JP7310542B2 - 誘電体組成物および電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体組成物、および、当該誘電体組成物から構成される誘電体層を備える電子部品に関する。

電子機器に組み込まれる電子回路あるいは電源回路には、誘電体が発現する誘電特性を利用する積層セラミックコンデンサのような電子部品が多数搭載される。特許文献１には、電子部品の誘電体セラミックが２次相を有する旨が記載されており、該２次相は構成元素としてＹ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｉを含み、組成比はモル比でＹ：Ｂａ：Ｃａ：Ｓｉ＝２：１：２：１に近い比率である旨が記載されている。

しかし、誘電体セラミックの２次相が上記の組成比である場合には、誘電体セラミックの密度が十分に高くなく、なおかつ、誘電体セラミックの強度が十分ではないことが判明した。

特開２００１－６９６６号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、密度が高く、なおかつ、高い強度を示す誘電体組成物と、その誘電体組成物から構成される誘電体層を備える電子部品と、を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物は、
主相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうち少なくともいずれか一方と、を含む誘電体組成物であって、
前記主相はＡＢＯ_３で表される化合物を主成分とし、
前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記ＲＥは希土類元素を示し、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成され、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。

本発明者は、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物が、上記の構成であることにより、密度が高く、なおかつ、高い強度を示すことができることを見出した。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物は、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を含むことが好ましい。

本発明者は、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物が、上記の構成であることにより、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができることを見出した。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る誘電体組成物は、
主相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうち少なくともいずれか一方と、を含む誘電体組成物であって、
前記主相はＡＢＯ_３で表される化合物を主成分とし、
前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
前記ＲＥは希土類元素を示し、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１６～５０モル％含まれ、
バリウム、希土類元素およびケイ素が合計で９７モル％より多く含まれ、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
バリウムが１０～２５モル％含まれ、
希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
ケイ素が１２～５０モル％含まれ、
チタンが３～１７モル％含まれ、
バリウム、希土類元素、ケイ素およびチタンが合計で９８モル％以上含まれる。

本発明者は、本発明の第２の観点に係る誘電体組成物は、上記の構成であることにより、密度が高く、なおかつ、高い強度を示すことができることを見出した。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、実質的にカルシウムが含まれないことが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ａはバリウムであってもよい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂはチタンであってもよい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系は正方晶であることが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の空間群は

であることが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
（前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積／前記主相の面積）×１００［％］の式で表される前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積比率が０．５～２０％であることが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、 （前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積／前記主相の面積）×１００［％］の式で表される前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比率が０．５～２０％であることが好ましい。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５～１μｍであることが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物では、前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を含み、
前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５～１μｍであることが好ましい。

これにより、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または第２の観点に係る誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本発明の電子部品は、本発明の第１の観点に係る誘電体組成物または本発明の第２の観点に係る誘電体組成物を含む誘電体層を備える。

これにより、本発明の電子部品は、高い強度を示すことができる。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線に沿う積層セラミックコンデンサの断面図である。 図２は、試料番号２の誘電体組成物の断面の模式図である。

［第１実施形態］
＜１．積層セラミックコンデンサ＞
１．１ 積層セラミックコンデンサの全体構成
本実施形態に係る電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１が図１Ａおよび図１Ｂに示される。積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、素子本体１０の寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。

１．２ 誘電体層
誘電体層２は、後述する本実施形態に係る誘電体組成物から構成されている。

誘電体層２の１層あたりの厚み（層間厚み）は特に限定されず、所望の特性や用途等に応じて任意に設定することができる。通常は、層間厚みは３０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下であり、さらに好ましくは１０μｍ以下である。また、誘電体層２の積層数は特に限定されないが、本実施形態では、たとえば２０以上であることが好ましい。

１．３ 内部電極層
本実施形態では、内部電極層３は、各端部が素子本体１０の対向する２端面の表面に交互に露出するように積層してある。

内部電極層３に含有される導電材としては特に限定されない。導電材として用いられる貴金属としては、たとえばＰｄ、Ｐｔ、Ａｇ－Ｐｄ合金等が挙げられる。導電材として用いられる卑金属としては、たとえばＮｉ、Ｎｉ系合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金等が挙げられる。なお、Ｎｉ、Ｎｉ系合金、ＣｕまたはＣｕ系合金中には、Ｐおよび／またはＳ等の各種微量成分が０．１質量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層３は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

１．４ 外部電極
外部電極４に含有される導電材は特に限定されない。たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕあるいはこれらの合金、導電性樹脂等公知の導電材を用いればよい。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。

＜２．誘電体組成物＞
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、主相１４の間にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を含む。ここで、ＲＥは希土類元素を表す。

２．１ 主相
本実施形態の主相１４はＡＢＯ_３で表される化合物を主成分として含む。なお、主相１４の主成分とは、主相１００質量部に対して、８０～１００質量部を占める成分であり、好ましくは、９０～１００質量部を占める成分である。

（Ａのモル比／Ｂのモル比）で表されるＡとＢとのモル比は１であってもよいし、１でなくてもよい。ＡとＢのモル比は０．９～１．２であることが好ましい。

なお、（Ａのモル比／Ｂのモル比）が１より大きいとＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６および後述するＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相が形成され易くなる傾向となる。

Ａはバリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含む。本実施形態では、Ａはバリウム（Ｂａ）であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

また、Ａがバリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）である場合には、バリウム（Ｂａ）およびカルシウム（Ｃａ）の合計を１モル部とした場合に、バリウム（Ｂａ）の含有量が０．９～１モル部であることが好ましい。

Ｂはチタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含む。本実施形態では、Ｂはチタン（Ｔｉ）であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

また、Ｂがチタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）である場合には、チタン（Ｔｉ）およびジルコニウム（Ｚｒ）の合計を１モル部とした場合に、チタン（Ｔｉ）の含有量が０．８～１モル部であることが好ましい。

本実施形態では、主相１４にマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）から選ばれる少なくともいずれか１つを含んでいてもよい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。本実施形態では、主相１４にマグネシウム（Ｍｇ）およびマンガン（Ｍｎ）を含むことが好ましい。

本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、マグネシウム（Ｍｇ）を０．０５～２モル部含むことが好ましい。

本実施形態では、主相１４のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対して、マンガン（Ｍｎ）もしくはクロム（Ｃｒ）を０．０５～０．４モル部含むことが好ましい。

本実施形態では、主相１４は必要に応じて、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、バナジウム（Ｖ）および希土類元素（ＲＥ）等の元素を含有してもよい。

２．２ Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相
図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上記の主相１４の間に、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を含む。本実施形態に係るＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

ここで、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６が、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物で構成される。」とは、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が合計で９７モル％を超える場合である。

本実施形態の誘電体組成物は後述するＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を含んでいてもよい。

誘電体組成物の断面の１０μｍ四方におけるＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６の数をＮ１とし、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の数をＮ２とする。

本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。たとえば、焼成後にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を構成する第１添加剤にチタン（Ｔｉ）が含まれていなくても、主相１４に含まれるチタン（Ｔｉ）が拡散して、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれることがある。

本実施形態において、誘電体層２を構成する誘電体組成物がＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を有するか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、以下に具体的な方法を例示する。

まず、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いて誘電体組成物の断面を撮影し、明視野（ＢＦ）像を得る。撮影する視野の広さは特に限定されないが、たとえば、１～１０μｍ四方程度の広さである。この明視野像において主相１４とは異なるコントラストを有する領域を異相であると認定する。異なるコントラストを有するか否か、すなわち異相を有するか否かの判断は、目視により行ってもよいし、画像処理を行うソフトウェア等により判断してもよい。

そして、上記の異相について、ＥＤＳ分析により、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の各量を測定する。

異相の同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６であると判断する。

この他にも、マッピング画像によりＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６の有無を判断してもよい。具体的には、バリウム（Ｂａ）のマッピング画像と、希土類元素（ＲＥ）のマッピング画像と、ケイ素（Ｓｉ）のマッピング画像と、を比較して、同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在している箇所を特定する。そして、特定された箇所に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、特定された箇所に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その特定された箇所はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６であると判断する。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６の面積比率を「（Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積／主相の面積）×１００［％］」の式で表す。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６の面積比率が０．５～２０％であることが好ましく、１～１０％であることがより好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６の円相当径が０．０５～１μｍであることが好ましく、０．１～０．５μｍであることがより好ましい。なお、円相当径とは、当該形状の面積と同じ面積を有する円の径を示す。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６には、バリウム（Ｂａ）が１０～２５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６には、希土類元素（ＲＥ）が３３～５９モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

希土類元素（ＲＥ）の種類は、特に限定されないが、たとえばイットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）またはホルミウム（Ｈｏ）を用いることができる。希土類元素（ＲＥ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６には、ケイ素（Ｓｉ）が１６～５０モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

なお、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６は上記の元素以外の元素を含んでいてもよく、たとえばカルシウム（Ｃａ）等の元素を含有してもよい。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６には、カルシウム（Ｃａ）が実質的に含まれないことが好ましい。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、カルシウム（Ｃａ）は２モル％以下含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系は正方晶であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の空間群は

であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

結晶系が正方晶であり、空間群が

であるＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物としては、たとえばＢａ_５Ｙ_１３Ｓｉ_８Ｏ_４１が挙げられる。

＜３．積層セラミックコンデンサの製造方法＞
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について以下に説明する。

本実施形態では、上記の誘電体組成物を構成する主相１４の主成分であるＡＢＯ_３粒子の仮焼き粉末と、第１添加剤の仮焼き粉末と、第２添加剤の仮焼き粉末と、を用意する。

第１添加剤の仮焼き粉末とは、焼成後にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を構成するバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の仮焼き粉末である。

また、第２添加剤とは、焼成後に主相１４に含まれることになるマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）の仮焼き粉末である。なお、第２添加剤には、さらにバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）を含めることもできる。なお、第２添加剤に含まれたマグネシウム、マンガン、クロムは主に主相１４に含まれることになる。

上記の各元素の原料としては特に限定されず、各元素の酸化物を用いることができる。また、焼成により各元素の酸化物を得ることができる各種化合物を用いることができる。各種化合物としては、たとえば炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等が例示される。本実施形態では、上記の出発原料は粉末であることが好ましい。

準備した出発原料のうち、ＡＢＯ_３粒子の原料を所定の割合に秤量した後、ボールミル等を用いて所定の時間、湿式混合を行う。混合粉を乾燥後、大気中において７００～１３００℃の範囲で熱処理を行い、ＡＢＯ_３粒子の仮焼き粉末を得る。また、仮焼き粉末はボールミル等を用いて所定の時間、粉砕を行ってもよい。

焼成後にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を構成するバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の酸化物等の各種化合物等を準備し、熱処理して第１添加剤の仮焼き粉末を得る。

第１添加剤および／または後述する第１ａ添加剤の仮焼き粉末の粉砕条件を変えることで、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６および／またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の円相当径を変えることができる。たとえばボールミルの粉砕時間を変えることで円相当径を調整することができる。

焼成後に主相１４に含まれることになるマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）の酸化物等の各種化合物等を準備し、熱処理して第２添加剤の仮焼き粉末を得る。また，第２添加剤にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）を加えて仮焼き粉末を得てもよい。

続いて、グリーンチップを作製するためのペーストを調製する。得られたＡＢＯ_３粒子の仮焼き粉末と、第１添加剤の仮焼き粉末と、第２添加剤の仮焼き粉末と、バインダと、溶剤と、を混練し塗料化して誘電体層用ペーストを調製する。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。

誘電体層用ペーストは、必要に応じて、可塑剤や分散剤等の添加物を含んでもよい。

内部電極層用ペーストは、上述した導電材の原料と、バインダと、溶剤と、を混練して得られる。バインダおよび溶剤は、公知のものを用いればよい。内部電極層用ペーストは、必要に応じて、共材や可塑剤等の添加物を含んでもよい。

外部電極用ペーストは、内部電極層用ペーストと同様にして調製することができる。

得られた各ペーストを用いて、グリーンシートおよび内部電極パターンを形成し、これらを積層してグリーンチップを得る。

得られたグリーンチップに対し、必要に応じて、脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理条件は、たとえば、保持温度を好ましくは２００～３５０℃とする。

脱バインダ処理後、グリーンチップの焼成を行い、素子本体１０を得る。本実施形態では、焼成時の雰囲気は特に限定されず、空気中であってもよいし、還元雰囲気下であってもよい。本実施形態では、焼成時の保持温度は特に限定されず、たとえば１２００～１３５０℃である。

焼成後、得られた素子本体１０に対し、必要に応じて、再酸化処理（アニール）を行う。アニール条件は、たとえば、アニール時の酸素分圧を焼成時の酸素分圧よりも高い酸素分圧とし、保持温度を１１５０℃以下とすることが好ましい。

上記のようにして得られた素子本体１０の誘電体層２を構成する誘電体組成物は、上述した誘電体組成物である。この素子本体１０に端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成する。そして、必要に応じて、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。

このようにして、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１が製造される。

回路基板に搭載されている積層セラミックコンデンサ１は、回路基板の撓み等の変形により応力が印加されることがある。そのため、誘電体組成物には、機械的強度が高いことが求められる。

これに対して、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上記の誘電体組成物を含む誘電体層２を備えることにより、高い強度を示すことができる。

本実施形態では、素子本体１０の縦寸法Ｌ０（図１Ａ参照）は、３．５～０．４ｍｍであることが好ましい。本実施形態では、素子本体１０の幅寸法Ｗ０（図１Ｂ参照）は、２．７～０．２ｍｍであることが好ましい。本実施形態では、素子本体１０の高さ寸法Ｈ０（図１Ｂ参照）は、２．７～０．２ｍｍであることが好ましい。素子本体１０のサイズを小さくすることで、積層セラミックコンデンサ１を実装した基板がひずんだ際に、積層セラミックコンデンサ１に機械的な故障が生じにくくなる。すなわち、本実施形態に係る誘電体組成物から構成される素子本体１０は、そのサイズを小さくすることで、機械的強度がより向上する傾向となる。

素子本体１０の具体的なサイズとしては、Ｌ０×Ｗ０が（３．２±０．３）ｍｍ×（２．５±０．２）ｍｍ、（３．２±０．３）ｍｍ×（１．６±０．２）ｍｍ、（２．０±０．２）ｍｍ×（１．２±０．１）ｍｍ、（１．６±０．２）ｍｍ×（０．８±０．１）ｍｍ、（１．０±０．１）ｍｍ×（０．５±０．０５）ｍｍ、（０．６±０．０６）ｍｍ×（０．３±０．０３）ｍｍ、（０．４±０．０４）ｍｍ×（０．２±０．０２）ｍｍの場合等が挙げられる。また、Ｈ０は特に限定されず、たとえばＷ０と同等以下程度である。

［第２実施形態］
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１と同様である。

本実施形態の誘電体組成物は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を含む。

本実施形態のＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、より高い強度を示すことができる。

ここで、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相が、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。」とは、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が合計で９８モル％以上含まれることである。

また、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相が、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される。」とは、好ましくは、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３～１７モル％であり、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が合計で９８モル％以上含まれることである。

本実施形態の誘電体組成物はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を含んでいてもよい。

本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。

本実施形態において、誘電体層を構成する誘電体組成物がＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を有するか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、たとえば第１実施形態と同様の方法により判断することができる。

まず、第１実施形態と同様にして、ＳＴＥＭを用いて誘電体組成物の断面中に異相を認定する。

そして、上記の異相について、ＥＤＳ分析により、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の各量を測定する。

異相の同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断する。

この他にも、マッピング画像によりＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の有無を判断してもよい。具体的には、バリウム（Ｂａ）のマッピング画像と、希土類元素（ＲＥ）のマッピング画像と、ケイ素（Ｓｉ）のマッピング画像と、チタン（Ｔｉ）のマッピング画像と、を比較して、同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在している箇所を特定する。そして、特定された箇所に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、特定された箇所に含まれるチタン（Ｔｉ）が３モル％以上であり、特定された箇所に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その特定された箇所はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断する。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比率を「（Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積／主相の面積）×１００［％］」の式で表す。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比率が０．５～２０％であることが好ましく、１～１０％であることがより好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

本実施形態では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５～１μｍであることが好ましく、０．１～０．５μｍであることがより好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、より密度が高く、なおかつ、より高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、バリウム（Ｂａ）が１０～２５モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、希土類元素（ＲＥ）が３３～５９モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、ケイ素（Ｓｉ）が１２～５０モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、チタン（Ｔｉ）が３～１７モル％含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

なお、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は上記の元素以外の元素を含んでいてもよく、たとえばカルシウム（Ｃａ）等の元素を含有してもよい。

Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、カルシウム（Ｃａ）が実質的に含まれないことが好ましい。Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、カルシウム（Ｃａ）が２モル％以下含まれることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体組成物は、密度が高く、高い強度を示すことができる。

本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法は特に限定されないが、たとえば第１添加剤に変えて、第１ａ添加剤を用いて第１実施形態と同様の方法により製造することで、本実施形態の積層セラミックコンデンサを得ることができる。

第１ａ添加剤とは、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）を含む。

この他に、たとえばＢがチタン（Ｔｉ）を含み、（Ａのモル比／Ｂのモル比）で表されるＡとＢのモル比が１未満であるＡＢＯ_３を主相の主成分として用いる。これにより、主相に含まれるチタン（Ｔｉ）がＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に拡散するため、第１ａ添加剤の仮焼き粉末の原料にチタン（Ｔｉ）の酸化物を含めなくてもＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を得ることができる。

［第３実施形態］
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、以下に示す以外は、第１実施形態および第２実施形態の積層セラミックコンデンサと同様である。

本実施形態の誘電体組成物では、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相と、が混在している。

本実施形態の誘電体組成物において、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相と、が混在しているか否かを判断する方法としては、特に限定されないが、たとえば以下のように、第１実施形態および第２実施形態と同様にして判断することができる。

まず、第１実施形態と同様にして、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６を認定し、第２実施形態と同様にして、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を認定する。

本実施形態では、誘電体組成物の断面の１０μｍ四方におけるＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の数をＮ１とし、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の数をＮ２とする。

本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が１０～９０％である場合を「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相１６と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相とが混在している」と判断する。

本実施形態では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％超７０％未満である場合を「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相とが混在している」と判断することが好ましい。

本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法としては、特に限定されないが、たとえば第１添加剤の仮焼き粉末と、第１ａ添加剤の仮焼き粉末と、を準備し、これらを組み合わせる。第１添加剤の仮焼き粉末に変えて、第１添加剤の仮焼き粉末と、第１ａ添加剤の仮焼き粉末との組み合わせを用いる以外は第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法と同様にして、本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造することができる。

［変形例］
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した誘電体組成物を有する電子部品であれば何でもよい。

たとえば、上述した誘電体組成物に一対の電極が形成された単板型のセラミックコンデンサであってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変してもよい。

以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

誘電体組成物に含まれる複合酸化物粒子の出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）の粉末を準備した。焼成後の主相の主成分化合物が表１、３、５、７、９、１１、１３および１５に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。

次に、秤量した各粉末を、分散媒としてのイオン交換水を用いてボールミルにより１６時間湿式混合し、混合物を乾燥して混合原料粉末を得た。その後、得られた混合原料粉末を、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、主相の主成分化合物の仮焼き粉末を得た。

また、第１添加剤および／または第１ａ添加剤の原料として、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、希土類元素の酸化物、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）および酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粉末を準備した。第１添加剤および／または第１ａ添加剤の添加量が表１、３、５、７、９、１１、１３および１５に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。

なお、表１、３、５、７、９、１１、１３および１５に記載の第１添加剤および／または第１ａ添加剤の添加量は、主相の主成分化合物を１００質量％としたときの第１添加剤および／または第１ａ添加剤の添加量を示している。

炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、希土類元素の酸化物、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）および酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粉末に対して、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、第１添加剤および／または第１ａ添加剤の仮焼き粉末を得た。

なお、表１４の各試料では、第１添加剤および／または第１ａ添加剤の仮焼き粉末のボールミルでの粉砕時間を変えることで円相当径を調整した。

また、第２添加剤の原料として、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）および酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の粉末を準備した。主相のチタン（Ｔｉ）１００モル部に対するマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）およびクロム（Ｃｒ）の含有量が表１、３、５、７、９、１１、１３および１５に記載の通りになるように、準備した出発原料を秤量した。

炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ）および酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の粉末に対して、大気中において保持温度９００℃、保持時間２時間の条件で熱処理を行い、第２添加剤の仮焼き粉末を得た。

得られた主相の主成分化合物の仮焼き粉末、第１添加剤および／または第１ａ添加剤の仮焼き粉末および第２添加剤の仮焼き粉末を分散媒としてのイオン交換水を用いてボールミルにより１６時間湿式粉砕し、粉砕物を乾燥した。

粉砕物１００質量％に対して、バインダとしてのポリビニルアルコール樹脂を６質量％含む水溶液を１０質量％加えて造粒し、造粒粉を得た。

得られた造粒粉をφ１２ｍｍの金型に投入し、０．６ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で仮プレス成形し、さらに、１．２ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で本プレス成形して、円盤状のグリーン成形体を得た。

得られたグリーン成形体を還元雰囲気下で焼成し、さらにアニール処理を行い、還元雰囲気下で焼成した焼結体（誘電体組成物）を得た。焼成条件は、昇温速度を２００℃／ｈ、保持温度を１２５０℃、保持時間を２時間とした。雰囲気ガスは、露点２０℃に加湿した窒素と水素との混合ガス（水素濃度３％）とした。また、アニール処理条件は、保持温度を１０５０℃、保持時間を２時間とした。雰囲気ガスは、露点２０℃に加湿した窒素ガスとした。

得られた焼結体の両主面にＩｎ－Ｇａ合金を塗布して、一対の電極を形成することにより、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。

得られた誘電体組成物の断面の１０μｍ×１０μｍの視野について、ＳＴＥＭにより異相を認定し、ＥＤＳを用いて、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の各量を測定した。

同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の合計が９７モル％を超える場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相であると判断した。

同じ位置にバリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）が存在しており、異相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、異相に含まれるチタン（Ｔｉ）のモル比が３モル％以上であり、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の合計が９８モル％以上である場合には、その異相はＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相であると判断した。

表２、４、６、８、１０、１２、１４および１６では、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が７０％以上の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相」と記載しており、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％以下の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相」と記載しており、「Ｎ１／（Ｎ１＋Ｎ２）×１００（％）」が３０％超７０％未満の場合は、「Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の混在」と記載している。

なお、試料１０１以外の各試料では、第１添加剤を用いた場合は、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）およびケイ素（Ｓｉ）の第１添加剤のモル比とＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の平均のモル比は一致していた。また、試料１０１以外の各試料では、第１ａ添加剤を用いた場合は、バリウム（Ｂａ）、希土類元素（ＲＥ）、ケイ素（Ｓｉ）およびチタン（Ｔｉ）の第１ａ添加剤のモル比と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の平均のモル比は一致していた。

コンデンサ試料の密度は以下のようにして測定した。焼成後の円盤状のコンデンサ試料の直径を３か所測定して直径Ｒを得た。次に円盤状のコンデンサ試料の厚みを３か所測定して厚みｈを得た。得られたＲとｈを使用し、円盤状のコンデンサ試料の体積Ｖ（＝１／４・π・Ｒ^２・ｈ）を算出した。ここでのπは円周率を示す。続いて、円盤状のコンデンサ試料の質量ｍを測定し、ｍ／Ｖを計算することで円盤状のコンデンサ試料の密度を得た。３個の試料について評価した密度の結果の平均値を表２、４、６、８、１０、１２、１４および１６に示す。

また、誘電体組成物の機械的強度を以下のようにして測定した。得られた造粒粉を５×５３ｍｍの金型に投入し、０．６ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で仮プレス成形し、さらに、１．２ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で本プレス成形してグリーン成形体を作製した。得られたグリーン成形体を空気中で焼成し、断面が長方形の角柱の焼結体を得た。焼成条件は、昇温速度を２００℃／ｈ、保持温度を１３００℃、保持時間を２時間とした。

得られた焼結体を全長３６ｍｍ以上４５ｍｍ未満、幅４．０±０．１ｍｍ、厚さ３．０±０．１ｍｍとなるように加工し、面取りを行い、試験用のサンプルとした。各試料について得られた１０個のサンプルに対して、ＪＩＳ Ｒ １６０１に規定されている試験方法に基づき３点曲げ試験を行った。本実施例では、３点曲げ強さの平均値が４０ＭＰａ以上である試料をＡとし、３０ＭＰａ以上４０ＭＰａ未満である試料をＢとし、２０ＭＰａ以上３０ＭＰａ未満である試料をＣとし、２０ＭＰａ未満である試料をＮＧと示した。結果を表２、４、６、８、１０、１２、１４および１６に示す。

試料番号２１～２３については、得られた誘電体組成物に含まれていたＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相について，電子線回折を行い、電子線回折図形を分析することで結晶系と空間群を解析した。結果を表４に示す。

表１～１６より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および／またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を有する場合（試料番号２～１５、２１～２３、３１～５６、６８、６９、８１～８８、９１～１０２および１１１～１２８）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および／またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を有していない場合（試料番号１、６１～６７、７０および７１）に比べて、密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号２１～２３より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系が正方晶であり、空間群が

である場合（試料番号２１）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系が単斜晶であり、空間群がＰ２１／ｍである場合（試料番号２２、２３）に比べて、密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号２１および８１～８４より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積比が０．５％より高く、２０％未満の場合（試料番号２１、８２および８３）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積比が０．５％の場合（試料番号８１）またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積比が２０％の場合（試料番号８４）に比べて密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号２および８５～８８より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比が０．５％より高く、２０％未満の場合（試料番号２、８６および８７）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比が０．５％の場合（試料番号８５）またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比が２０％の場合（試料番号８８）に比べて密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号２１、９１～９５より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５μｍより大きく、１μｍ未満の場合（試料番号９２、２、９３および９４）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５μｍの場合（試料番号９１）またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が１μｍの場合（試料番号９５）に比べて密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号２、９６～１００より、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５μｍより大きく、１μｍ未満の場合（試料番号９７、２、９８および９９）は、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５μｍの場合（試料番号９６）またはＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が１μｍの場合（試料番号１００）に比べて密度が高く、強度が高いことが確認できた。

試料番号１０１より、第１ａ添加剤ではなく、第１添加剤を用いた場合であっても、主相の主成分化合物としてＢａ_０．９５ＴｉＯ_３を用いることで、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を得ることができることが確認できた。

１… 積層セラミックコンデンサ
１０… 素子本体
２… 誘電体層
１４… 主相
１６… Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相
３… 内部電極層
４… 外部電極

Claims (12)

1. 主相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相と、を含む誘電体組成物であって、
   前記主相はＡＢＯ₃で表される化合物を主成分とし、
   前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
   前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
   前記ＲＥは希土類元素を示し、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相は、実質的にＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ系化合物で構成される誘電体組成物。
2. 主相と、Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相およびＢａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相のうち少なくともいずれか一方と、を含む誘電体組成物であって、
   前記主相はＡＢＯ₃で表される化合物を主成分とし、
   前記Ａはバリウムおよびカルシウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
   前記Ｂはチタンおよびジルコニウムから選ばれる少なくともいずれか１つを含み、
   前記ＲＥは希土類元素を示し、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相には、
   バリウムが１０～２５モル％含まれ、
   希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
   ケイ素が１６～５０モル％含まれ、
   バリウム、希土類元素およびケイ素が合計で９７モル％より多く含まれ、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相に含まれる酸素以外の元素の合計を１００モル％としたとき、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
   バリウムが１０～２５モル％含まれ、
   希土類元素が３３～５９モル％含まれ、
   ケイ素が１２～５０モル％含まれ、
   チタンが３～１７モル％含まれ、
   バリウム、希土類元素、ケイ素およびチタンが合計で９８モル％以上含まれる誘電体組成物。
3. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相および前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相には、
   実質的にカルシウムが含まれない請求項１または２に記載の誘電体組成物。
4. 前記Ａはバリウムである請求項１～３のいずれかに記載の誘電体組成物。
5. 前記Ｂはチタンである請求項１～４のいずれかに記載の誘電体組成物。
6. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の結晶系は正方晶である請求項１～５のいずれかに記載の誘電体組成物。
7. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
   前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ系化合物の空間群は
   

   

   である請求項１～６のいずれかに記載の誘電体組成物。
8. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
   （前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積／前記主相の面積）×１００［％］の式で表される前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の面積比率が０．５～２０％である請求項１～７のいずれかに記載の誘電体組成物。
9. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相を含み、
   （前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積／前記主相の面積）×１００［％］の式で表される前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の面積比率が０．５～２０％である請求項１～８のいずれかに記載の誘電体組成物。
10. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相を含み、
    前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５～１μｍである請求項１～９のいずれかに記載の誘電体組成物。
11. 前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏの偏析相を含み、
    前記Ｂａ－ＲＥ－Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ偏析相の円相当径が０．０５～１μｍである請求項１～１０のいずれかに記載の誘電体組成物。
12. 請求項１～１１のいずれかに記載の誘電体組成物を備える電子部品。