KR102004588B1 - 몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102004588B1
KR102004588B1 KR1020160016204A KR20160016204A KR102004588B1 KR 102004588 B1 KR102004588 B1 KR 102004588B1 KR 1020160016204 A KR1020160016204 A KR 1020160016204A KR 20160016204 A KR20160016204 A KR 20160016204A KR 102004588 B1 KR102004588 B1 KR 102004588B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
mold
pattern portion
plan
view
Prior art date
Application number
KR1020160016204A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160100255A (ko
Inventor
병진 최
마하데반 가나파시스브라마니안
나오키 무라사토
요시카즈 미야지마
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160100255A publication Critical patent/KR20160100255A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102004588B1 publication Critical patent/KR102004588B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

몰드는 패턴이 형성되는 패턴부, 및 오목부를 포함하고, 오목부는 패턴부의 이면에 형성되며 평면에서 볼 때 패턴부를 포함하는 크기를 갖는다. 패턴부의 에지는 평면에서 볼 때 대략 직사각형 형상을 갖는다. 오목부는 평면에서 볼 때 4개의 둥근 모서리를 갖는 대략 직사각형 형상을 갖는다. 패턴부의 에지의 변의 각 지점으로부터 오목부의 에지까지의 최단 거리는 일정하다.

Description

몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법{MOLD, IMPRINT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 몰드, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은 패턴이 형성된 몰드를 임프린트재가 도포된 기판에 대해 가압하면서 자외광 또는 열에 의해 임프린트재를 경화시킴으로써 패턴을 형성한다. 이 임프린트 기술은 포토리소그래피에서의 투영 렌즈와 같은 고가의 장치의 필요성을 제거하고 간단한 장치에 의한 패턴의 미세화를 가능하게 된다.
임프린트 기술에서, 몰드를 임프린트재에 대해 가압(압인)할 때, 기판 상의 임프린트재와 몰드 사이에 공기 공간이 남아 있는 경우, 몰드 패턴부를 임프린트로 충전할 수 없고, 따라서 패턴에 결함이 발생한다.
공기 공간을 방지하기 위해, 임프린트재를 투과하는 헬륨 등의 기체로 임프린트 공간을 충전하고, 몰드의 이면에 압력을 인가하여 몰드 패턴부를 하향 볼록 형상으로 변형시킴으로써 압인을 수행하는 기술이 공지되어 있다(미국 특허 출원 공개 제2008/0160129호). 이 기술에 따르면, 압인 시, 몰드를 몰드 패턴의 중심부로부터 임프린트재와 접촉시키고 기체를 패턴 외측으로 배출하도록 몰드를 이동시킴으로써, 어떠한 공기 공간을 남기지 않고 몰드 패턴부를 임프린트재로 충전할 수 있다.
임프린트재 경화 이후 몰드를 임프린트재로부터 분리(이형)할 때, 패턴 밀도에 따라서 밀착 강도가 변하고, 따라서, 몰드 이형 속도가 급격히 변한다. 이 변화는 패턴의 쓰러짐(fall)을 발생시킬 수 있다. 일본 특허 공개 제2010-221374호에서는, 몰드 이형 순간에 몰드의 이면에 인가되는 압력량을 패턴의 높은 밀도에 따라서 증가/감소시킴으로써 몰드 이형력 또는 몰드 이형 속도의 급격한 변화가 억제된다.
상술된 바와 같이, 임프린트 기술로서, 압인 및 몰드 이형 시 몰드 이면에 압력을 인가함으로써 패턴부를 하향 볼록 형상으로 변형시키기 위한 몰드 형상 및 임프린트 방법이 제공된다.
몰드 이면에 압력을 인가함으로써 패턴면이 하향 볼록 형상으로 변형될 때, 패턴면이 임프린트재와 접촉하는 타이밍은 패턴의 외부측을 향해 느려진다. 이 경우, 패턴 영역은 직사각형 형상을 갖는 반면 몰드의 하향 볼록 변형 형상의 등고선은 원형이기 때문에, 패턴의 중심으로부터 가장 먼 4개의 모서리부(corner portion)가 임프린트재와 접촉하게 되는 타이밍은 특히 느려진다. 따라서, 충전 시간의 지연으로 인해 생산성이 저하될 수 있거나 4개의 모서리부 위치의 배치에 따라서 미충전 결함이 발생할 수 있다.
임프린트재 경화 이후 몰드를 이형할 때, 일본 특허 출원 공개 제2010-221374호에서와 같이 몰드의 이면에 압력을 인가하여 몰드를 원형 볼록 형상으로 변형시킴으로써, 몰드 이형력이 저감되고 몰드 이형 속도의 변화가 억제된다. 그러나, 압인과 마찬가지로, 몰드의 원형 볼록 형상은 패턴 영역의 직사각형 형상과 상이하기 때문에, 효과를 최대화할 수 없고, 몰드 이형력 저감 및 몰드 이형 속도 제어가 곤란하다.
그로 인해, 현재의 압인, 및 몰드 이형에서의 몰드 변형 형상에 관해, 미충전이나 패턴의 쓰러짐과 같은 패턴 결함, 또는 충전 시간 지연에 의한 생산성 저하나 몰드 파손의 과제가 존재한다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 패턴 결함의 저감 및 생산성 향상 면에서 유리한 몰드, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드가 제공된다. 몰드는 패턴이 형성되는 패턴부, 및 패턴부의 이면에 형성되며 평면에서 볼 때 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고, 패턴부의 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고, 오목부는 패턴부의 직사각형 형상의 변을 따르는 측벽부를 포함한다.
본 발명이 추가 특징부는 (첨부 도면을 참조하여) 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2a 내지 도 2d 및 도 3a 내지 도 3c는 임프린트 시퀀스를 설명하는 도면.
도 4는 웨이퍼 상의 임프린트 순서를 설명하는 도면.
도 5a 내지 도 5b는 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 6a 및 도 6b는 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 7a 내지 도 7d는 압인 시의 동작을 설명하는 도면.
도 8a 및 도 8b는 제1 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 9는 제2 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 10은 제3 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 11은 제4 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 12는 제5 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 13a 내지 도 13c는 제5 실시예에 따르는 압인 도중 몰드 변형을 설명하는 도면.
도 14는 제6 실시예에 따르는 몰드 형상을 설명하는 도면.
도 15는 종래 예에 따르는 압인 도중 몰드 변형을 설명하는 도면.
도 16은 제6 실시예에 따르는 압인 도중 몰드 변형을 설명하는 도면.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 이하에서 상세히 설명될 것이다. 본 발명은 이하의 실시예들로 한정되지 않고, 이들 실시예는 단지 본 발명을 실행할 때 유리한 구체예인 점에 유의한다. 또한, 이하의 실시예에서 설명되는 특징부의 모든 조합예가 과제를 해결하기 위해 본 발명에 대해 필수적인 것은 아닌 점에 유의한다.
<제1 실시예>
도 1을 참조하여 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 개요가 설명될 것이다. UV 광(자외광)의 조사에 의해 수지를 경화시키는 UV 광-경화 임프린트 장치에 본 발명을 적용한 경우가 예시될 것이다. 또한, 본 발명은 다른 파장 영역을 갖는 광 조사에 의해 수지를 경화시키는 임프린트 장치, 및 다른 에너지(예를 들어, 열)를 사용하여 수지를 경화시키는 임프린트 장치에 적용 가능하다는 점에 유의한다.
임프린트 장치(100)는 임프린트 사이클을 반복함으로써 기판의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성하도록 구성된다. 하나의 임프린트 사이클은 임프린트재로서 수지에 대해 몰드가 가압된 상태에서 수지를 경화시킴으로써 기판에 하나의 샷 영역에 패턴을 형성하는 사이클이다.
기판 미동 스테이지(2)는 기판(1)을 XY 방향 및 XY 면 내 회전 방향으로 미소량(예를 들어, XY 방향으로 대략 1mm, XY 면 내 회전 방향으로 대략 몇 도)만큼 구동시킬 수 있는 스테이지이다. 기판 조동 스테이지(3)는 기판(1)을 XY 방향으로 크게 이동시키는 스테이지이고, 서로 직교하는 방향으로 기판의 전체면에 걸쳐 임프린트 영역을 기판(1)의 반입/반출 위치로부터 이동시킬 수 있다. 임프린트 장치의 베이스 프레임(4)은 기판 미동 스테이지(2) 및 기판 조동 스테이지(3)를 보유한다.
3차원 패턴이 몰드(5)의 표면에 형성되고, 몰드(5)와 기판(1) 사이에 임프린트재(미경화 수지)를 삽입함으로써 기판(1)에 전사된다. 구동 디바이스(5a)는 몰드(5)를 상하로 구동하는 장치이고, 기판 상의 미경화 수지에 몰드(5)를 가압하는 동작을 수행한다. 자외광 발생기(6)는 몰드(5)를 개재해서 미경화 수지를 자외광으로 조사함으로써 수지를 경화시킨다. 자외광 발생기(6)는, i-선 또는 g-선을 발생시키는 할로겐 램프 등의 광원, 및 광원으로부터 방출된 광을 집광 성형하는 기능을 포함한다.
디스펜서(7)는 미경화 수지의 작은 액적을 형성하고 액적을 토출함으로써 기판에 소정의 양의 수지를 도포할 수 있다. 미경화 수지는 탱크(8)에 저장되고, 배관(9)을 개재해서 디스펜서(7)에 공급된다. 이동 디바이스(10)는 디스펜서(7)를 토출 위치와 퇴피 위치(유지보수 위치) 사이에서 이동시킨다. 통상 토출 동작시, 이동 디바이스(10)는 디스펜서(7)를 토출 위치에 위치 설정한다. 디스펜서(7)를 유지보수할 때, 이동 디바이스(10)는 디스펜서(7)를 퇴피 위치로 이동시킨다.
얼라인먼트 스코프(11)는 디스펜서(7)가 미경화 수지를 기판 상에 토출 및 도포한 이후 몰드(5)의 패턴과 기판(1)의 패턴을 정렬하는데 사용되는 현미경이다. 얼라인먼트 스코프(11)는 몰드(5)에 형성된 얼라인먼트 마크와 기판 상의 얼라인먼트 마크 사이의 중첩 상태를 계측하고, 이에 의해 몰드(5) 및 기판을 정렬한다. 정반(12)은 상술된 몰드(5), 구동 디바이스(5a), 자외광 발생기(6), 디스펜서(7), 탱크(8), 이동 디바이스(10), 및 얼라인먼트 스코프(11)를 지지 및 고정한다.
일반적으로, 본 실시예에 따르는 임프린트 장치(100)의 구성은 상술된 바와 같다. 임프린트 장치(100)의 동작이 도 2a 내지 도 2d 및 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명될 것이다.
도 2a에서, 기판(1)이 기판 미동 스테이지(2) 및 기판 조동 스테이지(3)에 장착된다. 도 2b에서, 기판 미동 스테이지(2) 및 기판 조동 스테이지(3)는 기판을 디스펜서(7) 아래로 이동시킴으로써 기판(1)을 정렬한다. 도 2c에서, 디스펜서(7)는 소정량의 수지를 기판 상에 도포한다. 도 2d에서, 얼라인먼트 스코프(11)는 기판 미동 스테이지(2)를 사용하여 몰드(5)의 얼라인먼트 마크 및 기판(1) 상의 얼라인먼트 마크를 중첩하고, 이에 의해 몰드(5) 및 기판(1)의 상대 위치를 조정한다.
도 3a에서, 구동 디바이스(5a)는 몰드(5)를 기판(1)을 향해 아래 방향으로 이동시키고, 기판(1) 상의 미경화 수지에 몰드(5)의 패턴부를 가압하고, 이에 의해 패턴을 전사한다. 도 3b에서, 자외광 발생기(6)는 자외광(6a)을 위쪽으로부터 조사한다. 미경화 수지는 몰드(5)를 통과한 자외광(6a)에 의해 조사된다. 이 단계에서, 미경화 수지가 경화된다. 도 3c에서, 몰드를 상향 분리(이형)함으로써 패터닝된 수지층이 기판(1) 상에 형성되고, 임프린트 동작이 종료된다.
기판에 몰드의 패턴을 복수회 임프린트하는 임프린트 장치는 도 4에 도시된 바와 같이 연속 샷(No. 1, 2, 3, ...)의 순서대로 기판(1)에 대해 상기 단계들을 포함하는 임프린트 동작을 반복한다.
몰드 주위의 구성 및 압인 시의 동작이 도 5a 내지 도 5b, 도 6a 내지 도 6b, 도 7a 내지 도 7d, 도 8a 내지 도 8b를 참조하여 설명될 것이다.
도 5a는 몰드(5)의 이면을 도시하는 도면이고, 도 5b는 몰드(5) 및 그 주연부를 도시하는 단면도이다. 몰드(5)는 예를 들어, 6인치 레티클(세로 152mm × 가로 152mm × 두께 6.35mm, 재질: 석영)이다. 6인치 레티클이 여기에 예시되었으나, 본 발명은 특정 크기나 재질로 한정되지 않는다. 몰드(5)의 이면은 몰드 척(5h)에 의해, 진공 흡착, 베르누이(Bernoulli) 흡착 등에 의해 흡착 및 보유된다. 몰드(5)는 이면을 가공함으로써 소정의 형상으로 만입된 오목부(5e)를 갖는다. 이는 이면을 가공함으로써 남게 되는 박육부(5c)를 형성한다. 오목부(5e)는 패턴부(5b)를 포함하는 크기를 갖는다. 패턴부(5b)는 평면에서 볼 때 몰드(5)의 표면 중심 및 박육부(5c)의 중심에 위치설정된다.
몰드(5)는 몰드 척(5h)에 의해 흡착될 때 폐쇄 공간(5d)을 형성한다. 가압/감압 기구(5g)가 배관을 개재해서 폐쇄 공간(5d)에 연결되고, 폐쇄 공간(5d)을 원하는 압력으로 제어할 수 있다. 제어되는 압력은 예를 들어 -30kPa 내지 30kPa의 게이지 압력이지만, 변형되는 몰드의 변형량 및 패턴의 과밀에 따라서 몰드의 흡착력의 범위 내에서 자유롭게 설정되고, 이에 의해 가압/감압 기구를 선정할 수 있다. 가압/감압 기구(5g) 내부에는 압력을 제어하기 위해 압력 센서가 배열되지만, 보다 고정밀도로 제어할 수 있도록 폐쇄 공간(5d) 내에 배열될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 폐쇄 공간(5d)에 압력을 인가함으로써 몰드(5)가 변형되는 경우를 도시한다. 도 6a에 도시된 상태에서 압력이 폐쇄 공간(5d)에 인가됨으로써, 도 6b에 도시된 바와 같이, 몰드(5)는 체적이 증가하는 방향으로 변형되고, 박육부(5c) 및 패턴부(5b)는 하향 볼록 형상으로 변형된다.
도 7a 내지 도 7d를 참조하여 압인 시의 동작이 설명될 것이다. 도 7a는 도 2b에 도시된 단계에서 임프린트재가 기판 상에 도포된 이후 몰드가 하향 볼록 형상으로 변형된 상태에서, 구동 디바이스(5a)가 몰드를 아래쪽으로 방향으로 이동시켜 임프린트 동작을 수행하는 경우를 도시한다. 임프린트 동작은 먼저 패턴부(5b)가 기판(1) 상의 임프린트재(1a)에 접촉한다. 그 후, 접촉부가 외측을 향해 넓어지고, 임프린트재(1a)는 패턴부(5b)의 전체 영역에 접촉하고, 이에 의해 충전이 수행된다.
도 7b는 기판(1)이 임프린트재와 접촉한 상태에서 임프린트재가 자외광에 의해 경화되기 전에 수행되는 얼라인먼트 동작을 도시한다. 더 구체적으로, 얼라인먼트 스코프(11)는 몰드(5)의 얼라인먼트 마크가 기판(1) 상의 얼라인먼트 마크와 중첩되도록 기판 미동 스테이지(2)를 조정한다.
도 7c는 자외광 발생기(6)에 의해 자외광(6a)을 위쪽으로부터 조사하는 동작을 도시한다. 미경화 수지는 몰드(5)를 통과한 자외광(6a)에 의해 조사된다. 이 단계에서, 미경화 수지가 경화된다.
도 7d는 몰드(5)를 위쪽으로 분리 및 퇴피(이형)하는 동작을 도시한다. 이 동작에서, 패턴의 외측으로부터 몰드가 임프린트재로부터 분리되기 시작한다. 이 순간, 폐쇄 공간(5d)의 압력이 조정된다. 이는 몰드의 하향 볼록 변형 형상을 변경하고, 따라서 분리가 진행하는 속도, 분리가 진행하는 영역, 및 분리에 동반한 몰드 이형력의 증가/감소를 제어할 수 있다. 몰드가 완전히 분리 및 퇴피될 때, 임프린트 동작이 종료된다.
도 8a 내지 도 8b는 몰드를 도시하는 상면도, 단면도, 및 사시도의 예를 각각 도시한다. 도 8a는 종래 예에 따르는 몰드를 도시하고, 도 8b는 본 실시예에 따르는 몰드를 도시한다. 파선(5ca 또는 5cb)은 압력을 인가함으로써 오목부(5e)가 변형될 때 변형된 형상을 나타내는 등고선이다. A-A선을 따르는 각각의 단면도는 파선에 의해 하향 볼록 변형 형상을 나타낸다. 패턴부(5b)는 일반적으로 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖는다. 이에 대해, 도 8a에 도시된 바와 같이, 종래 예에 따르는 몰드에서, 오목부(5e)는 평면에서 볼 때 원 형상을 갖는다. 따라서, 압력 인가시 형상은 원 형상의 등고선을 그리는 형상이다. 패턴부(5b)의 영역에서, 4개의 모서리부에서의 +Z 방향의 변위량이 제일 적다.
한편, 본 실시예에 따르는 몰드에서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 오목부(5e)는 패턴부(5b)의 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 측벽부(5f)를 갖는다. 따라서, 오목부(5e)의 에지는 패턴부(5b)의 형상과 유사한 직사각형 형상을 갖는다. 측벽부는 오목부(5e)의 에지가 4개의 둥근 모서리를 갖는 대략 직사각형 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 오목부(5e)의 4개의 둥근 모서리의 중심이 패턴부(5b)의 모서리로서 설정되는 경우, 패턴부(5b)의 전체 에지 상의 각각의 지점으로부터 오목부(5e)의 측벽부까지의 최단 거리는 일정하게 설정될 수 있다. 패턴부(5b)의 주연부의 각각의 지점에서의 오목부(5e)의 변형량은 서로 동일하다. 압력 인가시의 형상은 직사각형 형상의 등고선을 그리는 형상이 된다. 이는 패턴의 주연부에서 패턴부(5b)의 영역의 4개의 모서리부에서의 +Z 방향의 변형량을 균일하게 할 수 있다. 본 실시예에서, 몰드의 오목부(5e)(박육부)를 형성하는 가공이, 다이아몬드 등의 하드 그라인딩 공구를 이용하여 그라인딩하거나 연마 재료를 분무하는 단계를 포함하는 샌드블라스팅에 의해 행해진다. 동일한 가공이 이하의 실시예에서 오목부에 수행될 수 있다.
<제2 실시예>
이어서, 제2 실시예가 설명될 것이다. 임프린트 장치의 구성 및 임프린트 동작은 제1 실시예(도 1 내지 도 8b)와 마찬가지이다.
도 9는 제2 실시예에 따르는 몰드의 상면도, 단면도 및 사시도를 각각 도시한다. 패턴부(5b)의 중심으로부터 이의 에지까지 X 및 Y 방향의 길이는 각각 5ba 및 5bb로 표시된다. 패턴부(5b)의 에지로부터 오목부(5e)의 에지까지 X 및 Y 방향의 길이는 각각 5ea 및 5eb로 표시된다. 패턴부(5b)의 X 방향의 길이(5ba)가 패턴부(5b)의 Y 방향의 길이(5bb)와 상이한 경우, 오목부(5e)의 길이(5ea 및 5eb)는 패턴부의 길이에 비례하도록 설정된다. 이는 압력 인가시 형상의 등고선 간격을 패턴의 가로 세로 길이에 비례하도록 설정하고, 이에 의해 패턴 주연부의 세로 응고선 차이와 가로 응고선 차이 사이의 차이를 억제할 수 있다. 더 엄밀하게는, 패턴부의 4개의 모서리에서의 +Z 방향의 변형량이 패턴의 주연부에서 서로 동일한 형상이 형성될 수 있다.
<제3 실시예>
이어서, 제3 실시예가 설명될 것이다. 임프린트 장치의 구성 및 임프린트 동작은 제1 실시예(도 1 내지 도 8b)와 마찬가지이다.
도 10은 제3 실시예에 따르는 몰드의 상면도, 단면도 및 사시도를 각각 도시한다. 평면에서 본 오목부(5e)의 형상은 예를 들어 원 형상이다. 평면에서 본 오목부(5e)의 형상은 직사각형 형상일 수 있다. 오목부(5e)의 내부에는, 측벽부(5f)로서 두께를 갖는 제1 강성부(5cA 및 5cB)가 패턴부(5b) 외측에서 패턴부(5b)의 직사각형 형상의 각각의 변을 따라서 형성된다. 제1 강성부(5cA 및 5cB)는 상이한 두께를 가질 수 있다. 패턴부(5b)의 4변부가 제1 강성부(5cA 및 5cB)에 의해 강도를 갖도록 함으로써, 압력의 인가시 측부는 4개의 모서리부 및 패턴부에 비해 변형이 어렵다. 따라서, 가압 시 형상은 등고선(5ca)에 의해 지시되는 직사각형 형상이 된다. 강성부(5cA 및 5cB)를 형성하는 대신, 형상은 4개의 모서리부의 두께만 얇도록 형성될 수 있다. 4변의 두께를 4개의 모서리부의 두께와 상이하게 함으로써, 압력의 인가시 직사각형 형상으로의 변형이 가능하게 된다.
<제4 실시예>
이어서, 제4 실시예가 설명될 것이다. 임프린트 장치의 구성 및 임프린트 동작은 제1 실시예(도 1 내지 도 8b)와 마찬가지이다.
도 11은 제4 실시예에 따르는 몰드의 상면도, 단면도 및 사시도를 각각 도시한다. 도 11에서, 오목부(5e)의 개구는 대략 직사각형 형상이다. 개구는 원 형상 또는 다른 기하 형상을 가질 수 있는 점에 유의한다. 제3 실시예에서와 같이, 오목부(5e) 내에는, 각각 두께를 갖는 제1 강성부(5cA 및 5cB)가 패턴부(5b) 외측의 각각의 변을 따라서 형성된다. 또한, 패턴부(5b)의 4개의 모서리 외측에 제2 강성부(5cC)가 형성될 수 있다. 각각의 제2 강성부(5cC)의 상면은 B-B 선을 따르는 단면 및 Ｂ'-Ｂ' 선을 따르는 단면에서 도시된 바와 같이, 오목부의 모서리를 향해 강성부의 높이가 낮아지도록 경사진다. 즉, 제2 강성부(5cC)는 오목부의 모서리를 향해 낮은 강성을 갖는다. 이는 압력 인가시 형상을 등고선(5ca)와 같은 직사각형 형상으로 더욱 정확하게 형성할 수 있다. 따라서, 4개의 모서리부의 두께를 점차 변화시킴으로써 형상을 직사각형 형상으로 보다 정확하게 변형할 수 있다.
<제5 실시예>
이어서, 제5 실시예에 대해서 설명한다. 임프린트 장치의 구성 및 임프린트 동작에 대해서는, 제1 실시예(도 1 내지 도 8 b)과 마찬가지이다.
도 12에 제5 실시예에 관한 몰드의 상면도, 단면도 및 사시도를 나타낸다. 도 12에서, 오목부(5e)의 개구는 대략 직사각형 형상이다. 개구는 원 형상 또는 다른 기하 형상을 가질 수 있는 점에 유의한다. 도 12에서, 오목부(5e)의 저부는 패턴부(5b)의 중앙을 향해 그 높이가 낮아지는 경사부(5cD)를 포함한다. 즉, 오목부(5e)의 저부는 경사부(5cD)에 의해 패턴부(5b)를 향해서 얇은 두께를 갖도록 형성된다. 두께 변화를 나타내는 등고선은 직사각형 형상을 갖는다. 이는 압력의 인가시 패턴부의 변형 형상을 직사각형 형상으로 형성할 수 있다.
또한, 임프린트 동작 시 임프린트재로부터의 반력에 의한 패턴부의 변형을 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 이는 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 설명될 것이다. 도 13a 내지 도 13c는 압인 시의 패턴부(5b)의 변형을 도시한다. 도 13a는 본 실시예에 따르는 압인 전의 몰드(5)의 상태를 도시한다. 본 실시예에서, 상술된 바와 같이, 패턴부의 중앙을 향해서 경사지는 경사부(5cD)가 포함된다.
도 13b는 종래 예를 도시한다. 종래 예에서, 도 13a에서와 같은 경사부가 존재하지 않는다. 종래 예에서, 패턴부(5b)는 압인 직전에 몰드의 이면에 압력을 인가함으로써 하향 볼록 형상으로 변형된다. 압인 도중, 패턴부(5b)는 임프린트재로부터의 반력에 의해 변형된다. 이때, 패턴부(5b)와 패턴부 주변의 박육부 내에 낮은 강성을 갖는 부분은 크게 변형된다. 종래 예에서, 박육부의 강성이 가장 낮기 때문에, 박육부에 가까운 패턴부 주연 영역이 크게 변형된다. 패턴 영역 내에서 Z 방향의 변형 편차가 발생하기 때문에, 압인 이후 경화된 임프린트재의 두께 편차가 패턴 내에 발생한다. 임프린트재의 두께 편차는 웨이퍼의 후속-공정에서의 에칭 이후 잔류 오차가 되고, 이에 의해 패턴 결함의 요인이 될 수 있다.
이에 대해, 본 실시예에서, 도 13c에 도시된 바와 같이, 경사부(5cD)는 패턴부 중심 영역의 강성을 감소시키고, 이에 의해 중심 영역의 강성과 패턴의 주연부의 강성 사이의 차이를 감소시킬 수 있다. 이는 압인 시의 반력에 의한 패턴 내의 변형을 균일화하고, 패턴 내의 Z 방향의 변형 편차를 저감할 수 있다.
상술된 바와 같이, 도 12에 도시된 몰드의 형상에 의하면, 압력 인가시 패턴부를 직사각형의 볼록 형상으로 변형시키고, 압인 시 임프린트재로부터의 반력에 의해 발생되는 패턴 내의 변형 편차를 저감시킬 수 있다.
<제6 실시예>
제6 실시예가 설명될 것이다. 임프린트 장치의 구성 및 임프린트 동작은 제1 실시예(도 1 내지 도 8b)와 마찬가지이다.
도 14는 제6 실시예에 따르는 몰드의 상면도, 단면도 및 사시도를 각각 도시한다. 도 14에서, 오목부(5e)의 개구는 대략 직사각형 형상이다. 개구는 원 형상이나 다른 기하 형상을 가질 수 있는 점에 유의한다. 도 14에서, 오목부(5e)의 저부는 패턴부(5b)의 중심부를 향해 높이가 높아지는 경사부(5cE)를 포함한다. 즉, 오목부(5e)의 저부는 경사부(5cE)에 의해 패턴부 외측의 박육부보다 패턴부의 중심부에서 더 두꺼운 두께를 갖도록 형성된다. 경사부(5cE)의 구배는 단지 직선형이거나 또는 곡선 등의 조합에 의해 패턴부 외측의 박육부보다 두꺼우면 된다는 점에 유의한다. 패턴 영역의 중심부를 향해 두께를 증가시킴으로써, 압인 및 몰드 이형 시 임프린트재로부터의 반력에 의해 발생되는 패턴 영역 중심부의 변형을 저감할 수 있다. 압인 전에 몰드에 압력을 인가하고 몰드를 하향 볼록 형상으로 변형시킴으로서 몰드의 중심으로부터 몰드를 임프린트재와 접액시키는 것이 필요하지만, 또한 압인 및 몰드 이형 시 변형 왜곡을 억제하는 것이 필요하다. 따라서, 패턴부 외측의 박육부의 두께를 얇게 유지하면서 패턴부의 중심 영역의 두께만 증가시킴으로써 상기 조건들 모두를 실행할 수 있다.
도 15는 종래 몰드의 압인 및 이형시 몰드 변형의 예를 도시한다. 압인 직전에 몰드의 이면에 압력이 인가되어 패턴부(5b)를 하향 볼록 형상으로 변형하고, 몰드는 기체를 배출하도록 패턴부 중심부로부터 웨이퍼 상의 임프린트재와 접액된다. 이 후, 몰드 이형 도중 패턴부는 하향 볼록 형상으로 변형되고, 몰드는 패턴부 외측으로부터 이형된다. 패턴부의 변형이 필요로 하는 것보다 많은 경우, 패턴의 쓰러짐 등의 결함이 발생한다. 따라서, 패턴부에서의 몰드 변형을 저감할 필요가 있다. 또한, 변형이 큰 경우, 몰드 중심부의 변형이 크고, 몰드 중심부의 몰드 패턴이 파손될 수 있다.
도 16은 본 실시예에 따르는 압인 및 몰드 이형 시 몰드의 변형을 도시한다. 압인 직전에, 압력이 몰드의 이면에 인가되어 패턴부(5b)를 하향 볼록 형상으로 변형시킨다. 이때, 패턴 영역부는 종래 예에서 보다 두껍기 때문에, 변형량을 압인 시 기체를 배출하는 최소한으로 억제하고 패턴부가 가능한 편평한 형상에 가까운 형상을 갖도록 함으로써 패턴의 4개의 모서리부의 충전 지연을 감소시킬 수 있다. 몰드 이형 도중, 패턴부의 강성이 높기 때문에, 종래 예에 비해, 패턴부의 변형을 억제하고 패턴의 쓰러짐 등의 결함을 저감할 수 있다. 게다가, 몰드 중심부 이형시 변형량이 억제될 수 있기 때문에, 몰드 중심부의 파손이 또한 억제될 수 있다. 상술된 바와 같이, 본 실시예에서, 패턴부의 두께를 패턴부 주변의 박육부보다 두껍게 함으로써 압인 시의 충전 지연, 및 몰드 이형 시의 패턴의 쓰러짐, 몰드 파손을 감소시키는 효과를 얻을 수 있다.
상술된 여러 실시예에 따르면, 압인 시 패턴부의 4개의 모서리부의 충전 속도가 증가하고 따라서 생산성을 향상하는 효과를 얻을 수 있다. 미충전 영역을 감소시키는 것은 패턴 결함을 감소시키는 효과를 생성한다. 추가로, 몰드 이형 시, 몰드 이형력 저감 및 몰드 이형 속도의 제어를 행할 수 있고, 이에 의해 패턴의 쓰러짐 등의 결함 및 몰드에 대한 파손을 감소시킬 수 있다. 따라서, 이들 실시예에 따르면, 패턴 결함의 저감 및 생산성 향상의 효과가 획득된다.
<물품의 제조 방법>
본 발명의 실시예에 따르는 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 이 제조 방법은 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 주지의 단계(예를 들어, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 임프린트재 박리, 다이싱, 본딩, 패키징)를 추가로 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르는 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나의 면에서 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 제한되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 그러한 변경예 및 등가적 구조예 및 기능예 모두를 포함하도록 가장 광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드이며,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는, 제1 측벽과, 평면에서 볼 때 상기 제1 측벽으로부터 내측에 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 제2 측벽부를 포함하고,
    상기 각각의 제2 측벽부는, 상기 오목부의 저면 상에, 상기 제1 측벽과 상기 각각의 제2 측벽부 사이에 형성된 제1 강성부의 단차 상에 형성되고,
    상기 제1 강성부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 모서리 외측의 부분보다 두꺼운, 몰드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 오목부는, 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 4개의 모서리 각각의 외측에, 상기 오목부의 저면 상에, 상기 오목부의 모서리를 향해 강성이 낮아지는 제2 강성부를 더 포함하는, 몰드.
  6. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드이며,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 측벽부를 포함하고,
    상기 오목부의 저부는 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 낮아지는 경사부를 포함하고,
    상기 경사부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 4개의 변으로부터 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 낮아지는 4개의 부분을 포함하는, 몰드.
  7. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드이며,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 측벽부를 포함하고,
    상기 오목부의 저부는 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 높아지는 경사부를 포함하고,
    상기 경사부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 4개의 변으로부터 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 높아지는 4개의 부분을 포함하는, 몰드.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드는,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는, 제1 측벽과, 평면에서 볼 때 상기 제1 측벽으로부터 내측에 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 제2 측벽부를 포함하고,
    상기 각각의 제2 측벽부는, 상기 오목부의 저면 상에, 상기 제1 측벽과 상기 각각의 제2 측벽부 사이에 형성된 제1 강성부의 단차 상에 형성되고,
    상기 제1 강성부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 모서리 외측의 부분보다 두꺼운, 임프린트 장치.
  11. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드는,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 측벽부를 포함하고,
    상기 오목부의 저부는 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 낮아지는 경사부를 포함하고,
    상기 경사부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 4개의 변으로부터 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 낮아지는 4개의 부분을 포함하는, 임프린트 장치.
  12. 패턴을 갖고 임프린트재에 상기 패턴을 전사하도록 구성된 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드는,
    상기 임프린트재에 전사될 상기 패턴이 형성되는 패턴부, 및
    상기 패턴부가 형성되는 면의 반대측에 형성되며 평면에서 볼 때 상기 패턴부를 포함하는 크기를 갖는 오목부를 포함하고,
    상기 패턴부의 외측 에지는 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 갖고,
    상기 오목부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 각각의 변을 따르는 각각의 측벽부를 포함하고,
    상기 오목부의 저부는 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 높아지는 경사부를 포함하고,
    상기 경사부는 평면에서 볼 때 상기 패턴부의 상기 직사각형 형상의 4개의 변으로부터 상기 패턴부의 중심을 향해 높이가 높아지는 4개의 부분을 포함하는, 임프린트 장치.
KR1020160016204A 2015-02-13 2016-02-12 몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법 KR102004588B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201514621822A 2015-02-13 2015-02-13
US14/621,822 2015-02-13
US15/003,171 US10409156B2 (en) 2015-02-13 2016-01-21 Mold, imprint apparatus, and method of manufacturing article
US15/003,171 2016-01-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160100255A KR20160100255A (ko) 2016-08-23
KR102004588B1 true KR102004588B1 (ko) 2019-07-26

Family

ID=56620743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160016204A KR102004588B1 (ko) 2015-02-13 2016-02-12 몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10409156B2 (ko)
JP (1) JP6700820B2 (ko)
KR (1) KR102004588B1 (ko)
CN (1) CN105892230B (ko)
TW (1) TWI623411B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6946940B2 (ja) * 2017-10-31 2021-10-13 大日本印刷株式会社 インプリントモールドおよびインプリントモールド形成用ブランクならびにパターン転写体の製造方法
JP6983091B2 (ja) * 2018-03-19 2021-12-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
JP7134725B2 (ja) * 2018-06-11 2022-09-12 キヤノン株式会社 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法
JP7171394B2 (ja) * 2018-11-29 2022-11-15 キヤノン株式会社 成形装置、成形方法、および物品の製造方法
US11018018B2 (en) * 2018-12-05 2021-05-25 Canon Kabushiki Kaisha Superstrate and methods of using the same
JP7408305B2 (ja) * 2019-06-24 2024-01-05 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、および物品の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040200368A1 (en) * 2003-03-20 2004-10-14 Masahiko Ogino Mold structures, and method of transfer of fine structures
US20100123268A1 (en) 2008-11-19 2010-05-20 Etienne Menard Printing Semiconductor Elements by Shear-Assisted Elastomeric Stamp Transfer
US20110272838A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Matt Malloy Apparatus, System, and Method for Nanoimprint Template with a Backside Recess Having Tapered Sidewalls
US20120267826A1 (en) 2010-01-07 2012-10-25 Richell Corporation Mold for producing microproduct and method of producing microproduct
US20130187309A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Stamp, method of fabricating the stamp, and imprint method using the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4172419A (en) * 1977-12-05 1979-10-30 Munyon Gary D Pre-linked stamp construction
US6495235B2 (en) * 2000-03-24 2002-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical disk, substrate of the same, and mold for forming the substrate
AU2001286573A1 (en) * 2000-08-21 2002-03-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based macro motion translation stage
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
JP2007245398A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Tokai Rika Co Ltd 型装置
US20100015270A1 (en) 2008-07-15 2010-01-21 Molecular Imprints, Inc. Inner cavity system for nano-imprint lithography
CN101767491B (zh) * 2008-12-30 2011-06-22 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 打标模具
JP4940262B2 (ja) 2009-03-25 2012-05-30 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法
JP5205407B2 (ja) * 2010-03-23 2013-06-05 株式会社東芝 テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP5938218B2 (ja) * 2012-01-16 2016-06-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法およびインプリント方法
JP6028413B2 (ja) * 2012-06-27 2016-11-16 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート
JP6069689B2 (ja) 2012-07-26 2017-02-01 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用テンプレート
JP6368075B2 (ja) 2013-06-26 2018-08-01 キヤノン株式会社 モールド
TWI511871B (zh) * 2014-05-23 2015-12-11 Benq Materials Corp 製備彩色隱形眼鏡之方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040200368A1 (en) * 2003-03-20 2004-10-14 Masahiko Ogino Mold structures, and method of transfer of fine structures
US20100123268A1 (en) 2008-11-19 2010-05-20 Etienne Menard Printing Semiconductor Elements by Shear-Assisted Elastomeric Stamp Transfer
US20120267826A1 (en) 2010-01-07 2012-10-25 Richell Corporation Mold for producing microproduct and method of producing microproduct
US20110272838A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Matt Malloy Apparatus, System, and Method for Nanoimprint Template with a Backside Recess Having Tapered Sidewalls
US20130187309A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Stamp, method of fabricating the stamp, and imprint method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016149547A (ja) 2016-08-18
JP6700820B2 (ja) 2020-05-27
TWI623411B (zh) 2018-05-11
US20160236400A1 (en) 2016-08-18
CN105892230A (zh) 2016-08-24
TW201632340A (zh) 2016-09-16
US10409156B2 (en) 2019-09-10
CN105892230B (zh) 2019-12-13
KR20160100255A (ko) 2016-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102004588B1 (ko) 몰드, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법
US9682510B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR102103288B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
TWI756856B (zh) 壓印裝置及物品的製造方法
JP2013138183A (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法、およびインプリント方法
JP2019067918A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP2012134214A (ja) インプリント装置、および、物品の製造方法
JP7210155B2 (ja) 装置、方法、および物品製造方法
JP6234207B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP7134055B2 (ja) 成形装置、および物品の製造方法
KR102301963B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP2019216143A (ja) 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法
TWI709161B (zh) 壓印裝置及物品的製造方法
US20150328827A1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP2022064288A (ja) チャックアセンブリ、平坦化プロセス、物品を製造する装置及び方法
KR20190071804A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법
KR102459132B1 (ko) 임프린트 방법 및 제조 방법
WO2016059745A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
US20230256664A1 (en) Imprint apparatus, foreign particle removal method, and article manufacturing method
JP7362429B2 (ja) 成形装置、成形方法、および物品の製造方法
US11972976B2 (en) Planarization system, planarization process, and method of manufacturing an article
JP7325232B2 (ja) 膜形成装置および物品製造方法
US20220352014A1 (en) Planarization system, planarization process, and method of manufacturing an article
JP2022002275A (ja) パターン形成方法、インプリント装置、及び物品の製造方法
KR20240020673A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant