CN107210726A - 声表面波装置集合体 - Google Patents

声表面波装置集合体 Download PDF

Info

Publication number
CN107210726A
CN107210726A CN201680006223.6A CN201680006223A CN107210726A CN 107210726 A CN107210726 A CN 107210726A CN 201680006223 A CN201680006223 A CN 201680006223A CN 107210726 A CN107210726 A CN 107210726A
Authority
CN
China
Prior art keywords
surface wave
wave device
acoustic surface
terminal
protruding block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680006223.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107210726B (zh
Inventor
竹下彻
甲斐诚二
中崇
津田基嗣
比良光善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN107210726A publication Critical patent/CN107210726A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107210726B publication Critical patent/CN107210726B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004Impedance-matching networks
    • H03H9/0009Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H2003/0071Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

声表面波装置集合体(1)具备:集合基板(2);多个第1电路部(3A),被设置于集合基板上,具有第1高压端子(6a)以及第1接地端子(7a);第2电路部(4A),被设置于集合基板上,具有第2高压端子(6b)以及第2接地端子(7b);和供电布线(13),被设置于集合基板上以使得包围多个第1电路部以及第2电路部的周围。各第1电路部构成作为带通型滤波器的声表面波装置(3)。第2电路部构成带通型滤波器。多个第1接地端子(7a)以及第1高压端子(6a)还有第2接地端子(7b)连接于供电布线(13),第2高压端子(6b)未连接于供电布线(13),各声表面波装置(3)的通频带与由第2电路部(4A)构成的带通型滤波器的通频带相同。

Description

声表面波装置集合体
技术领域
本发明涉及与声表面波装置相关的声表面波装置集合体。
背景技术
以往,具有WLP构造的声表面波装置被广泛用于移动电话机等。
例如,在下述的专利文献1中,公开了一种具有WLP构造的声表面波装置。在专利文献1的声表面波装置中,在压电基板上的各个布线连接下凸块金属。全部下凸块金属通过电镀法来形成。也就是说,全部上述布线在形成下凸块金属时,连接于用于电镀法的供电布线。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012/050016号
发明内容
-发明要解决的课题-
但是,在专利文献1的声表面波装置中,全部上述布线连接于供电布线。因此,接地端子与高压端子被电短路。因此,到通过切割来分割为各个声表面波装置为止,都不能进行声表面波装置的电特性的检查,不能进行合格与不合格的分拣。
本发明的目的在于,提供一种能够在分割为各个声表面波装置之前对合格和不合格进行分拣的声表面波装置集合体。
-解决课题的手段-
本发明所涉及的声表面波装置集合体在某个广泛方面,具备:集合基板,由压电体构成;多个第1电路部,被设置于所述集合基板上,分别具有IDT电极、和连接于所述IDT电极的第1高压端子以及第1接地端子;第2电路部,被设置于所述集合基板上,具有功能电极、和连接于所述功能电极的第2高压端子以及第2接地端子;和供电布线,被设置于所述集合基板上,以使得包围多个所述第1电路部以及所述第2电路部的周围,各所述第1电路部分别构成作为带通型滤波器的声表面波装置,所述第2电路部构成带通型滤波器,多个所述第1接地端子以及多个所述第1高压端子连接于所述供电布线,所述第2接地端子连接于所述供电布线,所述第2高压端子未连接于所述供电布线,各所述声表面波装置的通频带与由所述第2电路部构成的带通型滤波器的通频带相同。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的其他广泛方面,具备:集合基板,由压电体构成;多个第1电路部,被设置于所述集合基板上,分别具有IDT电极、和连接于所述IDT电极的第1高压端子以及第1接地端子;第2电路部,被设置于所述集合基板上,具有功能电极、和连接于所述功能电极的第2高压端子以及第2接地端子;和供电布线,被设置于所述集合基板上,以使得包围多个所述第1电路部以及所述第2电路部的周围,各所述第1电路部分别构成声表面波装置,多个所述第1接地端子以及多个所述第1高压端子连接于所述供电布线,所述第2接地端子连接于所述供电布线,所述第2高压端子未连接于所述供电布线,多个所述第1电路部的电气电路构成与所述第2电路部的电气电路构成相同。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的某个特定的方面,还具备:多个第1支承部件,被设置于所述集合基板上,分别具有各所述第1电路部所面对的第1开口部;第2支承部件,被设置于所述集合基板上,具有所述第2电路部所面对的第2开口部;和盖部件,被设置于多个所述第1支承部件上以及所述第2支承部件上,以使得将多个所述第1开口部以及所述第2开口部密封,多个所述第1支承部件被设置为俯视下与多个所述第1高压端子以及多个所述第1接地端子重叠,所述第2支承部件被设置为与所述第2高压端子以及所述第2接地端子重叠,多个第1贯通孔以及多个第2贯通孔被设置为贯通所述第1支承部件以及所述盖部件,并且使多个所述第1高压端子以及多个所述第1接地端子露出,第3贯通孔以及第4贯通孔被设置为贯通所述第2支承部件以及所述盖部件,并且所述第2高压端子以及所述第2接地端子露出。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的其他特定的方面,还具备:第1下凸块金属层,分别被设置于多个所述第1贯通孔;第2下凸块金属层,分别被设置于多个所述第2贯通孔;和第4下凸块金属层,被设置于所述第4贯通孔。在该情况下,能够在第1、第2、第4下凸块金属层上设置凸块。由此,能够经由凸块来安装于安装基板等。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一特定的方面,在所述第3贯通孔未设置下凸块金属层。在该情况下,不能在所述第3贯通孔设置凸块。与此相对地,能够在设置于所述第1、第2、第4贯通孔的所述第1、第2、第4下凸块金属层上设置凸块。在所述第1、第2、第4下凸块金属层上设置所述凸块的情况下,能够在俯视下容易地识别多个第1电路部和第2电路部。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的其它特定的方面,还具备:第3下凸块金属层,被设置于所述第3贯通孔,各所述第1下凸块金属层的厚度比所述第3下凸块金属层的厚度大。在该情况下,若在第1~第4下凸块金属层上设置凸块,则能够使设置于第1下凸块金属层上的凸块与设置于第3下凸块金属层上的凸块的平面形状不同。由此,能够在俯视下容易地识别多个第1电路部和第2电路部。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一其它特定的方面,还具备:多个第1凸块,被设置于各所述第1下凸块金属层上;多个第2凸块,被设置于各所述第2下凸块金属层上;第3凸块,被设置于俯视下与所述第3贯通孔重叠的位置;和第4凸块,被设置于所述第4下凸块金属层上,俯视下,内接于各所述第1凸块的内接圆的直径比内接于所述第3凸块的内接圆的直径大。在该情况下,能够在俯视下容易地识别多个第1电路部和第2电路部。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一其它特定的方面,各所述第1支承部件的各所述第1开口部的平面形状与所述第2支承部件的所述第2开口部的平面形状相同。在该情况下,能够使声表面波装置集合体的制造工序单纯化。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一其它特定的方面,所述第2接地端子比所述第2高压端子更多地被配置。在该情况下,能够使为了分割为各个声表面波装置而研磨所述集合基板时的姿势稳定化。由此,能够有效地提高所述集合基板被分割的各个压电基板的平坦度,并且能够有效地减少各压电基板的厚度的差别。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一其它特定的方面,各所述第1支承部件中的所述第1以及第2贯通孔的配置与所述第2支承部件中的所述第3以及第4贯通孔的配置相同。在该情况下,能够使声表面波装置集合体的制造工序单纯化。
在本发明所涉及的声表面波装置集合体的又一其它特定的方面,所述第2电路部的所述功能电极是具有与多个所述第1电路部的所述IDT电极相同的构成的IDT电极,多个所述第1电路部与所述第2电路部的电气电路构成以及物理构成相同。在该情况下,能够使声表面波装置集合体的制造工序单纯化。进一步地,通过检查第2电路部,能够根据所希望的特性来分拣合格和不合格。
-发明效果-
根据本发明,能够提供一种能够在分割为各个声表面波装置之前对合格和不合格进行分拣的声表面波装置集合体。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部主视图。
图2是本发明的第1实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部平面剖视图。
图3是本发明的第1实施方式中的声表面波装置的正面剖视图。
图4是本发明的第1实施方式中的评价用元件的正面剖视图。
图5是本发明的第1实施方式中的声表面波装置的俯视图。
图6是本发明的第1实施方式中的评价用元件的俯视图。
图7是本发明的第1实施方式的变形例中的评价用元件的正面剖视图。
图8是本发明的第2实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部平面剖视图。
图9是本发明的第2实施方式中的声表面波装置的俯视图。
图10是本发明的第2实施方式中的评价用元件的俯视图。
图11是表示在对本发明的第2实施方式所涉及的声表面波装置集合体中使用的集合基板进行背面研磨的工序中,通过胶带来固定声表面波装置集合体的状态的图。
图12(a)~图12(e)是用于对作为本发明的第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。
图13(a)~图13(d)是用于对作为本发明的第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。
图14(a)~图14(c)是用于对作为本发明的第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。
具体实施方式
以下,通过参照附图来对本发明的具体实施方式进行说明,来使本发明清楚明了。
另外,指出本说明书中所述的各实施方式是示例性的,在不同的实施方式之间,能够进行构成的局部置换或者组合。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部主视图。图2是本发明的第1实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部平面剖视图。
声表面波装置集合体1具有集合基板2。集合基板2是切割角42°的LiTaO3基板。另外,集合基板2并不限定于上述的压电体,也可以由其他LiNbO3等压电单晶或适当的压电陶瓷构成。
声表面波装置集合体1具有在集合基板2上构成的多个第1电路部3A。各第1电路部3A分别构成带通型滤波器即声表面波装置3。声表面波装置集合体1也具有在集合基板2上构成的第2电路部4A。第2电路部4A构成带通型滤波器即评价用元件4。在本实施方式中,评价用元件4也是声表面波装置。
在本实施方式中,各第1电路部3A与第2电路部4A的电气电路构成以及物理构成相同。也就是说,分别构成各声表面波装置3的各元件、布线的配置以及材料与构成评价用元件4的各元件、布线的配置以及材料相同。因此,各声表面波装置3的通频带与评价用元件4的通频带相同。
在集合基板2上,设置供电布线13,以使得包围各声表面波装置3以及评价用元件4。供电布线13被设置为沿着分割为各个声表面波装置的切割线。另外,供电布线13是用于通过电镀法来形成后述的下凸块金属层的布线。
各声表面波装置3具有被设置于集合基板2上以使得分别包围第1电路部3A的第1支承部件8a。各第1电路部3A面对于各第1支承部件8a的第1开口部8a1。评价用元件4具有被设置于集合基板2上以使得包围第2电路部4A的第2支承部件8b。第2电路部4A与第2支承部件8b的第2开口部8b1面对。多个第1支承部件8a以及第2支承部件8b由树脂等构成。
各声表面波装置3具有被设置于集合基板2上的多个第1高压端子6a以及多个第1接地端子7a。第1高压端子6a以及第1接地端子7a连接于供电布线13。评价用元件4具有被设置于集合基板2上的多个第2高压端子6b以及多个第2接地端子7b。第2接地端子7b连接于供电布线13。另一方面,第2高压端子6b不连接于供电布线13。
各第1高压端子6a在各声表面波装置3中的位置与第2高压端子6b在评价用元件4中的位置相同。各第1接地端子7a在各声表面波装置3中的位置与第2接地端子7b在评价用元件4中的位置相同。
图3是本发明的第1实施方式中的声表面波装置的正面剖视图。
声表面波装置3具有被设置于集合基板2上的IDT电极5。图2所示的第1电路部3A由多个IDT电极构成。虽未图示,但IDT电极5连接于第1高压端子6a以及第1接地端子7a。第1支承部件8a被设置于集合基板2上以使得覆盖第1高压端子6a以及第1接地端子7a。盖部件9被设置为将第1支承部件8a的第1开口部8a1密封。盖部件9由树脂等构成。
第1、第2贯通孔10a、10b被设置为贯通盖部件9以及第1支承部件8a。第1贯通孔10a的一端到达第1高压端子6a。第2贯通孔10b的一端到达第1接地端子7a。在第1贯通孔10a设置第1下凸块金属层11a。在第2贯通孔10b设置第2下凸块金属层11b。在第1下凸块金属层11a上设置第1凸块12a。在第2下凸块金属层11b上设置第2凸块12b。第1下凸块金属层11a将第1高压端子6a和第1凸块12a连接。第2下凸块金属层11b将第1接地端子7a和第2凸块12b连接。第1、第2凸块12a、12b由焊料等适当的钎料金属构成。
另外,虽未图示,但第1贯通孔以及第1下凸块金属层被设置多个以使得分别连接于多个第1高压端子。第2贯通孔以及第2下凸块金属层被设置多个以使得分别连接于多个第1接地端子。
图4是本发明的第1实施方式中的评价用元件的正面剖视图。
评价用元件4具有被设置于集合基板2上的功能电极14。图2所示的第2电路部4A具有功能电极14。在本实施方式中,评价用元件4具有与声表面波装置3相同的电气电路构成。功能电极14具有与图3所示的声表面波装置3的IDT电极5相同的IDT电极。
虽未图示,但功能电极14连接于第2高压端子6b以及第2接地端子7b。第2支承部件8b被设置于集合基板2上以使得覆盖第2高压端子6b以及第2接地端子7b。盖部件9被设置为将第2支承部件8b的第2开口部8b1密封。
第3、第4贯通孔10c、10d被设置为贯通盖部件9以及第2支承部件8b。第3贯通孔10c的一端到达第2高压端子6b。第4贯通孔10d的一端到达第2接地端子7b。图3所示的第1支承部件8a中的第1贯通孔10a以及第2贯通孔10b的配置与第2支承部件8b中的第3贯通孔10c以及第4贯通孔10d的配置相同。
在第3贯通孔10c设置第3下凸块金属层11c。在第4贯通孔10d设置第4下凸块金属层11d。第4下凸块金属层11d的厚度比第3下凸块金属层11c的厚度大。图3所示的第1、第2下凸块金属层11a、11b的厚度也比第3下凸块金属层11c的厚度大。另外,第3下凸块金属层11c也可以不被设置。
在第3下凸块金属层11c上,设置第3凸块12c。在第4下凸块金属层11d上,设置第4凸块12d。第3下凸块金属层11c将第2高压端子6b与第3凸块12c连接。第4下凸块金属层11d将第2接地端子7b与第4凸块12d连接。第3、第4凸块12c以及12d由焊料等适当的钎料金属构成。
另外,第3凸块12c被设置于俯视下与第3贯通孔10c重叠的位置即可。第3凸块12c与第3下凸块金属层11c也可以不连接。
虽未图示,但第3贯通孔以及第3下凸块金属层被设置多个以使得分别连接于多个第2高压端子。第4贯通孔以及第4下凸块金属层被设置多个以使得分别连接于多个第2接地端子。
本实施方式的特征在于,声表面波装置集合体1具有评价用元件4,并且评价用元件4的第2高压端子6b未连接于供电布线13。根据本实施方式,能够在分割为各个声表面波装置之前分拣为合格和不合格。以下对此进行说明。
在本实施方式中,多个声表面波装置3的第1电路部3A与评价用元件4的第2电路部4A的电气电路构成以及物理构成相同。因此,相同的集合基板2上的多个声表面波装置3具有与相同的集合基板2上的评价用元件4几乎相同的电特性。因此,若检查评价用元件4的滤波器特性等电特性,判断为不满足作为合格的性能,则能够判断为相同的集合基板2上的多个声表面波装置3也不满足作为合格的性能。
优选评价用元件4与多个声表面波装置3的电气电路构成以及物理构成如本实施方式这样相同。由此,能够更加可靠地进行合格分拣。
评价用元件4例如在设置第2电路部4A之后、并且设置第2支承部件8b之前,检查电特性即可。由此,能够在分割为各个声表面波装置3之前,分拣合格和不合格。因此,由于能够仅对被判定为合格的多个声表面波装置3投入后面的工序,因此能够降低成本。
如图4所示,评价用元件4的第2高压端子6b未连接于供电布线13。因此,在通过电镀法来形成图3以及图4所示的第1~第4下凸块金属层11a~11d时,第3下凸块金属层11c未充分形成。因此,第3下凸块金属层11c的厚度比第1、第2、第4下凸块金属层11a、11b、11d的厚度小。第1、第2、第4凸块12a、12b、12d被设置于厚度较大的第1、第2、第4下凸块金属层11a、11b、11d上。因此,第1、第2、第4凸块12a、12b、12d未较大进入到第1、第2、第4贯通孔10a、10b、10d。与此相对地,被设置于厚度较小的第3下凸块金属层11c上的第3凸块12c较大进入到第3贯通孔10c。
图5是本发明的第1实施方式中的声表面波装置的俯视图。图6是第1实施方式中的评价用元件的俯视图。
将内接于各第1~第4凸块12a~12d的内接圆设为内接圆A~D。由于仅第3凸块12c较大进入到第3贯通孔10c,因此内接圆C的直径R2比内接圆A、B、D的直径R1小。这样,由于内接圆C的直径R2与内接圆A、B、D的直径R1的不同,因此俯视下,能够容易地识别是多个声表面波装置3还是评价用元件4。因此,在分割为各个声表面波装置3之后,能够容易地仅仅去除评价用元件4。更具体而言,例如,在输送各个声表面波装置3的工序中,通过输送装置的图像识别功能,识别出是声表面波装置3还是评价用元件4之后,能够仅输送各声表面波装置3。
另外,也可以各第1电路部3A与第2电路部4A的电气电路构成相同,物理构成不同。即使在该情况下,只要各声表面波装置3的电特性与评价用元件4的电特性相关,就能够分拣多个声表面波装置3的合格和不合格。
此外,在本实施方式中,第1电路部3A与第2电路部4A的电气电路构成以及物理构成相同。另外,只要各声表面波装置3的通频带与评价用元件4的通频带相同,则各第1电路部3A与第2电路部4A的电气电路构成以及物理构成也可以不同。
或者,只要各声表面波装置3的电特性与评价用元件4的电特性相关,则第1电路部3A与第2电路部4A的电气电路构成以及物理构成也可以不同。
在本实施方式中,如上所述,各声表面波装置3以及评价用元件4是带通型滤波器。因此,在进行声表面波装置3的合格分拣时,进行滤波器特性等的检查。另外,各声表面波装置3以及评价用元件4并不局限于带通型滤波器,例如,也可以是谐振器等。在该情况下,例如,检查阻抗特性等即可。
虽然在本实施方式中,评价用元件4的功能电极14是IDT电极,但只要评价用元件4的电特性与各声表面波装置3的电特性相关,则功能电极14也可以不是IDT电极。也就是说,评价用元件4不是必须是声表面波装置。
如图7所示的变形例那样,也可以在评价用元件54不设置第3下凸块金属层。由于在评价用元件54未设置第3下凸块金属层,因此也未设置第3凸块。在这种情况下也通过进行评价用元件54的电特性的检查,能够对多个声表面波装置的合格和不合格进行分拣,并且能够在俯视下容易地识别是多个声表面波装置还是评价用元件54。另外,在将第3下凸块金属层设置于第3贯通孔且未设置第3凸块的构成中,也能够得到与第1实施方式相同的效果。
图8是本发明的第2实施方式所涉及的声表面波装置集合体的局部平面剖视图。图9是第2实施方式中的声表面波装置的俯视图。图10是第2实施方式中的评价用元件的俯视图。
本实施方式在接地端子比高压端子更多地被配置这方面,与第1实施方式不同。更具体而言,声表面波装置集合体21中的评价用元件24的第2接地端子7b比第2高压端子6b更多地被配置。因此,电连接于第2接地端子7b的第4凸块12d比电连接于第2高压端子6b的第3凸块12c更多地被配置。多个声表面波装置23的第1接地端子7a比第1高压端子6a更多地被配置。因此,电连接于第1接地端子7a的第2凸块12b比电连接于第1高压端子6a的第1凸块12a更多地被配置。
如图4所示,第3凸块12c较大进入到第3贯通孔10c。因此,朝向以盖部件9的与第2支承部件8b侧相反的一侧的主面为基准的第3贯通孔10c的外侧的方向上的第3凸块12c的厚度比第4凸块12d的上述厚度小。另外,图3所示的、朝向以盖部件9的与第1支承部件8a侧相反的一侧的主面为基准的第1贯通孔10a的外侧的方向上的第1、第2凸块12a、12b的厚度与第4凸块12d的上述厚度为相同程度。
图11是表示在对本发明的第2实施方式所涉及的声表面波装置集合体中使用的集合基板进行背面研磨的工序中,通过胶带来固定声表面波装置集合体的状态的图。
第2、第4凸块12b、12d以及未图示的第1凸块被贴付于胶带35。由此,声表面波装置集合体21被固定。在本实施方式中,与第1凸块以及第2凸块12b的上述厚度相同程度的上述厚度即第4凸块12d比第3凸块更多地被配置。因此,能够增多在相同的高度下贴付于胶带35的部分。因此,能够有效地使对集合基板2进行研磨时的姿势稳定化。
集合基板2被从例如设置有第1~第4凸块12a~12d之后、设置第1、第2接地端子7a、7b以及第1、第2高压端子6a、6b的一侧的主面半切割。在此之后,集合基板2通过对与上述主面对置的主面进行研磨,被分割为各个压电基板。由此,声表面波装置集合体21被分割为各个声表面波装置23。如上述那样,在本实施方式中,能够使对集合基板2进行研磨时的姿势稳定化。因此,能够有效地提高被分割的压电基板的平坦度,并且能够有效地减少各压电基板的厚度的差别。
另外,也可以通过从设置第1、第2接地端子7a、7b以及第1、第2高压端子6a、6b的一侧的主面全切割,来分割为各个声表面波装置23。在该情况下,由于不具有从集合基板2的与上述主面对置的主面研磨集合基板2的工序,因此不产生被分割的各压电基板的研磨所导致的厚度差别等。
接下来,以下,对作为第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明。
图12(a)~图12(e)是用于对作为本发明的第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。图13(a)~图13(d)是用于对作为第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。图14(a)~图14(c)是用于对作为本发明的第3实施方式的声表面波装置集合体的制造方法进行说明的图。另外,在图12(a)~图12(e)以及图13(a)~图13(d)中,表示声表面波装置集合体中的多个声表面波装置之中的一个声表面波装置以及评价用元件的制造方法。
如图12(a)所示,准备集合基板2。接下来,在集合基板2上设置IDT电极5、功能电极14、第1、第2高压端子6a、6b、第1、第2接地端子7a、7b以及供电布线13。第1高压端子6a以及第1接地端子7a设置为与IDT电极5连接。第2高压端子6b以及第2接地端子7b设置为与功能电极14连接。
设置第1、第2高压端子6a、6b,以使得第1高压端子6a在声表面波装置43中的位置与第2高压端子6b在评价用元件44中的位置相同。设置第1、第2接地端子7a、7b,以使得第1接地端子7a在声表面波装置43中的位置与第2接地端子7b在评价用元件44中的位置相同。由此,能够使制造工序单纯化。
供电布线13设置为沿着后面的工序中将集合基板分割的切割线I。供电布线13设置为连接于第1高压端子6a以及第1、第2接地端子7a、7b,并且不连接于第2高压端子6b。
IDT电极5、功能电极14、第1、第2高压端子6a、6b、第1、第2接地端子7a、7b以及供电布线13例如能够通过CVD法、溅射法等来形成。
接下来,如图12(b)那样,在第1、第2高压端子6a、6b上以及第1、第2接地端子7a、7b上设置作为第二层的电极的布线46、47。在形成布线46、47时,例如,能够通过CVD法、溅射法等形成。另外,布线46、47也可以不是必须形成。并且,通过形成布线46、47,能够减小第1、第2高压端子6a、6b以及第1、第2接地端子7a、7b中的电阻。因此,优选形成布线46、47。
接下来,如图12(c)那样,在集合基板2上设置保护膜45,以使得覆盖IDT电极5以及功能电极14。保护膜45由SiO2等的电介质构成。保护膜45例如能够通过CVD法等来形成。另外,保护膜45也可以不是必须设置。并且,通过设置保护膜45,能够难以破损IDT电极5以及功能电极14。因此,优选设置保护膜45。
接下来,如图12(d)所示,进行评价用元件44的电特性的检查。将保护膜45的一部分去除,以使得具有至少第1、第2高压端子6a、6b以及第1、第2接地端子7a、7b的一部分露出的露出部。通过露出部来使检查装置的探测器X以及探测器Y接触于第2高压端子6b上的布线46以及第2接地端子7b上的布线47并进行检查。由此,能够在分割为各个声表面波装置43之前,对多个声表面波装置43的合格和不合格进行分拣。由于能够仅将由上述检查判定为满足所希望的特性的评价用元件44所构成的集合基板2上的多个声表面波装置43投入到后面的工序,因此能够减少成本。
接下来,如图12(e)所示,在集合基板2上设置第1支承部件8a,以使得覆盖第1高压端子6a以及第1接地端子7a并且包围IDT电极5。在集合基板2上设置第2支承部件8b,以使得覆盖第2高压端子6b以及第2接地端子7b并且包围功能电极14。设置第1、第2支承部件8a、8b,以使得IDT电极5所面对的第1支承部件8a的第1开口部8a1的平面形状与功能电极14所面对的第2支承部件8b的第2开口部8b1的平面形状相同。由此,能够使制造工序单纯化。另外,第1开口部8a1的平面形状与第2开口部8b1的平面形状也可以不相同。
第1、第2支承部件8a、8b例如能够通过光刻法来设置。
接下来,如图13(a)所示,设置盖部件9,以使得将第1支承部件8a的第1开口部8a1以及第2支承部件8b的第2开口部8b1密封。
接下来,如图13(b)所示,设置第1贯通孔10a,以使得贯通盖部件9以及第1支承部件8a,并且到达第1高压端子6a上的布线46。设置第2贯通孔10b,以使得贯通盖部件9以及第1支承部件8a,并且到达第1接地端子7a上的布线47。设置第3贯通孔10c,以使得贯通盖部件9以及第2支承部件8b,并且到达第2高压端子6b上的布线46。设置第4贯通孔10d,以使得贯通盖部件9以及第2支承部件8b,并且到达第2接地端子7b上的布线47。
如上所述,第1、第2高压端子6a、6b被设置为第1高压端子6a在声表面波装置43中的位置与第2高压端子6b在评价用元件44中的位置相同。因此,设置第1、第3贯通孔10a、10c,以使得第1支承部件8a中的第1贯通孔10a的配置与第2支承部件8b中的第3贯通孔10c的配置相同。第1、第2接地端子7a、7b被设置为第1接地端子7a在第1电路部中的位置与第2接地端子7b在第2电路部中的位置相同。因此,设置第2、第4贯通孔10b、10d,以使得第1支承部件8a中的第2贯通孔10b的配置与第2支承部件8b中的第4贯通孔10d的配置相同。由此,能够使制造工序单纯化。
接下来,如图13(c)所示,在第1~第4贯通孔10a~10d设置第1~第4下凸块金属层11a~11d。第1、第2、第4下凸块金属层11a、11b、11d能够通过使用了连接于第1高压端子6a以及第1、第2接地端子7a、7b的供电布线13的电镀法来形成。另一方面,第2高压端子6b未连接于供电布线13。因此,第3下凸块金属层11c不通过直接使用了供电布线13的电镀法来形成。在形成第1、第2、第4下凸块金属层11a、11b、11d时,产生漏电流。通过该漏电流,被电镀于由第3贯通孔10c露出的第2高压端子6b上的布线46,形成第3下凸块金属层11c。另外,第3下凸块金属层11c也可以不被设置。因此,也可以使用上述漏电流难以产生的构造或者制造方法。
接下来,如图13(d)所示,在第1~第4下凸块金属层11a~11d上设置第1~第4凸块12a~12d。另外,第3凸块12c也可以不设置。由此,能够减少用于凸块的钎料金属的使用量。并且,如本实施方式这样,通过在同一条件下设置第1~第4凸块,能够使制造工序单纯化。
接下来,如图14(a)所示,从设置有第1、第2接地端子7a、7b以及第1、第2高压端子6a、6b的一侧的主面,在切割线I进行半切割。接下来,如图14(b)所示,将声表面波装置集合体固定于胶带35。更具体而言,将第1、第2、第4凸块12a、12b、12d贴付于胶带35。
在此之后,对集合基板2的与上述主面对置的主面进行研磨。由此,如图14(c)所示,图14(b)所示的集合基板2被分割为各个压电基板42,并被分割为各个声表面波装置43和评价用元件44。
通过将第2接地端子7b、第4下凸块金属层11d以及第4凸块12d比第2高压端子6b、第3下凸块金属层11c以及第3凸块12c更多地配置,能够增多支承胶带35的部分。由此,能够有效地使研磨集合基板2的姿势稳定化。因此,能够有效地提高各个压电基板42的平坦度,并且能够有效地减少厚度差别。
另外,也可以在分割为各个声表面波装置43时,从设置有第1、第2接地端子7a、7b以及第1、第2高压端子6a、6b的一侧的主面进行全切割。
-符号说明-
1...声表面波装置集合体
2...集合基板
3...声表面波装置
3A...第1电路部
4...评价用元件
4A...第2电路部
5...IDT电极
6a、6b...第1、第2高压端子
7a、7b...第1、第2接地端子
8a、8b...第1、第2支承部件
8a18b1...第1、第2开口部
9...盖部件
10a~10d...第1~第4贯通孔
11a~11d...第1~第4下凸块金属层
12a~12d...第1~第4凸块
13...供电布线
14...功能电极
21...声表面波装置集合体
23...声表面波装置
24...评价用元件
35...胶带
42...压电基板
43...声表面波装置
44...评价用元件
45...保护膜
46、47...布线
54...评价用元件
X、Y...探测器

Claims (11)

1.一种声表面波装置集合体,其中,具备:
集合基板,由压电体构成;
多个第1电路部,被设置于所述集合基板上,分别具有IDT电极、和连接于所述IDT电极的第1高压端子以及第1接地端子;
第2电路部,被设置于所述集合基板上,具有功能电极、和连接于所述功能电极的第2高压端子以及第2接地端子;和
供电布线,被设置于所述集合基板上,以使得包围多个所述第1电路部以及所述第2电路部的周围,
各所述第1电路部分别构成作为带通型滤波器的声表面波装置,所述第2电路部构成带通型滤波器,
多个所述第1接地端子以及多个所述第1高压端子连接于所述供电布线,所述第2接地端子连接于所述供电布线,所述第2高压端子未连接于所述供电布线,
各所述声表面波装置的通频带与由所述第2电路部构成的带通型滤波器的通频带相同。
2.一种声表面波装置集合体,其中,具备:
集合基板,由压电体构成;
多个第1电路部,被设置于所述集合基板上,分别具有IDT电极、和连接于所述IDT电极的第1高压端子以及第1接地端子;
第2电路部,被设置于所述集合基板上,具有功能电极、和连接于所述功能电极的第2高压端子以及第2接地端子;和
供电布线,被设置于所述集合基板上,以使得包围多个所述第1电路部以及所述第2电路部的周围,
各所述第1电路部分别构成声表面波装置,
多个所述第1接地端子以及多个所述第1高压端子连接于所述供电布线,所述第2接地端子连接于所述供电布线,所述第2高压端子未连接于所述供电布线,
多个所述第1电路部的电气电路构成与所述第2电路部的电气电路构成相同。
3.根据权利要求1或2所述的声表面波装置集合体,其中,
还具备:
多个第1支承部件,被设置于所述集合基板上,分别具有各所述第1电路部所面对的第1开口部;
第2支承部件,被设置于所述集合基板上,具有所述第2电路部所面对的第2开口部;和
盖部件,被设置于多个所述第1支承部件上以及所述第2支承部件上,以使得将多个所述第1开口部以及所述第2开口部密封,
多个所述第1支承部件被设置为俯视下与多个所述第1高压端子以及多个所述第1接地端子重叠,所述第2支承部件被设置为与所述第2高压端子以及所述第2接地端子重叠,
多个第1贯通孔以及多个第2贯通孔被设置为贯通所述第1支承部件以及所述盖部件,并且使多个所述第1高压端子以及多个所述第1接地端子露出,第3贯通孔以及第4贯通孔被设置为贯通所述第2支承部件以及所述盖部件,并且所述第2高压端子以及所述第2接地端子露出。
4.根据权利要求3所述的声表面波装置集合体,其中,
还具备:
第1下凸块金属层,分别被设置于多个所述第1贯通孔;
第2下凸块金属层,分别被设置于多个所述第2贯通孔;和
第4下凸块金属层,被设置于所述第4贯通孔。
5.根据权利要求4所述的声表面波装置集合体,其中,
在所述第3贯通孔未设置下凸块金属层。
6.根据权利要求4所述的声表面波装置集合体,其中,
还具备:
第3下凸块金属层,被设置于所述第3贯通孔,
各所述第1下凸块金属层的厚度比所述第3下凸块金属层的厚度大。
7.根据权利要求6所述的声表面波装置集合体,其中,
还具备:
多个第1凸块,被设置于各所述第1下凸块金属层上;
多个第2凸块,被设置于各所述第2下凸块金属层上;
第3凸块,被设置于俯视下与所述第3贯通孔重叠的位置;和
第4凸块,被设置于所述第4下凸块金属层上,
俯视下,内接于各所述第1凸块的内接圆的直径比内接于所述第3凸块的内接圆的直径大。
8.根据权利要求3~7中任一项所述的声表面波装置集合体,其中,
各所述第1支承部件的各所述第1开口部的平面形状与所述第2支承部件的所述第2开口部的平面形状相同。
9.根据权利要求3~8中任一项所述的声表面波装置集合体,其中,
所述第2接地端子比所述第2高压端子更多地被配置。
10.根据权利要求3~9中任一项所述的声表面波装置集合体,其中,
各所述第1支承部件中的所述第1以及第2贯通孔的配置与所述第2支承部件中的所述第3以及第4贯通孔的配置相同。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的声表面波装置集合体,其中,
所述第2电路部的所述功能电极是具有与多个所述第1电路部的所述IDT电极相同的构成的IDT电极,多个所述第1电路部与所述第2电路部的电气电路构成以及物理构成相同。
CN201680006223.6A 2015-02-03 2016-02-01 声表面波装置集合体 Active CN107210726B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-019603 2015-02-03
JP2015019603 2015-02-03
PCT/JP2016/052952 WO2016125753A1 (ja) 2015-02-03 2016-02-01 弾性表面波装置集合体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107210726A true CN107210726A (zh) 2017-09-26
CN107210726B CN107210726B (zh) 2020-10-23

Family

ID=56564096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680006223.6A Active CN107210726B (zh) 2015-02-03 2016-02-01 声表面波装置集合体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10622965B2 (zh)
JP (1) JP6315111B2 (zh)
KR (1) KR101949067B1 (zh)
CN (1) CN107210726B (zh)
WO (1) WO2016125753A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6432512B2 (ja) * 2013-08-14 2018-12-05 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、電子部品、および弾性表面波装置の製造方法
KR101754200B1 (ko) * 2013-08-20 2017-07-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741377A (zh) * 2004-08-24 2006-03-01 京瓷株式会社 声表面波装置以及通信装置
US20060087336A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Hideomi Shintaku Semiconductor device including chips with electrically-isolated test elements and its manufacturing method
JP2009206183A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
JP4710456B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-29 株式会社村田製作所 弾性境界波装置及びその製造方法
JP4964526B2 (ja) * 2006-07-21 2012-07-04 ニチコン株式会社 混成集積回路基板の製造方法
CN103081358A (zh) * 2010-09-21 2013-05-01 太阳诱电株式会社 电子部件、其制造方法和具备电子部件的电子器件
WO2015008351A1 (ja) * 2013-07-17 2015-01-22 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335616A (ja) * 1995-06-06 1996-12-17 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置及びその検査方法
JPH0955398A (ja) * 1995-08-10 1997-02-25 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3290140B2 (ja) 1998-07-22 2002-06-10 東洋通信機株式会社 弾性表面波デバイスの製造方法
JP2002232254A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP4877465B2 (ja) * 2005-08-03 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ
JP4655151B2 (ja) 2006-04-28 2011-03-23 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JP5051483B2 (ja) 2008-10-24 2012-10-17 株式会社村田製作所 電子部品、およびその製造方法
KR101655302B1 (ko) * 2009-09-22 2016-09-07 삼성전자주식회사 표면 탄성파 센서 시스템
JPWO2012050016A1 (ja) 2010-10-15 2014-02-24 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP5766457B2 (ja) * 2011-02-09 2015-08-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP5666366B2 (ja) * 2011-03-31 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741377A (zh) * 2004-08-24 2006-03-01 京瓷株式会社 声表面波装置以及通信装置
US20060087336A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Hideomi Shintaku Semiconductor device including chips with electrically-isolated test elements and its manufacturing method
JP2006120962A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4710456B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-29 株式会社村田製作所 弾性境界波装置及びその製造方法
JP4964526B2 (ja) * 2006-07-21 2012-07-04 ニチコン株式会社 混成集積回路基板の製造方法
JP2009206183A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
CN103081358A (zh) * 2010-09-21 2013-05-01 太阳诱电株式会社 电子部件、其制造方法和具备电子部件的电子器件
WO2015008351A1 (ja) * 2013-07-17 2015-01-22 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10622965B2 (en) 2020-04-14
KR101949067B1 (ko) 2019-02-15
US20170317659A1 (en) 2017-11-02
CN107210726B (zh) 2020-10-23
WO2016125753A1 (ja) 2016-08-11
KR20170101993A (ko) 2017-09-06
JP6315111B2 (ja) 2018-04-25
JPWO2016125753A1 (ja) 2017-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201741727U (zh) 压电组件
CN103081358B (zh) 电子部件、其制造方法和具备电子部件的电子器件
CN110447169A (zh) 弹性波装置、分波器以及通信装置
CN104662797B (zh) 弹性波装置及其制造方法
CN101868917B (zh) 表面波装置及其制造方法
EP1672790A3 (en) Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same, ic card, and mobile electronic apparatus
CN106537773B (zh) 弹性波装置
CN107615660A (zh) 弹性波滤波器装置
CN106716827B (zh) 压电模块
CN110178308A (zh) 弹性波滤波器、分波器以及通信装置
CN109845105A (zh) 弹性波滤波器装置
CN101188221A (zh) 布线基板和采用该布线基板的半导体器件
KR101804496B1 (ko) 전자부품 및 그 제조방법
CN110635774A (zh) 表面弹性波元件封装及其制造方法
JP2015144241A (ja) チップ部品およびその製造方法、ならびに当該チップ部品を備えた回路アセンブリおよび電子機器
CN107070432A (zh) 声表面波装置
CN107210726A (zh) 声表面波装置集合体
JP5848079B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
CN107683567A (zh) 弹性波装置
CN108282157A (zh) 声波谐振器及制造声波谐振器的方法
CN101315998B (zh) 成形集成无源器件
US20050167137A1 (en) Electronic part and method of manufacturing the same
CN104011890B (zh) 电子部件的制造方法
JP6166190B2 (ja) 弾性波素子および弾性波装置
CN106031031B (zh) 声波元件和使用声波元件的梯型滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant