CN103502391A - 紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法 - Google Patents

紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种紫外光产生用靶（20），具备：由蓝宝石、石英或水晶构成的基板（21）、以及设置在基板（21）上并接受电子射线而产生紫外光的Pr︰LuAG多晶膜（22）。通过将Pr︰LuAG多晶膜用作靶，与使用Pr︰LuAG单晶膜的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。

Description

紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法
技术领域
本发明涉及紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法。
背景技术
在专利文献1中，记载了使用包含镨（Pr）的单晶来作为PET装置所使用的闪烁器的材料。另外，在专利文献2中，记载了通过由荧光体变换从发光二极管出射的光的波长来实现白色光的与照明系统相关的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/049284号小册子
专利文献2：日本特表2006-520836号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
历来，作为紫外光源，使用汞氙气灯或氘灯等的电子管。然而，这些紫外光源在发光效率低、大型、而且稳定性或寿命方面存在技术问题。另一方面，作为其他的紫外光源，存在具备通过对靶照射电子射线而激励紫外光的构造的电子射线激励紫外光源。电子射线激励紫外光源被期待作为发挥高稳定性的光计测领域、发挥低耗电性的杀菌或消毒用、或者利用高波长选择性的医疗用光源或生物化学用光源。另外，电子射线激励紫外光也存在比汞灯等耗电要更小的这样的益处。
另外，近年来，开发了能够输出波长360nm以下这样的紫外区域的光的发光二极管。然而，来自于这样的发光二极管的输出光强度还很小，而且在发光二极管中难以做到发光面的大面积化，因而存在用途受到限定这样的问题。相对于此，电子射线激励紫外光源能够产生足够强度的紫外光，另外，通过增大照射在靶的电子射线的直径，能够输出大面积且具有均匀的强度的紫外光。
然而，在电子射线激励紫外光源中，也能够谋求紫外光产生效率的进一步提高。本发明的目的在于，提供一种可以提高紫外光产生效率的紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法。
解决技术问题的手段
鉴于上述的技术问题，本发明人考虑将(PrxLu1-x)3Al5O12（Pr︰LuAG镨添加镥·铝·石榴石，x的范围为0＜x＜1）使用在紫外光产生用靶。然而，在使用现有技术文献所记载那样的Pr︰LuAG单晶体的情况下，辨别出难以得到充分的紫外光发光效率。另外，Pr︰LuAG单晶体昂贵，因而存在紫外光产生用靶的制造成本高这样的问题。相对于此，本发明人所得到的试验和研究的结果，发现通过使用Pr︰LuAG多晶体作为靶，与使用Pr︰LuAG单晶体的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。即，根据一个实施方式所涉及的紫外光产生用靶，通过具备由蓝宝石、石英或水晶（氧化硅的晶体、无色水晶(rock crystal)）构成的基板、以及设置在该基板上并接受电子射线而产生紫外光的Pr︰LuAG多晶膜，能够提高紫外光产生效率。
另外，可选地，紫外光产生用靶，其特征在于，Pr︰LuAG多晶膜的厚度为0.1μm以上10μm以下。根据本发明人所得到的试验和研究，Pr︰LuAG多晶膜的厚度为了使电子射线不透过而有助于发光，需要至少0.1μm以上，另外，从生产率的观点看，优选10μm以下。在具有这样的厚度的Pr︰LuAG多晶膜中，能够更有效地提高紫外光产生效率。
另外，一个实施方式所涉及的电子射线激励紫外光源，其特征在于，具备上述任一种紫外光产生用靶、以及向紫外光产生用靶提供电子射线的电子源。根据该电子射线激励紫外光源，通过具备上述任一种紫外光产生用靶，能够提高紫外光产生效率。
另外，本发明的一个实施方式所涉及的紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，具备在由蓝宝石、石英或水晶构成的基板上蒸镀Pr︰LuAG膜的第1工序、以及通过对Pr︰LuAG膜进行热处理而进行多晶化的第2工序。在第1工序中，在由蓝宝石、石英或水晶构成的基板上，形成非晶状的Pr︰LuAG膜。然而，在非晶状的Pr︰LuAG膜中，即使照射电子射线紫外光也几乎不被激励。如该制造方法那样，通过在第2工序中对Pr︰LuAG膜进行热处理（退火），能够使非晶状的Pr︰LuAG膜多晶化。即，根据该制造方法，能够很好地制造具备Pr︰LuAG多晶膜的紫外光产生用靶。再有，第1工序和第2工序也可以同时进行。
另外，可选地，紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，将第2工序中热处理后的Pr︰LuAG膜的厚度设为0.1μm以上10μm以下。由此，能够更有效地提高紫外光产生效率。
另外，可选地，紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，在第2工序的热处理时，将Pr︰LuAG膜的周围设为真空。由此，能够更有效率地提高紫外光产生效率。
发明的效果
根据本发明所涉及的紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法，能够提高紫外光产生效率。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的电子射线激励紫外光源的内部结构的示意图。
图2是表示紫外光产生用靶的结构的侧面图。
图3是表示该制造方法中所使用的激光烧蚀装置的结构的示意图。
图4是表示紫外光产生用靶的制造方法的流程图。
图5是表示Pr︰LuAG膜的X射线衍射测量结果的图表。
图6是表示对Pr︰LuAG膜照射电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。
图7是与Pr︰LuAG膜的表面相关的SEM照片。
图8是表示对Pr︰LuAG膜照射电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。
图9是作为比较例，表示对Pr︰LuAG单晶基板照射电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。
图10是表示在使电子射线的强度（电流量）变化的情况下的紫外光的峰值强度的变化的图表。
图11是表示Pr︰LuAG多晶膜的厚度与紫外光的峰值强度的关系的图表。
图12是表示Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度与紫外光的峰值强度的关系的图表。
图13是表示与各种热处理温度对应的紫外光的光谱的图表。
图14是与热处理后的Pr︰LuAG多晶膜的表面相关的SEM照片。
图15是表示在大气氛围进行热处理的情况下的紫外光的光谱的图表。
符号说明：
10…电子射线激励紫外光源、11…容器、12…电子源、13…引出电极、16…电源部、20…紫外光产生用靶、21…基板、21a…主面、21b…背面、22…Pr︰LuAG多晶膜、23…铝膜、50…激光烧蚀装置、51…真空容器、52…试样载置台、53…Pr︰LuAG含有材料、54…激光导入口、55…旋转支架、56…加热器、57…气体导入口、B…激光束、EB…电子射线、UV…紫外光。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边就本发明所涉及的紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法的实施方式进行详细地说明。再有，在附图的说明中用相同的符号表示相同的要素，省略重复的说明。
图1表示一个实施方式所涉及的电子射线激励紫外光源10的内部结构的示意图。如图1所示，在该电子射线激励紫外光源10中，在抽真空后的玻璃容器（电子管）11的内部的上端侧，配置有电子源12和引出电极13。再者，若从电源部16对电子源12与引出电极13之间施加适当的引出电压，则由于高电压而被加速的电子射线EB从电子源12出射。对于电子源12，可以使用例如出射大面积的电子射线的电子源（例如碳纳米管等的冷阴极、或热阴极）。
另外，在容器11的内部的下端侧，配置有紫外光产生用靶20。紫外光产生用靶20例如设定成接地电位，从电源部16对电子源12施加负的高电压。由此，从电子源12出射的电子射线EB照射到紫外光产生用靶20。紫外光产生用靶20接受该电子射线EB而被激励，产生紫外光UV。
图2是表示紫外光产生用靶20的结构的侧面图。如图2所示，紫外光产生用靶20具备基板21、设置在基板21上的Pr︰LuAG多晶膜22、以及铝膜23。基板21是由蓝宝石（Al2O3）、石英（SiO2）或者水晶构成的板状的构件，具有主面21a和背面21b。再有，基板21的优选厚度为0.1mm以上10mm以下。
Pr︰LuAG多晶膜22是由多晶化的Pr︰LuAG构成的膜。该Pr︰LuAG多晶膜22接受图1所示的电子射线EB而被激励，产生紫外光UV。如从后述的实施例明显得出，Pr︰LuAG多晶膜22的优选厚度为0.1μm以上10μm以下。另外，Pr︰LuAG多晶膜22的优选的Pr浓度为0.001原子百分比以上10原子百分比以下。
接着，就制造本实施方式的紫外光产生用靶20的方法进行说明。图3是表示该制造方法中所使用的激光烧蚀装置50的结构的示意图。图3所示的激光烧蚀装置50具备真空容器51、配置在真空容器51的底面上的试样载置台52、以及激光导入口54。激光导入口54将对Pr︰LuAG含有材料53照射的激光束B导入到真空容器51的内部。Pr︰LuAG含有材料53是载置在试样载置台52上的试样。再有，在激光导入口54，提供了例如来自于KrF准分子激光的激光束（波长248nm）。
此外，激光烧蚀装置50具备旋转支架55、用于对基板21加热的加热器56、以及用于向真空容器51的内部供应氧气的气体导入口57。旋转支架55支撑配置在Pr︰LuAG含有材料53的上方的基板21。旋转支架55在基板21的主面21a与Pr︰LuAG含有材料53相对而露出的状态下，以连结Pr︰LuAG含有材料53与基板21的轴线为中心可旋转的方式保持基板21。
图4是表示紫外光产生用靶20的制造方法的流程图。首先，在基板21上蒸镀Pr︰LuAG膜（第1工序S1）。具体而言，首先，制作作为Pr︰LuAG含有材料53的按规定比例含有Pr︰LuAG的陶瓷（工序S11）。接着，准备由蓝宝石、石英或水晶构成的基板21，并将该基板21设置在激光烧蚀装置50的旋转支架55上，并且将在工序S11中所制作的Pr︰LuAG含有材料53载置在试样载置台52（工序S12）。然后，对真空容器51的内部进行抽气（工序S13），通过加热器56将基板21加热至规定温度（例如800℃）（工序S14）。其后，从气体导入口57向真空容器51的内部供应氧气并且对Pr︰LuAG含有材料53照射激光束B（工序S15）。由此，Pr︰LuAG含有材料53接受激光束B而蒸发，在真空容器51的内部飞散。该飞散后的Pr︰LuAG含有材料53的一部分附着在基板21的主面21a，形成非晶状的膜。
接着，对基板21的主面21a上所形成的非晶状的膜进行热处理，使非晶状的膜多晶化（第2工序S2）。具体而言，从激光烧蚀装置50取出形成有非晶状的膜的基板21，投入热处理炉（工序S21）。再有，热处理炉的炉内，可以是包含大气的气氛，但若是真空则更优选。然后，将热处理的炉内温度设定成例如比1200℃更高温，通过将该温度维持规定时间，对基板21上的非晶状的膜进行热处理（退火）（工序S22）。此时，热处理后的非晶状的膜多晶化而成为Pr︰LuAG多晶膜。
就由本实施方式所得到的效果进行说明。如从后述的各实施例明显得出，通过将Pr︰LuAG多晶体用作紫外光产生用靶，与使用Pr︰LuAG单晶的情况相比能够显著地提高紫外光产生效率。本实施方式的紫外光产生用靶20具备Pr︰LuAG多晶膜22，因而能够高效率地产生紫外光。另外，基板21由蓝宝石、石英或水晶构成，由此在工序22中能够在高温下对非晶状的膜进行热处理。
另外，本实施方式的制造方法中，在基板21上蒸镀非晶状的膜之后，对该非晶状的膜进行热处理。在第1工序S1中，非晶状的膜形成在基板21上，但即使对非晶状的膜照射电子射线也几乎不产生紫外光。相对于此，若在第2工序S2中对非晶状的膜进行热处理，则能够使非晶状的膜多晶化，能够制造高效率地产生紫外光的紫外光产生用靶。
（第1实施例）
接着，就上述实施方式的第1实施例进行说明。在本实施例中，首先，制作作为Pr︰LuAG含有材料53的含有0.8原子百分比Pr的陶瓷。接着，将该Pr︰LuAG陶瓷载置在激光烧蚀装置50的试样载置台52上，并且将直径2英寸的蓝宝石基板设置在旋转支架55。Pr︰LuAG陶瓷与蓝宝石基板的距离为150mm。其后，对真空容器51的内部进行抽气将蓝宝石基板加热至1000℃。然后，向真空容器51的内部供应氧气并且将激光束B向Pr︰LuAG含有材料53照射60分钟，从而制作非晶状的膜。此时，使用KrF准分子激光（100mj，100Hz）作为激光束B的激光光源。其后，向热处理炉投入蓝宝石基板，蓝宝石基板和非晶状的膜置于大气中在1400℃加热2小时。
图5（a）是表示热处理前的非晶状的膜的X射线衍射测量结果的图表。另外，图5（b）是表示热处理后的膜的X射线衍射测量结果的图表。如这些图所示，在热处理前只观察到从蓝宝石基板而来的衍射线（图中用×记号表示），但热处理后除了该衍射线外还观察到从Pr︰LuAG晶体而来的衍射线（图中用○记号表示）。从这些图可知，非晶状的膜通过热处理而变化成Pr︰LuAG多晶体。
图6是表示对Pr︰LuAG膜照射电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。在图6中，曲线图G11表示蒸镀材料（激光烧蚀的原材料）Pr︰LuAG多晶体的发光光谱的图表，曲线图G12表示热处理后的Pr︰LuAG膜的发光光谱，曲线图G13表示热处理前的Pr︰LuAG膜的发光光谱。再有，热处理前的膜不发光。再有，将电子射线的加速电压设为10kV，电子射线的强度（电流量）设为10μA，电子射线的直径设为2mm。从图6明显得出，在热处理前的非晶状的膜中，即使照射电子射线也几乎不产生紫外光。相对于此，在热处理后的多晶的Pr︰LuAG膜中，通过照射电子射线而很好地产生紫外光。
（第2实施例）
接着，就上述实施方式的第2实施例进行说明。在本实施例中，将第1实施例中为1000℃的Pr︰LuAG成膜时的蓝宝石基板的温度设为800℃。另外，将第1实施例中为1400℃的热处理温度设为1600℃。其他工序或条件等与第1实施方式同样。
进行由本实施例所制作的Pr︰LuAG膜的X射线衍射测量，结果与图5（b）同样地观察到从Pr︰LuAG晶体而来的衍射线。另外，图7（a）和图7（b）分别是热处理前和热处理后的与Pr︰LuAG膜的表面相关的SEM照片。参照图7（b），与图7（a）不同观察到每几微米程度被划分的区域。从这些事实可知，非晶状的膜通过热处理而变化成Pr︰LuAG多晶体。另外，若对该Pr︰LuAG多晶膜照射电子线，则得到具有与图6的曲线图G12相同的峰值波长的光谱的紫外光。但是，该峰值强度比曲线图G12要大，因而发光效率比第1实施例要高。
（第3实施例）
接着，就上述实施方式的第3实施例进行说明。在本实施例中，将第2实施例中作为大气中的热处理的气氛设为真空（10-2Pa）。再有，其他工序或条件等与第2实施例同样。进行由本实施例所制作的Pr︰LuAG膜的X射线衍射测量，结果与图5（b）同样地观察到从Pr︰LuAG晶体而来的衍射线。
另外，图8是表示对Pr︰LuAG膜照射电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。在图8中，曲线图G21表示由第2实施例（在大气中进行热处理）制作的Pr︰LuAG膜的发光光谱，曲线图G22表示由本实施例（在真空中进行热处理）制作的Pr︰LuAG膜的发光光谱。再有，将电子射线的加速电压设为10kV，电子射线的强度（电流量）设为100μA，电子射线的直径设为2mm。从图8明显得出，与在大气中进行热处理的Pr︰LuAG膜相比较，真空中进行热处理的Pr︰LuAG膜中，由电子射线的照射产生的紫外光的峰值强度显著变大（即发光效率显著提高）。
另外，图9是作为比较例，表示对Pr︰LuAG单晶基板照射与本实施例相同条件的电子射线所得到的紫外光的光谱的图表。再有，在图9中，曲线图G31表示Pr︰LuAG单晶基板相关的发光光谱，曲线图G32与图8的曲线图G22相同。从图9明显得出，与Pr︰LuAG单晶基板相比较，在Pr︰LuAG多晶薄膜中，由电子射线的照射产生的紫外光的峰值强度显著变大（即发光效率显著提高）。
图10是表示在使电子射线的强度（电流量）变化的情况下的紫外光的峰值强度的变化的图表。在图10中，曲线图G41表示与由本实施例制作的Pr︰LuAG多晶薄膜相关的发光光谱，曲线图G42表示与比较例的Pr︰LuAG单晶基板相关的发光光谱。如图10所示，辨别出在由本实施例所制作的Pr︰LuAG多晶薄膜中，电子射线的强度与紫外光的峰值强度具有极其良好的比例关系（高线性）。另外，辨别出在由本实施例制作的Pr︰LuAG多晶薄膜中，与电子射线的强度无关，能够实现比Pr︰LuAG单晶基板更大的峰值强度，且即使电子射线强的区域也能抑制发光效率的下降。
（第4实施例）
发明人就Pr︰LuAG多晶膜的厚度与紫外光的峰值强度的关系进行实验。即，在各种成膜时间下制作Pr︰LuAG多晶膜，在使用高低差测量仪测量它们的厚度之后，计测照射电子射线所产生的紫外光的峰值强度。图11是表示Pr︰LuAG多晶膜的厚度与紫外光的峰值强度的关系的图表。再有，图中的曲线G54是近似曲线。
参照图11，在Pr︰LuAG多晶膜的厚度低于某一程度的值（约500nm）的情况下，Pr︰LuAG多晶膜越厚紫外光的峰值强度就越大，发光效率越高。然而，若Pr︰LuAG多晶膜的厚度超过该值，则紫外光的峰值强度几乎不增大，反而下降。另外，从该图表可知，若Pr︰LuAG多晶膜的厚度超过0.1μm以上，则得到足够实用的紫外光强度（发光效率）。
（第5实施例）
发明人就Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度与紫外光的峰值强度的关系进行实验。即，制作各种Pr浓度的Pr︰LuAG含有材料，使用它们来制作Pr︰LuAG多晶膜，计测对这些Pr︰LuAG多晶膜照射电子射线所产生的紫外光的峰值强度。再有，在该实施例中将热处理温度设为1600℃。图12是表示作为结果的Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度与紫外光的峰值强度的关系的图表。再有，图中的曲线G61是近似曲线。
参照图12，在Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度低于某一程度的值（约0.7原子百分比）的情况下，Pr的浓度越大紫外光的峰值强度就越大，发光效率越高。然而，若Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度超过该值，则紫外光的峰值强度反而会下降。另外，从该图表可知，Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度优选为0.05原子百分比以上2.0原子百分比以下，更优选为0.1原子百分比以上1.0原子百分比以下。由此，得到足够实用的紫外光强度。
以上，就在本实施例中Pr︰LuAG含有材料的Pr浓度与紫外光的峰值强度的关系进行叙述，但Pr︰LuAG多晶膜的Pr浓度与紫外光的峰值强度的关系被认为也有与图11所示的曲线图同样的倾向。但是，Pr︰LuAG多晶膜的Pr浓度的优选范围例如在0.001原子百分比以上10原子百分比以下。
（第6实施例）
接着，就上述实施方式的第6实施例进行说明。在本实施例中，蒸镀含有Pr︰LuAG的材料而制作6个非晶状的膜，将这些非晶状的膜置于真空中分别将热处理温度设定为1200℃、1400℃、1500℃、1600℃、1700℃、1800℃、1900℃来形成Pr︰LuAG多晶膜。再有，其他工序或条件等与第2实施例同样。对这样制作的Pr︰LuAG多晶膜照射电子射线（加速电压10kV、电子射线的强度（电流量）100μA），计测所产生的紫外光的光谱。
图13是表示计测的光谱的图表。此外，在图13中，曲线图G80表示将热处理温度设为1200℃的情况，曲线图G81表示将热处理温度设为1400℃的情况，曲线图G82表示将热处理温度设为1500℃的情况，曲线图G83表示将热处理温度设为1600℃的情况，曲线图G84表示将热处理温度设为1700℃的情况，曲线图G85表示将热处理温度设为1800℃的情况，曲线图G86表示将热处理温度设为1900℃的情况。如图13所示，辨别出Pr︰LuAG膜的热处理温度越高，紫外光的峰值强度就越大，发光效率越高。另外，辨别出在热处理温度为1800℃～1900℃这样的情况下，尖的发光峰值波形会在光谱中显现。再有，将热处理温度设为1200℃的情况不会发光。利用宽波长域的情况优选设为1400℃～1800℃，发光峰值波形的情况优选设为1800℃～1900℃。
另外，图14是与热处理后的Pr︰LuAG多晶膜的表面相关的SEM照片。在图14中，表示了将热处理温度设为1200℃、1400℃、1500℃、1600℃、1700℃、1800℃、1900℃的各个情况下的SEM照片。参照图14，可知热处理温度越高，Pr︰LuAG结晶化就越推进。另外，在1200℃下，Pr︰LuAG多晶膜的表面观察到与图7（a）所示的热处理前的非晶状的膜基本几乎相同的状态。
（第7实施例）
接着，就上述实施方式的第7实施例进行说明。在本实施例中，蒸镀含有Pr︰LuAG的材料而制作4个非晶状的膜，对这些非晶状的膜，进行在设为大气气氛的热处理炉分别将热处理温度设为1200℃、1400℃、1600℃和1700℃的热处理，由此形成Pr︰LuAG多晶膜。再有，其他工序或条件等与第2实施例同样。对这样制作的Pr︰LuAG多晶膜照射电子射线（加速电压10kV、电子射线的强度（电流量）100μA），计测所产生的紫外光的光谱。
图15是表示所计测的光谱的图表。再有，在图15中，曲线图G90表示将热处理温度设为1200℃的情况，曲线图G91表示将热处理温度设为1400℃的情况，曲线图G92表示将热处理温度设为1700℃的情况，曲线图G93表示将热处理温度设为1600℃的情况。如图15所示，可以在大气中进行热处理的情况下，热处理温度越高，紫外光的峰值强度也会越大，发光效率越高。但是，发光效率最高的情况是将热处理温度设为1600℃的情况。再有，在这种情况下，将热处理温度设为1200℃的情况下不会发光。
另外，热处理时的气氛是大气压的情况的峰值强度（310nm）为热处理时的气氛是真空的情况的约2/3。热处理时的气氛优选为大体大气压或比大气压要低的气氛下。另外，热处理时的气氛为大体大气压的情况和真空的情况的两种情况下，热处理温度优选为1400℃以上。特别地，若热处理温度为1400℃～1900℃则更优选。
本发明所涉及的紫外光发光用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法不限于上述的实施方式，可以进行其他各种各样的变形。例如，在上述实施方式和实施例中，使用含有Pr︰LuAG的材料由蒸镀来形成非晶状的膜，通过对该膜进行热处理而得到Pr︰LuAG多晶膜，但Pr︰LuAG多晶膜不限于这样的制法，也可以通过其他制法来制作。
产业上的可利用性
本发明可以作为可以提高紫外光产生效率的紫外光产生用靶、电子射线激励紫外光源、以及紫外光产生用靶的制造方法来利用。

Claims (6)

1.一种紫外光产生用靶，其特征在于，
具备：
基板，由蓝宝石、石英或水晶构成；以及
Pr︰LuAG多晶膜，设置在所述基板上，接受电子射线而产生紫外光。
2.如权利要求1所述的紫外光产生用靶，其特征在于，
所述Pr︰LuAG多晶膜的厚度为0.1μm以上10μm以下。
3.一种电子射线激励紫外光源，其特征在于，
具备：
权利要求1或2所述的紫外光产生用靶；以及
电子源，向所述紫外光产生用靶提供所述电子射线。
4.一种紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，
具备：
第1工序，在由蓝宝石、石英或水晶构成的基板上蒸镀Pr︰LuAG膜；以及
第2工序，通过对所述Pr︰LuAG膜进行热处理而进行多晶化。
5.如权利要求4所述的紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，
将所述第2工序中的热处理后的所述Pr︰LuAG膜的厚度设为0.1μm以上10μm以下。
6.如权利要求4或5所述的紫外光产生用靶的制造方法，其特征在于，
在所述第2工序的热处理时，将所述Pr︰LuAG膜的周围设为真空。
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