KR101967940B1 - 기체 처리 시스템용 기체 반송 장치 - Google Patents

기체 처리 시스템용 기체 반송 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101967940B1
KR101967940B1 KR1020147009558A KR20147009558A KR101967940B1 KR 101967940 B1 KR101967940 B1 KR 101967940B1 KR 1020147009558 A KR1020147009558 A KR 1020147009558A KR 20147009558 A KR20147009558 A KR 20147009558A KR 101967940 B1 KR101967940 B1 KR 101967940B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
pipe
optical window
gas
transfer
Prior art date
Application number
KR1020147009558A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140072094A (ko
Inventor
츠토무 히로키
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140072094A publication Critical patent/KR20140072094A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101967940B1 publication Critical patent/KR101967940B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

일 실시 형태의 기체 반송 장치는 챔버 벽, 테이블, 리니어 모터 반송 기구, 광학창 및 레이저 계측기를 구비한다. 챔버 벽은 반송 공간을 구획 형성한다. 테이블은 반송 공간 내에 수용되어 있다. 상기 테이블 상에는 기체를 적재 가능하다. 리니어 모터 반송 기구는 반송 공간 내에서 리니어 모터에 의해 테이블을 이동시킨다. 광학창은 반송 공간과 그 반송 공간의 외부 공간 사이에 설치되어 있다. 예를 들어, 광학창은 챔버 벽에 구획 형성된 개구를 밀봉하도록 설치된다. 레이저 계측기는 광학창을 통해서 테이블을 향해서 레이저광을 조사하고, 테이블로부터의 반사광을 받아, 테이블의 위치를 계측한다.

Description

기체 처리 시스템용 기체 반송 장치{SUBSTRATE TRANSFERRING APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명의 실시 형태는 기체 처리 시스템용 기체 반송 장치에 관한 것이다.
반도체 기판과 같은 기체를 처리하기 위한 처리 시스템의 기체 반송 장치에는, 특허문헌 1에 기재된 것이 있다. 특허문헌 1에 기재된 기체 반송 장치는 챔버, 테이블 및 반송 기구를 구비하고 있다. 테이블은 챔버 내에 수용되어 있고, 리니어 모터에 의한 반송 기구에 의해 챔버 내에서 이동된다.
상기 기체 반송 장치는 테이블의 위치를 계측하기 위해서 리니어 스케일 및 센서를 구비하고 있다. 센서는 테이블에 장착되어 있으며, 리니어 스케일로부터 테이블의 현재 위치를 판독하고, 그 현재 위치를 나타내는 신호를 챔버의 외부에 출력한다. 이 때문에, 센서로부터는 챔버의 외부까지 신호 출력용 케이블이 연장되어 있다.
일본 특허 공개 제2004-274889호 공보
특허문헌 1에 기재된 기체 반송 장치에서는 상술한 케이블의 일부가 챔버 내에 존재하므로, 그 케이블의 챔버 내에서의 와이어링과 같은 케이블 처리가 필요해진다. 이 케이블 처리는, 테이블의 이동 거리가 길어질수록 곤란한 것으로 될 수 있다.
따라서, 본 기술 분야에 있어서는, 이러한 케이블 처리의 문제를 해결할 수 있는 기체 반송 장치가 요청되고 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기체 반송 장치는 챔버 벽, 테이블, 리니어 모터 반송 기구, 광학창 및 레이저 계측기를 구비한다. 챔버 벽은 반송 공간을 구획 형성한다. 일 실시 형태에 있어서는, 반송 공간은 감압 가능한 반송 공간이다. 테이블은 반송 공간 내에 수용되어 있다. 상기 테이블 상에는 기체를 적재 가능하다. 리니어 모터 반송 기구는 반송 공간 내에서 리니어 모터에 의한 구동력에 의해 테이블을 이동시킨다. 광학창은 반송 공간과 그 반송 공간의 외부 공간 사이에 설치되어 있다. 예를 들어, 광학창은 챔버 벽에 구획 형성된 개구를 밀봉하도록 설치된다. 레이저 계측기는 광학창을 통해서 테이블을 향해서 레이저광을 조사하고, 테이블로부터의 반사광을 받아, 테이블의 위치를 계측한다.
이 기체 반송 장치에서는, 레이저 계측기에 의해 테이블의 위치를 계측하는 것이 가능하다. 따라서, 반송 공간 내에서의 케이블 처리가 불필요하게 될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 기체 반송 장치는 광학창과 반송 공간을 광학적으로 접속하는 파이프를 더 구비할 수 있다. 파이프의 일단은 광학창에 결합되고, 파이프의 타단은 반송 공간 내에 설치될 수 있다. 레이저 계측기는 광학창 및 파이프의 내공을 통해서 레이저광을 조사하고, 반사광을 파이프 및 광학창을 통해서 받을 수 있다. 이 실시 형태에 따르면, 파이프에 의해, 반송 공간과 광학창 사이의 경로에서의 컨덕턴스를 저하시킬 수 있다. 그 결과, 반송 공간 내에 존재하는 가스 분자가 광학창에 부착될 확률을 저하시킬 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 파이프의 내공을 구획 형성하는 내면 중 적어도 일부는 요철을 가질 수 있다. 이 요철은 0.1㎜ 내지 3㎜의 범위의 요철이어도 된다. 또한, 일 실시 형태에 있어서는, 파이프의 내면은, 다공질면이어도 된다. 이들 실시 형태에 따르면, 파이프의 내면에 의해, 가스 분자가 포착될 수 있다. 그 결과, 광학창에 대한 가스 분자의 부착을 더욱 억제할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 파이프의 내공은, 그 파이프의 길이 방향을 따라서 제1 내경을 갖는 부분과, 상기 제1 내경보다 작은 직경인 제2 내경을 갖는 부분을 포함하고 있어도 된다. 이 실시 형태에 따르면, 파이프의 내경을 일부에서 직경 축소함으로써, 그 일부에서의 컨덕턴스를 보다 작게 할 수 있다. 그 결과, 광학창에 대한 가스 분자의 부착을 더욱 억제할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 파이프의 내공은, 사행되는 경로를 따라 구획 형성되어 있어도 되고, 파이프의 내공에는, 그 내공의 일단과 그 내공의 타단을 광학적으로 결합하는 1 이상의 광학 미러가 설치되어 있어도 된다. 이 실시 형태에 의해서도, 광학창에 대한 가스 분자의 부착을 억제할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 기체 반송 장치는 파이프의 내공에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급로를 더 포함하고 있어도 된다. 이 실시 형태에 따르면, 불활성 가스가 내공에 공급되므로, 그 내공에의 가스 분자의 유입이 억제된다. 그 결과, 광학창에 대한 가스 분자의 부착을 억제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면 및 다양한 실시 형태에 따르면, 반송 공간 내에서 테이블의 위치 계측을 위한 신호용 케이블 처리가 불필요한 기체 반송 장치가 제공된다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 처리 시스템에 채용할 수 있는 기체 반송 장치의 사시도로서, 내부가 보이도록 상측 부분을 제거하여 나타낸 그 기체 반송 장치의 사시도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따른 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시하는 기체 반송 장치의 일부를 확대하여 도시하는 단면도로서, 레이저 계측계를 도시하는 도면이다.
도 5는 다른 실시 형태에 따른 레이저 계측계를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시 형태에 따른 레이저 계측계를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 파이프를 도시하는 단면도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도이다.
도 9는 도 8에 나타내는 처리 시스템에 채용할 수 있는 기체 반송 장치의 사시도로서, 내부가 보이도록 상측 부분을 제거하여 나타낸 그 기체 반송 장치의 사시도이다.
도 10은 또 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일하거나 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하기로 한다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도로서, 통상의 사용 상태에서의 그 처리 시스템을 상방에서 보고 도시하는 평면도이다. 또한, 이하의 설명은, 후술하는 실시 형태에 있어서 프로세스 모듈에 접속하고 있는 기체 반송 장치의 기체 반송 방향을 Y 방향, 처리 시스템의 통상의 사용 상태에서의 높이 방향을 Z 방향, Z 방향 및 Y 방향으로 교차 또는 직교하는 방향을 X 방향으로 해서, 기술되어 있다.
도 1에 도시하는 처리 시스템(100)은 피처리 기체(W)를 처리하기 위한 시스템이다. 처리 시스템(100)은 적재대(102a 내지 102d), 수용 용기(104a 내지 104d), 로더 모듈(대기 기체 반송 장치)(LM), 로드 로크 챔버(LL1 및 LL2), 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22 및 PM23), 및 트랜스퍼 챔버(진공 기체 반송 장치)(110)를 구비하고 있다. 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22 및 PM23) 중 적어도 1개가 트랜스퍼 챔버(110)에 접속된다.
적재대(102a 내지 102d)는 로더 모듈(LM)의 Y 방향에서의 일방측 가장자리부를 따라 X 방향으로 배열되어 있다. 적재대(102a 내지 102d) 상에는 각각, 수용 용기(104a 내지 104d)가 적재되어 있다. 수용 용기(104a 내지 104d)의 내부에는 기체(W)가 수용된다.
로더 모듈(LM)은 대기 분위기에서 기판을 반송하는 기체 반송 장치(대기 기체 반송 장치)이다. 그 일 실시 형태에 있어서는, Y 방향보다도 X 방향으로 긴 대략 상자 형상을 갖고 있다. 로더 모듈(LM)은 대기압 상태의 반송 공간을 그 내부에 구획 형성하는 챔버 벽을 갖고 있다. 로더 모듈(LM)은 이 반송 공간에 반송 유닛(TU)을 갖고 있다. 로더 모듈(LM)의 반송 유닛(TU)은 수용 용기(104a 내지 104d) 중 어느 하나로부터 기체(W)를 취출하고, 취출한 기체(W)를 로드 로크 챔버(LL1 및 LL2) 중 어느 하나로 반송한다. 일 실시 형태에 있어서는, 로더 모듈(LM)의 반송 유닛(TU)은 X 방향으로 이동할 수 있다.
로드 로크 챔버(LL1 및 LL2)는 로더 모듈(LM)의 Y 방향의 타방측 가장자리부를 따라 X 방향으로 배열되어 있다. 또한, 로더 모듈(LM)의 Y 방향의 타방측에는 Y 방향으로 연장되는 트랜스퍼 챔버(110)가 설치되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 로드 로크 챔버(LL1 및 LL2)는 로더 모듈(LM)과 트랜스퍼 챔버(110) 사이에 설치되어 있다.
로드 로크 챔버(LL1 및 LL2)는 로더 모듈(LM)로부터 반송된 기체(W)를, 그 내부의 반송 공간이 감압 또는 진공 상태에 놓인 트랜스퍼 챔버(110)로 옮기기 전의 예비 감압실로서 이용된다. 로드 로크 챔버(LL1)와 로더 모듈(LM) 사이, 로드 로크 챔버(LL1)와 트랜스퍼 챔버(110) 사이, 로드 로크 챔버(LL2)와 로더 모듈(LM) 사이, 로드 로크 챔버(LL2)와 트랜스퍼 챔버(110) 사이의 각각에는, 개폐 가능한 게이트 밸브가 설치되어 있다.
트랜스퍼 챔버(110)는 진공 분위기에서 기판을 반송하는 기체 반송 장치(진공 기체 반송 장치)이다. 그 일 실시 형태에 있어서는, 감압 가능한 반송 공간 내에서 Y 방향으로 기체(W)를 이동시키고, 그 기체(W)를 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22, PM23) 중 어느 하나로 반송한다. 트랜스퍼 챔버(110)와 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22, PM23) 각각의 사이에는, 개폐 가능한 게이트 밸브가 설치되어 있다.
프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13)은 트랜스퍼 챔버(110)의 X 방향에서의 일방측 가장자리부를 따라 Y 방향으로 배열되어 있다. 또한, 프로세스 모듈(PM21, PM22, PM23)은 트랜스퍼 챔버(110)의 X 방향에서의 타방측 가장자리부를 따라 Y 방향으로 배열되어 있다. 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22, PM23)은 그들 내부에 수용한 기체(W)를 처리한다. 프로세스 모듈에 의한 처리에는, 예를 들어 에칭, 성막, 애싱, 스퍼터 성막, 화학적 산화물 제거 등의 처리가 포함된다.
도 1에 도시하는 실시 형태의 처리 시스템(100)에서는, 수용 용기(104a 내지 104d) 중 어느 하나에 수용되어 있는 기체(W)는, 로더 모듈(LM), 로드 로크 챔버(LL1 또는 LL2), 및 트랜스퍼 챔버(110)를 통해서, 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22, PM23) 중 어느 하나로 반송되고, 반송처인 프로세스 모듈에서 처리된다. 반송처인 프로세스 모듈에서 처리된 기체(W)는 트랜스퍼 챔버(110) 및 로드 로크 챔버(LL1 또는 LL2)를 통해서 로더 모듈(LM)로 되돌려진다.
이하, 일 실시 형태의 기체 반송 장치에 대하여 설명한다. 도 2는 일 실시 형태의 기체 반송 장치의 사시도로서, 내부가 보이도록 상측 부분을 제거하여 나타낸 그 기체 반송 장치의 사시도이다. 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따른 단면도이다. 도 3에서는, 급전 막대, 케이블, 픽업, 반송 로봇 및 광통신 유닛이 생략되어 있다. 또한, 도 4는 도 3에 도시하는 기체 반송 장치의 일부를 확대하여 도시하는 단면도로서, 레이저 계측계를 도시하는 도면이다. 도 2 및 도 3에 도시하는 트랜스퍼 챔버(10)는 처리 시스템(100)의 트랜스퍼 챔버(110)로서 사용할 수 있다. 그러나, 트랜스퍼 챔버(10)는 다른 처리 시스템의 트랜스퍼 챔버로서도 이용 가능하다. 이하, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조한다.
트랜스퍼 챔버(10)는 챔버 벽(12), 테이블(14), 리니어 모터 반송 기구(16), 광학창(18) 및 레이저 계측기(20)를 구비하고 있다. 챔버 벽(12)은 Y 방향으로 긴 대략 상자형을 이루고 있다. 챔버 벽(12)은 그 내부에 반송 공간(S)을 구획 형성하고 있다. 반송 공간(S)은 감압 상태 또는 진공 상태로 하는 것이 가능한 공간이다. 이 때문에, 반송 공간(S)에는 배기 장치(22)가 접속되어 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 챔버 벽(12)은 본체부(12a)와 천장판부(12b)를 포함할 수 있다. 본체부(12a)는 Y 방향, X 방향 및 하방으로부터 반송 공간(S)을 구획 형성하고 있다. 천장판부(12b)는 평판 형상의 부재이며, 반송 공간(S)을 상방으로부터 구획 형성하고 있다. 천장판부(12b)와 본체부(12a)의 정상부 사이에는, O링과 같은 밀봉 부재가 설치되어 있어도 된다.
일 실시 형태에 있어서는, 챔버 벽(12)의 본체부(12a)는 반송 공간(S)의 Y 방향의 일방측에 설치된 전방벽(12fw1) 및 전방벽(12fw2)을 포함하고 있다. 전방벽(12fw1)은 전방벽(12fw2) 아래에 설치되어 있다. 전방벽(12fw2)은 V자 단면 형상의 벽이며, 그 전방벽(12fw2)에는, 개구(12h1 및 12h2)가 형성되어 있다. 개구(12h1)는 기체(W)를 로드 로크 챔버(LL1) 내의 공간과 반송 공간(S) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 또한, 개구(12h2)는 기체(W)를 로드 로크 챔버(LL2) 내의 공간과 반송 공간(S) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(10)에는, 이들 개구(12h1 및 12h2)를 각각 개폐하기 위한 게이트 밸브가 설치될 수 있다.
또한, 챔버 벽(12)의 본체부(12a)는 Y 방향으로 연장되는 한 쌍의 측벽(12sw1 및 12sw2)을 포함하고 있다. 측벽(12sw1)에는 개구(12h3 및 12h4)가 형성되어 있다. 또한, 측벽(12sw2)에는 개구(12h5 및 12h6)가 형성되어 있다. 개구(12h3 및 12h4)는 각각, 기체(W)를, 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM11) 사이에서 이동시키기 위한 개구, 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM12) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 또한, 개구(12h5 및 12h6)는 각각, 기체(W)를, 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM21) 사이에서 이동시키기 위한 개구, 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM22) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(10)에는, 이들 개구(12h3, 12h4, 12h5, 12h6)를 각각 개폐하기 위한 게이트 밸브가 설치될 수 있다.
또한, 챔버 벽(12)의 본체부(12a)는 반송 공간(S)의 Y 방향의 타방측에 설치된 후방벽(12bw)을 포함하고 있다. 후방벽(12bw)은 V자 단면 형상의 벽이며, 그 후방벽(12bw)에는, 개구(12h7 및 12h8)가 형성되어 있다. 개구(12h7)는 기체(W)를 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM13) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 또한, 개구(12h8)는 기체(W)를 반송 공간(S)과 프로세스 모듈(PM23) 사이에서 이동시키기 위한 개구로서 이용될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(10)에는, 이들 개구(12h7 및 12h8)를 각각 개폐하기 위한 게이트 밸브가 설치될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 일 실시 형태에 있어서는, 챔버 벽(12)에 의해 구획 형성되는 반송 공간(S) 내에는, 테이블(14)이 수용되어 있다. 또한, 반송 공간(S) 내에는, Y 방향으로 연장되는 한 쌍의 리니어 가이드(24)가 설치되어 있다. 테이블(14)은 리니어 모터 반송 기구(16)에 의해 구동됨으로써, 한 쌍의 리니어 가이드(24)를 따라 Y 방향으로 이동한다. 리니어 모터 반송 기구(16)는 리니어 모터의 구동력을 이용하는 것이며, 그 리니어 모터의 1차측은 한 쌍의 리니어 가이드(24) 사이에 설치되어 있고, 2차측은 테이블(14)에 장착되어 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 테이블(14) 상에는, 기체(W)를 보유 지지하여 반송하기 위한 반송 로봇(40)이 설치되어 있다. 반송 로봇(40)은 개구(12h1 및 12h2)를 통해서 로드 로크 챔버(LL1 및 LL2)에 수용된 기체(W)를 취출할 수 있다. 또한, 개구(12h3 내지 12h8)를 통해서 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM13, PM21, PM22, PM23) 각각에 기체(W)를 반송할 수 있다. 이로 인해, 트랜스퍼 챔버(10)는 반송 로봇(40)에 대한 제어 신호 및 전력을 공급하기 위한 기구를 갖고 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 반송 로봇(40)에 대하여 외부의 전원으로부터 비접촉 급전 방식에 의해 전력이 공급된다. 보다 구체적으로는, 트랜스퍼 챔버(10)는 전원(42), 한 쌍의 급전 막대(44), 케이블(46) 및 픽업(48)을 더 구비할 수 있다. 한 쌍의 급전 막대(44)는, 측벽(12sw1)을 따라 설치되어 있다. 한 쌍의 급전 막대(44) 사이에는 케이블(46)이 Y 방향으로 와이어링되어 있고, 그 케이블(46)은 전원(42)에 전기적으로 접속되어 있다. 테이블(14)에는 픽업(48)이 장착되어 있고, 그 픽업(48)은 케이블(46)을 따라 테이블(14)과 함께 Y 방향으로 이동된다. 전원(42)으로부터의 전력은 케이블(46)을 통해서 픽업(48)에 감긴 배선에 비접촉으로 공급되고, 그 배선으로부터 반송 로봇(40)으로 공급된다.
또한, 일 실시 형태에 있어서는, 트랜스퍼 챔버(10)는 로봇 컨트롤러(50) 및 광통신 유닛(52a 및 52b)을 더 구비할 수 있다. 로봇 컨트롤러(50)는 전원(42)에 접속되어 있고, 또한 광통신 유닛(52a)에 접속되어 있다. 로봇 컨트롤러(50)는 반송 로봇(40)에 대한 전기 제어 신호를 발생한다. 광통신 유닛(52a)은 본체부(12a)의 전방벽(12fw1)에 장착되어 있고, 전방벽(12fw1)에 설치된 광학창을 통해서 광 제어 신호를 반송 공간(S) 내에 출사한다. 이 광 제어 신호는 상기 전기 제어 신호에 기초하여 광통신 유닛(52a)에 의해 발생된다.
광통신 유닛(52b)은 테이블(14)에 장착되어 있다. 광통신 유닛(52b)은 광통신 유닛(52a)에 의해 발생된 광 제어 신호를 받는다. 트랜스퍼 챔버(10)에서는 광통신 유닛(52b)이 수광한 광 제어 신호에 기초하여, 반송 로봇(40)을 제어하기 위한 전기 제어 신호가 발생된다.
이와 같이, 트랜스퍼 챔버(10)에서는 광통신 유닛(52a 및 52b)을 사용한 광통신에 의해 반송 로봇(40)을 제어할 수 있다. 따라서, 반송 로봇(40)에 제어 신호를 공급하기 위한 케이블을 반송 공간(S) 내에 설치하는 것이 불필요하다. 또한, 반송 로봇(40)을 구동하기 위한 전력을 공급하는 케이블(46)은 비접촉 급전 방식에 의해, 반송 로봇(40)에 전력을 공급한다. 즉, 테이블(14), 픽업(48) 및 반송 로봇(40)과 같은 이동체에 대하여 전력 케이블이 접속되어 있지 않으므로, 트랜스퍼 챔버(10)는 반송 공간(S) 내에서의 전력 케이블의 와이어링이 용이한 구성으로 되어 있다.
이하, 도 4를 참조한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 일 실시 형태에 있어서는, 전방벽(12fw1)에는 개구(12e)가 형성되어 있다. 이 개구(12e)는 광학창(18)에 의해 폐쇄되어 있다. 보다 구체적으로는, 광학창(18)은 전방벽(12fw1)에 대하여 반송 공간(S)과 반대측의 외부 공간에 설치되어 있다. 광학창(18)과 전방벽(12fw1)의 외측면 사이에는 O링과 같은 밀봉 부재(28)가 설치되어 있다. 이에 의해, 개구(12e)가 폐쇄되어, 반송 공간(S)의 기밀이 확보되고 있다.
또한, 광학창(18)은 전방벽(12fw1)의 외측면과 플랜지(26) 사이에 협지되어 있다. 플랜지(26)에는 Y 방향으로 개구(12e)에 대하여 정렬하도록 개구가 설치되어 있다. 이 플랜지(26)는 본체부(12a)에 대하여 나사 고정되어 있어도 되고, 혹은 용접되어 있어도 된다.
광학창(18)에는 레이저 계측기(20)의 광학 유닛(20a)이 광학적으로 결합되어 있다. 이 광학창(18)은 광학 유닛(20a)으로부터의 레이저광 및 그 레이저광이 테이블(14)에 의해 반사됨으로써 발생되는 반사광을 투과하는 것이며, 예를 들어 광학 유리에 의해 구성되어 있다.
레이저 계측기(20)는 반송 공간(S)의 외부에 설치되어 있다. 레이저 계측기(20)의 광학 유닛(20a)은 광학창(18)을 통해서 Y 방향으로 레이저광을 조사한다. 광학 유닛(20a)으로부터의 레이저광은 테이블(14)에 의해 반사된다. 광학 유닛(20a)은 테이블(14)로부터의 반사광을 수광하고, 그 반사광의 수광 타이밍에 따른 타이밍에서 전기 신호를 출력한다. 이 때문에, 광학 유닛(20a)은 예를 들어 반도체 레이저와 같은 레이저광 발생기와 포토 다이오드와 같은 수광기를 가질 수 있다.
레이저 계측기(20)는 광학 유닛(20a)에 전기적으로 접속된 제어 유닛(20b)(도 2 참조)을 더 포함하고 있다. 제어 유닛(20b)은 광학 유닛(20a)으로부터의 레이저광의 발생 및 그 레이저광의 조사 타이밍을 제어한다. 또한, 제어 유닛(20b)은 광학 유닛(20a)의 수광기로부터 상술한 전기 신호를 받는다. 제어 유닛(20b)은 레이저광의 조사 타이밍과 상술한 전기 신호의 출력 타이밍 사이의 시간차에 기초하여, 테이블(14)의 현재 위치를 계측할 수 있다. 또한, 제어 유닛(20b)은 계측한 테이블(14)의 현재 위치에 따라서 반송 기구(16)에 신호를 공급함으로써, 테이블(14)의 위치를 제어할 수 있다.
이상 설명한 트랜스퍼 챔버(10)에 의하면, 레이저 계측기(20)를 사용하여 테이블(14)의 위치를 계측할 수 있다. 따라서, 테이블(14)의 위치 계측에 사용되는 전기 신호용 케이블을 반송 공간(S) 내에 부설하는 것이 불필요하게 된다.
이하, 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 5는 다른 실시 형태에 관한 레이저 계측계를 확대하여 도시하는 단면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 트랜스퍼 챔버(10)는 파이프(32)를 더 구비하고 있어도 된다. 파이프(32)는 오스테나이트계의 스테인리스 또는 표면에 알루마이트 처리가 실시된 알루미늄제이어도 상관없다.
파이프(32)는 Y 방향으로 연장되어 있고, 그 일단은 광학창(18)에 결합되어 있다. 또한, 그 타단은 반송 공간(S) 내에 위치하고 있다. 파이프(32)의 외주면에는 플랜지부가 설치되어 있다. 파이프(32)의 일단부, 즉 상기 플랜지부로부터 광학창(18)측의 부분은, 전방벽(12fw1)에 형성된 개구(광학창(18)으로 통하는 개구) 내에 끼워넣어져 있다. 그리고, 플랜지부는 나사를 개재해서 본체부(12a)에 고정되어 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 광학창(18)은 파이프(32)의 내공만을 통해서 반송 공간(S) 내에 연통하고 있다. 이 파이프(32)는 예를 들어 2 내지 3㎜의 내경(직경)을 가질 수 있다.
이 실시 형태에서는, 광학 유닛(20a)으로부터 조사된 레이저광 및 테이블(14)로부터의 반사광은 파이프(32)의 내공을 통해서 도광된다. 이 파이프(32)의 내공의 컨덕턴스는 낮으므로, 반송 공간(S) 내에 존재하는 가스 분자가 광학창(18)에 부착될 확률을 저하시킬 수 있다. 또한, 반송 공간(S) 내에 존재할 수 있는 가스 분자는, 예를 들어 기체(W)의 에칭이나 성막과 같은 처리에 사용되는 가스의 분자가 기체(W)에 부착되고, 그 기체(W)로부터 발생할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 내공을 구획 형성하는 상기 파이프(32)의 내면은, Y 방향을 따른 적어도 일부분에서, 요철을 가질 수 있다. 상기 요철의 깊이는, 0.1 내지 3㎜여도 된다. 이와 같이 파이프가 요철을 갖는 내면(요철면)을 갖는 경우에는, 파이프의 상술한 내경은, 파이프의 내공의 중심 축선과 그 중심 축선에 가장 가까운 파이프의 내면의 점 사이의 직경 방향의 거리의 2배의 수치로 정의될 수 있다. 또한, 요철의 깊이는, 파이프의 내공의 중심 축선과 그 중심 축선에 가장 가까운 요철면 내의 점 사이의 직경 방향의 거리와, 상기 중심 축선과 상기 요철면 내의 임의의 점 사이의 직경 방향의 거리의 차에 의해 정의될 수 있다. 이와 같이 파이프(32)의 내면에 설치된 요철면은 반송 공간(S) 내로부터 파이프(32)의 내공으로 유입되는 가스 분자를 포착할 수 있다. 그 결과, 광학창(18)에 부착되는 가스 분자가 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 다른 일 실시 형태에 있어서는, 파이프(32)의 내공을 구획 형성하는 그 파이프(32)의 내면은, 다공질면이어도 된다. 상기 다공질면도, 반송 공간(S) 내로부터 파이프(32)의 내공으로 유입되는 가스 분자를 포착하여, 광학창(18)에 부착되는 가스 분자가 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 일 실시 형태에 있어서는, 파이프(32)의 내공에 아르곤과 같은 불활성 가스가 공급되어도 된다. 이 때문에, 파이프(32) 및 본체부(12a)에 걸쳐서, 그 파이프(32)의 내공으로부터 본체부(12a)의 외면까지 연장되는 가스 공급로(P)가 형성되어 있어도 된다. 이 가스 공급로(P)에는 불활성 가스의 가스원이 접속된다. 가스 공급로(P)에는 본체부(12a)의 외면측의 개구로부터 파이프(32)의 내공을 향해서 불활성 가스가 공급된다. 이에 의해, 반송 공간(S) 내에 존재하는 가스 분자가 파이프(32)의 내공으로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
가스 공급로(P)는 파이프(32)의 반송 공간(S)측의 단부보다도 광학창(18)측의 단부에 가까운 위치에서 파이프(32)의 내공에 접속되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 반송 공간(S) 내에 존재하는 가스 분자가 파이프(32)의 내공으로 유입되는 것을 더 효과적으로 억제할 수 있다.
이어서, 도 6을 참조한다. 도 6은 또 다른 실시 형태에 따른 레이저 계측계를 도시하는 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 트랜스퍼 챔버(10)는 파이프(32) 대신에, 파이프(32A)를 갖고 있어도 된다. 파이프(32A)는 Y 방향을 따른 일부에서 제1 내경을 갖고, Y 방향을 따른 다른 일부에서 제1 내경보다 작은 직경인 제2 내경을 갖는 점에서, 파이프(32)와는 다르다. 파이프(32A)에 의하면, 제2 내경을 갖는 부분에서, 내공의 컨덕턴스를 더욱 낮게 할 수 있다. 그 결과, 반송 공간(S) 내에 존재하는 가스 분자가 파이프(32A)의 내공으로 유입되는 것을 더 효과적으로 억제할 수 있다.
이어서, 도 7을 참조한다. 도 7은 다른 실시 형태에 따른 파이프를 도시하는 단면도이다. 도 7에 나타내는 파이프(32B)는 사행되는 경로를 따라 형성된 내공을 갖고 있다. 파이프(32B)의 내공에는, 그 내공의 반송 공간(S)측의 일단(32a)과 광학창(18)측의 타단(32b)을 광학적으로 결합하기 위해서, 복수의 광학 미러(32m)가 설치되어 있다. 이러한 파이프(32B)에 의하면, 반송 공간(S)측의 일단으로부터 광학창(18)측의 타단까지의 내공의 거리가 길고, 또한 그 내공이 사행되어 있으므로, 반송 공간(S) 내에 존재하는 가스 분자가 광학창(18)에 부착될 확률을 더욱 저하시키는 것이 가능하다.
이하, 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 8은 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도이다. 도 8에 나타내는 처리 시스템(200)은 적재대(202a 내지 202d), 수용 용기(204a 내지 204d), 로더 모듈(LM200), 로드 로크 챔버(LL200), 트랜스퍼 챔버(진공 기체 반송 장치)(210) 및 프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204)을 구비하고 있다.
적재대(202a 내지 202d)는 로더 모듈(LM200)의 Y 방향에서의 일방측 가장자리부를 따라 X 방향으로 배열되어 있다. 적재대(202a 내지 202d) 상에는 각각, 수용 용기(204a 내지 204d)가 탑재되어 있다. 수용 용기(204a 내지 204d)의 내부에는 기체(W)가 수용된다.
로더 모듈(LM200)은 로더 모듈(LM)과 마찬가지로, 그 내부에 반송 유닛을 갖고 있다. 로더 모듈(LM200)의 반송 유닛은 수용 용기(204a 내지 204d) 중 어느 하나로부터 기체(W)를 취출하고, 취출한 기체(W)를 반송한다.
Y 방향에서, 로더 모듈(LM200)의 타방측에는, 트랜스퍼 챔버(210)가 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 챔버(210)의 내부는, 감압 가능하게 되어 있다. 대기압의 로더 모듈(LM200)과 감압 상태 또는 진공 상태에서 사용될 수 있는 트랜스퍼 챔버(210) 사이에는 감압 가능한 로드 로크 챔버(LL200)가 설치되어 있다. 로드 로크 챔버(LL200)와 로더 모듈(LM200) 사이 및 로드 로크 챔버(LL200)와 트랜스퍼 챔버(210) 사이에는 각각, 개폐 가능한 게이트 밸브가 설치되어 있다.
프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204)은 트랜스퍼 챔버(210)의 Y 방향으로 연장되는 일방측 가장자리부를 따라 배열되어 있다. 프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204)은 에칭 또는 성막과 같은 기체(W)의 처리를 행할 수 있다. 프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204)과 트랜스퍼 챔버(210)는 각각, 개폐 가능한 게이트 밸브를 통해서 연결되어 있다.
처리 시스템(200)에서는 기체(W)가 수용 용기(204a 내지 204d) 중 어느 하나로부터 로더 모듈(LM200)에 의해 취출되어, 로드 로크 챔버(LL200) 내에 수용된다. 로드 로크 챔버(LL200) 내에 수용된 기체(W)는 트랜스퍼 챔버(210)에 의해 Y 방향으로 반송되고, 프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204) 중 어느 하나로 보내진다. 한편, 프로세스 모듈(PM201, PM202, PM203, PM204) 중 어느 하나에 의해 처리된 기체(W)는, 트랜스퍼 챔버(210) 및 로드 로크 챔버(LL200)를 통해서 로더 모듈(LM200)로 되돌려진다.
이하, 트랜스퍼 챔버(210)로서 이용 가능한 일 실시 형태의 기체 반송 장치에 대하여 설명한다. 도 9는 도 8에 나타내는 처리 시스템에 채용할 수 있는 기체 반송 장치의 사시도로서, 내부가 보이도록 상측 부분을 제거하여 나타낸 그 기체 반송 장치의 사시도이다. 도 9에 나타내는 트랜스퍼 챔버(10A)에서는, 챔버 벽의 본체부(12Aa)에 개구(12d1 내지 12d4)가 형성되어 있다. 개구(12d1 내지 12d4)는 각각, 프로세스 모듈(PM201 내지 PM204)에 통하는 개구이다.
트랜스퍼 챔버(10A)에서는 테이블(14) 상에 반송 로봇(40A)이 설치되어 있다. 반송 로봇(40A)은 본체부(12Aa)의 전방벽(12fw1)에 형성된 개구(12c)를 통해서 로드 로크 챔버(LL200)에 수용된 기체(W)를 취출할 수 있다. 또한, 개구(12d1 내지 12d4)를 통해서 프로세스 모듈(PM201 내지 PM204) 각각에 기체(W)를 반송할 수 있다. 또한, 상기 로더 모듈에도 본원의 레이저 기체 위치 검출 장치(레이저 계측기)를 적용할 수 있도록 해도 된다.
이하, 또 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 10은 다른 실시 형태에 따른 처리 시스템을 도시하는 평면도이다. 이하의 설명에서는, 도 10에 도시하는 처리 시스템(300)에 관해서, 도 1의 처리 시스템(100)과 다른 점을 설명한다. 처리 시스템(300)은 4개의 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM21, PM22)을 구비하고 있다. 또한, 처리 시스템(300)은 트랜스퍼 챔버(110)를 대신하는 트랜스퍼 챔버(310)를 구비하고 있다. 트랜스퍼 챔버(310)는 Y 방향으로의 이동 기구를 구비하지 않고, 로드 로크 챔버(LL1 및 LL2) 및 프로세스 모듈(PM11, PM12, PM21, PM22)에 액세스 가능한 반송 로봇을 갖고 있다.
처리 시스템(300)에서는 로더 모듈(LM)이 일 실시 형태의 대기 기체 반송 장치로서 구성되어 있다. 처리 시스템(100)과 마찬가지로, 처리 시스템(300)의 로더 모듈(LM)은 테이블(Tb) 및 그 테이블(Tb) 상에 설치된 반송 로봇(Rb)을 갖는 반송 유닛(TU)을 구비하고 있다. 반송 유닛(TU)은 처리 시스템(100)의 반송 유닛과 마찬가지로, X 방향으로 이동 가능하다. 처리 시스템(300)에서는 반송 유닛(TU)의 테이블(Tb)의 X 방향의 위치를 계측하기 위해서, 로더 모듈(LM) 내의 반송 공간을 구획 형성하는 챔버 벽에는 레이저 계측계가 장착되어 있다. 도 10에서는, 레이저 계측계는 도 4에 도시하는 것과 마찬가지의 것이지만, 처리 시스템(300)은 도 5 내지 도 7에 나타낸 실시 형태 중 임의의 실시 형태의 레이저 계측계를 구비하고 있어도 된다. 이 처리 시스템(300)에서는, 레이저 계측계에 의해 계측된 위치에 기초하여, 반송 유닛(TU)의 반송 기구에 제어 유닛으로부터 전기 신호를 공급함으로써, 반송 유닛(TU)의 위치를 제어하는 것이 가능하다. 이와 같이, 본 발명의 사상은 대기압 환경 하에도 적용 가능하다.
이상, 다양한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 이들 실시 형태에 한정되지 않고 다양한 변형 형태를 구성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 상술한 처리 시스템은, 단순한 예시로서, 적재대, 수용 용기, 프로세스 모듈과 같은 요소의 수 및 위치 관계 등은 상술한 처리 시스템의 구성에 한정되는 것은 아니다.
10 : 트랜스퍼 챔버
12 : 챔버 벽
14 : 테이블
16 : 리니어 모터 반송 기구
18 : 광학창
20 : 레이저 계측기
32 : 파이프

Claims (8)

  1. 반송 공간을 구획 형성하는 챔버 벽과,
    상기 반송 공간 내에 수용된 테이블과,
    상기 반송 공간 내에서 상기 테이블을 이동시키기 위한 리니어 모터 반송 기구와,
    상기 반송 공간과 그 반송 공간의 외부 공간 사이에 설치된 광학창과,
    상기 광학창을 통해서 상기 테이블을 향해서 레이저광을 조사하고, 상기 테이블로부터의 반사광을 받아, 상기 테이블의 위치를 계측하기 위한 레이저 계측기를 구비하고,
    상기 광학창과 상기 반송 공간을 광학적으로 접속하는 파이프를 더 구비하고,
    상기 레이저 계측기는, 상기 광학창 및 상기 파이프의 내공을 통해서 상기 레이저광을 조사하고, 상기 반사광을 상기 파이프의 내공 및 상기 광학창을 통해서 받고,
    상기 파이프는 상기 내공을 구획 형성하는 내면을 포함하고,
    상기 내면 중 적어도 일부는 0.1㎜ 내지 3㎜의 요철을 갖는,
    기체 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송 공간은 감압 가능한 반송 공간인, 기체 반송 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 파이프는 상기 내공을 구획 형성하는 내면을 포함하고,
    상기 내면은 다공질면인, 기체 반송 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 파이프의 상기 내공은, 그 파이프의 길이 방향을 따라서 제1 내경을 갖는 부분과, 상기 제1 내경보다 작은 직경인 제2 내경을 갖는 부분을 포함하는, 기체 반송 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 내공은 사행되는 경로를 따라 구획 형성되어 있고,
    상기 파이프의 내공에는, 그 내공의 일단과 그 내공의 타단을 광학적으로 결합하는 1 이상의 광학 미러가 설치되어 있는, 기체 반송 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파이프의 상기 내공에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급로를 더 포함하는 기체 반송 장치.
KR1020147009558A 2011-10-12 2012-10-02 기체 처리 시스템용 기체 반송 장치 KR101967940B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011224996A JP5689047B2 (ja) 2011-10-12 2011-10-12 基体処理システム用の基体搬送装置
JPJP-P-2011-224996 2011-10-12
PCT/JP2012/075533 WO2013054698A1 (ja) 2011-10-12 2012-10-02 基体処理システム用の基体搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140072094A KR20140072094A (ko) 2014-06-12
KR101967940B1 true KR101967940B1 (ko) 2019-04-10

Family

ID=48081755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147009558A KR101967940B1 (ko) 2011-10-12 2012-10-02 기체 처리 시스템용 기체 반송 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9230840B2 (ko)
JP (1) JP5689047B2 (ko)
KR (1) KR101967940B1 (ko)
TW (1) TWI482729B (ko)
WO (1) WO2013054698A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10476354B2 (en) * 2011-09-16 2019-11-12 Persimmon Technologies Corp. Robot drive with isolated optical encoder

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040946A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sinfonia Technology Co Ltd 真空処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3628028A (en) * 1968-03-01 1971-12-14 Honeywell Inc Window cleaning apparatus for photometric instruments
US5306209A (en) * 1992-05-04 1994-04-26 Lang Fred D Contaminant shield for viewing ports
JPH06100164A (ja) * 1992-08-27 1994-04-12 Hitachi Ltd 磁気的に結合された搬送装置
JPH10289943A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Canon Inc ステージ装置およびデバイス製造方法
JP2001126977A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Nikon Corp ステージ装置および露光装置ならびに回路デバイス製造方法
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP3907497B2 (ja) * 2002-03-01 2007-04-18 キヤノン株式会社 位置決め装置及びその制御方法、並びに露光装置、並びにその制御方法により制御される露光装置により半導体デバイスを製造する製造方法
TWI338323B (en) * 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
JP4363064B2 (ja) 2003-03-07 2009-11-11 株式会社安川電機 真空内駆動装置およびこれを用いた基板搬送装置
JP2005223163A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Hitachi High-Technologies Corp ステージ制御装置，ステージ制御方法、および製造装置
JP2006253386A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nsk Ltd 位置決め装置
JP2008151542A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Canon Inc ステージ装置、制御システム、露光装置及びデバイス製造方法
JP2010040945A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sinfonia Technology Co Ltd 真空処理装置
JP2010070946A (ja) 2008-09-17 2010-04-02 Taisuke Otsubo 床支持ボルトおよび床支持装置
JP5548375B2 (ja) * 2009-03-23 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
WO2013187910A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Empire Technology Development Llc Self-cleaning lens

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040946A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sinfonia Technology Co Ltd 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013084849A (ja) 2013-05-09
TWI482729B (zh) 2015-05-01
US9230840B2 (en) 2016-01-05
TW201345814A (zh) 2013-11-16
US20140271052A1 (en) 2014-09-18
KR20140072094A (ko) 2014-06-12
WO2013054698A1 (ja) 2013-04-18
JP5689047B2 (ja) 2015-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3200221B1 (en) Purging device and purging method
KR101836589B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
WO2011083525A1 (ja) 搬送車システム
JP2020524915A (ja) ウエハ位置検出装置を有する気相腐食キャビティ
KR20150124399A (ko) 웨이퍼 맵핑 장치 및 그것을 구비한 로드 포트
KR20150135066A (ko) 반송장치
JP2008137738A (ja) 天井走行搬送装置
WO2013121918A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102146143B1 (ko) 반송 베이스 및 반송 시스템
JP2019161116A (ja) Ｅｆｅｍ
KR20190019986A (ko) 기판 처리 장치
KR101967940B1 (ko) 기체 처리 시스템용 기체 반송 장치
KR20180087260A (ko) 로드 포트
JP2007227781A (ja) 基板の位置ずれ検査機構，処理システム及び基板の位置ずれ検査方法
WO2013121919A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010283334A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20140230522A1 (en) Cleanliness measuring carriage and cleanliness measuring system
US20220367223A1 (en) Substrate transport apparatus and substrate transport method
KR101393269B1 (ko) 기판 전달 장치, 기판 전달 방법 및 기판 처리 장치
JP2007194332A (ja) 基板検出センサ及び基板検出方法
KR101296476B1 (ko) 피처리체의 이동 적재 기구 및 피처리체의 처리 시스템
JP2010040946A (ja) 真空処理装置
KR100993914B1 (ko) 진공처리장치
JP2003309163A (ja) 無人搬送車システム
KR100654772B1 (ko) 패널이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant