KR101418602B1 - 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리 - Google Patents

나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리 Download PDF

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Abstract

본 발명은 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 10 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리를 제공한다.
본 발명에 따르면, 미세 패턴 전사시 몰드의 투과율 분포에 의한 수지의 경화 정도에 차이가 발생하기 어려운 나노임프린트 몰드에 바람직한 티타니아 도핑 석영 유리를 제공할 수 있다.
나노임프린트 몰드, 석영 유리, 티타니아, 내부 투과율, 미세 패턴 전사

Description

나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리{Titania-Doped Quartz Glass for Nanoimprint Molds}
본 발명은 내부 투과율 분포가 작고, 저 열팽창 계수를 갖는 나노임프린트 몰드 재료에 관한 것이다.
주지와 같이 최근 반도체 집적 회로의 고집적화는 눈부시다. 이 경향에 따라, 반도체 소자 제조시의 리소그래피 공정에서의 노광 광원의 단파장화가 진행되어, 현재에는 ArF 엑시머 레이저(193 nm)를 사용하는 광 리소그래피가 주류를 이루고 있다. 향후 한층 더 고집적화를 실현하기 위해서 극단 자외광(EUV: Extreme Ultraviolet)을 사용한 광 리소그래피에의 이행이 유망시되고 있다. 그러나, 하프피치 32 nm 이하의 반도체 소자의 제조에는 소위 광 리소그래피 기술과 더불어 나노임프린트 기술도 각광받고 있다.
나노임프린트 기술은 광도파로, 바이오칩, 광 기억 미디어 등의 제조에의 응용도 기대할 수 있고, 다방면에 걸친다.
나노임프린트 기술은 전자선 노광 기술이나 에칭 기술에 의해 제조한 미세 패턴을 각인한 몰드(금형, 스탬퍼, 템플릿 등이라고도 함)를 기판 상에 도포한 수 지 재료에 가압하여 미세 패턴의 형상을 전사하는 수법이다. 반도체 소자 제조시에는 실리콘 등의 반도체 웨이퍼 표면에 도포한 레지스트에 몰드를 가압하여 미세 패턴을 전사시킨다.
나노임프린트 기술은 광 나노임프린트 방식과 열 나노임프린트 방식으로 크게 구별된다. 광 나노임프린트는 수지 재료에 광 경화성 수지를 사용하고, 몰드를 프레스하여 자외선을 조사함으로써 수지를 경화시켜, 미세 패턴을 전사하는 방식이다.
한편, 열 나노임프린트는 수지 재료에 열가소성 수지를 사용하고, 유리 전이 온도 이상으로 가열하여 연화한 수지에 몰드를 가압하여 미세 패턴을 전사하거나, 또는 열경화성 수지에 몰드를 가압하면서 경화 온도까지 가열하여 미세 패턴을 전사하는 방식이다.
나노임프린트용 몰드에 요구되는 특성으로는, 미세 패턴 전사시에 몰드의 파손이 발생하지 않는 기계적 강도, 수지와 반응하지 않는 화학적 안정성이 있다.
하프피치 32 nm 이하의 반도체 제조에 나노임프린트 기술의 응용이 기대되고 있다. 그러나, 열 나노임프린트 방식에서는 수지 재료의 연화 또는 경화를 위해 열이 가해지고, 열에 의해 몰드도 가열되기 때문에, 몰드의 열팽창에 의한 변형에 의해서 고정밀도로 미세 패턴을 전사하는 것이 곤란하다고 생각된다.
따라서, 하프피치 32 nm 이하의 반도체 제조에 나노임프린트 기술을 응용할 때에는, 광 나노임프린트 방식이 이용된다고 생각된다. 광 나노임프린트에서는 몰드에 자외선을 투과시키기 때문에, 몰드가 자외선을 흡광하는 경우에는 몰드의 온 도가 변화한다. 또한, 자외선의 광원 램프의 열, 나노임프린트시의 온도 변동 등에 의해서도 몰드의 온도 변동이 발생한다. 하프피치 32 nm 이하의 반도체 소자와 같은 미세 패턴의 전사시에는 나노임프린트시의 몰드의 근소한 열팽창으로도 위치 정밀도를 현저히 저하시키기 때문에, 몰드에는 자외선에 대한 높은 투과성, 내성을 갖고, 더욱 저 열팽창 재료를 사용하는 것이 요망된다.
이 때문에, 일본 특허 공개 제2006-306674호 공보(특허 문헌 1)에서는 몰드 재료로서 광 나노임프린트의 광원 파장에 대한 높은 투과율, 내성을 갖는 저 열팽창 재료를 사용하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 미세 패턴을 보다 정밀히 전사할 때에는, 몰드에 광원 파장에 대한 높은 투과율, 내성을 갖는 저 열팽창 재료를 사용할 뿐만 아니라, 광원 파장에 대한 몰드의 내부 투과율 분포를 억제할 필요가 있다. 몰드 내에 내부 투과율 분포가 존재하는 경우, 광 나노임프린트시의 수지 경화 정도에 차이가 발생하기 때문에, 안정적인 나노임프린트가 곤란해지기 때문이다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-306674호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 몰드 내의 내부 투과율 분포가 적고, 저 열팽창성을 갖는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 10 ％ 이하인 티타니아 도핑 석영 유리가 위치 정밀도가 높은 미세 패턴의 전사가 가능한 광 나노임프린트용 몰드로서 바람직한 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하의 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리를 제공한다.
(1) 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 10 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(2) 상기 (1)에 있어서, 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율이 70 ％ 이상인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 티타니아를 5 내지 10 질량％ 함유하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 티타니아의 농도 분포가 3 질량％ 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, 내포물을 포함하지 않는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 염소 농도가 500 ppm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 있어서, OH기 농도가 1000 ppm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(8) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 있어서, 굴절률 분포가 5×10-4 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
(9) 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 있어서, 복굴절량이 30 nm/cm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
본 발명에 따르면, 미세 패턴 전사시 몰드의 투과율 분포에 의한 수지의 경화 정도에 차이가 발생하기 어려운, 나노임프린트 몰드에 바람직한 티타니아 도핑 석영 유리를 제공할 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리는 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 10 ％ 이하, 바람직하게는 5 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 2 ％ 이하이다. 내부 투과율 분포를 상기 범위 내로 함으로써, 수지의 경화 정도에 분포가 발생하기 어려워 안정적인 나노임프린트가 가능해지고, 나노임 프린트 몰드용 재료로서 바람직하다.
파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 적은 몰드를 사용하면, 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율이 낮은 몰드여도 수지의 경도 차이가 발생하는 것이 적어진다. 그러나, 몰드의 내부 투과율이 낮은 경우에는 몰드 내에서의 흡광이 많아지기 때문에, 몰드의 온도가 상승하여 열팽창에 의한 변형이 문제가 되고, 위치 정밀도가 높은 미세 패턴의 전사가 곤란해진다. 또한, 수지를 경화시키기 위해서 장시간을 요하기 때문에, 작업 처리량의 측면에서도 불리하다.
따라서, 본 발명의 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리의 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율은 70 ％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상의 높은 내부 투과율을 갖는 티타니아 도핑 석영 유리가 바람직하다. 또한, 본 발명에서의 내부 투과율은 두께 10 mm의 티타니아 도핑 석영 유리에 대한 것으로, 티타니아 도핑 석영 유리의 내부 투과율은 일본 광학 유리 공업회 규격 JOGIS-17-1982에 따라서 측정할 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리의 티타니아 농도는 5 내지 10 질량％, 바람직하게는 6 내지 9 질량％가 바람직하다. 티타니아를 5 내지 10 질량％ 함유함으로써, 10 내지 50 ℃, 바람직하게는 15 내지 30 ℃, 더욱 바람직하게는 20 내지 25 ℃에서의 선 열팽창 계수를 -50 내지 50 ppb/℃, 바람직하게는 -30 내지 30 ppb/℃, 더욱 바람직하게는 -15 내지 15 ppb/℃로 할 수 있고, 예를 들어 내부 투과율이 낮은 몰드여도 온도 변화에 의한 몰드의 변형을 억제할 수 있다. 또한, 석영 유리 중 티타니아 농도는 EPMA(Electron Probe Micro Analysis)법에 의해서 측정할 수 있다.
또한, 몰드 내의 티타니아 농도 분포는 3 질량％ 이하, 바람직하게는 1.5 질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5 질량％ 이하가 바람직하다. 몰드 내의 티타니아 농도 분포가 3 질량％를 초과하는 경우에는 몰드 내의 부분적인 열팽창을 일으키기 때문에, 안정적인 나노임프린트를 기대할 수 없는 경우가 있다. 티타니아 농도 분포의 하한값은 특별히 제한되지 않고, 0 질량％인 것이 가장 바람직하지만, 실용상 0 질량％로 하는 것은 곤란하고, 통상 0.01 질량％ 이상이다.
광 나노임프린트에서 몰드 내에 내포물이 존재하는 경우에는 내포물에 의해서 수지를 반응시키는 자외광이 흡수 또는 산란되기 때문에, 적절한 나노임프린트가 저해될 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리는 내포물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서의 내포물이란, 티타니아를 함유한 석영 유리상 이외의 예를 들면 기포, TiO2 결정상, SiO2 결정상이라는 이물질을 총칭한다.
본 발명의 티타니아 도핑 석영 유리의 염소 농도는 500 ppm 이하, 바람직하게는 250 ppm 이하가 바람직하다. 티타니아 도핑 석영 유리의 합성에서는 원료로서 염소를 함유하는 화합물을 사용하는 경우가 있다. 이 경우, 합성된 티타니아 도핑 석영 유리 중에 염소가 잔류한다. 염소는 325 nm 부근에 흡수를 갖기 때문에 몰드에 프레스한 수지를 경화시키는 광원으로서 저압 수은 램프 등의 근자외 영역의 광원을 사용하는 광 나노임프린트에서는 염소의 존재가 문제가 된다. 염소에 의해서 몰드에 흡수된 근자외광은 열로 전화되기 때문에, 몰드의 온도를 상승시키는 원인이 된다. 따라서, 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리는 염소가 적은 것이 바람직하다. 염소 농도의 하한값은 특별히 제한되지 않지만, 일반적인 분석 방법인 형광 X선 분광법의 검출 한계(10 ppm) 이하이다.
또한, 본 발명에서 이용하는 티타니아 도핑 석영 유리의 OH기 농도는 1000 ppm 이하, 바람직하게는 700 ppm 이하가 바람직하다. 석영 유리 중 OH기 농도를 감소시킴으로써, 수지와 몰드의 이형이 용이해지기 때문이다. OH기 농도의 하한값도 특별히 제한되지 않고, 통상 1 ppm 이상, 특히 5 ppm 이상이다.
OH기 농도는 적외 분광 광도계로 측정할 수 있다. 구체적으로는 푸리에 변환 적외 분광 광도계로 파수 4522 cm-1의 흡광 계수로부터 구할 수 있고, 환산식으로서 OH기 농도(ppm)={(4522 cm-1에서의 흡광 계수)/T}×4400을 사용할 수 있다. 단, T는 측정 샘플의 두께(cm)이다.
본 발명의 티타니아 도핑 석영 유리는 25 ℃에서의 He-Ne 레이저(632.8 nm)에 대한 굴절률 분포(△n)가 5×10-4 이하, 바람직하게는 5×10-5 이하, 더욱 바람직하게는 1×10-5 이하가 바람직하다. 굴절률 분포가 작음으로써, 안정적인 광 나노임프린트가 가능해지기 때문이다. 632.8 nm의 파장에 대한 굴절률 분포의 하한값도 특별히 제한되지 않고, 통상 1×10-6 이상이다. 또한, 굴절률 분포는 지고(Zygo)사 제조 지고마크(ZygoMark)IV에 의해 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 티타니아 도핑 석영 유리의 복굴절량(25 ℃)은 30 nm/cm 이하, 바람직하게는 20 nm/cm 이하, 더욱 바람직하게는 10 nm/cm 이하이다. 굴절률 분포와 마찬가지로 복굴절량을 낮게 함으로써, 안정적인 광 나노임프린트가 가능해진다. 복굴절량의 하한값도 특별히 제한되지 않고, 통상 0.5 nm/cm 이상, 특히 1 nm/cm 이상이다. 복굴절량은 유니옵트(UNIOPT)사 제조의 복굴절 측정 장치 ABR-10A를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 티타니아 도핑 석영 유리의 제조 방법은 상기 특성을 구비한 석영 유리가 얻어지는 한 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 사염화규소나 트리클로로메틸실란, 사염화티탄이라는 원료를 산수소화염으로 가수분해하여, 직접 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하는 화염 가수분해법 또는 원료를 산수소염으로 가수분해하여, 티타니아를 도핑한 다공질 실리카 모재를 제조한 후, 유리화하는 VAD법으로 대표되는 수트법(soot method), 플라즈마 토치에 의한 원료 가스를 산화하는 플라즈마 토치법(베르누이법)을 채용할 수 있다.
본 발명에서의 티타니아 도핑 석영 유리의 내부 투과율을 70 ％ 이상으로 하기 위해서는, 티타니아 도핑 석영 유리 또는 다공질 실리카 모재 제조시의 산수소염의 수소와 산소의 비가 몰비로 3.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.5 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 이하이다.
또한, 티타니아 도핑 석영 유리의 내부 투과율을 높이고, 또한 내부 투과율 분포를 감소시키기 위해서는 제조한 티타니아 도핑 석영 유리를 대기 중 또는 산소 분위기 중에서, 1000 ℃ 이상에서 장시간 열 처리하는 것이 적당하다.
티타니아 도핑 석영 유리 내의 내부 투과율 분포, 티타니아 농도 분포, 굴절률 분포 및 복굴절량을 억제하기 위해서, SiO2의 원료 가스와 TiO2의 원료 가스를 혼합하여 동일한 버너 노즐로부터 분사할 수 있다. 이 경우, SiO2 원료 가스와 TiO2 원료 가스가 반응하지 않는 물질을 선택하는 것이 바람직하다. 각각의 원료 가스를 별개의 버너 노즐로부터 분사하여, 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하는 경우에는 내부 투과율 분포, 티타니아 농도 분포, 굴절률 분포 및 복굴절량을 감소시키는 것은 곤란하기 때문이다.
복굴절량은 티타니아 도핑 석영 유리를 1200 내지 800 ℃까지 서냉함으로써도 감소시킬 수 있다. 이 서냉은 원하는 형상으로 티타니아 도핑 석영 유리를 성형할 때에 동시에 실시하는 것도 가능하다. 또한, 내부 투과율을 높이기 위한 열 처리와 동시에 대기 중 또는 산소 분위기 중에서 서냉하는 것도 가능하다.
또한, 티타니아 도핑 석영 유리 중에 내포물을 포함시키지 않기 위해서, 원료 가스를 분사하는 버너 노즐의 선속을 50 m/초 이상으로 하는 것이 유효하다. 특히 원료에 사염화티탄을 사용한 경우, 반응성이 높이기 위해서 선속 50 m/초 미만의 경우에는 버너 노즐의 선단에 티타니아가 퇴적하기 쉬워지고, 퇴적한 티타니아가 비산하면 내포물의 한가지 원인이 되기 쉽다.
티타니아 도핑 석영 유리 중 염소 농도를 억제하는 측면에서, 원료에는 염소를 포함하지 않는 화합물을 사용하는 것이 유효하다. 그러나, 원료 비용, 물성 등의 이유로부터 염소를 포함하는 원료를 사용하는 경우에는 염소의 함유량이 적은 화합물을 사용하는 것이 가능하다. 특히 SiO2 원료는 TiO2 원료에 비하여 몰비에서의 사용량이 많기 때문에, 티타니아 도핑 석영 유리 중 염소 농도를 억제하는 데에 염소가 적은 화합물의 사용이 유효하다. 또한, 염소를 포함하는 화합물을 원료로서 사용하는 경우에는, 제조법에 플라즈마 토치법을 채용하는 것은 피하는 것이 바람직하다. 해당 법으로 화염 가수분해법, 수트법에 비하여 염소 함유량이 많아지기 때문이다.
OH기 농도가 적은 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하기 위해서는, 수트법 또는 플라즈마 토치법을 채용하는 것이 유효하다. 화염 가수분해법에 의해 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하는 경우에는, 원료 피드량 1 mol/hr당 2500 kcal/hr 이하의 열량으로 억제하는 것이 바람직하다(단, 화합물 1 분자 중에 각각 실리콘, 티탄 원자를 1개 포함하는 원료를 사용한 경우임). 그 이상의 열량으로 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하면 다량의 OH기 농도를 함유하기 때문이다.
이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
수소 가스 35 ㎥/hr, 산소 가스 13 ㎥/hr을 석영제 버너에 공급하였다. 원료로서 트리클로로메틸실란 및 사염화티탄을 가열하여, 각각 트리클로로메틸실란 1000 g/hr, 사염화티탄 100 g/hr의 속도로 기화시켜 혼합한 후에 석영제 버너에 공 급하였다. 산수소염에 의한 트리클로로메틸실란, 사염화티탄의 가수분해 반응에 의해 생성된 SiO2 및 TiO2를 석영제 버너의 전방에 설치한 50 rpm으로 회전하면서 10 mm/hr으로 후퇴하는 타겟재에 부착시킴으로써, 직경 150 mm의 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하였다. 이 때, 원료를 분사하는 버너 노즐의 선속은 79 m/초, 1 시간당 열량은 12940 kcal/mol이었다.
얻어진 티타니아 도핑 석영 유리를 전기로에서 155 mm×155 mm(각) 기둥상으로 1700 ℃에서 6 시간 동안 가열함으로써 열간 성형하여, 두께 1000 mm의 잉고트 A를 얻었다.
이어서, 잉고트 A로부터 두께 12 mm 판상의 티타니아 도핑 석영 유리 2매를 잘라내고, 산화세륨과 콜로이드 실리카를 연마재로서 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 10 mm의 연마 기판을 얻었다. 20만 룩스의 백색 광원을 사용하여, 경면 연마한 티타니아 도핑 석영 유리 내를 관찰했지만, 내포물은 보이지 않았다. 잉고트 A의 굴절률 분포 및 복굴절량의 최대값을 하기 표 2에 나타낸다. 연마면을 원자간력 현미경으로 관찰한 결과, 산화세륨과 콜로이드 실리카에 의해 연마한 면은 Ra가 0.2 nm 이하의 면 조도를 갖고 있었다.
또한, 해당 연마 기판 2매에 대해서, 도 1에 나타낸 25점에서 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 상기의 두께 10 mm의 연마 기판 2매를 연삭 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 3 mm의 연마 기판을 얻었다. 연마 기판의 연마면은 두께 10 mm의 경우와 동등한 면 조도를 갖고 있었다. 도 1에 도시한 25점에서 각각의 기판의 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 합계 50점의 측정 결과로부터 산출한 내부 투과율의 최대값, 최소값 및 최대값과 최소값의 차로 이루어지는 내부 투과율의 분포를 표 1에 나타낸다. 또한, 두께 3 mm로 연삭 연마한 152.4 mm×152.4 mm(각)의 기판의 도 1에 도시한 25점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도를 측정하였다. 합계 50점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도의 최대값과 최소값도 표 2에 나타낸다. 또한, 해당 50점에서의 염소 농도를 표 2에 나타낸다.
[실시예 2]
수소 가스 32 ㎥/hr, 산소 가스 16 ㎥/hr를 석영제 버너에 공급하였다. 원료로서 트리클로로메틸실란 및 사염화티탄을 가열하여, 각각 트리클로로메틸실란 1000 g/hr, 사염화티탄 100 g/hr의 속도로 기화시켜 혼합한 후에 석영제 버너에 공급하였다. 산수소염에 의한 트리클로로메틸실란, 사염화티탄의 가수분해 반응에 의해 생성된 SiO2 및 TiO2를 석영제 버너의 전방에 설치한 50 rpm으로 회전하면서 10 mm/hr으로 후퇴하는 타겟재에 부착시킴으로써, 직경 150 mm의 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하였다. 이 때, 원료를 분사하는 버너 노즐의 선속은 82 m/초, 1 시간당 열량은 11850 kcal/mol이었다.
얻어진 티타니아 도핑 석영 유리를 전기로에서 155 mm×155 mm(각) 기둥상으로 1700 ℃에서 6 시간 동안 가열함으로써 열간 성형하여, 두께 1000 mm의 잉고트 B를 얻었다.
이어서, 잉고트 B로부터 두께 12 mm 판상의 티타니아 도핑 석영 유리 2매를 잘라내고, 대기 중에서 1200 ℃, 20 시간 동안 유지한 후, 1000 ℃까지 5 ℃/hr의 속도로 서냉하였다. 이어서, 1000 ℃에서 50 시간 동안 유지한 후, 800 ℃까지 50 ℃/hr의 속도로 서냉하였다. 산화세륨과 콜로이드 실리카를 연마재로서 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 10 mm의 연마 기판을 얻었다. 20만 룩스의 백색 광원을 사용하여, 경면 연마한 티타니아 도핑 석영 유리 내를 관찰했지만, 내포물은 보이지 않았다. 잉고트 B의 굴절률 분포 및 복굴절량의 최대값을 표 2에 나타낸다. 연마면을 원자간력 현미경으로 관찰한 결과, 산화세륨과 콜로이드 실리카에 의해 연마한 면은 Ra가 0.2 nm 이하의 면 조도를 갖고 있었다.
또한, 해당 연마 기판 2매에 대해서, 도 1에 나타낸 25점에서 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 상기의 두께 10 mm의 연마 기판 2매를 연삭 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 3 mm의 연마 기판을 얻었다. 연마 기판의 연마면은 두께 10 mm의 경우와 동등한 면 조도를 갖고 있었다. 도 1에 나타낸 25점에서 각각의 기판의 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 합계 50점의 측정 결과로부터 산출한 내부 투과율의 최대값, 최소값 및 최대값과 최소값의 차로 이루어지는 내부 투과율의 분포를 표 1에 나타낸다. 또한, 두께 3 mm로 연삭 연마한 152.4 mm×152.4 mm(각)의 기판의 도 1에 나타낸 25점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도를 측정하였다. 합계 50점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도의 최대값과 최소값도 표 2에 나타낸다. 또한, 해당 50점에서의 염소 농도를 표 2에 나타낸다.
실시예 1 및 2에 따라서 제조된 티타니아 도핑 석영 유리는 파장 365 nm에서의 내부 투과율 분포가 작고, 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리로서 바람직한 것이 얻어졌다. 특히 실시예 2에 의해서 제조된 티타니아 도핑 석영 유리는 파장 365 nm에서의 내부 투과율의 최대값, 최소값도 99 ％이고, 높은 내부 투과율을 갖고 있었다.
[비교예 1]
수소 가스 36 ㎥/hr, 산소 가스 13 ㎥/hr를 석영제 버너에 공급하였다. 원료로서 트리클로로메틸실란 및 사염화티탄을 가열하여, 각각 트리클로로메틸실란 1000 g/hr, 사염화티탄 100 g/hr의 속도로 기화시켜 석영제 버너의 개별적인 노즐에 공급하고, 산수소염에 의한 트리클로로메틸실란, 사염화티탄의 가수분해 반응에 의해 생성된 SiO2 및 TiO2를 석영제 버너의 전방에 설치한 50 rpm으로 회전하면서 10 mm/hr으로 후퇴하는 타겟재에 부착시킴으로써, 직경 150 mm의 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하였다. 이 때, 원료를 분사하는 버너 노즐의 선속은 80 m/초, 1 시간당 열량은 13310 kcal/mol이었다.
얻어진 티타니아 도핑 석영 유리를 전기로에서 155 mm×155 mm(각) 기둥상으로 1700 ℃에서 6 시간 동안 가열함으로써 열간 성형하여, 두께 1000 mm의 잉고트 C를 얻었다.
이어서, 잉고트 C로부터 두께 12 mm 판상의 티타니아 도핑 석영 유리 2매를 잘라내고, 산화세륨과 콜로이드 실리카를 연마재로서 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 10 mm의 연마 기판을 얻었다. 20만 룩스의 백색 광원을 사용하여 경면 연마한 티타니아 도핑 석영 유리 내를 관찰했지만, 내포물은 보이지 않았다. 잉고트 C의 굴절률 분포 및 복굴절량의 최대값을 표 2에 나타낸다. 연마면을 원자간력 현미경으로 관찰한 결과, 산화세륨과 콜로이드 실리카에 의해 연마한 면은 Ra가 0.2 nm 이하의 면 조도를 갖고 있었다.
또한, 해당 연마 기판 2매의 도 1에 나타낸 25점에서 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 상기의 두께 10 mm의 연마 기판 2매를 연삭 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 3 mm의 연마 기판을 얻었다. 연마 기판의 연마면은 두께 10 mm의 경우와 동등한 면 조도를 갖고 있었다. 도 1에 나타낸 25점에서 각각의 기판의 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 합계 50점의 측정 결과로부터 산출한 내부 투과율의 최대값, 최소값 및 최대값과 최소값의 차로 이루어지는 내부 투과율의 분포를 표 1에 나타낸다. 또한, 두께 3 mm로 연삭 연마한 152.4 mm×152.4 mm(각)의 기판의 도 1에 나타낸 25점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도를 측정하였다. 합계 50점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도의 최대값과 최소값도 표 2에 나타낸다. 또한 해당 50점에서의 염소 농도를 표 2에 나타낸다.
[비교예 2]
수소 가스 33 ㎥/hr, 산소 가스 14 ㎥/hr를 석영제 버너에 공급하였다. 원료로서 트리클로로메틸실란 및 사염화티탄을 가열하여 각각 트리클로로메틸실란 1000 g/hr, 사염화티탄 100 g/hr의 속도로 기화시켜 석영제 버너의 개별적인 노즐에 공급하고, 산수소염에 의한 트리클로로메틸실란, 사염화티탄의 가수분해 반응에 의해 생성된 SiO2 및 TiO2를 석영제 버너의 전방에 설치한 50 rpm으로 회전하면서 10 mm/hr으로 후퇴하는 타겟재에 부착시킴으로써 직경 150 mm의 티타니아 도핑 석영 유리를 제조하였다. 이 때, 원료를 분사하는 버너 노즐의 선속은 78 m/초, 1 시간당 열량은 12220 kcal/mol이었다.
얻어진 티타니아 도핑 석영 유리를 전기로에서 155 mm×155 mm(각) 기둥상으로 1700 ℃에서 6 시간 동안 가열함으로써 열간 성형하여, 두께 1000 mm의 잉고트 D를 얻었다.
이어서, 잉고트 D의 양끝으로부터 두께 12 mm 판상의 티타니아 도핑 석영 유리 2매를 잘라내고, 대기 중에서 1000 ℃, 5 시간 동안 유지하였다. 산화세륨과 콜로이드 실리카를 연마재로서 연마하여, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 10 mm의 연마 기판을 얻었다. 20만 룩스의 백색 광원을 사용하여, 경면 연마한 티타니아 도핑 석영 유리 내를 관찰했지만, 내포물은 보이지 않았다. 잉고트 D의 굴절률 분포 및 복굴절량의 최대값을 표 2에 나타낸다. 연마면을 원자간력 현미경으로 관찰한 결과, 산화세륨과 콜로이드 실리카에 의해 연마한 면은 Ra가 0.2 nm 이하인 면 조도를 갖고 있었다.
또한, 해당 연마 기판 2매의 도 1에 나타낸 25점에서 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 상기의 두께 10 mm의 연마 기판 2매를 연삭 연마하고, 152.4 mm×152.4 mm(각), 두께 3 mm의 연마 기판을 얻었다. 연마 기판의 연마면은 두께 10 mm의 경우와 동등한 면 조도를 갖고 있었다. 도 1에 나타낸 25점에서 각 각의 기판의 반사 손실을 포함하는 분광 투과율을 측정하였다. 합계 50점의 측정 결과로부터 산출한 내부 투과율의 최대값, 최소값 및 최대값과 최소값의 차로 이루어지는 내부 투과율의 분포를 표 1에 나타낸다. 또한, 두께 3 mm로 연삭 연마한 152.4 mm×152.4 mm(각)의 기판의 도 1에 나타낸 25점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도를 측정하였다. 합계 50점에서의 OH기 농도, 티타니아 농도의 최대값과 최소값도 표 2에 나타낸다. 또한 해당 50점에서의 염소 농도를 표 2에 나타낸다.
비교예 1, 2에 따라서 제조한 티타니아 도핑 석영 유리는 모두 파장 365 nm에서의 내부 투과율 분포가 커졌다. 특히 비교예 1에 따라서 제조한 티타니아 도핑 석영 유리는 파장 365 nm에서의 내부 투과율의 최소값이 낮아 뒤떨어졌다.
Figure 112008040450634-pat00001
Figure 112008040450634-pat00002
[도 1] 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에서 얻어진 잉고트의 샘플을 나타내는 단면도이다.

Claims (9)

  1. 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리로서, 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율 분포가 10％ 이하이고, 두께 10 mm의 유리의 파장 365 nm의 자외선에 대한 내부 투과율이 80％ 이상인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 티타니아를 5 내지 10 질량％ 함유하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  4. 제1항에 있어서, 티타니아의 농도 분포가 3 질량％ 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  5. 제1항에 있어서, 내포물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  6. 제1항에 있어서, 염소 농도가 500 ppm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  7. 제1항에 있어서, OH기 농도가 1000 ppm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  8. 제1항에 있어서, 굴절률 분포가 5×10-4 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
  9. 제1항에 있어서, 복굴절량이 30 nm/cm 이하인 나노임프린트 몰드용 티타니아 도핑 석영 유리.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009013048A (ja) * 2007-06-06 2009-01-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ナノインプリントモールド用チタニアドープ石英ガラス
JP5064508B2 (ja) * 2007-09-13 2012-10-31 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２含有石英ガラス基板
WO2010082586A1 (ja) 2009-01-13 2010-07-22 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２を含有するシリカガラスからなる光学部材
JP5476982B2 (ja) * 2009-12-25 2014-04-23 信越化学工業株式会社 チタニアドープ石英ガラスの選定方法
EP2532508A4 (en) * 2010-02-03 2014-01-08 Asahi Glass Co Ltd METHOD FOR PRODUCING AN ARTICLE WITH A FINISHED SURFACE STRUCTURE
WO2012008343A1 (ja) * 2010-07-12 2012-01-19 旭硝子株式会社 インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法
JP5768452B2 (ja) * 2011-04-11 2015-08-26 信越化学工業株式会社 チアニアドープ石英ガラスの製造方法
JP5776491B2 (ja) * 2011-10-24 2015-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法
KR101910974B1 (ko) * 2011-12-13 2018-10-24 삼성전자주식회사 임프린팅 스탬프 및 이를 이용한 나노 임프린트 방법
JP5935765B2 (ja) * 2012-07-10 2016-06-15 信越化学工業株式会社 ナノインプリントモールド用合成石英ガラス、その製造方法、及びナノインプリント用モールド
JP6572688B2 (ja) * 2015-09-02 2019-09-11 Ａｇｃ株式会社 インプリントモールド用ガラス板、およびインプリントモールド用ガラス板の製造方法
JP6822084B2 (ja) * 2016-11-10 2021-01-27 Ａｇｃ株式会社 半導体用ガラス基板及び非貫通穴を有する半導体用ガラス基板の製造方法
JP7122997B2 (ja) * 2019-04-05 2022-08-22 信越石英株式会社 紫外線吸収性に優れたチタン含有石英ガラス及びその製造方法
US20240069429A1 (en) * 2022-08-26 2024-02-29 Corning Incorporated Homogenous silica-titania glass

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006004169A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-12 Asahi Glass Company, Limited Silica glass containing tio2 and process for its production
JP2006210404A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Asahi Glass Co Ltd ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの製造方法およびＴｉＯ２を含有するシリカガラスを用いたＥＵＶリソグラフィ用光学部材

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10281992A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Nikon Corp 光学材料の成分濃度分布測定方法および光透過率分布測定方法
TW581747B (en) * 1999-02-16 2004-04-01 Nikon Corp Synthetic quartz glass optical member for ultraviolet light
JP4601022B2 (ja) * 1999-03-04 2010-12-22 信越石英株式会社 ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材
US6931097B1 (en) 1999-07-22 2005-08-16 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithographic elements
JP3796653B2 (ja) * 2000-02-23 2006-07-12 信越化学工業株式会社 フッ素含有合成石英ガラス及びその製造方法
JP2001318049A (ja) * 2000-03-01 2001-11-16 Asahi Glass Co Ltd 合成石英ガラスの光透過率測定方法および光学装置
JP3865039B2 (ja) * 2000-08-18 2007-01-10 信越化学工業株式会社 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス並びに合成石英ガラス基板
US6776006B2 (en) 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
EP1216974A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic-glass composite and dielectric device
US6988377B2 (en) * 2001-11-27 2006-01-24 Corning Incorporated Method for making extreme ultraviolet lithography structures
JP4104338B2 (ja) * 2002-01-31 2008-06-18 信越石英株式会社 ＡｒＦ露光装置用合成石英ガラス素材
US20030226377A1 (en) 2002-03-05 2003-12-11 Barrett W. Tim Method of making silica-titania extreme ultraviolet elements
US7053017B2 (en) 2002-03-05 2006-05-30 Corning Incorporated Reduced striae extreme ultraviolet elements
US7084084B2 (en) * 2002-03-11 2006-08-01 Tosoh Corporation Highly durable silica glass, process for producing same, member comprised thereof, and apparatus provided therewith
WO2004008838A2 (en) 2002-07-23 2004-01-29 Cargill, Incorporated Method for processing cereal material
JPWO2004065315A1 (ja) * 2003-01-21 2006-05-18 株式会社ニコン 合成石英ガラス光学部材及びその製造方法
JP4792705B2 (ja) * 2003-04-03 2011-10-12 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびその製造法
JP5367204B2 (ja) * 2003-04-03 2013-12-11 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２を含有するシリカガラスおよびＥＵＶリソグラフィ用光学部材
JP4492123B2 (ja) * 2004-01-05 2010-06-30 旭硝子株式会社 シリカガラス
JP4513486B2 (ja) * 2004-10-01 2010-07-28 旭硝子株式会社 ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの製造方法
JP4781003B2 (ja) * 2005-04-28 2011-09-28 信越石英株式会社 ナノインプリントスタンパー用シリカ・チタニアガラス
JP2009013048A (ja) * 2007-06-06 2009-01-22 Shin Etsu Chem Co Ltd ナノインプリントモールド用チタニアドープ石英ガラス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006004169A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-12 Asahi Glass Company, Limited Silica glass containing tio2 and process for its production
JP2006210404A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Asahi Glass Co Ltd ＴｉＯ２を含有するシリカガラスの製造方法およびＴｉＯ２を含有するシリカガラスを用いたＥＵＶリソグラフィ用光学部材

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