KR101896949B1 - 레이저 처리 장치 - Google Patents

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KR101896949B1
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히로타카 사즈카
마사요시 토키히사
요우스케 타고
료 시미즈
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Abstract

레이저 처리 장치에 로드 록실 등을 설치하는 일 없이 피처리체의 반출, 반입을 신속하게 행할 수 있고, 또한 처리실 내의 분위기 안정화를 단시간에 행할 수 있는 레이저 처리 장치를 제공한다. 피처리체(100)를 수용해서 조정된 분위기 하에서 피처리체(100)에 레이저광을 조사하는 처리실(2)과, 처리실(2) 내에 외부로부터 레이저광을 유도하는 광학계를 구비하고, 처리실(2)은 처리실(2) 외부로부터 처리실(2) 내부로 피처리체(100)를 장입하는 개폐 가능한 장입구(7)를 갖고 처리실(2) 내부로부터 장입구(7)로 이어지는 로드 영역(A)과 로드 영역(A)으로 이어지는 레이저광 조사 영역(B)을 구비하고, 로드 영역(A)을 상기 장입구측의 공간(A1)과 레이저광 조사 영역측 공간(A2)으로 구획하는 구획부를 갖고, 구획부는 장입구측 공간(A1)과 레이저광 조사 영역측 공간(A2) 사이에서 피처리체(100)의 이동이 가능하다.

Description

레이저 처리 장치{LASER PROCESSING APPARATUS}
발명은 레이저광을 피처리체에 조사해서 레이저 어닐링 등의 처리를 행하는 레이저 처리 장치에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이의 기판 등에 사용되는 반도체 박막에서는 아모퍼스막을 사용하는 것 이외에 결정 박막을 사용하는 것이 알려져 있다. 이 결정 박막에 관하여 아모퍼스막을 레이저광에 의해 어닐링해서 결정화시킴으로써 제조하는 방법이 제안되어 있다. 또한, 레이저 어닐링 처리로서 결정질막에 레이저광을 조사해서 결함의 제거나 결정성의 개선 등의 개질을 목적으로 해서 행하는 것도 알려져 있다.
상기 레이저 어닐링 등의 처리에서는 대기의 영향을 제거해서 결정화 등에 최적인 분위기로 제어하는 방법이 채용되어 있다. 상기 분위기는 질소 등의 불활성 가스, 진공 등 이외에 이들 분위기에 적극적으로 소량의 산소 등을 혼합하는 방법도 알려져 있다. 상기 분위기 조정을 위해서 피처리체를 처리실 내에 수용하고, 상기 수용실 내의 분위기를 조정해서 처리실 외부로부터 레이저광을 도입해서 피처리체에 조사한다. 그러나 처리실 외부로부터 처리실 내부로 피처리체를 장입(裝入)할 때에 처리실의 장입구 등을 개방함으로써 처리실 내에 대기가 혼입한다. 그 때문에 처리실 내의 분위기 조정(저산소 농도 등)을 행하는 것이 필요하게 되지만, 분위기가 안정될 때까지 시간을 필요로 해서 생산성이 낮아진다는 문제가 있다. 이것 때문에 반도체용 기판을 반입, 반출하기 위한 로드 록실을 처리실과는 별도로 설치한 레이저 처리 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
상기 장치를 도 13에 의거해서 설명한다.
처리실(45)에는 피처리체(100)를 장입해서 적재하는 스테이지(46)가 배치되고, 처리실(45)의 천판에는 외부로부터 레이저광을 도입하는 도입창(47)이 설치된다. 처리실(45)에는 게이트 밸브(44)를 개재해서 반송 로보트실(43)이 접속되고, 또한 반송 로보트실(43)에는 게이트 밸브(42)를 개재해서 로드 록실(41)이 접속되어 있다. 로드 록실(41)의 외부에는 로드 록실(41) 내에 피처리체(100)를 반송하는 반송 로보트(40)가 배치된다.
상기 로드 록실(41), 반송 로보트실(43), 처리실(45)은 진공 또는 소정의 가스 분위기 하에서 게이트 밸브(42,44)를 개재해서 연통한다.
상기 장치의 가동에 있어서는 기판 반입 시에 게이트 밸브(42,44)를 닫은 상태로 로드 록실(41)의 게이트 밸브(도시 생략)를 열어서 반송 로보트(40)에 의해 피처리체(100)를 로드 록실(41) 내로 반입하고, 로드 록실(41)의 게이트 밸브를 닫는다. 게이트 밸브(42,44)를 닫은 상태로 로드 록실(41)을 진공 드로잉한 후에 진공 유지 또는 소정의 가스를 도입한다. 이어서, 게이트 밸브(42)를 열어서 피처리체(100)를 로드 록실(41)로부터 반송 로보트실(43)로 반송하고, 또한 게이트 밸브(44)를 열어서 처리실(45) 내로 피처리체(100)를 장입하고, 로드 록실(44)를 닫아서 레이저 어닐링 등의 처리를 행한다. 이것에 의해 처리실(45)의 분위기를 유지한 채로 소망의 처리를 행하는 것이 가능해진다.
일본 특허 공개 2002-164407호 공보
상기한 바와 같이 로드 록실을 설치한 처리 장치에서는 처리실은 소정의 분위기(예를 들면, 저산소 농도의 질소 분위기 등)로 유지되고, 피처리체의 반출, 반입에 있어서는 로드 록실에서만 분위기의 치환을 행하면 좋으므로 처리실의 분위기 조정을 필요로 하는 일 없이 처리를 행하는 것이 가능해진다.
그러나 상기 처리 장치에서는 반송 로보트실 및 로드 록실을 설치하기 위한 비용이 상승하고, 또한 처리실 이외의 설치 스페이스도 크게 확보할 필요가 있다. 또한, 피처리체의 반출, 반입 시에 로드 록실 내의 분위기를 질소 가스나 불활성 가스 등으로 치환하기 위한 시간이나 런닝 코스트가 필요해지고, 또한 피처리체를 반송하기 위한 시간도 증대한다는 문제가 있다.
이 발명은 상기와 같은 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 로드 록실의 설치를 필요로 하는 일 없이 처리 장치 내의 분위기를 단시간에 안정화시킬 수 있는 레이저 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 레이저 처리 장치 중 제 1 본 발명은 피처리체를 수용해서 조정된 분위기 하에서 상기 피처리체에 레이저광을 조사하는 처리실과, 상기 처리실 내에 외부로부터 레이저광을 유도하는 광학계를 구비하고,
상기 처리실은 상기 처리실 외부로부터 상기 처리실 내부로 상기 피처리체를 장입하는 개폐 가능한 장입구를 가짐과 아울러 상기 처리실 내부에 상기 장입구로 이어지는 로드 영역과, 상기 로드 영역으로 이어지는 레이저광 조사 영역을 구비하고,
상기 로드 영역에 상기 장입구로 이어지는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역을 포함하는 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 구획부를 갖고, 상기 구획부는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간 사이에서 상기 피처리체의 이동이 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 처리실 내에 로드 영역과 레이저광 조사 영역을 갖고, 로드 영역에 갖는 구획부에 의해 상기 장입구로 이어지는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역을 포함하는 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획함으로써 피처리체를 처리실 내로 반입 또는 처리실로부터 반출할 때에 장입구로부터 혼입하는 대기가 레이저광 조사 영역에 영향을 주는 것을 최대한 저감한다.
로드 영역은 장입구에 이어지도록 해서 장입구에 인접해서 설치하는 것이 바람직하고, 장입구와 레이저광 조사 영역 사이에 로드 영역이 위치한다. 로드 영역은 장입구로부터 장입된 피처리체가 이동해서 유지되는 영역이며, 처리에 구비해서 피처리체가 유지되는 유지 포지션을 포함하는 공간이다. 피처리체는 로드 영역의 유지 포지션에까지 장입되고, 상기 로드 영역으로부터 레이저광 조사 영역으로 이동되어서 소정의 처리가 이루어진다.
구획부는 피처리체가 로드 영역으로부터 레이저광 조사 영역으로 이동하는 것이 가능하게 되어 있다. 구획부에 개방부를 형성해 두고 상기 개방부를 통해 피처리체의 이동을 행할 수 있다.
구획부에 피처리체가 이동 가능한 개방부를 형성해 둠으로써 로드 영역으로부터 레이저광 조사 영역으로의 피처리체의 이동을 원활히 행할 수 있다. 개방부로서는 상시 개방되어 있는 것이어도 좋고, 개폐 동작을 수반하는 것이어도 좋다. 또한, 가스 커튼과 같이 피처리체의 이동에 따라 개방 상태가 되는 것이어도 좋다.
또한, 피처리체에 대한 처리는 예를 들면 비결정인 피처리체를 결정화시키거나 결정체인 피처리체의 개질을 행하는 레이저 어닐링을 바람직한 예로서 들 수 있지만 본 발명으로서는 처리의 내용이 이들에 한정되는 것은 아니고, 레이저광을 피처리체에 조사해서 소정의 처리를 행하는 것이면 좋다.
또한, 피처리체로서는 상기 레이저 어닐링 처리의 대상이 되는 반도체(예를 들면, 실리콘 반도체)를 대표적인 것으로서 나타낼 수 있지만 본 발명으로서는 그 종별이 특별히 한정되는 것은 아니고, 처리의 목적을 따라 대상이 되는 것이면 좋다.
또한, 상기 처리는 조정된 분위기 하에서 처리실 내에 있어서 행해진다. 상기 분위기는 대기 분위기를 제외한 것이며, 불활성 가스 분위기, 진공 분위기 등을 대표적으로 들 수 있다. 또한, 습도, 온도 등을 조정한 분위기이어도 좋다. 즉, 본 발명으로서는 조정된 분위기의 종별은 특별히 한정되는 것은 아니고, 대기 하 이외이며 소정의 조건으로 조정되는 것이면 좋다.
이어서, 제 2 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1 본 발명에 있어서, 상기 구획부가 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획되는 구획벽을 갖는 것을 특징으로 한다.
제 3 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1 본 발명에 있어서, 상기 구획부는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 분위기 가스 커튼을 갖는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
구획부로서는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 구획벽이나 분위기 가스를 사용한 가스 커튼 등을 사용할 수 있다. 구획벽이나 가스 커튼은 구획부 전체에 걸치는 것이어도 좋고, 또한 일부를 구획벽이나 가스 커튼으로 구성하는 것이어도 좋고, 구획벽과 가스 커튼을 혼재시키는 것이어도 좋다.
제 4 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 구획부는 상기 장입구측 공간으로서의 상기 로드 영역과, 상기 레이저광 조사 영역측 공간으로서의 상기 레이저광 조사 영역을 구획하는 것을 특징으로 한다.
제 5 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 구획부는 상기 로드 영역 내에 있는 상기 장입구측 공간과, 상기 로드 영역의 일부를 포함하는 상기 레이저광 조사 영역측 공간을 구획하는 있는 것을 특징으로 한다.
제 6 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 구획부는 상기 로드 영역 내에 있는 상기 장입구측 공간과, 상기 로드 영역에 장입된 피처리체가 유지되는 유지 포지션측 공간을 포함하는 상기 레이저광 조사 영역측 공간을 구획하는 것을 특징으로 한다.
구획부가 구획하는 위치는 로드 영역의 어느 위치이어도 가능하며, 가장 전방 위치에서는 장입구측 공간이 되는 로드 영역과 레이저광 조사 영역측 공간이 되는 레이저광 조사 영역을 구획한다. 이것에 의해 로드 영역은 로드 록 영역으로서 분위기의 조정이 가능해진다.
또한, 구획부가 구획하는 위치는 로드 영역 내로 할 수 있고, 그 일형태로서 장입구측의 공간과 레이저광 조사 영역측 공간으로서의 유지 포지션측의 공간으로 구획하는 것을 들 수 있다. 통상은 스테이지 상면에서 피처리체가 유지된 위치가 유지 포지션이 된다. 따라서, 이 경계 위치로서는 로드 영역 내에서 스테이지가 포함되는 공간과, 스테이지가 포함되지 않는 공간으로 구획하는 것이 대표예가 된다.
제 7 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 6 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 장입구측 공간에 장입구측 급기 장치와 장입구측 배기 장치가 통기 가능하게 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
장입구측 공간에는 급배기 장치를 접속하도록 해도 좋다. 이것에 의해 장입구측 공간에 있어서의 분위기 조정을 용이하게 행할 수 있다. 장입구측 급기 장치로는 질소 가스, 불활성 가스 등을 장입구측 공간에 도입할 수 있고, 장입구측 배기 장치로는 장입구측 공간의 배기나 진공 드로잉 등을 행할 수 있다.
장입구측 공간의 분위기 조정은 1) 피처리체가 처리실로 반입, 반출될 때, 2) 처리 중 및 3) 피처리체가 처리실 내에 있어서 반송될 때 각각의 경우에 있어서 상기 급배기 장치를 사용해서 행할 수 있다.
장입구측 공간을 처리실 내부에 확보하여 급배기 시스템을 설치함으로써
1, 장입구측 공간에 급기를 행함으로써 얻어지는 밀봉 구조에 의해 장입구 외부로부터 혼입해 오는 대기량을 억제함과 아울러 처리실 내부에 있어서의 장입구측 공간 외로의 대기 혼입을 저감시킨다.
2, 급배기에 의해 장입구측 공간에 혼입한 대기 분위기를 단시간에 질소나 그 밖의 대기 이외의 레이저 처리에 영향을 주기 어려운 분위기로 치환할 수 있다.
상기에 의해 대기 혼입에 의한 레이저광 조사부 분위기로의 영향을 저감시킴으로써 조사부의 분위기를 단시간에 안정화시키는 것이 가능해진다.
제 8 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 7 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 레이저광 조사 영역에 조사 영역 급기 장치와 조사 영역 배기 장치가 통기 가능하게 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
레이저광 조사 영역에는 급배기 장치를 접속하도록 해도 좋다. 이것에 의해 레이저광 조사 영역의 분위기를 최대한 일정하게 유지할 수 있다. 레이저광 조사 영역과 로드 영역의 장입구측 공간에 각각 급배기 장치를 설치하도록 해도 좋다.
제 9 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 8 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 로드 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 상기 피처리체를 이동시키는 피처리체 이송 장치를 상기 처리실 내부에 구비하는 것을 특징으로 한다.
로드 영역에 장입한 피처리체는 처리실 내부에 구비하는 피처리체 이송 장치에 의해 레이저광 조사 영역으로 이동시킬 수 있다. 또한, 필요에 따라 레이저광 조사 영역으로부터 로드 영역으로 피처리체를 이동시킬 수 있다. 이것에 의해 종래 장치와 같이 처리실 외부에 로드 록실로부터 처리실로 피처리체를 이동시키기 위한 반송 로보트실을 설치할 필요가 없다.
제 10 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 9 본 발명에 있어서, 상기 피처리체 이송 장치는 상기 피처리체를 유지해서 상기 로드 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 이동 가능한 스테이지를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.
상기 피처리체 이동 장치에 피처리체를 유지하는 스테이지를 구비함으로써 로드 영역에 장입하는 피처리체를 스테이지 상에 유지해서 그대로 레이저광 조사 영역으로 이동시킬 수 있다. 또한, 스테이지는 피처리체를 유지하지 않는 상태이어도 양쪽 영역 사이에서 이동시킬 수 있다.
제 11 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 10 본 발명에 있어서, 상기 피처리체 이송 장치는 상기 레이저광 조사 영역에 있어서 상기 스테이지를 상기 레이저광에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 레이저광의 주사를 행하는 것을 특징으로 한다.
피처리체를 레이저광으로 처리할 때에 일반적으로 레이저광을 피처리체에 대하여 상대적으로 주사하면서 처리할 수 있다. 본 발명에서는 상기 피처리체 이송 장치에 구비하는 스테이지를 레이저광 조사 영역으로 이동시킨 후 상기 스테이지를 이동시킴으로써 레이저광 조사 시의 주사를 행하도록 해도 좋다. 이것에 의해 주사 장치와 피처리체를 이송하는 장치를 겸용할 수 있고, 장치 구성을 간이한 것으로 할 수 있다. 또한, 피처리체를 로드 영역으로부터 레이저광 조사 영역으로 이동시키는 방향과, 상기 주사 방향과 동일한 1축 방향으로 하면 이동 및 주사를 위한 장치 구성을 간략하게 할 수 있고, 또한 처리실의 스페이스를 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 레이저광의 상대적인 주사를 위해서 스테이지를 이동시킬 때에 스테이지의 일부가 로드 영역측의 공간에 위치하도록 하면 스페이스 효율이 더 향상되는 효과가 있다.
제 12 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 10 또는 제 11 본 발명에 있어서, 상기 스테이지는 상기 로드 영역측에 위치할 때에 상기 구획부의 일부를 구성하는 것을 특징으로 한다.
스테이지를 구획부의 일부로서 이용함으로써 구획부의 구성 부분을 간략하게 할 수 있다.
제 13 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 10∼제 12 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 처리실 내에서 상기 장입구의 하방측으로부터 상기 로드 영역측에 대기한 상기 스테이지의 장입구측 단부 위치로 신장되어 상기 스테이지와 함께 상기 장입구측 공간의 하방 또는 상기 장입구측 공간 및 상기 레이저광 조사 영역측 공간의 하방을 구획하는 하방 구획벽을 상기 구획부의 일부로서 구비하는 것을 특징으로 한다.
하방 구획벽의 배치에 의해 하방의 공간을 통해서 로드 영역의 장입구측 공간과 레이저광 조사측 공간이 연통되는 것을 회피할 수 있다.
제 14 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 13의 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 구획부는 상기 피처리체의 장입 방향 전후 방향에 있어서 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 전방 구획벽을 갖는 것을 특징으로 한다.
구획부는 상기 피처리체의 장입 방향 전후 방향에 있어서 장입구측의 공간과 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 전방 구획벽을 갖는 것으로 할 수 있다. 이것에 의해 피처리체의 장입 방향에 있어서 공간을 전후로 구획할 수 있다. 이 전방 구획벽은 로드 영역에 위치시킬 경우는 피처리체가 장입되어서 유지되는 유지 포지션측의 공간과 장입구측 공간을 구획하는 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 유지 포지션측의 공간, 또한 레이저광 조사 영역측의 공간에 피처리체의 장입에 의해 분위기가 영향을 받는 것을 최대한 회피할 수 있다.
또한, 전방 구획벽을 로드 영역과 레이저광 조사 영역으로 구획하는 위치에 배치하면 로드 영역을 로드 록 영역으로서 활용할 수 있다.
제 15 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 14 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 처리실 내에서 상기 장입구의 양측방으로부터 상기 레이저광 조사 영역측으로 신장되어 상기 장입구측 공간의 측방 또는 상기 장입구측 공간 및 상기 레이저광 조사 영역측 공간의 측방을 구획하는 측방 구획벽을 상기 구획부의 일부로서 구비하는 것을 특징으로 한다.
측방 구획벽의 배치에 의해 측방의 공간을 통해서 로드 영역의 장입구측 공간과 레이저광 조사측 공간이 연통하는 것을 회피할 수 있다.
제 16 본 발명의 레이저 처리 장치는 제 1∼제 15 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 로드 영역을 장입구로 이어지는 상기 장입구측의 공간과 상기 레이저광 조사 영역측의 공간으로 구획하는 상기 구획부를 제 1 구획부로 하고, 구비하고, 상기 로드 영역과 상기 레이저광 조사 영역을 구획하는 상기 구획부를 제 2 구획부로서 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 2 구획부에 의해 장입구측의 공간과 레이저광 조사 영역을 보다 확실히 구획할 수 있다.
제 17 본 발명의 레이저 처리 장치는 피처리체를 수용해서 조정된 분위기 하에서 상기 피처리체에 레이저광을 조사하는 처리실과, 상기 처리실 내에 외부로부터 레이저광을 유도하는 광학계를 구비하고,
상기 처리실은 상기 처리실 외부로부터 상기 처리실 내부로 상기 피처리체를 장입하는 개폐 가능한 장입구를 가짐과 아울러 상기 처리실 내부에 상기 장입구로 이어지는 로드 록 영역과, 상기 로드 록 영역으로 이어지는 레이저광 조사 영역을 구비하고,
상기 로드 록 영역과 레이저광 조사 영역 사이에서 상기 피처리체의 이동이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
이상과 같이 본 발명에 의하면 장입구측 공간 외에 있어서의 분위기로의 영향을 저감시켜 레이저광 조사 영역의 분위기를 단시간에 안정된 상태로 제어 가능해져 피처리체의 처리 시간 삭감으로 이어지고, 또한 균일한 비정질 반도체 박막의 결정화가 가능하게 되는 등 처리 효과가 향상되는 효과가 있다.
또한, 로드 록실이나 반송 로보트실 등의 설치가 불필요해져 스페이스 효율이 향상된다. 또한, 로드 록실의 분위기 조정을 위해서 필요한 시간이나 분위기 가스의 사용량의 저감 효과가 있다.
도 1은 이 발명의 일실시형태에 의한 레이저 어닐링 처리 장치의 개략을 나타내는 정면측의 종단면도이다.
도 2는 마찬가지로 평면측의 단면도이다.
도 3은 마찬가지로 좌측면에서의 단면도이다.
도 4는 마찬가지로 우측면에서의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 레이저 어닐링 처리 장치의 개략을 나타내는 정면측의 종단면도이다.
도 6은 마찬가지로 평면측의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시형태에 있어서의 레이저 어닐링 처리 장치의 개략을 나타내는 정면측의 종단면도이다.
도 8은 마찬가지로 평면측의 단면도이다.
도 9는 마찬가지로 좌측면에서의 단면도(a), 우측면에서의 단면도(b)이다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시형태에 있어서의 레이저 어닐링 처리 장치의 개략을 나타내는 정면측의 종단면도이다.
도 11은 마찬가지로 좌측면에서의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시형태에 있어서의 레이저 어닐링 처리 장치의 개략을 나타내는 정면측의 종단면도이다.
도 13은 종래의 레이저 어닐링 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
이하에 본 발명의 레이저 처리 장치(1)에 대해서 첨부 도면에 의거해서 설명한다.
도 1은 레이저 처리 장치(1)의 정면 단면을 나타내는 도면이며, 도 2는 평면단면도, 도 3은 좌측면 단면도, 도 4는 우측면 단면도이다.
레이저 처리 장치(1)는 처리실(2)과, 상기 처리실(2) 외에 있는 레이저 발진기(3)와 상기 레이저 발진기(3)로부터 출력된 레이저광(3a)을 정형해서 상기 처리실(2)로 유도하는 광학계(4)를 구비하고 있다.
또한, 처리실(2)에는 광학계(4)의 일부로서 레이저광(3a)을 처리실(2) 외부로부터 처리실(2) 내로 유도하는 도입창(5)을 갖고 있고, 도입창(5)을 통해서 유도되는 레이저광(3a)은 처리실(2) 내에 설치한 실드 박스(6)에 형성한 투과 구멍(6a)을 통해서 피처리체(100)에 조사된다. 실드 박스(6)는 피처리체(100)의 조사 부분에 실드 가스를 배출하는 것이다.
처리실(2)의 측벽(2a)에는 장입구(7)가 설치되어 있고, 상기 장입구(7)의 개폐를 행하는 게이트 밸브(8)가 구비되어 있다. 장입구(7)가 위치하는 측에서 처리실(2)의 외부로 반송 로보트(9)가 위치한다. 또한, 이 예에서는 게이트 밸브(8)를 처리실(2)의 측벽측에 설치했지만 도 1에서 정면측에 설치하는 등의 구성도 가능하다.
처리실(2) 내에는 피처리체(100)의 장입 방향에 대하여 전후 방향 및 좌우 방향으로 이동 가능한 스테이지(10)가 설치되어 있고, 상기 스테이지(10)는 이동 장치(11)에 의해 이동된다. 상기 이동 장치(11)는 본 발명의 피처리체 이송 장치로서의 역할을 갖고 있다. 스테이지(10)는 평면 직사각형 형상을 갖고 있고, 실드 박스(6)보다 장입구(7)측에 대기 위치를 갖고 있고, 장입구(7)와의 사이에 간극을 갖고 있다. 실드 박스(6)와 대기 위치 사이에서는 큰 간극을 가질 필요는 없다.
대기 위치의 스테이지(10)와 장입구 사이의 간극량은 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것이 아니지만 예를 들면 100∼300㎜를 들 수 있다. 장입구(7)로부터 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 전방단에 이르기까지의 공간이 로드 영역(A)이 되고 있고, 스테이지(10)의 전방단보다 전방측의 공간이 레이저광 조사 영역(B)이 되고 있다.
또한, 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 상면이 피처리체(100)의 유지 포지션이 된다.
대기 위치에 있는 스테이지(10)의 후방측에는 상기 스테이지(10)의 양측 단부 위치에 전후 방향을 따른 측면 구획벽(12,12)이 판면을 세로로 해서 배치되어 있다. 측면 구획벽(12)은 상단면 및 후단면이 처리실(2)의 천판(2b) 및 처리실의 측벽(2a)에 간극 없이 밀착되어 있다. 또한, 장입구(7)는 양측의 측면 구획벽(12) 사이에 종횡 모두 들어가고 있다. 또한, 측면 구획벽(12,12) 전단은 스테이지(10)의 후단면과 약간의 간극을 갖고 위치하고 있다. 측면 구획벽(12)의 하단은 스테이지(10)의 하단부의 다소 상방 위치에까지 신장되어 있다.
측면 구획벽(12,12)은 본 발명의 구획부의 일부를 구성한다.
또한, 측면 구획벽(12,12) 사이에는 스테이지(10) 상면 높이와 대략 동일한 높이에 상면이 위치하는 하방 수평 구획벽(13)이 판면을 수평하게 해서 배치되어 있고, 하방 수평 구획벽(13)은 좌우 방향으로 신장되어서 좌우 방향 양단면은 측면 구획벽(12,12)의 내면에 간극 없이 밀착되어 있다. 하방 수평 구획벽(13)은 본 발명의 하방 구획벽에 상당한다.
하방 수평 구획벽(13)의 전단은 측면 구획벽(12)의 전단에까지 신장되어 있다. 따라서, 하방 수평 구획벽(13)의 전단은 스테이지(10)의 후단면과 약간의 간극을 갖고 있다.
하방 수평 구획벽(13)의 후단은 측벽(2a) 부근에서 장입구(7)의 개구 부분에 도달하고 있다. 또한, 하방 수평 구획벽(13)의 후단에는 판면을 세로로 한 후방 세로 구획벽(14)이 하방으로 굴곡해서 연속하고 있고, 후방 세로 구획벽(14)은 좌우 방향으로 신장되고, 좌우 방향 양단면은 측면 구획벽(12,12)의 내면에 간극 없이 밀착되어 있다.
또한, 후방 세로 구획벽(14)의 후방면은 장입구(7)의 개구의 하방측을 막음과 아울러 그 주위에서 측벽(2a)에 밀착되어 측면 구획벽(12)의 하단과 동 위치에까지 하방으로 신장되어 있다. 이 후방 세로 구획벽(14)에 의해 장입구(7)의 하방측이 막아져 있다. 후방 세로 구획벽(14)으로 막아지는 일 없이 개방되어 있는 장입구(7)에 있어서 피처리체(100)의 장입에 필요한 개구는 확보되어 있다.
하방 수평 구획벽(13) 및 후방 세로 구획벽(14)은 본 발명의 구획부의 일부를 구성한다.
또한, 측면 구획벽(12)의 전단 상부측에서는 측면 구획벽(12,12) 사이에 전방 세로 구획벽(15)이 판면을 세로로 해서 배치되어 있고, 전면 세로 구획벽(15)의 상단면은 처리실(2)의 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 있다. 또한, 전방 세로 구획벽(15)은 좌우로 신장되고 좌우 방향 양단면은 측면 구획벽(12,12)의 내면에 간극 없이 밀착되어 있다. 또한, 전면 세로 구획벽(15)의 하단은 하방 수평 구획벽(13)의 상면에까지 도달하지 않고, 상기 상면과의 사이에서 간극(G1)이 확보되어 있다. 전방 세로 구획벽(15)은 본 발명의 전방 구획벽에 상당하고, 구획부의 일부를 구성한다.
상기 간극(G1)을 통해서 피처리체(100)의 이동이 가능하게 되어 있고, 간극(G1)은 구획부의 개방부를 구성한다.
상기 측면 구획벽(12,12), 하방 수평 구획벽(13), 후방 세로 구획벽(14), 전방 세로 구획벽(15)에 의해 본 발명의 구획부가 되는 구획벽이 구성되어 있다. 상기 구획벽은 산소 등에 의한 오염을 받기 어려운 재질이 바람직하고, 예를 들면 알루마이트 처리된 알루미늄판을 사용할 수 있다.
상기 측면 구획벽(12,12), 하방 수평 구획벽(13), 후방 세로 구획벽(14), 전방 세로 구획벽(15)으로 둘러싸인 공간은 로드 영역(A)의 장입구측 공간(A1)이 되고, 대기한 스테이지(10) 상의 공간이 로드 영역(A)의 레이저광 조사측 공간(A2)이 되고 있다. 따라서, 스테이지(10)의 상면은 구획부의 일부를 구성하고 있다. 또한, 이 실시형태에서는 레이저광 조사측 공간(A2)은 피처리체(100)의 유지 포지션측 공간이 되고 있다.
또한, 이 형태에서는 스테이지(10)가 좌우 방향으로 이동하지만 구획부의 전단이 스테이지(10)보다 후방측에 위치하기 때문에 이동하는 스테이지(10)와 구획부가 간섭하는 일은 없다.
또한, 상기에서는 구획부는 고정물로서 설명했지만 구획부를 가동의 것이나 가변 형상의 것에 의해 구성하는 것도 가능하다.
또한, 장입구측 공간(A1)에는 장입구측 공간(A1)에 질소, 아르곤 등의 분위기 가스를 급기할 수 있는 장입구측 급기 라인(16)과, 장입구측 공간(A1) 내의 분위기 가스를 배기하는 장입구측 배기 라인(17)이 접속되어 있다. 각 라인에는 개폐 밸브(16a), 유량계(16b), 개폐 밸브(17a), 유량계(17b)가 사이에 설치되어 있다. 장입구측 급기 라인(16)과, 개폐 밸브(16a), 유량계(16b)에 의해 본 발명의 장입구측 급기 장치의 일부를 구성하고 있고, 장입구측 배기 라인(17)과, 개폐 밸브(17a), 유량계(17b)에 의해 본 발명의 장입구측 배기 장치의 일부를 구성하고 있다.
장입구측 공간(A1)에 분위기 가스를 급기함으로써 상기한 구획벽과 스테이지(10) 사이의 약간의 간극으로부터 가스가 외측을 향해서 배출됨으로써 가스 커튼으로서의 기능이 얻어지고, 실드성이 향상된다. 따라서, 구획벽과 스테이지(10)의 간극은 스테이지의 이동을 손상하지 않을 정도로 최대한 작게 하는 것이 바람직하고, 또한 분위기 가스의 급기에 의한 가스 커튼의 작용이 충분히 얻어질 정도로 작게 하는 것이 바람직하다.
또한, 레이저광 조사 영역(B)에는 레이저광 조사 영역(B) 내에 질소, 아르곤 등의 분위기 가스를 급기할 수 있는 조사 영역 급기 라인(18)과, 레이저광 조사 영역(B) 내의 분위기 가스를 배기하는 조사 영역 배기 라인(19)이 접속되어 있다. 각 라인에는 개폐 밸브(18a), 유량계(18b), 개폐 밸브(19a), 유량계(19b)가 사이에 설치되어 있다. 조사 영역 급기 라인(18)과, 개폐 밸브(18a), 유량계(18b)에 의해 본 발명의 조사 영역 급기 장치의 일부를 구성하고 있고, 조사 영역 배기 라인(19)과, 개폐 밸브(19a), 유량계(19b)에 의해 본 발명의 조사 영역 배기 장치의 일부를 구성하고 있다. 또한, 장입구측의 급배기 장치만을 갖고, 조사 영역의 급배기 장치를 갖지 않는 것이어도 좋다.
이어서, 상기 레이저 처리 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.
우선 처리에 앞서 스테이지(10)를 대기 위치로 이동시켜서 게이트 밸브(8)를 닫아 두고, 유량계(16b,17b,18b,19b)에 의해 유량을 조정하면서 개폐 밸브(16a,17a,18a,19a)를 열어서 배기와 함께 분위기 가스를 급기해서 처리실(2) 내의 분위기를 조정한다.
또한, 레이저광 조사 영역(B)에 설치한 조사 영역 급기 라인(18)과 조사 영역 배기 라인(19)은 피처리체(100)의 반입, 처리, 피처리체의 반출에 이르기까지 급기 및 배기를 계속한 채로 하는 것이 바람직하다.
급기 및 배기에 의해 각 영역 내의 분위기 조정이 완료되면 게이트 밸브(8)를 열어 반송 로보트(9)에 의해 피처리체(100)를 장입구(7)로부터 로드 영역(A) 내의 장입구측 공간(A1)에 장입하고, 또한 간극(G1)을 통해서 장입구측 공간(A1)으로부터 레이저광 조사 영역측 공간(A2)에 피처리체(100)를 장입해서 스테이지(10) 상의 유지 포지션에 적재, 유지한다. 게이트 밸브(8)를 열 때에 장입구측 급기 라인(16)에 의해 장입구측 공간(A1)에 급기만을 행해서 외부의 대기가 장입구측 공간(A1) 내에 혼입하는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 이때에 장입구측 공간(A1)의 실드가 도모되어 있기 때문에 장입구측 공간(A1)에 대기가 혼입해도 대기가 레이저광 조사 영역측 공간(A2), 또한 레이저광 조사 영역(B)에 용이하게 침입하는 일은 없다.
피처리체(100)를 레이저광 조사 영역측 공간(A2)의 유지 포지션에 장입한 후 게이트 밸브(8)를 닫고, 장입구측 급기 라인(16), 조사 영역 급기 라인(18)에 의한 급기와, 장입구측 배기 라인(17), 조사 영역 배기 라인(19)에 의한 배기를 행해서 처리실(2) 내의 분위기를 안정화시킨다. 이때 레이저광 조사 영역(B)으로의 대기의 혼입은 거의 없고, 장입구측 공간(A1)에 있어서의 분위기를 안정화시키기 위한 시간 정도면 되기 때문에 분위기 안정화를 위한 처리 시간은 짧아진다.
분위기의 안정화 후 스테이지(10)를 이동 장치(11)에 의해 도 1에 있어서 좌측방으로 이동시킨다. 이 이동의 도중에 피처리체(100)의 일부가 조사 위치에 도달하므로 피처리체(100)가 완전히 레이저광 조사 영역(B)으로 이동하기 전에 레이저광의 조사를 개시할 수 있다. 레이저광(3a)은 레이저 발진기(3)로부터 출력되고, 광학계(4) 및 광학계(4) 내의 도입창(5), 또한 처리실(2) 내의 실드 박스(6)를 통해 투과 구멍(6a)으로부터 레이저광 조사 영역(B) 내에 위치하는 피처리체(100)에 조사된다.
스테이지(10)는 이동 장치(11)에 의해 전후 방향으로 이동함으로써 레이저광(3a)이 주사된다. 주사 시에는 스테이지(10)는 로드 영역(A)측으로의 이동이 가능하게 되어 있고, 로드 영역(A)측의 공간을 이용할 수 있다.
또한, 스테이지(10)를 좌우 방향으로 이동시켜서 주사 위치를 변경함으로써 피처리체(100)의 전면에 걸쳐서 레이저광 조사에 의한 처리를 행할 수 있다. 상기 처리에 있어서 구획벽은 스테이지(10) 및 피처리체(100)의 이동에 지장이 되는 일은 없다.
상기에 의해 피처리체(100)의 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 처리가 완료된 피처리체(100)는 스테이지(10)와 함께 이동 장치(11)에 의해 로드 영역(A)측으로 이동시키고, 장입구측 공간 급기 라인(16)에 의해 장입구측 공간(A1)측에 급기만을 행한 상태로 게이트 밸브(8)를 열어 반송 로보트(9)에 의해 처리실(2) 외로 반출한다. 그 후는 상기와 마찬가지로 다른 처리체(100)를 반입해서 마찬가지의 처리를 행할 수 있다.
(실시형태 2)
상기 실시형태에서는 측면 구획벽(12)은 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 후방단부 근처에 전단이 위치해서 로드 영역을 장입구측 공간과, 유지 포지션측 공간과 마찬가지의 레이저광 조사측 공간으로 구획하는 것에 대해서 설명했지만 구획부의 전단 위치를 유지 포지션측 공간 내에 설정하는 것이어도 좋다. 이 예를 도 5, 6에 의거해서 설명한다. 도 5는 처리실(2)을 세로로 단면한 도면이며, 도 6은 천판를 생략한 평면도이다.
또한, 상기 실시형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
이 예에서는 스테이지(10)의 양측 단부 위치에 전후 방향을 따른 측면 구획벽(20,20)이 판면을 세로로 해서 배치되어 있다. 측면 구획벽(20,20)은 상기 측면 구획벽(12,12)과 마찬가지의 형상을 후방측에 갖고, 전방측은 스테이지(10)의 상면 바로 위에 하단이 위치하도록 해서 유지 포지션측 공간으로 신장되어 있다. 측면 구획벽(20,20)의 상단면은 처리실(2)의 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 있다.
측면 구획벽(20)의 후방측에서는 대기한 스테이지(10)의 후방 근처에 상기 실시형태와 마찬가지로 하방 수평 구획벽(13)이 위치하고, 장입구(7)측에 후방 세로 구획벽(14)을 갖고 있다. 측면 구획판(20)의 전방단은 스테이지(10)가 이동할 때에 스테이지(10)가 최전방에 위치했을 때에 스테이지(10)의 후방단과 겹치지 않는 위치로 되어 있다. 이것에 의해 스테이지(10)가 피처리체(100)를 유지해서 좌우로 이동할 때에 측면 구획벽(20)과 간섭하는 일은 없다.
측면 구획벽(20) 전단부에는 양측의 측면 구획벽(20)에 판면을 세로로 한 전방 세로 구획벽(21)이 가설(架設)되어 있다. 전방 세로 구획벽(21)은 상단면이 처리실(2)의 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 있고, 또한 좌우로 신장되어 좌우의 양단면이 양측의 측면 구획벽(20) 내면과 간극 없이 밀착되어 있다. 전방 세로 구획벽(21)은 본 발명의 전방 구획벽에 상당한다.
또한, 전방 세로 구획벽(21)의 하단과 스테이지(10)의 상면 사이에는 간극(G2)이 확보되어 있다. 전면 세로 구획벽(21)은 본 발명의 구획부의 일부를 구성한다.
상기 간극(G2)을 통해 피처리체(100)의 이동이 가능하게 되어 있고, 간극(G2)은 구획부의 개방부를 구성한다.
상기 측면 구획판(20,20), 하방 수평 구획판(13), 후방 세로 구획벽(14), 전방 세로 구획벽(21)에 의해 본 발명의 구획부가 되는 구획벽이 구성되어 있다.
이 실시형태에 있어서도 장입구(7)로부터 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 전방단측에 걸쳐서 로드 영역(A)에 할당되어 있고, 실드 박스(6)측이 레이저광 조사 영역(B)에 할당되어 있다.
측면 구획벽(20,20), 하방 수평 구획벽(13), 후방 세로 구획벽(14), 전방 세로 구획벽(21)으로 구성되는 구획벽은 장입구(7)측 공간의 주위를 덮고, 로드 영역(A)을 장입구측 공간(A3)과 레이저광 조사 영역측 공간(A4)으로 구획해서 실드성을 얻고 있다.
장입구측 공간(A3)에는 상기 실시형태와 마찬가지로 장입구측 급기 라인(16)과 장입구측 배기 라인(17)이 접속되어 있고, 장입구측 급기 라인(16)로부터의 급기에 의해 가스 커튼 작용을 얻어서 실드성을 향상시킬 수 있고, 또한 장입구측 배기 라인(17)에 의해 혼입한 대기를 조기에 배제할 수 있다. 또한, 레이저광 조사 영역(B)에는 상기 실시형태와 마찬가지로 레이저광 조사측 급기 라인(18)과 레이저광 조사측 배기 라인(19)이 접속된다.
이 실시형태에 있어서도 상기 실시형태와 마찬가지로 해서 처리실(2) 내로의 피처리체(100)의 반입, 레이저광 조사에 의한 처리, 처리실(2) 외로의 피처리체(100)의 반출을 행할 수 있다. 이때에 레이저광 조사 영역(B)의 분위기를 가능한 한 유지함과 아울러 피처리체(100)의 반입, 반출에 있어서 단시간에 분위기의 안정화를 도모할 수 있다.
(실시형태 3)
상기 각 실시형태에서는 로드 영역(A)을 장입구측 공간과 레이저광 조사 영역측 공간으로 구획하는 구획부에 대해서 설명했지만 장입구측 공간으로서의 로드 영역(A)과 레이저광 조사 영역측 공간으로서의 레이저광 조사 영역(B)을 구획하는 구획부를 구비하는 것이어도 좋다.
이하, 도 7∼도 9에 의거해서 설명한다. 또한, 상기 실시형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
이 실시형태에 있어서도 레이저 처리 장치(1)는 처리실(2)과, 상기 처리실(2) 외에 있는 레이저 발진기(3)와 상기 레이저 발진기(3)로부터 출력된 레이저광(3a)을 정형해서 상기 처리실(2)로 유도하는 광학계(4)를 구비하고 있다. 또한, 처리실(2)에는 광학계(4)의 일부로서 레이저광(3a)을 처리실(2) 외부로부터 처리실(2) 내로 유도하는 도입창(5)을 갖고 있고, 도입창(5)을 통해서 유도되는 레이저광(3a)은 처리실(2) 내에 설치한 실드 박스(6)에 형성한 투과 구멍(6a)을 통해서 피처리체(100)에 조사된다. 실드 박스(6)는 피처리체(100)의 조사 부분에 실드 가스를 배출하는 것이다. 처리실(2)의 측벽(2a)에는 장입구(7)가 형성되어 있고, 상기 장입구(7)의 개폐를 행하는 게이트 밸브(8)가 구비되어 있다. 장입구(7)가 위치 하는 측에서 처리실(2)의 외부에 반송 로보트(9)가 위치한다.
처리실(2) 내에는 스테이지(10)가 설치되어 있고, 상기 스테이지(10)는 이동 장치(11)에 의해 이동된다. 상기 이동 장치는 본 발명의 피처리체 이송 장치로서의 역할도 갖고 있다. 스테이지(10)는 평면 직사각형 형상을 갖고 있고, 실드 박스(6)보다 장입구(7)측에 대기 위치를 갖고 있다.
대기 위치에 있는 스테이지(10)의 양측단 가장자리 상에는 측면 구획벽(30,30)이 스테이지(10)의 상면측 가장자리를 따르면서 처리실(2)의 천판(2b)에 상단을 간극 없이 밀착되어 고정되어 있고, 측면 구획벽(30,30)의 하단면과 스테이지(10)의 상면은 소간극만을 갖고 있다.
또한, 이 형태에서는 스테이지(10)가 폭방향으로 이동하기 때문에 측면 구획벽(30,30)의 하단면과 스테이지(10)의 상면 사이의 간극은 스테이지(10) 상에 적재 한 피처리체(100)를 통과할 수 있는 크기로 형성되어 있다. 또한, 스테이지(10)를 폭방향으로 이동시키지 않을 경우에는 상기 간극을 보다 좁은 것으로 해서 기밀성을 높일 수 있다.
또한, 스테이지(10)에 유지된 피처리체(100)와 간섭하지 않는 부분은 스테이지(10) 상면과 측면 구획벽(30)의 간극을 부분적으로 작게 해도 좋다.
또한, 측면 구획벽(30,30)에는 장입구(7)측에 있어서 스테이지(10)의 후방단측으로부터 스테이지(10)의 후단면을 따라 하방으로 신장되는 후방측면 구획벽(30a,30a)이 이어져 있고, 상기 후방측면 구획벽(30a,30a)은 장입구(7)측에서 측벽(2a)에 간극 없이 밀착되어 있고, 후방측면 구획벽(30a,30a)의 전방단면은 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 후단면과 약간의 간극을 갖고 있다.
또한, 후방측면 구획벽(30a,30a)의 양쪽 하단부는 장입구(7)의 하방측에까지 신장되어 있고, 후방측면 구획벽(30a,30a)의 양쪽 하단부 사이에는 장입구(7)보다 하방의 위치이며, 판면을 수평하게 한 하방 수평 구획벽(31)이 가설되어 있다. 하방 수평 구획벽(31)은 후단면이 측벽(2a)에 간극 없이 밀착되고, 좌우로 신장되어 좌우 양단면이 후방측면 구획벽(30a,30a)의 내면에 간극 없이 밀착되어 있다. 또한, 하방 수평 구획벽(31)의 전방단면은 후방측면 구획벽(30a) 전단면에까지 신장되어 있다. 즉, 하방 수평 구획벽(31) 전단면은 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 후단면과 약간의 간극을 갖고 있다.
측면 구획벽(30,30)의 전방측 단부는 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 전방단에까지 신장되어 있고, 측면 구획벽(30,30) 전단부 상부 사이에는 종판상의 전방 세로 구획벽(32)이 가설되어 있다. 전방 세로 구획벽(32)의 상단면은 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 있고, 전방 세로 구획벽(32)의 하단은 측면 구획벽(30)의 하단에 구비되어 있고, 스테이지(10)에 적재된 피처리체(100)가 통과할 수 있도록 스테이지(10) 상면과의 사이에 간극(G3)이 확보되어 있다. 상기 간극(G3)은 구획부에 있어서의 개방부에 상당한다.
상기 측면 구획벽(30,30), 후방측면 구획벽(30a,30a), 하방 수평 구획벽(31), 전방 세로 구획벽(32)에 의해 본 발명의 구획부가 되는 구획벽이 구성되어 있다. 이 구획부에 의해 장입구측 공간으로서의 로드 영역(A)과, 레이저광 조사 영역측 공간인 레이저광 조사 영역(B)이 구획되어 있다. 상기 구획벽은 산소 등에 의한 오염을 받기 어려운 재질이 바람직하고, 예를 들면 알루마이트 처리된 알루미늄판을 사용할 수 있다.
로드 영역(A)에는 질소, 아르곤 등의 분위기 가스를 급기할 수 있는 급기 라인(16)과, 로드 영역(A) 내의 분위기 가스를 배기하는 배기 라인(17)이 접속되어 있다. 각 라인에는 개폐 밸브(16a), 유량계(16b), 개폐 밸브(17a), 유량계(17b)가 사이에 설치되어 있다.
상기 급기 라인(16), 개폐 밸브(16a), 유량계(16b), 도시 생략된 가스 공급원 등에 의해 본 발명의 장입구측 급기 장치가 구성되어 있고, 상기 배기 라인(17), 개폐 밸브(17a), 유량계(17b), 도시 생략된 배기 펌프 등에 의해 본 발명의 장입구측 배기 장치가 구성되어 있다.
로드 영역(A)에 분위기 가스를 급기함으로써 상기한 구획벽과 스테이지(10) 사이의 약간의 간극으로부터 가스가 외측을 향해서 배출됨으로써 가스 커튼으로서의 기능이 얻어지고, 실드성이 향상된다. 따라서, 구획벽과 스테이지(10)의 간극은 스테이지의 이동을 손상하지 않을 정도로 최대한 작게 하는 것이 바람직하고, 또한 분위기 가스의 급기에 의한 가스 커튼의 작용이 충분히 얻어질 정도로 작게 하는 것이 바람직하다.
이 실시형태에 있어서도 장입구(7)로부터 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 전방단측에 걸쳐서 로드 영역(A)에 할당되어 있고, 실드 박스(6)측이 레이저광 조사 영역(B)에 할당되어 있다. 또한, 이 실시형태에서는 로드 영역(A)과 레이저광 조사 영역(B)이 구획되어 있고, 로드 영역(A)은 로드 록 영역으로서 기능한다.
측면 구획벽(30,30), 하방 수평 구획벽(31), 전방 세로 구획벽(32)으로 구성되는 구획부는 장입구(7)측 공간의 주위를 덮고, 로드 영역(A)인 장입구측 공간과, 레이저광 조사 영역(B)인 레이저광 조사 영역측 공간으로 구획해서 실드성을 얻고 있다.
로드 영역(A)은 장입구측 급기 라인(16)으로부터의 급기에 의해 가스 커튼 작용을 얻어서 실드성을 향상시킬 수 있고, 또한 장입구측 배기 라인(17)에 의해 혼입한 대기를 조기에 배제할 수 있다.
(실시형태 4)
또한, 상기 실시형태에서는 측면 구획벽(12)은 대기 위치에 있는 스테이지(10) 상면의 좌우 양측단 가장자리 상에 위치해서 스테이지(10)가 좌우 방향으로 이동할 수 있는 것으로 했지만, 측면 구획벽의 형상을 변경해서 스테이지(10)의 이동을 가능하게 한 것이어도 좋다. 이 예를 도 10, 11에 의거해서 설명한다. 또한, 상기 실시형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
이 예의 측면 구획벽(35,35)은 스테이지(10)가 좌우 방향으로 이동하는 범위에서 스테이지의 좌우 측벽면이 간섭하지 않는 위치에서 천판(2b)에 수하(垂下) 고정되어 있고, 측면 구획벽(35,35)은 스테이지(10)의 하면측 근방에 이르는 길이를 갖고 있다. 또한, 측면 구획벽(35,35)의 후방측은 측벽(2a)에 간극 없이 고정되어 있고, 실드 박스(6)측에서는 스테이지(10)의 전방단 가장자리에 이르는 길이를 갖고 있다. 또한, 측면 구획벽(35,35) 사이에는 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 후방측에서 횡판상의 하방 수평 구획벽(36)이 연결되어 있고, 하방 수평 구획벽(36)의 후방단은 측벽(2a)에 간극 없이 고정되고, 전방단은 스테이지(10)의 후단면과 약간의 간극을 갖는 위치까지 신장되어 있다.
또한, 측면 구획벽(35,35)의 전방단은 스테이지(10) 상면의 전방단 가장자리에까지 신장되어 있고, 상기 전방단에 종판상의 전방 세로 구획벽(37)이 가설되어 있다. 전방 세로 구획벽(37)의 상단면은 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 고정되고, 하단면은 스테이지(10)에 적재된 피처리체(100)를 통과할 수 있을 정도로 간극을 갖고 있다. 상기 간극은 경계 수단에 있어서의 개방부에 상당한다. 상기 측면 구획벽(35,35), 하방 수평 구획벽(36), 전방 세로 구획벽(37)에 의해 본 발명의 구획부가 되는 구획벽이 구성되어 있다.
이 실시형태에 있어서는 장입구(7)로부터 대기 위치에 있는 스테이지(10)의 상방측에 이르기까지의 공간이 로드 영역(A0)에 할당되어 있고, 실드 박스(6)측이 레이저광 조사 영역(B)에 할당되어 있도록 구획되어 있다. 따라서, 로드 영역(A0)은 로드 록 영역으로서 기능한다. 측면 구획벽(35,35), 하방 수평 구획벽(36), 전방 세로 구획벽(37)으로 구성되는 구획벽은 장입구(7)의 주위를 덮고, 로드 영역(A0)과 레이저광 조사 영역(B)을 구획해서 실드성을 얻고 있다. 상기 로드 영역(A0)은 급기 라인으로부터의 급기에 의해 가스 커튼 작용을 얻어서 실드성을 향상시킬 수 있고, 또한 배기 라인에 의해 혼입한 대기를 조기에 배제할 수 있다.
이 실시형태에 있어서도 상기 실시형태와 마찬가지로 해서 처리실 내로의 피처리체의 반입, 레이저광 조사에 의한 처리, 처리실 외로의 처리체의 반출을 행할 수 있다. 이때에 레이저광 조사 영역의 분위기를 가능한 한 유지함과 아울러 피처리체의 반입, 반출에 있어서 단시간에 분위기의 안정화를 도모할 수 있다.
(실시형태 5)
상기 각 실시형태에서는 로드 영역에 장입구측 공간과 레이저광 조사 영역측 공간으로 구획하는 구획부에 대해서 설명했지만 로드 영역(A)과 레이저광 조사 영역(B)을 구획하는 구획부와, 로드 영역을 장입구측 공간과 레이저광 조사 영역측 공간으로 구획하는 구획부를 각각 구비하는 것이어도 좋다.
이 실시형태 5에서는 도 7∼도 9에 나타내어지는 구획부를 제 2 구획부로서 갖고, 또한 로드 영역을 장입구측 공간과 유지 포지션을 포함하는 공간으로 구획하는 제 1 구획부를 구비하는 것에 대해서 도 12에 의거해서 설명한다. 또한, 상기 각 실시형태와 마찬가지의 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
이 형태에서는 측면 구획부(30)를 갖고, 상기 측면 구획부(30)가 스테이지(10) 전단측에까지 신장되어 있다. 측면 구획벽(30)과 스테이지(10)의 상면은 스테이지(10) 상에 피처리체(100)를 유지해서 스테이지(10)가 이동할 때에 피처리체(100)와 측면 구획벽(30)이 간섭하지 않도록 스테이지(10)와의 사이에 최소한의 간극이 확보되어 있다. 또한, 도 12에 있어서 상상선으로 나타내는 바와 같이 스테이지(10)에 유지된 피처리체(100)와 간섭하지 않는 부분은 스테이지(10)와 측면 구획벽(30)의 간극을 부분적으로 작게 해도 좋다.
측면 구획벽(30)의 후방측에는 후방측면 구획벽(30a)을 갖고, 상기 후방측면 구획벽(30a)의 하단측에 상기 실시형태 3과 마찬가지로 하방 수평 구획판(31)이 가설되어 있다. 또한, 스테이지(10)의 후단측에 위치하는 후방측면 구획벽(30a) 전단 상부측에 전방 세로 구획벽(15)이 설치되어 있다. 전방 세로 구획벽(15)은 상단면이 천판(2b)에 간극 없이 밀착되어 있다. 전방 세로 구획벽(15)과 스테이지(10)의 상면 사이에는 간극(G1)이 확보되어 있다. 간극(G1)을 통해서 피처리체(100)의 이동이 가능하게 되어 있다.
후방측면 구획벽(30a)과, 하방 수평 구획벽(31), 전방 세로 구획벽(15)은 제 1 구획부를 구성하고, 제 1 구획부에 의해 로드 영역(A)을 장입구측의 공간(A1)과 레이저광 조사 영역측의 공간(A2)으로 구획하고 있다.
또한, 측면 구획벽(30) 전단부에 전방 세로 구획벽(32)을 갖고 있다. 전방 세로 구획벽(32)은 상단면 및 좌우 양단면이 처리실(2)의 천판(2b) 및 양측의 측면 구획벽(30) 내면에 간극 없이 밀착되어 있다. 또한, 전방 세로 구획벽(32)의 하단과, 스테이지(10)의 상면 사이에는 간극이 확보되어 있다. 상기 간극을 통해서 피처리체(100)의 이동이 가능하게 되어 있다.
측면 구획벽(30), 전방 세로 구획벽(31) 및 스테이지(10) 상면은 본 발명의 제 2 구획부를 구성하고 있다. 제 2 구획부에 의해 로드 영역(A)과 레이저광 조사 영역(B)에 할당되어서 구획되어 있다. 따라서, 로드 영역(A)은 로드 록 영역으로서 기능한다.
제 1 구획부는 장입구(7)측 공간의 주위를 덮고, 로드 영역(A)을 장입구측 공간(A1)과, 레이저광 조사 영역측 공간(A2)으로 구획해서 실드성을 얻고 있다. 또한, 제 2 구획부는 처리실(2) 내를 로드 영역(A)과 레이저광 조사 영역(B)으로 구획해서 실드성을 더 얻고 있다.
장입구측 공간(A1)은 장입구측 급기 라인으로부터의 급기에 의해 가스 커튼 작용을 얻어서 실드성을 향상시킬 수 있고, 또한 장입구측 배기 라인에 의해 혼입한 대기를 조기에 배제할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거해서 설명을 행했지만 본 발명은 상기 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 적당한 변경이 가능하다.
1: 레이저 처리 장치 2: 처리실
3: 레이저 발진기 4: 광학계
6: 실드 박스 7: 장입구
8: 게이트 밸브 9: 반송 로보트
10: 스테이지 11: 이동 장치
12: 측면 구획벽 13: 하방 수평 구획벽
14: 후방 세로 구획벽 15: 전방 세로 구획벽
16: 장입구측 급기 라인 17: 장입구측 배기 라인
18: 레이저광 조사측 급기 라인 19: 레이저광 조사측 배기 라인
20: 측면 구획벽 21: 전방 세로 구획벽
30: 측면 구획벽 31: 하방 수평 구획벽
32: 전방 세로 구획벽 35: 측면 구획벽
36: 하방 수평 구획벽 37: 전방 세로 구획벽
A: 로드 영역 A1: 장입구측 공간
A2: 레이저광 조사측 공간 A3: 장입구측 공간
A4: 레이저광 조사측 공간 B: 레이저광 조사 영역
100: 피처리체

Claims (17)

  1. 피처리체를 수용해서 조정된 분위기 하에서 상기 피처리체에 레이저광을 조사하는 처리실과, 상기 처리실 내에 외부로부터 레이저광을 유도하는 광학계를 구비하고,
    상기 처리실은, 처리실 외부로부터 상기 처리실 내부로 상기 피처리체를 장입하는 개폐 가능한 장입구와, 상기 장입구로부터 피처리체를 장입할 수 있도록 처리실 내부에 설치된 로드 록 영역과, 상기 로드 록 영역과 별도로 처리실 내부에 설치된 레이저광 조사 영역과, 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역을 구획함과 동시에, 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 상기 피처리체가 이동할 수 있는 구획수단과, 상기 레이저광 조사 영역에서 상기 레이저광에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 레이저광을 주사하는 스테이지를 구비하고,
    상기 스테이지가 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 이동가능하며,
    상기 구획수단은, 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역을 구획하는 구획벽을 가지며,
    상기 처리실 내에서 상기 장입구의 하방측으로부터 상기 로드 록 영역측에 대기한 상기 스테이지의 장입구측 단부 위치로 신장하는 하방 구획벽을 상기 구획수단의 일부로서 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구획수단은, 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역을 구획하는 분위기 가스 커튼을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  3. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 록 영역으로 이어지는 로드 록 영역 급기 장치와 로드 록 영역 배기 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저광 조사 영역으로 이어지는 조사 영역 급기 장치와 조사 영역 배기 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 상기 피처리체를 이동시키는 피처리체 이송 장치를 상기 처리실 내부에 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 피처리체 이송 장치에는 상기 피처리체를 재치(載置)해서 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역 사이에서 이동 가능한 상기 스테이지를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스테이지는 상기 피처리체를 상기 처리실 내부에 장입할 때, 상기 로드 록 영역 측에 위치하여, 상기 로드 록 영역과 상기 레이저광 조사 영역을 구획하는 구획수단의 일부를 이루는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장입구와 상기 로드 록 영역에 위치한 스테이지 상부가 이어진 공간을 둘러쌈과 동시에, 상기 스테이지의 레이저광 조사 영역 측으로 이동이 가능하도록 구획수단으로서 구획벽이 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018659B2 (ja) * 2015-02-27 2016-11-02 株式会社日本製鋼所 雰囲気形成装置および浮上搬送方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147859A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd 処理装置及び処理方法
JP2007073534A (ja) * 1996-05-15 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ドーピング処理装置
JP2007110147A (ja) * 2006-12-01 2007-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタの作製方法及びレーザーアニール方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04356917A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザーアニール装置
JP4001647B2 (ja) * 1995-12-04 2007-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法
JP3175002B2 (ja) * 1997-05-07 2001-06-11 住友重機械工業株式会社 レーザアニーリング装置
JPH1197382A (ja) * 1997-09-19 1999-04-09 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置
TW444275B (en) * 1998-01-13 2001-07-01 Toshiba Corp Processing device, laser annealing device, laser annealing method, manufacturing device and substrate manufacturing device for panel display
JP4014729B2 (ja) * 1998-06-05 2007-11-28 クリーン・テクノロジー株式会社 Ｕｖ洗浄装置
JP2000021891A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Toshiba Corp 基板処理装置およびその方法
JP2002164407A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置及び方法
JP4589606B2 (ja) * 2003-06-02 2010-12-01 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7390704B2 (en) * 2004-06-16 2008-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
US7923660B2 (en) * 2007-08-15 2011-04-12 Applied Materials, Inc. Pulsed laser anneal system architecture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073534A (ja) * 1996-05-15 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ドーピング処理装置
JP4593548B2 (ja) 1996-05-15 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 ドーピング処理装置
JP2006147859A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd 処理装置及び処理方法
JP2007110147A (ja) * 2006-12-01 2007-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタの作製方法及びレーザーアニール方法

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