탄소 섬유를 함유한 열전도 시트는, 열전도성이 우수한 한편, 전기 전도성이 높아지기 쉽다는 문제가 있다.
그 때문에, 열전도 시트의 절연성을 높이는 것을 목적으로 하여, 탄소 섬유와 전기 절연성 열전도 충전제를, 각각 특정 비율로 함유시킨 열전도 시트가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 5 참조).
그러나, 이 제안된 기술로는, 최근 요구되는 높은 열전도성이 얻어지지 않는다는 문제가 있다.
일본 특허 제5671266호 일본 공개특허공보 2005-54094호 일본 특허 제5660324호 일본 특허 제4791146호 일본 공개특허공보 2002-003717호
본 발명은, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하여, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 높은 열전도성을 가지면서, 절연성도 우수한 열전도 시트, 및 그 제조 방법, 그리고 상기 열전도 시트를 사용한 방열 부재 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단으로는, 이하와 같다. 즉,
<1> 바인더 수지와, 탄소 섬유와, 상기 탄소 섬유 이외의 열전도성 필러를 함유하는 열전도 시트로서,
상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 질량비 (탄소 섬유/바인더 수지) 가, 1.30 미만이며,
상기 열전도성 필러의 함유량이, 48 체적% ∼ 70 체적% 이며,
상기 탄소 섬유가, 상기 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있는 것을 특징으로 하는 열전도 시트이다.
<2> 하중 0.5 ㎏f/㎠ 에 있어서의 압축률이, 3 % 이상인 상기 <1> 에 기재된 열전도 시트이다.
<3> 상기 열전도성 필러가, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 및 산화아연 중 적어도 어느 것을 함유하는 상기 <1> 내지 <2> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트이다.
<4> 상기 바인더 수지가, 실리콘 수지인 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트이다.
<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트의 제조 방법으로서,
상기 바인더 수지와, 상기 탄소 섬유와, 상기 열전도성 필러를 함유하는 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시킴으로써, 상기 열전도성 수지 조성물의 성형체를 얻는 공정과,
상기 성형체를 시트상으로 절단하여, 성형체 시트를 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도 시트의 제조 방법이다.
<6> 상기 성형체를 얻는 공정이, 중공상의 형 (型) 내에, 상기 열전도성 수지 조성물을 압출기로 압출함으로써 소정의 형상으로 성형하고, 또한 경화시킴으로써, 상기 탄소 섬유가 압출 방향을 따라 배향된 상기 성형체를 얻는 공정이고,
상기 성형체 시트를 얻는 공정이, 상기 성형체를, 상기 압출 방향에 대하여 수직 방향으로 절단하여, 시트상의 상기 성형체 시트를 얻는 공정인, 상기 <5> 에 기재된 열전도 시트의 제조 방법이다.
<7> 전자 부품이 발하는 열을 방열시키는 히트 스프레더와,
상기 히트 스프레더에 배치 형성되고, 상기 히트 스프레더와 상기 전자 부품 사이에 협지되는 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트를 갖는 것을 특징으로 하는 방열 부재이다.
<8> 전자 부품과,
상기 전자 부품이 발하는 열을 방열시키는 히트 스프레더와,
상기 히트 스프레더에 배치 형성되고, 상기 히트 스프레더와 상기 전자 부품 사이에 협지되는 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치이다.
<9> 히트 싱크를 구비하고,
상기 히트 스프레더와 상기 히트 싱크 사이에 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 열전도 시트가 협지되어 있는 상기 <8> 에 기재된 반도체 장치이다.
본 발명에 의하면, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하여, 상기 목적을 달성할 수 있고, 높은 열전도성을 가지면서, 절연성도 우수한 열전도 시트, 및 그 제조 방법, 그리고 상기 열전도 시트를 사용한 방열 부재 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 열전도 시트의 제조 방법의 흐름의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 본 발명이 적용된 열전도 시트, 방열 부재 및 반도체 장치를 나타내는 단면도이다.
(열전도 시트)
본 발명의 열전도 시트는, 바인더 수지와, 탄소 섬유와, 열전도성 필러를 적어도 함유하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 성분을 함유한다.
<바인더 수지>
상기 바인더 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 열경화성 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 열경화성 폴리머로는, 예를 들어 가교 고무, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 벤조시클로부텐 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스테르, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 폴리우레탄, 폴리이미드 실리콘, 열경화형 폴리페닐렌에테르, 열경화형 변성 폴리페닐렌에테르 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
상기 가교 고무로는, 예를 들어 천연 고무, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 니트릴 고무, 수소 첨가 니트릴 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 염소화 폴리에틸렌, 클로로술폰화 폴리에틸렌, 부틸 고무, 할로겐화 부틸 고무, 불소 고무, 우레탄 고무, 아크릴 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 실리콘 고무 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 성형 가공성, 내후성이 우수함과 함께, 전자 부품에 대한 밀착성 및 추종성의 점에서, 상기 열경화성 폴리머는, 실리콘 수지인 것이 특히 바람직하다.
상기 실리콘 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 액상 실리콘 겔의 주제와 경화제를 함유하는 것이 바람직하다. 그러한 실리콘 수지로는, 예를 들어 부가 반응형 실리콘 수지, 과산화물을 가황에 사용하는 열가황형 밀러블 타입의 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 전자 부품의 발열면과 히트 싱크면의 밀착성이 요구되기 때문에, 부가 반응형 실리콘 수지가 특히 바람직하다.
상기 부가 반응형 실리콘 수지로는, 비닐기를 갖는 폴리오르가노실록산을 주제, Si-H 기를 갖는 폴리오르가노실록산을 경화제로 한, 2 액성의 부가 반응형 실리콘 수지가 바람직하다.
상기 액상 실리콘 겔의 주제와 경화제의 조합에 있어서, 상기 주제와 상기 경화제의 배합 비율로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기 바인더 수지의 함유량으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 10 체적% ∼ 50 체적% 가 바람직하고, 15 체적% ∼ 40 체적% 가 보다 바람직하고, 20 체적% ∼ 40 체적% 가 특히 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서 「∼」를 사용하여 나타낸 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최소치 및 최대치로서 포함하는 범위를 나타낸다.
<탄소 섬유>
상기 탄소 섬유로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 피치계 탄소 섬유, PAN 계 탄소 섬유, PBO 섬유를 흑연화한 탄소 섬유, 아크 방전법, 레이저 증발법, CVD 법 (화학 기상 성장법), CCVD 법 (촉매 화학 기상 성장법) 등에 의해 합성된 탄소 섬유를 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 열전도성의 점에서, PBO 섬유를 흑연화한 탄소 섬유, 피치계 탄소 섬유가 특히 바람직하다.
또한, 상기 탄소 섬유는, 절연성 재료로 피복된 탄소 섬유가 아니고, 도전성을 갖는다.
상기 탄소 섬유는, 필요에 따라, 상기 피막과의 밀착성을 높이기 위해서, 그 일부 또는 전부를 표면 처리하여 사용할 수 있다. 상기 표면 처리로는, 예를 들어 산화 처리, 질화 처리, 니트로화, 술폰화, 혹은 이들 처리에 의해 표면에 도입된 관능기 혹은 탄소 섬유의 표면에, 금속, 금속 화합물, 유기 화합물 등을 부착 혹은 결합시키는 처리 등을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들어 수산기, 카르복실기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 탄소 섬유의 평균 섬유 길이 (평균 장축 길이) 로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50 ㎛ ∼ 250 ㎛ 가 바람직하고, 75 ㎛ ∼ 200 ㎛ 가 보다 바람직하고, 90 ㎛ ∼ 170 ㎛ 가 특히 바람직하다.
상기 탄소 섬유의 평균 섬유 직경 (평균 단축 길이) 으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 4 ㎛ ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 14 ㎛ 가 보다 바람직하다.
상기 탄소 섬유의 애스펙트비 (평균 장축 길이/평균 단축 길이) 로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 8 이상이 바람직하고, 9 ∼ 30 이 보다 바람직하다. 상기 애스펙트비가 8 미만이면, 탄소 섬유의 섬유 길이 (장축 길이) 가 짧기 때문에, 열전도율이 저하되어 버리는 경우가 있다.
여기서, 상기 탄소 섬유의 평균 장축 길이, 및 평균 단축 길이는, 예를 들어 마이크로스코프, 주사형 전자 현미경 (SEM) 등에 의해 측정할 수 있다.
상기 탄소 섬유의 함유량으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 2 체적% ∼ 40 체적% 가 바람직하고, 3 체적% ∼ 38 체적% 가 보다 바람직하고, 4 체적% ∼ 30 체적% 가 특히 바람직하다. 상기 함유량이, 2 체적% 미만이면, 충분히 낮은 열저항을 얻는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 40 체적% 를 초과하면, 상기 열전도 시트의 성형성 및 상기 탄소 섬유의 배향성에 영향을 주게 되는 경우가 있다.
상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 질량비 (탄소 섬유/바인더 수지) 는, 1.30 미만이며, 0.10 이상 1.30 미만이 바람직하고, 0.30 이상 1.30 미만이 보다 바람직하고, 0.50 이상 1.30 미만이 보다 더 바람직하고, 0.60 이상 1.20 이하가 특히 바람직하다. 상기 질량비가, 1.30 이상이면, 상기 열전도 시트의 절연성이 불충분해진다.
또, 상기 열전도 시트가 상기 탄소 섬유를 함유하지 않으면, 상기 열전도 시트의 열특성 (특히 열전도성) 이 불충분해진다.
또한, 상기 열전도 시트는, 상기 탄소 섬유를 함유한다. 즉, 상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 질량비 (탄소 섬유/바인더 수지) 의 하한치가 0.00 이 아닌 (상기 질량비가 0.00 초과이다) 것은, 당연하다.
<열전도성 필러>
상기 열전도성 필러로는, 상기 탄소 섬유 이외의 열전도성 필러이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 무기물 필러 등을 들 수 있다.
상기 무기물 필러로는, 그 형상, 재질, 평균 입경 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 상기 형상으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 구상, 타원 구상, 괴상, 입상 (粒狀), 편평상, 침상 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구상, 타원 형상이 충전성의 점에서 바람직하고, 구상이 특히 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 상기 무기물 필러는, 상기 탄소 섬유와는 상이하다.
상기 무기물 필러로는, 예를 들어, 질화알루미늄 (질화알루미 : AlN), 실리카, 산화알루미늄 (알루미나), 질화붕소, 티타니아, 유리, 산화아연, 탄화규소, 규소 (실리콘), 산화규소, 산화알루미늄, 금속 입자 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 산화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화아연, 실리카가 바람직하고, 열전도율의 점에서, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화아연이 특히 바람직하다.
또한, 상기 무기물 필러는, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 상기 표면 처리로서 커플링제로 상기 무기물 필러를 처리하면, 상기 무기물 필러의 분산성이 향상되고, 열전도 시트의 유연성이 향상된다.
상기 무기물 필러의 평균 입경으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기 무기물 필러가 알루미나인 경우, 그 평균 입경은 1 ㎛ ∼ 10 ㎛ 가 바람직하고, 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 가 보다 바람직하고, 3 ㎛ ∼ 5 ㎛ 가 특히 바람직하다. 상기 평균 입경이 1 ㎛ 미만이면, 점도가 커져서 혼합하기 어려워지는 경우가 있고, 10 ㎛ 를 초과하면, 상기 열전도 시트의 열저항이 커지는 경우가 있다.
상기 무기물 필러가 질화알루미늄인 경우, 그 평균 입경은 0.3 ㎛ ∼ 6.0 ㎛ 가 바람직하고, 0.3 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.5 ㎛ ∼ 1.5 ㎛ 가 특히 바람직하다. 상기 평균 입경이 0.3 ㎛ 미만이면, 점도가 커져서 혼합하기 어려워지는 경우가 있고, 6.0 ㎛ 를 초과하면, 상기 열전도 시트의 열저항이 커지는 경우가 있다.
상기 무기물 필러의 평균 입경은, 예를 들어 입도 분포계, 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 측정할 수 있다.
상기 열전도성 필러의 함유량은, 48 체적% ∼ 70 체적% 이며, 50 체적% ∼ 69 체적% 가 바람직하다. 상기 함유량이, 48 체적% 미만, 또는 70 체적% 를 초과하면, 절연성과 높은 열전도성을 양립할 수 없게 된다. 또한, 상기 함유량이, 48 체적% 미만, 또는 70 체적% 를 초과하면, 열전도 시트를 제조하는 것도 곤란해진다.
<그 밖의 성분>
상기 그 밖의 성분으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 틱소트로피성 부여제, 분산제, 경화 촉진제, 지연제, 미점착 부여제, 가소제, 난연제, 산화 방지제, 안정제, 착색제 등을 들 수 있다.
상기 열전도 시트의 평균 두께로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.05 ㎜ ∼ 5.00 ㎜ 가 바람직하고, 0.07 ㎜ ∼ 4.00 ㎜ 가 보다 바람직하고, 0.10 ㎜ ∼ 3.00 ㎜ 가 특히 바람직하다.
상기 열전도 시트의 표면은, 돌출된 상기 탄소 섬유에 의한 볼록 형상을 추종하도록, 상기 열전도 시트로부터 스며 나온 삼출 (渗出) 성분으로 덮여 있는 것이 바람직하다.
상기 열전도 시트의 표면을 이와 같이 하는 방법은, 예를 들어 후술하는 표면 피복 공정에 의해 실시할 수 있다.
상기 열전도 시트는, 사용되는 반도체 소자 주변의 전자 회로의 단락 방지의 점에서, 1,000 V 의 인가 전압에 있어서의 체적 저항률이, 1.0 × 108 Ω·㎝ 이상인 것이 바람직하고, 1.0 × 1010 Ω·㎝ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 체적 저항률은, 예를 들어 JIS K-6911 에 준하여 측정된다.
상기 체적 저항률의 상한치로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 체적 저항률은, 1.0 × 1018 Ω·㎝ 이하를 들 수 있다.
상기 열전도 시트는, 전자 부품 및 히트 싱크에 대한 밀착성의 점에서, 하중 0.5 kgf/㎠ 에 있어서의 압축률이 3 % 이상인 것이 바람직하고, 15 % 이상이 보다 바람직하다.
상기 열전도 시트의 압축률의 상한치로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 상기 열전도 시트의 압축률은, 30 % 이하가 바람직하다.
상기 열전도 시트에 있어서는, 상기 탄소 섬유가 상기 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있다. 그렇게 함으로써, 상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 전술한 특정 질량비, 및 전술한 상기 열전도성 필러의 특정 함유량과 더불어, 높은 열전도성을 가지면서, 절연성도 우수한 열전도 시트가 얻어진다.
여기서, 「탄소 섬유가, 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있다」란, 상기 열전도 시트가 함유하는 상기 탄소 섬유의 45 % 이상이, 두께 방향에 대하여 0°∼ 45°의 범위 내로 배향되어 있는 것을 가리킨다. 또한, 상기 탄소 섬유는 반드시 모든 탄소 섬유가 동일한 방향으로 배향되어 있을 필요는 없다.
상기 탄소 섬유의 배향은, 예를 들어 전자 현미경에 의해 측정할 수 있다.
(열전도 시트의 제조 방법)
본 발명의 열전도 시트의 제조 방법은, 성형체 제조 공정과, 성형체 시트 제조 공정을 적어도 포함하고, 바람직하게 표면 피복 공정을 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 공정을 포함한다.
상기 열전도 시트의 제조 방법은, 본 발명의 상기 열전도 시트를 제조하는 방법이다.
<성형체 제조 공정>
상기 성형체 제조 공정으로는, 바인더 수지, 탄소 섬유, 및 열전도성 필러를 함유하는 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시킴으로써, 상기 열전도성 수지 조성물의 성형체를 얻는 공정이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
-열전도성 수지 조성물-
상기 열전도성 수지 조성물은, 바인더 수지와, 탄소 섬유와, 열전도성 필러를 적어도 함유하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 성분을 함유한다.
상기 바인더 수지로는, 상기 열전도 시트의 설명에 있어서 예시한 상기 바인더 수지를 들 수 있다.
상기 탄소 섬유로는, 상기 열전도 시트의 설명에 있어서 예시한 상기 탄소 섬유를 들 수 있다.
상기 열전도성 필러로는, 상기 열전도 시트의 설명에 있어서 예시한 상기 열전도성 필러를 들 수 있다.
상기 성형체 제조 공정에 있어서, 상기 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하는 방법으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 압출 성형법, 금형 성형법 등을 들 수 있다.
상기 성형체 제조 공정은, 중공상의 형 내에, 상기 열전도성 수지 조성물을 압출기로 압출함으로써 소정의 형상으로 성형하고, 또한 경화시킴으로써, 상기 탄소 섬유가 압출 방향을 따라 배향된 상기 성형체를 얻는 공정인 것이, 얻어지는 열전도 시트에 있어서, 상기 탄소 섬유를, 상기 열전도 시트의 두께 방향으로 배향시키기 쉬운 점에서 바람직하다.
성형체 (블록상의 성형체) 의 크기 및 형상은, 요구되는 열전도 시트의 크기에 따라 정할 수 있다. 예를 들어, 단면의 세로의 크기가 0.5 ㎝ ∼ 15 ㎝ 이고 가로의 크기가 0.5 ㎝ ∼ 15 ㎝ 인 직방체를 들 수 있다. 직방체의 길이는 필요에 따라서 결정하면 된다.
상기 성형체 제조 공정에 있어서의 상기 열전도성 수지 조성물의 경화는 열경화인 것이 바람직하다. 상기 열경화에 있어서의 경화 온도로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 바인더 수지가, 액상 실리콘 겔의 주제와 경화제를 함유하는 경우, 60 ℃ ∼ 120 ℃ 가 바람직하다. 상기 열경화에 있어서의 경화 시간으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 0.5 시간 ∼ 10 시간 등을 들 수 있다.
<성형체 시트 제조 공정>
상기 성형체 시트 제조 공정으로는, 상기 성형체를 시트상으로 절단하여, 성형체 시트를 얻는 공정이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 슬라이스 장치에 의해 실시할 수 있다.
상기 성형체 시트 제조 공정에 있어서는, 상기 성형체를 시트상으로 절단하여, 성형체 시트를 얻는다. 얻어지는 상기 성형체 시트의 표면에 있어서는, 상기 탄소 섬유가 돌출되어 있다. 이것은, 상기 성형체를 슬라이스 장치 등에 의해 시트상으로 절단할 때에, 상기 바인더 수지의 경화 성분과 상기 탄소 섬유의 경도차에 의해, 상기 바인더 수지의 경화 성분이 슬라이스 장치 등의 절단 부재에 인장되어 신장되고, 상기 성형체 시트 표면에 있어서, 상기 탄소 섬유 표면으로부터 상기 바인더 수지의 경화 성분이 제거되기 때문이라고 생각된다.
상기 슬라이스 장치로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 초음파 커터, 대패 등을 들 수 있다. 상기 성형체의 절단 방향으로는, 성형 방법이 압출 성형법인 경우에는, 압출 방향으로 배향되어 있는 것도 있기 때문에 압출 방향에 대하여 60 도 ∼ 120 도가 바람직하고, 70 도 ∼ 100 도가 보다 바람직하고, 90 도 (수직) 가 특히 바람직하다.
상기 성형체 제조 공정이, 중공상의 형 내에, 상기 열전도성 수지 조성물을 압출기로 압출함으로써 소정의 형상으로 성형하고, 또한 경화시킴으로써, 상기 탄소 섬유가 압출 방향을 따라 배향된 상기 성형체를 얻는 공정인 경우, 상기 성형체 시트 제조 공정으로는, 상기 성형체를, 상기 압출 방향에 대하여 수직 방향으로 절단하여, 시트상의 상기 성형체 시트를 얻는 공정인 것이 바람직하다.
상기 성형체 시트의 평균 두께로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.06 ㎜ ∼ 5.01 ㎜ 가 바람직하고, 0.08 ㎜ ∼ 4.01 ㎜ 가 보다 바람직하고, 0.11 ㎜ ∼ 3.01 ㎜ 가 특히 바람직하다.
<표면 피복 공정>
상기 표면 피복 공정으로는, 상기 성형체 시트의 표면을, 돌출된 상기 탄소 섬유에 의한 볼록 형상을 추종하도록, 상기 성형체 시트로부터 스며 나온 삼출 성분에 의해 덮는 공정이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 프레스 처리, 성형체 시트 방치 처리 등을 들 수 있다.
여기서, 「삼출 성분」이란, 상기 열전도성 수지 조성물에 함유되지만, 경화에 기여하지 않은 성분으로서, 비경화성 성분, 및 바인더 수지 중 경화되지 않은 성분 등을 의미한다.
-프레스 처리-
상기 프레스 처리로는, 상기 성형체 시트를 프레스하고, 상기 성형체 시트의 표면을, 돌출된 상기 탄소 섬유에 의한 볼록 형상을 추종하도록, 상기 성형체 시트로부터 스며 나온 삼출 성분에 의해 덮는 처리이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기 프레스는, 예를 들어 평반과 표면이 평탄한 프레스 헤드로 이루어지는 1 쌍의 프레스 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 또, 핀치 롤을 사용하여 실시해도 된다.
상기 프레스시의 압력으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 지나치게 낮으면 프레스를 하지 않는 경우와 열저항이 변하지 않는 경향이 있고, 지나치게 높으면 시트가 연신되는 경향이 있으므로, 0.1 ㎫ ∼ 100 ㎫ 가 바람직하고, 0.5 ㎫ ∼ 95 ㎫ 가 보다 바람직하다.
상기 프레스의 시간으로는 특별히 제한은 없고, 바인더 수지의 성분, 프레스 압력, 시트 면적, 삼출 성분의 스며 나옴량 등에 따라, 적절히 선택할 수 있다.
상기 프레스 처리에 있어서는, 삼출 성분의 스며 나옴, 상기 성형체 시트 표면의 피복의 효과를 보다 촉진시키기 위해서, 히터를 내장한 프레스 헤드를 사용하여, 가열하면서 실시해도 된다. 이와 같은 효과를 높이기 위해, 가열 온도는 바인더 수지의 유리 전이 온도 이상에서 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 프레스 시간을 단축시킬 수 있다.
상기 프레스 처리에 있어서는, 상기 성형체 시트를 프레스함으로써, 상기 성형체 시트로부터 삼출 성분을 스며 나오게 하여, 상기 삼출 성분에 의해 표면을 피복한다. 따라서, 얻어지는 열전도 시트는, 전자 부품이나 히트 스프레더의 표면에 대한 추종성, 밀착성이 향상되어, 열저항을 저감시킬 수 있다. 또, 상기 삼출 성분에 의한 피복이 열전도 시트 표면의 탄소 섬유의 형상을 반영하는 정도의 두께인 경우에는, 열저항의 상승을 회피할 수 있다.
또한, 성형체 시트는, 프레스됨으로써 두께 방향으로 압축되어, 탄소 섬유 및 열전도성 필러끼리의 접촉 빈도를 증대시킬 수 있다. 이로써, 열전도 시트의 열저항을 저감시키는 것이 가능해진다.
상기 프레스 처리는, 상기 성형체 시트를 소정의 두께로 압축하기 위한 스페이서를 사용하여 실시되는 것이 바람직하다. 즉, 열전도 시트는, 예를 들어 프레스 헤드와 대치되는 재치 (載置) 면에 스페이서를 배치하여 성형체 시트가 프레스됨으로써, 스페이서의 높이에 따른 소정의 시트 두께로 형성할 수 있다.
-성형체 시트 방치 처리-
상기 성형체 시트 방치 처리로는, 상기 성형체 시트를 방치하여, 상기 성형체 시트의 표면을, 상기 성형체 시트로부터 스며 나온 삼출 성분에 의해 덮는 처리이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
성형체 시트로부터 스며 나온 바인더 수지의 삼출 성분에 의해, 성형체 시트의 표면 및 성형체 시트 표면으로부터 노출되는 상기 탄소 섬유를 피복하는 처리는, 상기 프레스 처리 대신에, 상기 성형체 시트 방치 처리여도 된다. 이 경우에도, 프레스 처리와 동일하게, 얻어지는 열전도 시트는, 전자 부품이나 히트 스프레더의 표면에 대한 추종성, 밀착성이 향상되어, 열저항을 저감시킬 수 있다. 또, 상기 삼출 성분에 의한 피복이 열전도 시트 표면의 탄소 섬유의 형상을 반영하는 정도의 두께인 경우에는, 열저항의 상승을 회피할 수 있다.
상기 방치 시간으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
여기서, 본 발명의 열전도 시트의 제조 방법의 일례를, 도면를 사용하여 설명한다.
본 발명의 열전도 시트는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 압출, 성형, 경화, 절단 (슬라이스) 등의 일련의 공정을 거쳐 제조된다.
우선, 바인더 수지, 탄소 섬유, 및 열전도성 필러를 혼합, 및 교반하여 열전도성 수지 조성물을 조제한다. 다음으로, 조제한 열전도성 수지 조성물을 압출 성형할 때에, 복수의 슬릿을 통과시킴으로써 열전도성 수지 조성물 중에 배합된 탄소 섬유를 압출 방향으로 배향시켜, 성형체를 얻는다. 다음으로, 얻어진 성형체를 경화시킨 후, 경화된 성형체를 압출 방향에 대하여 수직 방향으로 초음파 커터로 소정의 두께로 절단함으로써, 성형체 시트 (열전도 시트) 를 제조할 수 있다.
(방열 부재)
본 발명의 방열 부재는, 히트 스프레더와, 열전도 시트를 적어도 갖고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 갖는다.
(반도체 장치)
본 발명의 반도체 장치는, 전자 부품과, 히트 스프레더와, 열전도 시트를 적어도 갖고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 갖는다.
상기 전자 부품으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 CPU, MPU, 그래픽 연산 소자 등을 들 수 있다.
상기 히트 스프레더는, 상기 전자 부품이 발하는 열을 방열시키는 부재이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기 열전도 시트는, 본 발명의 상기 열전도 시트이며, 상기 히트 스프레더에 배치 형성되고, 상기 히트 스프레더와 상기 전자 부품 사이에 협지된다.
본 발명의 반도체 장치의 일례를 도면을 사용하여 설명한다.
도 2 는 본 발명의 반도체 장치의 일례의 개략 단면도이다. 본 발명의 열전도 시트 (1) 는, 반도체 소자 등의 전자 부품 (3) 이 발하는 열을 방열시키는 것으로, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 히트 스프레더 (2) 의 전자 부품 (3) 과 대치되는 주면 (2a) 에 고정되고, 전자 부품 (3) 과 히트 스프레더 (2) 사이에 협지되는 것이다. 또, 열전도 시트 (1) 는, 히트 스프레더 (2) 와 히트 싱크 (5) 사이에 협지된다. 그리고, 열전도 시트 (1) 는, 히트 스프레더 (2) 와 함께, 전자 부품 (3) 의 열을 방열시키는 방열 부재를 구성한다.
히트 스프레더 (2) 는, 예를 들어 방형 판상으로 형성되고, 전자 부품 (3) 과 대치되는 주면 (2a) 과, 주면 (2a) 의 외주를 따라 세워 형성된 측벽 (2b) 을 갖는다. 히트 스프레더 (2) 는, 측벽 (2b) 에 둘러싸인 주면 (2a) 에 열전도 시트 (1) 가 형성되고, 또 주면 (2a) 과 반대측의 타면 (2c) 에 열전도 시트 (1) 를 개재하여 히트 싱크 (5) 가 형성된다. 히트 스프레더 (2) 는, 높은 열전도율을 가질수록 열저항이 감소되어, 효율적으로 반도체 소자 등의 전자 부품 (3) 의 열을 흡열시키는 점에서, 예를 들어 열전도성이 양호한 구리나 알루미늄을 사용하여 형성할 수 있다.
전자 부품 (3) 은, 예를 들어 BGA 등의 반도체 소자이며, 배선 기판 (6) 에 실장된다. 또 히트 스프레더 (2) 도, 측벽 (2b) 의 선단면이 배선 기판 (6) 에 실장되고, 이로써 측벽 (2b) 에 의해 소정의 거리를 두고 전자 부품 (3) 을 둘러싸고 있다.
그리고, 히트 스프레더 (2) 의 주면 (2a) 에, 열전도 시트 (1) 가 접착됨으로써, 전자 부품 (3) 이 발하는 열을 흡수하고, 히트 싱크 (5) 로부터 방열되는 방열 부재가 형성된다. 히트 스프레더 (2) 와 열전도 시트 (1) 의 접착은, 열전도 시트 (1) 자체의 점착력에 의해 실시할 수 있지만, 적절히 접착제를 사용해도 된다. 접착제로는, 열전도 시트 (1) 의 히트 스프레더 (2) 로의 접착과 열전도를 담당하는 공지된 방열성 수지, 혹은 방열성의 접착 필름을 사용할 수 있다.
실시예
이어서, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 열전도성 수지 조성물의 바인더 성분과 경화제 성분의 성분비를 바꾸어 열전도 시트의 샘플을 형성하고, 각 샘플에 대하여 각종 평가를 실시하였다.
(비교 제조예 1)
<절연 피복 탄소 섬유의 제조>
폴리에틸렌제 용기에, 평균 섬유 직경 9 ㎛, 평균 섬유 길이 100 ㎛ 의 피치계 탄소 섬유 (상품명 XN-100-10M : 닛폰 그라파이트 파이버 (주) 제조) 를 100 g, 테트라에톡시실란 (TEOS) 200 g, 에탄올 900 g 을 투입하여, 교반 날개로 혼합하였다.
그 후, 50 ℃ 까지 가온시키면서, 반응 개시제 (10 % 암모니아수) 176 g 을 5 분에 걸쳐 투입하였다. 용매의 투입이 완료된 시점을 0 분으로 하여, 3 시간 교반을 실시하였다.
교반 종료 후, 강온시키고, 흡인 여과하여 고형분을 회수하고, 고형분을 물과 에탄올을 사용하여 세정하고, 다시 흡인 여과를 실시하여, 고형분을 회수하였다.
회수된 고형분을 100 ℃ 에서 2 시간 건조 후, 다시 200 ℃ 에서 8 시간 소성을 실시함으로써, 탄소 섬유를 얻었다.
(평가)
비교 제조예 1 에서 얻어진 절연 피복 탄소 섬유에 대하여, 이하의 평가를 실시하였다. 또, 저항에 대해서는, 절연 피복을 하지 않은 이하의 탄소 섬유의 평가도 실시하였다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
시료 1 :
평균 섬유 직경 9 ㎛, 평균 섬유 길이 100 ㎛ 의 피치계 탄소 섬유 (상품명 XN-100-10M : 닛폰 그라파이트 파이버 (주) 제조)
시료 2 :
평균 섬유 직경 9 ㎛, 평균 섬유 길이 120 ㎛ 의 피치계 탄소 섬유 (상품명 XN-100-12M : 닛폰 그라파이트 파이버 (주) 제조)
시료 3 :
평균 섬유 직경 9 ㎛, 평균 섬유 길이 150 ㎛ 의 피치계 탄소 섬유 (상품명 XN-100-15M : 닛폰 그라파이트 파이버 (주) 제조)
(1) 회수율
절연 피복 탄소 섬유의 각 샘플에 대하여, 그 질량을 측정한 후, 사용된 탄소 섬유의 질량으로 나눔으로써 회수율의 산출을 실시하였다. 산출된 회수율에 대해서는, 클수록 피복의 양이 큰 것을 알 수 있다.
(2) 피복의 막두께
절연 피복 탄소 섬유의 각 샘플에 대하여, 수속 이온 빔 (FIB) 을 사용하여 절단한 후, 투과형 전자 현미경 (TEM) 을 사용하여 단면을 관찰하고, 피복의 평균 막두께를 측장하였다.
(3) 탄소 섬유의 저항
탄소 섬유의 각 샘플을, 충전 밀도가 0.750 g/㎤ 가 되도록 통상의 용기 (직경 : 9 ㎜, 길이 : 15 ㎜) 에 투입한 후, 저저항 측정 장치를 사용하여, 사단자법으로, 인가 전압이 최대 10 V 의 범위에서 저항의 측정을 실시하였다.
절연 피복 탄소 섬유에 대해서는, 고저항 측정 장치를 사용하여, 이단자법으로, 인가 전압을 변화시켰을 경우의 저항의 측정을 실시하였다. 고저항 측정 장치의 측정 가능 범위는, 이하와 같다.
[표 1]
Figure 112018034410599-pct00001
[표 2]
Figure 112018034410599-pct00002
표 2 중, 「E」는, 「10 의 멱승」을 나타낸다. 즉, 「1E+3」은 「1000」을 나타내고, 「1E-1」은, 「0.1」을 나타낸다. 표 4-1 ∼ 표 4-3 에 있어서도 동일하다.
(실시예 1)
이하의 배합으로 혼합하여, 실리콘 수지 조성물 (열전도성 수지 조성물) 을 조제하였다.
-배합-
--배합물 1 (합계 100 체적%)--
·탄소 섬유 7.99 체적%
(상품명 XN-100-12M : 닛폰 그라파이트 파이버 (주) 제조)
·알루미나 37.83 체적%
(상품명 : DAW03, 평균 입자 직경 4 ㎛, 덴카 (주))
·질화알루미늄 27.28 체적%
(상품명 : JC, 평균 입자 직경 1.2 ㎛, 토요 알루미늄 (주))
·실리콘 수지 26.90 체적%
또한, 실리콘 수지는, 이하와 같다.
--실리콘 수지--
·실리콘 수지 A 55 질량%
(상품명 : 527 (A), 토레·다우코닝 (주))
·실리콘 수지 B 45 질량%
(상품명 : 527 (B), 토레·다우코닝 (주))
얻어진 실리콘 수지 조성물을, 내벽에 박리 처리한 PET 필름을 붙인 직방체상의 금형 (42 ㎜ × 42 ㎜) 내로 압출하여 실리콘 성형체를 성형하였다. 얻어진 실리콘 성형체를 오븐에서 100 ℃ 에서 6 시간 경화시켜 실리콘 경화물로 하였다.
얻어진 실리콘 경화물을, 오븐에서 100 ℃, 1 시간 가열한 후, 초음파 커터로, 압출 방향에 대하여 수직 방향으로 절단하여, 두께 2.05 ㎜ 의 성형체 시트를 얻었다. 초음파 커터의 슬라이스 속도는, 매초 50 ㎜ 로 하였다. 또, 초음파 커터에 부여하는 초음파 진동은, 발진 주파수를 20.5 ㎑ 로 하고, 진폭을 60 ㎛ 로 하였다.
얻어진 성형체 시트를 박리 처리를 한 PET 필름으로 협지한 후, 두께 1.98 ㎜ 의 스페이서를 넣어 프레스함으로써, 두께 2.00 ㎜ 의 열전도 시트 샘플을 얻었다. 프레스 조건은, 50 ℃, 0.5 ㎫ 설정으로, 3 min 으로 하였다. 슬라이스 직후의 표면에 보이는 필러는 바인더로 피복되어 있지 않지만, 프레스에 의해 필러가 시트에 가압되고, 시트 내에 몰입됨으로써 바인더 성분이 표면으로 나오므로 시트 표면의 필러 형상을 반영하여 바인더로 피복되어 있다. 프레스 후에 시트와 접촉되어 있던 박리 PET 면에는 바인더 성분을 확인할 수 있다.
<평가>
이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 4-1 에 나타내었다.
<<탄소 섬유의 배향 유무>>
탄소 섬유가 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있는지 아닌지는, 얻어진 열전도 시트의 단면을 마이크로스코프 (HiROX Co Ltd 제조, KH7700) 로 관찰함으로써 확인하였다. 결과를 표 4-1 에 나타내었다.
표 4-1 에는, 탄소 섬유가, 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있는 경우, 「배향 있음」이라고 적고, 탄소 섬유가, 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있지 않은 경우, 「배향 없음」이라고 적었다.
<<열특성 (유효 열전도율, 열저항, 압축률)>>
열특성의 측정은, ASTM-D5470 에 준거한 열저항 측정 장치 (덱세리얼즈 (주) 제조) 를 사용하여 실시하였다.
또한, 유효 열전도율은, 두께 방향의 열전도율이다.
또, 각 특성은, 하중 0.5 kgf/㎠ 를 가하여 측정하였다.
<<전기 특성 (체적 저항률, 절연 파괴 전압)>>
-체적 저항률-
저항 측정기 ((주) 미츠비시 화학 아날리테크 제조 하이레스터 UX) 를 사용하여, 인가 전압을 변화시킨 경우의 체적 저항률을 측정하였다.
저항치가 매우 높고, 측정 범위 (표 1 을 참조) 를 초과한 샘플에 대해서는, 표 4-1 ~ 표 4-3 중에서, 「Over Range」또는 「O.R.」 로 나타내고, 저항치가 매우 낮고, 측정 범위 (표 1 을 참조) 를 하회한 샘플에 대해서는, 표 4-2, 및 표 4-3 중에서, 「Under Range」로 나타내고 있다.
또한, 체적 저항의 측정 범위는 저항치의 측정 범위에 의거하므로, 표 1 중의 측정 범위의 단위는 Ω 이다.
-절연 파괴 전압-
절연 파괴 전압은, 초고전압 내압 시험기 ((주) 계측 기술 연구소 제조, 7473) 를 사용하여, 승압 속도 0.05 ㎸/초, 실온에서 측정하였다. 절연 파괴가 발생한 시점의 전압을 절연 파괴 전압 (㎸/㎜) 으로 하였다.
(실시예 2 ∼ 7, 비교예 1 ∼ 9)
실시예 1 에 있어서, 배합물의 배합을, 표 3-1 또는 표 3-2, 및 표 4-1 ∼ 표 4-3 에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 열전도 시트를 제조하였다.
단, 비교예 7 에 관해서는, 실시예 3 에 있어서, 성형물을 제조할 때에, 내벽에 박리 처리한 PET 필름을 붙인 직방체상의 금형 용기 (42 ㎜ × 42 ㎜) 내에, 시어를 가하지 않고 실리콘 수지 조성물을 넣고, PET 필름을 붙인 덮개를 얹어 성형한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여 열전도 시트를 제조하였다. 그렇게 함으로써, 탄소 섬유가 두께 방향으로 배향되어 있는 않은 열전도 시트를 얻었다.
얻어진 열전도 시트에 대하여, 실시예 1 과 동일한 평가를 실시하였다. 결과를 표 4-1 ∼ 표 4-3 에 나타내었다.
[표 3-1]
Figure 112018034410599-pct00003
[표 3-2]
Figure 112018034410599-pct00004
527 (A) : 실리콘 수지, 토레·다우코닝 (주)
527 (B) : 실리콘 수지, 토레·다우코닝 (주)
[표 4-1]
Figure 112018034410599-pct00005
[표 4-2]
Figure 112018034410599-pct00006
[표 4-3]
Figure 112018034410599-pct00007
·H1 : 질화알루미늄, 평균 입자 직경 1 ㎛, (주) 토쿠아먀
여기서, 각 성분의 비중은 이하와 같다.
실리콘 수지 : 0.97
탄소 섬유 : 2.22
알루미나 : 3.75
질화알루미늄 : 3.25
실시예 1 ∼ 7 의 열전도 시트는, 높은 열전도성을 가지면서, 절연성도 우수하였다.
한편, 비교예 1 ∼ 3, 5 의 열전도 시트는, 절연성이 불충분하였다.
비교예 4 의 열전도 시트는, 탄소 섬유를 함유하고 있지 않기 때문에, 열특성이, 본 발명의 열전도 시트보다 떨어졌다.
비교예 6 의 열전도 시트는, 탄소 섬유를 절연 피복하고 있기 때문에, 열특성이, 본 발명의 열전도 시트보다 떨어졌다.
비교예 7 의 열전도 시트는, 탄소 섬유가 두께 방향으로 배향되어 있지 않기 때문에, 열특성이, 본 발명의 열전도 시트보다 떨어졌다.
비교예 8 에서는, 열전도성 필러의 함유량이, 48 체적% 미만이기 때문에, 실리콘 수지 조성물 (열전도성 수지 조성물) 의 점도가 지나치게 낮아, 열전도 시트를 조제할 수 없었다.
비교예 9 에서는, 열전도성 필러의 함유량이, 70 체적% 를 초과하기 때문에, 실리콘 수지 조성물 (열전도성 수지 조성물) 의 점도가 지나치게 높아, 열전도 시트를 조제할 수 없었다.
1 열전도 시트
2 히트 스프레더
2a 주면
3 전자 부품
3a 상면
5 히트 싱크
6 배선 기판

Claims (9)

  1. 바인더 수지와, 탄소 섬유와, 상기 탄소 섬유 이외의 열전도성 필러를 함유하는 열전도 시트로서,
    상기 탄소 섬유와 상기 바인더 수지의 질량비 (탄소 섬유/바인더 수지) 가 0.30 이상 0.88 이하이며,
    상기 탄소 섬유의 함유량이 4 체적% ~ 10.20 체적% 이며,
    상기 열전도성 필러의 함유량이 48 체적% ~ 70 체적% 이며,
    상기 탄소 섬유가, 상기 열전도 시트의 두께 방향으로 배향되어 있으며,
    하중 0.5 ㎏f/㎠ 에 있어서의 압축률이 3 % 이상이며,
    상기 열전도 시트의 표면이, 돌출된 상기 탄소 섬유에 의한 볼록 형상을 추종하도록 상기 열전도 시트로부터 스며 나온 삼출 성분으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는, 열전도 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도성 필러가, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 및 산화아연 중 적어도 어느 것을 함유하는, 열전도 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 바인더 수지가 실리콘 수지인, 열전도 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 열전도 시트의 제조 방법으로서,
    상기 바인더 수지와, 상기 탄소 섬유와, 상기 열전도성 필러를 함유하는 열전도성 수지 조성물을 소정의 형상으로 성형하여 경화시킴으로써, 상기 열전도성 수지 조성물의 성형체를 얻는 공정과,
    상기 성형체를 시트상으로 절단하여, 성형체 시트를 얻는 공정과,
    상기 성형체 시트의 표면을 돌출된 상기 탄소 섬유에 의한 볼록 형상을 추종하도록 상기 성형체 시트로부터 스며 나온 삼출 성분에 의해 덮는 표면 피복 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열전도 시트의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 성형체를 얻는 공정이, 중공상의 형 내에, 상기 열전도성 수지 조성물을 압출기로 압출함으로써 소정의 형상으로 성형하고, 또한 경화시킴으로써, 상기 탄소 섬유가 압출 방향을 따라 배향된 상기 성형체를 얻는 공정이고,
    상기 성형체 시트를 얻는 공정이, 상기 성형체를, 상기 압출 방향에 대하여 수직 방향으로 절단하여, 시트상의 상기 성형체 시트를 얻는 공정인, 열전도 시트의 제조 방법.
  6. 전자 부품이 발하는 열을 방열시키는 히트 스프레더와,
    상기 히트 스프레더에 배치 형성되고, 상기 히트 스프레더와 상기 전자 부품 사이에 협지되는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 열전도 시트를 갖는 것을 특징으로 하는, 방열 부재.
  7. 전자 부품과,
    상기 전자 부품이 발하는 열을 방열시키는 히트 스프레더와,
    상기 히트 스프레더에 배치 형성되고, 상기 히트 스프레더와 상기 전자 부품 사이에 협지되는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 열전도 시트를 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    히트 싱크를 구비하고,
    상기 히트 스프레더와 상기 히트 싱크 사이에 상기 열전도 시트가 협지되어 있는, 반도체 장치.
  9. 삭제
KR1020187009825A 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치 KR102075893B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016012663A JP6301978B2 (ja) 2016-01-26 2016-01-26 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、放熱部材及び半導体装置
JPJP-P-2016-012663 2016-01-26
PCT/JP2017/001122 WO2017130755A1 (ja) 2016-01-26 2017-01-13 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、放熱部材及び半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030256A Division KR20190120421A (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180050392A KR20180050392A (ko) 2018-05-14
KR102075893B1 true KR102075893B1 (ko) 2020-02-11

Family

ID=59398909

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030256A KR20190120421A (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR1020207016571A KR102151931B1 (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR1020187009825A KR102075893B1 (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197030256A KR20190120421A (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR1020207016571A KR102151931B1 (ko) 2016-01-26 2017-01-13 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10526519B2 (ko)
JP (1) JP6301978B2 (ko)
KR (3) KR20190120421A (ko)
CN (1) CN108463882B (ko)
WO (1) WO2017130755A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018208446A1 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Dow Silicones Corporation Polymer composites of high dielectric constant and low dielectric dissipation
JP6613462B2 (ja) * 2017-06-27 2019-12-04 積水ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
KR102540533B1 (ko) * 2018-06-01 2023-06-07 현대자동차주식회사 열전도성이 우수한 경량 고분자 조성물과 그 제조방법 및 이 조성물을 이용하여 제조한 물품
JP2020116873A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シートの製造方法
TW202105643A (zh) * 2019-07-23 2021-02-01 德商漢高智慧財產控股公司 高熱通量多元件總成之熱管理
CN110625877B (zh) * 2019-09-05 2021-06-08 上海阿莱德实业股份有限公司 一种导热界面材料的制备方法
KR102280275B1 (ko) 2019-11-22 2021-07-21 더원씨엔티(주) 탄소복합 방열소재 및 그 제조방법
KR102384315B1 (ko) 2019-11-25 2022-04-07 재단법인 한국탄소산업진흥원 열가소성수지 기반 열전도성 마스터배치의 제조방법 및 그를 이용한 방열복합소재
EP3965150A4 (en) * 2020-05-15 2022-08-31 Dexerials Corporation THERMALLY CONDUCTING FOIL AND METHOD OF MANUFACTURING THERMALLY CONDUCTING FOIL
US20220240411A1 (en) * 2020-05-28 2022-07-28 Dexerials Corporation Thermal conductive sheet and method for producing the same, and heat dissipation structure and electronic device
JP2022064582A (ja) * 2020-10-14 2022-04-26 矢崎総業株式会社 熱伝導シート、電子機器及び車載装置
WO2022168729A1 (ja) * 2021-02-03 2022-08-11 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シート積層体及びこれを用いた電子機器
JP6983345B1 (ja) * 2021-02-18 2021-12-17 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シート、および電子機器
CN113150558B (zh) 2021-05-12 2021-11-26 广东思泉新材料股份有限公司 一种定向导热片及其制备方法、及半导体散热装置
US11615999B1 (en) 2022-07-22 2023-03-28 GuangDong Suqun New Material Co., Ltd Oriented heat conducting sheet and preparation method thereof, and semiconductor heat dissipating device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007326976A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体及びその製造方法
JP2012001638A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及び熱伝導性シートの製造方法
JP2012023335A (ja) 2010-06-17 2012-02-02 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及びその製造方法
JP2015029075A (ja) * 2013-07-01 2015-02-12 デクセリアルズ株式会社 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、及び放熱部材

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5660324A (en) 1979-10-23 1981-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Infrared ray detector
JPS5671266A (en) 1979-11-15 1981-06-13 Jeol Ltd Scanning electron microscope
JP2992285B1 (ja) * 1998-11-10 1999-12-20 北川工業株式会社 熱伝導材
JP2001315244A (ja) 2000-05-01 2001-11-13 Jsr Corp 熱伝導性シート、その製造方法およびその熱伝導性シートを用いた放熱構造
JP2002003717A (ja) 2000-06-21 2002-01-09 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP2002088249A (ja) 2000-09-12 2002-03-27 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体
US6597575B1 (en) * 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
JP2005054094A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Bridgestone Corp 熱伝導性樹脂材料
JP4791146B2 (ja) 2005-11-01 2011-10-12 ポリマテック株式会社 熱伝導性部材およびその製造方法
JP2008266586A (ja) * 2007-03-27 2008-11-06 Toyoda Gosei Co Ltd 低電気伝導性高放熱性高分子材料及び成形体
JP5146256B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-20 富士通株式会社 シート状構造体及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法
CN102333823A (zh) 2009-02-25 2012-01-25 松下电器产业株式会社 热传导性组合物和使用它的散热板、散热基板、电路模块、热传导性组合物的制造方法
WO2011158942A1 (ja) 2010-06-17 2011-12-22 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法
JP5760397B2 (ja) * 2010-11-15 2015-08-12 日立化成株式会社 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、及び放熱装置
JP5699556B2 (ja) 2010-11-15 2015-04-15 日立化成株式会社 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、及び放熱装置
JP5660324B2 (ja) 2011-06-20 2015-01-28 株式会社豊田中央研究所 樹脂組成物およびその製造方法
JP5779693B2 (ja) 2013-06-27 2015-09-16 デクセリアルズ株式会社 熱伝導性シート、及びその製造方法、並びに半導体装置
JP5752299B2 (ja) 2013-07-01 2015-07-22 デクセリアルズ株式会社 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、及び放熱部材

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007326976A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体及びその製造方法
JP2012001638A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及び熱伝導性シートの製造方法
JP2012023335A (ja) 2010-06-17 2012-02-02 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及びその製造方法
JP2015029075A (ja) * 2013-07-01 2015-02-12 デクセリアルズ株式会社 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、及び放熱部材

Also Published As

Publication number Publication date
CN108463882A (zh) 2018-08-28
KR102151931B1 (ko) 2020-09-04
WO2017130755A1 (ja) 2017-08-03
CN108463882B (zh) 2022-05-13
KR20200070435A (ko) 2020-06-17
KR20180050392A (ko) 2018-05-14
JP6301978B2 (ja) 2018-03-28
US10526519B2 (en) 2020-01-07
JP2017135211A (ja) 2017-08-03
US20190055443A1 (en) 2019-02-21
KR20190120421A (ko) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102075893B1 (ko) 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR102011652B1 (ko) 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR102053004B1 (ko) 전자파 흡수 열전도 시트, 전자파 흡수 열전도 시트의 제조 방법 및 반도체 장치
JP6813641B2 (ja) 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、放熱部材及び半導体装置
JP6178389B2 (ja) 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、及び半導体装置
JP7096723B2 (ja) 熱伝導性シートの製造方法
JP6393816B2 (ja) 熱伝導シート、熱伝導シートの製造方法、放熱部材及び半導体装置
TW201520329A (zh) 熱傳導片之製造方法、熱傳導片、及散熱構件
TWI714804B (zh) 熱傳導片及半導體裝置
KR101947333B1 (ko) 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
CN112368827A (zh) 导热性片及其制造方法、导热性片的安装方法
CN113348549A (zh) 导热性片及其制造方法、导热性片的安装方法
WO2022176725A1 (ja) 熱伝導性シート、および電子機器
WO2022054478A1 (ja) 熱伝導性シート及び熱伝導性シートの製造方法
KR102449343B1 (ko) 열전도 시트, 열전도 시트의 제조 방법, 방열 부재 및 반도체 장치
KR20210109563A (ko) 열전도성 시트, 열전도성 시트의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant