KR101997295B1 - 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원, 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법 - Google Patents

자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원, 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

자외광 생성용 타겟(20)은 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판(21)과, 기판(21)상에 마련되고, 전자선을 수신하여 자외광을 생성하는 Pr：LuAG 다결정막(22)을 구비한다. Pr：LuAG 다결정을 타겟으로서 이용함으로써, Pr：LuAG 단결정막을 이용했을 경우보다도 현저하게 자외광 발생 효율을 높일 수 있다.

Description

자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원, 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법{ULTRAVIOLET LIGHT GENERATING TARGET, ELECTRON-BEAM-EXCITED ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE, AND METHOD FOR PRODUCING ULTRAVIOLET LIGHT GENERATING TARGET}
본 발명은 자외광(紫外光) 생성용 타겟, 전자선 여기(勵起) 자외광원, 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, PET 장치에 이용되는 신틸레이터(scintillator)의 재료로서, 프라세오디뮴(Pr)을 포함하는 단결정(單結晶)을 사용하는 것이 기재되어 있다. 또, 특허 문헌 2에는 발광 다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 형광체에 의해서 변환함으로써 백색광을 실현하는 조명 시스템에 관한 기술이 기재되어 있다.
특허 문헌 1: 국제 공개 제 2006／049284호 팜플렛 특허 문헌 2: 특표 2006－520836호 공보
종래부터, 자외광원으로서, 수은 크세논 램프(xenon lamp)나 중수소 램프 등의 전자관이 이용되어 왔다. 그러나 이러한 자외광원은, 발광 효율이 낮고, 대형이며, 또 안정성이나 수명의 관점에서 과제가 있다. 한편, 다른 자외광원으로서, 타겟에 전자선(電子線)을 조사함으로써 자외광을 여기시키는 구조를 구비하는 전자선 여기 자외광원이 있다. 전자선 여기 자외광원은, 높은 안정성을 살린 광 계측 분야나, 저소비 전력성을 살린 살균이나 소독용, 혹은 높은 파장 선택성을 이용한 의료용 광원이나 바이오 화학용 광원으로서 기대되고 있다. 또, 전자선 여기 자외광원에는, 수은 램프 등보다도 소비 전력이 작다고 하는 이점도 있다.
또, 근년, 파장 360nm 이하와 같은 자외 영역의 광을 출력할 수 있는 발광 다이오드가 개발되어 있다. 그러나 이와 같은 발광 다이오드로부터의 출력광 강도는 아직 작고, 또 발광 다이오드에서는 발광면의 대면적화(大面積化)가 곤란하므로, 용도가 한정되어 버린다고 하는 문제가 있다. 이것에 반해, 전자선 여기 자외광원은 충분한 강도의 자외광을 생성할 수 있고, 또 타겟에 조사되는 전자선의 지름을 크게 함으로써, 대면적이고 또한 균일한 강도를 가지는 자외광을 출력할 수 있다.
그렇지만, 전자선 여기 자외광원에 있어서도, 자외광 발생 효율의 가일층(加一層)의 향상이 요구된다. 본 발명은 자외광 발생 효율을 높이는 것이 가능한 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원, 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 감안하여, 본 발명자는 (PrxLu1 －x)3Al5O12(Pr：LuAG 프라세오디뮴 첨가 류테튬·알루미늄·가넷(garnet), x의 범위는 0＜x＜1)를 자외광 생성용 타겟으로 이용하는 것을 생각했다. 그러나 선행 기술 문헌에 기재되어 있는 Pr：LuAG 단결정을 이용했을 경우에는, 충분한 자외광 발생 효율을 얻는 것이 어려운 것이 판명되었다. 또 Pr：LuAG 단결정이 고가이기 때문에, 자외광 생성용 타겟의 제조 비용이 높아진다고 하는 문제가 있었다. 이것에 반해, 본 발명자에 의한 시험 및 연구의 결과, Pr：LuAG 다결정을 타겟으로서 이용함으로써, Pr：LuAG 단결정을 이용했을 경우보다도 현저하게 자외광 발생 효율을 높일 수 있는 것이 발견되었다. 즉, 일 실시 형태에 따른 자외광 생성용 타겟에 따르면, 사파이어, 석영 또는 수정(산화 규소의 결정, rock crystal)으로 이루어지는 기판과, 이 기판상에 마련되어, 전자선을 수신하여 자외광을 생성하는 Pr：LuAG 다결정막을 구비함으로써, 자외광 발생 효율을 높일 수 있다.
또, 자외광 생성용 타겟은 Pr：LuAG 다결정막의 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 해도 좋다. 본 발명자에 의한 시험 및 연구에 의하면, Pr：LuAG 다결정막의 두께는, 전자선이 투과하지 않고 발광에 기여하기 위해서는 적어도 0.1㎛ 이상 필요하고, 또 생산성의 관점으로부터 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 두께를 가지는 Pr：LuAG 다결정막에 있어서, 자외광 발생 효율을 보다 효과적으로 높일 수 있다.
또, 일 실시 형태에 따른 전자선 여기 자외광원은, 상기 어느 자외광 생성용 타겟과, 자외광 생성용 타겟에 전자선을 가하는 전자원을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 전자선 여기 자외광원에 의하면, 상기 어느 자외광 생성용 타겟을 구비함으로써, 자외광 발생 효율을 높일 수 있다.
또, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 자외광 생성용 타겟의 제조 방법은, 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판상에 Pr：LuAG 막을 증착하는 제1 공정과, Pr：LuAG 막을 열처리함으로써 다결정화하는 제2 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 제1 공정에서는, 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판상에, 아모퍼스(amorphous) 상태의 Pr：LuAG 막이 형성된다. 그러나 아모퍼스 상태의 Pr：LuAG 막에서는, 전자선을 조사해도 자외광은 거의 여기되지 않는다. 이 제조 방법과 같이, 제2 공정에 있어서 Pr：LuAG 막을 열처리(어닐) 함으로써, 아모퍼스 상태의 Pr：LuAG 막을 다결정화할 수 있다. 즉, 이 제조 방법에 의하면, Pr：LuAG 다결정막을 구비하는 자외광 생성용 타겟을 바람직하게 제조할 수 있다. 또한, 제1 공정 및 제2 공정을 동시에 행해도 좋다.
또, 자외광 생성용 타겟의 제조 방법은, 제2 공정에 있어서 열처리한 후의 Pr：LuAG 막의 두께를 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 해도 좋다. 이것에 의해, 자외광 발생 효율을 보다 효과적으로 높일 수 있다.
또, 자외광 생성용 타겟의 제조 방법은, 제2 공정에 있어서의 열처리 시에 Pr：LuAG 막의 주위를 진공으로 하는 것을 특징으로 해도 좋다. 이것에 의해, 자외광 발생 효율을 보다 효과적으로 높일 수 있다.
본 발명에 의한 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법에 의하면, 자외광 발생 효율을 높일 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 전자선 여기 자외광원의 내부 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 자외광 생성용 타겟의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은 이 제조 방법에 사용되는 레이저 어블레이션 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 자외광 생성용 타겟의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 Pr：LuAG 막의 X선 회절 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 Pr：LuAG 막에 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 7은 Pr：LuAG 막의 표면에 관한 SEM 사진이다.
도 8은 Pr：LuAG 막에 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 9는 비교예로서, Pr：LuAG 단결정 기판에 대해서 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 10은 전자선의 세기(전류량)를 변화시켰을 경우에 있어서의, 자외광의 피크 강도의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 11은 Pr：LuAG 다결정막의 두께와 자외광의 피크 강도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 12는 Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도와 자외광의 피크 강도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 다양한 열처리 온도에 대응하는 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 14는 열처리 후에 있어서의 Pr：LuAG 다결정막의 표면에 관한 SEM 사진이다.
도 15는 대기(大氣) 분위기에서 열처리를 행했을 경우의 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법의 실시의 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 전자선 여기 자외광원(10)의 내부 구성을 나타내는 모식도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이 전자선 여기 자외광원(10)에서는, 진공 배기(排氣)된 유리 용기(전자관)(11)의 내부의 상단측에, 전자원(12) 및 인출 전극(13)이 배치되어 있다. 그리고 전자원(12)과 인출 전극(13)의 사이에 전원부(16)로부터 적당한 인출(引出) 전압이 인가되면, 고전압에 의해서 가속된 전자선 EB가 전자원(12)으로부터 출사(出射)된다. 전자원(12)에는, 예를 들면 대면적의 전자선을 출사하는 전자원(예를 들면 카본 나노 튜브 등의 냉음극(冷陰極), 혹은 열음극(熱陰極))을 이용할 수 있다.
또, 용기(11)의 내부의 하단 측에는, 자외광 생성용 타겟(20)이 배치되어 있다. 자외광 생성용 타겟(20)은 예를 들면 접지 전위로 설정되고, 전자원(12)에는 전원부(16)로부터 음의 고전압이 인가된다. 이것에 의해, 전자원(12)으로부터 출사 된 전자선 EB는 자외광 생성용 타겟(20)에 조사된다. 자외광 생성용 타겟(20)은 이 전자선 EB를 수신하여 여기되어 자외광 UV를 생성한다.
도 2는 자외광 생성용 타겟(20)의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 자외광 생성용 타겟(20)은 기판(21)과 기판(21)상에 마련된 Pr：LuAG 다결정막(22)과 알루미늄막(23)을 구비하고 있다. 기판(21)은 사파이어(Al2O3), 석영(SiO2) 또는 수정으로 이루어진 판 모양의 부재(部材)이며, 주면(主面)(21a) 및 이면(裏面)(21b)을 가진다. 또한, 기판(21)의 바람직한 두께는 0.1mm이상 10mm이하이다.
Pr：LuAG 다결정막(22)은 다결정화된 Pr：LuAG로 이루어진 막이다. 이 Pr：LuAG 다결정막(22)은 도 1에 도시된 전자선 EB를 수신하여 여기되어, 자외광 UV를 생성한다. 후술하는 실시예로부터 알 수 있는 것처럼, Pr：LuAG 다결정막(22)의 바람직한 두께는 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하이다. 또, Pr：LuAG 다결정막(22)의 바람직한 Pr 농도는 0.001 원자 퍼센트 이상 10 원자 퍼센트 이하이다.
이어서, 본 실시 형태의 자외광 생성용 타겟(20)을 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 도 3은 이 제조 방법에 사용되는 레이저 어블레이션 장치(50)의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 3에 도시된 레이저 어블레이션 장치(50)는 진공 용기(51)와, 진공 용기(51)의 저면상에 배치된 시료 재치대(52)와, 레이저 도입구(54)를 구비하고 있다. 레이저 도입구(54)는 Pr：LuAG 함유 재료(53)에 대해서 조사되는 레이저 빔 B를 진공 용기(51)의 내부에 도입한다. Pr：LuAG 함유 재료(53)는 시료 재치대(52)상에 재치되는 시료이다. 또한, 레이저 도입구(54)에는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저로부터의 레이저 빔(파장 248nm)이 제공된다.
또한, 레이저 어블레이션 장치(50)는 회전 홀더(55)와 기판(21)을 가열하기 위한 히터(56)와 진공 용기(51)의 내부에 산소 가스를 공급하기 위한 가스 도입구(57)를 구비하고 있다. 회전 홀더(55)는 Pr：LuAG 함유 재료(53)의 상방에 배치되는 기판(21)을 지지한다. 회전 홀더(55)는 기판(21)의 주면(21a)이 Pr：LuAG 함유 재료(53)에 대향해 노출된 상태로, Pr：LuAG 함유 재료(53)와 기판(21)을 잇는 축선(軸線)을 중심으로 하여 회전 가능하도록 기판(21)을 유지한다.
도 4는 자외광 생성용 타겟(20)의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 우선, 기판(21)상에 Pr：LuAG 막을 증착한다(제1 공정 S1). 구체적으로는, 우선, Pr：LuAG 함유 재료(53)로서, Pr：LuAG를 소정 비율 함유하는 세라믹스를 제작한다(공정 S11). 다음으로, 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판(21)을 준비하고, 이 기판(21)을 레이저 어블레이션 장치(50)의 회전 홀더(55)에 설치함과 아울러, 공정 S11에 있어서 제작한 Pr：LuAG 함유 재료(53)를 시료 재치대(52)에 올려 놓는다(공정 S12). 그리고 진공 용기(51)의 내부를 배기하고(공정 S13), 히터(56)에 의해서 기판(21)을 소정 온도(예를 들면 800℃)까지 가열한다(공정 S14). 그 후, 가스 도입구(57)로부터 진공 용기(51)의 내부로 산소 가스를 공급하면서 레이저 빔 B를 Pr：LuAG 함유 재료(53)로 조사한다(공정 S15). 이것에 의해, Pr：LuAG 함유 재료(53)는 레이저 빔 B를 받아 증발하여, 진공 용기(51)의 내부를 비산(飛散)한다. 이 비산한 Pr：LuAG 함유 재료(53)의 일부가, 기판(21)의 주면(21a)에 부착되어, 아모퍼스 상태의 막이 형성된다.
이어서, 기판(21)의 주면(21a)상에 형성된 아모퍼스 상태의 막을 열처리하여, 아모퍼스 상태의 막을 다결정화한다(제2의 공정 S2). 구체적으로는, 아모퍼스 상태의 막이 형성된 기판(21)을 레이저 어블레이션 장치(50)로부터 취출하여, 열처리로(熱處理爐)에 투입한다(공정 S21). 또한, 열처리로의 로내(爐內)는 대기를 포함하는 분위기여도 좋기만, 진공이면 더욱 바람직하다. 그리고 열처리로의 로내 온도를 예를 들면 1200℃보다 고온으로 설정하고, 그 온도를 소정 시간 유지함으로써, 기판(21)상의 아모퍼스 상태의 막에 대해서 열처리(어닐)를 행한다(공정 S22). 이때, 열처리된 아모퍼스 상태의 막은 다결정화하여 Pr：LuAG 다결정막으로 된다.
본 실시 형태에 의해서 얻어지는 효과에 대해서 설명한다. 후술하는 각 실시예로부터 알 수 있는 것처럼, Pr：LuAG 다결정을 자외광 생성용 타겟으로서 이용함으로써, Pr：LuAG 단결정을 이용하는 경우보다도 현저하게 자외광 발생 효율을 높일 수 있다. 본 실시 형태의 자외광 생성용 타겟(20)은 Pr：LuAG 다결정막(22)을 구비하고 있으므로, 고효율로 자외광을 생성할 수 있다. 또, 기판(21)이 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어지는 짐으로써, 공정 S22에 있어서 아모퍼스 상태의 막을 고온으로 열처리할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 제조 방법에서는, 기판(21)상에 아모퍼스 상태의 막을 증착한 후, 이 아모퍼스 상태의 막을 열처리하고 있다. 제1 공정 S1에서는, 아모퍼스 상태의 막이 기판(21)상에 형성되지만, 아모퍼스 상태의 막에 전자선을 조사해도 자외광은 거의 발생하지 않는다. 이것에 대해, 제2 공정 S2에 있어서 아모퍼스 상태의 막을 열처리 하면, 아모퍼스 상태의 막을 다결정화할 수 있어, 고효율로 자외광을 생성하는 자외광 생성용 타겟을 제조할 수 있다.
(제1 실시예)
이어서, 상기 실시 형태의 제1 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 우선, Pr：LuAG 함유 재료(53)로서, Pr를 0.8 원자 퍼센트 함유하는 세라믹스를 제작했다. 다음으로, 이 Pr：LuAG 세라믹스를 레이저 어블레이션 장치(50)의 시료 재치대(52)에 올려 놓음과 아울러, 직경 2인치의 사파이어 기판을 회전 홀더(55)에 설치했다. Pr：LuAG 세라믹스와 사파이어 기판의 거리는 150mm였다. 그 후, 진공 용기(51)의 내부를 배기하고, 사파이어 기판을 1000℃까지 가열했다. 그리고 진공 용기(51)의 내부로 산소 가스를 공급하면서 레이저 빔 B를 Pr：LuAG 함유 재료(53)로 60분간 조사하여, 아모퍼스 상태의 막을 제작했다. 이때, 레이저 빔 B의 레이저 광원으로서 KrF 엑시머 레이저(100mJ, 100Hz)를 사용했다. 그 후, 열처리로에 사파이어 기판을 투입하고, 사파이어 기판 및 아모퍼스 상태의 막을 대기중에서 1400℃로 2시간 가열했다.
도 5 (a)는 열처리 전에 있어서의 아모퍼스 상태의 막의 X선 회절 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 또, 도 5 (b)는 열처리 후에 있어서의 막의 X선 회절 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 이들 도면에 도시된 것처럼, 열처리 전에 있어서는 사파이어 기판에 유래(由來)하는 회절선(도면 중에서 X 표시로 나타냄) 밖에 관찰되지 않았지만, 열처리 후에 있어서는 이 회절선에 더하여 Pr：LuAG 결정에 유래하는 회절선(도면 중에 O 표시로 나타냄)이 관찰되었다. 이들 도면으로부터, 아모퍼스 상태의 막이 열처리에 의해서 Pr：LuAG 다결정으로 변화한 것을 알 수 있다.
도 6은 Pr：LuAG 막에 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 도 6에 있어서, 그래프 G11은 증착 재료(레이저 어블레이션의 원재료)인 Pr：LuAG 다결정의 발광 스펙트럼을 나타내고 있고, 그래프 G12는 열처리 후에 있어서의 Pr：LuAG 막의 발광 스펙트럼을 나타내고 있으며, 그래프 G13은 열처리 전에 있어서의 Pr：LuAG 막의 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. 또한, 열처리 전의 막에 대해서는 발광하지 않았다. 또한, 전자선의 가속 전압을 10kV로 하고, 전자선의 세기(전류량)를 100㎂로 하고, 전자선의 지름을 2mm로 했다. 도 6으로부터 알 수 있는 것처럼, 열처리 전에 있어서의 아모퍼스 상태의 막에서는, 전자선을 조사해도 자외광이 거의 발생하지 않았다. 이것에 대해, 열처리 후에 있어서의 다결정의 Pr：LuAG 막에서는, 전자선을 조사함으로써 자외광이 바람직하게 발생했다.
(제2 실시예)
이어서, 상기 실시 형태의 제2 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 제1 실시예에 있어서 1000℃로 한 Pr：LuAG 성막시의 사파이어 기판의 온도를 800℃로 했다. 또, 제1 실시예에 있어서 1400℃로 한 열처리 온도를 1600℃로 했다. 그 외의 공정이나 조건 등은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
본 실시예에 의해 제작된 Pr：LuAG 막의 X선 회절 측정을 행한 결과, 도 5 (b)와 마찬가지로 Pr：LuAG 결정에 유래하는 회절선이 관찰되었다. 또, 도 7 (a) 및 도 7 (b)는, 각각 열처리 전 및 열처리 후에 있어서의 Pr：LuAG 막의 표면에 관한 SEM 사진이다. 도 7 (b)를 참조하면, 도 7 (a)와는 달리 수마이크로 미터 정도마다 세분화된 영역이 관찰된다. 이러한 사실로부터, 아모퍼스 상태의 막이 열처리 에 의해서 Pr：LuAG 다결정으로 변화한 것을 알 수 있다. 또, 이 Pr：LuAG 다결정막에 전자선을 조사하면, 도 6의 그래프 G12와 동일한 피크 파장의 스펙트럼을 가지는 자외광이 얻어진다. 단, 그 피크 강도가 도 6의 그래프 G12보다도 커진 것으로부터, 발광 효율은 제1 실시예보다 높아졌다.
(제3 실시예)
이어서, 상기 실시 형태의 제3 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 제2 실시예에 있어서 대기중으로 한 열처리시의 분위기를 진공(10－2Pa)으로 했다. 또한, 다른 공정이나 조건 등은 제2 실시예와 마찬가지이다. 본 실시예에 의해 제작된 Pr：LuAG 막의 X선 회절 측정을 행한 결과, 도 5 (b)와 마찬가지로 Pr：LuAG 결정에 유래하는 회절선이 관찰되었다.
또, 도 8은 Pr：LuAG 막에 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 도 8에 있어서, 그래프 G21은 제2 실시예(대기중에서 열처리)에 의해 제작된 Pr：LuAG 막의 발광 스펙트럼을 나타내고 있고, 그래프 G22는 본 실시예(진공중에서 열처리)에 의해 제작된 Pr：LuAG 막의 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. 또한, 전자선의 가속 전압을 10kV로 하고, 전자선의 세기(전류량)를 100㎂로 하고, 전자선의 지름을 2mm로 했다. 도 8로부터 알 수 있는 것처럼, 대기중에서 열처리된 Pr：LuAG 막과 비교하여, 진공 중에서 열처리된 Pr：LuAG 막에서는, 전자선의 조사에 의해 발생하는 자외광의 피크 강도가 현격히 커진다(즉 발광 효율이 현격히 높아진다).
또, 도 9는 비교예로서, Pr：LuAG 단결정 기판에 대해서 본 실시예와 동일한 조건으로 전자선을 조사하여 얻어진 자외광의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 또한, 도 9에 있어서, 그래프 G31은 Pr：LuAG 단결정 기판에 관한 발광 스펙트럼을 나타내고 있고, 그래프 G32는 도 8의 그래프 G22와 같은 것이다. 도 9로부터 알 수 있는 것처럼, Pr：LuAG 단결정 기판과 비교하여, Pr：LuAG 다결정 박막에서는 전자선의 조사에 의해 발생하는 자외광의 피크 강도가 현격히 커진다(즉 발광 효율이 현격히 높아진다).
도 10은 전자선의 세기(전류량)를 변화시켰을 경우에 있어서의, 자외광의 피크 강도의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 10에 있어서, 그래프 G41은 본 실시예에 의해 제작된 Pr：LuAG 다결정 박막에 관한 발광 스펙트럼을 나타내고 있고, 그래프 G42는 비교예의 Pr：LuAG 단결정 기판에 관한 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. 도 10에 도시된 것처럼, 본 실시예에 의해 제작된 Pr：LuAG 다결정 박막에서는, 전자선의 세기와 자외광의 피크 강도가 매우 양호한 비례 관계(높은 직선성)를 가지는 것이 판명되었다. 또, 본 실시예에 의해 제작된 Pr：LuAG 다결정 박막에서는, 전자선의 세기에 관계없이, Pr：LuAG 단결정 기판보다 큰 피크 강도를 실현할 수 있고, 또한 전자선이 강한 영역에 있어서도 발광 효율의 저하가 억제되는 것이 판명되었다.
(제4 실시예)
발명자는 Pr：LuAG 다결정막의 두께와 자외광의 피크 강도의 관계에 대해서, 실험을 행했다. 즉, 다양한 성막 시간으로 Pr：LuAG 다결정막을 제작하고, 그러한 두께를 단차계(段差計)를 이용하여 측정한 후, 전자선을 조사하여 발생하는 자외광의 피크 강도를 계측했다. 도 11은 그 결과인 Pr：LuAG 다결정막의 두께와 자외광의 피크 강도의 관계를 나타내는 그래프이다. 또한, 도면 중의 곡선 G54는 근사(近似) 곡선이다.
도 11을 참조하면, Pr：LuAG 다결정막의 두께가 어느 정도의 값(약 500nm)을 하회하는 경우에는, Pr：LuAG 다결정막이 두꺼울수록 자외광의 피크 강도가 커지고 있어, 발광 효율이 높아진다. 그러나 Pr：LuAG 다결정막의 두께가 그 값을 초과하면, 자외광의 피크 강도는 거의 증대하지 않거나, 반대로 저하하고 있다. 또, 이 그래프로부터, Pr：LuAG 다결정막의 두께가 0.1㎛ 이상이면, 충분히 실용적인 자외광 강도(발광 효율)가 얻어진다는 것을 알 수 있다.
(제5 실시예)
발명자는 Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도와 자외광의 피크 강도의 관계에 대해서, 실험을 행했다. 즉, 다양한 Pr 농도의 Pr：LuAG 함유 재료를 제작하고, 그들을 이용하여 Pr：LuAG 다결정막을 제작하고, 이러한 Pr：LuAG 다결정막에 전자선을 조사하여 발생하는 자외광의 피크 강도를 계측했다. 또한, 이 실시예에서는 열처리 온도를 1600℃로 했다. 도 12는 그 결과인 Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도와 자외광의 피크 강도의 관계를 나타내는 그래프이다. 또한, 도면 중의 곡선 G61은 근사 곡선이다.
도 12를 참조하면, Pr：LuAG 함유 재료에서의 Pr 농도가 어느 정도의 값(약 0.7 원자 퍼센트)을 하회하는 경우에는, Pr 농도가 커질수록 자외광의 피크 강도가 커지고 있어, 발광 효율이 높아진다. 그러나 Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도가 그 값을 초과하면, 자외광의 피크 강도는 반대로 저하하고 있다. 또, 이 그래프로부터, Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도가 0.05 원자 퍼센트 이상 2.0 원자 퍼센트 이하인 것이 바람직하고, 0.1 원자 퍼센트 이상 1.0 원자 퍼센트 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이것에 의해 충분히 실용적인 자외광 강도가 얻어진다는 것을 알 수 있다.
이상, 본 실시예에서는 Pr：LuAG 함유 재료의 Pr 농도와 자외광의 피크 강도의 관계에 대해서 설명해 왔지만, Pr：LuAG 다결정막의 Pr 농도와 자외광의 피크 강도의 관계에 대해서도, 도 11에 도시된 그래프와 마찬가지의 경향이 있다고 생각할 수 있다. 단, Pr：LuAG 다결정막의 Pr 농도의 바람직한 범위는, 예를 들면 0.001 원자 퍼센트 이상 10 원자 퍼센트 이하이다.
(제6 실시예)
이어서, 상기 실시 형태의 제6 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, Pr：LuAG를 함유하는 재료를 증착하여 아모퍼스 상태의 막을 6개 제작하고, 이러한 아모퍼스 상태의 막을 진공 중에서 열처리 온도를 각각 1200℃, 1400℃, 1500℃, 1600℃, 1700℃, 1800℃ 및 1900℃로 하여 Pr：LuAG 다결정막을 형성했다. 또한, 다른 공정이나 조건 등은 제2 실시예와 마찬가지이다. 이렇게 하여 제작된 Pr：LuAG 다결정막에 전자선(가속 전압 10kV, 전자선의 세기(전류량) 100㎂)을 조사하고, 발생하는 자외광의 스펙트럼을 계측했다.
도 13은 계측된 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 또한, 도 13에 있어서, 그래프 G80은 열처리 온도를 1200℃로 했을 경우를 나타내고 있고, 그래프 G81은 열처리 온도를 1400℃로 했을 경우를 나타내고 있으며, 그래프 G82는 열처리 온도를 1500℃로 했을 경우를 나타내고 있고, 그래프 G83은 열처리 온도를 1600℃로 했을 경우를 나타내고 있으며, 그래프 G84는 열처리 온도를 1700℃로 했을 경우를 나타내고 있고, 그래프 G85는 열처리 온도를 1800℃로 했을 경우를 나타내고 있으며, 그래프 G86는 열처리 온도를 1900℃로 했을 경우를 나타내고 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, Pr：LuAG 막의 열처리 온도가 높을수록, 자외광의 피크 강도가 크고, 발광 효율이 높다는 것이 판명되었다. 또, 열처리 온도가 1800℃~1900℃와 같이 매우 높은 온도인 경우에는, 날카로운 발광 피크 파형이 스펙트럼에 나타난다는 것이 판명되었다. 또한, 열처리 온도를 1200℃로 했을 경우는 발광하지 않았다. 넓은 파장 대역을 이용하는 경우는 1400℃~1800℃, 발광 피크 파형을 이용하는 경우는 1800℃~1900℃로 하는 것이 바람직하다.
또, 도 14는 열처리 후에 있어서의 Pr：LuAG 다결정막의 표면에 관한 SEM 사진이다. 도 14에는, 열처리 온도를 1200℃, 1400℃, 1500℃, 1600℃, 1700℃, 1800℃ 및 1900℃로 했을 경우의 각각에 있어서의 SEM 사진이 도시되어 있다. 도 14를 참조하면, 열처리 온도가 높을수록 Pr：LuAG의 결정화가 진행되어 있다는 것을 알 수 있다. 또, 1200℃에서는, Pr：LuAG 다결정막의 표면은 도 7 (a)에 도시된 열처리 전의 아모퍼스 상태의 막과 거의 동일한 상태로 관찰되었다.
(제7 실시예)
이어서, 상기 실시 형태의 제7 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, Pr：LuAG를 함유하는 재료를 증착하여 아모퍼스 상태의 막을 4개 제작하고, 이러한 아모퍼스 상태의 막에 대해서, 대기 분위기로 한 열처리로에서 열처리 온도를 각각 1200℃, 1400℃, 1600℃ 및 1700℃로 한 열처리를 행함으로써, Pr：LuAG 다결정막을 형성했다. 또한, 다른 공정이나 조건 등은 제2 실시예와 마찬가지이다. 이렇게 해 제작된 Pr：LuAG 다결정막에 전자선(가속 전압 10kV, 전자선의 세기(전류량) 100㎂)을 조사하고, 발생하는 자외광의 스펙트럼을 계측했다.
도 15는 계측된 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 또한, 도 15에 있어서, 그래프 G90은 열처리 온도를 1200℃로 했을 경우를 나타내고 있고, 그래프 G91은 열처리 온도를 1400℃로 했을 경우를 나타내고 있으며, 그래프 G92는 열처리 온도를 1700℃로 했을 경우를 나타내고 있고, 그래프 G93은 열처리 온도를 1600℃로 했을 경우를 나타내고 있다. 도 15에 도시된 것처럼, 대기 중에서 열처리를 행한 경우에도, 열처리 온도가 높을수록 자외광의 피크 강도가 크고, 발광 효율이 높다는 것을 알 수 있다. 단, 발광 효율이 가장 높은 것은 열처리 온도를 1600℃로 했을 경우였다. 또한, 이 경우에 있어서도, 열처리 온도를 1200℃로 했을 경우는 발광하지 않았다.
또, 열처리시의 분위기가 대기압인 경우의 피크 강도(310nm)는, 열처리시의 분위기가 진공인 경우의 약 2／3로 되었다. 열처리시의 분위기는, 대략 대기압 혹은 대기압보다 낮은 분위기하인 것이 바람직하다. 또, 대기압보다 낮은 분위기로서는 진공(10－2Pa이하)인 것이 보다 바람직하다. 또, 열처리시의 분위기가 대략 대기압인 경우 및 진공인 경우의 양쪽에 있어서, 열처리 온도는 1400℃ 이상인 것이 바람직하다. 특히, 열처리 온도가 1400℃~1900℃이면 보다 바람직하다.
본 발명에 의한 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 그 밖에 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태 및 각 실시예에서는, Pr：LuAG를 함유하는 재료를 이용하여 아모퍼스 상태의 막을 증착에 의해 형성하고, 그 막을 열처리함으로써 Pr：LuAG 다결정막을 얻고 있지만, Pr：LuAG 다결정막은 이와 같은 제법으로 한정하지 않고, 다른 제법에 의해서 제작되어도 된다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은 자외광 발생 효율을 높이는 것이 가능한 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법으로서 이용 가능하다.
10: 전자선 여기 자외광원, 11: 용기,
12: 전자원, 13: 인출 전극,
16: 전원부, 20: 자외광 생성용 타겟,
21: 기판, 21a: 주면,
21b: 이면, 22: Pr：LuAG 다결정막,
23: 알루미늄막, 50: 레이저 어블레이션 장치,
51: 진공 용기, 52: 시료 재치대,
53: Pr：LuAG 함유 재료, 54: 레이저 도입구,
55: 회전 홀더, 56: 히터,
57: 가스 도입구, B: 레이저 빔,
EB: 전자선, UV: 자외광.

Claims (6)

  1. 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판, 상기 기판상에 마련되고, 전자선을 수신하여 자외광을 생성하는 Pr：LuAG 다결정막, 및 상기 Pr：LuAG 다결정막 상에 설치된 알루미늄막을 포함하는 자외광 생성용 타겟과,
    상기 자외광 생성용 타겟에 상기 전자선을 가하는 전자원과,
    상기 전자원에 인출 전압을 인가하기 위한 인출 전극과,
    상기 전자원 및 상기 인출 전극에 전압을 인가하는 전원부와,
    상기 자외광 생성용 타겟, 상기 전자원과 상기 인출 전극이 배치되고, 진공 배기된 전자관을 포함하고,
    상기 전자선은 상기 알루미늄막을 통하여 상기 Pr：LuAG 다결정막으로 입사하고,
    상기 Pr：LuAG 다결정막에서 발생한 상기 자외광은 상기 기판에서 출사하는 전자선 여기 자외광원.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 Pr：LuAG 다결정막의 두께가 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하인 전자선 여기 자외광원.
  3. 삭제
  4. 사파이어, 석영 또는 수정으로 이루어진 기판상에 Pr：LuAG 막을 아모퍼스 상태의 막으로 증착하는 제1 공정과,
    상기 아모퍼스 상태의 막인 상기 Pr：LuAG 막을 1200℃ 초과의 온도에서 열처리함으로써 다결정화하는 제2 공정을 구비하는 자외광 생성용 타겟의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제2 공정에 있어서 열처리한 후의 상기 Pr：LuAG 막의 두께를 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하로 하는 자외광 생성용 타겟의 제조 방법.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 공정에 있어서의 열처리 시에 상기 Pr：LuAG 막의 주위를 진공으로 하는 자외광 생성용 타겟의 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101997296B1 (ko) 2011-04-25 2019-07-05 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법
JP5580865B2 (ja) 2012-10-23 2014-08-27 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
JP6029926B2 (ja) * 2012-10-23 2016-11-24 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
JP6955656B2 (ja) * 2016-02-15 2021-10-27 国立大学法人神戸大学 紫外発光蛍光体と紫外発光デバイス及び紫外発光蛍光体の作製方法
CN112687520B (zh) * 2020-12-16 2021-09-24 中山大学 一种空间电子激发的反射式深紫外光源

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010100694A (ja) 2008-10-22 2010-05-06 Covalent Materials Corp 透光性酸化ルテチウムアルミニウムガーネット焼結体およびその製造方法
WO2010097731A1 (en) 2009-02-25 2010-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1598745A (ko) * 1968-01-24 1970-07-06
US3737700A (en) * 1971-07-30 1973-06-05 D Steinberg Cathode ray storage tube having target with photochromic memory device
JPS5836475B2 (ja) * 1979-05-16 1983-08-09 松下電器産業株式会社 磁器発光体
JP3226315B2 (ja) * 1991-03-20 2001-11-05 キヤノン株式会社 微細加工方法及び微細加工装置
EP0587145A3 (en) * 1992-09-09 1994-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display apparatus and method of manufacturing the same
WO2003000963A1 (fr) 2001-06-22 2003-01-03 Tdk Corporation Substrat permettant de former une couche mince de monocristal de grenat magnetique, dispositif optique et procede de production associe
US7405033B2 (en) * 2003-01-17 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
CN101067080B (zh) 2004-08-11 2010-12-08 独立行政法人物质·材料研究机构 荧光体及其制造方法和发光器具
RU2389835C2 (ru) * 2004-11-08 2010-05-20 Тохоку Текно Арч Ко., Лтд. Pr-СОДЕРЖАЩИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОБСЛЕДОВАНИЯ
JP2006335915A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 粉末蛍光体とその製法、およびこれを用いた発光デバイス
CN100455536C (zh) * 2006-04-07 2009-01-28 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种镥铝石榴石基透明陶瓷及其制备方法
WO2007116331A1 (en) 2006-04-11 2007-10-18 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Discharge lamp comprising uv-phosphor
JP2007294698A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 紫外線ランプ及びこれを用いた露光装置
JP4860368B2 (ja) 2006-06-27 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ガーネット型化合物とその製造方法
JP2008024549A (ja) 2006-07-21 2008-02-07 Tohoku Univ 単結晶製造方法および単結晶製造装置
US8410446B2 (en) 2007-02-02 2013-04-02 Hitachi Metals, Ltd. Fluorescent material, scintillator using same, and radiation detector using same
JP4555899B2 (ja) * 2007-09-03 2010-10-06 国立大学法人神戸大学 深紫外半導体光デバイス
JP4594426B2 (ja) 2008-03-19 2010-12-08 住友化学株式会社 蛍光体
JP2009227794A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Hitachi Metals Ltd 蛍光材料及びその製造方法、シンチレータ
JP2009238415A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Kobe Univ 深紫外蛍光薄膜および深紫外蛍光薄膜を用いたランプ
JP5462515B2 (ja) * 2009-03-31 2014-04-02 株式会社ワールドラボ 透明セラミックス及びその製造方法並びにその透明セラミックスを用いたデバイス
KR101997296B1 (ko) * 2011-04-25 2019-07-05 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010100694A (ja) 2008-10-22 2010-05-06 Covalent Materials Corp 透光性酸化ルテチウムアルミニウムガーネット焼結体およびその製造方法
WO2010097731A1 (en) 2009-02-25 2010-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp

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Publication number Publication date
US8895947B2 (en) 2014-11-25
CN103502391A (zh) 2014-01-08
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CN103502391B (zh) 2015-06-10
EP2703470A4 (en) 2014-10-15
KR20140021631A (ko) 2014-02-20
US20140034853A1 (en) 2014-02-06
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WO2012147743A1 (ja) 2012-11-01

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