KR102330473B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품 제조 방법, 성형 장치 및 성형 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품 제조 방법, 성형 장치 및 성형 방법 Download PDF

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Abstract

장치는 패턴을 형성해야 할 부재의 패턴 형성 영역 상의 임프린트재가 몰드의 패턴 영역과 접촉하는 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 임프린트재의 패턴을 형성한다. 장치는, 부재의 패턴 형성 영역과, 패턴 형성 영역 외측의 부재의 비 패턴 형성 영역에 임프린트재를 배치하는 디스펜서, 디스펜서에 의해 임프린트재가 패턴 형성 영역 및 비 패턴 형성 영역에 배치된 상태에서 비 패턴 형성 영역을 검출하는 검출부, 및 검출부에 의한 비 패턴 형성 영역의 검출 결과에 기초하여 디스펜서의 이상을 판단하는 처리를 행하는 제어부를 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품 제조 방법, 성형 장치 및 성형 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, ARTICLE MANUFACTURING METHOD, MOLDING APPARATUS, AND MOLDING METHOD}
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품 제조 방법, 성형 장치 및 성형 방법에 관한 것이다.
임프린트 장치는, 디스펜서를 사용하여 부재의 패턴 형성 영역 위에 임프린트재를 배치하고, 몰드의 패턴 영역을 임프린트재에 접촉시키며, 임프린트재를 경화시킴으로써, 부재 상에 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 몰드는 템플릿 또는 원판이라고도 불릴 수 있다. 디스펜서에 이상이 있으면, 부재의 패턴 형성 영역에 임프린트재가 정확하게 배치되지 않고, 따라서 결함을 갖는 패턴이 형성될 수 있다.
일본 특허 공개 공보 제2016-111335호는, 디스펜서를 사용하여 기판 상에 임프린트재를 공급한 후에, 관찰 유닛에 의해 몰드를 통해서 임프린트재를 관찰함으로써 임프린트재의 누락이 있는지를 판단하는 기술을 기재하고 있다. 이 판단 처리의 결과, 이상이 발견되지 않으면, 처리는 기판 위의 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 임프린트재를 경화시키는 처리로 이행한다.
본 발명은 디스펜서의 이상을 검출하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는, 패턴을 형성해야 할 부재의 패턴 형성 영역 상의 임프린트재를 몰드의 패턴 영역에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 장치는, 상기 부재의 상기 패턴 형성 영역 및 상기 패턴 형성 영역 외측의 상기 부재의 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성되는 디스펜서; 상기 디스펜서에 의해 상기 패턴 형성 영역 및 상기 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재가 배치된 상태에서 상기 비 패턴 형성 영역을 검출하도록 구성되는 검출부; 및 상기 검출부에 의한 상기 비 패턴 형성 영역의 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하는 처리를 행하도록 구성되는 제어부를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2f는 디스펜서에 이상이 없는 경우에 촬상 장치에 의해 촬상되는 화상을 각각 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3f는 디스펜서에 이상이 있는 경우에 촬상 장치에 의해 촬상되는 화상을 각각 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4a는 디스펜서에 이상이 있는 경우에 촬상 장치에 의해 촬상되는 화상을 도시하는 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 화상을 처리한 결과를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 5는 촬상 장치에 의해 촬상되는 화상을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 제2 맵에 따라서 배치되는 임프린트재를 예시하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치의 동작을 예시하는 흐름도이다.
도 8은 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성의 일부를 도시하는 도면이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치의 동작을 설명하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10f는 물품 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 11은 부재의 패턴 형성 영역 부근의 부분을 예시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 예시적인 실시형태를 통해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 도시한다. 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)는, 패턴 형성 대상 부재(103)로서의 블랭크 몰드에 몰드(102)로서의 마스터 몰드의 패턴을 전사해서 복제 몰드를 형성하도록 구성된다. 단, 후술하는 바와 같이, 본 발명에 따른 임프린트 장치는, 이러한 적용예에 한정되는 것이 아니라, 패턴 형성 대상 부재(103)로서의 반도체 기판 등의 기판에 몰드(102)의 패턴을 전사하도록 구성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재와 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위에 패턴을 형성한다. 부재(103)는, 기초부(201)와, 기초부(201)로부터 돌출된 메사부(202)를 포함하고, 메사부(202)의 표면은 부재(103)에 제공된 단일의 패턴 형성 영역인 패턴 형성 영역(203)을 형성한다. 부재(103)는, 패턴 형성 영역(203)의 외측(메사부(202)의 외측)에 비 패턴 형성 영역(204)을 갖는다. 비 패턴 형성 영역(204)은 몰드(102)의 패턴 영역(213)에 접촉하지 않는다. 몰드(102)는, 기초부(211)와, 기초부(211)로부터 돌출된 메사부(212)를 포함하고, 메사부(212)의 표면은 패턴 영역(213)을 형성한다. 패턴 영역(213)에는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에 전사해야 할 패턴이 형성된다. 몰드(102)는, 패턴 영역(213)의 외측(메사부(212)의 외측)에 비 패턴 영역(214)을 포함한다.
임프린트재로서는, 경화용 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭하기도 함)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자기파는, 예를 들어 그 파장이 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 범위 내에서 선택되는 적외선, 가시광선, 또는 자외선 등의 광일 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 조성물 중, 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다. 임프린트재는, 액적 유사 형상, 혹은 복수의 액적이 서로 연결되어서 형성되는 섬 형상 또는 막 형상으로 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)의 범위 내일 수 있다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)의 표면에 평행한 방향을 X-Y 평면으로 하는 X-Y-Z 좌표계에서 방향을 나타낸다. X-Y-Z 좌표계에서의 X축, Y축, 및 Z축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로 한다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, 및 Z축 둘레의 회전을 각각 θX, θY, 및 θZ로 한다. X축, Y축, 및 Z축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX축, θY축, 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 축 둘레의 회전, Y축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 위치는 X축, Y축 및 Z축의 좌표에 기초해서 특정될 수 있는 정보이다. 자세는 θX축, θY축, 및 θZ축의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 위치결정은 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다. 위치정렬은, 부재(103) 및 몰드(102) 중 적어도 하나의 위치 및/또는 자세의 제어를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 부재(103)를 보유지지 및 구동하는 부재 구동 기구(120)를 포함할 수 있다. 부재 구동 기구(120)는, 부재(103)를 보유지지하는 척(114)을 갖는 스테이지(104), 스테이지(104)를 지지하는 지지체(113), 및 스테이지(104)를 구동함으로써 부재(103)를 구동하는 구동 기구(115)를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 몰드(102)를 보유지지 및 구동하는 몰드 구동 기구(101)를 포함할 수 있다. 부재 구동 기구(120) 및 몰드 구동 기구(101)는, 부재(103)와 몰드(102)의 상대 위치가 조정되도록 부재(103) 및 몰드(102) 중 적어도 하나를 구동하는 상대 구동 기구(150)를 형성한다.
상대 구동 기구(150)에 의한 상대 위치의 조정은, 부재(103) 위의 임프린트재에 대한 몰드(102)의 접촉 및 경화된 임프린트재(경화물의 패턴)로부터의 몰드(102)의 분리를 위한 구동을 포함할 수 있다. 부재 구동 기구(120)는, 부재(103)를 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, 및 θZ축의 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(101)는, 몰드(102)를 복수의 축(예를 들어, Z축, θX축, 및 θY축의 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다.
또한, 임프린트 장치(100)는, 디스펜서(106), 축외 얼라인먼트 스코프(107), 경화 유닛(105), 촬상 장치(109), 촬상 광원(110), 축상 얼라인먼트 스코프(111), 기체 공급 유닛(125), 및 제어부(130)를 포함할 수 있다. 디스펜서(106)는, 부재(103)의 표면 중, 패턴 형성 영역(203)과 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재를 배치하도록 구성 또는 제어될 수 있다.
디스펜서(106)는, 예를 들어 부재(103)가 부재 구동 기구(120)에 의해 미리정해진 방향으로 연속적으로 주사되고 있는 상태에서, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재가 배치되도록 임프린트재를 토출한다. 축외 얼라인먼트 스코프(107)는, 몰드(102)를 통하지 않고 부재(103)의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하기 위한 얼라인먼트 스코프이다. 경화 유닛(105)은, 부재(103) 상에 배치된 임프린트재에 경화용 에너지(예를 들어, 자외선 등의 광)를 조사함으로써 임프린트재를 경화시킨다. 촬상 장치(109)(관찰 유닛 및 검출부)는, 몰드(102)를 통해 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)을 촬상(관찰 및 검출)한다.
촬상 광원(110)은, 촬상 장치(109)에 의한 촬상을 위해서, 임프린트재를 경화시키지 않는 파장을 갖는 광으로 부재(103)를 조명한다. 파장으로서, 예를 들어 가시광 또는 적외광을 사용할 수 있다. 촬상 장치(109)는, 예를 들어 CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서 등의 2차원 이미지 센서를 포함한다. 적외광을 사용하는 경우에는, 적외광에 감도를 갖는 InGaAs 디바이스 등을 포함하는 근적외선 카메라를 사용해서 촬상을 행할 수 있다. 임프린트재는, 근적외 영역의 광을 흡수하는 재료를 함유할 수 있다. 이러한 경우, 임프린트재의 유무가 명암 차로서 검출될 수 있다. 혹은, 이미지 센서 앞에 편광판이 배치된 촬상 소자(편광 카메라)를 사용할 수도 있다. 편광 카메라는, 피검물에 의해 산란된, 주어진 방향의 편광 광을 검출할 수 있으므로, 미광이 수광되는 것을 억제할 수 있다. 축상 얼라인먼트 스코프(111)는, 부재(103)의 얼라인먼트 마크와 몰드(102)의 얼라인먼트 마크의 상대 위치를 검출하고, 부재(103)의 얼라인먼트 마크 및 기준 플레이트(112)의 기준 마크의 위치를 검출한다.
기체 공급 유닛(125)은, 몰드(102)의 주변에 배치되고, 퍼지 가스를 몰드(102)의 주변의 부분에 공급한다. 퍼지 가스로서는, 임프린트재의 경화를 저해하지 않는 가스, 예를 들어 헬륨 가스, 질소 가스 및 응축성 가스(예를 들어, 펜타플루오로프로판(PFP)) 중 적어도 하나를 포함하는 가스가 사용될 수 있다. 제어부(130)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 축약) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 축약), ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 축약), 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다.
도시되어 있지 않으나, 임프린트 장치(100)는, 부재(103)의 이면에 압력을 가하는 것에 의해 부재(103)를 몰드(102)를 향해서 볼록한 형상을 갖도록 변형시키는 변형 기구를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 몰드(102)의 이면에 압력을 가하는 것에 의해 몰드(102)를 부재(103)를 향해서 볼록한 형상을 갖도록 변형시키는 변형 기구를 포함할 수 있다. 이들 변형 기구를 제공함으로써, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재와 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 최초에 중앙부에서 서로 접촉시킬 수 있다. 그 후, 부재(103) 및 몰드(102)의 변형량을 서서히 감소시킴으로써, 임프린트재와 몰드(102)의 패턴 영역(213) 사이의 접촉 영역을 서서히 확대할 수 있다.
이하, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 동작을 예시적으로 설명한다. 이하에서 설명하는 동작은 제어부(130)에 의해 제어될 수 있다. 몰드(102)(마스터 몰드)가 몰드 구동 기구(101)에 설치된다. 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 사용하여, 몰드(102)의 얼라인먼트 마크와 기준 플레이트(112)의 기준 마크의 상대 위치가 검출된다.
부재(103)(블랭크 몰드)가 부재 구동 기구(120)의 스테이지(104)의 척(114)에 반송되고, 척(114)에 의해 보유지지된다. 이어서, 축외 얼라인먼트 스코프(107)를 사용하여, 부재(103)의 얼라인먼트 마크의 위치와 기준 플레이트(112)의 기준 마크의 위치가 검출되어, 부재(103)(패턴 형성 영역(203))와 기준 마크의 상대 위치가 검출된다. 이에 의해, 부재(103)(패턴 형성 영역(203))와 몰드(102)의 상대 위치가 구해진다. 부재(103)(패턴 형성 영역(203))와 몰드(102)의 상대 위치에 기초하여, 축상 얼라인먼트 스코프(111)의 시야에 부재(103)의 얼라인먼트 마크가 들어가도록 부재 구동 기구(120)에 의해 부재(103)가 위치결정된다. 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 사용하여, 부재(103)의 얼라인먼트 마크와 몰드(102)의 얼라인먼트 마크의 상대 위치(부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)의 상대 위치)가 검출된다. 이 상대 위치에 기초하여, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 위치정렬할 수 있다.
디스펜서(106)에 의해, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재가 배치된다. 이때, 디스펜서(106)는, 부재(103)가 부재 구동 기구(120)에 의해 미리정해진 방향으로 연속적으로 주사되고 있는 상태에서 임프린트재를 토출함으로써, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재를 배치한다.
부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)이 위치정렬되도록, 부재 구동 기구(120) 및 몰드 구동 기구(101)가 제어된다. 이때, 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 사용해서 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)의 상대 위치가 다시 검출될 수 있고, 상대 위치에 기초하여 패턴 형성 영역(203)과 패턴 영역(213)이 위치정렬될 수 있다. 혹은, 디스펜서(106)에 의해 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재가 배치되기 전의 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의한 상대 위치의 검출은 생략되어도 된다. 임프린트 장치(100)는 형상 보정 기구를 포함할 수 있고, 형상 보정 기구에 의해 패턴 영역(213)의 형상이 보정될 수 있다.
부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에 패턴을 형성하는 임프린트 처리와 불량 검출 처리가 실행된다. 임프린트 처리는 접촉 단계, 충전 단계, 경화 단계 및 분리 단계를 포함할 수 있다. 접촉 단계는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재와 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 서로 접촉시키는 단계이며, 제어부(130)가 상대 구동 기구(150)를 동작시킴으로써 행해질 수 있다. 충전 단계는, 몰드(102)의 패턴 영역(213)의 오목부에 임프린트재를 충전시키는 단계이다. 경화 단계는, 경화용 에너지를 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재에 조사하도록 제어부(130)가 경화 유닛(105)을 제어함으로써 행해질 수 있다. 분리 단계는, 부재(103)의 패턴 형성 영역 상의 임프린트재의 경화물(패턴)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 서로 분리시키는 단계이다. 분리 단계는, 제어부(130)가 상대 구동 기구(150)를 동작시킴으로써 행해질 수 있다. 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재는 분리 단계 후에 경화될 수 있다.
불량 검출 처리는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상되는 화상(촬상 장치(109)에 의해 검출되는 검출 결과)에 기초하여 제어부(130)에 의해 실행될 수 있다. 불량 검출 처리는, 미충전 결함을 검출하는 결함 검출 처리와, 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 이상 검출 처리를 포함할 수 있다. 이 경우, 촬상 장치(109)는, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)의 양자 모두를 촬상(검출)하도록 구성될 수 있다. 단, 불량 검출 처리는, 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 처리만을 포함할 수 있다. 이 경우, 촬상 장치(109)는, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204) 중 비 패턴 형성 영역(204)만을 촬상하도록 구성될 수 있다.
미충전 결함을 검출하는 결함 검출 처리는, 패턴 형성 영역(203)에 패턴을 형성하는 처리에서의 이상을 검출하는 처리로서 이해될 수 있다. 미충전 결함은, 예를 들어 부재(103) 또는 몰드(102)에 부착된 이물, 부재(103) 또는 몰드(102)의 화학적 오염, 또는 기포의 도입에 의해, 몰드(102)의 패턴 영역(213)(그 오목부)에 임프린트재가 충전되지 않는 것을 의미한다. 이상 검출 처리에서 검출될 수 있는 디스펜서(106)의 이상은, 예를 들어 디스펜서(106)의 노즐로부터 임프린트재가 토출되지 않는 상태 또는 디스펜서(106)의 노즐로부터 적정량의 임프린트재가 토출되지 않는 상태일 수 있다.
부재(103)의 표면이 소액성을 갖는 경우에는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에 배치된 임프린트재가 액적 유사 형상을 유지하므로, 개개의 임프린트재의 액적을 식별하는 것이 용이하다. 따라서, 부재(103)의 표면이 소액성을 갖는 경우에는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)을 촬상 장치(109)에 의해 촬상하고, 촬상된 화상을 처리함으로써 디스펜서(106)의 이상을 검출할 수 있다.
그러나, 몰드(102)의 패턴 영역(213)(그 오목부)에의 임프린트재의 충전성을 향상시키기 위해서, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에 친액성을 갖게 하는 처리가 행해질 수 있다. 패턴 형성 영역(203)이 친액성을 갖는 경우, 패턴 형성 영역(203)에 공급된 임프린트재가 패턴 형성 영역(203) 위에서 확산되어, 주위의 임프린트재와 함께 임프린트재의 막을 형성하고, 이에 의해 식별 불능이 된다. 따라서, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)이 친액성을 갖는 경우에는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에 배치된 임프린트재를 식별하는 것이 어렵다. 따라서, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)이 친액성을 갖는 경우에는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)을 촬상 장치(109)에 의해 촬상하여 얻은 화상을 처리함으로써 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 것이 어렵다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 제1 실시형태에서는, 디스펜서(106)에 의해 부재(103)의 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재가 배치되고, 비 패턴 형성 영역(204)이 촬상 장치(109)에 의해 촬상된다. 그리고, 제어부(130)는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 판단하기 위한 처리를 행한다. 디스펜서(106)의 이상을 판단하기 위한 처리는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 이상 검출 처리를 포함할 수 있다. 이상 검출 처리는, 디스펜서(106)의 복수의 노즐 중, 임프린트재를 토출할 수 없는 노즐을 검출하는 처리를 포함할 수 있다. 혹은, 이상 검출 처리는, 디스펜서(106)의 복수의 노즐 중, 임프린트재의 토출량에 이상이 있는 노즐을 검출하는 처리를 포함할 수 있다.
비 패턴 형성 영역(204)이 소액성을 갖는 경우, 임프린트재의 유무에 따라 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 것이 용이하다. 그러나, 비 패턴 형성 영역(204)은 친액성을 가져도 된다. 이 이유는 이하와 같이 설명될 수 있다.
패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재는, 패턴 형성 영역(203)과 그것에 대향하는 패턴 영역(213) 사이의 간극이 작기 때문에, 상대적으로 높은 증기압을 가지며 증발하기 어렵다. 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재는, 임프린트재에 몰드(102)의 패턴 영역(213)이 접촉한 후에는, 거의 증발하지 않는다. 한편, 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재는, 비 패턴 형성 영역(204)과 그것에 대향하는 비 패턴 영역(214) 사이의 간극이 크기 때문에, 상대적으로 낮은 증기압을 가지며, 상대적으로 증발하기 쉽다. 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재에 몰드(102)의 패턴 영역(213)이 접촉한 후에도, 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재는 주위의 분위기(예를 들어, 퍼지 가스)에 노출되고, 상대적으로 증발하기 쉽다. 따라서, 패턴 형성 영역(203)이 친액성을 갖고, 패턴 형성 영역(203) 위에 임프린트재가 공급된 직후에 임프린트재가 막을 형성하는 경우에도, 임프린트재는 부분적으로 증발함으로써 감소될 수 있다. 이에 의해, 임프린트재의 유무 혹은 임프린트재의 양을 식별하는 것이 가능해진다. 상대적인 증기압이란, 패턴 형성 영역(203)의 상측 공간에서의 증기압과 비 패턴 형성 영역(204)의 상측 공간에서의 증기압을 비교하는 표현이다. 상대적인 증발성은, 패턴 형성 영역(203)의 상측 공간에서의 증발성과 비 패턴 형성 영역(204)의 상측 공간에서의 증발성을 비교하는 표현이다.
도 2a 내지 도 2f는, 디스펜서(106)에 이상이 없는 경우에 촬상 장치(109)에 의해 촬상되는 화상의 천이를 개략적으로 도시하고 있다. 촬상 장치(109)는, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)을 촬상한다. 도 2a는, 디스펜서(106)에 의해 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재(IM, IM')를 배치하고, 패턴 형성 영역(203)을 몰드(102) 밑에 위치결정한 직후의 상태를 개략적으로 도시한다.
디스펜서(106)는 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)에는 제1 맵(MP1)을 따라서 임프린트재(IM)를 배치하고, 비 패턴 형성 영역(204)에는 제1 맵(MP1)과는 다른 제2 맵(MP2)을 따라서 임프린트재(IM')를 배치하도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 제2 맵(MP2)은, 디스펜서(106)의 모든 노즐로부터 임프린트재(IM')를 토출하도록 작성될 수 있다. 제2 맵(MP2)은, 디스펜서(106)에 의해 비 패턴 형성 영역(204)에 도포된 임프린트재(IM')의 액적을 개별적으로 식별하도록 작성될 수 있다.
디스펜서(106)는, 제1 맵(MP1)을 따라서 패턴 형성 영역(203)에 임프린트재(IM)를 배치하기 위한 복수의 노즐의 모두를 사용하여 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재(IM')를 배치하도록 제2 맵(MP2)을 따라서 제어될 수 있다. 이에 의해, 패턴 형성 영역(203)에 임프린트재(IM)를 배치하는 처리에서 불량이 발생하는 것을 파악할 수 있다.
도 2b는, 변형 기구를 사용하여 부재(103)와 몰드(102)를 볼록 형상으로 변형시키고, 상대 구동 기구(150)를 사용하여 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)와 패턴 영역(213)의 중앙 부분을 서로 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 화상의 중앙에는, 간섭 줄무늬(뉴튼 링)가 드러나 있다. 도 2c는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)와 몰드(102)의 전체 패턴 영역(213)을 서로 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시한다. 변형 기구에 의해 부재(103)의 변형 및 몰드(102)의 변형을 완화하면서, 상대 구동 기구(150)에 의해 부재(103)와 몰드(102) 사이의 거리가 작아질 수 있다. 이에 의해, 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)와 전체 패턴 영역(213)을 서로 접촉시킬 수 있다. 도 2c에 나타낸 상태에서는, 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)에 마이크로버블이라 불리는 기포가 존재할 수 있다.
도 2d는, 몰드(102)의 패턴 영역(213)의 오목부에의 임프린트재(IM)의 충전이 완료된 후에 임프린트재가 경화되기 직전의 상태를 개략적으로 도시한다. 도 2e는, 임프린트재(IM)를 경화시키기 위해서 임프린트재에 경화용 에너지(이 예에서는, 자외선 등의 광)를 조사한 상태를 개략적으로 도시한다. 도 2f는 상대 구동 기구(150)를 사용하여 부재(103)와 몰드(102) 사이의 거리를 증가시킴으로써 임프린트재(IM)의 경화물과 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 서로 분리한 상태를 개략적으로 도시한다.
도 2a 내지 도 2f에 도시된 예에서, 2a 내지 도 2c에 도시된 상태에서는, 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재(IM')는 고립된 액적으로서는 관찰되지 않는다. 이것은, 임프린트재(IM')가 비 패턴 형성 영역(204) 위에서 연속적인 막을 형성하고 있기 때문이다. 그러나, 비 패턴 형성 영역(204) 위의 임프린트재(IM')는, 서서히 휘발해서 체적이 감소함으로써, 임프린트재(IM')는 분리된 액적으로 변화되고, 도 2d에 도시된 상태에서는 액적을 식별할 수 있다. 또한, 도 2e 및 도 2f에 도시된 상태에서는, 액적은 더 명확하게 식별될 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는, 디스펜서(106)에 이상(임프린트재를 토출할 수 없는 노즐)이 있는 경우에 촬상 장치(109)에 의해 촬상되는 화상의 천이를 개략적으로 도시한다. 도 3a 내지 도 3f는, 각각 도 2a 내지 도 2f에 대응하는 타이밍에서 촬상되는 화상을 나타낸다. 도 3a는, 디스펜서(106)에 의해 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재(IM, IM')를 배치하고, 패턴 형성 영역(203)을 몰드(102) 밑에 위치결정한 직후의 상태를 개략적으로 도시한다.
도 3b는, 변형 기구를 사용하여 부재(103)와 몰드(102)를 볼록 형상으로 변형시키고, 상대 구동 기구(150)를 사용하여 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)와 패턴 영역(213)의 중앙 부분을 서로 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 화상의 중앙에는, 간섭 줄무늬(뉴튼 링)가 드러나 있다. 도 3c는, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)와 몰드(102)의 전체 패턴 영역(213)을 서로 접촉시킨 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 도 3c에 나타낸 상태에서, 디스펜서(106)에 이상(임프린트재를 토출할 수 없는 노즐)이 있는 것에 의해 발생하는 토출 이상(250)이 약간 나타나 있다.
도 3d는, 몰드(102)의 패턴 영역(213)의 오목부에의 임프린트재(IM)의 충전이 완료된 후에 임프린트재가 경화되기 직전의 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 도 3d에 나타낸 상태에서, 디스펜서(106)에 이상(임프린트재를 토출할 수 없는 노즐)이 있는 것에 의한 토출 이상(250)이 분명히 나타나 있다. 도 3e는, 임프린트재(IM)를 경화시키기 위해서 임프린트재에 경화용 에너지(여기서는, 자외선 등의 광)을 조사한 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 도 3e에 나타낸 상태에서도, 디스펜서(106)에 이상(임프린트재를 토출할 수 없는 노즐)이 있는 것에 의해 발생하는 토출 이상(250)이 분명히 나타나 있다. 도 3f는, 상대 구동 기구(150)를 사용하여 부재(103)와 몰드(102) 사이의 거리를 증가시킴으로써 임프린트재(IM)의 경화물과 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 서로 분리한 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 도 3f에 나타낸 상태에서, 디스펜서(106)에 이상(임프린트재를 토출할 수 없는 노즐)이 있는 것에 의해 발생하는 토출 이상(250)이 나타나 있다.
상기 설명을 고려하면, 제어부(130)는, 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)에 전체 패턴 영역(213)이 접촉한 상태에서 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 이상 검출 처리를 실행할 수 있다. 혹은, 제어부(130)는, 임프린트재(IM)에 전체 패턴 영역(213)이 접촉한 후에 임프린트재(IM)가 경화되기 전에 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 이상 검출 처리를 실행할 수 있다. 혹은, 제어부(130)는, 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재(IM)가 경화되는 기간 동안에 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 이상 검출 처리를 실행할 수 있다.
제어부(130)는, 패턴 형성 영역(203) 위의 경화된 임프린트재(IM)와 패턴 영역(213)을 서로 분리하기 위해 구동이 행해지는 기간 동안 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 이상 검출 처리를 실행할 수 있다. 혹은, 제어부(130)는, 경화된 임프린트재(IM)와 패턴 영역(213)이 서로 분리된 후에 X 및 Y 방향(즉, 패턴 형성 영역(203)에 평행한 방향)에 관하여 부재(103)와 몰드(102)의 상대 위치가 변경되기 전에 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 이상 검출 처리를 실행할 수 있다.
도 4a에 예시되는 바와 같이, 디스펜서(106)의 복수의 노즐(흰색 동그라미로 나타내는 부분)은 Y 방향으로 배열될 수 있다. 제어부(130)는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 화상(300)에서의 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에서의 휘도를 X 방향에 관해서 적분해서 도 4b에 예시되는 결과를 얻는다. X 방향은, 디스펜서(106)가 임프린트재를 배치할 때의 부재(103)의 주사 방향을 나타낸다. 도 4b에서, 횡축은 Y 방향의 위치를 나타내고, 종축은 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에서의 휘도를 X 방향에 관해서 적분해서 얻은 적분값을 나타낸다. 제어부(130)는, 적분값과 임계값(Ta)을 비교함으로써, 임프린트재(IM')가 배치되어 있지 않은 위치(Y 방향의 위치), 즉 임프린트재를 토출할 수 없는 노즐을 특정할 수 있다.
제1 실시형태에 따르면, 패턴 형성 영역(203)의 외측의 비 패턴 형성 영역(204)에 임프린트재(IM')를 배치하고, 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상이 검출된다. 따라서, 제1 실시형태에 따르면, 전체 패턴 형성 영역(203)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 방식보다도 작은 부하(화상 처리 등의 연산 부하)에서 디스펜서(106)의 이상을 검출할 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 따르면, 이상 검출 처리를 임프린트 처리와 병행해서 실행할 수 있으므로, 이상 검출 처리의 실행에 의해 발생하는 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
촬상 장치(109)로서 분해능이 높은 촬상 장치를 채용함으로써, 액적 상태의 복수의 임프린트재(IM')를 개별적으로 식별할 수 있다. 이에 의해, 디스펜서(106)의 노즐의 특성을 개별적으로 평가할 수 있다. 도 5에 도시된 예에서, 디스펜서(106)의 노즐(501)은, 임프린트재(IM')를 토출할 수 있지만, 목표 위치로부터 어긋난 위치에 임프린트재(IM')를 원치않게 배치할 수 있다. 도 5를 참고하면, 점선은 목표 위치를 나타내고 있다. 제어부(130)는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 화상에 기초하여 노즐(501)을 특정할 수 있다.
도 6에 예시되는 바와 같이, 부재(103)의 비 패턴 형성 영역(204)에 디스펜서(106)에 의해 공급된 임프린트재(IM')의 액적이 확산되도 개별 임프린트재(IM')의 액적이 식별 가능하게 배치되도록 임프린트재(IM')가 배치되는 제2 맵(MP2)이 사용될 수 있다. 이 경우, 임프린트재(IM')의 증발에 의해 개개의 임프린트재(IM')의 액적이 식별 가능해질 때까지 기다릴 필요가 없다. 즉, 부재(103)의 비 패턴 형성 영역(204)에 디스펜서(106)에 의해 임프린트재가 공급된 직후에, 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 이상 검출 처리를 실행할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 동작의 일례를 나타낸다. 이 동작은 제어부(130)에 의해 제어된다. 단계 S701에서는, 부재(103)는 스테이지(104)의 척(114) 위에 반송되고, 척(114)에 의해 보유지지된다. 단계 S702에서는, 부재(103)와 몰드(102)의 상대 위치가 검출된다. 단계 S703에서는, 디스펜서(106)에 의해 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역에 임프린트재가 배치된다.
단계 S704에서는, 임프린트 처리가 실행된다. 임프린트 처리는, 전술한 바와 같이, 접촉 단계, 충전 단계, 경화 단계 및 분리 단계를 포함할 수 있다. 단계 S704와 병행해서 단계 S705 및 S706가 실행될 수 있다. 단계 S705에서는, 촬상 장치(109)에 의해 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)이 촬상된다. 단계 S706에서는, 단계 S705에서 촬상된 화상 또는 촬상된 화상을 처리하여 얻은 화상이 디스플레이(도시되지 않음)에 표시된다.
단계 S705 후에, 단계 S707 내지 S710가 단계 S704와 병행해서 실행될 수 있다. 제어부(130)는, 결함 검출 처리를 실행할지의 여부를 설정하는 기능을 갖는다. 단계 S707에서는, 제어부(130)는, 결함 검출 처리의 실행이 설정되어 있는지의 여부를 판단한다. 결함 검출 처리의 실행이 설정되어 있는 경우, 처리는 단계 S708로 진행하고; 그렇지 않으면 처리는 단계 S711로 진행한다. 단계 S708에서는, 제어부(130)는 패턴 형성 영역(203)의 화상에 기초해서 미충전 결함을 검출하는 처리를 실행한다. 미충전 결함이 검출된 경우에는, 처리는 단계 S712로 진행하고; 그렇지 않은 경우 처리는 단계 S711로 진행한다.
제어부(130)는 이상 검출 처리를 실행할지의 여부를 설정하는 기능을 갖는다. 단계 S709에서는, 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 이상 검출 처리의 실행이 설정되어 있는지의 여부를 판단한다. 이상 검출 처리의 실행이 설정되어 있는 경우에는 처리는 단계 S710으로 진행하고; 그렇지 않은 경우 처리는 단계 S711로 진행한다. 단계 S710에서는, 제어부(130)는, 비 패턴 형성 영역(204)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 검출하는 이상 검출 처리를 실행한다. 디스펜서(106)의 이상이 검출된 경우에는, 처리는 단계 S713로 진행하고; 그렇지 않은 경우 처리는 단계 S711로 진행한다. 단계 S711은, 병행하여 실행되는 단계 S704의 종료 후에 실행된다.
제어부(130)는, 디스펜서(106)의 이상 노즐을 회복시키는 회복 처리를 실행할지의 여부를 설정하는 기능을 갖는다. 단계 S713에서는, 제어부(130)는 회복 처리의 실행이 설정되어 있는지의 여부를 판단한다. 회복 처리의 실행이 설정되어 있는 경우, 처리는 단계 S715로 진행하고; 그렇지 않은 경우 처리는 단계 S718로 진행한다. 단계 S715에서는, 회복 처리가 실행된다. 회복 처리는, 예를 들어 디스펜서(106)의 하면(노즐의 오리피스가 배치된 면)에의 임프린트재의 넘침에 의해 발생하는 이상으로부터 회복하기 위해서, 해당 하면을 흡인 기구(도시하지 않음)에 의해 흡인하는 동작을 포함할 수 있다. 혹은, 회복 처리는, 노즐의 막힘에 의해 발생하는 이상으로부터 회복하기 위해서, 노즐에 대하여 디스펜서(106)의 내부로부터 양압을 가함으로써 임프린트재를 압출하는 동작을 포함할 수 있다.
단계 S716에서는, 제어부(130)는, 디스펜서(106)가 이상 상태로부터 회복했는지의 여부를 판단한다. 이 판단 처리는, 예를 들어 카메라(도시하지 않음)에 의해 노즐을 관찰하거나, 토출 관찰 장치(도시하지 않음)에 의해 토출을 관찰함으로써 행해질 수 있다. 단계 S716에서, 디스펜서(106)가 이상 상태로부터 회복했다고 판단된 경우에는, 처리는 단계 S717로 진행하여 생산을 계속하고; 그렇지 않은 경우에는 처리는 단계 S712로 진행한다. 단계 S712에서는, 부재(103)가 반출된다. 단계 S720에서는, 이상의 발생의 통지가 이루어진다. 단계 S721에서, 생산이 중지된다.
단계 S718에서는, 제어부(130)는, 이상 노즐이 패턴 형성 영역(203)에 임프린트재를 배치하기 위해서 사용되는지의 여부를, 제1 맵(MP1)에 기초해서 판단한다. 이상 노즐이 패턴 형성 영역(203)에 임프린트재를 배치하기 위해서 사용되는 경우, 처리는 단계 S712로 진행하고; 그렇지 않은 경우 처리는 단계 S719로 진행한다. 후자의 경우에는, 이상 노즐이 존재하지만, 패턴 형성 영역(203)에 패턴을 형성하는데 문제가 없는 것을 의미한다. 단계 S719에서는, 제어부(130)는, 디스펜서(106)의 노즐에 이상이 있는 것 및 생산을 계속하는 것을 통지한다.
단계 S711에서는, 부재(103)가 반출되고, 단계 S722에서는, 생산을 계속할지의 여부가 판단된다. 생산이 계속되는 경우에는, 처리는 단계 S701로 복귀한다. 생산이 종료되는 경우, 단계 S723에서 생산이 정상적으로 종료된 것이 통지되고, 단계 S724에서 생산이 종료된다.
임프린트 장치(100)는, 디스펜서(106)의 이상을 판단하기 위한 처리로서, 단계 S706에서, 판단을 위한 화상을 디스플레이에 표시하고, 조작자에게 디스펜서(106)의 이상의 유무를 판단하게 하는 처리를 실행할 수 있다. 임프린트 장치(100)는, 조작자의 판단에 따라 생산을 중지하기 위한 생산 중지 스위치를 구비할 수 있다. 단계 S725에서는, 제어부(130)는, 생산 중지 스위치가 온된 것인지의 여부(즉, 생산 중지 지시가 발행되었는지 여부)를 판단한다. 스위치가 온된 경우, 처리는 단계 S726으로 진행한다. 단계 S726에서는, 제어부(130)는 안전한 중지 상태까지 시퀀스를 진행시킨다. 제어부(130)는, 예를 들어 패턴 형성 영역(203) 위의 임프린트재가 경화되지 않은 경우, 경화된 임프린트재와 몰드(102)가 서로 분리된 후에 부재(103)가 반출되도록, 임프린트재를 경화시킨다. 단계 S727에서는, 부재(103)가 반출된다. 단계 S728에서는, 생산을 중지하는 것이 통지된다. 단계 S721에서, 생산이 중지된다.
이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 제2 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 제1 실시형태를 따를 수 있다. 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 패턴 형성 대상 부재로서의 반도체 기판 등의 부재(S)에 몰드(M)의 패턴을 전사하도록 구성된다. 도 8에서는 도시되지 않지만, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)와 동일한 구성을 가질 수 있다.
몰드(M)는, 예를 들어 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에 의해, 부재(103)로서의 블랭크 몰드에 몰드(102)로서의 마스터 몰드의 패턴이 전사될 때 형성되는 복제 몰드일 수 있다. 부재(S)는, 복수의 패턴 형성 영역(801)(샷 영역)을 포함한다. 제2 실시형태에서는, 비 패턴 형성 영역(802)은, 복수의 패턴 형성 영역(801) 사이의 스크라이브 라인 영역일 수 있다.
제2 실시형태에서는, 디스펜서(106)는, 부재(S)의 표면 중, 패턴 형성 영역(801)과 패턴 형성 영역(801)의 외측의 비 패턴 형성 영역(802)에, 임프린트재(IM, IM')를 배치한다. 촬상 장치(109)는, 비 패턴 형성 영역(802) 위에 디스펜서(106)에 의해 임프린트재(IM')가 배치된 상태에서 비 패턴 형성 영역(802)을 촬상한다. 제어부(130)는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(802)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 판단하기 위한 처리를 행한다.
이어서, 제3 실시형태에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 제3 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 제1 또는 제2 실시형태를 따를 수 있다. 본 실시형태에서는, 부재(103), 몰드(102), 기준 플레이트(112)의 마크를 검출하는 축상 얼라인먼트 스코프(111)가 디스펜서(106)에 의해 토출된 임프린트재를 검출한다. 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)는, 광축에 대하여 비스듬히 조명광을 사출하고, 몰드(102) 또는 부재(103) 등의 피검물을 조명하며, 피검물에 의해 광축의 방향으로 반사된 광을 수광 소자에 의해 검출한다. 상술한 바와 같이, 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)(검출기)는, 암시야 조명에 의해 피검물을 계측한다(암시야 관찰).
이하, 제3 실시형태에 따른 임프린트 장치의 동작을 예시적으로 설명한다. 이하에서 설명하는 동작은 제어부(130)에 의해 제어될 수 있다. 부재(103)와 몰드(102)의 개략적인 상대 위치에 기초하여, 축상 얼라인먼트 스코프(111)의 시야에 부재(103)의 얼라인먼트 마크(34)가 들어가도록, 부재 구동 기구(120)에 의해 부재(103)가 위치결정된다. 임프린트 장치에는 4개의 축상 얼라인먼트 스코프(111)가 제공된다.
도 11은, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 및 그 부근의 부분(그 주변의 부분)을 예시하는 평면도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)의 외측의 4개의 구석에 얼라인먼트 마크(34)(34a, 34b, 34c, 34d)가 각각 제공된다. 몰드(102)에도, 얼라인먼트 마크(34)에 대응하는 위치에 얼라인먼트 마크가 제공된다. 1개의 축상 얼라인먼트 스코프(111)가 1개의 얼라인먼트 마크(34)를 검출하도록 구성된다.
이어서, 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 사용하여, 부재(103)의 얼라인먼트 마크(34)와 몰드(102)의 얼라인먼트 마크의 상대 위치를 검출한다. 이 상대 위치에 기초하여, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)을 위치정렬할 수 있다.
디스펜서(106) 밑에 위치결정되도록 부재(103)가 부재 구동 기구(120)에 의해 이동된다. 그리고, 디스펜서(106)에 의해 부재(103) 위에 임프린트재(30)가 배치된다. 디스펜서(106)는, 예를 들어 부재(103)가 부재 구동 기구(120)에 의해 미리정해진 방향으로 연속적으로 주사되고 있는 상태에서 임프린트재를 토출함으로써 임프린트재를 배치한다. 본 실시형태에서는, 제1 실시형태에서 임프린트재를 배치한 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204) 이외에, 비 패턴 형성 영역(204)의 외측에 있는 제3 영역(33)(33a, 33b, 33c, 33d)에도 임프린트재(30)를 배치한다. 도 11에 도시한 바와 같이, 제3 영역(33)은, 패턴 형성 영역(203)의 외측의 4개의 구석에 위치되며, 얼라인먼트 마크(34)에 인접하여 제공된 제3 영역(33a, 33b, 33c, 33d)을 포함한다. 각각의 제3 영역(33)은, 비 패턴 형성 영역(204)과 마찬가지로, 패턴이 형성되지 않으며, 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의해 검출될 수 있는 시야보다 작은 영역이다. 제어부(130)는, 패턴 형성 영역(203) 및 비 패턴 형성 영역(204)을 포함하는 영역에서의 임프린트재를 배치해야 할 위치를 나타내는 제1 데이터(맵)를 취득한다. 제어부(130)는, 각각의 제3 영역(33)에서의 임프린트재를 배치해야 할 위치를 나타내는 제2 데이터를 제1 데이터에 추가하여 제3 데이터를 작성한다. 제어부(130)는, 제3 데이터에 기초하여 임프린트재가 배치되도록 디스펜서(106)의 토출을 제어한다.
도 11에 도시한 바와 같이, 비 패턴 형성 영역(204)의 최상열에 배열되는 임프린트재와 동일한 배열을 형성하도록 제3 영역(33a, 33c)에 임프린트재가 배치된다. 비 패턴 형성 영역(204)의 최하열에 배열되는 임프린트재와 동일한 배열을 형성하도록 제3 영역(33b, 33d)에도 임프린트재가 배치된다. 디스펜서(106)의 2개의 배열의 오리피스가 있는 경우에는, 비 패턴 형성 영역(204)의 최상열과 최하열에 임프린트재를 토출하는 오리피스의 배열이 상이하도록 설정이 이루어질 수 있다. 이 경우, 제3 영역(33b, 33d)을 검사함으로써, 디스펜서(106)의 오리피스의 제1 배열의 토출 이상을 검출할 수 있고, 제3 영역(33a, 33c)을 검사함으로써 디스펜서(106)의 오리피스의 제2 배열의 토출 이상을 검출할 수 있다. 도 11은 패턴 형성 영역(203)에 배치되는 임프린트재를 도시하지 않는다.
미리 위치정렬을 행했을 때 사용된 데이터에 기초하여, 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)이 위치정렬되도록, 부재 구동 기구(120)가 제어된다. 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)는 이동 가능하게 구성되며, 축상 얼라인먼트 스코프(111)를 이동시키는 구동 유닛을 포함한다. 부재(103)의 패턴 형성 영역(203)과 몰드(102)의 패턴 영역(213)이 위치정렬되기 전에, 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)는, 그 시야가 얼라인먼트 마크(34)를 검출할 때의 위치로부터 제3 영역(33) 내에 들어가도록 이동된다.
부재(103)의 제3 영역(33)을 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)로 촬상하고, 이에 의해 제3 영역(33)에 배치된 임프린트재의 상태를 관찰한다. 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)는 암시야 조명을 행하기 때문에, 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의해 사출되고, 임프린트재에 의해 반사 및 산란된 광을 이미지 센서로 검출한다. 제어부(130)는, 검출된 광에 기초하여, 임프린트재가 정상적으로 배치되어 있는지, 즉 디스펜서의 토출 이상을 판단한다. 예를 들어, 디스펜서(106)의 이상이 없고 제3 영역(33)에 임프린트재가 정상적으로 배치되었을 때에 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의해 검출되는 총 광량을 기준값으로서 설정한다. 그리고, 실제로 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의해 검출된 총 광량을 그 기준값과 비교함으로써, 이상 판단을 행할 수 있다. 혹은, 디스펜서(106)의 이상이 없고 제3 영역(33)에 임프린트재가 정상적으로 배치되었을 때에 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의해 촬상되는 화상을 기준 화상으로서 설정하고, 화상을 기준 화상과 비교함으로써, 토출 이상을 판단해도 된다.
촬상 장치(109)에 의한 비 패턴 형성 영역(204)의 촬상이 병행해서 행하여 질 수 있다. 제어부(130)는, 촬상 장치(109)에 의해 촬상된 비 패턴 형성 영역(204)과 제3 영역(33)의 화상에 기초하여 디스펜서(106)의 이상을 판단하기 위한 처리를 행할 수 있다. 촬상 장치(109)는 명시야 조명에 의한 계측(명시야 관찰)을 행하므로, 각각의 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의한 암시야 관찰과는 다른 방식으로 계측을 행할 수 있고, 이에 의해 상이한 계측 결과를 얻을 수 있다. 따라서, 촬상 장치(109)에 의한 명시야 관찰과 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의한 암시야 관찰을 병행해서 실행함으로써, 종합적으로 디스펜서(106)의 이상을 판단할 수 있다.
상기 얼라인먼트 스코프는, 몰드(102)와 부재(103)의 패턴 형성 영역(203) 상에 배치된 임프린트재가 서로 접촉하기 전에 검출 시야에서 임프린트재의 이상을 검출할 수 있다. 이상이 검출된 경우에는, 몰드(102)와 임프린트재를 서로 접촉시키지 않고 임프린트재를 경화용 광에 노광하고, 그 후 부재(103)를 반출한다. 기판을 반출하기 전에 노광을 행하는 이유는, 임프린트재가 경화되지 않고 부재 반출 시에 증발 혹은 비산해서, 장치를 오염시키기 때문이다.
촬상 장치(109)에 의한 비 패턴 형성 영역(204)의 촬상을 실행할지의 여부를 선택하는 란을 임프린트 장치의 사용자 인터페이스에 제공할 수 있고, 실행이 선택된 경우에만 촬상을 실행할 수 있다. 디스펜서(106)에 의한 제3 영역(33)에의 임프린트재의 배치와, 축상 얼라인먼트 스코프(111)에 의한 제3 영역(33)의 촬상을 실행할지 여부를 선택하는 란을 사용자 인터페이스에 제공할 수 있고, 실행이 선택될 때만 배치 및 촬상을 실행할 수 있다.
임프린트 장치를 사용해서 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 사용되거나 각종 물품을 제조하는데 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 및 제1 실시형태에서 제조되는 몰드를 포함한다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 또는 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리, 및 LSI, CCD, 이미지 센서, 또는 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나, 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 10a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로 형성된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 10b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의, 그 3차원 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)에 대향시킨다. 도 10c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서의 광을 몰드(4z)를 통해 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 10d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 서로 분리함으로써, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 3차원 패턴이 전사된다.
도 10e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행함으로써, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없는 부분 또는 경화물이 얇게 잔존하는 부분이 제거되어, 트렌치(5z)가 형성된다. 도 10f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피가공재(2z)의 표면에 트렌치(5z)가 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했다. 그러나, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉 물품의 구성 부재로서 경화물의 패턴을 이용해도 된다.
상기 실시형태 각각은 패턴이 형성된 몰드를 사용하는 임프린트 장치를 설명했다. 그러나, 이것은 본 발명의 예시적인 실시형태에 지나지 않는다. 본 발명은, 3차원 구조체가 없는 평판 상의 몰드를 사용하여, 그 몰드를 기판 상의 조성물에 접촉시킨 상태에서 조성물을 성형하고, 조성물을 경화시킴으로써, 조성물을 평탄화하는 평탄화 장치(성형 장치)에도 적용 가능하다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (31)

  1. 패턴을 형성해야 할 부재의 패턴 형성 영역 상의 임프린트재를 몰드의 패턴 영역에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 부재의 상기 패턴 형성 영역 및 상기 패턴 형성 영역 외측의 상기 부재의 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성되는 디스펜서;
    상기 디스펜서에 의해 상기 패턴 형성 영역 및 상기 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재가 배치된 상태에서 상기 비 패턴 형성 영역을 검출하도록 구성되는 검출부; 및
    상기 검출부에 의한 상기 비 패턴 형성 영역의 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하기 위한 처리를 행하도록 구성되는 제어부를 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디스펜서는, 상기 패턴 형성 영역에는 제1 맵을 따라서 상기 임프린트재를 배치하고, 상기 비 패턴 형성 영역에는 상기 제1 맵과는 다른 제2 맵을 따라서 상기 임프린트재를 배치하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 디스펜서는, 상기 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하기 위한 복수의 노즐의 모두를 사용하여, 상기 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 디스펜서는, 상기 부재가 미리정해진 방향으로 연속적으로 주사되고 있는 상태에서 상기 임프린트재를 토출함으로써 상기 패턴 형성 영역 및 상기 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 이상을 판단하기 위한 처리는, 상기 검출부에 의한 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 상기 이상을 검출하는 이상 검출 처리를 포함하는, 임프린트 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이상 검출 처리는, 상기 디스펜서의 복수의 노즐 중, 상기 임프린트재를 토출할 수 없는 노즐을 검출하는 처리를 포함하는, 임프린트 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 이상 검출 처리는, 상기 디스펜서의 복수의 노즐 중, 상기 임프린트재의 토출량에 이상이 있는 노즐을 검출하는 처리를 포함하는, 임프린트 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재가 상기 패턴 영역에 접촉한 상태에서 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 이상 검출 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역의 전체가 서로 접촉한 후에 상기 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재를 경화시키기 전에 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 이상 검출 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재를 경화시키는 기간 동안 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 이상 검출 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 패턴 형성 영역 상의 경화된 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역을 서로 분리하기 위한 구동이 행해지는 기간 동안 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 이상 검출 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 패턴 형성 영역 상의 경화된 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역이 서로 분리된 후에 상기 패턴 형성 영역에 평행한 방향에 관해서 상기 부재와 상기 몰드의 상대 위치가 변경되기 전에 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과에 기초하여 상기 이상 검출 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 이상을 판단하기 위한 처리는, 상기 검출부에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 상기 검출 결과를 디스플레이에 표시하고, 조작자에게 상기 디스펜서의 이상 유무를 판단하도록 촉구하는 처리를 포함하는, 임프린트 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 디스펜서가 상기 패턴 형성 영역 및 상기 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치한 상태에서 상기 비 패턴 형성 영역을 촬상하도록 구성되는 촬상 장치를 포함하며,
    상기 제어부는, 상기 촬상 장치에 의해 촬상된 상기 비 패턴 형성 영역의 화상에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하는 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 비 패턴 형성 영역 이외에 상기 패턴 형성 영역을 촬상하며,
    상기 제어부는, 상기 검출부에 의해 촬상된, 상기 비 패턴 형성 영역의 화상 및 상기 패턴 형성 영역의 화상에 기초하여, 상기 패턴 형성 영역에 패턴을 형성하는 처리의 이상을 검출하는, 임프린트 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 부재는, 기초부와, 상기 기초부로부터 돌출하는 메사부를 포함하고, 상기 메사부의 표면이 상기 부재에 제공된 단일의 패턴 형성 영역인 상기 패턴 형성 영역을 형성하는, 임프린트 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 부재는, 기초부와, 상기 기초부로부터 돌출하는 메사부를 포함하며, 상기 기초부는 상기 비 패턴 형성 영역을 포함하는, 임프린트 장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 비 패턴 형성 영역은, 상기 비 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재가 상기 몰드에 접촉하지 않는 영역인, 임프린트 장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 부재는 상기 패턴 형성 영역을 포함하는 복수의 패턴 형성 영역을 포함하며, 상기 비 패턴 형성 영역은 상기 복수의 패턴 형성 영역 사이의 스크라이브 라인 영역인, 임프린트 장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 디스펜서의 이상이 검출된 경우에, 상기 디스펜서의 기능을 회복시키는 처리를 실행하는, 임프린트 장치.
  21. 제1항에 있어서, 생산 중지 지시가 발행된 경우에, 상기 패턴 형성 영역 상의 상기 임프린트재가 경화되어 있지 않으면, 상기 임프린트재를 경화시키고, 경화된 상기 임프린트재와 상기 몰드가 서로 분리된 후에 상기 부재가 반출되는, 임프린트 장치.
  22. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 디스펜서의 이상을 검출하기 위한 상기 처리를 실행할지의 여부를 설정하는 기능을 갖는, 임프린트 장치.
  23. 제1항에 있어서, 상기 검출부는 상기 몰드를 통해 상기 비 패턴 형성 영역을 검출하는, 임프린트 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 몰드의 얼라인먼트 마크와 상기 부재의 얼라인먼트 마크를 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하고,
    상기 검출기는 상기 비 패턴 형성 영역을 검출하며,
    상기 제어부는 상기 검출기에 의해 검출된 상기 비 패턴 형성 영역의 검출 결과에 기초하여 상기 처리를 행하는, 임프린트 장치.
  25. 제1항에 있어서, 상기 검출부는,
    상기 디스펜서가 상기 패턴 형성 영역과 상기 비 패턴 형성 영역 상에 상기 임프린트재를 배치한 상태에서 상기 비 패턴 형성 영역을 촬상하도록 구성되는 촬상 장치, 및
    상기 몰드의 얼라인먼트 마크와 상기 부재의 얼라인먼트 마크를 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하며,
    상기 검출기가 검출을 행하는 영역은 상기 촬상 장치가 촬상을 행하는 상기 비 패턴 형성 영역과 상이한, 임프린트 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 검출부는 암시야 관찰에 의한 촬상을 행하고, 상기 촬상 장치는 명시야 관찰에 의한 촬상을 행하는, 임프린트 장치.
  27. 제24항에 있어서, 상기 패턴 형성 영역의 상기 임프린트재와 상기 몰드가 서로 접촉하기 전에, 상기 검출기가 상기 비 패턴 형성 영역을 검출해서 상기 디스펜서의 이상을 검출한 경우, 상기 패턴 형성 영역의 상기 임프린트재와 상기 몰드를 서로 접촉시키지 않은 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는, 임프린트 장치.
  28. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에서 규정된 임프린트 장치를 사용하여 부재 상에 패턴을 형성하는 형성 단계; 및
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 부재의 처리를 행하는 처리 단계를 포함하며,
    상기 처리 단계가 행해진 상기 부재로부터 물품을 제조하는, 물품 제조 방법.
  29. 패턴을 형성해야 할 부재의 패턴 형성 영역 상의 임프린트재가 몰드의 패턴 영역과 접촉하는 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    디스펜서가 상기 부재의 상기 패턴 형성 영역과 상기 패턴 형성 영역 외측의 비 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 배치하게 하는 단계;
    상기 디스펜서에 의해 상기 패턴 형성 영역과 상기 비 패턴 형성 영역 상에 상기 임프린트재가 배치된 상태에서 상기 비 패턴 형성 영역을 검출하는 단계; 및
    상기 비 패턴 형성 영역의 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하기 위한 처리를 행하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  30. 부재 상의 조성물이 몰드와 접촉하는 상태에서 상기 조성물을 경화시키고, 상기 조성물과 상기 몰드를 서로 분리하는 처리를 행함으로써 상기 조성물을 성형하는 성형 장치이며,
    상기 부재 상에 상기 조성물을 토출 및 배치하도록 구성되는 디스펜서;
    상기 디스펜서에 의해 상기 부재 상에 배치된 상기 조성물을 검출하도록 구성되는 검출부; 및
    상기 검출부의 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하도록 구성되는 제어부를 포함하고,
    상기 디스펜서는, 상기 부재 중, 토출된 상기 조성물이 상기 처리에서 상기 몰드와 접촉하는 제1 영역 및 토출된 상기 조성물이 상기 몰드와 접촉하지 않는 제2 영역에, 상기 조성물을 배치하고,
    상기 검출부는, 상기 처리에서, 상기 제1 영역의 토출된 상기 조성물이 상기 몰드와 접촉하고 있을 때에 상기 제2 영역을 검출하며,
    상기 제어부는, 상기 검출부에 의한 상기 제2 영역의 검출 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하는, 성형 장치.
  31. 부재 상의 조성물이 몰드와 접촉하는 상태에서 상기 조성물을 경화시키고, 상기 조성물과 상기 몰드를 서로 분리하는 처리를 행함으로써 상기 조성물을 성형하는 성형 방법이며,
    상기 부재 중, 상기 처리에서 디스펜서에 의해 상기 부재 상에 토출된 상기 조성물이 상기 몰드와 접촉하는 제1 영역 및 상기 디스펜서에 의해 상기 부재 상에 토출된 상기 조성물이 상기 몰드와 접촉하지 않는 제2 영역에 상기 조성물을 배치하는 단계; 및
    상기 처리에서 상기 제1 영역의 상기 조성물이 상기 몰드와 접촉하고 있을 때에 상기 제2 영역의 상기 조성물을 검출한 결과에 기초하여 상기 디스펜서의 이상을 판단하는 처리를 행하는 단계를 포함하는, 성형 방법.
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