JP2009238415A - 深紫外蛍光薄膜および深紫外蛍光薄膜を用いたランプ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 石英のガラス基板3の上に、紫外蛍光薄膜4が形成されている。紫外蛍光薄膜4は、AlNのバッファ層5、GdN層6、AlNの保護層7を有している。AlNは、GdNと結晶構造が似ており、かつ、バンドギャップがGdNの発光エネルギーよりも大きい。したがって、バッファ層5または保護層7のいずれの方向にもUV光を取り出すことができる。紫外蛍光薄膜4は、真空中で冷陰極電子放出源から電界放出させた電子を高速で衝突させることにより、電子により励起されUV光を放出する。
【選択図】 図1
Description
ターゲット:Al円板(直径60mm)
基板:石英ガラス
基板温度:300度(摂氏)
高周波電力:250 W
反応性ガス:N2
ガス圧:5.0 Pa (Ar:N2 = 1:1)
成長時間:30分
〔ガドリニウムナイトライド層6〕
ターゲット:Gd円板(直径60mm)
基板:石英ガラス
基板温度:500度(摂氏)
高周波電力:250 W
反応性ガス:N2
ガス圧:5.0 Pa (Ar:N2 = 1:1)
基板・ターゲット間:6.0cm
背圧:< 2.0x10-5 Pa
成長時間:60分
〔保護層7〕
ターゲット:Al円板(直径60mm)
基板:石英ガラス
基板温度:300度(摂氏)
高周波電力:250 W
反応性ガス:N2
ガス圧:5.0 Pa (Ar:N2 = 1:1)
成長時間:30分
上記条件下で、順次スパッタリングを行うことで、ガドリニウムナイトライド層6を、AlN のバッファ層5および保護層7で挟み込んだ紫外蛍光薄膜がガラス基板3上に形成される。
4・・・・・紫外蛍光薄膜
5・・・・・バッファ層
6・・・・・ガドリニウムナイトライド(GdN)層
7・・・・・保護層
10・・・・・カソード(陰極)
14・・・・・アノード(陽極)
Claims (19)
- 薄膜形成物の上に形成される窒化ガドリニウム層、
前記窒化ガドリニウム層の上に形成される保護層、
を備えた紫外蛍光薄膜。 - 請求項1の紫外蛍光薄膜において、
前記薄膜形成部と前記窒化ガドリニウム層との間に、前記窒化ガドリニウムと結晶構造が似ているバッファ層を有すること、
を特徴とする紫外蛍光薄膜。 - 請求項1または請求項2の紫外蛍光薄膜において、
前記保護層は前記窒化ガドリニウム層の酸化を防止する酸化防止膜であること、
を特徴とする紫外蛍光薄膜。 - 請求項2または請求項3の紫外蛍光薄膜において、
前記バッファ層または前記保護層は、バンドギャップが窒化ガドリニウムの発光エネルギーよりも大きな材質であること、
を特徴とする紫外蛍光薄膜。 - 請求項2〜請求項4のいずれかの紫外蛍光薄膜において、
前記バッファ層または前記保護層を窒化アルミニウムで構成したこと
を特徴とする紫外蛍光薄膜。 - 窒化ガドリニウム層をバッファ層および保護層で挟み込んだ紫外蛍光薄膜であって、
前記バッファ層は、前記窒化ガドリニウムと結晶構造が似ており、
前記保護層は前記窒化ガドリニウム層の酸化を防止する酸化防止膜であること、
を特徴とする紫外蛍光薄膜。 - 薄膜形成物の上に、第1の層を形成し、
前記第1の層の上に窒化ガドリニウム層を形成し、
前記窒化ガドリニウム層の上に第2の層を形成する紫外蛍光薄膜の形成方法であって、
前記第1の層は前記窒化ガドリニウムと結晶構造が似ており、
前記第2の層は前記窒化ガドリニウム層の酸化を防止する酸化防止膜であること、
を特徴とする紫外蛍光薄膜の形成方法。 - 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いた放電ランプ。
- 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いたランプであって、
不活性ガスが封入された封体、
前記封体内に設けられた陰極、
前記陰極に対向して設けられた陽極、
を備え、
前記陽極の陰極対向面には、前記紫外蛍光薄膜が付着されていること、
を特徴とする直流ショートアーク型放電ランプ。 - 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いたランプであって、
不活性ガスが封入された封体、
前記封体内に設けられた第1の電極、
前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極、
を備え、
前記封体の内側面には前記紫外蛍光薄膜が付着されていること、
を特徴とする交流ロングアーク型放電ランプ。 - 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜に電子線を照射して、発光させるランプ。
- 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いた電界励起型発光デバイス。
- 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いた電界励起型発光デバイスにおいて、
前記紫外蛍光薄膜は、凹型基板に形成されており、凹型面にUV光を取り出して、集光すること、
を特徴とする電界励起型発光デバイス。 - 請求項13の電界励起型発光デバイスにおいて、
前記半球面の任意の位置に電子を照射する電子銃を有すること、
を特徴とする電界励起型発光デバイス。 - 請求項13の電界励起型発光デバイスにおいて、
前記紫外蛍光薄膜に対向して、複数の陰極が設けられており、
各陰極について電圧を印加するか否かを決定する制御部を有すること、
を特徴とする電界励起型発光デバイス。 - 窒化アルミニウムをホスト材料としてガドリニウムを添加した紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いた放電ランプ。
- 窒化アルミニウムをホスト材料としてガドリニウムを添加した紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いたランプであって、
希ガスが封入された封体、
前記封体内に設けられた陰極、
前記陰極に対向して設けられた陽極、
を備え、
前記陽極の陰極対向面には、前記紫外蛍光薄膜が付着されていること、
を特徴とする直流ショートアークランプ型放電ランプ。 - 窒化アルミニウムをホスト材料としてガドリニウムを添加した紫外蛍光薄膜を紫外蛍光発光体として用いたランプであって、
希ガスが封入された封体、
前記封体内に設けられた第1の電極、
前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極、
を備え、
前記封体の内側面には前記紫外蛍光薄膜が付着されていること、
を特徴とする交流ロングアーク型放電ランプ。 - 請求項1〜6のいずれかの紫外蛍光薄膜、
前記紫外蛍光薄膜を挟むこむ1組の電極、
を備えた無機EL素子。
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JP2008079820A JP2009238415A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 深紫外蛍光薄膜および深紫外蛍光薄膜を用いたランプ |
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2008
- 2008-03-26 JP JP2008079820A patent/JP2009238415A/ja active Pending
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