TW201345814A - 使用於基體處理系統之基體搬送裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明一實施型態之基體搬送裝置具備有腔室壁、台座、線性馬達搬送機構、光學窗、及雷射計測器。腔室壁係區劃搬送空間。台座係收納在搬送空間內。該台座上可載置基體。線性馬達搬送機構係在搬送空間內藉由線性馬達來使台座移動。光學窗係設置於搬送空間與該搬送空間的外部空間之間。例如，光學窗係設置為將區劃在腔室壁的開口予以密封。雷射計測器係透過光學窗而朝向台座照射雷射光，並接收來自台座的反射光，來計測台座的位置。

Description

使用於基體處理系統之基體搬送裝置
本發明之實施型態係關於一種使用於基體處理系統之基體搬送裝置。
用以處理稱作半導體基板的基體之處理系統的基體搬送裝置有一種如專利文獻1所記載。專利文獻1所記載之基體搬送裝置係具備有處理室、台座及搬送機構。台座係收納在處理室內，而藉由線性馬達所驅動的搬送機構在處理室內移動。
該基體搬送裝置為了計測台座的位置，係具備有線性標度尺及感測器。感測器係安裝在台座，從線性標度尺讀取台座的現在位置，並將顯示該現在位置之訊號輸出至處理室的外部。於是，從感測器至處理室的外部便延伸有訊號輸出用的線纜。
專利文獻1：日本特開2004-274889號公報
由於專利文獻1所記載之基體搬送裝置中，上述線纜的一部分係存在於處理室內，因此便需要使該線纜在處理室內環繞之線纜處理。此線纜處理會隨著台座的移動距離愈長而愈困難。
因此，此技術領域中被要求一種能夠解決上述般線纜處理問題的基體搬送裝置。
本發明之一側面之基體搬送裝置具備有腔室壁、台座、線性馬達搬送機構、光學窗。腔室壁係區劃搬送空間。一實施型態中，搬送空間係可被減壓之搬送空間。台座係收納在搬送空間內。該台座上可載置基體。線性馬達搬送機構係在搬送空間內藉由線性馬達的驅動力來使台座移動。光學窗係設置於搬送空間與該搬送空間的外部空間之間。例如，光學窗係設置為將區劃在腔室壁的開口予以密封。雷射計測器係透過光學窗而朝向台座照射雷射光，並接收來自台座的反射光，來計測台座的位置。
該基體搬送裝置可藉由雷射計測器來計測台座的位置。因此，便不須在搬送空間內進行線纜處理。
一實施型態中，基體搬送裝置另具備有光學性地連接光學窗與搬送空間之管體。管體的一端可結合於光學窗，管體的另一端則可設置於搬送空間內。雷射計測器係透過光學窗及管體的內孔而照射雷射光，並透過管體的內孔及光學窗而接收反射光。依據此實施型態，便可藉由管體來降低搬送空間與光學窗間之路徑中的傳導率(conductance)。其結果，可降低存在於搬送空間內的氣體分子附著在光學窗之機率。
一實施型態中，區劃出管體的內孔之內面的至少一部分亦可具有凹凸。該凹凸亦可具有0.1mm~3mm範圍的凹凸。又，一實施型態中，管體的內面亦可為多孔質面。依據該等實施型態，便可藉由管體的內面來捕集氣體分子。其結果，可更加抑制氣體分子附著在光學窗。
一實施型態中，管體的內孔亦可包含有沿著該管體的長邊方向而具有第1內徑之部分，與具有較該第1內徑要小口徑的第2內徑之部分。依據此實施型態，藉由使得管體的內徑在一部分處縮窄，可更加減少該一部分處的傳導率。其結果，可更加抑制氣體分子附著在光學窗。
一實施型態中，管體的內孔亦可沿著蛇行之路徑所區 劃而成，管體的內孔亦可設置有光學性地結合該內孔的一端與該內孔的另一端之一個以上的光學鏡體。藉由此實施型態，亦可抑制氣體分子附著在光學窗。
一實施型態中，基體搬送裝置亦可另包含有將非活性氣體供應至管體的內孔之氣體供應道。依據此實施型態，由於非活性氣體會被供應至內孔，因此氣體分子朝該內孔的流入會受到抑制。其結果，可抑制氣體分子附著在光學窗。
如以上的說明，依據本發明之一側面及各種實施型態，便可提供一種不需在搬送空間內進行台座位置計測用訊號的線纜處理之基體搬送裝置。
LL1、LL2‧‧‧加載互鎖室
LM‧‧‧載置模組(大氣基體搬送裝置)
PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23‧‧‧製程模組
S‧‧‧搬送空間
TU‧‧‧搬送單元
W‧‧‧被處理基體
10‧‧‧轉移室
12‧‧‧腔室壁
12a‧‧‧本體部
12b‧‧‧頂板部
12bw‧‧‧後壁
12fw1、12fw2‧‧‧前壁
12h1~12h8‧‧‧開口
12sw1、12sw2‧‧‧側壁
12e‧‧‧開口
14‧‧‧台座
16‧‧‧線性馬達搬送機構
18‧‧‧光學窗
20‧‧‧雷射計測器
20a‧‧‧光學單元
20b‧‧‧控制單元
22‧‧‧排氣裝置
24‧‧‧線性導引部
28‧‧‧密封組件
32‧‧‧管體
40‧‧‧搬送機器人
42‧‧‧電源
43‧‧‧線纜
44‧‧‧供電棒
48‧‧‧選取器
50‧‧‧自動機控制器
52a、52b‧‧‧光通訊單元
100‧‧‧處理系統
102a~102d‧‧‧載置台
104a~104d‧‧‧收納容器
110‧‧‧轉移室(真空基體搬送裝置)
圖1係顯示一實施型態之處理系統之平面圖。
圖2為可應用於圖1所示處理系統的基體搬送裝置之立體圖，係為了能夠看見內部而卸除了上側部分來加以顯示之該基體搬送裝置的立體圖。
圖3為圖2之III-III線剖視圖。
圖4係放大顯示圖3所示基體搬送裝置的一部分之剖視圖，係顯示雷射計測系統之圖式。
圖5係放大顯示其他實施型態之雷射計測系統之剖視圖。
圖6係放大顯示再一其他實施型態之雷射計測系統之剖視圖。
圖7係顯示其他實施型態之管體之剖視圖。
圖8係顯示其他實施型態之處理系統之平面圖。
圖9為可應用於圖8所示處理系統的基體搬送裝置之立體圖，係為了能夠看見內部而卸除了上側部分來加以顯示之該基體搬送裝置的立體圖。
圖10係顯示再一其他實施型態之處理系統之平面 圖。
以下，參閱圖式來詳細地說明各種實施型態。此外，各圖式中，針對相同或相當的部分則賦予相同符號。
圖1係顯示一實施型態之處理系統之平面圖，係從上方觀看並顯示通常使用狀態中的該處理系統之平面圖。此外，以下的說明中，將後述實施型態中連接於製程模組之基體搬送裝置的基體搬送方向記述為Y方向，將處理系統之通常使用狀態中的高度方向記述為Z方向，而將與Z方向及Y方向呈交叉或直交的方向記述為X方向。
圖1所示之處理系統100係用以處理被處理基體W之系統。處理系統100具備有載置台102a~102d、收納容器104a~104d、載置模組(大氣基體搬送裝置)LM、加載互鎖室LL1及LL2、製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22，及PM23、及轉移室(真空基體搬送裝置)110。製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22，及PM23當中的至少1個係連接於轉移室110。
載置台102a~102d係沿著載置模組LM之Y方向上一側的緣部而配列於X方向。載置台102a~102d上係分別載置有收納容器104a~104d。收納容器104a~104d的內部係收納有基體W。
載置模組LM係在大氣氛圍下搬送基板之基體搬送裝置(大氣基體搬送裝置)。該一實施型態中，其形狀為X方向上的長度大於Y方向上的長度之略箱形。載置模組LM係具有在其內部區劃出大氣壓狀態的搬送空間之腔室壁。載置模組LM係於該搬送空間具有搬送單元TU。載置模組LM的搬送單元TU係從收納容器104a~104d的其中之一取出基體W，並將取出後的基體W搬送至加載互鎖室LL1及LL2的任一者。一實施型態中，載置模組LM的搬送單 元TU可移動於X方向。
加載互鎖室LL1及LL2係沿著載置模組LM之Y方向的另一側緣部而配列於X方向。又，載置模組LM之Y方向的另一側係設置有延伸於Y方向之轉移室110。如圖1所示，加載互鎖室LL1及LL2係設置於載置模組LM與轉移室110之間。
加載互鎖室LL1及LL2係被利用作為將從載置模組LM搬送而來的基體W轉移至其內部的搬送空間為減壓或真空狀態之轉移室110之前的預備減壓室。加載互鎖室LL1與載置模組LM之間、加載互鎖室LL1與轉移室110之間、加載互鎖室LL2與載置模組LM之間、加載互鎖室LL2與轉移室110之間係分別設置有可開閉的閘閥。
轉移室110係在真空氛圍下搬送基板之基體搬送裝置(真空基體搬送裝置)。該一實施型態中，係在可被減壓之搬送空間內，使基體W移動於Y方向，並將該基體W搬送至製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23中任一者。轉移室110與製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23之間係分別設置有可開閉的閘閥。
製程模組PM11,PM12,PM13係沿著轉移室110之X方向上一側的緣部而配列於Y方向。又，製程模組PM21,PM22,PM23係沿著轉移室110之X方向上另一側的緣部緣部而配列於Y方向。製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23會處理收納在該等內部的基體W。藉由製程模組所進行之處理包含了例如蝕刻、成膜、灰化、濺鍍成膜、化學性氧化物去除等之處理。
圖1所示之實施型態的處理系統100中，收納在收納容器104a~104d中任一者之基體W係經由載置模組LM、加載互鎖室LL1或LL2及轉移室110，而被搬送至製程模 組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23中任一者，並在搬送目的地的製程模組中進行處理。在搬送目的地的製程模組中被處理後的基體W會再經由轉移室110及加載互鎖室LL1或LL2而被返回載置模組LM。
以下，針對一實施型態的基體搬送裝置加以說明。圖2為一實施型態之基體搬送裝置之立體圖，係為了能夠看見內部而卸除了上側部分來加以顯示之該基體搬送裝置的立體圖。圖3為圖2之III-III線剖視圖。圖3中省略了供電棒、線纜、選取器(pick-up)、搬送機器人及光通訊單元。又，圖4係放大顯示圖3所示基體搬送裝置的一部分之剖視圖，係顯示雷射計測系統之圖式。圖2及圖3所示之轉移室10可被利用作為處理系統100的轉移室110。但轉移室10亦可被利用作為其他處理系統的轉移室。以下，參閱圖2、圖3及圖4。
轉移室10具備有腔室壁12、台座14、線性馬達搬送機構16、光學窗18及雷射計測器20。腔室壁12係於Y方向呈長邊的略箱形。腔室壁12係於其內部區劃出搬送空間S。搬送空間S係可成為減壓狀態或真空狀態之空間。因此，搬送空間S係連接有排氣裝置22。
一實施型態中，腔室壁12可包含有本體部12a與頂板部12b。本體部12a係自Y方向、X方向及下方區劃出搬送空間S。頂板部12b為平板狀組件，係自上方區劃出搬送空間S。頂板部12b與本體部12a的頂部之間亦可設置有稱作O型環之密封組件。
一實施型態中，腔室壁12的本體部12a係包含有設置於搬送空間S的Y方向一側之前壁12fw1及前壁12fw2。前壁12fw1係設置於前壁12fw2的下方。前壁12fw2為剖面呈V字狀之壁體，該前壁12fw2係形成有開口12h1及12h2。開口12h1可被利用作為用以使基體W在加載互鎖室LL1內的空間與搬送空間S之間移動的開口。又，開 口12h2可被利用作為用以使基體W在加載互鎖室LL2內的空間與搬送空間S之間移動的開口。轉移室10可設置有分別使該等開口12h1及12h2開閉的閘閥。
又，腔室壁12的本體部12a係包含有延伸於Y方向之一對側壁12sw1及12sw2。側壁12sw1係形成有開口12h3及12h4。又，側壁12sw2係形成有開口12h5及12h6。開口12h3及12h4可分別被利用作為用以使基體W在搬送空間S與製程模組PM11之間移動的開口，以及在搬送空間S與製程模組PM12之間移動的開口。又，開口12h5及12h6可分別被利用作為用以使基體W在搬送空間S與製程模組PM21之間移動的開口，以及在搬送空間S與製程模組PM22之間移動的開口。轉移室10可設置有分別使該等開口12h3,12h4,12h5,12h6開閉的閘閥。
又，腔室壁12的本體部12a係包含有設置於搬送空間S的Y方向另一側之後壁12bw。後壁12bw為剖面呈V字狀之壁體，該後壁12bw係形成有開口12h7及12h8。開口12h7可被利用作為用以使基體W在搬送空間S與製程模組PM13之間移動的開口。又，開口12h8可被利用作為用以使基體W在搬送空間S與製程模組PM23之間移動的開口。轉移室10可設置有分別使該等開口12h7及12h8開閉的閘閥。
如圖2及圖3所示，一實施型態中，藉由腔室壁12而被區劃之搬送空間S內係收納有台座14。又，搬送空間S內係設置有延伸於Y方向之一對線性導引部24。台座14係受到搬送機構16的驅動，藉此而沿著一對線性導引部24移動於Y方向。搬送機構16係利用線性馬達的驅動力，該線性馬達的一次側係設置於一對線性導引部24之間，二次側則安裝在台座14。
一實施型態中，台座14上係設置有用以保持並搬送基體W之搬送機器人40。搬送機器人40可經由開口12h1 及12h2來取出收納在加載互鎖室LL1及LL2的基體W。又，可經由開口12h3~12h8來將基體W分別搬送至製程模組PM11,PM12,PM13,PM21,PM22,PM23。因此，轉移室10係具有用以供應相對於搬送機器人40的控制訊號及電功率之機構。
一實施型態中，係從外部的電源且藉由非接觸供電方式來對搬送機器人40供應電功率。更具體地說明，轉移室10可另具備有電源42、一對供電棒44、線纜46及選取器48。一對供電棒44係沿著側壁12sw1而設置。在一對供電棒44之間，線纜46係環繞於Y方向，該線纜46係電連接於電源42。台座14係安裝有選取器48，該選取器48會沿著線纜46而連同台座14一起移動於Y方向。來自電源42的電功率係透過線纜46，而以非接觸方式被供應至捲繞在選取器48之配線，並從該配線被供應至搬送機器人40。
又，一實施型態中，轉移室10可另具備有自動機控制器50及光通訊單元52a及52b。自動機控制器50係連接於電源42，又，係連接於光通訊單元52a。自動機控制器50會產生相對於搬送機器人40之電氣控制訊號。光通訊單元52a係安裝在本體部12a的前壁12fw，而透過前壁12fw1所設置之光學窗朝搬送空間S內射出光控制訊號。該光控制訊號係依據上述電氣控制訊號且藉由光通訊單元52a而產生。
光通訊單元52b係安裝在台座14。光通訊單元52b會接收光通訊單元52a所產生的光控制訊號。轉移室10中，係依據光通訊單元52b所接收的光控制訊號，來產生控制搬送機器人40用之電氣控制訊號。
如此地，轉移室10中，便可藉由使用了光通訊單元52a及52b之光通訊來控制搬送機器人40。從而，便不須在搬送空間S內設置有對搬送機器人40供應控制訊號用 的線纜。又，供應驅動搬送機器人40用的電功率之線纜46係藉由非接觸供電方式，來對搬送機器人40供應電功率。亦即，由於係相對於台座14、選取器48及搬送機器人40等之移動體而未連接有電功率線纜，因此轉移室10便會成為電功率線纜容易環繞在搬送空間S內之結構。
以下，參閱圖4。如圖4所示，一實施型態中，前壁12fw1係形成有開口12e。該開口12e係藉由光學窗18而被關閉。更具體地說明，光學窗18係相對於前壁12fw1而設置在與搬送空間S為相反側之外部空間。光學窗18與前壁12fw1的外側面之間係設置有稱作O型環之密封組件28。藉此，便可將開口12e關閉，來確保搬送空間S的氣密。
又，光學窗18係挾置在前壁12fw1的外側面與凸緣部26之間。凸緣部26係於Y方向相對於開口12e而對齊般地設置有開口。該凸緣部26可藉由螺絲或焊接而被固定在本體部12a。
光學窗18係光學性地結合有雷射計測器20的光學單元20a。該光學窗18係供來自光學單元20a的雷射光，以及該雷射光在台座14被反射而產生的反射光穿透，例如，係由光學玻璃所構成。
雷射計測器20係設置在搬送空間S的外部。雷射計測器20的光學單元20a係透過光學窗18而將雷射光照射在Y方向。來自光學單元20a的雷射光會在台座14被反射。光學單元20a會感光來自台座14的反射光，並在對應於該反射光的感光時間點之時間點輸出電氣訊號。因此，光學單元20a便可具有例如稱作半導體雷射之雷射光產生器與稱作光二極體之感光器。
雷射計測器20另包含有電連接於光學單元20a之控制單元20b(參閱圖2)。控制單元20b會控制來自光學單元20a之雷射光的產生及該雷射光的照射時間點。又，控制 單元20b會從光學單元20a的感光器接收上述電氣訊號。控制單元20b可依據雷射光的照射時間點與上述電氣訊號的輸出時間點之間的時間差，來計測台座14的現在位置。再者，控制單元20b可藉由對應於所計測之台座14的現在位置而對搬送機構16供應訊號，來控制台座14的位置。
依據以上說明的轉移室10，便可使用雷射計測器20來計測台座14的位置。從而，便不須在搬送空間S內鋪設使用於台座14的位置計測之電氣訊號用的線纜。
以下，針對其他實施型態加以說明。圖5係放大顯示其他實施型態之雷射計測系統之剖視圖。如圖5所示，轉移室10亦可另具備有管體32。管體32可為沃斯田鐵系的不鏽鋼或表面施有耐酸鋁處理之鋁製。
管體32係延伸於Y方向，其一端係結合於光學窗18。又，其另一端係位在搬送空間S內。管體32的外周面係設置有凸緣部。管體32的一端部，亦即，較該凸緣部要靠光學窗18側的部分係嵌入在前壁12fw1所形成的開口(連通於光學窗18之開口)內。然後，凸緣部係藉由螺絲而被固定在本體部12a。一實施型態中，如圖5所示，光學窗18係僅透過管體32的內孔而與搬送空間S內相連通。該管體32的內徑(直徑)可為例如2~3mm。
此實施型態中，從光學單元20a所照射之雷射光及來自台座14的反射光係透過管體32的內孔而被導光。由於該管體32之內孔的傳導率低，因此可降低存在於搬送空間S內之氣體分子附著在光學窗18的機率。此外，存在於搬送空間S內之氣體分子(例如，使用於基體W的蝕刻或成膜處理之氣體分子)會附著在基體W，而自該基體W產生。
一實施型態中，如圖5所示，區劃內孔之該管體32的內面可在沿Y方向的至少一部分處具有凹凸。該凹凸 的深度可為0.1~3mm。如此地，當管體係具備有具有凹凸的內面(凹凸面)之情況，管體的上述內徑可以管體之內孔的中心軸線與最接近該中心軸線之管體之內面的點間之徑向距離的2倍數值來定義。又，凹凸的深度可藉由管體之內孔的中心軸線與最接近該中心軸線之凹凸面內的點間之徑向距離，與該中心軸線與該凹凸面內的任意點間之徑向距離的差來定義。如此地。管體32的內面所設置之凹凸面便可捕集從搬送空間S內流入管體32的內孔之氣體分子。其結果，可更加抑制附著在光學窗18之氣體分子的附著。
又，其他一實施型態中，區劃管體32的內孔之該管體32的內面亦可為多孔質面。該多孔質面亦可捕集從搬送空間S內流入管體32的內孔之氣體分子，而更加抑制附著在光學窗18之氣體分子的附著。
又，如圖5所示，一實施型態中，亦可對管體32的內孔供應氬之非活性氣體。因此，亦可遍佈管體32及本體部12a，而形成有自該管體32的內孔延伸至本體部12a的外面之氣體供應道P。該氣體供應道P係連接有非活性氣體的氣體源。氣體供應道P係從本體部12a的外面側的開口朝向管體32的內孔而供應有非活性氣體。藉此，可抑制存在於搬送空間S內之氣體分子流入管體32的內孔。
氣體供應道P亦可在較管體32之搬送空間S側的端部要靠近光學窗18側的端部之位置處連接於管體32的內孔。依據此構成，可更有效地抑制存在於搬送空間S內之氣體分子流入管體32的內孔。
接下來，參閱圖6。圖6係顯示再一其他實施型態之雷射計測系統之圖式。如圖6所示，轉移室10亦可取代管體32而具有管體32A。管體32A係在沿Y方向的一部分處具有第1內徑，沿Y方向的其他一部分處則具有較第1內徑要小口徑的第2內徑，這一點與管體32相異。 依據管體32A，便可在具有第2內徑之部分處更加降低內孔的傳導率。其結果，可更有效地抑制存在於搬送空間S內之氣體分子流入管體32A的內孔。
接下來，參閱圖7。圖7係顯示其他實施型態之管體之剖視圖。圖7所示之管體32B係具有沿著蛇行之路徑而形成的內孔。管體32B的內孔係設置有複數光學鏡體32m，以光學性地結合該內孔之搬送空間S側的一端32a與光學窗18側的另一端32b。依據該管體32B，由於從搬送空間S側的一端至光學窗18側的另一端之內孔的距離較長，甚者，該內孔為蛇行，因此可更加降低存在於搬送空間S內之氣體分子附著在光學窗18的機率。
以下，說明其他實施型態之處理系統。圖8係顯示其他實施型態之處理系統之平面圖。圖8所示之處理系統200具備有載置台202a~202d、收納容器204a~204d、載置模組LM200、加載互鎖室LL200、轉移室(真空基體搬送裝置)210、及製程模組PM201,PM202,PM203,PM204。
載置台202a~202d係沿著載置模組LM200之Y方向上一側的緣部而配列於X方向。載置台202a~202d上係分別搭載有收納容器204a~204d。收納容器204a~204d的內部係收納有基體W。
載置模組LM200係與載置模組LM同樣地，於其內部具有搬送單元。載置模組LM200的搬送單元會從收納容器204a~204d中的任一者取出基體W，並搬送取出後的基體W。
在Y方向上，載置模組LM200的另一側係設置有轉移室210。該轉移室210的內部可被減壓。大氣壓的載置模組LM200與可在減壓狀態或真空狀態下使用的轉移室210之間係設置有可被減壓的加載互鎖室LL200。加載互鎖室LL200與載置模組LM200之間，以及，加載互鎖室LL200與轉移室210之間係分別設置有開閉的閘閥。
製程模組PM201,PM202,PM203,PM204係沿著轉移室210之延伸於Y方向的一側緣部配列。製程模組PM201,PM202,PM203,PM204可進行蝕刻或成膜之基體W的處理。製程模組PM201,PM202,PM203,PM204與轉移室210係分別透過可開閉的閘閥而相連結。
處理系統200中，係藉由載置模組LM200而從收納容器204a~204d中的任一者取出基體W，並收納在加載互鎖室LL200內。收納在加載互鎖室LL200內之基體W係藉由轉移室210而往Y方向被搬送，並傳送至製程模組PM201,PM202,PM203,PM204中的任一者。另一方面，藉由製程模組PM201,PM202,PM203,PM204中的任一者而被處理後的基體W係經由轉移室210及加載互鎖室LL200而被返回載置模組LM200。
以下，說明可作為轉移室210利用之一實施型態的基體搬送裝置。圖9為可應用於圖8所示處理系統的基體搬送裝置之立體圖，係為了能夠看見內部而卸除了上側部分來加以顯示之該基體搬送裝置的立體圖。圖9所示之轉移室10A中，係於腔室壁的本體部12Aa形成有開口12d1~12d4。開口12d1~12d4分別為連通於製程模組PM201~PM204之開口。
轉移室10A中，台座14上係設置有搬送機器人40A。搬送機器人40A可透過本體部12Aa的前壁12fw1所形成之開口12c來取出收納在加載互鎖室LL200的基體W。又，可透過開口12d1~12d4來將基體W分別搬送至製程模組PM201~PM204。又，亦可將本申請案之雷射基體位置檢測裝置(雷射計測器)應用於上述載置模組。
以下，說明再一其他實施型態之處理系統。圖10係顯示其他實施型態之處理系統之平面圖。以下的說明中，關於圖10所示之處理系統300，僅說明與圖1之處理系統100的相異點。處理系統300具備有四個製程模組 PM11,PM12,PM21,PM22。又，處理系統300係具備有取代轉移室110之轉移室310。轉移室310並未具備有朝Y方向之移動機構，而是具有可向加載互鎖室LL1及LL2及製程模組PM11,PM12,PM21,PM22進行存取之搬送機器人。
處理系統300中，載置模組LM係構成為一實施型態的大氣基體搬送裝置。與處理系統100同樣地，處理系統300的載置模組LM係具備有具有設置於台座Tb及該台座Tb上的搬送自動機Rb之搬送單元TU。搬送單元TU係與處理系統100的搬送單元同樣地，可移動於X方向。 處理系統300中，為了計測搬送單元TU之台座Tb的X方向位置，區劃出載置模組LM內的搬送空間之腔室壁係安裝有雷射計測系統。圖10中。雷射計測系統雖與圖4所示者為相同，但處理系統300亦可具備有圖5~圖7所示實施型態當中之任意實施型態的雷射計測系統。該處理系統300中，係依據雷射計測系統所計測之位置，來從控制單元對搬送單元TU的搬送機構供應電氣訊號，藉此，便可控制搬送單元TU的位置。如此地，本發明之思想亦可適用於大氣壓環境下。
以上，雖已說明各種實施型態，但未限定於該等實施型態，而亦可構成各種變形型態。例如，上述處理系統僅為例示，載置台、收納容器、製程模組之要素的數量及位置關係等未限定於上述處理系統的結構。
S‧‧‧搬送空間
10‧‧‧轉移室
12‧‧‧腔室壁
12a‧‧‧本體部
12b‧‧‧頂板部
12bw‧‧‧後壁
12fw1、12fw2‧‧‧前壁
12h1、12h3、12h4、12h7‧‧‧開口
12sw1‧‧‧側壁
14‧‧‧台座
16‧‧‧線性馬達搬送機構
18‧‧‧光學窗
20a‧‧‧光學單元
22‧‧‧排氣裝置
24‧‧‧線性導引部

Claims (8)

  1. 一種基體搬送裝置，其具備有：腔室壁，係區劃搬送空間；台座，係收納在該搬送空間內；線性馬達搬送機構，係在該搬送空間內使該台座移動；光學窗，係設置於該搬送空間與該搬送空間的外部空間之間；以及雷射計測器，係透過該光學窗而朝向該台座照射雷射光，並接收來自該台座的反射光，來計測該台座的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基體搬送裝置，其中該搬送空間為可被減壓之搬送空間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基體搬送裝置，其另具備有光學性地連接該光學窗與該搬送空間之管體；該雷射計測器係透過該光學窗及該管體的內孔而照射該雷射光，並透過該管體的內孔及該光學窗而接收該反射光。
  4. 如申請專利範圍第3項之基體搬送裝置，其中該管體係包含有區劃出該內孔之內面；該內面的至少一部分係具有0.1mm~3mm的凹凸。
  5. 如申請專利範圍第3項之基體搬送裝置，其中該管體係包含有區劃出該內孔之內面；該內面為多孔質面。
  6. 如申請專利範圍第3項之基體搬送裝置，其中該管體的該內孔係包含有沿著該管體的長邊方向而具有第1內徑之部分，與具有較該第1內徑要小口徑的第2內徑之部分。
  7. 如申請專利範圍第3項之基體搬送裝置，其中該內孔係沿著蛇行之路徑所區劃而成；該管體的內孔係設置有光學性地結合該內孔的一端與該內孔的另一端之一個以上的光學鏡體。
  8. 如申請專利範圍第3項之基體搬送裝置，其另包含將非活性氣體供應至該管體的該內孔之氣體供應道。
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