KR101994745B1 - 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents

저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다. 본 발명의 하나의 실시예에 따라, 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)과, 100 몰%의 주성분에 대해 탄산바륨(BaCO3) 1.0 ~ 2.0 몰%, Y2O3, Ho2O3, Dy2O3 및 Yb2O3 로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택된 희토류 산화물 0.5 ~ 1.0 몰%, 산화망간(MnO) 0.1 ~ 1.0 몰%, 그리고 붕규산염계 유리 1.0 ~ 2.0 몰%를 포함하는 부성분을 포함하는 저온 소성 유전체 조성물이 제안된다. 또한, 적층 세라믹 커패시터가 제안된다.

Description

저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터{LOW TEMPERATURE SINTERING DIELECTRIC COMPOSITION AND MULTILAYER CDERAMIC CAPACITOR}
본 발명은 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다. 구체적으로는 X7R의 온도범위 특성을 구현할 수 있는 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
전자기기 시장에서 기기의 안정적인 동작을 위해서 안정적인 전기적 특성 및 신뢰성 확보가 가능한 X5R, X7R 기종 개발의 중요성이 대두되며, 해당 기종의 개발에 있어서 박층화, 승압화가 동시에 중요한 사항으로 고려되고 있다.
박층화와 승압화는 유전체에 가해지는 전계의 세기를 높여 DC-바이어스(bias) 특성과 내전압 특성을 악화시키며, 미세구조내의 결함이 BDV(Break Down Voltage)과 고온특성(고온IR)과 같은 내전압 특성에 더욱 심각한 영향을 미친다. 이를 개선하기 위해서 모재 크기의 미립화가 필수적이지만, 미립화되면 제품이 구현되는 용량 및 온도 특성의 구현이 나빠지므로 유전체 조성물 개발에 어려움이 동반된다.
이 문제점을 해결방법으로 제품개발에서 유전체 모재 분말부터 첨가제 조성개발, 배치, 내부전극, 열처리 공정의 거의 전체 공정에 대한 종합적인 개선 및 개발이 중요하다. 그 중에 적층 세라믹 커패시터의 특성에 결정적인 역할을 하는 첨가제 조성물의 개발이 매우 중요하다.
적층 세라믹 커패시터용 유전체로는 티탄산 바륨(BaTiO3)이 주로 사용되고, 이 모재분말에 유전특성과 신뢰성을 개선하기 위해서 여러 가지 첨가제 분말이 혼합되거나 첨가된다.
유전체 조성물에 대한 선행특허문헌인 JP2000-058378 은 ｛Ba1-xCaxO｝mTiO3 주성분을 이용하고 있다. JP2000-058378 은 주성분에 Ca를 반드시 사용하여야 가능한 유전체 조성물이다. 하지만 해당되는 유전체 첨가제 조성물을 사용할 경우 유전특성 및 신뢰성의 확보는 가능하지만, 1200℃ 이상의 고온에서 열처리 과정을 거쳐야하는 문제점이 있다.
일본 공개특허공보 특개2000-058378 (2000년 2월 25일 공개) 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0135304호 (2006년 12월 29일)
본 발명은 전술한 문제를 해결하고자, 주성분에 Ca를 포함하지 않고서 X7R의 온도범위 특성을 구현할 수 있는 저온 소성 유전체 조성물 및 적층 세라믹 커패시터를 제안하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 하나의 모습으로, 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)과, 100 몰%의 주성분에 대해 탄산바륨(BaCO3) 1.0 ~ 2.0 몰%, Y2O3, Ho2O3, Dy2O3 및 Yb2O3 로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택된 희토류 산화물 0.5 ~ 1.0 몰%, 산화망간(MnO) 0.1 ~ 1.0 몰%, 그리고 붕규산염계 유리 1.0 ~ 2.0 몰%를 포함하는 부성분을 포함하는 저온 소성 유전체 조성물이 제안된다.
하나의 예에서, 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 2.0 범위일 수 있다. 또 하나의 예에서, 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 1.5 범위일 수 있다.
또한, 티탄산바륨(BaTiO3) 평균 입자크기는 100 ~ 200 ㎚일 수 있다.
게다가, 붕규산염계 유리는 산화보론(B2O3)과 이산화규소(SiO2)를 기본으로 하여 알칼리 산화물을 포함하는 알칼리 붕규산염(alkali-borosilicate)계 유리에 알칼리토류 산화물 및 불화물 중 적어도 알칼리토류 불화물을 포함할 수 있다.
또한, 유전체 조성물은 1000 ~ 1200℃ 범위에서 저온 소성될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 또 하나의 모습으로, 커버층 및 복수의 액티브층으로 이루어진 유전체, 각 전극층 사이에 액티브층이 개재되도록 복수의 전극층으로 이루어진 내부 전극 및 내부 전극과 전기적으로 접속되는 외부 전극을 포함하는 적층 세라믹 커패시터가 제안된다. 이때, 유전체는 전술한 발명의 모습의 예에 따른 저온 소성 유전체 조성물로 이루어진다.
이때, 하나의 예에서, 액티브층을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기는 150 ~ 300 ㎚의 평균 입자크기를 갖고, 커버층을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기가 액티브층을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기보다 크다. 예컨대, 커버층을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기는 300 ~ 400 ㎚의 평균 입자크기를 가질 수 있다.
또한, 내부 전극은 니켈(Ni) 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따라, 주성분에 Ca를 포함하지 않고 X7R의 온도범위 특성을 만족하는 저온 소성 유전체 조성물 및 그를 유전체로 사용하는 적층 세라믹 커패시터를 제조할 수 있다.
또한, 하나의 예에 따라, 1200℃이하, 예컨대 1100℃이하의 저온에서 환원분위기 소성이 가능한 유전체 조성물을 제공하며, 고유전율을 구현하고, 저온 소성에 의한 입성장 제어를 통한 고온특성 개선의 효과를 부여할 수 있다.
또 하나의 예에 따라, 1200℃ 이하, 예컨대 1100℃이하에서 환원분위기 소성이 가능하며 특히, 유전상수 값이 2000 이상의 유전체 조성물을 얻을 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 다양한 효과들이 직접적으로 언급되지 않더라도 각 실시예의 구성들의 조합으로부터 당해 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자에 의해 이해되고 도출될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 저온 소성 유전체 조성물과 대비되는 비교예를 나타낸 사진이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 나타낸 사진이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 또 하나의 예에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 나타낸 사진이다.
전술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다. 본 설명에 있어서, 동일부호는 동일한 구성을 의미하고, 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 이해를 도모하기 위하여 부차적인 설명은 생략될 수도 있다.
본 명세서에 비록 단수적 표현이 기재되어 있을지라도, 발명의 개념에 반하거나 명백히 다르거나 모순되게 해석되지 않는 이상 복수의 구성 전체를 대표하는 개념으로 사용될 수 있음에 유의하여야 한다. 본 명세서에서 '포함하는', '구비하는', '이루어지는' 등의 기재는 하나 또는 그 이상의 다른 구성요소 또는 그들의 조합의 존재 또는 부가 가능성이 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 하나의 모습에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 구체적으로 살펴볼 것이다.
하나의 예에 따른 저온 소성 유전체 조성물은 티탄산바륨(BaTiO3)을 주성분으로 한다. 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)은 유전률이 높아 초고유전률 발현이 요구되는 적층형 세라믹 커패시터의 유전체로서 사용된다. 예컨대, 하나의 예에서, 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)은 100 ~ 200 ㎚의 평균 입자크기를 갖는다. 예컨대, 하나의 예에서, 소성 전의 티탄산바륨(BaTiO3)의 평균 입자크기가 100 ~ 200 ㎚인 저온 소성 유전체 조성물은 예컨대 적층 세라믹 커패시터의 유전체(10) 중 액티브층(11)을 형성할 수 있다. 액티브층(11)은 내부 전극 사이에 개재된 유전체층을 의미하고, 이와 달리 최외곽 내부 전극의 바깥쪽을 커버하는 유전체층을 커버층(13)이라고 한다. 예컨대, 저온 소성 유전체 조성물이 적층 세라믹 커패시터의 유전체(10) 중 커버층(13)을 형성하는 경우에는 소성 전 티탄산바륨(BaTiO3)의 평균 입자크기가 100 ~ 200 ㎚인 범위를 벗어날 수 있다.
유전체 입자의 평균 입경이 100nm 미만과 같이 너무 작으면 용량 구현이 어려워지며, 평균 입경이 200nm보다 너무 크면 용량 구현은 용이하나 소성 온도가 상승하고 고온 절연저항이 저하될 우려가 있다. 또한, 100 ~ 200 nm 보다 평균 입자 크기가 큰 범위에서는 입자의 평균 비표면적이 커지므로 본 발명에서 제시되는 부성분 함량의 범위가 효과를 발휘하지 않을 수 있다. 따라서, 저온 소성 유전체 조성물로 예컨대 적층 세라믹 커패시터의 액티브 유전체층(11)을 형성하는 경우 소성 전 티탄산바륨(BaTiO3)의 평균 입자크기가 100 ~ 200 ㎚일 수 있다. 예컨대, 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)과 부성분이 혼합하여 소성되면 소성 후 유전체 조성물의 평균 입자크기는 소성 전보다 커진다.
주성분 외의 부성분은 탄산바륨(BaCO3), 희토류 산화물, 산화망간(MnO) 및 붕규산염계 유리를 포함한다.
이때, 주성분 100 몰%에 대하여, 탄산바륨(BaCO3)은 1.0 ~ 2.0 몰%이고, 희토류 산화물은 0.5 ~ 1.0 몰%이고, 산화망간(MnO)은 0.1 ~ 1.0 몰%이고, 붕규산염계 유리는 1.0 ~ 2.0 몰%이다. 이하에서, 부성분의 함량은 다르게 정의되지 않는 한 주성분 100몰%를 기준으로 하여 표기됨에 유의한다.
희토류 산화물은 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3 및 Yb2O3 로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택된 것이다. 이때, 희토류 산화물은 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)의 코어-쉘(core-shell) 구조의 형성에 기여하는 성분으로, 고온 절연저항 및 평균 수명시간을 향상시킨다. 희토류 산화물은 주성분 100몰%에 대하여 0.5 ~ 1.0 몰%이다. 희토류 산화물이 0.5몰% 보다 작으면 고온 절연저항이 떨어지거나 고온(100℃ 내지 150℃)에서의 평균 수명시간이 짧아질 수 있다. 반면에 그 첨가량이 1.0몰%를 초과하면 티탄산바륨(BaTiO3) 입자의 쉘 두께가 두꺼워져서 정전용량 온도계수(TCC, Temperature Coefficient of Capacitance)는 더욱 안정화되지만 소결체의 유전율이 저하될 뿐만 아니라 소결성이 떨어져서 저온 소성, 예컨대 1100℃ 이하의 저온 소성에는 부적합하게 된다.
다음, 부성분인 탄산바륨(BaCO3)은 1.0 ~ 2.0 몰%가 포함되는데, 탄산바륨(BaCO3)은 그레인(grain)의 반응에 의한 입성장을 억제하는 역할을 한다. 탄산바륨(BaCO3)의 함량이 1.0몰% 보다 적은 경우 입성장 억제의 역할을 제대로 하지 못하여 비정상적인 입성장을 유발하고, 반면에 2.0몰% 보다 많은 경우 유전체의 신뢰성이 저하되고 쉘(shell) 분율이 증가하여 유전율이 저하될 수 있다.
다음으로, 부성분인 산화망간(MnO)은 0.1 ~ 1.0 몰%가 포함되는데, 산화망간(MnO)은 환원 분위기 소결에 따른 유전체의 내환원성 향상에 기여할 뿐만 아니라 유전체의 상온 및 고온 절연저항을 증가시키는 역할을 한다. 산화망간(MnO)의 첨가량이 0.1몰% 보다 작으면 내환원성이 저하되며 절연저항이 감소하고, 1.0몰% 보다 많으면 시간에 따른 용량 변화율(aging rate) 및 직류전압 인가에 따른 용량 저하 정도가 심해진다.
계속하여, 부성분인 붕규산염계 유리는 1.0 ~ 2.0 몰%이 포함된다. 붕규산염계 유리응 소결제로서 티탄산바륨(BaTiO3)의 소결온도를 떨어뜨리며 소결성을 향상시키는 역할을 한다. 붕규산염계 유리를 소결제로 사용하면 티탄산바륨(BaTiO3)의 저온 소성 하한온도가 낮아지지만 소성 후 유전체의 고온 절연저항 특성 또한 낮아질 수 있다. 따라서 소결제로서 붕규산염계 유리의 함량을 1.0 ~ 2.0 몰% 범위로 하여 저온에서 소성이 가능하면서도 고온 절연저항 특성이 향상된 유전체 조성물을 얻을 수 있다. 붕규산염계 유리의 함량이 1.0몰% 보다 작으면 소성온도가 상승하며, 2.0몰%을 초과하면 소결성이 저하될 뿐만 아니라 유전체의 고온 절연저항이 급격하게 저하될 수 있다. 다음의 [표 2]를 참조하면, 붕규산염계 유리의 함량이 2.5 몰%, 3.0몰%에 대하여 고온 절연저항이 불량이 많이 발생하는 것을 알 수 있다. 예컨대, 다음의 [표 2]를 참조하면, 소성온도가 1100℃ 이하이고 고온절연저항 평가가 우수 내지 보통 등급에 해당하는 유전체 조성물들은 붕규산염계 유리 함량은 1.0 ~ 2.0 몰%이다.
예컨대, 하나의 예에서, 붕규산염계 유리는 산화보론(B2O3)과 이산화규소(SiO2)를 기본으로 하여 알칼리 산화물을 포함하는 알칼리 붕규산염(alkali-borosilicate)계 유리에 알칼리토류 산화물 및 불화물 중 적어도 알칼리토류 불화물을 포함하여 이루어질 수 있다. 이때, 붕규산염계 유리의 각 성분의 몰수의 합이 100 일때 산화보론(B2O3)은 10 ~ 30 이고 이산화규소(SiO2)는 50 ~ 80 이고 알칼리 산화물은 2 ~ 10 이고 알칼리토류 산화물은 0 ~ 30 이고 알칼리토류 불화물은 1 ~ 5 일 수 있다.
예컨대, 붕규산염 유리(borosilicate glass)에 포함된 알칼리 산화물은 산화리튬(Li2O)과 산화칼륨(K2O) 중에서 선택된 적어도 1종일 수 있다. 알칼리토류 불화물은 불화칼슘(CaF2)과 불화바륨(BaF2) 중에서 선택된 적어도 1종일 수 있다. 알칼리토류 산화물은 산화칼슘(CaO)과 산화바륨(BaO) 중에서 선택된 적어도 1종일 수 있다. 이때, 붕규산염 유리의 조성물로 선택적으로 첨가되는 Ca 화합물 또는 산화물은 유리를 구성할 때에 이미 반응이 끝난 상태이므로, 선행 특허문헌인 JP2000-058378의 주성분에 Ca가 포함된 경우와 다르다.
유전체 조성물은 1200℃ 이하에서 소성될 수 있다. 예컨대, 하나의 예에서, 유전체 조성물은 1000 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성될 수 있다. 예컨대, 다음의 [표 2]를 참조하면, 유전체 조성물은 1050 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성된다.
다음의 [표 1]은 본 발명의 예에 따른 저온 소성 유전체 조성물들의 성분비를 나타낸 것이고, 이를 이용하여 제작된 적층 세라믹 커패시터 시편들의 실시예들 및 비교예들의 전기적 특성 및 신뢰성 평가 결과는 다음의 [표 2]에 나타나 있다. 이때, 적층 세라믹 커패시터 시편들은 다음과 같이 제조되었다. [표 2]에서 실시예는 [표 1]의 성분비의 유전체 조성물들에 대하여, 주성분에 대한 붕규산염계 유리의 함량을 1.0 ~ 2.0 몰% 범위로 하고, 비교예는 [표 1]의 동일 성분비의 유전체 조성물들에서 주성분에 대한 붕규산염계 유리의 함량을 2.5 ~ 3.0 몰% 범위로 한 것이다.
먼저, 저온 소성 유전체 조성물을 유기 용매로 혼합 및 분산하고, 이후, 유기 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 이를 필름 상에 약 2㎛로 도포하여 액티브층용 및 커버층(13)용 시트를 분리하여 제조한다. 액티브층 유전체 시트에 니켈(Ni) 내부전극을 인쇄하고, 내부전극이 인쇄된 각 유전체 시트를 100층 적층한 후, 커버용 유전체 시트로 상단 및 하단에 추가 적층한다. 이후, 적층체를 CIP(Cold Isostatic Press)한 후 절단하여 시편을 제조하였다. 시편들은 300℃에서 4시간 이상 열처리하여 유기 바인더, 분산제 등을 제거하고, 온도 및 분위기 제어가 가능한 소성로를 이용하여 1050 ~ 1150℃ 범위에서 소결한다. 이때 소성 분위기내 산소 분압은 10-9 ~ 10-13 기압으로 제어하였다. 소결이 끝난 시편들은 Cu 외부전극을 도포하여 700 ~ 900℃ 사이에서 전극 소성을 행하고, 전극 소성이 완료된 후 도금 공정을 진행하여 시편 제작을 완료하였다.
다음의 [표 2]에 개시된 특성을 조사하기 위해 커패시턴스 미터(Capacitance meter: Agilent Technoloties사 4278A)를 이용하여 1KHz, 1V 조건하에서 0.01 내지 10V의 교류전압 변화에 따른 각 시편의 용량 및 유전손실의 변화치를 측정하였다. 이 중 유전체의 단위 두께당 인가전압이 1V/㎛에 해당할 때의 용량과 유전손실을 구하였으며, 이때의 용량과 소성 시편의 유전체층 평균두께, 적층수 및 전극면적 등을 아래의 식에 대입하여 각 소성온도에 따른 유전체의 유전율을 구하였다.
식 : C=εr·ε0·N·S/td
전술한 식에서, C는 정전 용량, εr은 유전체의 유전율, ε0는 진공의 유전율, N은 적층수, S는 전극면적, td는 유전체층 두께이다.
적층 세라믹 커패시터의 신뢰성은 [표 2]에서의 고온 절연저항 및 내습 절연저항의 측정 결과로부터 평가하였다. 고온 절연저항은 150℃ 항온 상태에서, 유전체 단위두께당 6.3V가 인가되는 전압(6.3V/㎛)을 정격전압 1Vr로 설정하여 절연저항을 측정하였다. 이때, 시료의 절연파괴 임계전압은 인가전압을 매 30분 간격으로 승압(DC Voltage 상승)함에 따라 시편의 절연 저항값이 105Ω 이하로 떨어질 때의 전압으로 정하였다.

유전체 조성물 구분
주성분
부성분(주성분 100몰%에 대한 몰%)

BaTiO3
희토류 산화물
MnO
BaCO3

A
100
0.5
0.1
1.0

B
100
0.7
0.5
1.0

C
100
0.7
0.1
1.5

D
100
1.0
0.1
1.5

E
100
1.0
0.5
1.5

F
100
0.7
0.5
2.0

G
100
1.0
1.0
2.0
[표 1]은 주성분과 부성분의 함량 조건표이다.
구분 번호 유전체 조성물 구분 유리 첨가량 소성온도 (℃) 유전율 고온절연저항 TCC(125℃)






실
시
예		 1 A 1.0 1080 2200 ○ -20%
2 A 1.5 1080 2100 ○ -10%
3 B 1.0 1080 2200 △ -15%
4 B 1.5 1070 2300 △ -13%
5 B 2.0 1070 2400 △ -10%
6 C 1.0 1050 2200 △ -9%
7 C 1.5 1050 2400 ○ -10%
8 C 2.0 1050 2500 ○ -9%
9 D 1.0 1060 2100 ○ -10%
10 D 1.5 1070 2200 △ -7%
11 D 2.0 1080 2300 ○ -10%
12 E 1.0 1070 2400 ○ -11%
13 E 1.5 1080 2200 △ -13%
14 E 2.0 1100 2300 △ -15%
15 F 1.0 1080 2200 △ -17%
16 F 1.5 1100 2300 ○ -19%
17 F 2.0 1100 2500 ○ -17%
18 G 1.5 1080 2400 △ -13%
19 G 2.0 1100 2500 ○ -10%



비
교
예		 20 B 2.5 1150 2400 △ -35%
21 B 3.0 1130 2300 X -20%
22 C 2.5 1100 2500 △ -20%
23 C 3.0 1130 2300 △ -17%
24 D 2.5 1100 2700 △ -15%
25 D 3.0 1130 2500 X -20%
26 E 2.5 1100 2300 X -15%
27 E 3.0 1130 2500 △ -17%
28 F 2.5 1100 2700 △ -15%
29 F 3.0 1150 2300 △ -17%
30 G 2.5 1130 2500 △ -20%
31 G 3.0 1130 2700 X -20%
[표 2]에서 유리 첨가량은 주성분 100몰%에 대한 몰%를 나타내고, 고온절연저항 평가에서 "○"는 임계 절연저항 평가가 7 Vr 이상으로 우수한 것을 나타내고 "△"는 임계 절연저항 평가가 3 ~ 7 Vr로 보통인 것을 나타내고, "X"는 임계 절연저항 평가가 3 Vr 미만으로 불량인 것을 나타낸다.
[표 2]에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 실시예 시료들은 고온 절연저항에서 우수 또는 보통을 나타내고 소성온도나 TCC도 양호하였으나, 비교예는 고온 절연저항에서 불량을 포함하고, 소성온도가 높고 TCC도 차이가 크게 나타나고 있다. 본 발명의 실시예들은 신뢰성 측면에서 우수하였으며, 특히 실시예에 해당하는 번호 2, 6~9, 19는 소결온도의 저하와 신뢰성과 TCC 특성이 크게 개선되었다.
하나의 예에서, 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 2.0 범위일 수 있다. 예컨대, [표 2]를 참조하면, 소성온도가 1100℃ 이하이고 고온절연저항 평가가 우수 내지 보통 등급에 해당하는 유전체 조성물들은 붕규산염계 유리 함량은 1.0 ~ 2.0 몰%인데, 이들 실시예 번호 1 ~ 19 중 125℃ TCC가 -15% 차이 이하인 유전체 조성물들은 실시예 번호 2 내지 14, 18, 19이다. 이때, 125℃ TCC가 -15% 차이 이하인 유전체 조성물들의 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 2.0 범위이다.
이때, 또 하나의 예에서, 붕규산염계 유리는 티탄산바륨(BaTiO3) 100 몰%에 대해 1.0 ~ 2.0 몰%일 수 있다. 예컨대, [표 2]를 참조하면, 소성온도가 1100℃ 이하이고 고온절연저항 평가가 우수 내지 양호 등급에 해당하는 유전체 조성물들은 붕규산염계 유리 함량은 1.0 ~ 2.0 몰%이다.
또한, 하나의 예에서, 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 1.5 범위일 수 있다. 즉, [표 2]를 참조하면, 붕규산염계 유리 함량이 1.0 ~ 2.0 몰% 범위에 해당하는 유전체 조성물들 중 고온절연저항 평가가 우수에 해당되고 125℃ TCC가 -15% 차이 미만인 유전체 조성물들은 번호 2, 7, 8, 9, 11, 12, 19이고, 이들의 탄산바륨(BaCO3)에 대한 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 1.5 범위이다.
다음으로, 도 2a 내지 4b를 참조하여, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 살펴본다. 도 2a 내지 4b에서 도면부호 11은 액티브층 유전체를 나타내고, 도면부호 13은 커버층 유전체를 나타내고, 도면부호 30은 내부 전극을 나타낸다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 저온 소성 유전체 조성물과 대비되는 비교예를 나타낸 사진이다. 도 2a는 1055℃ 저온 소성된 기존 X7R 등급의 적층 세라믹 커패시터의 액티브층 유전체를 나타내는 사진으로 비교예의 유전체 조성물을 나타내고 있다. 도 2b는 1055℃ 저온 소성된 기존 X7R 등급의 적층 세라믹 커패시터의 커버층 유전체를 나타내는 사진으로 비교예의 유전체 조성물을 나타내고 있다. 도 2a 및 2b의 비교예의 유전체 조성물은 주성분과 부성분으로 티탄산바륨(BaTiO3) 100 mol%, 희토류 산화물 1.0 mol%, 탄산바륨(BaCO3) 1.5 mol% 및 이산화규소(SiO2) 1.0 mol%를 포함하고 있다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 나타낸 사진이다. 도 3a는 1055℃ 저온 소성된 본 발명의 하나의 예에 따른 적층 세라믹 커패시터의 액티브층 유전체를 나타내는 사진이고, 도 3b는 1055℃ 저온 소성된 커버층 유전체를 나타내는 사진이다. 도 3a 및 3b의 유전체의 조성물은 본 발명의 하나의 예에 따라 주성분으로 티탄산바륨(BaTiO3) 100 mol%와 부성분으로 희토류 산화물 0.5 mol%, 산화망간(MnO) 0.1 mol%, 탄산바륨(BaCO3) 1.0 mol% 및 붕규산계 유리 1.0 mol%를 포함하고 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 또 하나의 예에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 나타낸 사진이다. 도 4a는 1055℃ 저온 소성된 본 발명의 하나의 예에 따른 적층 세라믹 커패시터의 액티브층 유전체를 나타내는 사진이고, 도 4b는 1055℃ 저온 소성된 커버층 유전체를 나타내는 사진이다. 도 4a 및 4b의 유전체의 조성물은 본 발명의 하나의 예에 따라 주성분으로 티탄산바륨(BaTiO3) 100 mol%와 부성분으로 희토류 산화물 0.7 mol%, 산화망간(MnO) 0.1 mol%, 탄산바륨(BaCO3) 1.0 mol% 및 붕규산계 유리 1.5 mol%를 포함하고 있다.
도 2a 및 2b의 비교예와 도 3a 및 3b, 그리고 도 4a 및 4b를 비교해보면, 도 2a 및 2b의 비교예는 1055℃ 저온 소성 시 치밀하지 못한 구조지만 도 3a 및 3b, 그리고 도 4a 및 4b의 실시예에서는 1055℃ 저온 소성 시 도 2a 및 2b의 비교예보다 훨씬 치밀한 구조를 갖는다. 도 3a 및 3b, 그리고 도 4a 및 4b에 도시된 치밀한 구조로 인하여 내습 및 고온 절연저항의 우수한 효과를 갖는다.
다음으로, 본 발명의 다른 하나의 모습에 따른 적층 세라믹 커패시터를 도면을 참조하여 구체적으로 살펴본다. 이때, 전술한 발명의 하나의 모습의 실시예들에 따른 저온 소성 유전체 조성물이 참조될 것이고, 이에 따라 중복되는 설명들은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 하나의 예에 따른 적층 세라믹 커패시터는 유전체(10), 내부 전극(30) 및 외부 전극(50)을 포함한다. 각 구성들을 구체적으로 살펴본다.
유전체(10)는 커버층(13) 및 액티브층(11)으로 이루어진다. 커버층(13)은 적층체의 상측 및 하측 외곽을 형성한다. 커버층(13) 사이에 복수의 액티브층(11)이 형성된다. 이때, 유전체는 전술한 본 발명의 하나의 모습에 따른 저온 소성 유전체 조성물로 이루어진다.
이때, 유전체 조성물은 티탄산바륨(BaTiO3)을 주성분으로 하고, 부성분을 포함하고 있다. 예컨대, 하나의 예에서, 주성분인 티탄산바륨(BaTiO3)은 100 ~ 200 ㎚의 평균 입자크기를 갖는다. 주성분 외의 부성분은 탄산바륨(BaCO3), 희토류 산화물, 산화망간(MnO) 및 붕규산염계 유리를 포함한다. 이때, 주성분 100 몰%에 대하여, 탄산바륨(BaCO3)은 1.0 ~ 2.0 몰%이고, 희토류 산화물은 0.5 ~ 1.0 몰%이고, 산화망간(MnO)은 0.1 ~ 1.0 몰%이고, 붕규산염계 유리는 1.0 ~ 2.0 몰%이다. 또한, 희토류 산화물은 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3 및 Yb2O3 로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택된 것이다.
예컨대, 하나의 예에서, 유전체 조성물의 붕규산염계 유리는 산화보론(B2O3)과 이산화규소(SiO2)를 기본으로 하여 알칼리 산화물을 포함하는 알칼리 붕규산염(alkali-borosilicate)계 유리에 알칼리토류 산화물 및 불화물 중 적어도 알칼리토류 불화물을 포함하여 이루어진다. 이때, 붕규산염계 유리의 각 성분의 몰수의 합이 100 일때 산화보론(B2O3)은 10 ~ 30 이고 이산화규소(SiO2)는 50 ~ 80 이고 알칼리 산화물은 2 ~ 10 이고 알칼리토류 산화물은 0 ~ 30 이고 알칼리토류 불화물은 1 ~ 5 일 수 있다.
유전체는 1200℃ 이하에서 저온 소성된다. 예컨대, 하나의 예에서, 유전체는 1000 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성된다. 예컨대, [표 2]를 참조하면, 유전체 조성물은 1050 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성된다.
또한, 액티브층(11)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 하나의 예에서, 초박형의 고용량 커패시터를 구현하기 위해 한 층당 1.5㎛ 이하일 수 있고, 0.5 ~ 1.5㎛인 것이 보다 바람직하다.
게다가, 하나의 예에서, 액티브층(11)을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기는 150 ~ 300 ㎚ 범위일 수 있다. 소성 후의 액티브층(11)을 형성하는 유전체 조성물의 입자크기는 주성분과 부성분이 혼합되어 소성되므로 주성분의 입자크기보다 커진다. 이때, 커버층(13)을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기가 액티브층(11)을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기보다 크다. 예컨대, 또 하나의 예에서, 커버층(13)을 형성하는 유전체 조성물의 평균 입자크기는 300 ~ 400 ㎚ 범위일 수 있다.
유전체를 형성하는 유전체 조성물은 전술한 발명의 모습에 따른 저온 소성 유전체 조성물이 적용되므로, 구체적으로 설명되지 않은 사항은 전술한 발명의 모습에 따른 저온 소성 유전체 조성물을 참조하기로 한다.
다음으로, 도 1을 참조하면, 내부 전극(30)은 유전체 내에 형성된 복수의 전극층으로 이루어진다. 유전체 내에 형성된 복수의 전극층은 각 전극층 사이에 액티브층(11) 각각이 개재되도록 형성된다. 이때, 복수의 전극층은 유전체(10)의 수평방향의 양쪽으로 번갈아 노출되며 외부전극(50)과 전기적 접속된다.
예컨대, 하나의 예에서, 내부 전극(30)은 니켈(Ni) 재질로 이루어진다.
다음으로, 외부 전극(50)을 살펴보면, 외부 전극(50)은 유전체의 수평방향 양쪽에 형성되며 내부 전극(30)과 전기적으로 접속된다.
본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법은 특별히 제한되지 않고, 당해 기술분야에서 사용되는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 세라믹 유전체를 함유하는 슬러리를 이용하여 그린 시트를 성형하고, 그리 시트 내에 내부 전극을 인쇄한 후 소결하여 제조될 수 있다.
예를 들어 적층 세라믹 커패시터의 제조방법을 살펴보면, 먼저, 저온 소성 유전체 조성물을 유기 용매로 혼합 및 분산하고, 이후, 유기 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 이를 필름 상에 약 2㎛로 도포하여 액티브층(11)용 및 커버층(13)용 시트를 분리하여 제조한다. 다음, 액티브층 유전체 시트에 니켈(Ni) 내부전극을 인쇄하고, 내부전극이 인쇄된 각 유전체 시트를 100층 적층한 후, 커버용 유전체 시트로 상단 및 하단에 추가 적층한다. 이후, 적층체를 절단하고, 절단된 소체들은 300℃에서 4시간 이상 열처리하여 유기 바인더, 분산제 등을 제거하고, 온도 및 분위기 제어가 가능한 소성로를 이용하여 300 ~ 1150℃ 범위에서 소결한다. 이때 소성 분위기내 산소 분압은 10-9 ~ 10-13 기압으로 제어하였다. 소결이 끝난 시편들은 Cu 외부전극을 도포하여 700 ~ 900℃ 사이에서 전극 소성을 행하고, 전극 소성이 완료된 후 도금 공정을 진행하여 적층 세라믹 커패시터 제작을 할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 하나의 예에 따라 X7R의 온도범위 특성을 만족하는 저온 소성 유전체 조성물 및 그를 유전체로 사용하는 적층 세라믹 커패시터를 제조할 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에서는 Ca산화물을 사용하지 않고 고유전율 및 고온신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 하나의 예에서 Ni 내부전극을 사용할 수 있다. 게다가, 1200℃ 이하, 예컨대 1100℃ 이하에서 환원분위기 소성이 가능하며 특히, 유전상수 값이 2000 이상의 유전체 조성물을 얻을 수 있다.
이상에서, 전술한 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 범주를 제한하는 것이 아니라 본 발명에 대한 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 이해를 돕기 위해 예시적으로 설명된 것이다. 또한, 전술한 구성들의 다양한 조합에 따른 실시예들이 앞선 구체적인 설명들로부터 당업자에게 자명하게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다양한 실시예는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 기재된 발명에 따라 해석되어야 하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 다양한 변경, 대안, 균등물들을 포함하고 있다.
10: 유전체 11: 액티브층
13: 커버층 30: 내부 전극
50: 외부 전극

Claims (12)

  1. 티탄산바륨(BaTiO3) 및 부성분을 포함하고,
    상기 부성분은 100 몰%의 주성분에 대해, 1.0 ~ 2.0 몰%의 탄산바륨(BaCO3), 0.5 ~ 1.0 몰%의 희토류 산화물, 0.1 ~ 1.0 몰%의 산화망간(MnO) 및 1.0 ~ 2.0 몰%의 붕규산염계 유리를 포함하고,
    상기 희토류 산화물은 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3 및 Yb2O3 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상이며,
    상기 붕규산염계 유리는 산화보론(B2O3)과 이산화규소(SiO2)를 기본으로 하여 알칼리 산화물을 포함하는 알칼리 붕규산염(alkali-borosilicate)계 유리에 알칼리토류 산화물 및 불화물 중 적어도 상기 알칼리토류 불화물을 포함하여 이루어지고,
    상기 붕규산염계 유리의 각 성분의 몰수의 합이 100 일때 상기 산화보론(B2O3)은 10 ~ 30 이고 상기 이산화규소(SiO2)는 50 ~ 80 이고 상기 알칼리 산화물은 2 ~ 10 이고 상기 알칼리토류 산화물은 0 ~ 30 이고 상기 알칼리토류 불화물은 1 ~ 5 인 저온 소성 유전체 조성물.
  2. 청구항 1에서,
    상기 탄산바륨(BaCO3)에 대한 상기 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 2.0 범위 것을 특징으로 하는 저온 소성 유전체 조성물.
  3. 청구항 2에서,
    상기 탄산바륨(BaCO3)에 대한 상기 붕규산염계 유리의 비율은 1.0/1.5 ~ 1.5 범위인 것을 특징으로 하는 저온 소성 유전체 조성물.
  4. 청구항 1에서,
    상기 티탄산바륨(BaTiO3)은 100 ~ 200 ㎚의 평균 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 저온 소성 유전체 조성물.
  5. 삭제
  6. 청구항 1 내지 4 중 어느 하나에서,
    상기 유전체 조성물은 1000 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성되는 것을 특징으로 하는 저온 소성 유전체 조성물.
  7. 상측 및 하측 외곽을 형성하는 커버층 및 상기 커버층 사이에 형성된 복수의 액티브층으로 이루어진 유전체;
    상기 유전체 내에서 각 전극층 사이에 상기 액티브층 각각이 개재되도록 복수의 전극층으로 이루어지고 상기 유전체의 수평방향의 양쪽으로 번갈아 노출되는 내부 전극; 및
    상기 유전체의 수평방향 양쪽에 형성되며 상기 내부 전극과 전기적으로 접속되는 외부 전극;을 포함하여 이루어지고,
    상기 유전체는 청구항 1 내지 4 중 어느 하나에 따른 저온 소성 유전체 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
  8. 청구항 7에서,
    상기 액티브층을 형성하는 상기 유전체 조성물의 평균 입자크기는 150 ~ 300 ㎚이고,
    상기 커버층을 형성하는 상기 유전체 조성물의 평균 입자크기가 상기 액티브층을 형성하는 상기 유전체 조성물의 평균 입자크기보다 큰 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
  9. 청구항 8에서,
    상기 커버층을 형성하는 상기 유전체 조성물의 평균 입자크기는 300 ~ 400 ㎚의 평균 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
  10. 청구항 7에서,
    상기 내부 전극은 니켈(Ni) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
  11. 삭제
  12. 청구항 7에서,
    상기 유전체는 1000 ~ 1100℃ 범위에서 저온 소성된 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6909011B2 (ja) * 2017-02-21 2021-07-28 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP7310542B2 (ja) * 2019-10-29 2023-07-19 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
JP7310543B2 (ja) * 2019-10-29 2023-07-19 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
KR20220092154A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 유전체 조성물
CN112992431B (zh) * 2021-04-16 2021-08-03 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 多层片式陶瓷电容器用高分散镍内电极浆料及其制备方法
CN114230335B (zh) * 2021-12-22 2022-12-13 福建贝思科电子材料股份有限公司 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法
CN114804859B (zh) * 2022-05-11 2022-11-29 湖南艾迪奥电子科技有限公司 一种高可靠性x7r用陶瓷粉料的制备方法
CN115784736B (zh) * 2022-11-24 2024-01-26 江苏省陶瓷研究所有限公司 一种表面无橘红色斑点、高阻温的ptc加热陶瓷及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007119598A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
WO2008018852A2 (en) 2005-06-02 2008-02-14 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US20130099149A1 (en) 2011-10-25 2013-04-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Insulating layer composition for substrate, and prepeg and substrate using the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04310565A (ja) * 1991-04-09 1992-11-02 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物
GB2284416B (en) * 1993-12-02 1997-09-17 Kyocera Corp Dielectric ceramic composition
US7482299B2 (en) * 1998-07-29 2009-01-27 Namics Corporation Dielectric ceramic composition and multi-layer ceramic capacitor
JP3709914B2 (ja) 1998-08-11 2005-10-26 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR100775391B1 (ko) * 2000-06-20 2007-11-12 가무시키가이샤 도시바 투명 필름-코팅된 기재, 투명 필름 형성용 코팅 액제 및디스플레이 장치
US6723673B2 (en) * 2000-08-31 2004-04-20 Mra Laboratories, Inc. High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making
JP2006265003A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Nippon Chem Ind Co Ltd 誘電体セラミック形成用組成物および誘電体セラミック材料
CN1304335C (zh) * 2005-06-20 2007-03-14 清华大学 一种低温共烧陶瓷及其制备方法
KR100703080B1 (ko) 2005-06-24 2007-04-06 삼성전기주식회사 저온 소성용 유전체 분말의 제조 방법과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서의 제조 방법
TW200707485A (en) * 2005-06-24 2007-02-16 Tdk Corp Electronic part and process for producing the same
KR100632001B1 (ko) * 2005-07-29 2006-10-09 삼성전기주식회사 저온 소결용 유리 조성물, 유리 프릿, 유전체 조성물 및이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서
WO2007029657A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板
KR100790682B1 (ko) 2006-09-14 2008-01-02 삼성전기주식회사 저온 소결용 유리 조성물과 이를 이용한 유리 프릿, 유전체조성물, 적층 세라믹 커패시터
KR100946016B1 (ko) * 2007-11-16 2010-03-09 삼성전기주식회사 저온 소성 및 고온 절연저항 강화용 유전체 조성물 및 이를이용한 적층 세라믹 커패시터
KR100983046B1 (ko) * 2008-12-29 2010-09-17 삼성전기주식회사 소결조제용 붕규산염계 유리 조성물, 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
CN101786864B (zh) * 2009-12-22 2012-12-05 广东风华高新科技股份有限公司 一种与镍内电极匹配的陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法
KR101483819B1 (ko) * 2011-01-18 2015-01-16 삼성전기주식회사 글라스 분말 및 이의 제조방법
CN103011767A (zh) * 2012-12-25 2013-04-03 青岛科技大学 一种卫生陶瓷坯体
KR20140112779A (ko) * 2013-03-14 2014-09-24 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008018852A2 (en) 2005-06-02 2008-02-14 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
JP2007119598A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
US20130099149A1 (en) 2011-10-25 2013-04-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Insulating layer composition for substrate, and prepeg and substrate using the same

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