JP2000269149A - 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置 - Google Patents
半導体基板に対するプラズマ表面処理装置Info
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- JP2000269149A JP2000269149A JP11076392A JP7639299A JP2000269149A JP 2000269149 A JP2000269149 A JP 2000269149A JP 11076392 A JP11076392 A JP 11076392A JP 7639299 A JP7639299 A JP 7639299A JP 2000269149 A JP2000269149 A JP 2000269149A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウ
エハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲ
ート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表
面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面
処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、
この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備
が膨大になることを回避する。 【解決手段】 前記プラズマ表面処理ユニット２を、こ
れに当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用ガス
の供給制御手段１２を取り付けた状態で、前記コアチャ
ンバー１から切り離できる構成にして、前記プラズマ表
面処理ユニットの取り替えにより、一つのコアチャンバ
ー１を使用して複数種類の表面処理ができるようにす
る。
エハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲ
ート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表
面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面
処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、
この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備
が膨大になることを回避する。 【解決手段】 前記プラズマ表面処理ユニット２を、こ
れに当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用ガス
の供給制御手段１２を取り付けた状態で、前記コアチャ
ンバー１から切り離できる構成にして、前記プラズマ表
面処理ユニットの取り替えにより、一つのコアチャンバ
ー１を使用して複数種類の表面処理ができるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハー
等の半導体基板の表面を、プラズマによって、各種の被
膜を形成したりエッチング等の表面処理を施すと言うプ
ラズマ表面処理装置に関するものである。
等の半導体基板の表面を、プラズマによって、各種の被
膜を形成したりエッチング等の表面処理を施すと言うプ
ラズマ表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のプラズマ表面処理装置
は、一つのコアチャンバーに、プラズマによる表面処理
室を備えたプラズマ処理ユニットの複数個をゲート弁を
介して接合し、被処理物である半導体基板を、前記コア
チャンバー内に取り込んだのち、このコアチャンバー内
に設けたハンドラーにて前記各プラズマ処理ユニットに
おける表面処理室内に一枚ずつゲート弁を通して送り込
むことにより、各プラズマ処理ユニットにおいて所定の
表面処理を行い、この表面処理が終わると、前記各プラ
ズマ処理ユニットの表面処理室内における処理済の半導
体基板を、前記ハンドラーにてゲート弁を通して前記コ
アチャンバー内に引き出し、このコアチャンバー内から
外に取り出すと言う構成である。
は、一つのコアチャンバーに、プラズマによる表面処理
室を備えたプラズマ処理ユニットの複数個をゲート弁を
介して接合し、被処理物である半導体基板を、前記コア
チャンバー内に取り込んだのち、このコアチャンバー内
に設けたハンドラーにて前記各プラズマ処理ユニットに
おける表面処理室内に一枚ずつゲート弁を通して送り込
むことにより、各プラズマ処理ユニットにおいて所定の
表面処理を行い、この表面処理が終わると、前記各プラ
ズマ処理ユニットの表面処理室内における処理済の半導
体基板を、前記ハンドラーにてゲート弁を通して前記コ
アチャンバー内に引き出し、このコアチャンバー内から
外に取り出すと言う構成である。
【０００３】ところで、半導体基板の表面をプラズマに
よって所定の表面処理を行うに際しては、そのプラズマ
による表面処理室内に、処理用ガスを所定の時期に所定
の圧力で且つ所定の流量で供給することを、複数の種類
の処理用ガスについて行うようにしなければならず、こ
のために、前記各プラズマ処理ユニットに対して供給す
る処理用ガスを複数種類の処理用ガスから任意の一つの
処理用ガスに選択する切換制御、及びその供給時期のＯ
Ｎ・ＯＦＦ制御、並びにその圧力及び流量の制御等を行
うようにした処理用ガスの供給制御手段が必要である。
よって所定の表面処理を行うに際しては、そのプラズマ
による表面処理室内に、処理用ガスを所定の時期に所定
の圧力で且つ所定の流量で供給することを、複数の種類
の処理用ガスについて行うようにしなければならず、こ
のために、前記各プラズマ処理ユニットに対して供給す
る処理用ガスを複数種類の処理用ガスから任意の一つの
処理用ガスに選択する切換制御、及びその供給時期のＯ
Ｎ・ＯＦＦ制御、並びにその圧力及び流量の制御等を行
うようにした処理用ガスの供給制御手段が必要である。
【０００４】この場合、従来におけるプラズマ表面処理
装置においては、一つのコアチャンバーに接合された各
プラズマ処理ユニットの各々に対する処理用ガスの供給
制御手段を、各プラズマ処理ユニットから離れた部位に
位置する制御パネル等に一纏めにて取付け、この各処理
用ガスの供給制御手段からのガス供給管を各プラズマ処
理ユニットに接続すると言う構成にしている。
装置においては、一つのコアチャンバーに接合された各
プラズマ処理ユニットの各々に対する処理用ガスの供給
制御手段を、各プラズマ処理ユニットから離れた部位に
位置する制御パネル等に一纏めにて取付け、この各処理
用ガスの供給制御手段からのガス供給管を各プラズマ処
理ユニットに接続すると言う構成にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】つまり、従来のプラズ
マ表面処理装置は、このように、一つのコアチャンバー
に複数個のプラズマ処理ユニットを接合し、この各プラ
ズマ処理ユニットの各々に対する処理用ガスの供給制御
手段を、各プラズマ処理ユニットから離れた部位に位置
する制御パネル等に一纏めにて取付け、この各処理用ガ
スの供給制御手段からのガス供給管を各プラズマ処理ユ
ニットに接続すると言う構成であって、少なくとも、前
記各プラズマ処理ユニットを、当該各プラズマ処理ユニ
ットに対する処理用ガスの供給制御手段と一緒に、半導
体基板の出し入れを行うためのコアチャンバーから切り
離して、別のプラズマ処理ユニットに交換すると言う構
成には一切なっていないことにより、一台のプラズマ表
面処理装置にて行うことができる表面処理は、当初に予
定した一種類の表面処理に限られ、これ以外の種類の表
面処理を行うことができないから、新たに別の種類の表
面処理を行う場合には、この種類の数に応じただけの台
数のプラズマ表面処理装置が必要になり、全体の設備が
著しく膨大になる言う問題があった。
マ表面処理装置は、このように、一つのコアチャンバー
に複数個のプラズマ処理ユニットを接合し、この各プラ
ズマ処理ユニットの各々に対する処理用ガスの供給制御
手段を、各プラズマ処理ユニットから離れた部位に位置
する制御パネル等に一纏めにて取付け、この各処理用ガ
スの供給制御手段からのガス供給管を各プラズマ処理ユ
ニットに接続すると言う構成であって、少なくとも、前
記各プラズマ処理ユニットを、当該各プラズマ処理ユニ
ットに対する処理用ガスの供給制御手段と一緒に、半導
体基板の出し入れを行うためのコアチャンバーから切り
離して、別のプラズマ処理ユニットに交換すると言う構
成には一切なっていないことにより、一台のプラズマ表
面処理装置にて行うことができる表面処理は、当初に予
定した一種類の表面処理に限られ、これ以外の種類の表
面処理を行うことができないから、新たに別の種類の表
面処理を行う場合には、この種類の数に応じただけの台
数のプラズマ表面処理装置が必要になり、全体の設備が
著しく膨大になる言う問題があった。
【０００６】また、異なる表面処理への切換えを行う場
合には、既存の装置及び周辺設備を新たなものに置き換
えるようにしなければならなず、煩雑で大がかりな作業
を伴うと言う問題もあった。
合には、既存の装置及び周辺設備を新たなものに置き換
えるようにしなければならなず、煩雑で大がかりな作業
を伴うと言う問題もあった。
【０００７】本発明は、この問題を解消できるようにし
たプラズマ表面処理装置を提供することを技術的課題と
するものである。
たプラズマ表面処理装置を提供することを技術的課題と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「プラズマによる表面処理室を備えた
プラズマ処理ユニットの少なくとも一つと、このプラズ
マ処理ユニットをゲート弁を介して接続したコアチャン
バーと、前記コアチャンバーに送り込まれた半導体基板
を一枚ずつ前記プラズマ処理ユニットにおける表面処理
室に出し入れするようにしたハンドラーと、前記プラズ
マ処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段とか
ら成るプラズマ表面処理装置において、前記プラズマ表
面処理ユニットを、これに当該プラズマ表面処理ユニッ
トに対する処理用ガスの供給制御手段を取り付けた状態
で、前記コアチャンバーから切り離できるように構成し
たことを特徴とする。」ものである。
るため本発明は、「プラズマによる表面処理室を備えた
プラズマ処理ユニットの少なくとも一つと、このプラズ
マ処理ユニットをゲート弁を介して接続したコアチャン
バーと、前記コアチャンバーに送り込まれた半導体基板
を一枚ずつ前記プラズマ処理ユニットにおける表面処理
室に出し入れするようにしたハンドラーと、前記プラズ
マ処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段とか
ら成るプラズマ表面処理装置において、前記プラズマ表
面処理ユニットを、これに当該プラズマ表面処理ユニッ
トに対する処理用ガスの供給制御手段を取り付けた状態
で、前記コアチャンバーから切り離できるように構成し
たことを特徴とする。」ものである。
【０００９】
【発明の作用・効果】このように構成することにより、
コアチャンバーに接続されているプラズマ表面処理ユニ
ットを、当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用
ガスの供給制御手段と一緒にコアチャンバーから切り離
して、前記コアチャンバーに、別のプラズマ表面処理ユ
ニットをこれに当該別のプラズマ表面処理ユニットに対
する処理用ガスの供給制御手段と一緒に接続することが
できると言うように、コアチャンバーに接続されている
処理用ガスの供給制御手段付きプラズマ表面処理ユニッ
トを、別の処理用ガスの供給制御手段付きプラズマ表面
処理ユニットと交換することができるから、一つのコア
チャンバーを使用して、複数種類の表面処理を行うこと
ができるのである。
コアチャンバーに接続されているプラズマ表面処理ユニ
ットを、当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用
ガスの供給制御手段と一緒にコアチャンバーから切り離
して、前記コアチャンバーに、別のプラズマ表面処理ユ
ニットをこれに当該別のプラズマ表面処理ユニットに対
する処理用ガスの供給制御手段と一緒に接続することが
できると言うように、コアチャンバーに接続されている
処理用ガスの供給制御手段付きプラズマ表面処理ユニッ
トを、別の処理用ガスの供給制御手段付きプラズマ表面
処理ユニットと交換することができるから、一つのコア
チャンバーを使用して、複数種類の表面処理を行うこと
ができるのである。
【００１０】従って、本発明によると、複数種類の表面
処理を行う場合において、従来のように設備が膨大にな
ることを、一つのコアチャンバーを複数種類の表面処理
に兼用できる分だけ確実に回避することができる一方、
コアチャンバーに接続されているプラズマ表面処理ユニ
ットを交換することができるので、別の種類の表面処理
に切換えることが比較的簡単な作業で容易にできる効果
を有する。
処理を行う場合において、従来のように設備が膨大にな
ることを、一つのコアチャンバーを複数種類の表面処理
に兼用できる分だけ確実に回避することができる一方、
コアチャンバーに接続されているプラズマ表面処理ユニ
ットを交換することができるので、別の種類の表面処理
に切換えることが比較的簡単な作業で容易にできる効果
を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
の図面について説明する。
の図面について説明する。
【００１２】この図において、符号１は、平面視におい
て多角形に形成したコアチャンバーを示し、このコアチ
ャンバー１における三つの側面の各々には、プラズマに
よる表面処理室２ａを備えたプラズマ表面処理ユニット
２が、ゲート弁３を介して着脱自在に接続されている。
なお、この着脱自在な接続は、具体的には、例えば、プ
ラズマ表面処理ユニット２に設けたフランジ２ｂを前記
ゲート弁３における入り口側フランジ３ａに対して複数
本のボルトにて締結すると言ういわゆるフランジ接合に
よって行うものである。
て多角形に形成したコアチャンバーを示し、このコアチ
ャンバー１における三つの側面の各々には、プラズマに
よる表面処理室２ａを備えたプラズマ表面処理ユニット
２が、ゲート弁３を介して着脱自在に接続されている。
なお、この着脱自在な接続は、具体的には、例えば、プ
ラズマ表面処理ユニット２に設けたフランジ２ｂを前記
ゲート弁３における入り口側フランジ３ａに対して複数
本のボルトにて締結すると言ういわゆるフランジ接合に
よって行うものである。
【００１３】また、前記コアチャンバー１における二つ
の側面の各々には、出入れチャンバー４が、ゲート弁５
を介して接続され、この出入れチャンバー４には、出し
入れ用ゲート弁６が設けられている。
の側面の各々には、出入れチャンバー４が、ゲート弁５
を介して接続され、この出入れチャンバー４には、出し
入れ用ゲート弁６が設けられている。
【００１４】また、符号７は、半導体基板８の複数枚を
入れたマガジン９の載置台を示し、この載置台７と前記
両出入れチャンバー４との間には、前記マガジン９内に
おける半導体基板８を一枚ずつ引き出したのち前記出入
れチャンバー４内に出入れ用ゲート弁６を開いて送り込
む（これが終わると出入れ用ゲート弁６は閉じる）こと
と、前記出入れチャンバー４内における半導体基板８を
この出入れチャンバー４から出入れ用ゲート弁６を開い
て取り出した（これが終わると出入れ用ゲート弁６は閉
じる）のち前記マガジン９に戻すこととを行うようにし
た第１ハンドラー１０が設けられている。
入れたマガジン９の載置台を示し、この載置台７と前記
両出入れチャンバー４との間には、前記マガジン９内に
おける半導体基板８を一枚ずつ引き出したのち前記出入
れチャンバー４内に出入れ用ゲート弁６を開いて送り込
む（これが終わると出入れ用ゲート弁６は閉じる）こと
と、前記出入れチャンバー４内における半導体基板８を
この出入れチャンバー４から出入れ用ゲート弁６を開い
て取り出した（これが終わると出入れ用ゲート弁６は閉
じる）のち前記マガジン９に戻すこととを行うようにし
た第１ハンドラー１０が設けられている。
【００１５】一方、前記コアチャンバー１内には、第２
ハンドラー１１を設けて、この第２ハンドラーにより、
前記出入れチャンバー４内における半導体基板８をゲー
ト弁５を開いてコアチャンバー１内に引き込んだ（これ
が終わるとゲート弁５は閉じる）のち前記各プラズマ表
面処理ユニット２における表面処理室２ａ内にゲート弁
３を開いて送り込む（これが終わるとゲート弁３は閉じ
る）ことと、前記各プラズマ表面処理ユニット２におけ
る表面処理室２ａ内の半導体基板８をゲート弁３を開い
てコアチャンバー１内に引き出した（これが終わるとゲ
ート弁３は閉じる）のち前記出入れチャンバー４内にゲ
ート弁５を開いて送り出す（これが終わるとゲート弁５
は閉じる）こととを行うように構成する。
ハンドラー１１を設けて、この第２ハンドラーにより、
前記出入れチャンバー４内における半導体基板８をゲー
ト弁５を開いてコアチャンバー１内に引き込んだ（これ
が終わるとゲート弁５は閉じる）のち前記各プラズマ表
面処理ユニット２における表面処理室２ａ内にゲート弁
３を開いて送り込む（これが終わるとゲート弁３は閉じ
る）ことと、前記各プラズマ表面処理ユニット２におけ
る表面処理室２ａ内の半導体基板８をゲート弁３を開い
てコアチャンバー１内に引き出した（これが終わるとゲ
ート弁３は閉じる）のち前記出入れチャンバー４内にゲ
ート弁５を開いて送り出す（これが終わるとゲート弁５
は閉じる）こととを行うように構成する。
【００１６】更にまた、符号１２は、前記プラズマ表面
処理ユニット２における表面処理室２ａ内に対して供給
する処理用ガスを複数種類の処理用ガスから任意の一つ
の処理用ガス又は定められた混合比の処理用混合ガスに
選択する切換制御、及びその供給時期のＯＮ・ＯＦＦ制
御、並びにその圧力及び流量の制御等を行うための処理
用ガスの供給制御手段を示し、この処理用ガスの供給制
御手段１２を、前記各プラズマ表面処理ユニット２の各
々に取付けることにより、前記各プラズマ表面処理ユニ
ット２を、これにその各々に対する処理用ガスの供給制
御手段１２を取付けた状態で、前記コアチャンバー１か
ら切り離できるように構成する。
処理ユニット２における表面処理室２ａ内に対して供給
する処理用ガスを複数種類の処理用ガスから任意の一つ
の処理用ガス又は定められた混合比の処理用混合ガスに
選択する切換制御、及びその供給時期のＯＮ・ＯＦＦ制
御、並びにその圧力及び流量の制御等を行うための処理
用ガスの供給制御手段を示し、この処理用ガスの供給制
御手段１２を、前記各プラズマ表面処理ユニット２の各
々に取付けることにより、前記各プラズマ表面処理ユニ
ット２を、これにその各々に対する処理用ガスの供給制
御手段１２を取付けた状態で、前記コアチャンバー１か
ら切り離できるように構成する。
【００１７】加えて、前記コアチャンバー１の下部側面
のうち前記各プラズマ表面処理ユニット２の箇所に、一
端をガスボンベ等のガス供給源（図示せず）に接続した
複数本の供給源配管１３，１４，１５，１６を設けて、
これに、前記各プラズマ表面処理ユニット２における処
理用ガスの供給制御手段１２への複数本の処理用ガス配
管１７，１８，１９，２０を、図示しないホースを介し
て接続するか、各プラズマ表面処理ユニット２のコアチ
ャンバー１に対する接続と同時に管継ぎ手にて接続する
ように構成する。
のうち前記各プラズマ表面処理ユニット２の箇所に、一
端をガスボンベ等のガス供給源（図示せず）に接続した
複数本の供給源配管１３，１４，１５，１６を設けて、
これに、前記各プラズマ表面処理ユニット２における処
理用ガスの供給制御手段１２への複数本の処理用ガス配
管１７，１８，１９，２０を、図示しないホースを介し
て接続するか、各プラズマ表面処理ユニット２のコアチ
ャンバー１に対する接続と同時に管継ぎ手にて接続する
ように構成する。
【００１８】この構成において、載置台７に載せたマガ
ジン９内の半導体基板８は、マガジン９から一枚ずつを
引き出されたのち、出入れチャンバー４内及びコアチャ
ンバー２内を経由して各プラズマ処理ユニット２におけ
る表面処理室２ａ内に送り込まれ、次いで、各プラズマ
処理ユニット２における表面処理室２ａ内は、処理用ガ
スが、その各々における供給制御手段１２から供給され
ることにより、前記半導体基板８に対する表面処理が行
われる。
ジン９内の半導体基板８は、マガジン９から一枚ずつを
引き出されたのち、出入れチャンバー４内及びコアチャ
ンバー２内を経由して各プラズマ処理ユニット２におけ
る表面処理室２ａ内に送り込まれ、次いで、各プラズマ
処理ユニット２における表面処理室２ａ内は、処理用ガ
スが、その各々における供給制御手段１２から供給され
ることにより、前記半導体基板８に対する表面処理が行
われる。
【００１９】この表面処理を完了すると、処理済の半導
体基板８は、各プラズマ表面処理ユニット２における表
面処理室２ａ内からコアチャンバー１内及び出入れチャ
ンバー４内を経て外に取り出されたのちマガジン９内に
戻されるのであり、これを繰り返すことにより、前記マ
ガジン９内における全ての半導体基板８に対する表面処
理を行うのである。
体基板８は、各プラズマ表面処理ユニット２における表
面処理室２ａ内からコアチャンバー１内及び出入れチャ
ンバー４内を経て外に取り出されたのちマガジン９内に
戻されるのであり、これを繰り返すことにより、前記マ
ガジン９内における全ての半導体基板８に対する表面処
理を行うのである。
【００２０】この場合において、コアチャンバー１に接
合されている各プラズマ表面処理ユニット２を、その各
々にこれに対する処理用ガスの供給制御手段１２を取付
けた状態で、コアチャンバー１から切り離しできるよう
に構成したことにより、コアチャンバー１に接続されて
いるプラズマ表面処理ユニット２を、当該プラズマ表面
処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段１２と
一緒にコアチャンバー１から切り離したのち、前記コア
チャンバー１に、別のプラズマ表面処理ユニット２′を
これに当該別のプラズマ表面処理ユニットに対する処理
用ガスの供給制御手段１２′と一緒に接続することがで
きると言うように、コアチャンバー１に接続されている
処理用ガスの供給制御手段１２付きプラズマ表面処理ユ
ニット２を、別の処理用ガスの供給制御手段１２′付き
プラズマ表面処理ユニット２と交換することができるか
ら、出入れチャンバー４と第２ハンドラー１１とを備え
たコアチャンバー及び第１ハンドラー１０をそのまま使
用して、複数種類の表面処理を行うことができるのであ
る。
合されている各プラズマ表面処理ユニット２を、その各
々にこれに対する処理用ガスの供給制御手段１２を取付
けた状態で、コアチャンバー１から切り離しできるよう
に構成したことにより、コアチャンバー１に接続されて
いるプラズマ表面処理ユニット２を、当該プラズマ表面
処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段１２と
一緒にコアチャンバー１から切り離したのち、前記コア
チャンバー１に、別のプラズマ表面処理ユニット２′を
これに当該別のプラズマ表面処理ユニットに対する処理
用ガスの供給制御手段１２′と一緒に接続することがで
きると言うように、コアチャンバー１に接続されている
処理用ガスの供給制御手段１２付きプラズマ表面処理ユ
ニット２を、別の処理用ガスの供給制御手段１２′付き
プラズマ表面処理ユニット２と交換することができるか
ら、出入れチャンバー４と第２ハンドラー１１とを備え
たコアチャンバー及び第１ハンドラー１０をそのまま使
用して、複数種類の表面処理を行うことができるのであ
る。
【００２１】なお、前記各プラズマ表面処理ユニットに
は、処理用ガスの供給制御手段に加えて、これに供給す
る高周波及びマイクロ波の制御手段、並びに、処理用ガ
スを排出するための排出ガス制御手段等も必要であるか
ら、これら高周波及びマイクロ波の制御手段並びに排出
ガス制御手段等も、各プラズマ表面処理ユニットに取付
けることにより、これら一緒に各プラズマ表面処理ユニ
ットをコアチャンバーから切り離すことができるように
構成することが好ましく、また、前記両出入れチャンバ
ー４を廃止して、マガジン９内に半導体基板８を、コア
チャンバー１内に対して直接的に出し入れするように構
成しても良いのである。
は、処理用ガスの供給制御手段に加えて、これに供給す
る高周波及びマイクロ波の制御手段、並びに、処理用ガ
スを排出するための排出ガス制御手段等も必要であるか
ら、これら高周波及びマイクロ波の制御手段並びに排出
ガス制御手段等も、各プラズマ表面処理ユニットに取付
けることにより、これら一緒に各プラズマ表面処理ユニ
ットをコアチャンバーから切り離すことができるように
構成することが好ましく、また、前記両出入れチャンバ
ー４を廃止して、マガジン９内に半導体基板８を、コア
チャンバー１内に対して直接的に出し入れするように構
成しても良いのである。
【００２２】また、前記コアチャンバー１側に、各種処
理用ガスの供給源配管１３，１４，１５，１６を設け
て、この各供給源配管１３，１４，１５，１６に、前記
プラズマ表面処理ユニット２における処理用ガスの供給
制御手段１２への各種処理用ガス配管１７，１８，１
９，２０を着脱自在に接続すると言う構成にしたことに
より、前記各供給源配管１３，１４，１５，１６をコア
チャンバー１側に一纏めして設けることができるから、
各種配管を簡単、コンパクト化できるのであり、この場
合において、コアチャンバー１に対する各プラズマ表面
処理ユニット２の接合と同時に、例えば、着脱自在な管
継ぎ手等にて、前記各供給源配管１３，１４，１５，１
６に対して各処理用ガス配管１７，１８，１９，２０を
接続するように構成することにより、各プラズマ表面処
理ユニットのコアチャンバーに対する着脱に際しての作
業性を大幅に向上できるのである。
理用ガスの供給源配管１３，１４，１５，１６を設け
て、この各供給源配管１３，１４，１５，１６に、前記
プラズマ表面処理ユニット２における処理用ガスの供給
制御手段１２への各種処理用ガス配管１７，１８，１
９，２０を着脱自在に接続すると言う構成にしたことに
より、前記各供給源配管１３，１４，１５，１６をコア
チャンバー１側に一纏めして設けることができるから、
各種配管を簡単、コンパクト化できるのであり、この場
合において、コアチャンバー１に対する各プラズマ表面
処理ユニット２の接合と同時に、例えば、着脱自在な管
継ぎ手等にて、前記各供給源配管１３，１４，１５，１
６に対して各処理用ガス配管１７，１８，１９，２０を
接続するように構成することにより、各プラズマ表面処
理ユニットのコアチャンバーに対する着脱に際しての作
業性を大幅に向上できるのである。
【図１】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図２】コアチャンバーからプラズマ表面処理ユニット
を切り離した状態を示す斜視図である。
を切り離した状態を示す斜視図である。
１ コアチャンバー ２ プラズマ表面処理ユニット ２ａ 表面処理室 ３ ゲート弁 ４ 出入れチャンバー ５ ゲート弁 ８ 半導体基板 ９ マガジン １１ ハンドラー １２ 処理用ガスの供給制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BD01 DA02 DA06 DC35 DC48 KA01 5F004 AA16 BB13 BB14 BB18 BC06 BC08 CA09 5F045 AA08 AA09 AF03 BB10 DQ17 EB02 EB09 EC07 EE01 EN04 HA24
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマによる表面処理室を備えたプラズ
マ処理ユニットの少なくとも一つと、このプラズマ処理
ユニットをゲート弁を介して接続したコアチャンバー
と、前記コアチャンバーに送り込まれた半導体基板を一
枚ずつ前記プラズマ処理ユニットにおける表面処理室に
出し入れするようにしたハンドラーと、前記プラズマ処
理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段とから成
るプラズマ表面処理装置において、 前記プラズマ表面処理ユニットを、これに当該プラズマ
表面処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段を
取り付けた状態で、前記コアチャンバーから切り離でき
るように構成したことを特徴とする半導体基板に対する
プラズマ表面処理装置。 - 【請求項２】前記請求項１において、前記プラズマ表面
処理ユニットに、当該プラズマ表面処理ユニットに対す
る高周波及びマイクロ波の制御手段と排出ガス制御手段
のうちいずれか一方又は両方を装着することを特徴とす
る半導体基板に対するプラズマ表面処理装置。 - 【請求項３】前記請求項１において、前記コアチャンバ
ー側に、各種処理用ガスの供給源配管を設けて、この各
供給源配管に、前記プラズマ表面処理ユニットにおける
処理用ガスの供給制御手段への各種処理用ガス配管を着
脱自在に接続することを特徴とする半導体基板に対する
プラズマ表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076392A JP2000269149A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11076392A JP2000269149A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269149A true JP2000269149A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13604055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11076392A Pending JP2000269149A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体基板に対するプラズマ表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269149A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101598A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP2005243858A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2009158733A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP2009200328A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US9493875B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-11-15 | Eugene Technology Co., Ltd. | Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11076392A patent/JP2000269149A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101598A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP4522795B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| JP2005243858A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| WO2005083753A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Tokyo Electron Limited | 半導体処理装置 |
| JP2009158733A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP2009200328A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US9493875B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-11-15 | Eugene Technology Co., Ltd. | Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus |
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