KR101966489B1

KR101966489B1 - 실리콘 미스트 억제제

Info

Publication number: KR101966489B1
Application number: KR1020157009008A
Authority: KR
Inventors: 겐지 다나카; 신지 이리후네; 요시노리 이노쿠치
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2012-09-27
Filing date: 2013-07-09
Publication date: 2019-04-05
Also published as: CN104662099A; KR20150064070A; CN107641367A; JP2014065877A; EP2902448A1; EP2902448A4; CN104662099B; US20150225577A1; EP2902448B1; US20170283653A1; WO2014050255A1; US10889728B2; JP5804568B2

Abstract

본 발명은 실리콘 미스트 억제효과가 우수하고, 또한 보존안정성이 우수한 조성물 및 경화물을 제공할 수 있는 실리콘 미스트 억제제를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 100~4000㎚ 범위의 체적평균 입자직경을 갖는, 유기 분말, 무기 분말, 및 무기·유기 복합체 분말로부터 선택되는 적어도 1종류로 이루어진 실리콘 미스트 억제제를 제공한다. 또한, 본 발명은 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 오르가노폴리실록산을 함유하는 무용제형 실리콘 조성물로서, 상기 실리콘 미스트 억제제를, 상기 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1~10 질량부가 되는 양으로 추가로 함유하는 무용제형 실리콘 조성물을 제공한다.

Description

실리콘 미스트 억제제{SILICONE MIST SUPPRESSING AGENT}

본 발명은 실리콘 미스트 억제제에 관한 것이다. 상세하게는 무용제형 (solvent-free) 실리콘 조성물을 고속도공으로 기재에 도포하는 공정에서, 실리콘 미스트의 발생을 억제할 수 있는 실리콘 미스트 억제제, 및 상기 실리콘 미스트 억제제를 함유하는 무용제형 실리콘 조성물에 관한 것이다.

각종 종이, 라미네이트지, 합성필름, 투명수지, 금속박 등의 기재표면에 실리콘 조성물을 도포함으로써, 기재표면의 고기능화가 실시되고 있다. 실리콘 조성물에는 유기용제 희석형, 무용제형 등이 있지만, 작업환경의 안전, 위생의 측면에서 무용제형 실리콘 조성물의 사용이 증가하고 있다. 기재에 무용제형 실리콘 조성물을 도공하는 공정, 특히 점착성 물질에 대한 박리성 경화피막을 형성하여 박리지를 제조하는 과정의 조성물의 도공공정에서, 코터(coater) 헤드 부분에서 실리콘 조성물이 안개형상으로 비산하는 것(실리콘 미스트)이 발생한다. 특히 고속도공을 실시하는 경우에는, 미스트의 발생이 증대되고 제조작업에 악영향을 미치며, 또한 코팅장치의 근처에서 작업, 노동하는 사람들에 대하여 산업위생상 및 안전상 문제가 된다. 따라서, 무용제형 실리콘 조성물을 기재상에 고속도공할 때 실리콘 미스트의 발생을 감소시키는 것이 요구되고 있어, 여러가지 실리콘 미스트 억제제가 개발되고 있다.

특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 알케닐기 함유 실록산과 폴리오르가노하이드로젠실록산을, 둘 중 어느 한쪽이 대과잉(SiH기/알케닐기의 몰비 또는 그의 역수가 4.6 이상)이 되는 배합비로 함유하는 혼합물과, 미리 백금촉매 등으로 반응시킨 부분적 부가물을 포함하는 조성물을, 열경화 무용제형 실리콘에 첨가함으로써 조성물을 고속 도공할 때의 미스트 발생량을 감소시킬 수 있는 것이 기재되어 있다.

그러나, 상기 조성물은 실리콘 미스트의 억제효과가 우수한 한편, 반응성이 풍부한 SiH기와 백금계 촉매가 조성물 중에 잔존하므로, 미스트 억제제 자신이 시간경과에 따라 증점된다는 문제가 있었다. 또한 상기 실리콘 미스트 억제제가 열경화 무용제형 실리콘 조성물에 첨가된 후에, 상기 실리콘 조성물이 시간경과에 따라 증점되어 겔화되는 문제가 있었다.

특허문헌 3에는, 유기수소 규소 화합물, 탄소수 2~14의 올레핀계 탄화수소기를 갖는 유기규소 화합물, 및 폴리프로필렌글리콜을 함유하는 혼합물을 칼륨 실라놀레이트로 처리한 조성물을, 열경화 무용제형 실리콘 조성물에 첨가함으로써, 고속도공시의 미스트량이 감소될 수 있는 것이 기재되어 있다. 그러나, 상기 조성물도 실리콘 미스트 억제효과는 우수하지만, 폴리프로필렌글리콜 등의 화합물을 첨가함으로써 박리물품으로서 가공한 경우에 상기 조성물이 이행(移行) 성분이 되어 박리성능이 손상되는 문제가 있었다.

일본 공표특허공보 제2004-501262호 일본 공표특허공보 제2004-501264호 미국 특허공보 제5625023호

따라서, 본 발명자들은 실리콘 미스트 억제효과가 우수하고, 또한 보존안정성이 우수한 조성물 및 경화물을 제공할 수 있는, 실리콘 미스트 억제제를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위한 예의 검토를 거듭한 결과, 일정한 평균입자직경을 갖는 유기분체, 무기분체, 및 무기·유기 복합체 분체로부터 선택되는 적어도 1종류로 이루어진 분말이, 실리콘 미스트의 발생을 현저하게 억제할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 이루기에 이르렀다. 또한, 상기 분말은 소량으로도 미스트 억제효과를 발휘할 수 있고, 시간경과에 따라 무용제형 실리콘 조성물의 증점을 일으키지 않고, 또한 경화피막의 물성변화 등의 문제를 일으키지 않는 것을 발견했다.

즉, 본 발명은 100~4000㎚의 범위에 있는 체적평균 입자직경을 갖는 유기 분말, 무기 분말, 및 무기·유기 복합체 분말로부터 선택되는 적어도 1종류로 이루어진 실리콘 미스트 억제제를 제공한다. 또한 본 발명은, 상기 실리콘 미스트 억제제를 함유하는 무용제형 실리콘 조성물을 제공한다.

본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 실리콘 미스트 억제효과가 우수하다. 그 때문에, 고속도공에 의한 실리콘 조성물의 도공공정에서 충분한 미스크 억제효과를 발휘할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제를 포함하는 무용제형 실리콘 조성물은, 경시적으로 증점되지 않고, 또한 얻어지는 경화피막의 물성이 시간경과에 따라 변화되는 일이 없다. 따라서, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 무용제형 실리콘 조성물의 미스트 억제제로서 바람직하다.

Ⅰ. 실리콘 미스트 억제제

본 발명은 첫번째로, 실리콘 미스트 억제제를 제공한다. 본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 100~4000㎚의 범위에 있는 체적평균 입자직경을 갖는 유기 분말, 무기 분말 및 무기·유기 복합체 분말로부터 선택되는 적어도 1종류로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 바람직하게는 200~2500㎚의 범위, 더욱 바람직하게는 300~2000㎚의 범위에 있는 체적평균 입자직경을 갖는다. 체적평균 입자직경이 상기 하한값 미만에서는 분말의 응집성이 높아져서, 실리콘 조성물 중에 분말을 균일하게 분산할 수 없게 되어 미스트 억제효과가 부족하게 된다. 체적평균 입자직경이 상기 상한값 초과에서는, 미스트 발생의 원인인 안개 형상의 실리콘 오일 중에 분말 자체가 존재할 수 없게 되어, 미스트 억제효과가 부족해진다. 또한, 본 발명에서 체적평균 입자직경이라는 것은, 레이저 회절·산란법에 의해 얻은 체적기준의 평균 입자직경을 의미한다. 체적평균 입자직경은 레이저 회절/산란식 입자도분포 측정장치로 할 수 있다. 예를 들어, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼제의 LA-920이나, 닛키소 가부시키가이샤제의 마이크로트랙 MT 3000에 의해 측정할 수 있다.

유기 분말, 무기 분말 및 무기·유기 복합체 분말의 종류 및 형상은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 분말을 사용할 수 있다. 예를 들어, 구형상, 방추형상, 편평형상, 입자표면에 볼록부가 있는 형상, 입자표면에 오목부가 있는 형상, 부정형상, 입자가 2개 이상 직쇄형상으로 연결된 형상, 입자가 2개 이상 응집된 형상 등을 갖는 분말을 들 수 있다. 그 중에서도, 구형상이 바람직하다. 입자의 형상은 상기 입자를 전자현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있다. 분말은 2종류 이상을 포함하는 복합분말이어도 상관없다. 이하, 각 분말에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.

1. 유기 분말

유기 분말의 종류는 상기 평균입자직경을 갖는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 특히, 유기 분말의 입자직경 분포를 작게 하기 위해, 유화중합 또는 미세 현탁 중합되어 있는 것이 바람직하다. 유기 분말로서는, 폴리(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 페놀계 수지, 우레탄계 수지, 나일론계 수지, 비닐계 수지, 아크릴아미드계 수지, 셀룰로스계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 및 4불화 에틸렌수지(PTFE) 등의 불소폴리머 등의 분말을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로, 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 그 중에서도, 불소 폴리머, (메타)아크릴 폴리머, 폴리에틸렌, 또는 폴리스티렌의 분말이 바람직하고, 특히 불소 폴리머를 주성분으로 하는 분말, 및 (메타)아크릴 폴리머를 주성분으로 하는 분말이 바람직하다. 이들의 시판품으로서는, 가부시키가이샤 기타무라사제의 KT/KTL시리즈(4불화 에틸렌 수지의 미분말), 및 소켄가가쿠 가부시키가이샤제의 MP시리즈(아크릴 초미세분체)를 사용할 수 있다.

2. 무기 분말

무기 분말의 종류는 상기 평균입자직경을 갖는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 무기 분말로서는, 카본, 알루미늄, 알루미나, 탄화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 석영분말, 카본블랙, 흄드 실리카, 소수화 흄드 실리카, 침강법 실리카, 소수화 침강법 실리카, 용융 실리카, 규조토, 탈크, 탄산칼슘, 산화아연, 이산화티탄, 산화철, 탄산망간, 및 수산화세륨 등의 분말을 사용할 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로, 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.

3. 무기·유기 복합체 분말

무기·유기 복합체 분말로서는, 실리콘 입자의 분말을 사용할 수 있다. 상기 실리콘 입자의 종류는 상기 평균입자직경을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 실리콘 입자를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 실리콘 고무 입자, 폴리오르가노실세스퀴옥산(polyorganosilsesquioxane) 입자, 실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자, 및 실란 표면 처리 실리카계 입자를 들 수 있다. 이들 실리콘 입자는 1 종류를 단독으로, 또는 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 이하, 각 실리콘 입자에 대해서 상세하게 설명한다.

(1) 실리콘 고무 입자

실리콘 고무 입자는 고무탄성을 갖고, 끈적거림이 없는 실리콘 경화물의 입자이다. 실리콘 고무 입자는 종래 공지의 것을 사용할 수 있고, 그 구조는 특별히 한정되는 것은 아니다. 특히, 경화성 액상 실리콘 조성물의 경화물이다. 상기 실리콘 고무 입자의 고무 경도는, JIS K 6253에 규정되어 있는 타입 A 듀로미터에 의한 측정으로 5 이상, 보다 바람직하게는 10 이상, 더욱 바람직하게는 20 이상인 것이 좋다. 고무 경도의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 통상 90 이하, 특히 80 이하이다. 고무 경도가 상기 하한값 미만이면, 실리콘 고무 입자의 응집성이 강해지고, 무용제형 실리콘 조성물에 대한 분산성이 나쁘며, 미스트 억제성능이 부족해지는 경우가 있다.

실리콘 고무 입자의 제조방법은 종래 공지의 방법에 따르면 좋다. 상기 방법으로서는, 경화성 액상 실리콘 조성물을 축합 반응, 라디칼 반응 및 부가 반응에 의해 경화하여 제조하는 방법을 들 수 있다. 상세하게는, 메톡시실릴기(≡SiOCH₃)와 히드록시실릴기(≡SiOH)와의 축합 반응, 히드로실릴기(≡SiH)와 히드록시실릴기(≡SiOH)와의 축합 반응, 머캅토프로필실릴기(≡Si-C₃H₆SH)와 비닐실릴기(≡SiCH=CH₂)와의 라디칼 반응, 및 비닐실릴기(≡SiCH=CH₂)와 히드로실릴기(≡SiH)와의 부가 반응에 의한 것이 예시된다. 특히, 반응성의 측면에서, 축합 반응 또는 부가 반응에 의해 경화하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 부가반응을 사용하여 구상의 실리콘 고무 입자를 제조하는 방법으로서는, 일본 공개특허공보 소62-243621호, 일본 공개특허공보 소62-257939호 및 일본 공개특허공보 소63-17959호 공보에 기재되어 있는 방법을 사용할 수 있다. 일본 공개특허공보 소62-243621호에는, 1 분자 중에 1가 올레핀성 불포화기를 적어도 2개 갖는 오르가노폴리실록산, 1 분자 중에 규소원자에 결합된 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및 백금계 촉매로 이루어진 경화성 액상 실리콘 조성물을, 계면활성제를 사용하여 온도 0~25℃의 범위에서 유화하여 수성 에멀전으로 한 후, 25℃ 이상의 물에 분산하고, 경화시킴으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다. 일본 공개특허공보 소62-257939호에는, 1 분자 중에 1가 올레핀성 불포화기를 적어도 2개 갖는 오르가노폴리실록산과, 1분자 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로 이루어진 경화성 액상 실리콘 조성물을, 계면활성제를 사용하여 수성 에멀전으로 한 후, 백금계 촉매를 첨가하여 경화시킴으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다. 일본 공개특허공보 소63-17959호 공보에는, 1 분자 중에 1가 올레핀성 불포화기를 적어도 2개 갖는 오르가노폴리실록산, 1 분자 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및 백금계 촉매로 이루어진 경화성 액상 실리콘 조성물을, 온도 -60℃ ~ +5℃의 범위에서 혼합하고, 상기 혼합물을 온도 80~200℃의 열풍 중에 분무하여 분무상태에서 경화시킴으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다.

상기 실리콘 고무 입자로서는, 특히 -(R¹ ₂SiO₂ _/2)_n-으로 표시되는 직쇄상 오르가노실록산 블럭을 갖는 오르가노폴리실록산의 경화물을 들 수 있다. 상기 식 중의 R¹은 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~30, 바람직하게는 1~20의 1가 탄화수소기이다. R¹으로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기(=에이코실기), 헨이코실기(=헨에이코실기), 도코실기, 트리코실기, 테트라데실기, 트리아콘틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기; 및 이들 기의 탄소 원자에 결합된 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자(불소 원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드 원자) 및/또는 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 에폭시기, 글리시독시기, 카르복실기 등으로 치환한 기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기가 바람직하다. n은 5~5,000의 정수, 바람직하게는 10~3,000의 정수이다.

(2) 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자

폴리오르가노실세스퀴옥산 입자는 3관능성 실란을 가수분해 및 축합반응함으로써 얻어지는 3차원 그물형상 가교구조를 갖는, 레진형상 고체물의 입자이다. 본 발명에서 상기 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자는 종래 공지의 것을 사용할 수 있고, 그 구조는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 무용제형 실리콘 조성물에 용해되지 않고, 또한 융점이 80℃ 이상 또는 융점을 갖지 않는 것이 바람직하다.

상기 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자의 제조는 종래 공지의 방법에 따르면 좋다. 예를 들어, 일본 공고특허공보 소40-16917호, 일본 공개특허공보 소63-77940호, 일본 공개특허공보 평4-88023호에 기재되어 있는 방법을 사용할 수 있다. 일본 공고특허공보 소40-16917호에는, 수용성 알칼리성 물질을 함유하는 물에, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란 및 그 혼합물로부터 선택되는 실란을, 교반하면서 첨가함으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다. 일본 공개특허공보 소63-77940호에는, 메틸트리알콕시실란 및/또는 그의 부분가수분해 축합물을 상층으로 하고, 암모니아 또는 아민의 수용액을 하층으로 하여, 이들의 계면에서 메틸트리알콕시실란 및/또는 그의 부분가수분해 축합물을 가수분해·축합 반응시킴으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다. 일본 공개특허공보 평4-88023호에는, 메틸트리알콕시실란 및/또는 그의 부분 가수분해 축합물과 물을 교반하여, 균일 용액으로 한 후, 알칼리를 첨가함으로써 제조하는 방법이 기재되어 있다.

상기 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자는 특히 R²SiO_3/2로 표시되는 단위가 3차원 그물형상으로 가교된 구조를 갖는다. 상기 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자는 상술한 바와 같이 알콕시실란, 실라놀기 함유 실란, 또는 이들의 부분 가수분해 축합물을 가수분해 및 축합 반응시킴으로써 제조되므로, 구조 중에 미반응의 실라놀기가 잔존하는 경우가 있다. 그 때문에, 구조중에 R²Si(OH)O_2/2로 표시되는 단위를 포함하고 있어도 좋다.

상기 식에서 R²는, 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~6의 1가 탄화수소기이다. 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기(=에이코실기) 등의 알킬기; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기; 및 이들 기의 탄소 원자에 결합된 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자) 등의 원자 및/또는 아미노기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 에폭시기, 글리시독시기, 머캅토기, 카르복실기 등의 치환기로 치환한 탄화수소기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구형상의 입자를 얻기 위해서는 R²의 50몰% 이상, 바람직하게는 80몰% 이상, 보다 바람직하게는 90몰% 이상이 메틸기, 비닐기, 페닐기, 아크릴로일옥시알킬기, 또는 클로로알킬기인 것이 바람직하다.

상기 폴리오르가노실세스퀴옥산은 R²SiO_3/2 단위 이외에, R² ₂SiO_2/2단위, R² ₃SiO_1/2 단위 및 SiO_4/2단위 중 적어도 1종을 포함하고 있어도 좋다. R²는 상술한 바와 같다. 폴리오르가노실세스퀴옥산 중의 R²SiO_3/2단위의 함유율은, 전체 실록산 단위 중, 바람직하게는 40~100몰%, 보다 바람직하게는 80~100몰%, 더욱 바람직하게는 90~100몰%이다.

(3) 실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자

실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있고, 그 구조는 특별히 한정되는 것은 아니다. 실리콘 고무 입자로서는, 상술한 실리콘 고무 입자와 동일한 구조를 들 수 있다. 폴리오르가노실세스퀴옥산으로서는, 상술한 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자와 동일한 구조를 들 수 있다.

실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자의 제조는, 종래 공지의 방법에 따르면 좋다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 평7-196815호에 기재되어 있는 방법을 사용할 수 있다. 상세하게는, 실리콘 고무 구형상 입자의 수분산액에, 알칼리성 물질 또는 알칼리성 수용액과, 오르가노트리알콕시실란을 첨가하고, 가부분해 및 축합 반응시키는 방법이다.

실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자는, 실리콘 고무 입자 100 질량부에 대한 폴리오르가노실세스퀴옥산의 양이 0.5~25 질량부, 바람직하게는 1~15 질량부의 범위인 것이 바람직하다.

(4) 실란 표면처리 실리카계 입자

실란 표면처리 실리카계 입자라는 것은, 실리카 입자의 표면에 존재하는 실라놀기 또는 알콕시기 등의 반응성기를 소수화하기 위해, 실란 화합물로 표면 처리된 실리카 입자이다. 상기 실란 표면처리 실리카계 입자는 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, SiO₂단위로 이루어진 친수성 실리카 입자와, R₃SiNHSiR₃로 표시되는 실라잔 화합물 및/또는 R₃SiOR’로 표시되는 실란 화합물을 반응시키고, 실리카 입자의 표면에 R₃SiO_1/2단위를 도입함으로써 얻어지는, 소수성 실리카 입자를 들 수 있다. 식 중에서, -OR’은 OH기, 또는 가수분해성기이다. 가수분해성기로서는, 탄소수 1~10, 바람직하게는 탄소수 1~6의 알콕시기 또는 알콕시알콕시기를 들 수 있다. R은 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~20의 1가 탄화수소기이다. R로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 나노데실기, 이코실기 등의 알킬기; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기; 및 이들 기의 탄소 원자에 결합된 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자) 등의 원자 및/또는 아미노기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 에폭시기, 글리시독시기, 머캅토기, 카르복실기 등의 치환기로 치환한 탄화수소기 등을 들 수 있다.

상기 실란 표면처리 실리카 입자의 제조는 종래 공지의 방법을 따르면 좋다. 예를 들어, 일본 특허 제3612259호 공보, 일본 특허 제3756339호 공보에 기재되어 있는 방법을 사용할 수 있다. 상세하게는 Si(OR)₄로 표시되는 4관능성 실란 화합물 또는 그의 가수분해물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을, 메탄올이나 에탄올 등의 친수성 용매, 물, 및 암모니아 또는 유기 아민 등의 염기성 화합물의 혼합용액 중에서 가수분해 및 축합 반응하여 얻어진 친수성 실리카 미립자 분산액에, R₃SiNHSiR₃로 표시되는 실라잔 화합물 및/또는 R₃SiOR’로 표시되는 실란 화합물을 첨가하고 반응시켜, 실리카 입자표면에 존재하는 실라놀기를 소수화하는 방법이다.

Ⅱ. 무용제형 실리콘 조성물

본 발명은 두번째로, 상기 실리콘 미스트 억제제를 포함하는 무용제형 실리콘 조성물을 제공한다. 상기 무용제형 실리콘 조성물은 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 오르가노폴리실록산을 함유하는 조성물이다. 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은, 상술한 본 발명의 실리콘 미스트 억제제를, 상기 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1~10 질량부, 바람직하게는 0.2~9 질량부가 되는 양으로 함유한다. 실리콘 미스트 억제제의 양이 상기 상한값을 초과해도, 미스트 억제효과는 그 이상 향상되지 않는 경우가 있다. 또한, 상기 하한값 미만에서는, 미스트 억제효과가 충분히 발휘되지 않는다.

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물에서, 오르가노폴리실록산은 롤코팅, 분사 등에 의해, 각종 종이, 라미네이트지, 합성 필름, 투명 수지, 금속박 등의 기재표면에 도포할 수 있도록, 유동성의 점조도(粘稠度)를 가질 필요가 있다. 따라서, 상기 오르가노폴리실록산은 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도, 더욱 바람직하게는 50~30,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 것이 좋다. 점도가 상기 하한값보다 낮으면, 롤 코팅하는 경우에 액 맺힘이 심해져, 도공 자체가 곤란해진다. 또한 점도가 상기 상한값보다 높아지면, 롤 코팅으로 도공을 실시하는 경우, 코터에 높은 압력이 가해져, 도공이 곤란해진다. 또한, 본 발명에서 오르가노폴리실록산의 점도는 BN형 회전점도계를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다(이하, 동일).

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물에 포함되는 오르가노폴리실록산의 종류는, 상기 점도를 갖고 있고, 조성물을 기재 등에 도공한 후에 경화할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않고, 종래 공지의 오르가노폴리실록산을 사용할 수 있다. 예를 들어, 가열 또는 방사선 조사에 의해 경화할 수 있는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다. 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 열경화형 또는 방사선 경화형인 것이 좋다.

1. 열경화형의 무용제형 실리콘 조성물

열경화형 오르가노폴리실록산으로서는, 히드로실릴화 반응(부가반응)에 의해 경화되는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다. 오르가노폴리실록산이 부가경화형인 경우, 상기 오르가노폴리실록산은 (a-1) 1 분자 중에 적어도 2개의, 규소 원자에 결합된 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 오르가노폴리실록산인 것이 좋다. 또한, 이 때, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 또한 (b-1) 1 분자 중에 적어도 2개의, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및 (c-1) 부가반응 촉매를 함유하는 것이 좋다. 이하, 각 성분에 대해서 상세하게 설명한다.

(a-1) 부가경화형 오르가노폴리실록산

부가경화형 오르가노폴리실록산은, 1 분자 중에 적어도 2개의, 규소 원자에 결합된 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는다. 상기 오르가노폴리실록산은 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도, 바람직하게는 50~30,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 것이면 좋고, 종래 공지의 오르가노폴리실록산을 사용할 수 있다. 특히, 상기 오르가노폴리실록산은 규소 원자에 결합된 지방족 불포화 탄화수소기를, 100g 중에 0.002~0.6㏖, 더욱 바람직하게는 0.005~0.3㏖이 되는 양으로 포함하는 것이 좋다.

상기 오르가노폴리실록산은 예를 들어, 하기 평균조성식인 화학식 1로 표시할 수 있다.

상기 화학식 1에서, R³는 서로 독립적으로, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는, 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~18, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기이다. R⁴는 서로 독립적으로, 탄소수 2~10, 바람직하게는 2~8의, 지방족 불포화 결합을 갖는 1가 탄화수소기이고, 바람직하게는 -(CH₂)_c-CH=CH₂ (c는 0~6)으로 표시되는 알케닐기이다. a는 0≤a＜3을 만족하는 정수, b는 0＜b≤3을 만족하는 정수, 단 1≤a+b≤3이고, 바람직하게는 a는 0.5≤a≤2.5를 만족하는 정수, b는 0.0002≤b≤1을 만족하는 정수, 단 1.5≤a+b≤2.5이다.

R³로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 헥사데실기, 옥타데실기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 나프틸기, 톨릴기 등의 아릴기; 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합된 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자, 시아노기, 수산기 등으로 치환한 기, 예를 들어 클로로메틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노프로필기, 페놀기, 힌더드(hindered) 페놀기 등이 예시된다. 본 발명에서는 탄소수 1~8의 알킬기 및 페닐기가 바람직하고, 특히 메틸기가 바람직하며, 전체 R³의 50㏖% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다. R⁴로서는, 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기 등을 들 수 있지만, 불포화 결합이 말단에 있는 것, 즉 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 3-부테닐기, 4-펜테닐기 등이 바람직하고, 보다 바람직하게는 비닐기 및 알릴기이다.

상기 오르가노폴리실록산의 구조는 특별히 제한되는 것은 아니고, 직쇄상, 분지쇄상, 분지쇄 구조를 갖는 직쇄상 등의 것이어도 좋다. 바람직하게는 직쇄상이다. 또한, 그 말단은 예를 들어 메틸기, 수산기, 알케닐기, 페닐기, 아크릴옥시알킬기, 알콕시기 등 중 어떤 유기기이어도 좋지만, 바람직하게는 알케닐기이다. 특히, 양말단에 비닐기를 갖는, 직쇄상 디알킬폴리실록산이 바람직하다.

(b-1) 오르가노하이드로젠폴리실록산

오르가노하이드로젠폴리실록산은 1 분자 중에 규소 원자에 결합된 수소 원자 (이하 SiH기라고 부름)를, 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상, 특히 3~10개 갖는 것이다. 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산은 촉매 존재하에서 상기 (a-1) 오르가노폴리실록산과 부가 반응함으로써 경화 피막을 형성할 수 있는 것이면 좋고, 종래 공지의 오르가노하이드로젠폴리실록산을 사용할 수 있다. 특히, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산은 25℃에서의 점도 2~5000mPa·s, 바람직하게는 3~3000mPa·s을 갖는 것이 바람직하다.

상기 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서는, 하기 화학식 2로 표시할 수 있다.

상기 화학식 2에서, R⁵는 서로 독립적으로, 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는, 비치환 또는 치환의, 탄소수 1~10, 바람직하게는 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 또는 수산기이다. 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 페닐기 등의 아릴기, 및 이들 기의 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자 등으로 치환한, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기를 들 수 있다. 바람직하게는, 모든 R⁵의 80% 이상이 메틸기이다. c, d는 0.5≤c≤1.5, 0.5≤d≤1.5, 및 0≤c+d≤3을 만족하는 정수, 특히 0.8≤c≤1, 0.8≤d≤1, 및 1.6≤c+d≤2를 만족하는 정수인 것이 바람직하다. 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산의 구조는 특별히 제한되는 것은 아니고 직쇄상, 분지쇄상, 분지쇄 구조를 갖는 직쇄상 등 중 어느 것이어도 좋다. 바람직하게는 직쇄상이다.

(b-1) 폴리오르가노하이드로젠실록산의 배합량은, (a-1) 성분 중의 지방족 불포화기의 갯수에 대한 (b-1)성분 중의 SiH기의 갯수의 비가 0.5~10, 바람직하게는 1~5가 되는 양인 것이 좋다. (b-1) 성분의 양이 상기 범위 내에 있는 것에 의해, 충분한 경화성을 얻을 수 있으므로 바람직하다.

(c-1) 부가반응 촉매

부가반응 촉매는 (a-1)성분과 (b-1)성분과의 부가반응을 촉진하기 위한 촉매이고, 종래 공지의 부가반응 촉매를 사용하면 좋다. 특히, 백금족 금속계 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 백금족 금속계 촉매로서는, 예를 들어 백금계, 파라듐계, 로듐계, 루테늄계 등의 촉매를 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 백금계 촉매가 바람직하게 사용된다. 백금계 촉매로서는, 예를 들어 염화백금산, 염화백금산의 알콜 용액 또는 알데히드 용액, 염화백금산의 각종 올레핀 또는 비닐실록산과의 착체 등을 들 수 있다.

부가반응촉매의 첨가량은 유효량이면 좋다. 유효량이라는 것은, (a-1)성분과 (b-1)성분과의 부가반응을 진행시켜 조성물을 경화시키는 데에 유효한 양이다. 특히, (a-1)성분 및 (b-1)성분의 합계 질량부에 대해서, 금속환산량(질량부)으로서 1~2000ppm, 바람직하게는 2~1500ppm으로 하는 것이 바람직하다. 상기 범위에 있음으로써, 양호한 경화피막을 얻을 수 있다. 또한, 경제적인 견지로부터도 바람직하다.

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 상기 (a-1)성분 ~ (c-1)성분에 추가하여, 임의로 포트 라이프(pot life) 연장제를 함유할 수 있다. 포트 라이프 연장제는 (a-1)성분, (b-1)성분 및 (c-1)성분을 혼합한 후, 롤 코팅을 실시할 때까지의 포트 라이프를 확보하기 위해 기능한다. 상기 포트 라이프 연장제는 종래 공지의 것을 사용하면 좋다. 예를 들어, 아세틸렌 화합물, 말레산 에스테르, 푸마르산 에스테르, 불포화 아미드, 불포화 이소시아네이트, 불포화 탄화수소 디에스테르, 히드로퍼옥시드, 니트릴 및 디아지리딘 등을 들 수 있다. 아세틸렌 화합물로서는, 예를 들어 1-에티닐시클로헥산-1-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜텐-4-인-3-올 및 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등을 들 수 있다.

포트 라이프 연장제의 양은 양호한 욕(浴) 안정성이 얻어지는 양이면 좋고, 특별히 제한되지 않는다. 통상, (a-1)성분 및 (b-1)성분의 합계 100 질량부에 대해서, 0.01~10 질량부, 바람직하게는 0.05~5 질량부로 사용된다.

상기 열경화형의 무용제형 실리콘 조성물의 경화조건은, 특별히 제한되지 않지만, 통상 30℃~250℃, 특히 50~200℃에서 1초~5분으로 경화할 수 있다.

2. 방사선 경화형의 무용제형 실리콘 조성물

방사선 경화형의 오르가노폴리실록산으로서는, 양이온 중합이나 라디칼 중합에 의해 경화되는 오르가노폴리실록산을 들 수 있다. 오르가노폴리실록산이 양이온 중합형인 경우, 오르가노폴리실록산은 (a-2) 1분자중에 적어도 1개의 에폭시기를 갖는 오르가노폴리실록산인 것이 좋다. 또한 이 때, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 또한 (b-2) 광 양이온 중합개시제를 함유하는 것이 좋다. 오르가노폴리실록산이 라디칼 중합형인 경우, 오르가노폴리실록산은 (a-3) 1 분자 중에 적어도 1개의 (메타)아크릴기를 갖는 오르가노폴리실록산인 것이 좋다. 또한 이때, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 또한 (b-3) 광라디칼 중합개시제를 함유하는 것이 좋다. 이하, 각 성분에 대해서 상세하게 설명한다.

(a-2) 양이온 중합형 오르가노폴리실록산

양이온 중합형 오르가노폴리실록산은 1분자 중에 적어도 1개의 에폭시기를 갖고, 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도, 바람직하게는 50~30,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 것이면 좋고, 종래 공지의 오르가노폴리실록산을 사용할 수 있다. 특히, 상기 오르가노폴리실록산은 에폭시기의 양이, 상기 오르가노폴리실록산이 갖는 전체 규소원자의 합계 몰량에 대해서 1~50㏖%, 보다 바람직하게는 2~45㏖%, 더욱 바람직하게는 3~40㏖%인 것이 좋다. 에폭시기의 양이 상기 하한값 미만이면, 경화속도가 늦어져 경화 불량이 될 우려가 있다.

상기 오르가노폴리실록산은 예를 들어 하기 화학식 3으로 표시할 수 있다.

상기 화학식 3에서, R⁶는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~18, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 또는 수산기이다. 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 히드록시기, 시아노기, 할로겐 원자 등으로 치환한 히드록시프로필기, 시아노에틸기, 1-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R⁶의 80㏖% 이상이 알킬기인 것이 바람직하고, 특히 메틸기인 것이 보다 바람직하다.

상기 화학식 3에서, R⁷은 서로 독립적으로, 에폭시기를 갖는 유기기이고, 하기 화학식으로 표시되는 기로부터 선택되는 것이 바람직하다.

상기 화학식 3에서, e 및 f는 각각, e＞0, f＞0, 및 0＜e+f≤3을 만족하는 정수이다. 바람직하게는 e는 1.6≤e≤2.4, 보다 바람직하게는 1.65≤e≤2.35, 더욱 바람직하게는 1.7≤e≤2.3을 만족하는 정수이고, f는 0.01≤f≤0.3, 보다 바람직하게는 0.2≤f≤0.25, 더욱 바람직하게는 0.3≤f≤0.2를 만족하는 정수이다.

(b-2) 광 양이온 중합개시제

광 양이온 중합개시제는 광에 의해 (a-2) 오르가노폴리실록산의 중합반응을 개시할 수 있는 화합물이면 좋고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 화학식 4로 표시되는 구조를 갖는 오늄염을 들 수 있다.

화학식 4에서, Y는 S, Se, Te, P, As, Sb, Bi, O, I, Br, Cl 또는 N₂이고, R⁸, R⁹, R¹⁰ 및 R¹¹은 동일 또는 다른 유기기이며, a, b, c 및 d는 각각 0~3의 정수이고, (a+b+c+d)는 Y의 가수(價數)와 동등하다. 여기에서, R⁸~R¹¹의 유기기로서는, 예를 들어 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; C₁~C₁₈의 알킬기에 의해 모노 및 폴리 치환된 아릴기; 페녹시페닐기; 티오페닐페닐기; 피리딜기, N-메틸피리딜, 인돌릴기 등의 복소고리기; 메톡시페닐기, 이소프로폭시페닐기 등의 아릴옥시기; 4-메톡시피리딜기 등의 복소고리 옥시기 등이 예시된다. M은 할로겐화물 착체 {MZ_n+m}의 중심원자를 구성하는 금속 또는 메탈로이드이고, 예를 들어 B, P, As, Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ca, In, Ti, Zn, Sc, V, Cr, Mn, Co 등이다. Z는 예를 들어 F, Cl, Br 등의 할로겐 원자이고, m은 할로겐화물 착체 이온의 순 전하(net electric charge)이고, n는 M의 원자가이다.

상기 광 양이온 중합개시제로서, 특히 R₂I⁺X^-, R₃S⁺X^-, R₃Se⁺X^-, R₄P⁺X^-, 또는 RN⁺ ₂X^-로 표시되는, 디아릴요오드늄염, 트리아릴설포늄염, 트리아릴셀레노늄염, 테트라아릴포스포늄염, 아릴디아조늄염이 바람직하다. 상기 식에서, R은 페닐기, 톨릴기, 4-(에틸)페닐기 등, C₁~C₁₈의 알킬기에 의해 모노 및 폴리 치환된 아릴기; 피리딜기, N-메틸피리딜, 인돌릴기 등의 복소고리기; 메톡시페닐기, 이소프로폭시페닐기 등의 아릴옥시기; 4-메톡시피리딜기 등의 복소고리 옥시기로부터 선택되는 기이다. R은 서로 결합되어 고리 구조를 형성하고 있어도 좋다. X^-는 SbF₆ ^-, AsF₆ ^-, PF₆ ^-, BF₄ ^-, HSO₄ ^-, ClO₄ ^- 등의 음이온이다. 그 중에서도, 경화반응성의 측면에서 디아릴요오드늄, 트리아릴설포늄의 육불화 안티몬산염이 바람직하다.

광 양이온 중합개시제로서는, 하기 화학식 5로 표시되는 불소화 알킬 플루오로인산염을 사용할 수도 있다.

상기 화학식 5에서, [(Rf)_pPF₆ _-p]는 불소화 알킬 플루오로인산 음이온이고, Rf는 불소화 알킬기이며, 탄소수 1~8, 바람직하게는 1~4의 알킬기의, 탄소 원자에 결합되는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기이다. 상기 알킬기로서는, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 옥틸 등의 직쇄 알킬기, 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸 등의 분지쇄 알킬기, 또한 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등의 시클로알킬기 등을 들 수 있다. 알킬기가 갖는 탄소 원자에 결합된 수소 원자 중 불소 원자로 치환된 수소 원자의 비율은, 통상 80㏖% 이상, 바람직하게는 90㏖% 이상, 더욱 바람직하게는 100㏖%이다. 불소 원자의 치환율이 상기 하한값 미만에서는, 본 발명의 오늄염의 양이온 중합 개시능이 저하될 우려가 있다.

상기 화학식 5에서, Rf는 바람직하게는 탄소수가 1~4인 알킬기의 탄소 원자에 결합되는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된, 직쇄상 또는 분지쇄를 갖는 퍼플루오로알킬기이다. 예를 들어, CF₃-, CF₃CF₂-, (CF₃)₂CF-, CF₃CF₂CF₂-, CF₃CF₂CF₂CF₂-, (CF₃)₂CFCF₂-, CF₃CF₂(CF₃)CF-, 및 (CF₃)₃C-를 들 수 있다. p는 1~5의 정수이고, 바람직하게는 2~4의 정수이고, 특히 바람직하게는 2 또는 3이다. 또한, 화학식 5에서, Rf는 서로 동일해도 좋고 달라도 좋다.

상기 [(Rf)_pPF_6-p]로 표시되는 음이온으로서 바람직하게는, [(CF₃CF₂)₂PF₄]^-, [(CF₃CF₂)₃PF₃]^-, [((CF₃)₂CF)₂PF₄]^-, [((CF₃)₂CF)₃PF₃]^-, [(CF₃CF₂CF₂)₂PF₄]^-, [(CF₃CF₂CF₂)₃PF₃]^-, [((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄]^-, [((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃]^-, [(CF₃CF₂CF₂CF₂)₂PF₄]^-, 및 [(CF₃CF₂CF₂CF₂)₃PF₃]^- 을 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 바람직하게는 [(CF₃CF₂)₃PF₃]^-, [(CF₃CF₂CF₂)₃PF₃]^-, [((CF₃)₂CF)₃PF₃]^-, [((CF₃)₂CF)₂PF₄]^-, [((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃]^-, 및 [((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄]^- 이다.

광 양이온 중합개시제는 양이온 중합성 오르가노폴리실록산으로의 용해를 용이하게 하기 위해, 미리 양이온 중합을 저해하지 않는 용제류에 녹여 두어도 좋다. 예를 들어, 헥산, 헵탄 등의 탄화수소류, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 1,2-부티렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 카보네이트류, 아세트산 에틸, 락트산 에틸, β-프로피오락톤, β-부티로락톤, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤, ε-카프로락톤 등의 에스테르류, 예를 들어 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르류, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 디부틸에테르 등의 디알킬에테르류, 아세토니트릴, 아세트산 에스테르 등을 들 수 있다. 용제를 사용하는 경우의 사용 비율은, 광 양이온 중합개시제의 농도가 1~95 질량%, 바람직하게는 5~90 질량%가 되도록 조정하면 좋다.

광이온 중합개시제의 첨가량은 유효량, 즉 광조사에 의해 (a-2) 오르가노폴리실록산을 경화시키는 데에 유효한 양이면 좋다. 통상, (a-2) 성분 100질량부에 대해서 0.05~20 질량부, 바람직하게는 0.01~15 질량부로 하면 좋다. 광 양이온 중합개시제의 양이 상기 상한값 초과에서는, 얻어지는 경화물이 충분한 강도를 갖지 않는 경우가 있고, 상기 하한값 미만에서는 조성물이 충분히 경화되지 않는 경우가 있다.

(a-3) 라디칼 중합형 오르가노폴리실록산

라디칼 중합형 오르가노폴리실록산은 1 분자 중에 적어도 1개의 (메타)아크릴기를 갖고, 25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도, 바람직하게는 50~30,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 것이면 좋고, 종래 공지의 오르가노폴리실록산을 사용할 수 있다. (메타)아크릴기의 양은 경화성의 면에서, 상기 오르가노폴리실록산이 갖는 전 규소원자의 합계몰에 대해서 1~50㏖%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2~45㏖%, 더욱 바람직하게는 3~40㏖%이다. (메타)아크릴기의 양이 상기 하한값 미만이면, 경화속도가 지연되고 경화불량이 될 우려가 있다.

상기 오르가노폴리실록산은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.

상기 화학식 6에서, R¹²는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환의, 탄소수 1~18, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 또는 수산기이다. 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자의 일부 또는 전부를 히드록시기, 시아노기, 할로겐 원자 등으로 치환한 히드록시프로필기, 시아노에틸기, 1-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 특히, R¹²의 80㏖% 이상이 알킬기인 것이 바람직하고, 특히 메틸기인 것이 바람직하다.

상기 화학식 6에서, R¹³은 탄소수 2~20의, (메타)아크릴기를 갖는 유기기이다. 상기 R¹³로 표시되는 기로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴레이트, 히드록시프로필아크릴레이트, 히드록시프로필메타크릴레이트, 히드록시부틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴아미드, 디에틸렌글리콜모노아크릴레이트, 펜타에리스리톨모노아크릴레이트, 펜타에리스리톨디아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트 등의 히드록시 관능성(메타)아크릴레이트 유도체, γ-아크릴옥시프로필, γ-메타크릴옥시프로필 등의 알킬옥시알킬 유도체 등을 들 수 있다.

상기 화학식 6에서, g 및 h는 g＞0, h＞0, O＜g+h≤3을 만족하는 정수이다. 바람직하게는, g는 1.6≤g≤2.4, 보다 바람직하게는 1.65≤g≤2.35, 더욱 바람직하게는 1.7≤g≤2.3을 만족하는 정수이고, h는 0.01≤h≤0.3, 보다 바람직하게는 0.2≤h≤0.25, 더욱 바람직하게는 0.3≤h≤0.2를 만족하는 정수이다.

(b-3) 광라디칼 중합개시제

광 라디칼 중합개시제는 상기 (a-3) 오르가노폴리실록산에 용해 가능하고, 방사선 조사에 의해 라디칼을 생성시키는 능력이 있으면 좋고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 광라디칼 중합개시제로서는, 예를 들어 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4’-이소프로필-2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 2-히드록시메틸-2-메틸프로피오페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-아지도벤잘아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판온-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 벤질, 아니실, 벤조페논, O-벤조일 벤조산 메틸, 미힐러 케톤(Michler's ketone), 4,4’-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4’-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4’-메틸디페닐설피드, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 비스(시클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(필-1-일)티타늄, 1-(4-(2-히드록시에톡시)페닐)-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등을 들 수 있다. 상기 광라디칼 중합개시제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

광라디칼 중합개시제의 양은 유효량, 즉, 광조사에 의해 (a-3)오르가노폴리실록산을 경화시키는 데에 유효한 양이면 좋다. 특히 (a-3)오르가노폴리실록산 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 0.05~20 질량부, 보다 바람직하게는 0.1~15 질량부인 것이 좋다. 광라디칼 중합개시제의 양이 상기 상한값 초과에서는, 얻어지는 경화물이 충분한 강도를 갖지 않는 경우가 있고, 상기 하한값 미만에서는 조성물이 충분히 경화되지 않는 경우가 있다.

상기 방사선 경화형 무용제형 실리콘 조성물의 경화는, 종래 공지의 방법에 따르면 좋고, 특별히 제한되지 않는다. 바람직하게는 방사선 에너지선으로서 고압 또는 초고압의 수은등, 메탈 할라이드 램프, 제논 램프, 카본 아크 램프, 형광등, 반도체 고체 레이저, 아르곤 레이저, He-Cd 레이저, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머레이저, F2 레이저 등으로부터 얻어지는, 자외~가시광 영역(약 100~약 800㎚)의 에너지선이 사용된다. 특히 바람직하게는, 200~400㎚의 영역에서 광 경도가 강한 방사선 광원이 좋다. 또한, 전자선, X선 등의 고에너지를 갖는 방사선을 사용할 수도 있다. 방사선 에너지의 조사시간은 통상은 상온에서 0.1초~10초 정도로 충분하지만, 에너지선의 투과성이 낮은 경우나 조성물의 막두께가 두꺼운 경우에는, 그 이상의 시간동안 실시하는 것이 바람직한 경우가 있다. 필요하다면 에너지선의 조사후, 실온~150℃로 수초~수시간 가열하여 후-경화(after-cure)해도 좋다.

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 상술한 각 성분 이외에, 임의성분으로서 종래 공지의 첨가제를 함유할 수 있다. 상기 첨가제로서는 예를 들어 실리콘 레진, 폴리디메틸실록산, 충전제, 대전방지제, 난연제, 소포제, 유동조정제, 광안정제, 비반응성 수지 및 라디칼 중합성 화합물 등을 들 수 있다. 첨가제의 배합량은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 적절하게 조정하면 좋다.

또한, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은, 필요에 따라서 용제와 합친 조성물로 해도 좋다. 상기 용제로서는 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸 등의 에스테르를 들 수 있다. 용제의 배합량은 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대해서 10~10,000 질량부, 바람직하게는 15~50,000 질량부인 것이 좋다.

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은, 상기 각 성분을, 동시에 또는 따로, 필요에 따라 가열처리를 하면서 교반, 용해, 혼합, 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 이들의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만 교반, 가열장치를 구비한 뇌궤기, 3본 롤, 볼 밀, 플라네터리 믹서 등을 사용할 수 있다. 이들 장치를 적절하게 조합시켜도 좋다.

본 발명은 또한, 상기 무용제형 실리콘 조성물을 각종 기재, 특히 시트상 기재상에 도포하고 경화시킴으로써, 무용제형 실리콘 조성물의 경화물로 이루어진 막을 갖는 물품을 제공한다. 예를 들어, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 박리지·박리필름용 박리제, 점착 라벨용 박리지의 코팅제, 점착 테입의 배면처리제, 또는 금속·플라스틱의 보호코팅제 등으로서 사용할 수 있다. 기재는 특별히 한정되는 것은 아니고, 상기 용도에 일반적으로 사용되고 있는 기재를 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재로서는 글라신지, 크래프트지, 클레이 코팅지, 상질지 등의 종이 기재, 폴리에틸렌 라미네이트지, 폴리에틸렌 라미네이트 크래프트지 등의 라미네이트지, 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리이미드 등의 합성수지로부터 얻어지는 플라스틱 필름 또는 시트, 폴리카보네이트 등의 투명수지, 및 알루미늄 등의 금속박 등을 들 수 있다.

기재에 본 발명의 조성물을 도포하는 방법은, 특별히 제한되는 것은 아니고, 롤 도포, 그라비어 도포, 와이어닥터 도포, 에어나이프 도포, 딥핑 도포 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다. 도포량은 용도에 따라서 적절하게 조정하면 좋다. 예를 들어, 박리지를 제공하는 경우에는 통상 0.05~3.0g/㎡ 정도로 하면 좋다.

본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제를 포함하지 않는 조성물과 비교하여, 실리콘 미스트 발생량을 현저하게 억제할 수 있다. 특히, 고속도공, 예를 들어 도공속도 300m/분 이상에서, 실리콘 조성물을 시트상의 기재 위에 도포하는 경우에, 우수한 실리콘 미스트 억제효과를 발휘할 수 있다. 또한, 본 발명의 무용제형 실리콘 조성물은 보존안정성이 우수하고, 경시적으로 증점하지 않고, 얻어지는 경화피막의 물성이 경시적으로 변화되는 일이 없다. 따라서, 각종 종이, 라미네이트지, 합성필름, 투명수지, 금속박 등의 기재표면을 고기능화하기 위해, 상기 기재에 실리콘 조성물을 도포하는 공정에서, 바람직하게 사용할 수 있다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 도시하고, 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다. 하기에서 점도는 BN형 회전점도계를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다. 평균 입자직경은 레이저 회절/산란식 입자도 분포 측정장치 LA-920((주)호리바세이사쿠쇼제)를 사용하여 측정한, 체적기준의 평균 입자직경이다. 또한 하기 구조식들 중에서, Me는 메틸기, Ep는 하기 화학식으로 표시되는 기를 의미한다.

Ⅰ. 실리콘 미스트 억제제

실시예 및 비교예에서 사용한 실리콘 미스트 억제제를 이하에 나타낸다.

(1) 실리콘 미스트 억제제 Ⅰ: 실란 표면처리 실리카 입자의 분말, 평균입자직경 300㎚

(2) 실리콘 미스트 억제제 Ⅱ: 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자의 분말, 평균 입자직경 800㎚

(3) 실리콘 미스트 억제제 Ⅲ: 실리콘 고무 입자표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자의 분말, 평균 입자직경 800㎚

(4) 실리콘 미스트 억제제 Ⅳ: 실리콘 고무 입자표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자의 분말, 평균 입자직경 2000㎚

(5) 실리콘 미스트 억제제 Ⅴ: MP-1000(상품명, 소켄가가쿠가부시키가이샤제, (메타)아크릴폴리머를 주성분으로 하는 미세분말, 평균 입자직경 400㎚)

(6) 실리콘 미스트 억제제 Ⅵ: KTL-500L(상품명, 가부시키가이샤 기타무라사제, 4불화에틸렌수지를 주성분으로 하는 미세분말, 평균 입자직경 400㎚)

(7) 실리콘 미스트 억제제 Ⅶ: 실리콘 고무 입자표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자의 분말, 평균 입자직경 5000㎚

(8) 실리콘 미스트 억제제 Ⅷ: 실란 표면처리 실리카 입자의 분말, 평균 입자직경 80㎚

Ⅱ. 실리콘 조성물의 조제

[실시예 1]

25℃에서의 점도 400mPa·s를 갖는 양말단 비닐기 함유 폴리디메틸실록산(비닐가 함유량 0.02㏖/100g) 98 질량부, 하기 화학식 7로 표시되는 25℃에서의 점도 20mPa·s를 갖는 폴리오르가노하이드로젠폴리실록산 2.0 질량부(SiH기/Vi기(몰비)=1.8),

및 에티닐시클로헥산올 0.3 질량부를 균일하게 혼합했다. 여기에 실리콘 미스트 억제제Ⅰ을 3 부, 및 염화백금산과 비닐실록산의 착염을 2 질량부(백금원자로서 약 100ppm) 첨가하고 균일하게 혼합함으로써, 실리콘 조성물 1을 얻었다.

[실시예 2]

실리콘 미스트 억제제 Ⅱ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 2를 얻었다.

[실시예 3]

실리콘 미스트 억제제 Ⅲ을 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 3을 얻었다.

[실시예 4]

실리콘 미스트 억제제 Ⅳ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 4를 얻었다.

[실시예 5]

실리콘 미스트 억제제 Ⅴ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 5를 얻었다.

[실시예 6]

실리콘 미스트 억제제 Ⅵ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 6을 얻었다.

[실시예 7]

하기 화학식 8로 표시되고, 25℃에서의 점도 6,500mPa·s를 갖는 양이온 중합성 오르가노폴리실록산을 100 질량부,

실리콘 미스트 억제제Ⅰ를 1부, 및 아세토니트릴에 92 질량% 용해한 비스-[4-n알킬(C₁₀~C₁₃)페닐]요오드늄헥사플루오로안티모네이트 용액 1.09 질량부를 균일하게 혼합함으로써, 실리콘 조성물 7을 얻었다.

[실시예 8]

실리콘 미스트 억제제 Ⅱ를 1부 첨가한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘 조성물 8을 얻었다.

[실시예 9]

실리콘 미스트 억제제 Ⅲ를 1부 첨가한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘 조성물 9를 얻었다.

[실시예 10]

실리콘 미스트 억제제 Ⅳ를 1부 첨가한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘 조성물 10을 얻었다.

[비교예 1]

실리콘 미스트 억제제 Ⅰ을 제외한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 11을 얻었다.

[비교예 2]

실리콘 미스트 억제제 Ⅰ를 제외한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘 조성물 12를 얻었다.

[비교예 3]

실리콘 미스트 억제제 Ⅶ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘조성물 13을 얻었다.

[비교예 4]

실리콘 미스트 억제제 Ⅶ를 1부 첨가한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘조성물 14를 얻었다.

[비교예 5]

실리콘 미스트 억제제 Ⅷ를 3부 첨가한 이외에는, 실시예 1을 반복하여, 실리콘 조성물 15를 얻었다.

[비교예 6]

실리콘 미스트 억제제 Ⅷ를 1부 첨가한 이외에는, 실시예 7을 반복하여, 실리콘 조성물 16을 얻었다.

평가시험

상기 실리콘 조성물 1~16을 사용하여, 미스트 발생시험, 경화성 시험 및 박리력 시험을 실시했다. 각 시험방법을 이하에 나타낸다. 각 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.

[실리콘 미스트 발생시험 1]

바이브레이션 롤(φ50.8×184.1㎜), 금속 롤(φ76.2×152.4㎜), 및 고무 롤(φ79.3×155.6㎜)로부터 형성되는 3본 롤을 구비하는 미스팅 테스터((주)도요세이키 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 바이브레이션 롤에 무용제형 실리콘 조성물 1.6g을 적하했다. 1400rpm으로 3본 롤을 회전시키고, 60초 후, 120초 후에서의 실리콘 미스트 발생량을 디지털 분진기 Dust Track Model 8520(트랜스테크사제)를 사용하여 측정했다(측정가능범위 = 0~150㎎/㎥). 실리콘 미스트 발생량이 150㎎/㎥을 초과한 경우에는, 「측정불능」으로 했다.

[실리콘 미스트 발생시험 2]

바이브레이션 롤(φ50.8×184.1㎜), 금속 롤(φ76.2×152.4㎜), 및 고무 롤(φ79.3×155.6㎜)로부터 형성되는 3본 롤을 구비하는 미스팅 테스터((주)도요세이키세이사쿠쇼제)를 사용하여, 바이브레이션 롤에 무용제형 실리콘 조성물 1.6g을 적하했다. 2500rpm으로 3본 롤을 회전시키고, 60초 후, 120초 후에서의 실리콘 미스트 발생량을 DUSTTRAK Aeroso Monitor(TSI사제)를 사용하여 측정했다(측정가능범위= 0~150㎎/㎥). 실리콘 미스트 발생량이 150㎎/㎥를 초과한 경우에는, 「측정불능」으로 했다.

[무용제형 실리콘 조성물의 보존안정성 평가(점도변화)]

상기 각 실리콘 조성물의 25℃에서의 점도를, BM형 점도측정기를 사용하여 측정했다(초기값). 또한, 상기 각 실리콘 조성물의 조성에서 부가반응촉매 및 광 양이온 중합개시제를 제외한 조성으로 실리콘 조성물을 조제하여, 40℃ 하에서 5일간 보관한 후, 각 조성물의 25℃에서의 점도를, BM형 점도측정기를 사용하여 측정했다(보존후).

[열경화형 실리콘 조성물의 경화]

실시예 1~6, 비교예 1, 3 및 5로 조제한 실리콘 조성물을, 각각, 롤 도포에 의해 폴리에틸렌라미네이트 상질지 위에 약 0.8g/㎡의 도포량이 되도록 도포했다. 그 후, 140℃의 열풍건조기 중에서 30초간 가열하여 경화피막을 형성했다.

[방사선 경화형 실리콘 조성물의 경화]

실시예 7~10, 비교예 2, 4 및 6으로 조제한 실리콘 조성물을, 각각 롤 도포에 의해 폴리에틸렌라미네이트 상질지 위에 약 0.8g/㎡의 도포량이 되도록 도포했다. 그 후, 80W/㎝의 고압 수은등을 2등(燈) 사용하고, 50mJ/㎠의 조사량의 자외선을 조사하여 경화 피막을 형성했다.

[경화성 평가]

상기에서 얻어진 경화피막에 대해서 경화상태를 관찰했다. 조성물 전체가 경화된 경우를 ○, 일부가 미경화인 경우를 △, 조성물 전체가 미경화인 경우를 ×로 나타낸다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[경화피막의 보존안정성 평가(박리력 시험)]

상기에서 얻어진 경화피막, 및 상기 경화피막을 23℃하에서 20시간 보관한 후의 피막을 사용하여 박리력 시험을 실시했다. 각 경화피막의 표면에 폭 25㎜의 아크릴 점착테입 TESA7475(상품명)를 점착했다. 상기 테입을 2㎏의 롤러를 왕복시켜 압착하여, 박리력 측정용 샘플을 작성했다. 상기 샘플에 70g/㎠의 하중을 가하면서, 70℃에서 20~24시간 에이징했다. 그 후, 인장시험기를 사용하여 180°의 각도로 박리속도 0.3m/분으로 붙인 테입을 잡아당겨, 박리하는 데에 필요한 힘(N/25㎜)을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 실리콘 미스트 억제효과가 우수하고, 고속도공을 실시한 경우에도 실리콘 미스트의 발생을 현저하게 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제를 포함하는 무용제형 실리콘 조성물은, 시간경과에 따라 증점하지 않고 보존안정성이 우수하다. 또한, 상기 조성물로부터 얻어지는 경화피막은 물성이 시간경과에 따라 열화되는 일이 없다.

(산업상의 이용 가능성)

본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 실리콘 미스트 억제효과가 우수하므로, 고속도공에 의한 실리콘 조성물의 도포공정에서, 우수한 실리콘 미스트 억제효과를 발휘할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제를 포함하는 무용제형 실리콘 조성물은 보존안전성이 우수하고, 또한 얻어지는 경화피막의 물성도 경시적으로 변화하지 않는다. 따라서, 본 발명의 실리콘 미스트 억제제는 특히 무용제형 실리콘 조성물의 실리콘 미스트 억제제로서 유용하다.

Claims

100~4000㎚ 범위의 체적 평균 입자직경을 갖는, 실리콘 고무 입자, 폴리오르가노실세스퀴옥산 입자, 실리콘 고무 입자 표면을 폴리오르가노실세스퀴옥산으로 피복한 입자로부터 선택되는 적어도 1 종류로 이루어진 실리콘 미스트 억제제.

제 1 항에 있어서,
200~2000㎚ 범위의 체적 평균 입자직경을 갖는, 실리콘 미스트 억제제.

25℃에서 25~50,000mPa·s의 범위에 있는 점도를 갖는 오르가노폴리실록산을 함유하는 무용제형 실리콘 조성물로서,
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 실리콘 미스트 억제제를, 상기 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대해서 0.1~10 질량부가 되는 양으로 추가로 함유하는 무용제형 실리콘 조성물.

제 3 항에 있어서,
상기 오르가노폴리실록산이 열경화형 오르가노폴리실록산인 무용제형 실리콘 조성물.

제 3 항에 있어서,
상기 오르가노폴리실록산이 방사선 경화형 오르가노폴리실록산인 무용제형 실리콘 조성물.

시트상 기재와, 청구항 3에 기재된 무용제형 실리콘 조성물의 경화물로 이루어진 막을 갖는 물품.

청구항 3에 기재된 무용제형 실리콘 조성물을 시트 형상의 기재 위에 도포하고, 가열 및/또는 방사선 조사에 의해 상기 조성물을 경화하는 공정을 포함하는 기재의 코팅방법.

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