KR102007194B1 - 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 - Google Patents

에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102007194B1
KR102007194B1 KR1020130015831A KR20130015831A KR102007194B1 KR 102007194 B1 KR102007194 B1 KR 102007194B1 KR 1020130015831 A KR1020130015831 A KR 1020130015831A KR 20130015831 A KR20130015831 A KR 20130015831A KR 102007194 B1 KR102007194 B1 KR 102007194B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
siloxane
group
compound
epoxy resin
parts
Prior art date
Application number
KR1020130015831A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140102476A (ko
Inventor
정재훈
문성배
윤상인
이유원
이미진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020130015831A priority Critical patent/KR102007194B1/ko
Priority to US14/768,108 priority patent/US9812618B2/en
Priority to PCT/KR2014/001091 priority patent/WO2014126366A1/en
Priority to CN201480021974.6A priority patent/CN105143345B/zh
Publication of KR20140102476A publication Critical patent/KR20140102476A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102007194B1 publication Critical patent/KR102007194B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
    • C08G59/306—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/3254—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen
    • C08G59/3281—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3477—Six-membered rings
    • C08K5/3492—Triazines
    • C08K5/34924—Triazines containing cyanurate groups; Tautomers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3477—Six-membered rings
    • C08K5/3492—Triazines
    • C08K5/34926—Triazines also containing heterocyclic groups other than triazine groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/06—Triglycidylisocyanurates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/02—Flame or fire retardant/resistant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물, 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물, 그리고 경화제를 포함하며, 상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함된다. 이에 따라, 내열성, 내광성 및 내습성이 우수하고, 실리콘 밀착력이 뛰어나며, 반고상화가 가능한 조성물을 얻을 수 있다.

Description

에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치{EPOXY RESIN COMPOSITE AND LIGHT EMITTING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 장치의 성형 재료 또는 몰딩 재료로 사용되는 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 등의 발광 소자를 포함하는 발광 장치가 각종 광원으로 이용되고 있다. 반도체 기술이 발전함에 따라 발광 소자의 고출력화가 가속화되고 있다. 이러한 발광 소자가 방출하는 다량의 광 및 열에 안정적으로 대응하기 위하여, 내광성, 내열성 및 내습성이 뛰어난 성형 재료 또는 몰딩 재료가 요구되고 있다.
이를 위하여, 트리아진(triazine) 유도체가 포함된 에폭시 수지 조성물이 이용되고 있다. 이러한 에폭시 수지 조성물은 반고상화 성능은 우수하지만, 내광성, 내열성 및 내습성이 요구되는 수준을 만족시키지 못하는 문제가 있다. 특히, 황변에 취약하며, 실리콘에 대한 밀착력이 낮고, 미반응 에폭시로 인하여 시간이 지날수록 광투과 유지율이 떨어지므로, 발광 장치의 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다.
한국공개특허 제2010-0006958호
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물, 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물, 그리고 경화제를 포함하며, 상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함된다.
상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물은 이소시아누레이트(isocyanurate) 환을 포함하며, 상기 실록산 화합물은 에폭시시클로알킬-CH2O-CO-히드록시시클로알킬-OSiR1R2O-(SiR3R4O)n-SiR5R6O-히드록시시클로알킬-CO-CH2O-에폭시시클로알킬과 같다. 여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이며, 상기 에폭시시클로알킬 또는 상기 히드록시시클로알킬의 시클로알킬은 각각 독립적으로 탄소수 5~20의 시클로알킬 그룹이다.
상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물은 트리글리시딜이소시아누레이트(triglycidylisocyanurate, TGIC)이고, 상기 실록산 화합물은
Figure 112013013339681-pat00001
와 같다. 여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이다.
상기 R1 내지 R6은 각각 메틸기이고, 상기 n은 2 이상이며 8 이하를 만족할 수 있다.
상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물 및 상기 실록산 화합물은 상기 에폭시 수지 조성물 100중량부에 대하여 5 내지 50 중량부로 포함될 수 있다.
상기 실록산 화합물은 상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물과 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 60 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 발광 장치는 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물, 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물, 그리고 경화제를 포함하며, 상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함하는 경화물로 이루어진 성형체, 그리고 상기 성형체 상에 탑재되는 발광 소자를 포함한다.
상기 성형체는 바닥면과 측면으로 이루어지는 오목부를 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 오목부의 바닥면에 탑재되고, 밀봉 부재로 밀봉될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 내광성, 내열성 및 내습성이 뛰어나고, 반고상화가 가능하며, 실리콘 밀착력이 우수한 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 이에 따라, 고온 및 빛에 장시간 노출되더라도 황변(yellownish)을 막을 수 있고, 내열성 및 내광성을 유지할 수 있어, 효율 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에서 wt%는 중량부로 대체될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물과 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물을 포함한다. 그리고, 실록산 화합물은 10 내지 70wt%의 실록산 그룹을 포함한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 5 내지 50wt%의 에폭시 화합물을 포함할 수 있다. 여기서 에폭시 화합물은 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물과 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물(이하, 실록산 화합물이라 한다)을 포함한다. 에폭시 화합물이 전체 에폭시 수지 조성물의 5wt% 보다 낮게 함유된 경우, 내광성, 내열성 및 내습성이 떨어지는 문제가 있다. 에폭시 화합물이 전체 에폭시 수지 조성물의 50wt%보다 높게 함유된 경우, 경화성이 낮아지는 문제가 있다.
여기서, 실록산 화합물은 전체 에폭시 화합물에 대하여 10 내지 60wt%로 포함될 수 있다. 실록산 화합물이 전체 에폭시 화합물의 10wt%보다 적게 포함되는 경우, 발광 소자에 포함된 실리콘 충전재와의 밀착성이 떨어지는 문제가 있다. 실록산 화합물이 전체 에폭시 화합물의 60wt%보다 많이 포함되는 경우, 내열성 및 내습성은 우수하나, 반고상화가 어려워지는 문제가 있다.
여기서, 트리아진 유도체 에폭시 화합물은 이소시아누레이트(isocyanurate) 환을 포함할 수 있다. 이소시아누레이트 환을 포함하는 에폭시 화합물은 내광성 및 전기 절연성이 뛰어나다. 트리아진 유도체 에폭시 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 1과 같은 트리글리시딜이소시아누레이트(Triglycidylisocyanurate, TGIC)일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013013339681-pat00002
그리고, 실록산 화합물은 하기 화학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[화학식 2]
에폭시시클로알킬-CH2O-CO-히드록시시클로알킬-OSiR1R2O-(SiR3R4O)n-SiR5R6O-히드록시시클로알킬-CO-CH2O-에폭시시클로알킬
여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이다. 여기서, 4개의 시클로알킬은 각각 독립적으로 탄소수 5~20의 시클로알킬 그룹일 수 있다.
실록산 화합물은 하기 화학식 3과 같이 나타낼 수도 있다.
[화학식 3]
Figure 112013013339681-pat00003
여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있다. 여기서, n은 하기 화학식 4가 화학식 3의 10 내지 70wt%, 바람직하게는 30 내지 60wt%, 더욱 바람직하게는 35 내지 55wt%, 더욱 바람직하게는 40 내지 50wt%를 만족하도록 설정될 수 있다. 본 명세서에서, 화학식 4는 실록산 그룹이라 칭할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112013013339681-pat00004
화학식 4가 화학식 3의 10wt% 보다 적으면, 발광 소자에 포함된 실리콘 충전재와의 밀착성이 떨어질 수 있다. 화학식 4가 화학식 3의 70wt%보다 많으면, 반고상화가 어려워질 수 있다. R1 내지 R6이 각각 메틸기인 경우, n은 1 내지 16, 바람직하게는 2 내지 8, 더욱 바람직하게는 2 내지 6, 더욱 바람직하게는 3 내지 5 사이의 양의 정수일 수 있다. R1 내지 R6이 각각 메틸기가 아닌 경우에도, n은 화학식 4의 실록산 그룹이 화학식 3의 실록산 화합물 100 wt%에 대하여 10 내지 70wt%로 포함되도록 다양하게 설정될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 다른 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 3,3', 5,5'-테트라메틸-4,4'-비페놀형 에폭시 수지 또는 4,4'-비페놀형 에폭시 수지와 같은 비페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 트리스페닐올메탄형 에폭시 수지, 테트라키스페닐올에탄형 에폭시 수지 및 페놀디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 수지의 방향환을 수소화한 에폭시 수지 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화제를 포함할 수 있다. 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 5wt% 내지 50wt%의 경화제가 포함될 수 있다. 경화제가 전체 에폭시 수지 조성물의 5wt% 이하로 함유된 경우, 경화 불량이 발생하며, 신뢰성이 저하될 수 있다. 그리고, 경화제가 전체 에폭시 수지 조성물의 50wt% 이상 함유된 경우, 미반응 경화제로 인하여 내습성이 낮아지는 문제가 있다.
에폭시 수지 조성물에 포함되는 경화제는 산무수물계 경화제일 수 있다.
산무수물계 경화제는, 예를 들면 도데세닐무수숙신산, 폴리아디핀산무수물, 폴리아젤라인산무수물, 폴리세바신산무수물, 폴리(에틸옥타데칸이산)무수물, 폴리(페닐헥사데칸이산)무수물, 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 무수메틸하이믹산, 테트라히드로무수프탈산, 트리알킬테트라히드로무수프탈산, 메틸시클로헥센디카르본산무수물, 메틸시클로헥센테트라카르본산무수물, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르본산무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 무수헤트산, 무수나딕산, 무수메틸나딕산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르본산무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물, 1-메틸-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산이무수물 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.
에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수도 있다. 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.1wt% 내지 2wt%의 경화촉진제가 포함될 수 있다. 경화 촉진제는, 예를 들면 3차 아민류, 이미다졸류, 그들의 유기 카르복실산염, 유기 카르복실산 금속염, 금속-유기 킬레이트 화합물, 방향족 술포늄염, 유기 포스핀 화합물류, 이들의 염류, 인계 경화 촉진제(예, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 메틸-트리부틸포스포늄-디메틸포스페이트, 4차 포스포늄 브로마이드) 및 이들로부터 선택된 혼합물 중 하나일 수 있다.
에폭시 수지 조성물은 0.1 내지 10wt%의 첨가제를 포함할 수 있다. 첨가제는, 예를 들면 분산제, 레벨링제, 산화방지제 등일 수 있다. 산화방지제는, 예를 들면 폐놀계 산화방지제, 인계 산화방지제, 황계 산화방지제 중 적어도 하나일 수 있다.
페놀계 산화 방지제로는 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 부틸화 히드록시아니솔, 2,6-디-t-부틸-p-에틸페놀, 스테아릴-β-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 3,9-비스[1,1-디메틸-2-{β-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시}에틸]2,4,8,10-테트라옥시스피로[5.5]운데칸, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 등이 사용될 수 있다.
인계 산화 방지제로는 아인산 트리페닐, 아인산 디페닐알킬, 아인산 페닐디알킬, 아인산 트리(노닐페닐), 아인산 트리라우릴, 아인산 트리옥타데실, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트, 디이소데실펜타에리스리톨디포스파이트, 디(2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 트리스테아릴소비톨트리포스파이트, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,4'-비페닐디포스파이트 등이 사용될 수 있다.
황계 산화 방지제로는 디라우릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3'-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트 등이 사용될 수 있다.
이들 산화 방지제는 각각 단독으로 사용되거나 조합하여 사용될 수 있다.
에폭시 수지 조성물은 0.1 내지 10wt%의 이형제를 포함할 수 있다. 이형제는 에폭시 수지 조성물의 성형 후의 이형을 개선할 수 있다. 이형제는, 예를 들면 카르나우바 왁스, 몬탄산, 스테아르산, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 몬탄산 에스테르 등의 에스테르계 왁스, 폴리에틸렌계 왁스, 폴리올레핀계 왁스 및 그들로부터 선택된 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물은 발광 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하여 발광 소자를 성형할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광 장치(100)는 본 발명의 한 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함하는 경화물로 이루어진 성형체(110), 그리고 성형체(110) 상에 탑재되는 발광 소자(120)를 포함한다.
성형체(110)는 바닥면과 측면으로 이루어지는 오목부를 포함하며, 발광 소자(120)는 오목부의 바닥면에 탑재되고, 밀봉 부재(130)로 밀봉된다.
발광 소자(120)는 한쌍의 전극을 가지며, 양의 전극 및 음의 전극은 와이어(140)를 통하여 각각 리드(112, 114)와 연결된다. 밀봉 부재(130)는 트리아진 유도체 에폭시 화합물 및 실록산 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 구체적으로 설명한다.
<실시예 1>
화학식 1의 에폭시 화합물 30wt%, 화학식 3의 에폭시 화합물 20wt%(여기서, R1 내지 R6 각각은 메틸기이고, n은 1, 즉 화학식 4의 규소 화합물이 화학식 3의 에폭시 화합물의 10wt%를 만족하도록 설정됨), 경화제 47wt%, 경화 촉진제 1wt%, 첨가제 2wt%, 이형제 1wt%를 혼합하여 열처리한 후 실시예 1의 결과물을 얻었다.
<실시예 2>
화학식 1의 에폭시 화합물 30wt%, 화학식 3의 에폭시 화합물 20wt%(여기서, R1 내지 R6 각각은 메틸기이고, n은 2, 즉 화학식 4의 규소 화합물이 화학식 3의 에폭시 화합물의 30wt%를 만족하도록 설정됨), 경화제 47wt%, 경화 촉진제 1wt%, 첨가제 1wt%, 이형제 1 wt%를 혼합하여 열처리한 후 실시예 2의 결과물을 얻었다.
<실시예 3>
화학식 1의 에폭시 화합물 30wt%, 화학식 3의 에폭시 화합물 20wt%(여기서, R1 내지 R6 각각은 메틸기이고, n은 5, 즉 화학식 4의 규소 화합물이 화학식 3의 에폭시 화합물의 50wt%를 만족시키도록 설정됨), 경화제 47wt%, 경화 촉진제 1wt%, 첨가제 1wt%, 이형제 1 wt%를 혼합하여 열처리한 후 실시예 3의 결과물을 얻었다.
<실시예 4>
화학식 1의 에폭시 화합물 30wt%, 화학식 3의 에폭시 화합물 20wt%(여기서, R1 내지 R6 각각은 메틸기이고, n은 14, 즉 화학식 4의 규소 화합물이 화학식 3의 에폭시 화합물의 70wt%를 만족시키도록 설정됨), 경화제 47wt%, 경화 촉진제 1wt%, 첨가제 1wt%, 이형제 1 wt%를 혼합하여 열처리한 후 실시예 4의 결과물을 얻었다.
<비교예 1>
화학식 1의 에폭시 화합물 50wt%, 경화제 47wt%, 경화 촉진제 1wt%, 첨가제 1wt%, 이형제 1 wt%를 혼합하여 열처리한 후 비교예 1의 결과물을 얻었다.
<비교예 2>
화학식 3의 에폭시 화합물 50wt%(여기서, R1 내지 R6 각각은 메틸기이고, n은 5, 즉 화학식 4의 규소 화합물이 화학식 3 에폭시 화합물의 50wt%를 만족시키도록 설정됨), 경화제 47wt%, 경화 촉진 및 첨가제 2wt%, 이형제 1 wt%를 혼합하여 열처리한 후 비교예 2의 결과물을 얻었다.
실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 2의 결과물을 실리콘 위에 몰딩 및 경화시킨 후, 실리콘 밀착력(Shear adhension)을 측정하였다. 그리고, 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 2의 결과물에 대하여 450nm의 빛을 조사하여 초기 광 투과율을 측정하였다. 실시예 1 내지 실시예 4, 비교예 1 내지 비교예 2의 결과물을 175℃에서 24시간 동안 450nm의 빛을 조사한 후 광 투과 유지율을 측정하였다. 표 1은 그 결과를 나타낸다.
실험번호 실리콘 밀착성 초기 광 투과율 광 투과 유지율
실시예 1 △ 91% 92%
실시예 2 △ 92% 92%
실시예 3 ○ 92% 94%
실시예 4 ○ 91% 90%
비교예 1 × 90% 90%
비교예 2 ○ 93% 89%
표 1을 참조하면, 비교예 1과 같이 트리아진 유도체 에폭시만을 포함하는 에폭시 수지 조성물은 실리콘 밀착성이 나쁘며, 초기 광 투과율과 광투과 유지율이 90% 이하임을 알 수 있다. 그리고, 비교예 2와 같이 실록산 화합물만을 포함하는 에폭시 수지 조성물은 실리콘 밀착성과 초기 광투과율은 양호하나, 광투과 유지율이 90%이하임을 알 수 있다.
반면, 실시예 1 내지 실시예 4와 같이 트리아진 유도체 에폭시와 화학식 3의 실록산 화합물을 모두 포함하는 에폭시 수지 조성물은 실리콘 밀착성, 초기 광 투과율 및 광투과 유지율이 양호함을 알 수 있다. 특히, 실시예 3과 같은 함량비인 경우, 즉 에폭시 수지 조성물이 트리아진 유도체 에폭시 화합물과 화학식 3의 실록산 화합물을 모두 포함하며, 화학식 3의 실록산 화합물 내에 실록산 그룹이 약 50wt% 포함되는 경우, 가장 우수한 실리콘 밀착성, 초기 광 투과율 및 광 투과 유지율을 얻을 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 발광 장치
110: 성형체
120: 발광 소자
130: 밀봉 부재

Claims (9)

  1. 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물,
    지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물, 그리고
    경화제를 포함하며,
    상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함되고,
    상기 실록산 화합물은 하기 화학식과 같은 에폭시 수지 조성물:
    에폭시시클로알킬-CH2O-CO-히드록시시클로알킬-OSiR1R2O-(SiR3R4O)n-SiR5R6O-히드록시시클로알킬-CO-CH2O-에폭시시클로알킬
    여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이며, 상기 에폭시시클로알킬 또는 상기 히드록시시클로알킬의 시클로알킬은 각각 독립적으로 탄소수 5~20의 시클로알킬 그룹이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물은 이소시아누레이트(isocyanurate) 환을 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물은 트리글리시딜이소시아누레이트(triglycidylisocyanurate, TGIC)이고,
    상기 실록산 화합물은 하기 화학식과 같은 에폭시 수지 조성물:
    Figure 112013013339681-pat00005

    여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 R1 내지 R6은 각각 메틸기이고, 상기 n은 2 이상이며 8 이하를 만족하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물 및 상기 실록산 화합물은 상기 에폭시 수지 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 50 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 실록산 화합물은 상기 트리아진 유도체 에폭시 화합물과 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 60 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
  7. 트리아진(triazine) 유도체 에폭시 화합물, 지환식 에폭시 그룹 및 실록산 그룹을 포함하는 실록산 화합물, 그리고 경화제를 포함하며, 상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 70 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물을 포함하는 경화물로 이루어진 성형체, 그리고
    상기 성형체 상에 탑재되는 발광 소자
    를 포함하고,
    상기 실록산 화합물은 하기 화학식과 같은 발광 장치:
    에폭시시클로알킬-CH2O-CO-히드록시시클로알킬-OSiR1R2O-(SiR3R4O)n-SiR5R6O-히드록시시클로알킬-CO-CH2O-에폭시시클로알킬
    여기서, R1 내지 R6은 각각 H, Cl, Br, F, C1~C3 알킬, C2~C3 알켄, C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택될 수 있고, n은 양의 정수이며, 상기 에폭시시클로알킬 또는 상기 히드록시시클로알킬의 시클로알킬은 각각 독립적으로 탄소수 5~20의 시클로알킬 그룹이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 성형체는 바닥면과 측면으로 이루어지는 오목부를 포함하며,
    상기 발광 소자는 상기 오목부의 바닥면에 탑재되고, 밀봉 부재로 밀봉되는 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 실록산 그룹은 상기 실록산 화합물 100 중량부에 대하여 35 내지 55 중량부로 포함되는 에폭시 수지 조성물.
KR1020130015831A 2013-02-14 2013-02-14 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 KR102007194B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015831A KR102007194B1 (ko) 2013-02-14 2013-02-14 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치
US14/768,108 US9812618B2 (en) 2013-02-14 2014-02-10 Epoxy resin composition and light-emitting apparatus using the same
PCT/KR2014/001091 WO2014126366A1 (en) 2013-02-14 2014-02-10 Epoxy resin composition and light-emitting apparatus using the same
CN201480021974.6A CN105143345B (zh) 2013-02-14 2014-02-10 环氧树脂组合物和使用该组合物的发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015831A KR102007194B1 (ko) 2013-02-14 2013-02-14 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140102476A KR20140102476A (ko) 2014-08-22
KR102007194B1 true KR102007194B1 (ko) 2019-08-05

Family

ID=51354328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130015831A KR102007194B1 (ko) 2013-02-14 2013-02-14 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9812618B2 (ko)
KR (1) KR102007194B1 (ko)
CN (1) CN105143345B (ko)
WO (1) WO2014126366A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016164254A (ja) * 2015-02-10 2016-09-08 株式会社ダイセル 光学材料用硬化性エポキシ樹脂組成物
CN109651760A (zh) * 2018-12-11 2019-04-19 汕头市骏码凯撒有限公司 一种固化后无色透明的耐高温高压蒸煮的环氧模塑料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010138380A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP2012077219A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU4608972A (en) * 1971-09-16 1974-03-07 Ciba-Geigy Ag New polyepoxide-polysiloxane compounds processes for their manufacture and their use
JPH08259574A (ja) 1995-03-22 1996-10-08 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 脂環式エポキシ基含有ラジカル重合性オリゴシロキサンおよびその製造方法
JP2006225515A (ja) 2005-02-17 2006-08-31 Jsr Corp 光半導体、その封止材および封止用組成物
JP5131109B2 (ja) * 2007-09-20 2013-01-30 東レ株式会社 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート
CN101538367B (zh) 2008-01-28 2013-09-04 信越化学工业株式会社 二缩水甘油基异氰尿酸基改性有机聚硅氧烷以及含有该有机聚硅氧烷的组成物
KR101474500B1 (ko) 2008-07-11 2014-12-23 삼성전자 주식회사 세제공급유닛 및 이를 갖춘 세탁기
US20100289055A1 (en) 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
JP5305452B2 (ja) * 2009-06-12 2013-10-02 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物
JP5488326B2 (ja) * 2009-09-01 2014-05-14 信越化学工業株式会社 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物及びその製造方法並びにプレモールドパッケージ及びｌｅｄ装置
TWI538959B (zh) 2010-03-02 2016-06-21 Nippon Kayaku Kk Hardened resin composition and hardened product thereof
TWI410445B (zh) 2010-12-29 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 矽氧烷環氧樹脂透明組成物
JP5764432B2 (ja) * 2011-01-07 2015-08-19 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
KR101905834B1 (ko) * 2012-05-31 2018-10-08 엘지이노텍 주식회사 에폭시 수지 조성물 및 발광장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010138380A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP2012077219A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシシリコーン樹脂含有硬化性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014126366A1 (en) 2014-08-21
CN105143345A (zh) 2015-12-09
US9812618B2 (en) 2017-11-07
CN105143345B (zh) 2017-11-24
KR20140102476A (ko) 2014-08-22
US20160005937A1 (en) 2016-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101530103B1 (ko) 에폭시 수지 조성물, 그 경화물 및 발광 다이오드
JP2008189833A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN111826105B (zh) 一种led用封装胶及其使用方法和应用
JP2014129464A (ja) エポキシ樹脂硬化剤、及びそれを用いたエポキシ樹脂組成物、硬化物、光半導体装置
JP2013155336A (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の製造方法及びエポキシ樹脂組成物
KR102007194B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치
JP6233228B2 (ja) 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP5052087B2 (ja) エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜
JP2007314740A (ja) エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び光半導体装置
JP2007131772A (ja) 水素化エポキシ樹脂、その製造方法、エポキシ樹脂組成物及び発光素子封止材用エポキシ樹脂組成物
JP5191131B2 (ja) エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜
JP2004292706A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
KR101995362B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치
JP6524840B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びエポキシ硬化物
KR102111603B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치
TW201418311A (zh) 硬化性環氧樹脂組成物及其硬化物、以及光半導體裝置
US9257621B2 (en) Epoxy resin composition and light-emitting device package comprising the same
JP2009107979A (ja) カルボン酸変性トリグリシジルイソシアヌレートの製法、エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物
JP2017095548A (ja) 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置
TWI595043B (zh) 環氧樹脂組成物及其硬化物與發光二極體
JP6233229B2 (ja) 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置
KR102135412B1 (ko) 열경화형 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
TWI498375B (zh) 電氣電子零件低壓嵌入成形用樹脂組成物、電氣電子零件封裝體及電氣電子零件封裝體之製造方法
TWI663220B (zh) 樹脂改質塡料之製造方法
KR20190129655A (ko) 저손실 절연 수지 조성물, 및 이를 이용한 절연 필름

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant