KR100993914B1 - 진공처리장치 - Google Patents
진공처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100993914B1 KR100993914B1 KR1020080018874A KR20080018874A KR100993914B1 KR 100993914 B1 KR100993914 B1 KR 100993914B1 KR 1020080018874 A KR1020080018874 A KR 1020080018874A KR 20080018874 A KR20080018874 A KR 20080018874A KR 100993914 B1 KR100993914 B1 KR 100993914B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- vacuum
- chamber
- processing
- units
- processing apparatus
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 242
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
또한, 본원 발명의 목적은, 진공용기 내의 처리실 내에 배치한 시료를, 상기 처리실 내에 형성한 플라즈마를 사용하여 처리하는 진공처리장치로서, 앞 부분에 배치되어 대기압하에서 상기 시료를 반송하는 대기 반송실과, 상기 대기 반송실의 뒤쪽에 배치되고 내부가 진공이 되어 상기 시료가 반송되는 진공 반송실이 배치되며 평면 형상이 다각형인 진공 반송 용기와, 상기 진공 반송실과, 상기 대기 반송실의 사이에서 이들을 연결하는 잠금실과, 상기 진공 반송실의 수평방향의 주위에 상기 진공 반송실과 착탈 가능하게 연결되어 배치되며 상기 진공용기를 포함하여 구성된 복수 대의 진공처리 유닛과, 이들 진공처리 유닛의 각각에 상기 시료를 처리하기 위하여 공급되는 복수 종류의 가스의 유량을 조절하는 복수 대의 유량 조절 유닛을 구비한 진공처리장치에 있어서, 상기 대기 반송실의 뒤쪽이고 상기 대기 반송실과 상기 진공처리 유닛과의 사이로서 이 진공처리장치가 설치되는 바닥면 위에 배치되어 이 바닥면의 아래쪽으로부터 공급되는 복수 종류의 가스의 배관과 연결되고 이들 가스의 각각을 상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각에 분배하는 분배기와, 상기 분배기와 상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각과의 사이에서 분기하되 이들과 연결되어 상기 복수 종류의 가스 각각을 상기 복수대의 유량 조절 유닛에 공급하는 분기 배관과, 상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각과 상기 복수 대의 진공처리 유닛을 연결하여 배치되어 상기 복수 종류의 가스가 합류하여 이들 진공처리 유닛의 각각에 공급되는 합류 배관을 가지고, 상기 유량 조절 유닛의 각각은, 내부에 수평방향으로 병렬로 배치되어 연결된 상기 분기 배관의 각각의 라인과 이들 각각의 라인 상에 배치되어 각각을 흐르는 상기 가스의 유량을 조절하는 복수의 유량 조절기를 구비한 박스체가 상기 진공 반송 용기와 상기 바닥면과의 사이의 공간의 하부에 수평방향으로 병렬로 배치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치에 의해 달성될 수도 있다.
여기서, 상기 진공 반송 용기의 상기 다각형의 변을 구성하는 측벽에 상기 진공 처리 유닛이 연결되는 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 상기 복수의 진공 처리 유닛 내의 처리실의 상하방향의 중심축이 상기 진공 반송실의 상하방향의 중심축의 주위에 상기 진공 반송실의 둘레방향으로 배치되고, 상기 복수의 유량 조절 유닛이 대응하는 상기 진공 처리 유닛의 둘레방향의 배치 위치의 순으로 상기 진공 반송 용기의 아래쪽에서 상하방향의 축의 주위에 둘레방향으로 배치된다.
더욱 바람직하게는, 상기 복수의 유량 조절 유닛의 상면이 동일한 높이의 평면으로 구성되고, 상기 진공 반송 용기와 상기 복수의 유량 조절 유닛의 사이에 작업자가 작업할 수 있는 공간이 배치된다.
Claims (5)
- 진공용기 내의 처리실 내에 배치한 시료를, 상기 처리실 내에 형성한 플라즈마를 사용하여 처리하는 진공처리장치로서, 앞 부분에 배치되어 대기압하에서 상기 시료를 반송하는 대기 반송실과, 상기 대기 반송실의 뒤쪽에 배치되고 내부가 진공이 되어 상기 시료가 반송되는 진공 반송실이 배치되며 평면 형상이 다각형인 진공 반송 용기와, 상기 진공 반송실과, 상기 대기 반송실의 사이에서 이들을 연결하는 잠금실과, 상기 진공 반송실의 수평방향의 주위에 상기 진공 반송실과 착탈 가능하게 연결되어 배치되며 상기 진공용기를 포함하여 구성된 복수 대의 진공처리 유닛과, 이들 진공처리 유닛의 각각에 상기 시료를 처리하기 위하여 공급되는 복수 종류의 가스의 유량을 조절하는 복수 대의 유량 조절 유닛을 구비한 진공처리장치에 있어서,상기 대기 반송실의 뒤쪽이고 상기 대기 반송실과 상기 진공처리 유닛과의 사이로서 이 진공처리장치가 설치되는 바닥면 위에 배치되어 이 바닥면의 아래쪽으로부터 공급되는 복수 종류의 가스의 배관과 연결되고 이들 가스의 각각을 상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각에 분배하는 분배기와,상기 분배기와 상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각과의 사이에서 분기하되 이들과 연결되어 상기 복수 종류의 가스 각각을 상기 복수대의 유량 조절 유닛에 공급하는 분기 배관과,상기 복수 대의 유량 조절 유닛의 각각과 상기 복수 대의 진공처리 유닛을 연결하여 배치되어 상기 복수 종류의 가스가 합류하여 이들 진공처리 유닛의 각각에 공급되는 합류 배관을 가지고,상기 유량 조절 유닛의 각각은, 내부에 수평방향으로 병렬로 배치되어 연결된 상기 분기 배관의 각각의 라인과 이들 각각의 라인 상에 배치되어 각각을 흐르는 상기 가스의 유량을 조절하는 복수의 유량 조절기를 구비한 박스체가 상기 진공 반송 용기와 상기 바닥면과의 사이의 공간의 하부에 수평방향으로 병렬로 배치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 진공 반송 용기의 상기 다각형의 변을 구성하는 측벽에 상기 진공 처리 유닛이 연결된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 복수의 진공 처리 유닛 내의 처리실의 상하방향의 중심축이 상기 진공 반송실의 상하방향의 중심축의 주위에 상기 진공 반송실의 둘레방향으로 배치되고, 상기 복수의 유량 조절 유닛이 대응하는 상기 진공 처리 유닛의 둘레방향의 배치 위치의 순으로 상기 진공 반송 용기의 아래쪽에서 상하방향의 축의 주위에 둘레방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수의 유량 조절 유닛의 상면이 동일한 높이의 평면으로 구성되고, 상기 진공 반송 용기와 상기 복수의 유량 조절 유닛의 사이에 작업자가 작업할 수 있는 공간이 배치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 제 3항에 있어서,상기 복수의 유량 조절 유닛의 상면이 동일한 높이의 평면으로 구성되고, 상기 진공 반송 용기와 상기 복수의 유량 조절 유닛의 사이에 작업자가 작업할 수 있는 공간이 배치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2008-00041668 | 2008-02-22 | ||
JP2008041668A JP5260981B2 (ja) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090090965A KR20090090965A (ko) | 2009-08-26 |
KR100993914B1 true KR100993914B1 (ko) | 2010-11-11 |
Family
ID=40998499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080018874A KR100993914B1 (ko) | 2008-02-22 | 2008-02-29 | 진공처리장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090214399A1 (ko) |
JP (1) | JP5260981B2 (ko) |
KR (1) | KR100993914B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6463220B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
DE102018106751A1 (de) * | 2017-07-31 | 2019-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Automatisiertes inspektionswerkzeug |
US20230274958A1 (en) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | Syskey Technology Co., Ltd. | Multi-chamber semiconductor manufacturing system |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5605179A (en) * | 1995-03-17 | 1997-02-25 | Insync Systems, Inc. | Integrated gas panel |
FR2755149B1 (fr) * | 1996-10-30 | 1999-01-15 | Pasteur Institut | Procede de diagnostic de maladies genetiques par peignage moleculaire et coffret de diagnostic |
US5844195A (en) * | 1996-11-18 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source |
US20020123063A1 (en) * | 1997-03-14 | 2002-09-05 | Gjerde Douglas T. | Band array display of polynucleotide separations |
US6312525B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
JP2000269149A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Rohm Co Ltd | 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置 |
TW484170B (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
SG169225A1 (en) * | 2001-07-25 | 2011-03-30 | Univ Princeton | Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis |
JP4522795B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP4426342B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2010-03-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP4749690B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP4588393B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2006080347A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP5004614B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP5042686B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-10-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4988402B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5596265B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
-
2008
- 2008-02-22 JP JP2008041668A patent/JP5260981B2/ja active Active
- 2008-02-29 KR KR1020080018874A patent/KR100993914B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-03 US US12/041,029 patent/US20090214399A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009200328A (ja) | 2009-09-03 |
US20090214399A1 (en) | 2009-08-27 |
JP5260981B2 (ja) | 2013-08-14 |
KR20090090965A (ko) | 2009-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7335277B2 (en) | Vacuum processing apparatus | |
TWI773092B (zh) | 具有整合的暫存區之晶圓傳送組件 | |
US20080206036A1 (en) | Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms | |
KR101238768B1 (ko) | 진공처리장치 | |
KR20170000790A (ko) | 격납 유닛, 반송 장치, 및 기판 처리 시스템 | |
US20080202420A1 (en) | Semiconductor substrate processing apparatus with horizontally clustered vertical stacks | |
TW201727799A (zh) | 半導體製造與研究晶圓廠中用於資本設備之維修地道 | |
US20070160447A1 (en) | Semiconductor treating device | |
KR101116875B1 (ko) | 진공처리장치 | |
KR100993914B1 (ko) | 진공처리장치 | |
KR101092510B1 (ko) | 진공처리장치 | |
TW201725646A (zh) | 負載鎖介面與整合式後處理模組 | |
US20080206022A1 (en) | Mult-axis robot arms in substrate vacuum processing tool | |
US20080202419A1 (en) | Gas manifold directly attached to substrate processing chamber | |
US20080206021A1 (en) | Stacked process chambers for magnetic media processing tool | |
US20080202686A1 (en) | Self-contained process modules for magnetic media processing tool | |
US20230154777A1 (en) | Substrate transfer apparatus and substrate transfer method | |
US20080202417A1 (en) | Self-contained process modules for vacuum processing tool | |
US20080202410A1 (en) | Multi-substrate size vacuum processing tool | |
JP2015008243A (ja) | 真空処理装置 | |
US20080206020A1 (en) | Flat-panel display processing tool with storage bays and multi-axis robot arms |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131018 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141022 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151016 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161020 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171018 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181023 Year of fee payment: 9 |