KR101974771B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101974771B1
KR101974771B1 KR1020177032065A KR20177032065A KR101974771B1 KR 101974771 B1 KR101974771 B1 KR 101974771B1 KR 1020177032065 A KR1020177032065 A KR 1020177032065A KR 20177032065 A KR20177032065 A KR 20177032065A KR 101974771 B1 KR101974771 B1 KR 101974771B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
substrate
mold
imprint
imprint material
Prior art date
Application number
KR1020177032065A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170133501A (ko
Inventor
츠토무 데라오
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20170133501A publication Critical patent/KR20170133501A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101974771B1 publication Critical patent/KR101974771B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C2037/90—Measuring, controlling or regulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C2037/90—Measuring, controlling or regulating
    • B29C2037/903—Measuring, controlling or regulating by means of a computer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C2037/90—Measuring, controlling or regulating
    • B29C2037/906—Measuring, controlling or regulating using visualisation means or linked accessories, e.g. screens, printers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023—Microembossing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 장치는 기판을 촬상해서 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛, 및 몰드와 기판 사이에 존재하는 이물질을 검출하는 검출 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고, 처리 유닛은 기준 화상과, 몰드와 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉한 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상을 비교함으로써 검출 처리를 행하며, 화상이 기판 외부 영역을 포함하는 경우, 기판 외부 영역은 검출 처리의 대상으로부터 제외된다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은, 나노 스케일의 미세한 패턴을 기판에 형성할 수 있는 기술이며, 자기 기억 매체, 반도체 디바이스 등을 양산용의 리소그래피 기술 중 하나로서 주목받고 있다. 일본 특허 공개 공보 제2009-536591호에 개시되어 있는 바와 같이, 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 몰드와 기판 상의 임프린트재(수지 재료)를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 기술을 사용한다.
임프린트 장치에서는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킬 때, 몰드와 기판의 사이에 이물질이 존재하면, 혹은 몰드에 이물질(예를 들어, 잔존한 임프린트재)이 부착되어 있으면, 기판 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위해서, 일본 특허 공개 공보 제2011-003616호는 이러한 패턴의 결함을 검출하는 기능을 갖는 임프린트 장치를 제안하였다. 일본 특허 공개 공보 제2011-003616호는, 임프린트 처리에서 기판 상에 형성된 패턴을 촬상해서 취득한 화상과, 기판 상에 정상적으로 형성된(결함이 발생하지 않은) 패턴을 미리 촬상해서 준비한 기준 화상 사이의 차분에 기초하여, 패턴의 결함을 검출하는 기술을 개시하고 있다.
일본 특허 공개 공보 제2011-003616호에 개시된 기술은, 기판 상에 형성된 패턴에 결함이 발생하고 있는지의 여부를 판정하는데 유리하다. 그러나, 임프린트 장치는, 그 생산성을 향상하기 위해서, 기판 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생하는 것을 미연에 방지하기 위한 기술을 필요로 한다. 특히, 몰드와 기판의 사이에 이물질이 존재하거나, 몰드에 이물질이 부착되어 있거나 하는 상태에서 임프린트 처리를 계속하면, 몰드와 기판의 사이에 이물질이 끼일 수 있어, 몰드를 파손시킨다.
본 발명은 몰드와 기판 사이에 존재하는 이물질을 검출하는데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치가 제공되며, 상기 장치는, 상기 기판을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및 상기 몰드와 상기 기판 사이에 존재하는 이물질을 검출하는 검출 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고, 상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉된 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 기준 화상을 비교함으로써 상기 검출 처리를 행하며, 상기 화상이 기판 외부 영역을 포함하는 경우, 상기 기판 외부 영역은 상기 검출 처리의 대상으로부터 제외된다.
본 발명의 추가적인 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2a는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2b는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2c는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2d는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2e는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2f는 도 1에 도시하는 임프린트 장치의 촬상 유닛에 의해 취득되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 임프린트 처리에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 부분 필드에서의 검출 처리에 의해 발생하는 이물질의 검출 에러를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 기판 외부 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 부분 필드에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7a는 노치를 갖는 샷 영역에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7b는 노치를 갖는 샷 영역에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 부분 필드에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 부분 필드에서의 검출 처리를 설명하기 위한 도면이다.
첨부된 도면을 참고하여 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명한다. 동일한 참조 번호는 도면 전체를 통해 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 반복적인 설명은 주어지지 않는다.
<제1 실시예>
도 1은, 본 발명의 일 양태에 다른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 본 실시예에서는, 임프린트재로서 자외선을 조사함으로써 경화되는 자외선 경화성 수지 재료를 사용하는 경우에 대해서 설명한다. 그러나, 임프린트재는, 열가소성 수지 재료 또는 열경화성 수지 재료일 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 몰드(102)를 보유지지하면서 이동하는 몰드 스테이지(101)와, 기판(103)을 보유지지하면서 이동하는 기판 스테이지(104)와, 자외선을 조사하는 광원(105)과, 기판 상에 자외선 경화성 수지 재료를 공급하는 수지 공급 유닛(106)을 갖는다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 축외 얼라인먼트 스코프(107)와, 기판 스테이지 상에 배치되고 기판(103)을 고정하는 기판 척(108)과, 촬상 유닛(109)과, 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 갖는다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 기판 스테이지(104) 상에 배치된 기준 플레이트(112)와, 기억 유닛(113)과, 처리 유닛(114)을 갖는다.
촬상 유닛(109)은, 촬상 광원(109a)과 화상 센서(109b)를 갖는다. 촬상 유닛(109)은 몰드(102)를 통해 또는 몰드(102)를 통하지 않고 기판(103)의 샷 영역을 촬상해서 화상을 취득한다. 촬상 광원(109a)은, 자외선과 다른 파장의 광, 즉 광경화성 수지 재료의 유도 파장과 다른 파장의 광(예를 들어, 가시광)으로 기판(103)(샷 영역)을 조명한다. 화상 센서(109b)는, 예를 들어 CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서를 포함하고, 몰드(102)의 패턴면 및 기판(103)의 표면에서 반사된 광을 검출한다. 화상 센서(109b)는, 또한 몰드(102)에서 반사된 광과 기판(103)에서 반사된 광 사이의 간섭 광(에 의해 형성되는 간섭 패턴)을 검출한다.
기억 유닛(113)은, 예를 들어 메모리나 하드 디스크(HDD)를 포함하고, 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상과 후술하는 검출 처리에서 사용되는 기준 화상을 기억한다. 또한, 기억 유닛(113)은, 임프린트 장치(100)에서 사용되는 각종 프로그램, 데이터, 정보 등도 기억할 수 있다.
처리 유닛(114)은, 예를 들어 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 제어함으로써 임프린트 처리를 행한다. 또한, 처리 유닛(114)은, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출하는 검출 처리를 행한다. 예를 들어, 본 실시예에서는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료를 서로 접촉시켰을 때에, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질을 검출한다.
임프린트 처리에서는, 먼저, 기판(103)을 기판 스테이지(104)에 보유지지시킨다. 이어서, 기판(103) 상에 제공된 마크와 기준 플레이트(112)에 제공된 마크를 축외 얼라인먼트 스코프(107)로 검출하여, 기판(103)과 기판 스테이지(104) 사이의 위치 및 형상 어긋남량을 구한다. 계속해서, 몰드(102)에 제공된 마크와 기준 플레이트(112)에 제공된 마크를 축상 얼라인먼트 스코프(111)로 검출하여, 몰드(102)와 기판 스테이지(104) 사이의 위치 및 형상 어긋남량을 구한다. 그리고, 이와 같이 하여 구한 위치 및 형상의 어긋남량에 기초하여, 몰드(102)와 기판(103) 사이의 위치 및 형상 어긋남을 보정한다(즉, 몰드(102)와 기판(103) 사이의 얼라인먼트를 행한다). 축상 얼라인먼트 스코프(111)란, 몰드(102)를 개재해서 기판(103) 상에 형성된 마크를 검출하는 스코프이며, 축외 얼라인먼트 스코프(107)란, 몰드(102)를 통하지 않고 기판(103) 상에 형성된 마크를 검출하는 스코프이다.
몰드(102)와 기판(103) 사이의 위치 및 형상의 어긋남을 보정한 후에, 수지 공급 유닛(106)에 의해 기판(103) 상의 샷 영역에 수지 재료를 공급한다. 계속해서, 몰드(102)를 보유지지한 몰드 스테이지(101)를 이동시켜, 몰드(102)와 기판(103)(샷 영역) 상의 수지 재료를 서로 접촉시킨다. 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전된 후, 광원(105)에 의해, 몰드(102)를 통해 기판(103) 상의 수지 재료에 자외선을 조사하여, 이러한 수지 재료를 경화시킨다. 이어서, 몰드 스테이지(101)를 이동시켜, 기판(103) 상의 경화된 수지로부터 몰드(102)를 분리한다. 이에 의해, 기판(103)(샷 영역) 상에 수지 재료의 패턴이 형성된다.
촬상 유닛(109)은, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안, 더 상세하게는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉하고 있는 동안, 기판(103) 상의 수지 재료가 몰드(102)와 기판(103) 사이에서 확산되면서 패턴면의 오목부에 충전되는 과정을 촬상할 수 있다. 이와 같이 하여, 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상은, 상술한 바와 같이, 기억 유닛(113)에 기억된다.
도 2a 내지 도 2f는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 화상을 각각 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 2a는, 수지 공급 유닛(106)으로부터 수지 재료가 공급된 기판(103)을 몰드(102) 아래에서 이동시키는 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용하여 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다. 도 2b는, 몰드(102)(그 패턴면)를 기판 측으로 볼록한 형상으로 변형시키고, 몰드(102)의 일부(중심부)와 기판(103) 상의 수지 재료를 서로 접촉시킨 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용하여 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 몰드(102)를 그 중심부로부터 그 주변부를 향해서 서서히 기판(103) 상의 수지 재료와 접촉시킴으로써, 몰드(102)와 기판(103) 사이에서 갭이 발생한다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 간섭 패턴, 즉 뉴튼 링이 관찰된다.
도 2c는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료를 전체 영역에서 서로 접촉시킨 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용하여 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다. 단, 이러한 상태에서는, 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전되어 있지 않기 때문에, 도 2c에 도시한 바와 같이 기포가 관찰된다. 도 2d는, 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 완전히 충전된 상태, 즉 광원(105)으로부터 자외선을 조사하기 직전의 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용하여 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다. 이 상태에서는, 도 2d에 도시한 바와 같이, 도 2b 및 도 2c에 도시한 바와 같은 뉴튼 링 및 기포는 관찰되지 않는다.
도 2e는, 기판(103) 상의 수지 재료에 대하여, 몰드(102)를 통해 광원(105)으로부터 자외선을 조사하고 있는 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용해서 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다. 도 2f는, 기판(103) 상의 경화된 수지로부터 몰드(102)를 분리한 상태에서, 촬상 유닛(109)을 사용하여 기판(103)을 촬상해서 취득되는 화상을 나타내고 있다.
임프린트 장치(100)에서는, 다양한 요인에 의해 기판(103) 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생한다. 단, 도 2a 내지 도 2d에 나타내는 화상, 즉 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 화상을 사용하여 기판(103) 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생하는 것을 저감(방지)하는 것이 가능하다.
예를 들어, 도 2a에 나타내는 화상에서는, 수지 공급 유닛(106)으로부터 공급된 수지 재료(그 액적)의 배열을 관찰할 수 있다. 따라서, 도 2a에 나타내는 화상을 사용하여 패턴의 결함 원인이 되는 수지 재료의 배열 이상, 즉 수지 공급 유닛(106)의 드롭 이상을 검출할 수 있다. 더 구체적으로는, 도 2a에 나타내는 화상(수지 재료의 액적 배열)과, 수지 공급 유닛(106)이 수지 재료의 액적을 정상적으로 공급했을 때에 취득되는 기준 화상(즉, 수지 재료의 기준 배열)을 비교함으로써, 드롭 이상을 검출할 수 있다. 이러한 드롭 이상이 검출된 경우에는, 예를 들어 수지 공급 유닛(106)을 메인터넌스 또는 교환함으로써 기판(103) 상에 수지 재료를 다시 공급하는 것이, 패턴의 결함 발생을 저감하는데 있어서 효과적이다.
도 2b에 도시된 화상에서는, 상술한 바와 같이 뉴튼 링을 관찰할 수 있다. 이에 의해, 뉴튼 링의 형상 및 위치로부터 몰드(102)와 기판(103) 사이의 병행도를 검출할 수 있다. 몰드(102)와 기판(103)이 서로 병행이 아니면, 뉴튼 링이 진원이 아니게 되거나, 뉴튼 링의 중심과 화상의 중심이 일치하지 않거나 한다. 이러한 경우에는, 예를 들어 몰드(102)의 틸트를 보정함으로써 몰드(102)와 기판(103) 사이의 병행도를 개선하는 것이, 패턴의 결함 발생을 저감하는데 있어서 효과적이다.
또한, 도 2c 및 도 2d에 나타내는 화상을 사용함으로써 후술하는 바와 같이, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질을 검출할 수 있다. 이러한 이물질 끼임은, 기판(103) 상에 형성되는 패턴에 결함을 발생시킬 뿐만 아니라 몰드(102)를 파손시킨다. 따라서, 이물질 끼임이 검출된 경우에는, 임프린트 처리를 중지하는 것이, 패턴의 결함 발생을 저감하고, 몰드의 파손을 저감하는데 있어서 효과적이다. 예를 들어, 이물질을 검출한 경우, 기판(103) 상의 수지 재료를 경화시키지 않고 수지 재료로부터 몰드(102)를 분리한다. 또한, 이물질이 검출된 샷 영역(이물질의 위치)에 관한 정보를 기억해 두고, 임프린트 처리 후의 단계에서 기억한 정보를 사용해서 기판(103)을 처리해도 된다. 예를 들어, 이물질이 검출된 샷 영역을 에러 영역으로서 기억한다.
상술한 바와 같이, 도 2a 내지 도 2d에 나타내는 화상을 사용함으로써 임프린트 처리를 행하고 있는 동안의 타이밍에 따라서 다른 원인을 갖는 패턴의 결함 발생을 저감할 수 있다. 일본 특허 공개 공보 제2011-003616호에 개시된 기술과 마찬가지로, 도 2f에 나타내는 화상과, 결함이 발생하지 않고 있는 패턴으로부터 취득되는 기준 화상을 비교함으로써, 기판(103) 상의 패턴에 결함이 발생하고 있는지의 여부를 판정할 수도 있다.
임프린트 장치(100)에서는, 기판(103) 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생하는 것을 저감하고, 몰드(102)가 파손되는 것을 저감하기 위해서, 특히 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출하는 검출 처리를 행한다. 본 실시예에서는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상, 즉 도 2c 또는 도 2d에 나타내는 화상과, 기준 화상을 비교함으로써, 검출 처리를 행한다. 기준 화상이란, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 이물질의 끼임 없이 서로 접촉하고 있는 상태에서 취득되는 화상이다.
도 3을 참조하여, 본 실시예에서의 검출 처리를 구체적으로 설명한다. 기준 마크(3a)는 기준 화상을 나타낸다. 기준 마크(3b)는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상(촬상 화상)을 나타내고 있다. 기준 마크(3b)에 나타내는 촬상 화상은, 도 2c 또는 도 2d에 나타내는 화상에 대응하고, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 이물질이 끼인 상태에서 취득된 화상이다. 기준 마크(3c)는, 도 3의 기준 마크(3a)에 나타내는 기준 화상과, 도 3의 기준 마크(3b)에 나타내는 촬상 화상 사이의 차분을 나타내는 차분 화상이다. 도 3의 기준 마크(3c)를 참조하면, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질이 기준 화상과 촬상 화상 사이의 차분(흑색점)으로서 추출되고 있다. 상술한 바와 같이, 기준 화상과 촬상 화상을 비교함으로써, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출할 수 있다.
여기에서는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상(촬상 화상)을 도 2c 또는 도 2d에 나타내는 화상으로서 설명했다. 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전되어 있지 않은 상태에서 취득된 화상, 즉 도 2c에 나타내는 화상에는 상술한 바와 같이 기포가 포함된다. 따라서, 기준 화상과 도 2c에 나타내는 화상 사이의 차분을 계산하면, 이러한 기포가 추출되어 이물질로서 오검출될 수 있다. 상술한 바와 같이, 기포를 이물질로서 오검출할 가능성이 있을 경우에는, 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전된 상태에서 취득된 화상, 즉 도 2d에 나타내는 화상을 기준 화상과 비교할 수 있다. 바꾸어 말하면, 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전된 상태에서 취득된 화상은, 이물질 이외의 요인에 의한 변화가 적고, 검출 처리에서 가장 안정적으로 이물질을 검출할 수 있다. 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료를 서로 접촉시킨 후에 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전될 때까지는, 일반적으로 약 2초 내지 3초가 걸린다. 따라서, 몰드(102)의 패턴면의 오목부에 수지 재료가 충전된 상태에서 화상을 취득하기 위해서는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉한 시각으로부터 미리 정해진 시간(예를 들어, 2초 내지 3초)이 경과한 후에 촬상 유닛(109)에 화상을 취득시키면 된다.
지금까지는, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이, 기판(103)의 외주를 포함하는 주변 샷 영역(에지 샷)이 아니고, 주변 샷 영역보다 내측의 샷 영역인 경우에서의 검출 처리에 대해서 설명했다. 단, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 주변 샷 영역인 경우, 이러한 촬상 화상은, 도 4의 기준 마크(4b)에 도시한 바와 같이, 기판(103) 외부 영역을 포함하게 된다. 이하에서는, 주변 샷 영역을 부분 필드라고 칭하고, 주변 샷 영역보다 내측의 샷 영역을 풀 필드라 칭한다. 도 4의 기준 마크(4b)에 도시한 바와 같은 부분 필드에 대응하는 촬상 화상과, 도 4의 기준 마크(4a)에 도시한 바와 같은 풀 필드에 대응하는 기준 화상을 비교하면, 도 4의 기준 마크(4c)에 도시한 바와 같이, 기판 외부 영역이 추출되고, 이물질로서 오검출된다.
이를 방지하기 위해서, 본 실시예에서는, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 기판(103)의 외부 영역을 포함하는 경우, 이러한 기판 외부 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외한다. 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 기판 외부 영역을 포함하는지의 여부는, 촬상 화상의 중심에 대응하는 기판(103) 상의 위치와 기판(103)의 중심 위치 사이의 거리에 기초하여, 특정할 수 있다.
기판(103)은 기본적으로 원 형상을 갖는다. 따라서, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(103)의 중심 위치로부터 반경 R의 외부의 영역(기판 외부 영역)을 검출 처리의 대상으로부터 제외함으로써, 기판 외부 영역을 이물질로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. 더 구체적으로는, 기판(103)의 중심 위치에 대한 반경 R의 외부의 영역을 기판 외부 영역으로 한다. 예를 들어, 기판(103)의 중심 위치에 대한 샷 영역의 중심 좌표를 (X, Y)로 하고, 샷 영역의 중심 좌표로부터의 각 좌표를 (x, y)로 하면, 이하의 식에 의해 나타내는 조건의 영역을,
[수학식 1]
Figure 112017109578293-pct00001
... (1)
기판 외부 영역으로서 검출 처리의 대상으로부터 제외한다. 도 5에서는, 회색으로 나타내는 영역이 검출 처리의 대상으로부터 제외되는 영역이 된다.
상술한 바와 같이, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 부분 필드일 경우에는, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 외부 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외함으로써, 기판 외부 영역을 이물질로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. 도 6의 기준 마크(6a)는 풀 필드에 대응하는 기준 화상을 나타낸다. 도 6의 기준 마크(6b)는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지 재료가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상(촬상 화상)을 나타내고 있다. 도 6의 기준 마크(6b)에 나타내는 촬상 화상은, 부분 필드에서, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 이물질이 끼인 상태에서 취득된 화상이다. 도 6의 기준 마크(6c)는, 도 6의 기준 마크(6a)에 나타내는 기준 화상과, 도 6의 기준 마크(6b)에 나타내는 촬상 화상 사이의 차분을 나타내는 차분 화상이다. 도 6의 기준 마크(6c)를 참조하면, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질이 기준 화상과 촬상 화상 사이의 차분(흑색점)으로서 추출된다. 단, 기판 외부 영역(회색으로 나타내는 영역)은, 검출 처리의 대상으로부터 제외되었기 때문에, 이러한 기판 외부 영역을 이물질로서 검출하지 않고, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질만을 정확하게 검출할 수 있다.
기판 외부 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외하는 때에는, 기준 화상과 촬상 화상을 비교해서 차분 화상을 얻기 전에 촬상 화상에서의 기판 외부 영역에 관한 데이터를 소거해도 되거나, 차분 화상을 얻은 후에 차분 화상에서의 기판 외부 영역에 관한 데이터를 무시해도 된다.
촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 노치를 갖는 샷 영역인 경우, 이러한 촬상 화상은 도 7a에 도시한 바와 같이 노치를 갖는다. 도 7a에 도시한 바와 같은 노치를 갖는 샷 영역에 대응하는 촬상 화상과 풀 필드에 대응하는 기준 화상(도 6의 기준 마크(6a))을 비교하면, 기판 외부 영역과 마찬가지로, 노치를 이물질로서 오검출한다. 노치란, 실리콘 웨이퍼의 결정 방향을 나타내는 절결부이다.
이를 방지하기 위해서, 본 실시예에서는, 기판(103)에 관한 정보를 취득하고, 이러한 정보로부터 취득되는 기판(103) 상의 노치가 형성되어 있는 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외한다. 이에 의해, 도 7b에 도시한 바와 같이, 기판(103) 상의 노치가 형성되어 있는 영역을 이물질로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. 도 7b는, 기준 화상(도 6의 기준 마크(6a))과, 도 7a에 나타내는 촬상 화상 사이의 차분을 나타내는 차분 화상이다. 도 7b를 참조하면, 노치가 형성되어 있는 영역(회색으로 나타내는 영역)을 검출 처리의 대상으로부터 제외하고 있기 때문에, 이러한 영역을 이물질로서 검출하지 않고, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질만을 정확하게 검출하는 것이 가능하게 된다.
상술한 바와 같이, 영역이 기판 내의 영역(반경 R의 내측의 영역)인 경우에도, 노치가 형성되어 있는 영역은 검출 처리로부터 제외하는 것이 바람직하다. 이것은, 기판 상의 배향 편평부가 형성되어 있는 영역에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 검출 처리에 요하는 시간을 단축하고 수율(생산성)을 향상시키기 위해서, 예를 들어 기판 상의 IC 칩으로서 사용하지 않는 영역을 미리 설정하고, 이러한 영역을 검출 처리로부터 제외해도 된다. 이 경우, 처리 유닛(114)을, 유저 입력에 따라서 기판 상의 영역을 설정하는 설정 유닛으로서 기능시키고, 이러한 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외한다.
본 실시예의 임프린트 장치(100)에서는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출하고 있다. 따라서, 임프린트 장치(100)는, 기판(103) 상에 형성되는 패턴에 결함이 발생하는 것을 저감하고, 몰드(102)가 파손되는 것을 저감할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 기판(103) 외부 영역을 검출 처리의 대상으로부터 제외함으로써, 촬상 화상이 부분 필드이어도, 풀 필드에 대응하는 기준 화상을 사용해서 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출할 수 있다.
<제2 실시예>
제1 실시예에서는, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 부분 필드인 경우에도, 풀 필드에 대응하는 기준 화상을 사용해서 검출 처리를 행하는 경우에 대해서 설명했다. 본 실시예에서는, 기판의 샷 영역에 따라, 검출 처리에 사용하는, 즉 촬상 화상과 비교하는 기준 화상을 변경하는 경우에 대해서 설명한다.
본 실시예에서는, 기억 유닛(113)은, 기판(103)의 샷 영역 각각에 대응하는 기준 화상을 기억하고 있다. 한편, 처리 유닛(114)은, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출하는 검출 처리를 행할 때에, 기억 유닛(113)에 기억된 복수의 기준 화상으로부터, 촬상 화상의 샷 영역에 대응하는 기준 화상을 선택한다. 그리고, 처리 유닛(114)은, 제1 실시예와 마찬가지로, 촬상 화상과 선택한 기준 화상을 비교함으로써, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출한다.
또한, 기억 유닛(113)은, 기판(103)의 모든 샷 영역에 대해서 기준 화상을 기억하는 것이 아니고, 부분 필드 각각에 대응하는 제1 기준 화상과, 풀 필드 중 적어도 1개에 대응하는 제2 기준 화상을 기억하고 있어도 된다. 촬상 화상이 부분 필드일 경우에는, 촬상 화상과, 이러한 부분 필드에 대응하는 제1 기준 화상을 비교함으로써, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출한다. 촬상 화상이 풀 필드일 경우에는, 촬상 화상과 제2 기준 화상을 비교함으로써, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질을 검출한다.
더 구체적으로는, 도 8에 도시한 바와 같이, 촬상 유닛(109)에 의해 취득되는 촬상 화상이 부분 필드일 경우, 이러한 부분 필드에 대응하는 기준 화상을 사용해서 검출 처리를 행한다. 도 8의 기준 마크(8a)는 부분 필드에 대응하는 기준 화상을 나타낸다. 도 8의 기준 마크(8b)는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상(촬상 화상)을 나타내고 있다. 도 8의 기준 마크(8b)에 나타내는 촬상 화상은, 부분 필드에서, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 이물질이 끼인 상태에서 취득된 화상이다. 도 8의 기준 마크(8c)는, 도 8의 기준 마크(8a)에 나타내는 기준 화상과, 도 8의 기준 마크(8b)에 나타내는 촬상 화상 사이의 차분을 나타내는 차분 화상이다. 도 8의 기준 마크(8c)를 참조하면, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질이 기준 화상과 촬상 화상 사이의 차분(흑색점)으로서 추출되고 있다. 기준 화상이 부분 필드에 대응하고 있기 때문에, 기판(103) 외부 영역을 이물질로서 검출하지 않고, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질만을 정확하게 검출할 수 있다.
기준 화상을 취득했을 때와 촬상 화상을 취득했을 때에, 임프린트 장치(100)의 상태, 더 구체적으로는, 기판 스테이지(104)에 배치된 기판 척(108)의 외부 영역(기판 외부 영역)의 상태가 상이한 경우가 있다. 이러한 경우에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 본 실시예와 제1 실시예를 조합하면 된다. 도 9의 기준 마크(9a)는, 부분 필드에 대응하는 기준 화상을 나타낸다. 도 9의 기준 마크(9b)는, 몰드(102)와 기판(103) 상의 수지가 서로 접촉하고 있는 상태에서 촬상 유닛(109)에 의해 취득된 화상(촬상 화상)을 나타내고 있다. 도 9의 기준 마크(9b)에 나타내는 촬상 화상은, 부분 필드에서, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 이물질이 끼인 상태에서 취득된 화상이다. 도 9의 기준 마크(9c)는, 도 9의 기준 마크(9a)에 나타내는 기준 화상과, 도 9의 기준 마크(9b)에 나타내는 촬상 화상 사이의 차분을 나타내는 차분 화상이다. 도 9의 기준 마크(9c)를 참조하면, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 끼인 이물질이 기준 화상과 촬상 화상 사이의 차분(흑색점)으로서 추출되고 있다. 단, 기판(103) 외부 영역(회색으로 나타내는 영역)은 검출 처리의 대상으로부터 제외되어 있기 때문에, 기판(103) 외부 영역의 상태가 변화하고 있는 경우에도, 이러한 변화를 이물질로서 검출하지 않고, 몰드(102)와 기판(103) 사이에 존재하는 이물질만을 정확하게 검출할 수 있다.
<제3 실시예>
물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 상기 제조 방법은, 임프린트 장치(100)를 사용해서 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 상 기판 등)에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 상기 처리 단계는, 당해 패턴의 잔막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 처리 단계는 당해 패턴을 마스크로서 사용해서 기판을 에칭하는 단계 등의 주지의 다른 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 1개에서 유리하다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
본 출원은 그 전문에 본원에 참조로 통합되는 2015년 4월 14일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-082856호의 이점을 청구한다.

Claims (16)

  1. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과, 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하고,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외주를 포함하는 샷 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상을 제외한 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하거나 또는 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 제외한 차분 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는, 임프린트 장치.
  2. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 차분 화상으로서, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상을 제외한 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하는, 임프린트 장치.
  3. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 기판의 외부 영역의 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하지 않고 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질이 검출되는 경우, 상기 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 중지하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질이 검출되는 경우, 상기 임프린트재를 경화시키지 않고 상기 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는, 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상의 중심에 대응하는 상기 기판 상의 위치와 상기 기판의 중심 위치 사이의 거리에 기초하여, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는지 여부를 특정하는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 기판에 관한 정보를 취득하고, 상기 정보로부터 취득되는, 상기 기판 상에 형성된 노치 또는 배향 편평부의 영역을 이물질 검출의 대상으로부터 제외하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    유저 입력에 따라, 상기 기판 상의 영역을 설정하도록 구성된 설정 유닛을 더 포함하며,
    상기 처리 유닛은, 상기 설정 유닛에 의해 설정된 영역을 이물질 검출의 대상으로부터 제외하는, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태는, 상기 몰드의 패턴면의 오목부에 상기 임프린트재가 충전된 상태인, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉한 시각으로부터 미리 정해진 시간이 경과한 후에, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서, 상기 촬상 유닛이 상기 화상을 취득하게 하는, 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기준 화상은, 상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 이물질을 끼우지 않고 서로 접촉하고 있는 상태에서 취득되는 화상인, 임프린트 장치.
  12. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하는 단계; 및
    상기 취득하는 단계에서 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 검출하는 단계에서는, 상기 취득하는 단계에서 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 차분 화상으로서, 상기 취득하는 단계에서 취득된 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상을 제외한 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하는, 임프린트 방법.
  13. 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 몰드와 상기 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하는 단계; 및
    상기 취득하는 단계에서 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 검출하는 단계에서는, 상기 취득하는 단계에서 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 기판의 외부 영역의 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하지 않고 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는, 임프린트 방법.
  14. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하며,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과, 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하고,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외주를 포함하는 샷 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상을 제외한 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하거나 또는 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 제외한 차분 화상을 사용하여, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는, 물품의 제조 방법.
  15. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하며,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 차분 화상으로서, 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상으로부터 상기 기판의 외부 영역의 화상을 제외한 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하는, 물품의 제조 방법.
  16. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하며,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판 상의 샷 영역을 촬상함으로써 화상을 취득하도록 구성된 촬상 유닛; 및
    상기 몰드와 상기 샷 영역 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상과 상기 기판의 외주를 포함하지 않는 샷 영역에 대응하는 기준 화상 사이의 차분 화상을 생성하고, 상기 차분 화상을 사용하여 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 촬상 유닛에 의해 취득된 화상이 상기 기판의 외부 영역의 화상을 포함하는 경우, 상기 기판의 외부 영역의 화상과 상기 기준 화상 사이의 차분 화상을 사용하지 않고 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 영역에서의 이물질을 검출하는, 물품의 제조 방법.
KR1020177032065A 2015-04-14 2016-03-07 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 KR101974771B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-082856 2015-04-14
JP2015082856A JP6403627B2 (ja) 2015-04-14 2015-04-14 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
PCT/JP2016/001218 WO2016166929A1 (en) 2015-04-14 2016-03-07 Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170133501A KR20170133501A (ko) 2017-12-05
KR101974771B1 true KR101974771B1 (ko) 2019-05-02

Family

ID=57126743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177032065A KR101974771B1 (ko) 2015-04-14 2016-03-07 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10751930B2 (ko)
JP (1) JP6403627B2 (ko)
KR (1) KR101974771B1 (ko)
CN (1) CN107430988B (ko)
SG (1) SG11201707268PA (ko)
TW (1) TWI655076B (ko)
WO (1) WO2016166929A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6799397B2 (ja) * 2015-08-10 2020-12-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6541518B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6971599B2 (ja) * 2017-03-15 2021-11-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、欠陥検査方法、パターン形成方法および物品製造方法
JP2017120930A (ja) * 2017-03-28 2017-07-06 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP7241493B2 (ja) * 2017-11-07 2023-03-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、情報処理装置、及び物品の製造方法
US11030738B2 (en) 2019-07-05 2021-06-08 International Business Machines Corporation Image defect identification
JP7328109B2 (ja) * 2019-10-02 2023-08-16 キヤノン株式会社 型、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法
US11295439B2 (en) 2019-10-16 2022-04-05 International Business Machines Corporation Image recovery
JP7391806B2 (ja) * 2020-09-16 2023-12-05 キオクシア株式会社 インプリント装置、情報処理装置、及びインプリント方法
US20220334471A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005214980A (ja) * 2005-01-31 2005-08-11 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JP2010149469A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Showa Denko Kk インプリント装置およびモールドの汚染検出方法
JP2011003616A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP2011240662A (ja) 2010-05-20 2011-12-01 Toshiba Corp インプリント方法、インプリント装置及びプログラム
JP2015050217A (ja) 2013-08-30 2015-03-16 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
US20150076724A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, detecting method, and method of manufacturing device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP2006294684A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Nikon Corp 表面検査装置
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
JP5004027B2 (ja) 2008-04-22 2012-08-22 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP2010203892A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Nikon Corp 基板検査方法
JP5455583B2 (ja) 2009-11-30 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置
KR101414830B1 (ko) * 2011-11-30 2014-07-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 얼라이먼트 방법, 전사 방법 및 전사장치
JP5960198B2 (ja) * 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP6119474B2 (ja) * 2013-07-12 2017-04-26 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP6230353B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-15 キヤノン株式会社 パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子機器の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005214980A (ja) * 2005-01-31 2005-08-11 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JP2010149469A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Showa Denko Kk インプリント装置およびモールドの汚染検出方法
JP2011003616A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP2011240662A (ja) 2010-05-20 2011-12-01 Toshiba Corp インプリント方法、インプリント装置及びプログラム
JP2015050217A (ja) 2013-08-30 2015-03-16 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
US20150076724A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, detecting method, and method of manufacturing device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6403627B2 (ja) 2018-10-10
SG11201707268PA (en) 2017-10-30
KR20170133501A (ko) 2017-12-05
US20180022015A1 (en) 2018-01-25
CN107430988B (zh) 2020-07-10
TW201636186A (zh) 2016-10-16
CN107430988A (zh) 2017-12-01
US10751930B2 (en) 2020-08-25
TWI655076B (zh) 2019-04-01
JP2016201522A (ja) 2016-12-01
WO2016166929A1 (en) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974771B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
KR102102711B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
US9915868B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
US9387607B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method for producing device
US10011057B2 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing article
US20220026800A1 (en) Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product
KR102086196B1 (ko) 임프린트 장치의 조정 방법, 임프린팅 방법 및 물품 제조 방법
US20210114284A1 (en) Imprint method and template
US10747106B2 (en) Imprint apparatus
US20160231648A1 (en) Lithography apparatus, control method therefor, and method of manufacturing article
JP6706983B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
KR20200107804A (ko) 임프린트 장치의 제어 방법, 임프린트 장치, 및 물품 제조방법
KR102026503B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
US11681216B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, article manufacturing method, molding apparatus, and molding method
KR102330473B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품 제조 방법, 성형 장치 및 성형 방법
JP6643022B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、異物検出方法および物品製造方法
JP7361831B2 (ja) 情報処理装置、成形装置、成形方法及び物品の製造方法
US20230036274A1 (en) Information processing apparatus, molding apparatus, molding method, and article manufacturing method
KR20240001676A (ko) 평가 장치, 정보 처리 장치, 프로그램, 막 형성 시스템, 및 물품 제조 방법
TW202415552A (zh) 評價裝置、資訊處理裝置、儲存媒體、膜形成系統以及物品製造方法
KR20190015111A (ko) 임프린트 방법, 컴퓨터 프로그램, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant