JP5050621B2 - インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 - Google Patents
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Description
また、複数回のリソグラフィ工程を行うことから、製造コストの増大を招きやすいという問題がある。
なお、本明細書において、「開口密度」とは、基板表面おける開口部の集積の度合いを示すものとして定義する。
本発明の構成によれば、樹脂層は開口部の上部に形成される。このとき、樹脂の一部は開口部を埋めることに用いられるため、樹脂層は自己形成的に開口部の開口密度に応じた三次元構造パターンを形成する。
よって、基板上の開口部の開口密度を制御することで、高さの異なる三次元構造パターンを形成することが出来る。
基板と、
前記基板上に設けた開口部と、
前記開口部を設けた基板表面上に積層された樹脂層と、を備え、
前記樹脂層は前記開口部の開口密度に応じた三次元構造パターンを形成している。
以下、樹脂層が自己形成的に、開口部の開口密度に応じた三次元構造パターンを形成することついて、図1を用いて具体的に一例を挙げながら説明を行う。
このとき、シリコン基板、石英基板、SOI基板、は、公知のリソグラフィ方法、エッチング方法を行うのに適していることが知られており、本発明に用いる基板として好ましい。
リソグラフィ方法を用いた場合、開口部は、公知の方法で一括に形成することが出来ることが知られているため、新規の設備投資を抑えつつ、精度良く、高さの異なる三次元構造パターンを形成するためのインプリントモールドを提供することが可能となる。
機械的強度が高い一体成形された複製層からなるインプリントモールドを製造することにより、同一のインプリントモールドで複数回のパターン形成が出来るため、生産性を高めることが可能となる。
本発明のインプリントモールド製造方法は、
局所的に開口密度を変化させたレジストパターンを面内に一括で形成するリソグラフィ工程と、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、基材表面に開口密度が局所的に異なる開口部を一括して形成する工程と、
前記凹凸構造を有する基材上に樹脂層を成膜し、前記開口部の開口密度に応じた三次元構造パターンを樹脂層に形成する工程と、を備える。
まず、基板に開口部を形成するためのレジスト膜を形成する。用いるレジスト膜、薄膜形成方法は、形成するレジストパターンに応じて、適宜公知の方法を用いて良い。図3(a)は、基材301上に、これをエッチングする際のマスクとなるレジスト膜302を成膜したものである。また、図4(a)に示すように、基材401に対してレジスト膜402がエッチングマスクとして不充分な場合、基材401とレジスト膜402の間に、別途保護膜を形成しても良い。
次に、上述したレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、基板に開口部を形成する。図3(c)に示したように、微細レジストパターン312をマスクとしてエッチングを実施し、基材301の表面に微細な凹凸パターン311を形成する。このとき、エッチング手法としては、所望のパターン形状が得られる方法であれば良く、例えば、誘導結合型プラズマなどを用いた異方性ドライエッチング、等方性ドライエッチング、化学的薬品を用いたウェットエッチングなどを用いても良い。パターン形状は特に限定されず、所望の構造に応じて最適なものを用いて良い。例えば、溝、ホール、ピラーなどのパターン形状であっても良い。
次に、樹脂層を成膜する。図3(e)に示すように、基材301表面の開口部パターン311上に、樹脂層304を成膜することで、開口部パターン311の描画密度に応じた階段状の構造を有する形状を得ることが出来る。樹脂層の成膜方法としては、適宜公知の薄膜形成方法を用いてよく、例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
スピンコート法を用いた場合、スピンコート時に作用する遠心力・重力・表面張力等(例えば、塗布する樹脂溶液の濃度・粘度、スピンコートの回転数、スピンコートの回転時間、ベーク温度、ベーク時間などのパラメータ)により、膜厚を厳密に制御することが出来るため、本発明のインプリントモールド製造方法の樹脂層の成膜工程に好適に用いることが出来る。
上述の工程を図3(f)〜(h)に示す。
複製層は原版となるインプリントモールドの形状を転写することが出来る材料であればよく、例えば、樹脂、金属などで形成して良い。図3(f)〜(h)では一例として、複製層を金属で形成する場合を示す。
金属としては、電解メッキ可能なものであれば良く、導電膜と併せて適宜選択して良い。つまり、導電膜305と複製層315は、同一材質で形成しても、異なる材質で形成しても良い。例えば、金属としてニッケルを用いて、ニッケルからなる複製層315を形成する場合、導電膜としてニッケルを用いても良い。
次に、樹脂層304から複製層315を剥離し、モールド325を製造する(図3(h))。剥離方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、機械的に剥離しても良い。
これにより、一つの原版から複数の複製層を製作できることになり、全体的な製造コストを低減することが可能となる。
基板から樹脂層を除去する工程は、選択した樹脂に応じて、適宜有効な剥離方法を用いれば良い。
以下、基材として石英を用い、4段の階段状構造を製作する実施例について、図4を用いて説明する。
このとき、レジストパターン412は、そのパターン開口密度により、412a〜dの4つの領域に分割され、412aは開口を全く設けない領域、412bは開口幅100nmの溝パターンを300nmピッチで等間隔に形成した領域、412cは開口幅200nmの溝パターンを300nmピッチで等間隔に形成した領域、412dは全域を描画して開口させた領域とし、パターン開口密度はそれぞれ0,33,67,100%とした。
図4(c)では、エッチングされたクロムパターン413上にレジストパターン412が残っているが、ドライエッチングの条件やエッチング深さによっては、レジストパターン412が消滅する場合が有る。この場合でも、クロムパターン413が石英エッチングのマスクとなるので、問題は生じない。一般に石英のドライエッチングでは、レジストマスクでは十分な選択比を得にくいことも有り、本実施例のようにクロム層を必要とすることが好ましい。また、基材として石英のような絶縁材を用い、本実施例のように電子線描画を行う場合、照射された電子線によって石英基材表面が帯電し、正常に描画できない問題が生じるが、これを避けるためにもクロム膜を用いる事が好ましい。
次に、硫酸、アンモニア水、過酸化水素水などを用いた複数の薬液を用いて洗浄を行い、石英基材401の表面に開口部411が形成された物を得た。開口部411は、レジストパターン412と同様に、開口密度がそれぞれ0,33,67,100%となる4つの領域411a〜dに分割されていた。
ニッケル層415の剥離が完全に行われず、PMMA膜404の一部がニッケルモールド425に付着する形で剥がれた場合、ニッケルモールド425を高温の水酸化カリウム(KOH)水溶液などで処理することにより、付着したPMMAを除去しても良い。
次に、再度図4(e)のPMMAスピンコート工程を行うことで、再度ニッケルモールド425を得ることが出来た。
以下、基材として石英を用い、基材としてシリコンウェハを用い、緩斜面状構造を製作する実施例について、図5を用いて説明する。
このとき、PMMAのスピンコート条件としては、開口部が無いシリコンウェハ上にコートした場合に、形成される膜の厚さが500nm〜1μm程度となるように、樹脂溶液の濃度や回転速度、回転時間などを調節する。PMMA膜504の表面には、微細溝511の開口密度に対応して凹凸が生じるため、図5(e)に示すような緩斜面状の形状が得られた。
次に、再度図5(e)のPMMAスピンコート工程を行うことで、再度ニッケルモールド525を得ることが出来た。
111b,111c,211a,211b,311,311a,311b,311c,311d……基材表面に形成された開口部
302……レジスト膜
312,312a,312b,312c,312d,412,412a,412b,412c,412d,511……微細レジストパターン
104a,104b,104c,204a,204b,304……開口部上に塗布した樹脂層
114b,114c……開口部上に塗布した樹脂層の凹み部
305……導電薄膜層
315……金属複製層
325……モールド
401……石英基材
411,411a,411b,411c,411d……石英基材表面に形成された開口部
402,502……電子線レジスト膜
403……クロム薄膜
413……クロム微細パターン
404,504……PMMA膜
405,505……ニッケル薄膜
415,515……ニッケル複製層
425,525……ニッケルモールド
501……シリコンウェハ
Claims (7)
- 高さの異なる三次元構造パターンを形成するためのインプリントモールドであって、
基板と、
前記基板上に設けた開口部と、
前記開口部を設けた基板表面上に積層された樹脂層と、を備え、
前記樹脂層の厚さが、前記開口部の開口密度が低いほど厚く、前記開口部の開口密度が高いほど薄くなるようにすることで、前記樹脂層表面の高さが変化する三次元構造パターンを形成していることを特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1に記載のインプリントモールドであって、
開口部は、基板表面上の任意の方向に開口密度が連続的に変化する開口部であることを特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1に記載のインプリントモールドであって、
基材表面の全領域を任意の広さ、形状のブロックに分割し、
各々の前記ブロック内では開口部の開口密度を一定とし、
各々の前記ブロック間では開口部の開口密度を変化させること
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1から3のいずれかに記載のインプリントモールドを原版とし、転写加工成形を行うことにより製造されたインプリントモールド。
- 高さの異なる三次元構造パターンを形成するインプリントモールド製造方法であって、
局所的に開口密度を変化させたレジストパターンを面内に一括で形成するリソグラフィ工程と、
前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、基材表面に開口密度が局所的に異なる開口部を一括して形成する工程と、
前記凹凸構造を有する基材上に樹脂層を成膜し、前記樹脂層の厚さが、前記開口部の開口密度が低いほど厚く、前記開口部の開口密度が高いほど薄くなるようにすることで、前記樹脂層表面の高さが変化する三次元構造パターンを樹脂層に形成する工程と、
を備えたことを特徴とするインプリントモールド製造方法。 - 請求項5に記載のインプリントモールド製造方法であって、
更に、
三次元構造パターンを有する樹脂層に、複製層を形成する工程と、
前記樹脂層と前記複製層とを剥離し、複製層からなるインプリントモールドを製造する工程と、
を備えたことを特徴とするインプリントモールド製造方法。 - 請求項6に記載のインプリントモールド製造方法であって、
更に、
複製層を剥離した後、基板から樹脂層を除去する工程と、
前記樹脂層を剥離した基板に再度樹脂層を成膜する工程と、
再度成膜した樹脂層に、再度複製層を形成する工程と、
再度成膜した樹脂層と再度形成した複製層とを剥離し、再度複製層からなるインプリント
モールドを製造する工程と、
を備えたことを特徴とするインプリントモールド製造方法。
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Families Citing this family (5)
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JP2010113270A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toppan Printing Co Ltd | 微小立体構造の製造方法及びそれに用いる露光用マスク |
FR2942739B1 (fr) * | 2009-03-03 | 2011-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression |
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JP5661597B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持体の再生方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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