KR101869989B1 - 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법 - Google Patents

나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 규소원 원료에 대하여 산수소 화염으로 화염 가수분해를 행하고, 생성된 실리카 미립자를 회전하고 있는 석영 유리 타겟 상에 퇴적시킴과 동시에 용융 유리화하여, 합성 석영 유리 잉곳을 얻은 후, 성형하고, 어닐링하고, 온도 600℃ 이상, 유지 시간 12시간 이상, 압력 5Pa 이하로 탈수소 처리하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 헬륨 가스 투과성이 우수한 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리를 얻을 수 있다.

Description

나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법{NANOIMPRINT MOLD-FORMING SYNTHETIC QUARTZ GLASS AND MAKING METHOD}
본 발명은 높은 가스 투과성을 갖는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 집적 회로의 고집적화에 따라, 반도체 소자 제조시의 리소그래피 프로세스에서의 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있으며, 현재에는 ArF 엑시머 레이저(193nm)를 사용하는 광 리소그래피가 주류를 이루고 있다. 향후, 더욱 고집적화를 실현하기 위해 극단 자외광(EUV: Extreme Ultraviolet)을 사용한 광 리소그래피로의 이행이 유망시되고 있다. 그러나, 하프 피치 32nm 이하의 반도체 소자의 제조에는, 소위 광 리소그래피 기술과 함께 나노임프린트 기술도 각광을 받고 있다.
나노임프린트 기술은 광 도파로, 바이오 칩, 광 기억 미디어 등의 제조로의 응용도 기대할 수 있으며, 다방면에 걸친다. 나노임프린트 기술은, 전자선 노광 기술이나 에칭 기술에 의해 제작한 미세 패턴을 각인시킨 몰드(금형, 스탬퍼, 템플레이트 등이라 호칭되는 경우도 있음)를 기판 상에 도포한 수지 재료(레지스트)에 가압하여 미세 패턴의 형상을 전사하는 방법이다. 반도체 소자 제조시에는, 실리콘 등의 반도체 웨이퍼 표면에 도포한 레지스트에 몰드를 가압하여 미세 패턴을 전사시킨다.
몰드를 기판 상에 도포한 레지스트에 가압하여 미세 패턴을 전사할 때에는, 미세 패턴 전역의 세부에 이르기까지 수지 재료가 충전되도록 몰드를 가압해야 한다. 수지 재료가 널리 퍼지지 않고 기포가 잔류하면, 몰드 상의 미세 패턴이 전사되지 않기 때문이다.
그 때문에 전사 공정에 있어서는, 기포가 남지 않도록 점성이 낮은 가스 분위기, 예를 들면 헬륨 함유 분위기에서 행하는 것이 일반적이다.
또한, 몰드를 수지 재료에 가압하는 공정을 천천히 행함으로써 기포의 잔류를 억제하는 것은 가능하지만, 반도체 제조 프로세스에 있어서는 단위 시간당의 처리수, 소위 스루풋(throughput)을 높게 할 필요가 있으며, 반도체 제조 프로세스에 나노임프린트 기술을 적용하는 장해 중 하나가 되고 있다.
기포의 잔류를 없애는 다른 방법으로서는, 기포 내의 헬륨 가스를 몰드에 흡수, 투과시키는 것이 고려된다. 그러나, 나노임프린트 몰드 소재로서 일반적으로 이용되고 있는 합성 석영 유리는, 광투과성, 열 안정성, 기계적 특성, 가공 특성 등이 우수하지만, 헬륨 가스 투과성이 낮고, 스루풋 향상에의 기여는 작다고 생각되고 있었다.
따라서, 국제 공개 제2011/096368호(특허문헌 1)에 있어서는, 몰드 소재에 헬륨 가스 투과성이 높은 TiO2-SiO2 유리를 사용하는 것이 개시되어 있다. TiO2-SiO2 유리는 합성 석영 유리와 광투과성, 열 안정성이 동등 또는 보다 우수하다는 장점도 갖고 있다.
국제 공개 제2011/096368호
그러나, TiO2-SiO2 유리에서는, 맥리(脈理)에 기인한 몰드의 요철에 의한 미세 패턴으로의 악영향이나 생산 비용이 높다는 등의 문제가 있다. 그 때문에, 헬륨 가스 투과성이 높은 합성 석영 유리의 개발이 갈망되고 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 나노임프린트 기술에 있어서, 헬륨 가스 투과성이 높은 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, OH기 농도를 300ppm 이상 갖고, 수소 분자에 귀속되는 라만 피크가 검출 한계 이하인 합성 석영 유리가 헬륨 가스 투과성이 우수하고, 나노임프린트 몰드에 적합하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하의 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 및 그의 제조 방법을 제공한다.
〔1〕
규소원 원료에 대하여 산수소 화염으로 화염 가수분해를 행하고, 생성된 실리카 미립자를 회전하고 있는 석영 유리 타겟 상에 퇴적시킴과 동시에 용융 유리화하여 합성 석영 유리 잉곳을 얻은 후, 성형하고, 어닐링하고, 온도 600℃ 이상, 유지 시간 12시간 이상, 압력 5Pa 이하로 탈수소 처리하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법.
〔2〕
성형을 1,500 내지 1,800℃에서 1 내지 10시간의 열간 성형으로 행하고, 어닐링을 1,050 내지 1,300℃에서 5시간 이상 유지한 후, 20℃/시간 이하의 서냉 속도로 800 내지 1,000℃의 범위까지 냉각함으로써 행하는 것을 특징으로 하는, 상기 〔1〕에 기재된 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법.
〔3〕
OH기 농도가 300ppm 이상, 수소 분자에 귀속되는 라만 피크가 검출 한계 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔4〕
복굴절이 8nm/cm 이하인 것을 특징으로 하는, 상기 〔3〕에 기재된 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔5〕
복굴절 분포가 5nm/cm 이하인 것을 특징으로 하는, 상기 〔3〕 또는 〔4〕에 기재된 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔6〕
가상 온도가 910℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 상기 〔3〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔7〕
가상 온도 분포가 10℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 상기 〔3〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔8〕
상기 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진, OH기 농도가 300ppm 이상, 수소 분자에 귀속되는 라만 피크가 검출 한계 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
〔9〕
상기 〔3〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 합성 석영 유리를 이용한 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 몰드.
본 발명에 따르면, 헬륨 가스 투과성이 우수한 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리를 얻을 수 있다.
도 1은 합성 석영 유리의 제조 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 실시예 및 비교예에서 얻어진 잉곳의 샘플에 있어서의 물성 측정 위치를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법은, 합성 석영 유리 제조로 내에 설치한 버너에, 수소 가스를 포함하는 가연성 가스 및 산소 가스를 포함하는 지연성(支燃性) 가스를 공급하여 연소시킴으로써, 버너 선단에 형성되는 산수소염 중에 규소원 원료 가스를 공급하여, 규소원 원료 가스를 산화 또는 화염 가수분해함으로써, 산화규소 미립자를 버너 선단 전방에 배치한 타겟 상에 부착시킴과 동시에 투명 유리화함으로써 합성 석영 유리 잉곳을 제작하는, 소위 직접법이 바람직하다.
구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 회전하는 받침대 (1) 상에 석영 유리제 타겟 (2)를 설치하는 한편, 원료 증발기 (3) 내에 넣은 규소원 원료 가스 (4)에 아르곤 등의 불활성 가스 (5)를 도입하고, 이 불활성 가스 (5)에 규소원 원료 가스 (4)의 증기를 수반시키며, 이것에 산소 가스 (6)을 혼합한 혼합 가스를 석영 유리제 버너 (7)의 중심 노즐에 공급함과 함께, 이 버너 (7)에는, 상기 혼합 가스를 중심으로 하여 순차적으로 내측으로부터 외측으로 산소 가스 (8), 수소 가스 (9), 수소 가스 (10), 산소 가스 (11)을 공급하고, 버너 (7)로부터 상기 규소원 원료 가스 (4), 산수소 화염 (12)를 타겟 (2)를 향해 분출하여, 실리카 미립자 (13)을 타겟 (2)에 퇴적시키고, 동시에 용융 투명 유리화시켜 합성 석영 유리 잉곳 (14)를 얻을 수 있다.
얻어진 잉곳을 열간 성형하여 소정의 형상으로 성형하고, 성형 후의 잉곳을 어닐링 처리함으로써 본 발명의 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리를 제조할 수 있다.
한편, 합성 석영 유리 제조로(爐) 내에 설치한 버너에, 수소 가스를 포함하는 가연성 가스 및 산소 가스를 포함하는 지연성 가스를 공급하여 연소시킴으로써, 형성한 산수소 화염 중에 규소원 원료 가스를 공급하고, 실리카 미립자를 생성시키고, 회전하고 있는 석영제 내열성 기체 상에 분사하여 퇴적시키고, 담체를 축 방향으로 일정 속도로 들어올려 얻은 다공질 실리카 소결체를 불활성 가스 함유의 수증기 가스 분위기하에 가열, 투명 유리화함으로써, 합성 석영 유리 잉곳을 제조하는 방법도 채용할 수 있다.
또한, 합성 석영 유리의 제조로는, 수직형 및 횡형을 모두 사용할 수 있다.
규소원 원료 가스는 공지된 유기 규소 화합물 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 사염화규소, 디메틸디클로로실란, 메틸트리클로로실란 등의 염소계 실란 화합물, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란 등의 알콕시실란 등을 사용할 수 있다.
한편, 가연성 가스로서 사용하는 수소에는, 이외에 필요에 따라 일산화탄소, 메탄, 프로판 등의 가스를 병용한 것이 사용된다.
또한, 제조한 합성 석영 유리 잉곳은, 나노임프린트용 부재에 있었던 소정의 형상으로 하기 위해 바람직하게는 1,500 내지 1,800℃, 더욱 바람직하게는 1,600 내지 1,750℃에서 1 내지 10시간 열간 성형을 행한다.
열간 성형한 합성 석영 유리는, 복굴절, 복굴절 분포, 가상 온도 및 가상 온도 분포가 원하는 범위가 되도록 어닐링 처리를 행할 수 있다.
이 경우, 복굴절 및 복굴절 분포를 원하는 범위가 되도록 하기 위해서는, 대기 중 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기하에 어닐링 온도 1,050 내지 1,300℃의 범위 내에서 바람직하게는 5시간 이상, 더욱 바람직하게는 10시간 이상, 특히 바람직하게는 15시간 이상 유지한 후, 바람직하게는 20℃/시간 이하, 더욱 바람직하게는 10℃/시간 이하, 특히 바람직하게는 5℃/시간 이하의 서냉 속도로 왜곡점 온도 부근의 800 내지 1,000℃의 범위까지 냉각한다.
또한, 가상 온도 및 가상 온도 분포를 원하는 범위로 하기 위해서는, 1,025 내지 860℃의 서냉 속도를 바람직하게는 3℃/시간 이하, 더욱 바람직하게는 2℃/시간 이하, 특히 바람직하게는 1℃/시간 이하로 하는 것이 유효하다. 또한, 860℃에서 10시간 이상 유지하는 것이 더욱 유효하다.
단, 어닐링 처리를 실시한 합성 석영 유리는, 수소 분자 농도를 검출 한계 이하로 하기 위해 열 처리를 실시하는 것이 바람직하다.
상기 열 처리에서의 온도는 600℃ 이상, 바람직하게는 700℃ 이상이고, 온도의 상한은 바람직하게는 1,000℃ 이하, 보다 바람직하게는 900℃ 이하, 더욱 바람직하게는 850℃ 이하가 바람직하다.
또한, 유지 시간은 12시간 이상, 바람직하게는 25시간 이상, 더욱 바람직하게는 50시간 이상, 특히 바람직하게는 75시간 이상이다.
압력은 5Pa 이하, 바람직하게는 2.5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 1Pa 이하이다.
감압하에 열 처리한 합성 석영 유리는, 적절히 연삭 가공이나 슬라이스 가공에 의해 소정의 크기로 가공한 후, 산화규소, 산화알루미늄, 산화몰리브덴, 탄화규소, 다이아몬드, 산화세륨, 콜로이드 실리카 등의 연마제를 사용하여 양면 연마기에 의해 연마, 나아가 연삭 가공 등에 의해 나노임프린트 부재를 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 합성 석영 유리에 대하여 설명한다. 본 발명의 합성 석영 유리는, 나노임프린트용의 몰드로서 이용되는 것이다.
본 발명에 있어서, 합성 석영 유리 중의 OH기 농도는 300ppm 이상이며, 보다 바람직하게는 400ppm 이상이다. OH기 농도가 300ppm보다 적은 경우에는, 합성 석영 유리의 헬륨 가스 투과성이 낮아지기 때문이다. OH기 농도와 헬륨 가스 투과성의 관계는 명확히 되어 있지 않지만, OH기가 헬륨 가스를 투과하는 합성 석영 유리 중의 공극에 양호한 작용을 초래하는 것으로 생각된다. 또한, 레지스트와의 친화성을 가질 뿐만 아니라, OH기 농도를 300ppm 이상 함유하는 것은 유효하다고 생각된다.
또한, OH기 농도의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 1,500ppm 이하이다.
OH기 농도는 적외 분광 광도계로 측정할 수 있다. 구체적으로는, 푸리에 변환 적외 분광 광도계에 의해 파수 4522cm-1의 흡광 계수로부터 구할 수 있으며, 환산식으로서 하기 수학식 1을 이용할 수 있다. 단, T는 측정 샘플의 두께(cm)이다.
<수학식 1>
OH기 농도(ppm)={(4522cm-1에서의 흡광 계수)/T}×4400
본 발명의 합성 석영 유리는 수소 분자에 귀속되는 라만 피크가 검출 한계 이하, 즉 수소 분자 농도가 8.5×1015 분자/cm3 이하이다.
본 발명에서 라만 분광 측정은 이하의 조건으로 행한다.
측정기: 닛본 분꼬(주) 제조 NRS-2100
레이저: 아르곤 이온 레이저 출력 7.5W 파장 514nm
라만 산란 형식: 수직 산란
측정 형식: 매크로
측정 파수 영역: 3900 내지 4400cm-1
수소 분자 농도는, 문헌 [Zhurmal Prikladonoi Spektroskopii Vol.46 No.6 pp987-991 June 1987]에 나타난 방법에 의해 산출하였다. 즉, SiO2에 관한 파수 800cm-1의 라만 밴드의 강도와 석영 유리 중에 함유되는 수소 분자에 관한 4135cm-1의 강도비에 의해 석영 유리 중의 수소 분자 농도를 구하는 것이며, 수소 분자 농도 C는 하기 수학식 2에 의해 산출된다.
<수학식 2>
C=K(I4135/I800)
수학식 2 중에서
K: 상수(1.22×1021)
I4135: 4135cm-1의 라만 밴드의 면적 강도
I800: 800cm-1의 라만 밴드의 면적 강도
합성 석영 유리 중의 수소 분자 농도를 검출 한계 이하로 하기 위해서는, 감압한 상태에서의 열 처리를 행하는 것이 바람직하다.
상기 열 처리에서의 온도는 600℃ 이상, 바람직하게는 700℃ 이상이고, 온도의 상한은 바람직하게는 1,000℃ 이하, 보다 바람직하게는 900℃ 이하, 더욱 바람직하게는 850℃ 이하이다.
또한, 유지 시간은 12시간 이상, 바람직하게는 25시간 이상, 더욱 바람직하게는 50시간 이상, 특히 바람직하게는 75시간 이상이다. 유지 시간의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 경제성을 고려하여 300시간 이하가 바람직하다.
압력은 5Pa 이하, 바람직하게는 2.5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 1Pa 이하이다. 압력의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 0.01Pa 이상이 바람직하다.
본 발명의 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 복굴절은, 바람직하게는 8nm/cm 이하, 더욱 바람직하게는 5nm/cm 이하, 특히 바람직하게는 2nm/cm 이하, 가장 바람직하게는 1nm/cm 이하이다. 또한, 복굴절 분포는 바람직하게는 5nm/cm 이하, 더욱 바람직하게는 3nm/cm 이하이다. 복굴절이 8nm/cm보다 큰 경우, 복굴절 분포가 5nm/cm보다 큰 경우에는, 합성 석영 유리제 나노임프린트 몰드로 제작하는 미세 패턴이 변형될 우려가 있다. 또한, 복굴절의 하한 및 복굴절 분포의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 모두 0.01nm/cm 이상이 바람직하다.
나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 복굴절을 8nm/cm 이하, 복굴절 분포를 5nm/cm 이하로 하기 위해서는, 대기 중 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기하에 어닐링 온도 1,050 내지 1,300℃의 범위 내에서 바람직하게는 5시간 이상, 더욱 바람직하게는 10시간 이상, 특히 바람직하게는 15시간 이상 유지한 후, 바람직하게는 20℃/시간 이하, 더욱 바람직하게는 10℃/시간 이하, 특히 바람직하게는 5℃/시간 이하의 서냉 속도로 왜곡점 온도 부근의 800 내지 1,000℃의 범위까지 냉각한다. 이에 따라 합성 석영 유리 성형 블록 중의 복굴절 및 복굴절 분포를 억제할 수 있다. 또한, 복굴절을 보다 낮게 낮추는 경우에는, 최고 온도와 왜곡점 온도 부근까지의 냉각 속도의 조정 뿐만 아니라 왜곡점 온도 이하의 100 내지 300℃의 온도 범위까지, 바람직하게는 40℃/시간 이하, 더욱 바람직하게는 20℃/시간 이하, 특히 바람직하게는 10℃/이하로 서냉하는 것이 유효하다.
복굴절의 측정은, 복굴절 측정 장치(예를 들면, 유니옵트(UNIOPT)사 제조 복굴절 측정 장치(ABR-10A))를 이용하여 측정하였다. 각 측정점에서의 복굴절 측정값 중에서 최대값을 본 발명에서의 복굴절값으로 하고, 최대값과 최소값의 차를 복굴절 분포로 하였다.
본 발명의 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 가상 온도는 바람직하게는 910℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 900℃ 이하이고, 특히 바람직하게는 890℃ 이하이다. 여기서, 본 발명에서의 가상 온도는, 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 내의 각 점에서 가상 온도를 측정한 경우의 최대값을 말한다. 또한, 본 발명의 가상 온도 분포는 바람직하게는 10℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5℃ 이하이다. 여기서, 본 발명의 가상 온도 분포란, 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리 내의 각 점에서 가상 온도를 측정한 경우의 최대값과 최소값의 차이다. 가상 온도가 910℃보다 높은 경우 및 가상 온도 분포가 10℃보다 큰 경우에는, 나노임프린트 몰드용으로서 사용한 경우에 내구성에 곤란을 발생시킬 우려가 있다.
나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 가상 온도를 910℃ 이하, 가상 온도 분포를 10℃ 이하로 하기 위해서는, 1,025 내지 860℃의 서냉 속도를 바람직하게는 3℃/시간 이하, 더욱 바람직하게는 2℃/시간 이하, 특히 바람직하게는 1℃/시간 이하로 하는 것이 유효하다. 또한, 860℃에서 10시간 이상 유지하는 것이 더욱 유효하다. 또한, 가상 온도는 문헌 [J.Non-Cryst.Solids 185 191(1995)]에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
<잉곳 제조 공정>
메틸트리클로로실란 2,800g/시간을 도 1에 도시하는 석영 유리제 버너에 공급하고, 산소 13Nm3/시간 및 수소 28Nm3/시간으로 이루어지는 산수소 화염으로 화염 가수분해를 행하여, 실리카 미립자를 생성시키고, 이것을 회전하고 있는 석영 유리 타겟 상에 퇴적시킴과 동시에 용융 유리화하여, 140mmφ×350mm의 합성 석영 유리 잉곳을 얻었다.
<성형 공정>
합성 석영 유리 잉곳의 표면에 부착된 미용융된 실리카(수트)를 제거하기 위해 원통 연삭기로 표면을 연삭한 후, 표면 세정을 위해 50질량％ 불산 용액 중에 3시간 침지시킨 후, 순수조 내에서 씻어 버리고, 클린 부스 내에서 건조하였다.
이 표면 처리된 합성 석영 유리 잉곳을 전기로에서 내측에 고순도 카본 시트가 세팅되어 있는 고순도 카본제 형재(型材) 중에 설치하고, 온도 1,780℃, 아르곤 가스 분위기하에 40분간 가열하여 160mm×160mm×210mmL의 합성 석영 유리 성형 블록으로 하였다. 또한, 해당 합성 석영 유리 성형 블록을 두께 50mm로 세단하였다. 또한, 세단한 합성 석영 유리 성형 블록의 수소 분자 농도는 중심부에서 6×1018 분자/cm3, 외주부에서 3×1018 분자/cm3였다.
<어닐링 공정>
세단한 두께 50mm의 합성 석영 유리 성형 블록을 대기로 내에, 로내 히터에 160×160mm 면이 정면으로 마주보도록 배치하였다.
1,145℃에서 15시간 유지한 후, 1,025℃까지 5℃/시간의 서냉 속도로 냉각한 후, 860℃까지 1℃/시간의 서냉 속도로 냉각하였다. 860℃에서 10시간 유지한 후, 150℃까지 10℃/시간의 서냉 속도로 냉각하고, 대기로의 전원을 오프로 하여 자연 냉각하였다.
<탈수소 감압 가열 공정>
어닐링 처리를 실시한 합성 석영 유리 성형 블록을 진공 가열로 내에 설치하고, 800℃, 0.8Pa, 75시간 유지하여 탈수소 처리를 실시하였다.
<기판 제작 공정>
탈수소 감압 가공을 실시한 합성 석영 유리 성형 블록을 두께 6.8mm로 슬라이스하고, 랩핑하였다. 기판 단부면을 연마 가공한 후, 산화세륨 연마제를 이용하여 조연마를 행한다. 또한, 연질의 스웨이드제의 연마천을 이용하고, 연마제로서 SiO2의 농도가 40질량％인 콜로이드 실리카 수분산액을 연마제에 이용하여 정밀 연마를 행하였다. 연마 종료 후, 세정ㆍ건조하여 152.4mm×152.4mm×6.35mm의 연마 기판을 제작하였다.
<물성 측정 공정>
제작한 연마 기판의 도 2에 도시하는 각 점에 있어서, OH기 농도, 수소 분자 농도, 복굴절 및 가상 온도를 측정하였다. 최대값, 최소값 및 분포값(최대값-최소값)을 표 1에 나타낸다.
<가스 투과성 시험>
연마한 실리콘 웨이퍼에 레지스트를 도트상으로 도포하였다. 이때, 실리콘 웨이퍼 중앙부만 부분적으로 레지스트(MUR-XR01, 마루젠 세끼유 가가꾸사제)의 도포를 행하지 않았다. 상부로부터 제작한 합성 석영 유리 연마 기판을 접근시키고, 실리콘 웨이퍼와 합성 석영 유리 연마 기판 사이의 거리를 일정하게 유지하도록 유지하고, 레지스트 도포를 행하지 않은 실리콘 웨이퍼-합성 석영 유리 연마 기판 중앙부에 직경 약 100 ㎛의 기포를 발생시켜, 해당 기포가 소멸될 때까지의 시간을 계측하였다. 계측한 기포 소멸 시간을 표 1에 나타낸다. 또한, 가스 투과성 시험은 헬륨 가스를 충전한 챔버 내에서 실시하였다.
[실시예 2]
<탈수소 감압 가열 공정>
탈수소 감압 가열 공정에 있어서, 두께 50mm의 합성 석영 유리 성형 블록을 진공 가열로 내에서 600℃, 2.5Pa, 12시간 유지하여 탈수소 처리를 실시하였다.
탈수소 감압 가열 공정 이외의 공정은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 물성 측정 결과 및 가스 투과성 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
<잉곳 제조 공정>
메틸트리클로로실란 2,650g/시간을 도 1에 도시하는 석영 유리제 버너에 공급하고, 산소 10Nm3/시간 및 수소 23Nm3/시간으로 이루어지는 산수소 화염으로 화염 가수분해를 행하여, 실리카 미립자를 생성시키고, 이것을 회전하고 있는 석영 유리 타겟 상에 퇴적시킴과 동시에 용융 유리화하여, 140mmφ×350mm의 합성 석영 유리 잉곳을 얻었다.
잉곳 제조 공정 이외의 공정은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 물성 측정 결과 및 가스 투과성 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
<탈수소 감압 가열 공정>
탈수소 감압 가열 공정에 있어서, 두께 50mm의 합성 석영 유리 성형 블록을 진공 가열로 내에서 400℃, 1.0Pa, 25시간 유지하여 탈수소 처리를 실시하였다.
탈수소 감압 가열 공정 이외의 공정은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 물성 측정 결과 및 가스 투과성 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 2]
<잉곳 제조 공정>
메틸트리클로로실란 1,000g/시간, 이것을 수소 가스 5Nm3/시간, 산소 가스 6Nm3/시간으로 석영제 다중관 버너에 도입하여 형성한 산수소 화염 중에 공급하고, 실리카 미립자를 생성시켰다. 이것을 20rpm으로 회전하고 있는 석영제 내열성 기체 상에 분사하여 퇴적시켜, 담체를 축 방향으로 일정 속도로 들어올린 바, 300mmφ×1,000mm의 다공질 실리카 소결체가 얻어졌다. 진공 가열로 내에 다공질 실리카 소결체를 설치하고, 로 내압을 0.3Pa 이하로 하여 실온으로부터 1,250℃까지 10℃/시간의 승온 속도로 승온시켜 10시간 유지한 후, 1,500℃까지 3℃/분의 승온 속도로 승온시켜 투명 유리화하여, 140mmφ×350mm의 합성 석영 유리를 얻었다.
잉곳 제조 공정 이외의 공정은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 물성 측정 결과 및 가스 투과성 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 3]
<잉곳 제조 공정>
메틸트리클로로실란 1,000g/시간, 이것을 수소 가스 5Nm3/시간, 산소 가스 6Nm3/시간으로 석영제 다중관 버너에 도입하여 형성한 산수소 화염 중에 공급하고, 실리카 미립자를 생성시켰다. 이것을 20rpm으로 회전하고 있는 석영제 내열성 기체 상에 분사하여 퇴적시켜, 담체를 축 방향으로 일정 속도로 들어올린 바, 300mmφ×1,000mm의 다공질 실리카 소결체를 얻었다. 다공질 실리카 소결체를 헬륨 가스 95 부피％, 수증기 5 부피％ 분위기하에 실온으로부터 1,250℃까지 10℃/시간의 승온 속도로 승온시켜 10시간 유지한 후, 1,500℃까지 3℃/분의 승온 속도로 승온시켜 투명 유리화하여, 140mmφ×350mm의 합성 석영 유리를 얻었다.
잉곳 제조 공정 이외의 공정은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 물성 측정 결과 및 가스 투과성 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112013061477058-pat00001
1 지지대
2 석영 유리제 타겟
3 원료 증발기
4 규소원 원료 가스
5 불활성 가스
6 산소 가스
7 버너
8 산소 가스
9 수소 가스
10 수소 가스
11 산소 가스
12 산수소 화염
13 실리카 미립자
14 합성 석영 유리 잉곳

Claims (9)

  1. 규소원 원료에 대하여 산수소 화염으로 화염 가수분해를 행하고, 생성된 실리카 미립자를 회전하고 있는 석영 유리 타겟 상에 퇴적시킴과 동시에 용융 유리화하여 합성 석영 유리 잉곳을 얻은 후, 성형하고, 어닐링하고, 온도 600℃ 이상, 유지 시간 12시간 이상, 압력 5Pa 이하로 탈수소 처리하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 성형을 1,500 내지 1,800℃에서 1 내지 10시간의 열간 성형으로 행하고, 어닐링을 1,050 내지 1,300℃에서 5시간 이상 유지한 후, 20℃/시간 이하의 서냉 속도로 800 내지 1,000℃의 범위까지 냉각함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리의 제조 방법.
  3. OH기 농도가 300ppm 이상, 수소 분자 농도가 8.5×1015 분자/cm3 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  4. 제3항에 있어서, 복굴절이 8nm/cm 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 복굴절 분포가 5nm/cm 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 가상 온도가 910℃ 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  7. 제3항 또는 제4항에 있어서, 가상 온도 분포가 10℃ 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진, OH기 농도가 300ppm 이상, 수소 분자 농도가 8.5×1015 분자/cm3 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 합성 석영 유리.
  9. 제3항 또는 제4항에 기재된 합성 석영 유리를 이용한 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 몰드.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011096368A1 (ja) * 2010-02-03 2011-08-11 旭硝子株式会社 微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法
JP6107701B2 (ja) 2014-02-21 2017-04-05 信越化学工業株式会社 合成石英ガラスの熱処理方法及び合成石英ガラス基板の製造方法
US20220048811A1 (en) * 2019-05-07 2022-02-17 Ulvac Coating Corporation Quartz etching method and etched substrate
EP4015468A1 (de) * 2020-12-16 2022-06-22 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung von synthetischem quarzglas

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011068100A1 (ja) 2009-12-04 2011-06-09 旭硝子株式会社 インプリントモールド用石英系ガラス基材の製造方法およびインプリントモールドの製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3303918B2 (ja) * 1990-05-14 2002-07-22 東ソー・クォーツ株式会社 合成石英ガラス及びその製法
DE19841932A1 (de) * 1998-09-14 2000-03-16 Heraeus Quarzglas Optisches Bauteil aus Quarzglas und Verfahren für seine Herstellung
DE19850736C2 (de) * 1998-11-04 2003-04-17 Heraeus Tenevo Ag Kernglas für eine Vorform für eine optische Faser, unter Verwendung des Kernglases hergestellte Vorform, sowie Verfahren zur Herstellung des Kernglases einer Vorform für eine optische Faser
US6835683B2 (en) * 2001-04-19 2004-12-28 Nikon Corporation Quartz glass member and projection aligner
DE10159961C2 (de) * 2001-12-06 2003-12-24 Heraeus Quarzglas Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben
US7506522B2 (en) * 2004-12-29 2009-03-24 Corning Incorporated High refractive index homogeneity fused silica glass and method of making same
US7506521B2 (en) * 2004-12-29 2009-03-24 Corning Incorporated High transmission synthetic silica glass and method of making same
JP4487783B2 (ja) * 2005-01-25 2010-06-23 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの製造方法およびＴｉＯ２を含有するシリカガラスを用いたＥＵＶリソグラフィ用光学部材
US7928026B2 (en) * 2005-06-30 2011-04-19 Corning Incorporated Synthetic silica material with low fluence-dependent-transmission and method of making the same
JP4831328B2 (ja) * 2005-08-11 2011-12-07 信越化学工業株式会社 エキシマレーザ用合成石英ガラス基板の製造方法
WO2007086617A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Asahi Glass Co., Ltd. Synthetic quartz glass with fast axes of birefringence distributed in concentric-circle tangent directions and process for producing the same
JP4925753B2 (ja) * 2006-07-11 2012-05-09 株式会社細川洋行 充填方法および包装体
US7592063B2 (en) * 2006-09-05 2009-09-22 Asahi Glass Company, Limited Quartz glass substrate and process for its production
JP2009013048A (ja) * 2007-06-06 2009-01-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ナノインプリントモールド用チタニアドープ石英ガラス
JP5042714B2 (ja) * 2007-06-06 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ナノインプリントモールド用チタニアドープ石英ガラス
JP5202141B2 (ja) * 2008-07-07 2013-06-05 信越化学工業株式会社 チタニアドープ石英ガラス部材及びその製造方法
US9067814B2 (en) * 2009-01-19 2015-06-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing synthetic quartz glass for excimer laser
JP5476982B2 (ja) * 2009-12-25 2014-04-23 信越化学工業株式会社 チタニアドープ石英ガラスの選定方法
WO2011096368A1 (ja) 2010-02-03 2011-08-11 旭硝子株式会社 微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011068100A1 (ja) 2009-12-04 2011-06-09 旭硝子株式会社 インプリントモールド用石英系ガラス基材の製造方法およびインプリントモールドの製造方法

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Publication number Publication date
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US20140018229A1 (en) 2014-01-16
EP2684851A2 (en) 2014-01-15
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CN103570225B (zh) 2018-11-23
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