JP5205407B2 - テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5205407B2 JP5205407B2 JP2010066517A JP2010066517A JP5205407B2 JP 5205407 B2 JP5205407 B2 JP 5205407B2 JP 2010066517 A JP2010066517 A JP 2010066517A JP 2010066517 A JP2010066517 A JP 2010066517A JP 5205407 B2 JP5205407 B2 JP 5205407B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- pattern
- region
- thickness
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24488—Differential nonuniformity at margin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
(テンプレートの構成)
図1(a)は、実施の形態に係るテンプレートの平面図であり、(b)は、(a)のI(b)−I(b)線で切断した断面図である。図1(a)は、パターンが形成されたテンプレート1の主面10側を示している。図1(b)は、図1(a)のI(b)−I(b)線で切断した断面の主面10が、図1(b)の下側になるように図示している。
図2(a)〜(f)は、実施の形態に係るテンプレートの製造方法の工程図である。まず、図2(a)に示すように、Si系基板である基板100を用意する。この基板100の厚さは、例えば、H1と同じ厚さである。
図3(a)〜(d)は、実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程図である。図3(a)〜(d)は、テンプレート1の撓みを説明するため、凹部22、23の形状等を誇張して図示している。
実施の形態に係るテンプレート1によると、パターン形状の欠陥を抑制することができる。上記のテンプレート1によると、厚肉部140と薄肉部160を形成しない場合と比べて、テンプレート1と硬化したレジスト膜32との分離が、テンプレート1に形成されたパターンの疎密に応じて徐々に行われるので、分離に必要な力が小さくなってパターン形状の欠陥を抑制し、良好なレジストパターン34を得ることができる。また、上記のテンプレート1によると、テンプレート1の反力が、パターンの疎密に応じた反力となるので、パターンの疎密に応じて分離の速度が異なってパターン形状の欠陥を抑制し、良好なレジストパターン34を得ることができる。
以下に、本発明の変形例について説明する。図4(a)〜(h)は、変形例に係るテンプレートの要部断面図である。図4(a)〜(f)は、凹部の寸法が同じで、間隔が異なる変形例である。図4(g)は、凹部の間隔が同じで、寸法が異なる変形例である。図4(h)は、凹部の寸法と間隔が異なる変形例である。これらの変形例は、実施の形態と同様の効果を有するものであるので、以下では、主に、実施の形態との違いを示す。また、以下では、実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分は、実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略する。
Claims (3)
- 主面に複数の凹部からなる第1のパターンが形成された第1の厚さを有する第1の領域と、
前記主面に前記第1のパターンの前記凹部とは間隔及び寸法の少なくとも一方が異なる複数の凹部からなる第2のパターンが形成され、前記主面の反対面である裏面の加工により前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する第2の領域と、
を備えたテンプレート。 - 主面に複数の凹部からなる第1のパターンが形成された第1の厚さを有する第1の領域と、前記主面に前記第1のパターンの前記凹部とは間隔及び寸法の少なくとも一方が異なる複数の凹部からなる第2のパターンが形成され、前記主面の反対面である裏面の加工により前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する第2の領域と、を形成することを含むテンプレートの製造方法。
- 請求項1に記載のテンプレートを用いた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066517A JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
US13/024,932 US20110237086A1 (en) | 2010-03-23 | 2011-02-10 | Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010066517A JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199163A JP2011199163A (ja) | 2011-10-06 |
JP5205407B2 true JP5205407B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=44656969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010066517A Expired - Fee Related JP5205407B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110237086A1 (ja) |
JP (1) | JP5205407B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5776491B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2015-09-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法 |
JP5983218B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-08-31 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP2015170828A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-28 | 富士フイルム株式会社 | プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法 |
JP6279430B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2018-02-14 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレート、テンプレート形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP6554778B2 (ja) * | 2014-10-10 | 2019-08-07 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びインプリントモールドの製造方法 |
US10409156B2 (en) * | 2015-02-13 | 2019-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and method of manufacturing article |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US648300A (en) * | 1899-01-20 | 1900-04-24 | William T Remmey | Metallic seal or stamp. |
JP4269745B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-05-27 | 株式会社日立製作所 | スタンパ及び転写装置 |
US20060177535A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement |
JP4612514B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-01-12 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体用スタンパ、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体用スタンパの製造方法 |
JP4581963B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2010-11-17 | Tdk株式会社 | スタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法 |
JP5050621B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-10-17 | 凸版印刷株式会社 | インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010066517A patent/JP5205407B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-10 US US13/024,932 patent/US20110237086A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110237086A1 (en) | 2011-09-29 |
JP2011199163A (ja) | 2011-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5205407B2 (ja) | テンプレートとその製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5395757B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2013168604A (ja) | ナノインプリント用モールドの製造方法 | |
JP6167609B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレート、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法、およびナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
JP5942551B2 (ja) | ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 | |
US20180119288A1 (en) | Template and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6102519B2 (ja) | テンプレート基板、テンプレートブランク、ナノインプリント用テンプレート、および、テンプレート基板の製造方法、並びに、テンプレート基板の再生方法 | |
KR20110046438A (ko) | 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 | |
JP6338938B2 (ja) | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 | |
CN110156343A (zh) | 覆板及其使用方法 | |
JP2012035578A (ja) | ナノインプリント用モールド | |
KR102052465B1 (ko) | 나노임프린트 몰드의 제조 방법 | |
CN112034540A (zh) | 微凸透镜阵列结构的加工方法 | |
JP7060836B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
JP2015111607A (ja) | パターン形成方法 | |
JP5421380B2 (ja) | モールド | |
JP6281592B2 (ja) | レプリカテンプレートの製造方法 | |
JP2019087678A (ja) | 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド | |
JP6221795B2 (ja) | インプリントモールドとこれを用いたインプリント方法およびインプリントモールドを製造するためのマスターモールド | |
JP4881413B2 (ja) | 識別マーク付きテンプレート及びその製造方法 | |
JP4646705B2 (ja) | 金型の製造方法及び成型品の製造方法 | |
JP6950224B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6972581B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6996333B2 (ja) | ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法 | |
JP6757241B2 (ja) | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110629 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5205407 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |