JP4860368B2 - ガーネット型化合物とその製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、トレランスファクターtにより取り得る結晶系までも予測することが可能である。具体的には、t=0.90〜1.10では立方晶、t=0.75〜0.90では斜方晶/又は単斜晶/又は正方晶となることが知られている。このような理論の存在は、ペロブスカイト型化合物の材料設計に対して多大な貢献をしている。
t=(rA+rO)/√2(rB+rO)
(式中、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rOは酸素イオンのイオン半径である。)
a=b1+b2×rA+b3×rB+b4×rC+b5×rA×rB+b6×rA×rC
(式中、aは格子定数、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rCはCサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径である。
b1〜b6は定数であり、b1=7.02954、b2=3.31277、b3=2.49398、b4=3.34124、b5=−0.87758、b6=−1.38777である。)
LANDORT-BORNSTEIN Group III, 12a (Garnets and Perovskites), p.p. 22 (1.1.3 : Lattice parameters of garnets), Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, 1978
本発明はまた、上記材料設計理論に基づいてガーネット型化合物を製造するガーネット型化合物の製造方法、及び上記材料設計理論に基づいて設計されたガーネット型化合物を提供することを目的とするものである。
下記式(1)及び(2)を充足する条件で、各格子サイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径及び格子定数から導かれるガーネット構造を取り得る組成領域に基づいて、所望の特性に合わせて組成を決定することを特徴とするものである。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)
(式中、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、aは格子定数を示す。)
下記式(1)及び(2)を充足することを特徴とするものである。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)
(式中、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、aは格子定数を示す。)
格子サイト中のイオンのモル分率Cは、粉末X線回折(XRD)測定又は単結晶X線回折測定によって結晶構造を同定した後、ICP発光分析を行うことによって決定できる。原料粉末を混合して焼結することによって単相の焼結体を得た場合には、格子サイト中のイオンのモル分率Cは、結晶構造を同定した後、原料粉末の混合比によって決定することもできる。
a=b1+b2×rA+b3×rB+b4×rC+b5×rA×rB+b6×rA×rC
(式中、aは格子定数、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rCはCサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径である。
b1〜b6は定数であり、b1=7.02954、b2=3.31277、b3=2.49398、b4=3.34124、b5=−0.87758、b6=−1.38777である。)
本発明は、従来、研究者の経験と勘に頼って探索が行われていた材料設計を理論的に効率的に行うことが可能としたものであり、その技術的価値は極めて大きい。
本発明者は、各サイトのイオン半径及び格子定数のバランスからガーネット構造を取り得る組成領域を予測できることを見出し、本発明を完成した。
下記式(1)及び(2)を充足することを特徴とするものである。
本発明のガーネット型化合物の製造方法は、下記式(1)及び(2)を充足する条件で、各格子サイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径及び格子定数から導かれるガーネット構造を取り得る組成領域に基づいて、所望の特性に合わせて組成を決定することを特徴とするものである。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)
(式中、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、aは格子定数を示す。)
図6には、概ね、上記式(1)及び(2)を充足する範囲内において、単相構造が得られることが示されている。すなわち、概ね、上記式(1)及び(2)を充足する範囲で組成を決定することで、安定的にガーネット型化合物を得ることができる。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.90≦a≦13.02・・・(2A)
rB/rA<0.50の領域では、rAとrCに対してrBが小さい、若しくはrBとrCに対してrAが大きいために、ガーネット構造を取ることが困難であると考えられる。
rB/rA>0.86の領域では、rAとrCに対してrBが大きい、若しくはrBとrCに対してrAが小さいために、ガーネット構造を取ることが困難であると考えられる。
a<11.70の領域では、rCに対してrAとrBが小さいために、ガーネット構造を取ることが困難であると考えられる。
a >13.02の領域では、rCに対してrAとrBが大きいために、ガーネット構造を取ることが困難であると考えられる。
0.55≦rB/rA≦0.86・・・(1A)、
12.10≦a≦13.02・・・(2B)
0.55≦rB/rA≦0.86・・・(1A)、
12.20≦a≦13.02・・・(2C)
0.50≦rB/rA≦0.82・・・(1B)、
11.70≦a≦12.60・・・(2D)
0.50≦rB/rA≦0.77・・(1C)、
11.90≦a≦12.50・・・(2E)
本発明のガーネット型化合物には、励起光の照射により励起されて発光する発光性化合物が含まれている。
ガーネット型の発光性化合物としては、上記一般式A3B2C3O12で表されるガーネット型化合物において、ランタニド元素(Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb),Ti,及びCrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む化合物が挙げられる。
0.56≦rB/rA≦0.75・・・(1D)、
12.30≦a≦12.83・・・(2F)
0.53≦rB/rA≦0.75・・・(1E)、
12.00≦a≦12.40・・・(2G)
本発明のガーネット型化合物には、磁性化合物が含まれている。
ガーネット型の磁性化合物としては、Bサイト及び/又はCサイトにFeが含まれたFe含有磁性化合物(M)が挙げられる。
光アイソレータや光サーキュレータ等の用途では、上記Fe含有磁性化合物(M)において、AサイトにY及び/又はBiが含まれた化合物(M−1)が好ましい。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)、
1.00≦rA≦1.20・・・(3)、
1.06≦rA≦1.20・・・(3A)、
0.53≦rB・・・(4)
磁性化合物(M―2):AサイトにY,Nd,Sm,Gd,Tb,Ho,及びLuからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素が含まれ、BサイトにGa,Al,及びInからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素が含まれた磁性化合物。
磁性化合物(M−3):AサイトにMg,Ca,及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素が含まれ、CサイトにSi及び/又はGeが含まれた磁性化合物。
磁性化合物(M−4):AサイトにMg,Ca,及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素が含まれ、BサイトにZr及び/又はSnが含まれた磁性化合物。
本発明のガーネット型化合物は、単結晶構造でも多結晶構造でもよく、不可避不純物を含むものであってもよい。本発明のガーネット型化合物の形態は、ペレット状、ディスク状、及びロッド状等のバルク体であってもよいし、基板上に成膜された膜であってもよいし、粉末であってもよい。
引き上げ法(チョクラルスキー法、CZ法)、融液封止引き上げ法(LEC法)、EFG法、ブリッジマン法(BS法)、ベルヌーイ法、浮遊帯域法(FZ法)、水熱合成法、フラックス法、及びマイクロ引き下げ法等の単結晶育成法により育成された単結晶体;
真空蒸着法及びスパッタリング法等の気相堆積法により得られた単結晶膜;
同等の格子定数を有する基板上にLPE法等により液相エピタキシャル成長させて得られた単結晶膜等が挙げられる。
原料粉体が所定の形状に成型されて焼結された多結晶焼結体及びその粉砕物;
原料溶液から析出反応により得られた多結晶粒子析出物;
ゾルゲル法により得られた多結晶体;
真空蒸着法及びスパッタリング法等の気相堆積法により得られた多結晶膜等が挙げられる。
本発明は、従来、研究者の経験と勘に頼って探索が行われていた材料設計を理論的に効率的に行うことが可能としたものであり、その技術的価値は極めて大きい。
例えば、無機材料の機能発現には、様々なタイプの欠陥が関与している場合が多い。本発明の材料設計によれば、比較的欠陥の生じやすい組成領域と欠陥が生じにくい組成領域とを見積もることができるので、所望の欠陥量に合わせて組成を決定することができる。
本発明の組成物は、上記式(1)及び(2)、好ましくは上記式(1)及び(2A)を充足する本発明のガーネット型化合物を含むことを特徴とするものである。
本発明の組成物は、本発明のガーネット型化合物以外の任意成分を含むことができる。例えば、本発明の組成物は、粉末状の本発明のガーネット型化合物が、(メタ)アクリル系樹脂等の透光性樹脂、ガラス、水、有機溶媒等の媒質に分散されたものなどが挙げられる。かかる組成物を製造するに際しては、粉末状の本発明のガーネット型化合物を製造してから上記媒質に分散させてもよいし、上記媒質中で粉末状の本発明のガーネット型化合物を析出してもよい。
本発明のガーネット型化合物が磁性化合物である場合には、磁性組成物を提供することができる。
本発明の成形体は、上記式(1)及び(2)、好ましくは上記式(1)及び(2A)を充足する本発明のガーネット型化合物を含み、所定の形状を成したものであることを特徴とするものである。
本発明の成形体としては、本発明のガーネット型化合物の単結晶体、本発明のガーネット型化合物の多結晶焼結体、及び粉末状の本発明のガーネット型化合物が(メタ)アクリル系樹脂等の透光性樹脂やガラス等の固体媒質中に分散された成形体等が挙げられる。
本発明のガーネット型化合物が磁性化合物である場合には、本発明の成形体によって、磁性体を提供することができる。
本発明の第1の成膜用基板は、上記式(1)及び(2)、好ましくは上記式(1)及び(2A)を充足する本発明のガーネット型化合物を含むことを特徴とするものである。
本発明の第2の成膜用基板は、上記式(1)及び(2)、好ましくは上記式(1)及び(2A)を充足する上記の本発明のガーネット型化合物であって、AサイトにLa,Nd,Sm,及びGdからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素が含まれ、BサイトにSc及び/又はGaが含まれ、CサイトにGaが含まれたガーネット型化合物を含むことを特徴とするものである。
本発明の発光装置は、発光性化合物である本発明のガーネット型化合物を含む発光体と、該発光体に励起光を照射する励起光源とを備えたことを特徴とするものである。
本実施形態の発光装置1は、本発明のガーネット型化合物を含む発光体5を備えたものである。本実施形態では、図9及び図10に示したように、発光体5を構成するガーネット型化合物として、好ましくは、ガーネット構造を取り得る領域(上記式(1)及び(2)を充足する領域)内でも、周縁領域(=単相構造を取れる領域と取れない領域との境界の近傍領域)を除く領域の組成の化合物を選択することにより、蛍光強度等の発光特性に優れた発光装置1を提供することができる。
発光装置1は、白色発光ダイオード等として好ましく利用することができる。
本発明の固体レーザ装置は、発光性化合物である本発明のガーネット型化合物を含む発光体からなる固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質に励起光を照射する励起光源とを備えたことを特徴とするものである。
半導体レーザダイオード11と固体レーザ媒質13との間に集光レンズ12が配置され、固体レーザ媒質13の後段に出力ミラー14が配置されている。
本実施形態の固体レーザ装置10では、固体レーザ媒質13の励起光入射面13aと出力ミラー14の光入射面14aに施すコートを変える、励起光源を変えるなどによって、出力光の波長を変更することができる。
本実施形態の固体レーザ装置10は、本発明のガーネット型化合物からなる固体レーザ媒質13を用いたものである。本実施形態では、図9及び図10に示したように、固体レーザ媒質13を構成するガーネット型化合物として、好ましくは、ガーネット構造を取り得る領域(上記式(1)及び(2)を充足する領域)内でも、周縁領域(=単相構造を取れる領域と取れない領域との境界の近傍領域)を除く領域の組成の化合物を選択することにより、高輝度レーザ光を出力可能な固体レーザ装置10を提供することができる。
本発明の固体レーザ装置は上記実施形態に限らず、装置構成は適宜設計変更可能である。例えば、図2(b)に示す如く、固体レーザ媒質13と出力ミラー14との間に、非線形光学結晶体等の波長変換素子15を配置し、固体レーザ媒質13から発振されたレーザ光を第2高調波等に波長変換(短波長化)して出射させる構成とすることができる。光波長変換素子15は、共振器構造の中に配置しても外に配置してもよい。
上記実施形態では、いわゆるエンドポンプ型について説明したが、サイドポンプ型にも適用可能である。
発光性化合物である本発明のガーネット型化合物の微粒子を、SiO2系ガラス、フッ化物系ガラス、カルコゲニド系ガラス、(メタ)アクリル系樹脂等の光ファイバ材料中で析出させることで、本発明のガーネット型化合物がかかる媒質中に分散された微粒子分散物が得られる。これをコア材料として用いることで、発光性化合物である本発明のガーネット型化合物を含むコアを有する発光性イオンドープ光ファイバが得られる。
上記の発光性イオンドープ光ファイバに半導体レーザダイオード等の単数又は複数の励起光源を接続することで、高輝度光を出力するファイバレーザやファイバアンプを構成することができる。
本発明の電離放射線検出装置は、発光性化合物である本発明のガーネット型化合物を含む発光体からなるシンチレータと、該シンチレータから出射される光を検出するシンチレーション光検出器とを備えたことを特徴とするものである。シンチレーション検出器としては、フォトダイオード、光電子増倍管、及び撮像素子(CCD)等が挙げられる。電離放射線としては、X線やγ線等が挙げられる。
図3は断層撮影装置20を被検体40の頭部側から見た図、図4(a)は断層撮影装置20を被検体40の側方から見た図である。図4(b)は、1ブロックのγ線検出装置22におけるシンチレータ23及び光電子増倍管24の配列パターンを示す図である。
陽電子放射断層撮影装置20は、多数のγ線検出装置(電離放射線検出装置)22がリング状に配置されてユニット化されたγ線検出ユニット21と、データ処理用コンピュータ(図示略)とから概略構成されている。
γ線検出ユニット21においては、複数のγ線検出装置22が略円周状に複数配置され、さらに略円周状に複数配置された複数のγ線検出装置22のユニットが、被検体40の体軸方向Dに複数配置されている。γ線検出装置22の個数や配列パターンについては適宜設計できる。例えば、γ線検出装置22は、周方向に100ブロック×体軸方向Dに5ブロック、配置される(図面上は簡略化してある。)。
被検体40はX線検出ユニット31の中心に配置され、X線検出ユニット31に対して体軸方向に相対走査可能とされている。
X線検出ユニット31と被検体40との間に、周方向回動自在にX線源35が配置されている。
図3〜図5に示した陽電子放射断層撮影装置20及びX線断層撮影装置30は、本発明の電離放射線検出装置を備えたものであるので、高感度に断層像を取得することができる。
本発明の光アイソレータ/又はサーキュレータは、磁性化合物である本発明のガーネット型化合物を含む磁性体からなることを特徴とするものである。
本発明によれば、ファラデー回転係数等の特性が好適な組成の磁性化合物を容易に設計することができるので、高性能な光アイソレータ/又はサーキュレータを提供することができる。
本発明によれば、本発明のガーネット型化合物を含み、透明性に優れかつ高屈折率を有する成形体(本発明のガーネット型化合物からなる単結晶体又は多結晶焼結体等)を提供することができる。かかる成形体は、透明性に優れ、しかも高屈折と低分散とを両立できることから、レンズやハーフミラー等の光学素子として用いた場合、これを搭載する各種光学装置や光学デバイス等を小型化することが可能である。
本発明者は、本発明者が調製したガーネット型化合物を含む、多数の一般式A3B2C3O12で表される化合物1〜126について、rA,rB,及びrA/rBを計算で求めた。また、各化合物について、格子定数aを実測又は非特許文献1に記載の式を用いた計算により求めた。
化合物のリストは表1〜表3に示す通りである。新規な組成のものについては、「新規組成」の欄に「新規」と記載してある。表1〜表3に示す化合物のうち、化合物1〜7、77〜80、112〜115、117〜120は、本発明者が実際に調製した化合物である。
下記手順にて、組成式が(La2.67Lu0.3Pr0.03)Lu2Ga3O12で表される化合物1(Pr:LLGG−2.7)の多結晶焼結体を調製した。
はじめに、La2O3粉末(純度99.99%)、Lu2O3粉末(純度99.99%)、Ga3O3粉末(純度99.99%)、及びPr6O11粉末(純度99.99%)を、所望の組成となるようそれぞれ秤量した。原料粉末組成は、La2O3粉末43.496g、Lu2O3粉末45.762g、Ga3O3粉末28.117g、及びPr6O11粉末0.511gとした。
調製した化合物1の多結晶焼結体について、アルミナ乳鉢・アルミナ乳棒を用いて粉砕して、リガク社製X線回折装置にて粉末X線回折(XRD)測定を実施し、試料の同定を行った。
(La2.7Lu0.3)Lu2Ga3O12[ノンドープLLGG−2.7]立方晶の既知回折ピーク(Journal of Solid State Chemistry 8,357(1973),PDF#27-0227)とほぼ一致しており、単相構造を有することが確認された。図14に、化合物1のXRDパターンを示しておく。
調製した化合物1の多結晶焼結体について、上記XRD測定の結果から格子定数を求めた。すなわち、2θ=100〜150°における回折ピーク値を接線法を用いて得、Nelson−Riley関数を用いて、正確な格子定数を算出した。格子定数aは12.9940Åであった。
化合物2〜7、77〜80について、原料粉末組成を変える以外は上記化合物1と同様にして、多結晶焼結体を得た。焼成温度は表4に示す通りとした。
化合物2〜7、77〜80についても、同様にXRD測定を実施したところ、単相構造を有することが確認された。化合物1と同様に、格子定数を求めた。代表として、図15及び図16に、化合物7と化合物77のXRDパターンを示しておく。化合物7は新規な組成の化合物である。
原料粉末組成を変える以外は上記化合物1と同様にして、組成式がLa3Lu2Ga3O12で表される化合物114(LLGG−3.0)の多結晶焼結体の調製を試みた。焼成温度は表4に示す通りとした。
得られた焼結体についてXRD測定を実施したところ、異相が見られた。図17に、XRDパターンを示しておく。
異相の割合が比較的少なかったため、格子定数aを算出したところ、格子定数aは13.0340Åと算出された。実際に得られた化合物は、AサイトにLuが若干量固溶した組成である(La3−δLuδ)Lu2Ga3O12と予想される。Laのイオン半径はLuのイオン半径より大きいことから、LLGG−3.0に期待される格子定数は13.0340Åよりも大きいと考えられる。この結果から、格子定数aが13.0340Åより大きなガーネット型化合物は存在できないと考えられる。
原料粉末組成を変える以外は上記化合物1と同様にして、表に示す組成式の化合物112、113、115、117〜120の多結晶焼結体の調製を試みた。焼成温度は表4に示す通りとした。
いずれも化合物114と同様、得られた多結晶焼結体についてXRD測定を行ったところ、異相が見られた。これら化合物については、格子定数aを計算により求めた。
調製していないその他の化合物については、rA,rB,rA/rB,及び格子定数aを計算で求め、相図から異相の有無を判断した。
各化合物について、rA,rB,rA/rB,及び格子定数aを求めた結果、及び異相の有無を表1〜表3に示す。
また、rAの値をx座標とし、rBの値をy座標とし、各化合物について(rA,rB)をプロットした。結果を図6に示す。図中、●印は単相構造が得られるもの、▲印は異相が見られるものを示している。
図6には、rB/rA=0.50の直線(式(1)の下限値)、rB/rA=0.86の直線(式(1)の上限値)、a=11.70の直線(式(2)の下限値)、a=11.90の直線(式(2A)の下限値)、及びa=13.02の直線(式(2)の上限値)を、それぞれ引いてある。図6に示すように、概ね、上記式(1)及び(2)、好ましくは上記式(1)及び(2A)を充足する範囲内において、単相構造が得られている。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)、
11.90≦a≦13.02・・・(2A)
0.55≦rB/rA≦0.86・・・(1A)、
12.10≦a≦13.02・・・(2B)、
12.20≦a≦13.02・・・(2C)
0.50≦rB/rA≦0.82・・・(1B)、
0.50≦rB/rA≦0.77・・(1C)、
11.70≦a≦12.60・・・(2D)、
11.90≦a≦12.50・・・(2E)
実施例1において調製した化合物のうち、Pr含有ガーネット型化合物である化合物1(Pr:LLGG−2.7)の多結晶焼結体について、日立分光蛍光光度計F−4500にて、蛍光スペクトル(発光スペクトル)測定を行った。励起波長λexは励起スペクトルをとったときに2番目に大きい蛍光強度を示す449nmと、最大蛍光強度を示す284nmとした。励起波長449nm(可視励起)、励起波長284nm(紫外励起)のいずれにおいても、可視域(400〜700nm)全体に渡って多数の蛍光ピークが見られ、484nmに最も強い蛍光ピークが見られた。励起波長449nmで励起したときの蛍光スペクトルを図18に示しておく。
0.56≦rB/rA≦0.75・・・(1D)、
12.30≦a≦12.83・・・(2F)
0.53≦rB/rA≦0.75・・・(1E)、
12.00≦a≦12.40・・・(2G)
図11及び図12に、実施例1において調製した化合物のうち、Fe含有磁性化合物である化合物109〜111、126のみを取り出して、図6と同様にプロットした。図中、●印は単相構造が得られるもの、▲印は異相が見られるものを示している。
0.50≦rB/rA≦0.86・・・(1)、
11.70≦a≦13.02・・・(2)、
1.00≦rA≦1.20・・・(3)、
1.06≦rA≦1.20・・・(3A)、
0.53≦rB・・・(4)
3 発光素子(励起光源)
5 発光体
10 固体レーザ装置
11 半導体レーザダイオード(励起光源)
13 固体レーザ媒質(発光体)
20、30 断層撮影装置
22 γ線検出装置(電離放射線検出装置)
23 シンチレータ
24 光電子増倍管(シンチレーション光検出器)
32 X線検出装置(電離放射線検出装置)
Claims (3)
- 一般式A 3 B 2 Ga 3 O 12 (式中、A:Aサイトをなす1種又は複数種の元素、B:Bサイトをなす1種又は複数種の元素、Ga:ガリウム、O:酸素原子)で表されるガーネット型化合物の製造方法において、
下記式(1A)及び(2B)を充足する条件で、各格子サイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径及び格子定数から導かれるガーネット構造を取り得る組成領域に基づいて、所望の特性に合わせて組成を決定することを特徴とするガーネット型化合物の製造方法。
0.55≦rB/rA≦0.86・・・(1A)、
12.10≦a≦13.02・・・(2B)
(式中、rA、rB、及びaは上記と同様。)(式中、rAはAサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、rBはBサイトをなす1種又は複数種の元素の平均イオン半径、aは格子定数を示す。) - 前記特性が発光特性であり、下記式(1D)及び(2F)を充足する条件で組成を決定することを特徴とする請求項1に記載のガーネット型化合物の製造方法。
0.56≦rB/rA≦0.75・・・(1D)、
12.30≦a≦12.83・・・(2F)
(式中、rA、rB、及びaは上記と同様。) - 前記特性がファラデー定数であり、前記一般式において、Bサイト及び/又はCサイトにFeを含み、且つ、AサイトにY及び/又はBiを含むガーネット型化合物の製造方法において、下記式(3A)及び(4)を充足する条件で組成を決定することを特徴とする請求項1に記載のガーネット型化合物の製造方法。
1.06≦rA≦1.20・・・(3A)、
0.53≦rB・・・(4)
(式中、rA及びrBは上記と同様。)
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