JP6233228B2 - 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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<1>
(A)(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂、(A−2)ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂、並びに(A−3)酸無水物硬化剤を、エポキシ基当量/酸無水物基当量 0.6〜2.0の割合で反応させて得られるプレポリマーと
(B)硬化促進剤
とを必須成分とし、熱硬化前に室温において加圧成形可能である光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物、
を提供するものである。
また、本発明は、光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物の熱機械分析(TMA)によるガラス転移温度が、130℃以上である<1>記載の光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
更に、本発明は、<1>または<2>に記載の光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子をトランスファー成型して封止してなる光半導体装置を提供するものである。
本発明で用いられる(A−1)成分のトリアジン誘導体エポキシ樹脂は、(A−2)成分及び(A−3)成分と相俟って、熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時の強度を向上させ、黄変を抑制し、且つ経時劣化の少ない半導体発光装置を実現する。かかるトリアジン誘導体エポキシ樹脂としては、1,3,5−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂が好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れており、1つのイソシアヌレート環に対して、2価の、より好ましくは3価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレート、トリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレート等が挙げられる。
本発明では、(A−1)成分のトリアジン誘導体エポキシ樹脂以外に(A−2)成分のエポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を使用する。(A−2)成分を加えることで、熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の靭性を向上させ、且つ経時劣化の少ない半導体発光装置を実現することができる。
(A−2)成分としては、ハンドリングやプレポリマー化のさせやすさの観点から室温では固形であり、また、そのエポキシ樹脂の軟化点は50〜100℃であるものが好ましい。
本発明で用いられる(A−3)成分の酸無水物は、硬化剤として作用するものであり、耐光性を与えるために非芳香族化合物であり、且つ炭素−炭素二重結合を有さないものが好ましく、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが挙げられ、これらの中でもヘキサヒドロ無水フタル酸及び/またはメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。これらの酸無水物系硬化剤は、1種を単独で使用してもよく、また2種以上を併用してもよい。
こうして、軟化点が50〜100℃、好ましくは60〜80℃である固体生成物としてプレポリマーを得る。反応して得られる物質の軟化点が、40℃未満では固体とはなりにくく、室温において加圧成形が困難である。軟化点が100℃を超えると組成物として成型の時に必要な流動性が低すぎるおそれがある。
(B)成分の硬化促進剤は熱硬化性エポキシ樹脂を硬化させるために配合するものである。硬化促進剤の種類としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものが使用でき、特に限定されないが、第三級アミン類、イミダゾール類、それらの有機カルボン酸塩、有機カルボン酸金属塩、金属−有機キレート化合物、芳香族スルホニウム塩、有機ホスフィン化合物類、ホスホニウム化合物類等のリン系硬化触媒、これらの塩類等の1種又は2種以上を挙げることができる。これらの中でも、イミダゾール類、リン系硬化触媒、例えば2−エチル−4−メチルイミダゾール又はメチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェイト、第三級アミンのオクチル酸塩が好ましい。
本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、初期反射率向上及び長期での反射率維持のために(C)酸化防止剤を配合することができる。(C)成分の酸化防止剤としては、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤を使用でき、酸化防止剤の具体例としては、以下のものが挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に離型剤を配合することができる。(D)成分の離型剤は、成形時の離型性を高めるために配合するものである。
本発明のシリコーン樹脂組成物には、リードフレームなどの金属基材との接着強度を高めるため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤を配合することができる。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどが好ましいものとして挙げられる。なお、カップリング剤の表面処理方法については特に制限されるものではないが、アミン系のシランカップリング剤のように150℃以上に放置した場合に熱樹脂が変色するものは好ましくない。
本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物は室温や熱時での強度向上や成形時のクラック抑制のために(F)補強材を配合することができる。
また、(A)成分のみを予めプレポリマー化し、冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して(B)成分の硬化促進剤や必要によりその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕してエポキシ樹脂組成物の成形材料とすることもできる。
<(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂>
(A−1−1):トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート(TEPIC−S:日産化学(株)製商品名、エポキシ当量100)
<(A−2)(A−1)以外の該当するエポキシ樹脂>
(A−2−1):固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂(jER−1001:三菱化学(株)製商品名、エポキシ当量475)
(A−2−2):固形ビスフェノールF型エポキシ樹脂(jER−4004P:三菱化学(株)製商品名、エポキシ当量900)
(A−2−3):固形脂環式エポキシ樹脂(EHPE−3150:ダイセル化学工業(株)製商品、エポキシ当量170)
<(A−3)酸無水物>
(A−3−1):メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(リカシッドMH:新日本理化(株)製商品名、酸無水物当量168)
(B−1)リン系硬化触媒;テトラ−n−ブチルホスホニウム−O,O−ジエチルホスホロジチオレート(ヒシコーリンPX−4ET:日本化学社製)
後記の表1に示す(A−1)、(A−2)及び(A−3)成分を同表に示す割合で配合し、85℃に加熱したゲートミキサー内にて6時間溶融混合してプレポリマー化させ、さらに(B)成分を加えて5分間溶融混合し、冷却固化させて粉砕することで目的とする粉体状のエポキシ樹脂組成物を得た。
後記の表1に示す(A−1)、(A−2)、(A−3)及び(B)成分を同表に示す割合で配合し、85℃に加熱したゲートミキサー内にて10分間溶融混合し、冷却させることで固形〜ペースト状のエポキシ樹脂組成物を得た。
上記のゲートミキサーによる溶融混合時の作業性を以下の基準で評価した。
○:冷却後、タブレット化が容易な組成物を得ることが出来た。
×:冷却後、タブレット化が困難な組成物しか得られなかった。
熱硬化性エポキシ樹脂をトランスファー成型した後の成形片を以下の基準で評価した。
○:成形後、成形片は無色透明であった。
×:成形後、透明ではあるが黄変していた。
JIS−K6911規格に準じた金型を使用して、成型温度175℃、成型圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で成形し、180℃、1時間ポストキュアーした。ポストキュアーした試験片を室温(25℃)または高温(260℃)にて、曲げ強度、曲げ弾性率を測定した。
EMMI規格に準じた金型を使用して、成型温度175℃、成型圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で成形し、180℃、1時間ポストキュアーした。ポストキュアーした試験片をTMA(TMA8310リガク(株)製)により測定した。
成型温度175℃、成型圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で、厚さ1mmのシート型硬化物を作成し、分光光度計U−4100(日立ハイテック社製)にて600nmの光透過率を測定した。
Claims (3)
- (A)(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂、(A−2)ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂、並びに(A−3)酸無水物硬化剤を、エポキシ基当量/酸無水物基当量 0.6〜2.0の割合で反応させて得られるプレポリマーと
(B)硬化促進剤
とからなる光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物。 - 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物の熱機械分析(TMA)によるガラス転移温度が、130℃以上である請求項1記載の光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または2に記載の光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子をトランスファー成型して封止してなる光半導体装置。
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