KR101917974B1 - 전자 장치 하우징 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자 장치 하우징 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

전자 장치 하우징(100)은 외부 프레임(10) 및 다이 캐스팅 내부 프레임(20)을 포함한다. 다이 캐스팅 내부 프레임은 다이 캐스팅의 방식으로 형성되고, 외부 프레임 내에 조깅된다(jogged). 본 발명은 또한 전자 장치 하우징 제조 방법을 포함한다.

Description

전자 장치 하우징 및 그 제조 방법{ELECTRONIC DEVICE HOUSING AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}
본 발명은 하우징 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자 장치의 하우징 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
알루미늄 합금은 우수한 열 전도성 및 기계적 강도로 인해, 모바일 폰과 같은 모바일 전자 장치의 하우징의 제조에 일반적으로 사용된다. 이러한 알루미늄 합금 하우징은 양극 표면 처리를 통해보다 더 우수한 외관을 얻을 수 있더라도, 일반적으로 다이-캐스팅으로 제조 할 수 없고, 하지만 가공된 블랭크들(forged blanks)로부터 압출 또는 수치 제어 처리로 제조되어야 하므로, 비용이 크게 증가하고 효율성이 크게 감소한다. 한편, 우수한 다이-캐스팅 특성을 갖는 알루미늄 합금 하우징은, 다이 캐스팅에 의해 프레임 구조를 형성할 수 있지만, 색수차의 존재 등으로 인해 더 우수한 외관을 획득하기 위해 일반적인 양극 표면 처리를 할 수 없다.
따라서, 우수한 외관을 갖는 전자 장치의 하우징 및 그 제조 방법을 높은 생산 효율로 제공할 필요가 있다.
전자 장치의 하우징은 외부 프레임; 및 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임 ­상기 다이-캐스팅 내부 프레임은 다이 캐스팅에 의해 형성되고, 상기 외부 프레임 내에 내장됨- 을 포함한다.
전자 장치의 하우징 제조 방법은 외부 프레임을 형성하는 단계; 메탈 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임을 상기 외부 프레임 내에 다이-캐스팅하는 단계 ­상기 다이-캐스팅 내부 프레임은 상기 외부 프레임 내에 내장됨-; 및 상기 외부 프레임의 외부 표면을 양극 산화 처리하여 상기 전자 장치의 하우징을 형성하는 단계를 포함한다.
전자 장치의 하우징은 외부 프레임 및 다이-캐스트 메탈 내부 프레임을 사용하여 다이 캐스팅 성형을 사용하면서 더 좋은 외관을 얻을 수 있어 제조 공정을 줄이고 생산 효율을 향상시킨다.
본 발명의 실시예에 따른 또는 종래 기술에서의 기술적 해결책을 더욱 명확하게 설명하기 위해, 실시예 또는 종래 기술을 설명하기 위한 첨부 도면이 아래에서 간단히 소개된다. 명백하게, 다음의 설명에서 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시예에 불과하며, 당업자는 창조적인 노력 없이 첨부된 도면으로부터 다른 도면을 도출할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징의 투시도이다.
도 2는 도 1의 전자 장치의 하우징의 외부 프레임의 투시도이다.
도 3은 도 2의 포션 II(portion II)의 확대도이다.
도 4는 마진을 제거한 후 도 1의 전자 장치의 하우징의 투시도이다.
도 5는 플라스틱 멤버가 탑재된 후 도 4의 전자 장치의 하우징의 투시도이다.
도 6은 도 5의 최종 획득된 전자 장치의 하우징의 투시도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징의 제조 방법의 흐름도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 전자 장치의 하우징의 제조 방법의 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명한다. 하지만, 본 발명의 다양한 실시예들은 많은 다른 형태로 구체화될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시가 철저하고 완전하게 이루어질 수 있도록 제공되며, 당업자에게 본 발명의 범위를 충분히 전달할 것이다. 동일하거나 유사한 참조 문자를 사용하여 식별되는 요소는 동일하거나 유사한 요소를 참조한다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결된(connected)" 또는 "결합된(coupled)" 것으로 언급될 때, 그 구성 요소는 다른 구성 요소에 직접 연결되거나 결합될 수 있거나 또는 개재 구성 요소가 존재할 수 있음을 이해할 것이다. 대조적으로, 한 구성 요소가 또 다른 요소에 "직접 연결된(directly connected)" 또는 "직접 결합된(directly coupled)" 것으로 언급되는 경우, 개재 요소가 존재하지 않는다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어(기술 용어 및 과학 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한, 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않을 것이다. 본원에 사용 된 용어 "및/또는"은 하나 이상의 연관된 열거 항목의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함한다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징(100)은 외부 프레임(10) 및 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)을 포함한다. 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)은 다이 캐스팅(die casting)에 의해 형성되고, 외부 프레임(10)에 내장된다. 전자 장치의 하우징(100)은 모바일 폰 또는 다른 전자 제품용 프레임 구조일 수 있다. 외부 프레임(10)은 양극 처리된 다이-캐스트 알루미늄, 아연 합금, 스테인레스 강 또는 다른 통상적인 메탈 재료로 제조되거나 또는 세라믹 재료로 제조된다. 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)은 마그네슘 합금, 다이-캐스트 알루미늄 및 T-처리용 다이-캐스트 알루미늄으로 만들어질 수 있다. 도시된 실시예에서, 외부 프레임(10)은 양극 산화 처리에 적합한 다이-캐스트 알루미늄 합금으로 만들어지고, 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)은 우수한 다이-캐스팅 성능을 갖는 알루미늄 합금 재료로 만들어 질 수 있다.
도 2를 참조하면, 외부 프레임(10)은 양극 산화 처리된 외부 표면을 갖는다. 아웃 프레임(10)은 베이스 플레이트(base plate)(11), 사이드 플레이트(side plate)(13) 및 결합부(engaging portion)(15)를 더 포함한다. 베이스 플레이트(11)는 실질적으로 4개의 코너(도시되지 않음)를 갖는 직사각형 플레이트이다. 사이드 플레이트(13)는 베이스 플레이트(11)을 둘러싸고, 사이드 플레이트(13)와 베이스 플레이트(11)는 협조적으로 캐비티(cavity)(16)를 형성한다. 사이드 플레이트(13)는 복수의 이격된 버클링부들(buckling portions)(133)과 복수의 래칭부들(135)을 더 포함한다. 사이드 플레이트(13)는 캐비티(16)에 대향하는 사이드 플레이트(13)에 형성되고, 결합부(15)는 사이드 플레이트(13)의 세로 방향을 따라 연장된다. 도시된 실시예에서, 사이드 플레이트(13)의 너비 방향을 따라, 결합부(15)는 사이드 플레이트(13)의 중심부에 위치되고 사이드 플레이트(13)의 너비보다 작은 폭을 갖는다. 물론, 대안적인 실시예에서, 결합부(15)는 필요에 따라 사이드 플레이트(13)의 다른 위치에 배치될 수 있다.
복수의 버클링부들(133) 및 복수의 래칭부들(135)는 결합부(15) 상에 형성된다. 복수의 래칭부들(135)는 결합부(15) 상에 형성되고, 베이스 플레이트(11)의 코너부와 정렬된다. 버클링부(133)는 결합부(15)로부터 돌출하고, 버클링부(133)는 결합부(15)의 너비보다 더 넓은 너비를 갖는다. 버클링부(133)는 결합부(15)의 세로 방향에 대하여 수직으로 연장하는 두 개의 이격된 버클링 홀들(buckling holes)(1331)을 형성한다. 버클링 홀(1331)은 버클링부(133)를 관통한다. 래칭부(135)는 버클링부(133)의 사이드로부터 연장하는 두 개의 래칭 스트립들(1351)을 포함한다. 두 개의 래칭 스트립들(1351)은 사이드 플레이트(13)의 너비 방향으로 서로 이격되어 있다. 래칭 스트립(1351)은 베이스 플레이트(11)의 코너부에서 구부러지고, 래칭 스트립(1351)의 양단은 베이스 플레이트(11)의 인접한 모서리와 정렬된다. 래칭 스트립(1351)의 양단의 연장선은 서로 수직이다. 래칭 스트립(1351)의 양단은 각각 2 개의 래칭 홀들(1353)을 형성한다. 두 개의 래칭 홀들(1353)은 래칭 스트립(1351)의 단부들을 관통하여 배치되고 이격되어 배치되며, 하나의 래칭 스트립(1351) 상에 형성된 두 개의 래칭 홀들(1353)은 다른 래칭 스트립(1351) 상에 형성된 두 개의 래칭 홀들(1353)과 연통한다. 도시된 실시예에서, 외부 프레임(10)은 실리콘-함유 알루미늄 합금 재료로 이루어지고, 실리콘의 함유량은 0.1 wt% 미만이다.
다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)은 외부 프레임(10)의 캐비티(16)에 수용되어 고정되는 직사각형 플레이트와 같은 형태이다. 다이-캐스팅 내부 프레임(20)은 다이 캐스팅에 의해 외부 프레임(10) 상에 형성되고, 다이-캐스팅 내부 프레임(20)은 외부 프레임(10)의 결합부(15), 복수의 버클링부들(133) 및 복수의 래칭부들(135)과 단단히 내장되는 내장 구조(21)를 포함한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치의 하우징(100)은 외부 프레임(10)에 형성되고, 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)에 결합하는 플라스틱 멤버(30)를 더 포함한다. 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 내부 프레임(20)은 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극을 형성하고, 플라스틱 멤버(30)는 사출 성형에 의해 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20) 상에 형성된다. 플라스틱 멤버(30)는 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극 내에 결합된다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치의 하우징(100)은 키홀(keyhole)을 추가로 형성하고, 안테나 브레이크 포인트, 안테나 콘택트 및 그라운드 포인트와 같은 구조를 형성한다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징의 제조 방법은 다음 단계들을 포함한다:
단계(S101)에서, 외부 프레임(10)이 형성된다. 외부 프레임(10)은 예를 들어 압출, 단조 또는 컴퓨터 수치 제어(CNC; Computer Numerical Control) 가공에 의해 메탈 재료로부터 형성될 수 있다.
구체적으로는, 베이스 플레이트(11), 사이드 플레이트(13) 및 결합부(15)가 메탈 재료로 가공된다. 베이스 플레이트(11)는 실질적으로 네 개의 모서리를 갖는 직사각형 플레이트이다. 사이드 플레이트(13)는 베이스 플레이트(11)를 둘러싸고, 사이드 플레이트(13)와 베이스 플레이트(11)는 협력적으로 캐비티(16)를 형성한다. 결합부(15)는 캐비티(16)에 직면하는 사이드 플레이트(13)의 사이드 상에 형성되고, 결합부(15)는 사이드 플레이트(13)의 세로 방향을 따라 연장된다. 사이드 플레이트(13)의 너비 방향에 따라, 결합부(15)는 사이드 플레이트(13)의 중심부에 위치되고, 사이드 플레이트(13)의 너비보다 더 작은 너비를 갖는다. 사이드 플레이트(13)는 결합부(15) 상에 형성된 복수의 버클링부들(133) 및 복수의 래칭부들(135)을 더 포함한다. 복수의 버클링부들(133)은 결합부(15) 상에 이격되어 형성되고, 복수의 래칭부들(135)은 베이스 플레이트(11)의 코너부와 정렬된다. 버클링부(133)는 결합부(15)로부터 돌출하고, 버클링부(133)는 결합부(15)의 너비보다 더 넓은 너비를 갖는다. 버클링부(133)는 결합부(15)의 연장 방향에 수직으로 연장하는 두 개의 이격된 버클링 홀들(1331)을 형성한다. 버클링 홀(133)은 버클링부(133)를 관통한다. 래칭부(135)는 버클링부(133)의 사이드로부터 연장하는 두 개의 래칭 스트립들(1351)을 포함한다. 두 개의 래칭 스트립들(1351)은 사이드 플레이트(13)의 너비 방향으로 서로 이격되어 있다. 래칭 스트립(1351)은 베이스 플레이트(11)의 코너부에서 구부러지고, 래칭 스트립(1351)의 양단은 베이스 플레이트(11)의 인접한 모서리와 정렬되고, 다시 말해 래칭 스트립(1351)의 양단의 연장선들은 서로 수직이다. 래칭 스트립(1351)의 양단은 각각 두 개의 래칭 홀들(1353)을 형성한다. 두 개의 래칭 홀들(1353)은 래칭 스트립(1351)의 단부들을 관통하여 이격되어 배치되고, 하나의 래칭 스트립(1351) 상에 형성된 두 개의 래칭 홀들(1353)은 다른 래칭 스트립(1351) 상에 형성된 두 개의 래칭 홀들(1353)과 연통한다. 외부 프레임(10)은 실리콘-함유 알루미늄 합금 재료로 이루어지고, 실리콘의 함유량은 0.1 wt% 미만이다.
단계(S102)에서, 다이-캐스트 메탈 내부 프레임(20)은 외부 프레임(10)에 다이 캐스트된다.
구체적으로는, 외부 프레임(10)을 다이-캐스팅 몰드(도시하지 않음)에 위치시키고, 외부 프레임(10)의 캐비티(16)에 메탈 재료를 다이-캐스트하여, 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)을 형성한다. 또한, 다이-캐스팅의 단계는 외부 프레임(10)의 결합부(15), 복수의 버클링부들(133) 및 복수의 래칭부들(135)로 단단히 내장되는 내장 구조(21)를 형성하는 단계를 더 포함한다.
단계(S103)에서, 외부 프레임(10)의 외부 표면은 전자 장치의 하우징(100)을 형성하도록 양극 산화 처리된다.
도 8을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 전자 장치의 하우징 제조 방법은 다음 단계들을 포함한다:
단계(S201)에서, 알루미늄 합금 압출 프로파일은 외부 프레임(10)을 획득하도록 기계 가공된다.
구체적으로, 알루미늄 합금 압출 프로파일은 주변 가공 여유가 확보된 상태에서 외부 프레임 블랭크로 기계 가공된다. 외부 프레임 블랭크는 스탬핑 가공과 CNC 가공을 실시하여, 외부 프레임(10) 상에 버클링부(133)와 래칭부(135)를 형성함으로써, 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20) 사이의 밀착 결합을 용이하게 한다. 외부 프레임(10)상의 버클링부(133) 및 래칭부(135)는 다른 구조들에 의해 대체될 수 있음을 이해해야 한다.
단계(S202)에서, 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 재료는 다이-캐스팅을 수행하기 위해 다이-캐스팅 몰드에 위치시켜, 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)을 외부 프레임(10)에 형성한다. 이후 전자 장치의 하우징(100)은 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)과 외부 프레임(10)의 밀착 결합에 의해 형성된다.
단계(S203)에서, 외부 프레임(10)은 CNC 가공 처리되고, 이것은 이후의 플라스틱 사출 성형을 용이하게 한다.
단계(S204)에서, 전자 장치의 하우징(100)은 표면 처리되어 하우징(100)과 플라스틱 멤버 사이의 접착 강도를 향상시킨다.
구체적으로, 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극이 전자 기기의 하우징(100)의 표면에 에칭된다. 미세공극은 화학적 에칭 또는 전기 화학적 에칭을 이용하여 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)을 처리함으로써 형성될 수 있다. 물론, 외부 프레임(10)과 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20)은 플라스틱 멤버(30)와 외부 프레임(10) 및 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임(20) 사이의 접착 효과를 향상시키기 위해 패시베이션(passivation)과 같은 다른 표면 처리 방법으로 처리될 수도 있다.
단계(S205)에서, 전자 장치의 하우징(100)은 사출 성형용 플라스틱 몰드 내에 위치되어, 전자 장치의 하우징(100) 상에 플라스틱 멤버(30)를 형성한다. 플라스틱 멤버(30)는 외부 프레임(10)의 내부에 접착되고 다이-캐스트 메탈 내부 프레임(20)에 접착된다.
단계(S206)에서, 전자 장치의 하우징(100)은 키홀을 형성하고, 안테나 브레이크 포인트, 안테나 콘택트 및 그라운드 포인트와 같은 구조를 형성한다. 그리고 전자 장치의 하우징(100)은 어셈블리 사이즈에 대한 마진을 제거하기 위해 CNC 가공 처리된다.
단계(S207)에서, 전자 장치의 하우징(100)을 양극 산화 처리한다. 양극 산화 처리 후, 전자 장치의 하우징(100)은 우수한 외관을 나타낸다.
외부 프레임(10)의 CNC 가공, 미세공극 에칭, 플라스틱 멤버(30)의 사출 성형의 단계가 생략될 수 있음을 이해해야 한다.
전자 장치의 하우징(100)은 양극 산화 처리에 적합한 외부 프레임(10)과 다이-캐스트 메탈 내부 프레임(20)으로 구성되어, 제조 공정 및 제조 비용이 감소되는 동시에, 다이 캐스팅 공정으로 인해 더 우수한 외관이 획득된다.
전자 장치의 하우징(100)은 외부 프레임(10)에 대한 양극 산화 처리를 용이하게 할뿐만 아니라, 프레임의 전체 성형 용량 및 CNC 및 다른 보조 공정의 처리 용량을 감소시킬 수 있다. 한편, 하우징(100)은 값 비싼 CNC 기계 점유 비용을 절감할 수 있으므로, 전체 수율이 높고, 대량 생산이 용이하며, 생산 효율이 크게 향상된다. 한편, 양극 산화 처리에 적합한 외부 프레임(10)을 사용하여 양극 산화 처리되는 외관 구조를 용이하게 할 수 있다. 한편, 외부 프레임(10)에 다이-캐스트된 다이 캐스트 메탈 내부 프레임(20)은 프로세싱 비용 및 프로세싱 사이클을 감소시킬 수 있고, 재료 활용을 향상시킬 수 있다. 외부 프레임(10)의 내부 사이드에 형성된 결합부(15), 복수의 버클링부들(133) 및 복수의 래칭부들(135)은 메탈 다이 캐스팅 재료의 적어도 부분에서 외부 프레임(10) 상에 다이 캐스트되는 것이 가능하여, 다이-캐스트 메탈 내부 프레임(20)은 이러한 구조를 통해 외부 프레임(10)과 단단히 형성될 수 있다. 이러한 구조를 갖는 전자 장치의 하우징(100)은 높은 결합 강도를 가지므로, 전체 프레임은 안정적이고 신뢰성이 있다.
상기 설명이 특정 실시예를 참조하여 도시되고 설명되었지만, 상기 설명은 도시된 세부 사항에 제한되는 것으로 의도되지 않는다. 청구 범위의 균등 범위 및 범위 내에서 세부 사항을 수정할 수 있다.

Claims (10)

  1. 외부 프레임; 및
    다이-캐스팅 메탈 내부 프레임 ­상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 다이 캐스팅에 의해 형성되고, 상기 외부 프레임 내에 내장됨-
    을 포함하고,
    상기 외부 프레임은 베이스 플레이트, 사이드 플레이트 및 결합부를 포함하고, 상기 사이드 플레이트는 상기 베이스 플레이트의 모서리를 둘러싸고, 상기 사이드 플레이트와 상기 베이스 플레이트는 협조적으로 캐비티(cavity)를 형성하고, 상기 결합부는 상기 캐비티에 직면하는 상기 사이드 플레이트의 옆에 형성되고, 상기 결합부는 상기 사이드 플레이트의 세로 방향을 따라 연장하고, 상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 상기 결합부에 내장되는 내장 구조를 갖고,
    상기 결합부는 상기 사이드 플레이트의 중심부에 위치되고, 상기 사이드 플레이트의 너비보다 작은 너비를 갖고; 상기 사이드 플레이트는 상기 결합부 상에 복수의 버클링부들을 포함하고, 상기 내장 구조는 상기 복수의 버클링부들 상에 내장되는
    전자 장치의 하우징.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 외부 프레임은 실리콘을 포함하는 알루미늄 합금으로 만들어지고, 상기 실리콘의 질량비는 0.1% 보다 작고, 상기 외부 프레임은 양극 산화 처리된 외부 표면을 갖는
    전자 장치의 하우징.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 버클링부는 상기 결합부 상에 이격 배치되고, 외측으로 돌출하고, 상기 버클링부는 상기 결합부의 너비보다 더 큰 너비를 갖고, 각 버클링부는 두 개의 이격된 버클링 홀들을 형성하고, 상기 버클링 홀은 상기 결합부의 연장하는 방향에 직교하는 방향으로 연장하고, 상기 버클링 홀은 상기 버클링부를 관통하는
    전자 장치의 하우징.
  6. 외부 프레임; 및
    다이-캐스팅 메탈 내부 프레임 ­상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 다이 캐스팅에 의해 형성되고, 상기 외부 프레임 내에 내장됨-
    을 포함하고,
    상기 외부 프레임은 베이스 플레이트, 사이드 플레이트 및 결합부를 포함하고, 상기 사이드 플레이트는 상기 베이스 플레이트의 모서리를 둘러싸고, 상기 사이드 플레이트와 상기 베이스 플레이트는 협조적으로 캐비티(cavity)를 형성하고, 상기 결합부는 상기 캐비티에 직면하는 상기 사이드 플레이트의 옆에 형성되고, 상기 결합부는 상기 사이드 플레이트의 세로 방향을 따라 연장하고, 상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 상기 결합부에 내장되는 내장 구조를 갖고,
    상기 결합부는 상기 사이드 플레이트의 중심부에 위치되고, 상기 사이드 플레이트의 너비보다 더 작은 너비를 갖고; 상기 사이드 플레이트는 상기 결합부 상에 형성된 복수의 래칭부들(latching portions을 포함하고, 상기 복수의 래칭부는 상기 베이스 플레이트의 코너부에 대응하고, 상기 내장 구조는 상기 복수의 래칭부 상에 내장되는
    전자 장치의 하우징.
  7. 제6항에 있어서,
    각 래칭부는 상기 캐비티를 향해 돌출하는 두 개의 래칭 스트립들을 포함하고, 상기 두 개의 래칭 스트립들은 상기 사이드 플레이트의 너비 방향을 따라 이격 배치되고, 각 래칭 스트립은 상기 베이스 플레이트의 코너부에서 구부러지고, 상기 래칭 스트립의 두 개의 단부는 각각 상기 베이스 플레이트의 두 개의 인접한 모서리와 정렬되는
    전자 장치의 하우징.
  8. 전자 장치의 하우징에 있어서,
    외부 프레임; 및
    다이-캐스팅 메탈 내부 프레임 ­상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 다이 캐스팅에 의해 형성되고, 상기 외부 프레임 내에 내장됨-
    을 포함하고,
    상기 외부 프레임 및 상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극을 형성하고; 상기 전자 장치의 하우징은 상기 외부 프레임 내에 및 상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임 상에 사출-성형된 플라스틱 멤버를 더 포함하고, 상기 플라스틱 멤버는 상기 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극 내에 결합되는
    전자 장치의 하우징.
  9. 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법에 있어서,
    외부 프레임을 형성하는 단계;
    메탈 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임을 상기 외부 프레임 내에 다이-캐스팅하는 단계 ­상기 다이-캐스팅 메탈 내부 프레임은 상기 외부 프레임 내에 내장됨-; 및
    상기 외부 프레임의 외부 표면을 양극 산화 처리하여 상기 전자 장치의 하우징을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 외부 프레임의 외부 표면을 양극 산화 처리하는 단계 이후에, 상기 방법은:
    상기 전자 장치의 하우징의 표면 상의 마이크로 나노미터 레벨의 미세공극을 에칭하는 단계; 및 상기 전자 장치의 하우징 상에 플라스틱 멤버를 형성하기 위한 사출 성형을 위해 상기 전자 장치의 하우징을 플라스틱 몰드에 위치시키는 단계
    를 더 포함하는 전자 장치의 하우징 제조 방법.
  10. 삭제
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