JP4593548B2 - ドーピング処理装置 - Google Patents
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Description
2 マッチングボックス
3、23 プラズマ発生用電極
4、24 プラズマ空間
5 絶縁体
6、26 プラズマ発生用電極
7、27、33 加速電源
8、28 引き出し電源
9、29 抑制電源
10、30 引き出し電極
11、31 抑制電極
12、32 加速電極
13 イオン源・加速装置
14 電源装置
15 ドーピング室
16 被ドーピング材
17 基板ホルダー
18 ガスライン
19 ガスボックス
20 排気装置
34、35 磁場
36 スリット
Claims (9)
- プラズマを発生させるためのプラズマ空間と、
前記プラズマ空間で発生させたプラズマから、断面が線状または長方形のイオン流を引き出すための引き出し電極と、
前記イオン流の断面の長尺方向と直角方向に基板を移動する搬送機構を有するドーピング室とを有し、
前記引き出し電極によって引き出された前記イオン流を、前記断面の短尺方向に集束し、かつ、長尺方向に集束しないコイルと、
前記コイルにより集束されたイオン流を質量分離する手段と、を有し、
前記質量分離する手段は、
前記コイルにより集束されたイオン流の断面の長尺方向に磁場を印加し、前記集束されたイオン流を断面の短尺方向に曲げる磁場を印加する装置と、
前記磁場により曲げられたイオン流の断面の短尺方向の一部を遮断するスリットと、を有することを特徴とするドーピング処理装置。 - 請求項1において、
前記ドーピング処理装置は、前記質量分離する手段により質量分離されたイオン流を加速するための線状又は長方形の空洞部を有する加速電極を有することを特徴とするドーピング処理装置。 - 断面が線状または長方形のイオン流を発生させる装置と、
線状レーザー光を発生させる装置と、
前記イオン流の断面の長尺方向と直角方向に基板を移動する搬送機構を有するドーピング室とを有し、
前記イオン流を発生させる装置は、
プラズマを発生させるためのプラズマ空間と、
前記プラズマ空間で発生させたプラズマから、断面が線状または長方形のイオン流を引き出すための引き出し電極と、
前記引き出し電極によって引き出された前記イオン流を、前記断面の短尺方向に集束し、かつ、長尺方向に集束しないコイルと、
前記コイルにより集束されたイオン流を質量分離する手段と、を有し、
前記質量分離する手段は、
前記コイルにより集束されたイオン流の断面の長尺方向に磁場を印加し、前記集束されたイオン流を断面の短尺方向に曲げる磁場を印加する装置と、
前記磁場により曲げられたイオン流の断面の短尺方向の一部を遮断するスリットと、を有し、
前記ドーピング室において、前記イオン流の照射と前記線状レーザー光の照射が前記基板に対して行われることを特徴とするドーピング処理装置。 - 断面が線状または長方形のイオン流を発生させる装置と、
線状レーザー光を発生させる装置と、
前記イオン流を導入する窓、前記線状レーザー光を導入する窓、及び前記イオン流の断面の長尺方向と直角方向に基板を移動する搬送機構を有するドーピング室とを有し、
前記イオン流を発生させる装置は、
プラズマを発生させるためのプラズマ空間と、
前記プラズマ空間で発生させたプラズマから、断面が線状または長方形のイオン流を引き出すための引き出し電極と、
前記引き出し電極によって引き出された前記イオン流を、前記断面の短尺方向に集束し、かつ、長尺方向に集束しないコイルと、
前記コイルにより集束されたイオン流を質量分離する手段と、を有し、
前記質量分離する手段は、
前記コイルにより集束されたイオン流の断面の長尺方向に磁場を印加し、前記集束されたイオン流を断面の短尺方向に曲げる磁場を印加する装置と、
前記磁場により曲げられたイオン流の断面の短尺方向の一部を遮断するスリットと、を有し、
前記ドーピング室において、前記イオン流の照射と前記線状レーザー光の照射が前記基板に対して行われることを特徴とするドーピング処理装置。 - 断面が線状または長方形のイオン流を発生させる装置と、
線状レーザー光を発生させる装置と、
前記イオン流の断面の長尺方向と直角方向に基板を移動する搬送機構を有するドーピング室とを有し、
前記イオン流を発生させる装置は、
プラズマを発生させるためのプラズマ空間と、
前記プラズマ空間で発生させたプラズマから、断面が線状または長方形のイオン流を引き出すための引き出し電極と、
前記引き出し電極によって引き出された前記イオン流を、前記断面の短尺方向に集束し、かつ、長尺方向に集束しないコイルと、
前記コイルにより集束されたイオン流を質量分離する手段と、を有し、
前記質量分離する手段は、
前記コイルにより集束されたイオン流の断面の長尺方向に磁場を印加し、前記集束されたイオン流を断面の短尺方向に曲げる磁場を印加する装置と、
前記磁場により曲げられたイオン流の断面の短尺方向の一部を遮断するスリットと、を有し、
前記イオン流の断面の長尺方向と前記線状レーザー光の断面の長尺方向は平行であり、
前記搬送機構により、前記イオン流の断面の長尺方向及び前記線状レーザー光の断面の長尺方向と直角方向に前記基板は移動され、
前記ドーピング室において、前記イオン流の照射と前記線状レーザー光の照射が前記基板に対して行われることを特徴とするドーピング処理装置。 - 断面が線状または長方形のイオン流を発生させる装置と、
線状レーザー光を発生させる装置と、
前記イオン流を導入する線状または長方形の窓、前記イオン流を導入する窓と平行に設けられ且つ前記線状レーザー光を導入する線状または長方形の窓、前記イオン流の断面の長尺方向及び前記線状レーザー光の断面の長尺方向と直角方向に基板を移動する搬送機構を有するドーピング室とを有し、
前記イオン流を発生させる装置は、
プラズマを発生させるためのプラズマ空間と、
前記プラズマ空間で発生させたプラズマから、断面が線状または長方形のイオン流を引き出すための引き出し電極と、
前記引き出し電極によって引き出された前記イオン流を、前記断面の短尺方向に集束し、かつ、長尺方向に集束しないコイルと、
前記コイルにより集束されたイオン流を質量分離する手段と、を有し、
前記質量分離する手段は、
前記コイルにより集束されたイオン流の断面の長尺方向に磁場を印加し、前記集束されたイオン流を断面の短尺方向に曲げる磁場を印加する装置と、
前記磁場により曲げられたイオン流の断面の短尺方向の一部を遮断するスリットと、を有し、
前記ドーピング室において、前記イオン流の照射と前記線状レーザー光の照射が前記基板に対して行われることを特徴とするドーピング処理装置。 - 請求項3乃至6のいずれか一項において、
前記イオン流を発生させる装置は、前記質量分離する手段により質量分離されたイオン流を加速するための線状又は長方形の空洞部を有する加速電極を有することを特徴とするドーピング処理装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項において、
前記引き出し電極は、1つの線状又は長方形の空洞部を有することを特徴とするドーピング処理装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、
前記搬送機構は、ヒーターを有する基板ホルダーを備えることを特徴とするドーピング処理装置。
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2006
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