KR101949067B1 - 탄성 표면파 장치 집합체 - Google Patents

탄성 표면파 장치 집합체 Download PDF

Info

Publication number
KR101949067B1
KR101949067B1 KR1020177021717A KR20177021717A KR101949067B1 KR 101949067 B1 KR101949067 B1 KR 101949067B1 KR 1020177021717 A KR1020177021717 A KR 1020177021717A KR 20177021717 A KR20177021717 A KR 20177021717A KR 101949067 B1 KR101949067 B1 KR 101949067B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
circuit
wave device
under bump
Prior art date
Application number
KR1020177021717A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170101993A (ko
Inventor
도루 다께시따
세이지 가이
다까시 나까
모또지 즈다
미쯔요시 히라
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20170101993A publication Critical patent/KR20170101993A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101949067B1 publication Critical patent/KR101949067B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H2003/0071—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

개개의 탄성 표면파 장치로 분할하기 전에 양품과 불량품을 선별할 수 있는 탄성 표면파 장치 집합체를 제공한다. 탄성 표면파 장치 집합체(1)는 집합 기판(2)과, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있으며, 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)를 갖는 복수의 제1 회로부(3A)와, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있으며, 제2 핫 단자(6b) 및 제2 그라운드 단자(7b)를 갖는 제2 회로부(4A)와, 복수의 제1 회로부(3A) 및 제2 회로부(4A)의 주위를 둘러싸도록 집합 기판(2) 상에 형성되어 있는 급전 배선(13)을 구비한다. 각 제1 회로부(3A)는, 대역 통과형 필터인 탄성 표면파 장치(3)를 구성하고 있다. 제2 회로부(4A)는 대역 통과형 필터를 구성하고 있다. 복수의 제1 그라운드 단자(7a) 및 제1 핫 단자(6a) 및 제2 그라운드 단자(7b)가 급전 배선(13)에 접속되어 있고, 제2 핫 단자(6b)가 급전 배선(13)에 접속되어 있지 않고, 각 탄성 표면파 장치(3)의 통과 대역과, 제2 회로부(4A)를 포함하고 있는 대역 통과형 필터의 통과 대역이 동일하다.

Description

탄성 표면파 장치 집합체
본 발명은 탄성 표면파 장치에 관한 탄성 표면파 장치 집합체에 관한 것이다.
종래, WLP 구조를 갖는 탄성 표면파 장치가 휴대 전화기 등에 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 하기의 특허문헌 1에서는, WLP 구조를 갖는 탄성 표면파 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 탄성 표면파 장치에 있어서는, 압전 기판 상의 각각의 배선에 언더 범프 메탈이 접속되어 있다. 모든 언더 범프 메탈은, 전해 도금법에 의해 형성되어 있다. 즉, 모든 상기 배선은, 언더 범프 메탈을 형성할 때에는, 전해 도금법을 위한 급전 배선에 접속되어 있다.
국제 공개 제2012/050016호
그러나, 특허문헌 1의 탄성 표면파 장치에서는, 모든 상기 배선이 급전 배선에 접속되어 있다. 그 때문에, 그라운드 단자와 핫 단자가 전기적으로 단락되어 있다. 따라서, 다이싱에 의해 개개의 탄성 표면파 장치로 분할할 때까지는, 탄성 표면파 장치의 전기적인 특성의 검사를 할 수 없어, 양품과 불량품의 선별을 할 수는 없었다.
본 발명의 목적은, 개개의 탄성 표면파 장치로 분할하기 전에 양품과 불량품을 선별할 수 있는 탄성 표면파 장치 집합체를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체는, 어느 넓은 국면에서는, 압전체를 포함하는 집합 기판과, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 접속되어 있은 제1 핫 단자 및 제1 그라운드 단자를 각각 갖는 복수의 제1 회로부와, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, 기능 전극과, 상기 기능 전극에 접속되어 있은 제2 핫 단자 및 제2 그라운드 단자를 갖는 제2 회로부와, 상기 복수의 제1 회로부 및 상기 제2 회로부의 주위를 둘러싸도록 상기 집합 기판 상에 형성되어 있는 급전 배선을 구비하고, 각 상기 제1 회로부는, 대역 통과형 필터인 탄성 표면파 장치를 각각 구성하고 있고, 상기 제2 회로부는 대역 통과형 필터를 구성하고 있고, 복수의 상기 제1 그라운드 단자 및 복수의 상기 제1 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 그라운드 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있지 않고, 각 상기 탄성 표면파 장치의 통과 대역과, 상기 제2 회로부를 포함하고 있는 대역 통과형 필터의 통과 대역이 동일하다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 다른 넓은 국면에서는, 압전체를 포함하는 집합 기판과, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 접속되어 있은 제1 핫 단자 및 제1 그라운드 단자를 각각 갖는 복수의 제1 회로부와, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, 기능 전극과, 상기 기능 전극에 접속되어 있은 제2 핫 단자 및 제2 그라운드 단자를 갖는 제2 회로부와, 상기 복수의 제1 회로부 및 상기 제2 회로부의 주위를 둘러싸도록 상기 집합 기판 상에 형성되어 있는 급전 배선을 구비하고, 각 상기 제1 회로부는, 탄성 표면파 장치를 각각 구성하고 있고, 복수의 상기 제1 그라운드 단자 및 복수의 상기 제1 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 그라운드 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있지 않고, 상기 복수의 제1 회로부의 전기적인 회로 구성과 상기 제2 회로부의 전기적인 회로 구성이 동일하다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 어느 특정한 국면에서는, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, 각 상기 제1 회로부가 면하는 제1 개구부를 각각 갖는 복수의 제1 지지 부재와, 상기 집합 기판 상에 형성되어 있으며, 상기 제2 회로부가 면하는 제2 개구부를 갖는 제2 지지 부재와, 복수의 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 밀봉하도록, 상기 복수의 제1 지지 부재 상 및 상기 제2 지지 부재 상에 형성되어 있는 덮개 부재를 더 구비하고, 상기 복수의 제1 지지 부재는, 평면에서 보아, 상기 복수의 제1 핫 단자 및 상기 복수의 제1 그라운드 단자와 겹치도록 형성되어 있고, 상기 제2 지지 부재는, 상기 제2 핫 단자 및 상기 제2 그라운드 단자와 겹치도록 형성되어 있고, 상기 제1 지지 부재 및 상기 덮개 부재를 관통하고, 상기 복수의 제1 핫 단자 및 상기 복수의 제1 그라운드 단자를 노출시키도록 복수의 제1 관통 구멍 및 복수의 제2 관통 구멍이 형성되어 있고, 상기 제2 지지 부재 및 상기 덮개 부재를 관통하고, 상기 제2 핫 단자 및 상기 제2 그라운드 단자가 노출되도록 제3 관통 구멍 및 제4 관통 구멍이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 다른 특정한 국면에서는, 상기 복수의 제1 관통 구멍에 각각 형성되어 있는 제1 언더 범프 메탈층과, 상기 복수의 제2 관통 구멍에 각각 형성되어 있는 제2 언더 범프 메탈층과, 상기 제4 관통 구멍에 형성되어 있는 제4 언더 범프 메탈층을 더 구비한다. 이 경우, 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층 상에 범프를 형성할 수 있다. 그것에 의해, 범프를 통해 실장 기판 등에 실장할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제3 관통 구멍에 언더 범프 메탈층이 형성되어 있지 않다. 이 경우, 상기 제3 관통 구멍에는 범프를 형성할 수는 없다. 이에 반해, 상기 제1, 제2, 제4 관통 구멍에 형성된 상기 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층 상에는 범프를 형성할 수 있다. 상기 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층 상에 상기 범프를 형성한 경우, 평면에서 보아 복수의 제1 회로부와 제2 회로부를 용이하게 식별할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제3 관통 구멍에 형성되어 있는 제3 언더 범프 메탈층을 더 구비하고, 각 상기 제1 언더 범프 메탈층의 두께가 상기 제3 언더 범프 메탈층의 두께보다도 크다. 이 경우, 제1∼제4 언더 범프 메탈층 상에 범프를 형성하면, 제1 언더 범프 메탈층 상에 형성된 범프와 제3 언더 범프 메탈층 상에 형성된 범프의 평면 형상을 상이하게 할 수 있다. 그것에 의해, 평면에서 보아 복수의 제1 회로부와 제2 회로부를 용이하게 식별할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 각 상기 제1 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 복수의 제1 범프와, 각 상기 제2 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 복수의 제2 범프와, 평면에서 보아 상기 제3 관통 구멍과 겹치는 위치에 형성되어 있는 제3 범프와, 상기 제4 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 제4 범프를 더 구비하고, 평면에서 보아, 각 상기 제1 범프에 내접하는 내접원의 직경이, 상기 제3 범프에 내접하는 내접원의 직경보다도 크다. 이 경우, 평면에서 보아 복수의 제1 회로부와 제2 회로부를 용이하게 식별할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 각 상기 제1 지지 부재의 각 상기 제1 개구부의 평면 형상과, 상기 제2 지지 부재의 상기 제2 개구부의 평면 형상이 동일하다. 이 경우, 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 공정을 단순화할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제2 그라운드 단자가 상기 제2 핫 단자보다도 많이 배치되어 있다. 이 경우, 개개의 탄성 표면파 장치로 분할하기 위해 상기 집합 기판을 연삭할 때의 자세를 안정화시킬 수 있다. 그것에 의해, 상기 집합 기판이 분할된 개개의 압전 기판의 평탄도를 효과적으로 높일 수 있고, 또한 각 압전 기판의 두께의 변동을 효과적으로 저감할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 각 상기 제1 지지 부재에 있어서의 상기 제1 및 제2 관통 구멍의 배치와, 상기 제2 지지 부재에 있어서의 상기 제3 및 제4 관통 구멍의 배치가 동일하다. 이 경우, 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 공정을 단순화할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제2 회로부의 상기 기능 전극이 상기 복수의 제1 회로부의 상기 IDT 전극과 마찬가지의 구성을 갖는 IDT 전극이고, 상기 복수의 제1 회로부와 상기 제2 회로부의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성이 동일하다. 이 경우, 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 제2 회로부를 검사함으로써, 원하는 특성에 의해 양품과 불량품을 선별할 수 있다.
본 발명에 따르면, 개개의 탄성 표면파 장치로 분할하기 전에 양품과 불량품을 선별할 수 있는 탄성 표면파 장치 집합체를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 정면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 평면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 정면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 정면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예에 있어서의 평가용 소자의 정면 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 평면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체에 사용되고 있는 집합 기판을 이면 연삭하는 공정에 있어서, 테이프에 의해 탄성 표면파 장치 집합체를 고정하고 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 12의 (a)∼도 12의 (e)는 본 발명의 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13의 (a)∼도 13의 (d)는 본 발명의 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14의 (a)∼도 14의 (c)는 본 발명의 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명백하게 된다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는 예시적인 것이며, 상이한 실시 형태간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 정면도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 평면 단면도이다.
탄성 표면파 장치 집합체(1)는 집합 기판(2)을 갖는다. 집합 기판(2)은 커트각 42°의 LiTaO3 기판이다. 또한, 집합 기판(2)은 상기의 압전체에 한정되지 않고, 다른 LiNbO3 등의 압전 단결정이나 적당한 압전 세라믹스를 포함하고 있어도 된다.
탄성 표면파 장치 집합체(1)는 집합 기판(2) 상에 구성되어 있는 복수의 제1 회로부(3A)를 갖는다. 각 제1 회로부(3A)는, 대역 통과형 필터인 탄성 표면파 장치(3)를 각각 구성하고 있다. 탄성 표면파 장치 집합체(1)는 집합 기판(2) 상에 구성되어 있는 제2 회로부(4A)도 갖는다. 제2 회로부(4A)는, 대역 통과형 필터인 평가용 소자(4)를 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 평가용 소자(4)도 탄성 표면파 장치이다.
본 실시 형태에서는, 각 제1 회로부(3A)와 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성은 동일하다. 즉, 각 탄성 표면파 장치(3)를 각각 구성하는 각 소자나 배선의 배치 및 재료와, 평가용 소자(4)를 구성하는 각 소자나 배선의 배치 및 재료는 동일하다. 따라서, 각 탄성 표면파 장치(3)의 통과 대역과 평가용 소자(4)의 통과 대역은 동일하다.
집합 기판(2) 상에는, 각 탄성 표면파 장치(3) 및 평가용 소자(4)를 둘러싸도록, 급전 배선(13)이 형성되어 있다. 급전 배선(13)은 개개의 탄성 표면파 장치로 분할되는 다이싱 라인을 따르도록 형성되어 있다. 또한, 급전 배선(13)은 후술하는 언더 범프 메탈층을 전해 도금법에 의해 형성하기 위한 배선이다.
각 탄성 표면파 장치(3)는 제1 회로부(3A)를 각각 둘러싸도록, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있는, 제1 지지 부재(8a)를 갖는다. 각 제1 회로부(3A)는, 각 제1 지지 부재(8a)의 제1 개구부(8a1)에 면하고 있다. 평가용 소자(4)는 제2 회로부(4A)를 둘러싸도록, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있는 제2 지지 부재(8b)를 갖는다. 제2 회로부(4A)는, 제2 지지 부재(8b)의 제2 개구부(8b1)에 면하고 있다. 복수의 제1 지지 부재(8a) 및 제2 지지 부재(8b)는 수지 등을 포함한다.
각 탄성 표면파 장치(3)는 집합 기판(2) 상에 형성되어 있는 복수의 제1 핫 단자(6a) 및 복수의 제1 그라운드 단자(7a)를 갖는다. 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)는 급전 배선(13)에 접속되어 있다. 평가용 소자(4)는 집합 기판(2) 상에 형성되어 있는 복수의 제2 핫 단자(6b) 및 복수의 제2 그라운드 단자(7b)를 갖는다. 제2 그라운드 단자(7b)는 급전 배선(13)에 접속되어 있다. 한편, 제2 핫 단자(6b)는 급전 배선(13)에 접속되어 있지 않다.
각 제1 핫 단자(6a)의 각 탄성 표면파 장치(3)에 있어서의 위치와 제2 핫 단자(6b)의 평가용 소자(4)에 있어서의 위치는 동일하다. 각 제1 그라운드 단자(7a)의 각 탄성 표면파 장치(3)에 있어서의 위치와 제2 그라운드 단자(7b)의 평가용 소자(4)에 있어서의 위치는 동일하다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 정면 단면도이다.
탄성 표면파 장치(3)는 집합 기판(2) 상에 형성된 IDT 전극(5)을 갖는다. 도 2에 도시한 제1 회로부(3A)는, 복수의 IDT 전극을 포함하고 있다. 도시되어 있지 않지만, IDT 전극(5)은 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)에 접속되어 있다. 제1 지지 부재(8a)는 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)를 덮도록, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있다. 제1 지지 부재(8a)의 제1 개구부(8a1)를 밀봉하도록, 덮개 부재(9)가 형성되어 있다. 덮개 부재(9)는 수지 등을 포함한다.
덮개 부재(9) 및 제1 지지 부재(8a)를 관통하도록, 제1, 제2 관통 구멍(10a, 10b)이 형성되어 있다. 제1 관통 구멍(10a)의 일단은, 제1 핫 단자(6a)에 이르고 있다. 제2 관통 구멍(10b)의 일단은, 제1 그라운드 단자(7a)에 이르고 있다. 제1 관통 구멍(10a)에는, 제1 언더 범프 메탈층(11a)이 형성되어 있다. 제2 관통 구멍(10b)에는, 제2 언더 범프 메탈층(11b)이 형성되어 있다. 제1 언더 범프 메탈층(11a) 상에는, 제1 범프(12a)가 형성되어 있다. 제2 언더 범프 메탈층(11b) 상에는, 제2 범프(12b)가 형성되어 있다. 제1 언더 범프 메탈층(11a)은 제1 핫 단자(6a)와 제1 범프(12a)를 접속하고 있다. 제2 언더 범프 메탈층(11b)은, 제1 그라운드 단자(7a)와 제2 범프(12b)를 접속하고 있다. 제1, 제2 범프(12a, 12b)는 땜납 등의 적당한 납재 금속을 포함한다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 제1 관통 구멍 및 제1 언더 범프 메탈층은, 복수의 제1 핫 단자에 각각 접속되도록 복수 형성되어 있다. 제2 관통 구멍 및 제2 언더 범프 메탈층은, 복수의 제1 그라운드 단자에 각각 접속되도록 복수 형성되어 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 정면 단면도이다.
평가용 소자(4)는 집합 기판(2) 상에 형성된 기능 전극(14)을 갖는다. 도 2에 도시한 제2 회로부(4A)는, 기능 전극(14)을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 평가용 소자(4)는 탄성 표면파 장치(3)와 동일한 전기적인 회로 구성을 갖는다. 기능 전극(14)은 도 3에 도시한 탄성 표면파 장치(3)의 IDT 전극(5)과 마찬가지의 IDT 전극이다.
도시되어 있지 않지만, 기능 전극(14)은 제2 핫 단자(6b) 및 제2 그라운드 단자(7b)에 접속되어 있다. 제2 지지 부재(8b)는 제2 핫 단자(6b) 및 제2 그라운드 단자(7b)를 덮도록, 집합 기판(2) 상에 형성되어 있다. 제2 지지 부재(8b)의 제2 개구부(8b1)를 밀봉하도록, 덮개 부재(9)가 형성되어 있다.
덮개 부재(9) 및 제2 지지 부재(8b)를 관통하도록, 제3, 제4 관통 구멍(10c, 10d)이 형성되어 있다. 제3 관통 구멍(10c)의 일단은, 제2 핫 단자(6b)에 이르고 있다. 제4 관통 구멍(10d)의 일단은, 제2 그라운드 단자(7b)에 이르고 있다. 도 3에 도시한 제1 지지 부재(8a)에 있어서의 제1 관통 구멍(10a) 및 제2 관통 구멍(10b)의 배치와, 제2 지지 부재(8b)에 있어서의 제3 관통 구멍(10c) 및 제4 관통 구멍(10d)의 배치는 동일하다.
제3 관통 구멍(10c)에는, 제3 언더 범프 메탈층(11c)이 형성되어 있다. 제4 관통 구멍(10d)에는, 제4 언더 범프 메탈층(11d)이 형성되어 있다. 제4 언더 범프 메탈층(11d)의 두께는, 제3 언더 범프 메탈층(11c)의 두께보다도 크다. 도 3에 도시한 제1, 제2 언더 범프 메탈층(11a, 11b)의 두께도, 제3 언더 범프 메탈층(11c)의 두께보다도 크다. 또한, 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 형성되어 있지 않아도 된다.
제3 언더 범프 메탈층(11c) 상에는, 제3 범프(12c)가 형성되어 있다. 제4 언더 범프 메탈층(11d) 상에는, 제4 범프(12d)가 형성되어 있다. 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 제2 핫 단자(6b)와 제3 범프(12c)를 접속하고 있다. 제4 언더 범프 메탈층(11d)은 제2 그라운드 단자(7b)와 제4 범프(12d)를 접속하고 있다. 제3, 제4 범프(12c 및 12d)는 땜납 등의 적당한 납재 금속을 포함한다.
또한, 제3 범프(12c)는 평면에서 보아, 제3 관통 구멍(10c)과 겹치는 위치에 형성되어 있으면 된다. 제3 범프(12c)와 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 접속되어 있지 않아도 된다.
도시되어 있지 않지만, 제3 관통 구멍 및 제3 언더 범프 메탈층은, 복수의 제2 핫 단자에 각각 접속되도록 복수 형성되어 있다. 제4 관통 구멍 및 제4 언더 범프 메탈층은, 복수의 제2 그라운드 단자에 각각 접속되도록 복수 형성되어 있다.
본 실시 형태의 특징은, 탄성 표면파 장치 집합체(1)가 평가용 소자(4)를 갖고, 또한 평가용 소자(4)의 제2 핫 단자(6b)가 급전 배선(13)에 접속되어 있지 않은 것에 있다. 본 실시 형태에 따르면, 개개의 탄성 표면파 장치로 분할되기 전에 양품과 불량품을 선별할 수 있다. 이것을, 이하에 있어서 설명한다.
본 실시 형태에서는, 복수의 탄성 표면파 장치(3)의 제1 회로부(3A)와, 평가용 소자(4)의 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성이 동일하다. 따라서, 동일한 집합 기판(2) 상의 복수의 탄성 표면파 장치(3)는, 동일한 집합 기판(2) 상의 평가용 소자(4)와 거의 동일한 전기적인 특성을 갖는다. 따라서, 평가용 소자(4)의 필터 특성 등의 전기적인 특성을 검사하여, 양품으로서의 성능을 만족시키지 않는다고 판정되면, 동일한 집합 기판(2) 상의 복수의 탄성 표면파 장치(3)도 양품으로서의 성능을 만족시키지 않는다고 판단할 수 있다.
평가용 소자(4)와 복수의 탄성 표면파 장치(3)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성은, 본 실시 형태와 같이 동일한 것이 바람직하다. 그것에 의해, 양품 선별을 보다 확실하게 행할 수 있다.
평가용 소자(4)는, 예를 들어 제2 회로부(4A)가 형성된 후이며, 또한 제2 지지 부재(8b)가 형성되기 전에, 전기적인 특성을 검사하면 된다. 그것에 의해, 개개의 탄성 표면파 장치(3)로 분할되기 전에, 양품과 불량품을 선별할 수 있다. 따라서, 양품으로 판정된 복수의 탄성 표면파 장치(3)만을 후속 공정에 투입할 수 있기 때문에, 비용을 저감할 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 평가용 소자(4)의 제2 핫 단자(6b)는 급전 배선(13)에 접속되어 있지 않다. 그 때문에, 도 3 및 도 4에 도시한 제1∼제4 언더 범프 메탈층(11a∼11d)을 전해 도금법에 의해 형성할 때에, 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 충분히 형성되지 않는다. 따라서, 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층(11a, 11b, 11d)의 두께보다도 제3 언더 범프 메탈층(11c)의 두께는 작다. 제1, 제2, 제4 범프(12a, 12b, 12d)는, 두께가 큰 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층(11a, 11b, 11d) 상에 형성되어 있다. 그 때문에, 제1, 제2, 제4 범프(12a, 12b, 12d)는, 제1, 제2, 제4 관통 구멍(10a, 10b, 10d)에는 크게 들어가 있지 않다. 이에 반해, 두께가 작은 제3 언더 범프 메탈층(11c) 상에 형성된 제3 범프(12c)는 제3 관통 구멍(10c)에 크게 들어가 있다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 평면도이다. 도 6은 제1 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 평면도이다.
각 제1∼제4 범프(12a∼12d)에 내접하는 내접원을 내접원 A∼D라 한다. 제3 범프(12c)만 제3 관통 구멍(10c)에 크게 들어가 있기 때문에, 내접원 A, B, D의 직경 R1보다도, 내접원 C의 직경 R2는 작다. 이와 같이, 내접원 C의 직경 R2와 내접원 A, B, D의 직경 R1의 차이로부터, 평면에서 보아, 복수의 탄성 표면파 장치(3)인지, 혹은 평가용 소자(4)인지를 용이하게 식별할 수 있다. 따라서, 개개의 탄성 표면파 장치(3)로 분할한 후에, 평가용 소자(4)만을 용이하게 제거할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 개개의 탄성 표면파 장치(3)를 반송하는 공정에 있어서, 반송 장치의 화상 인식 기능에 의해, 탄성 표면파 장치(3)인지, 혹은 평가용 소자(4)인지를 식별한 후에, 각 탄성 표면파 장치(3)만을 반송할 수 있다.
또한, 각 제1 회로부(3A)와 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성이 동일하고, 물리적인 구성이 상이해도 된다. 이 경우라도, 각 탄성 표면파 장치(3)의 전기적인 특성과 평가용 소자(4)의 전기적인 특성에 상관이 있으면, 복수의 탄성 표면파 장치(3)의 양품과 불량품을 선별할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 회로부(3A)와 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성은 동일하였다. 또한, 각 탄성 표면파 장치(3)의 통과 대역과, 평가용 소자(4)의 통과 대역이 동일하면, 각 제1 회로부(3A)와 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성은 상이해도 된다.
혹은, 각 탄성 표면파 장치(3)의 전기적인 특성과 평가용 소자(4)의 전기적인 특성에 상관이 있으면, 제1 회로부(3A)와 제2 회로부(4A)의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성은 상이해도 된다.
본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 각 탄성 표면파 장치(3) 및 평가용 소자(4)는 대역 통과형 필터이다. 따라서, 탄성 표면파 장치(3)의 양품 선별을 행할 때에는, 필터 특성 등의 검사를 행한다. 또한, 각 탄성 표면파 장치(3) 및 평가용 소자(4)는 대역 통과형 필터에 한정되지 않고, 예를 들어 공진자 등이어도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 임피던스 특성 등을 검사하면 된다.
본 실시 형태에서는, 평가용 소자(4)의 기능 전극(14)은 IDT 전극이지만, 평가용 소자(4)의 전기적인 특성과 각 탄성 표면파 장치(3)의 전기적인 특성에 상관이 있으면, 기능 전극(14)은 IDT 전극이 아니어도 된다. 즉, 평가용 소자(4)는 반드시 탄성 표면파 장치는 아니어도 된다.
도 7에 도시한 변형예와 같이, 평가용 소자(54)에는, 제3 언더 범프 메탈층이 형성되어 있지 않아도 된다. 평가용 소자(54)에는, 제3 언더 범프 메탈층이 형성되어 있지 않기 때문에, 제3 범프도 형성되어 있지 않다. 이 경우에도, 평가용 소자(54)의 전기적인 특성의 검사를 행함으로써, 복수의 탄성 표면파 장치의 양품과 불량품을 선별할 수 있고, 또한 평면에서 보아 복수의 탄성 표면파 장치인지, 평가용 소자(54)인지를 용이하게 식별할 수 있다. 또한, 제3 언더 범프 메탈층을 제3 관통 구멍에 형성하고, 제3 범프를 형성하지 않는 구성에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체의 부분 평면 단면도이다. 도 9는 제2 실시 형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 평면도이다. 도 10은 제2 실시 형태에 있어서의 평가용 소자의 평면도이다.
본 실시 형태는, 그라운드 단자가 핫 단자보다도 많이 배치되어 있는 점에서, 제1 실시 형태와 상이하다. 보다 구체적으로는, 탄성 표면파 장치 집합체(21)에 있어서의 평가용 소자(24)의 제2 그라운드 단자(7b)는 제2 핫 단자(6b)보다도 많이 배치되어 있다. 그 때문에, 제2 그라운드 단자(7b)에 전기적으로 접속되어 있는 제4 범프(12d)는, 제2 핫 단자(6b)에 전기적으로 접속되어 있는 제3 범프(12c)보다도 많이 배치되어 있다. 복수의 탄성 표면파 장치(23)의 제1 그라운드 단자(7a)는 제1 핫 단자(6a)보다도 많이 배치되어 있다. 그 때문에, 제1 그라운드 단자(7a)에 전기적으로 접속되어 있는 제2 범프(12b)는, 제1 핫 단자(6a)에 전기적으로 접속되어 있는 제1 범프(12a)보다도 많이 배치되어 있다.
도 4에서 도시한 바와 같이, 제3 범프(12c)는 제3 관통 구멍(10c)에 크게 들어가 있다. 그 때문에, 덮개 부재(9)의 제2 지지 부재(8b)측과는 반대측의 주면을 기준으로 한 제3 관통 구멍(10c)의 외측으로 향하는 방향에 있어서의 제3 범프(12c)의 두께는, 제4 범프(12d)의 상기 두께보다도 작다. 또한, 도 3에서 도시한, 덮개 부재(9)의 제1 지지 부재(8a)측과는 반대측의 주면을 기준으로 한 제1 관통 구멍(10a)의 외측으로 향하는 방향에 있어서의 제1, 제2 범프(12a, 12b)의 두께와 제4 범프(12d)의 상기 두께는 동일 정도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성 표면파 장치 집합체에 사용되고 있는 집합 기판을 이면 연삭하는 공정에 있어서, 테이프에 의해 탄성 표면파 장치 집합체를 고정하고 있는 상태를 도시하는 도면이다.
제2, 제4 범프(12b, 12d) 및 도시하지 않은 제1 범프가 테이프(35)에 접착되어 있다. 그것에 의해, 탄성 표면파 장치 집합체(21)가 고정되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 범프 및 제2 범프(12b)의 상기 두께와 동일 정도의 상기 두께인 제4 범프(12d)가 제3 범프보다도 많이 배치되어 있다. 그 때문에, 동일한 높이에 있어서 테이프(35)에 접착되어 있는 부분을 많게 할 수 있다. 따라서, 집합 기판(2)을 연삭할 때의 자세를 효과적으로 안정화시킬 수 있다.
집합 기판(2)은, 예를 들어 제1∼제4 범프(12a∼12d)가 형성된 후에, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)가 형성되어 있는 측의 주면으로부터 하프컷된다. 그러한 후, 집합 기판(2)은 상기 주면과 대향하는 주면이 연삭됨으로써, 개개의 압전 기판으로 분할된다. 그것에 의해, 탄성 표면파 장치 집합체(21)는 개개의 탄성 표면파 장치(23)로 분할된다. 상기한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 집합 기판(2)을 연삭할 때의 자세를 안정화시킬 수 있다. 따라서, 분할된 압전 기판의 평탄도를 효과적으로 높일 수 있고, 또한 각 압전 기판의 두께의 변동을 효과적으로 저감할 수 있다.
또한, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)가 형성되어 있는 측의 주면으로부터 풀컷함으로써, 개개의 탄성 표면파 장치(23)로 분할해도 된다. 이 경우, 집합 기판(2)의 상기 주면과 대향하는 주면으로부터 집합 기판(2)을 연삭하는 공정을 갖지 않기 때문에, 분할된 각 압전 기판의 연삭에 의한 두께 변동 등은 발생하지 않는다.
다음에, 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 이하에 있어서 설명한다.
도 12의 (a)∼도 12의 (e)는 본 발명의 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 13의 (a)∼도 13의 (d)는 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 14의 (a)∼도 14의 (c)는 본 발명의 제3 실시 형태로서의 탄성 표면파 장치 집합체의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 12의 (a)∼도 12의 (e) 및 도 13의 (a)∼도 13의 (d)에서는, 탄성 표면파 장치 집합체에 있어서의 복수의 탄성 표면파 장치 중의 1개의 탄성 표면파 장치 및 평가용 소자의 제조 방법을 나타낸다.
도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 집합 기판(2)을 준비한다. 다음에, 집합 기판(2) 상에 IDT 전극(5), 기능 전극(14), 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b), 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 급전 배선(13)을 형성한다. 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)는 IDT 전극(5)에 접속되도록 형성한다. 제2 핫 단자(6b) 및 제2 그라운드 단자(7b)는 기능 전극(14)에 접속되도록 형성한다.
제1 핫 단자(6a)의 탄성 표면파 장치(43)에 있어서의 위치와 제2 핫 단자(6b)의 평가용 소자(44)에 있어서의 위치가 동일하게 되도록, 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)를 형성한다. 제1 그라운드 단자(7a)의 탄성 표면파 장치(43)에 있어서의 위치와 제2 그라운드 단자(7b)의 평가용 소자(44)에 있어서의 위치가 동일하게 되도록, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)를 형성한다. 그것에 의해, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
급전 배선(13)은, 후속 공정에 있어서 집합 기판을 분할하는 다이싱 라인 I를 따르도록 형성한다. 급전 배선(13)은 제1 핫 단자(6a) 및 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)에 접속되고, 또한 제2 핫 단자(6b)에는 접속되지 않도록 형성한다.
IDT 전극(5), 기능 전극(14), 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b), 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 급전 배선(13)은, 예를 들어 CVD법이나 스퍼터링법 등에 의해 형성할 수 있다.
다음에, 도 12의 (b)와 같이, 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b) 상 및 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 상에 2층째의 전극으로서의 배선(46, 47)을 형성한다. 배선(46, 47)을 형성할 때는, 예를 들어 CVD법이나 스퍼터링법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 배선(46, 47)은 반드시 형성하지는 않아도 된다. 그렇다고는 하지만, 배선(46, 47)을 형성함으로써, 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b) 및 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)에 있어서의 전기 저항을 작게 할 수 있다. 그 때문에, 배선(46, 47)을 형성하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 12의 (c)와 같이, IDT 전극(5) 및 기능 전극(14)을 덮도록, 집합 기판(2) 상에 보호막(45)을 형성한다. 보호막(45)은 SiO2 등의 유전체를 포함한다. 보호막(45)은, 예를 들어 CVD법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 보호막(45)은 반드시 형성하지는 않아도 된다. 그렇다고는 하지만, 보호막(45)을 형성함으로써, IDT 전극(5) 및 기능 전극(14)이 파손되기 어렵게 할 수 있다. 그 때문에, 보호막(45)을 형성하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 12의 (d)에 도시한 바와 같이, 평가용 소자(44)의 전기적인 특성의 검사를 행한다. 적어도 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b) 및 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)의 일부가 노출되는 노출부를 갖도록 보호막(45)의 일부를 제거한다. 검사 장치의 프로브 X 및 프로브 Y를 제2 핫 단자(6b) 상의 배선(46) 및 제2 그라운드 단자(7b) 상의 배선(47)에 노출부에서 접촉시켜, 검사를 행한다. 그것에 의해, 개개의 탄성 표면파 장치(43)로 분할하기 전에, 복수의 탄성 표면파 장치(43)의 양품과 불량품을 선별할 수 있다. 상기 검사에 의해 원하는 특성을 만족시킨다고 판정된 평가용 소자(44)가 구성되어 있는 집합 기판(2) 상의 복수의 탄성 표면파 장치(43)만을 후속 공정에 투입할 수 있기 때문에, 비용을 저감할 수 있다.
다음에, 도 12의 (e)에 도시한 바와 같이, 제1 핫 단자(6a) 및 제1 그라운드 단자(7a)를 덮고, 또한 IDT 전극(5)을 둘러싸도록, 집합 기판(2) 상에 제1 지지 부재(8a)를 형성한다. 제2 핫 단자(6b) 및 제2 그라운드 단자(7b)를 덮고, 또한 기능 전극(14)을 둘러싸도록, 집합 기판(2) 상에 제2 지지 부재(8b)를 형성한다. IDT 전극(5)이 면하는 제1 지지 부재(8a)의 제1 개구부(8a1)의 평면 형상과, 기능 전극(14)이 면하는 제2 지지 부재(8b)의 제2 개구부(8b1)의 평면 형상이 동일하게 되도록, 제1, 제2 지지 부재(8a, 8b)를 형성한다. 그것에 의해, 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 제1 개구부(8a1)의 평면 형상과 제2 개구부(8b1)의 평면 형상은 동일하지 않아도 된다.
제1, 제2 지지 부재(8a, 8b)는, 예를 들어 포토리소그래피법에 의해 형성할 수 있다.
다음에, 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 지지 부재(8a)의 제1 개구부(8a1) 및 제2 지지 부재(8b)의 제2 개구부(8b1)를 밀봉하도록, 덮개 부재(9)를 형성한다.
다음에, 도 13의 (b)에 도시한 바와 같이, 덮개 부재(9) 및 제1 지지 부재(8a)를 관통하고, 또한 제1 핫 단자(6a) 상의 배선(46)에 이르도록 제1 관통 구멍(10a)을 형성한다. 덮개 부재(9) 및 제1 지지 부재(8a)를 관통하고, 또한 제1 그라운드 단자(7a) 상의 배선(47)에 이르도록 제2 관통 구멍(10b)을 형성한다. 덮개 부재(9) 및 제2 지지 부재(8b)를 관통하고, 또한 제2 핫 단자(6b) 상의 배선(46)에 이르도록 제3 관통 구멍(10c)을 형성한다. 덮개 부재(9) 및 제2 지지 부재(8b)를 관통하고, 또한 제2 그라운드 단자(7b) 상의 배선(47)에 이르도록 제4 관통 구멍(10d)을 형성한다.
상술한 바와 같이, 제1 핫 단자(6a)의 탄성 표면파 장치(43)에 있어서의 위치와 제2 핫 단자(6b)의 평가용 소자(44)에 있어서의 위치가 동일하게 되도록, 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)는 형성되어 있다. 그 때문에, 제1 지지 부재(8a)에 있어서의 제1 관통 구멍(10a)의 배치와 제2 지지 부재(8b)에 있어서의 제3 관통 구멍(10c)의 배치가 동일하게 되도록, 제1, 제3 관통 구멍(10a, 10c)을 형성한다. 제1 그라운드 단자(7a)의 제1 회로부에 있어서의 위치와 제2 그라운드 단자(7b)의 제2 회로부에 있어서의 위치가 동일하게 되도록, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)는 형성되어 있다. 그 때문에, 제1 지지 부재(8a)에 있어서의 제2 관통 구멍(10b)의 배치와 제2 지지 부재(8b)에 있어서의 제4 관통 구멍(10d)의 배치가 동일하게 되도록, 제2, 제4 관통 구멍(10b, 10d)을 형성한다. 그것에 의해, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
다음에, 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1∼제4 관통 구멍(10a∼10d)에 제1∼제4 언더 범프 메탈층(11a∼11d)을 형성한다. 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층(11a, 11b, 11d)은, 제1 핫 단자(6a) 및 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b)에 접속되어 있은 급전 배선(13)을 사용한 전해 도금법에 의해 형성할 수 있다. 한편, 제2 핫 단자(6b)는 급전 배선(13)에 접속되어 있지 않다. 그 때문에, 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 급전 배선(13)을 직접 사용한 전해 도금법에 의해서는 형성되지 않는다. 제1, 제2, 제4 언더 범프 메탈층(11a, 11b, 11d)을 형성할 때, 누설 전류가 발생한다. 그 누설 전류에 의해, 제3 관통 구멍(10c)에 의해 노출된 제2 핫 단자(6b) 상의 배선(46)에 전해 도금되어, 제3 언더 범프 메탈층(11c)이 형성된다. 또한, 제3 언더 범프 메탈층(11c)은 형성하지 않아도 된다. 따라서, 상기 누설 전류가 발생하기 어려운 구조 또는 제조 방법을 사용해도 된다.
다음에, 도 13의 (d)에 도시한 바와 같이, 제1∼제4 언더 범프 메탈층(11a∼11d) 상에 제1∼제4 범프(12a∼12d)를 형성한다. 또한, 제3 범프(12c)는 형성하지 않아도 된다. 그것에 의해, 범프에 사용하는 납재 금속의 사용량을 삭감할 수 있다. 그렇다고는 하지만, 본 실시 형태와 같이, 제1∼제4 범프를 동일 조건에서 형성함으로써, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
다음에, 도 14의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)가 형성되어 있는 측의 주면으로부터, 다이싱 라인 I에 있어서 하프컷을 행한다. 다음에, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 탄성 표면파 장치 집합체를 테이프(35)에 고정한다. 보다 구체적으로는, 제1, 제2, 제4 범프(12a, 12b, 12d)를 테이프(35)에 접착한다.
그러한 후, 집합 기판(2)의 상기 주면과 대향하는 주면을 연삭한다. 그것에 의해, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 도 14의 (b)에 도시한 집합 기판(2)은 개개의 압전 기판(42)으로 분할되고, 개개의 탄성 표면파 장치(43)와 평가용 소자(44)로 분할된다.
제2 그라운드 단자(7b), 제4 언더 범프 메탈층(11d) 및 제4 범프(12d)를 제2 핫 단자(6b), 제3 언더 범프 메탈층(11c) 및 제3 범프(12c)보다도 많이 배치함으로써, 테이프(35)를 지지하는 부분을 많게 할 수 있다. 그것에 의해, 집합 기판(2)을 연삭하는 자세를 효과적으로 안정화시킬 수 있다. 따라서, 개개의 압전 기판(42)의 평탄도를 효과적으로 높일 수 있고, 또한 두께 변동을 효과적으로 저감할 수 있다.
또한, 개개의 탄성 표면파 장치(43)로 분할할 때에, 제1, 제2 그라운드 단자(7a, 7b) 및 제1, 제2 핫 단자(6a, 6b)가 형성되어 있는 측의 주면으로부터 풀컷을 행해도 된다.
1 : 탄성 표면파 장치 집합체
2 : 집합 기판
3 : 탄성 표면파 장치
3A : 제1 회로부
4 : 평가용 소자
4A : 제2 회로부
5 : IDT 전극
6a, 6b : 제1, 제2 핫 단자
7a, 7b : 제1, 제2 그라운드 단자
8a, 8b : 제1, 제2 지지 부재
8a1, 8b1 : 제1, 제2 개구부
9 : 덮개 부재
10a∼10d : 제1∼제4 관통 구멍
11a∼11d : 제1∼제4 언더 범프 메탈층
12a∼12d : 제1∼제4 범프
13 : 급전 배선
14 : 기능 전극
21 : 탄성 표면파 장치 집합체
23 : 탄성 표면파 장치
24 : 평가용 소자
35 : 테이프
42 : 압전 기판
43 : 탄성 표면파 장치
44 : 평가용 소자
45 : 보호막
46, 47 : 배선
54 : 평가용 소자
X, Y : 프로브

Claims (11)

  1. 압전체를 포함하는 집합 기판과,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 접속되어 있은 제1 핫 단자 및 제1 그라운드 단자를 각각 갖는 복수의 제1 회로부와,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, 기능 전극과, 상기 기능 전극에 접속되어 있은 제2 핫 단자 및 제2 그라운드 단자를 갖는 제2 회로부와,
    상기 복수의 제1 회로부 및 상기 제2 회로부의 주위를 둘러싸도록 상기 집합 기판 상에 형성되어 있는 급전 배선을 구비하고,
    각 상기 제1 회로부는, 대역 통과형 필터인 탄성 표면파 장치를 각각 구성하고 있고, 상기 제2 회로부는 대역 통과형 필터를 구성하고 있고,
    복수의 상기 제1 그라운드 단자 및 복수의 상기 제1 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 그라운드 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있지 않고,
    각 상기 탄성 표면파 장치의 통과 대역과, 상기 제2 회로부를 포함하고 있는 대역 통과형 필터의 통과 대역이 동일한 탄성 표면파 장치 집합체.
  2. 압전체를 포함하는 집합 기판과,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 접속되어 있은 제1 핫 단자 및 제1 그라운드 단자를 각각 갖는 복수의 제1 회로부와,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, 기능 전극과, 상기 기능 전극에 접속되어 있은 제2 핫 단자 및 제2 그라운드 단자를 갖는 제2 회로부와,
    상기 복수의 제1 회로부 및 상기 제2 회로부의 주위를 둘러싸도록 상기 집합 기판 상에 형성되어 있는 급전 배선을 구비하고,
    각 상기 제1 회로부는, 탄성 표면파 장치를 각각 구성하고 있고,
    복수의 상기 제1 그라운드 단자 및 복수의 상기 제1 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 그라운드 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있고, 상기 제2 핫 단자가 상기 급전 배선에 접속되어 있지 않고,
    상기 복수의 제1 회로부의 전기적인 회로 구성과 상기 제2 회로부의 전기적인 회로 구성이 동일한 탄성 표면파 장치 집합체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, 각 상기 제1 회로부가 면하는 제1 개구부를 각각 갖는 복수의 제1 지지 부재와,
    상기 집합 기판 상에 형성되어 있고, 상기 제2 회로부가 면하는 제2 개구부를 갖는 제2 지지 부재와,
    복수의 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 밀봉하도록, 상기 복수의 제1 지지 부재 상 및 상기 제2 지지 부재 상에 형성되어 있는 덮개 부재를 더 구비하고,
    상기 복수의 제1 지지 부재는, 평면에서 보아, 상기 복수의 제1 핫 단자 및 상기 복수의 제1 그라운드 단자와 겹치도록 형성되어 있고, 상기 제2 지지 부재는, 상기 제2 핫 단자 및 상기 제2 그라운드 단자와 겹치도록 형성되어 있고,
    상기 제1 지지 부재 및 상기 덮개 부재를 관통하고, 상기 복수의 제1 핫 단자 및 상기 복수의 제1 그라운드 단자를 노출시키도록 복수의 제1 관통 구멍 및 복수의 제2 관통 구멍이 형성되어 있고, 상기 제2 지지 부재 및 상기 덮개 부재를 관통하고, 상기 제2 핫 단자 및 상기 제2 그라운드 단자가 노출되도록 제3 관통 구멍 및 제4 관통 구멍이 형성되어 있는 탄성 표면파 장치 집합체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 제1 관통 구멍에 각각 형성되어 있는 제1 언더 범프 메탈층과,
    상기 복수의 제2 관통 구멍에 각각 형성되어 있는 제2 언더 범프 메탈층과,
    상기 제4 관통 구멍에 형성되어 있는 제4 언더 범프 메탈층을 더 구비하는 탄성 표면파 장치 집합체.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제3 관통 구멍에 언더 범프 메탈층이 형성되어 있지 않은 탄성 표면파 장치 집합체.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제3 관통 구멍에 형성되어 있는 제3 언더 범프 메탈층을 더 구비하고,
    각 상기 제1 언더 범프 메탈층의 두께가 상기 제3 언더 범프 메탈층의 두께보다도 큰 탄성 표면파 장치 집합체.
  7. 제6항에 있어서,
    각 상기 제1 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 복수의 제1 범프와,
    각 상기 제2 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 복수의 제2 범프와,
    평면에서 보아 상기 제3 관통 구멍과 겹치는 위치에 형성되어 있는 제3 범프와,
    상기 제4 언더 범프 메탈층 상에 형성되어 있는 제4 범프를 더 구비하고,
    평면에서 보아, 각 상기 제1 범프에 내접하는 내접원의 직경이, 상기 제3 범프에 내접하는 내접원의 직경보다도 큰 탄성 표면파 장치 집합체.
  8. 제3항에 있어서,
    각 상기 제1 지지 부재의 각 상기 제1 개구부의 평면 형상과, 상기 제2 지지 부재의 상기 제2 개구부의 평면 형상이 동일한 탄성 표면파 장치 집합체.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 제2 그라운드 단자가 상기 제2 핫 단자보다도 많이 배치되어 있는 탄성 표면파 장치 집합체.
  10. 제3항에 있어서,
    각 상기 제1 지지 부재에 있어서의 상기 제1 및 제2 관통 구멍의 배치와, 상기 제2 지지 부재에 있어서의 상기 제3 및 제4 관통 구멍의 배치가 동일한 탄성 표면파 장치 집합체.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 회로부의 상기 기능 전극이 상기 복수의 제1 회로부의 상기 IDT 전극과 마찬가지의 구성을 갖는 IDT 전극이고, 상기 복수의 제1 회로부와 상기 제2 회로부의 전기적인 회로 구성 및 물리적인 구성이 동일한 탄성 표면파 장치 집합체.
KR1020177021717A 2015-02-03 2016-02-01 탄성 표면파 장치 집합체 KR101949067B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-019603 2015-02-03
JP2015019603 2015-02-03
PCT/JP2016/052952 WO2016125753A1 (ja) 2015-02-03 2016-02-01 弾性表面波装置集合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170101993A KR20170101993A (ko) 2017-09-06
KR101949067B1 true KR101949067B1 (ko) 2019-02-15

Family

ID=56564096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177021717A KR101949067B1 (ko) 2015-02-03 2016-02-01 탄성 표면파 장치 집합체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10622965B2 (ko)
JP (1) JP6315111B2 (ko)
KR (1) KR101949067B1 (ko)
CN (1) CN107210726B (ko)
WO (1) WO2016125753A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014003731B4 (de) * 2013-08-14 2022-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Bauelement für elastische Oberflächenwellen und elektronische Komponente
WO2015025618A1 (ja) * 2013-08-20 2015-02-26 株式会社 村田製作所 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US20220060170A1 (en) * 2018-06-15 2022-02-24 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028199A (ja) 2006-07-21 2008-02-07 Nichicon Corp 混成集積回路基板の製造方法
JP2009206183A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
JP5051483B2 (ja) 2008-10-24 2012-10-17 株式会社村田製作所 電子部品、およびその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335616A (ja) * 1995-06-06 1996-12-17 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置及びその検査方法
JPH0955398A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3290140B2 (ja) 1998-07-22 2002-06-10 東洋通信機株式会社 弾性表面波デバイスの製造方法
JP2002232254A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP4518870B2 (ja) * 2004-08-24 2010-08-04 京セラ株式会社 弾性表面波装置および通信装置
JP2006120962A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4710456B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-29 株式会社村田製作所 弾性境界波装置及びその製造方法
JP4877465B2 (ja) * 2005-08-03 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ
WO2007125724A1 (ja) 2006-04-28 2007-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
KR101655302B1 (ko) * 2009-09-22 2016-09-07 삼성전자주식회사 표면 탄성파 센서 시스템
JP5654303B2 (ja) * 2010-09-21 2015-01-14 太陽誘電株式会社 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス
JPWO2012050016A1 (ja) 2010-10-15 2014-02-24 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP5766457B2 (ja) * 2011-02-09 2015-08-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP5666366B2 (ja) * 2011-03-31 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR101804496B1 (ko) * 2013-07-17 2017-12-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008028199A (ja) 2006-07-21 2008-02-07 Nichicon Corp 混成集積回路基板の製造方法
JP2009206183A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
JP5051483B2 (ja) 2008-10-24 2012-10-17 株式会社村田製作所 電子部品、およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6315111B2 (ja) 2018-04-25
US20170317659A1 (en) 2017-11-02
CN107210726A (zh) 2017-09-26
JPWO2016125753A1 (ja) 2017-04-27
CN107210726B (zh) 2020-10-23
WO2016125753A1 (ja) 2016-08-11
KR20170101993A (ko) 2017-09-06
US10622965B2 (en) 2020-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110036469B (zh) 高频模块
CN107437928B (zh) 声波装置
JP6571124B2 (ja) 電子部品モジュールの製造方法
KR101949067B1 (ko) 탄성 표면파 장치 집합체
US10469054B2 (en) Piezoelectric module
US20140361663A1 (en) Electronic component
FR2940588A1 (fr) Ensemble multicomposant blinde a montage en surface
US10560068B2 (en) Multiplexer
CN108141193B (zh) 弹性波元件以及弹性波装置
US11177788B2 (en) Acoustic wave device, radio frequency front-end module, and communication device
US9065420B2 (en) Fabrication method of acoustic wave device
KR20190074213A (ko) 탄성파 장치
JP6981772B2 (ja) 弾性波デバイス
US10951194B2 (en) Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
US10715102B2 (en) Filter device
JP4370615B2 (ja) 圧電デバイスとその製造方法
KR101575995B1 (ko) 전자 부품의 제조 방법
JP6798866B2 (ja) マルチプレクサ
JP5082726B2 (ja) 弾性波装置
JP6618521B2 (ja) 弾性波デバイスと、これを使用したアンテナデュプレクサ、モジュール及び通信機器
KR102092305B1 (ko) 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법
JP5999310B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2005348265A (ja) 弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant