KR101850636B1 - 도전 시트, 정전 용량식 터치 패널 및 표시 장치 - Google Patents

도전 시트, 정전 용량식 터치 패널 및 표시 장치 Download PDF

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Abstract

중첩하여 배치된 2매의 금속 메시로 이루어지는 도전 시트에 있어서, 그 도전 시트의 투과율을 높여, 2매의 전극 간에 발생하는 무아레를 억제하고, 또한 터치 패널에 사용한 경우에 터치 검출의 정밀도를 높이는 것을 과제로 한다. 도전 시트(12)에는, 제2 시트체(10B)(절연층)를 사이에 두고, 하방 전극(18A), 상방 전극(18B)이 배치된다. 예를 들면, 하방 전극(18A)은, 복수 개의 제2 셀(22A)이 이어짐으로써 형성된 메시 패턴을 나타내고, 한편, 상방 전극(18B)은, 형상이 서로 상이한 제1 셀(22B)을 복수 개 포함하는 랜덤 메시 패턴을 나타내고 있다. 또한, 제1 셀(22B)의 평균 셀 피치(Ps)는, 제2 셀(22A)의 평균 셀 피치(Pd)의 1배보다 크고 8배 이하로 설정된다.

Description

도전 시트, 정전 용량식 터치 패널 및 표시 장치{CONDUCTIVE SHEET, CAPACITIVE TOUCH PANEL, AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 도전 시트, 정전 용량식 터치 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.
다기능 휴대전화(스마트폰)나 디지털 카메라 등의 표시 장치로서, 손가락으로 접촉함으로써 다양한 조작을 행할 수 있는, 이른바 터치 패널이 광범위하게 채용되기에 이르고 있다. 이들 기기에 있어서의 표시 장치는 소형이지만, 최근, 퍼스널 컴퓨터 등의 대형의 표시 장치에도 터치 패널이 채용되고 있다. 특히, 동시에 복수 개소의 검출이 가능(멀티 터치 가능)한 상호 용량 방식의 터치 패널이 널리 보급되고 있다.
터치 패널에 있어서의 전극은, 조작자가 시인(視認)하는 것이 곤란한 것, 및 도전성이 우수한 것이 필요하다. 소형의 터치 패널에서는, 예를 들면, 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 전극이 이용되는 경우가 있는데, 대형의 터치 패널에 ITO 전극을 채용한 경우, 도전성이 충분하지 않고, 또, 코스트의 저렴화가 곤란하다.
따라서, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 금속 세선끼리를 교차시킨 셀이 복수 개 이어짐으로써 그물코 모양(메시)을 이룬 전극을 채용하는 것이 행해지고 있다. 이 경우, 셀에 개구가 형성되므로 전극이 투광성을 나타내게 되고, 이로 인하여 전극을 시인하는 것이 곤란하다. 또, 금속 세선으로 이루어지는 메시는 도전성이 높고, 또한, 저비용으로 마련할 수 있다는 이점이 있다.
전극은, 특허문헌 2에 기재되는 바와 같이, 예를 들면, 절연층의 하방 및 상방에 배치되도록 적층되고, 따라서, 하방 전극과 상방 전극은, 절연층을 통하여 복수 개소에서 대향한다. 각각의 대향 개소에는 정전 용량이 발생하여, 터치 패널이 손가락으로 압압되면, 정전 용량이 변화한다. 이때의 변화량으로부터, 터치 패널의 어떤 부위가 압압되었는지가 검출됨과 함께, 어떤 조작 지령이 발생되었는지가 판단된다.
또, 특허문헌 2에는, 메시 전극을 이용한 터치 패널에 있어서, 하방 전극(특허문헌 2에서는 "송신 전극")의 셀 피치보다, 상방 전극(특허문헌 2에서는 "수신 전극")의 셀 피치를 크게 함으로써, 검출 정밀도를 높일 수 있는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-59772호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2012-243058호
종래의 ITO를 채용한 상호 용량 방식의 터치 패널에서는, 하방 전극(터치 패널의 한쌍의 전극 중, 터치면에서 먼 측의 전극)의 전극폭(길이 방향에 직교하는 방향)을 크게 하는 한편, 상방 전극(터치 패널의 한쌍의 전극 중, 터치면에 가까운 측의 전극)의 전극폭을 하방 전극의 폭에 비하여 작게 함으로써 터치 검출의 정밀도를 높이는 것이 행해지는 경우가 있다. 즉, 하방 전극으로부터의 전계는 상방 전극이 형성되어 있지 않은 개소를 통과하여 오기 때문에, 상방 전극의 폭을 작게 하여 통과하는 전계를 늘리고 있다.
금속 메시로 이루어지는 상방 전극의 전극폭을 작게 하는 경우에는, 전극폭을 작게 함과 동시에 전극을 구성하는 메시의 평균 셀 피치를 작게 하는 것이 필요하게 된다. 그러나, 이 경우, 셀의 개구 면적이 작아지는 것에 수반하여 투과율이 낮아진다는 문제가 발생한다.
또, 상방 전극의 폭을 작게 하기 위하여, 상방 전극을 메시가 아니라 선 형상으로 하는 것도 생각할 수 있는데, 이 경우, 의도하지 않은 단선이 발생하면 전극의 도통이 상실되게 되기 때문에, 수율이 악화된다는 과제가 발생하는 경향이 있다.
따라서, 특허문헌 2에 기재되는 바와 같이, 상방 전극의 셀 피치를 크게 하여 검출 감도를 높이는 것을 검토했는데, 상방 전극과 하방 전극의 셀 피치의 차이는, 2개의 전극 간의 주기적인 간섭(무아레)을 발생시켜 메시의 존재를 용이하게 시인할 수 있다는 치명적인 과제가 발생하는 것을 알 수 있었다.
본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 금속 메시로 이루어지는 도전 시트의 투과율을 높여, 상방 전극과 하방 전극 간의 무아레를 억제하고, 또한, 터치 검출의 정밀도를 높일 수 있는 도전 시트, 정전 용량식 터치 패널 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적은, 이하의 [1]의 구성에 의하여 달성된다.
[1] 하방 전극과 상방 전극이, 절연층을 통하여 적층된 도전 시트에 있어서,
하방 전극 또는 상방 전극 중 적어도 어느 한쪽이, 금속 선재끼리가 교차함으로써 형성되는 복수 개의 제1 셀이 이어진 제1 메시 전극으로 이루어지고, 복수 개의 제1 셀의 형상이 서로 상이한 랜덤 셀이며, 또한 제1 메시 전극은, 제1 방향을 따라 뻗어 있음과 함께, 제1 방향에 대하여 직교하는 제2 방향을 따라 복수 개 병렬되며,
상방 전극 또는 하방 전극의 나머지 한쪽이, 금속 선재끼리가 교차함으로써 형성되는 복수 개의 제2 셀이 이어진 제2 메시 전극으로 이루어지고, 또한 제2 메시 전극은, 제2 방향을 따라 뻗어 있음과 함께, 제1 방향을 따라 복수 개 병렬되며,
하방 전극의 평균 셀 피치를 Pd, 상방 전극의 평균 셀 피치를 Ps로 할 때, Ps/Pd가 1보다 크고 8 이하인 것을 특징으로 하는 도전 시트.
하방 전극 또는 상방 전극 중 적어도 어느 한쪽의 전극의 셀을 랜덤 형상의 셀로 구성한다. 또한, 하방 전극의 평균 셀 피치(Pd)와, 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)를 상기의 관계가 되도록 설계함으로써, 하방 전극으로부터 발생되는 전계가, 상방 전극의 셀의 개구부를 용이하게 통과하게 된다. 이로 인하여, 반드시 상방 전극의 전극폭(길이 방향에 대하여 직교하는 방향의 치수)을 작게 하지 않고, 손가락에 의한 압압 전후에 있어서의 정전 용량의 변화량을 크게 할 수 있다. 이로 인하여, 터치 검출의 정밀도가 향상된다.
또, 상방 전극을, 평균 셀 피치가 큰 메시로서 형성하기 때문에, 상기 상방 전극의 투과율을 높일 수 있다. 이때, 상방 전극 또는 하방 전극 중 적어도 한쪽이 랜덤 형상의 셀로 이루어지는 메시를 채용함으로써, 상방 전극과 하방 전극 간의 평균 셀 피치의 차이에 의한 무아레의 발생이 억제되어, 시인성의 악화를 발생시키지 않는다.
[2] Ps/Pd는, 2 이상 6 이하인 것이 더 바람직하다. 이 경우, 터치 검출 시의 정전 용량의 변화량이 보다 커지기 때문이다.
[3] 상방 전극의 유효 전극 면적은, 터치 유효 면적의 70% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이로써 상방 전극의 유효 면적이 높아지므로, 상방 전극의 저항값을 작게 할 수 있어 바람직하다.
[4] 하방 전극의 전극폭을 Wd, 상방 전극의 전극폭을 Ws라고 할 때, Ws/Wd는, 0.5 이상 1.5 이하로 설정할 수 있다. Ws/Wd는, 0.8 이상 1.2 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, Ws와 Wd를 가까운 값으로 설정함으로써, 표시 장치 내의 세로 방향의 검출 정밀도와 가로 방향의 검출 정밀도를, 보정을 행하지 않고 근사하게 할 수 있다. 여기에서, 전극폭이란, 하방 전극 및 상방 전극에 있어서, 각각 길이 방향에 직교하는 방향의 치수를 가리키고, 각 전극의 폭이 변동하는 경우에는, 각각의 평균폭으로 비교하는 것으로 한다.
즉, 본 발명에 있어서는, 종래 기술과 같이, 상방 전극의 전극폭(Ws)을 하방 전극의 전극폭(Wd)에 비하여 반드시 작게 할 필요는 없고, 동일하게 해도 되고, 크게 하도록 해도 된다. 이로 인하여, 상방 전극의 설계의 자유도가 향상된다.
[5] 제2 셀의 형상의 적합한 예로서는, 능형을 들 수 있다.
[6] 하방 전극의 평균 셀 피치(Pd)는, 예를 들면, 50μm 이상 400μm 이하로 할 수 있다. 이 경우, 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)는, 50μm보다 크고 3200μm 이하로 하면 된다.
[7] 랜덤 패턴인 제1 메시 전극은, 상방 전극으로 하는 것이 바람직하다. 물론, 이 경우, 제2 셀을 갖는 제2 메시 전극이 하방 전극이 된다.
[8] 하방 전극과 상방 전극의 대향 개소에서, 하방 전극 또는 상방 전극 중 적어도 어느 한쪽의 전극폭을, 다른 부위(즉, 대향 개소 이외의 부위)에 비하여 작게 설정하도록 해도 된다. 예를 들면, 상방 전극의 피치를 하방 전극의 피치보다 크게 취함과 동시에 상방 전극의 폭을 크게 취한 경우, 상방 전극과 하방 전극의 대향 면적이 커져 버린다. 이 경우에는, 대향 면적을 조절하기 위하여 대향 부분만 폭을 좁힘으로써 기생 용량을 조절하는 것이 가능하다. 이로써, 신호/노이즈비(S/N비)의 개선을 도모할 수 있다.
[9] 하방 전극과 상방 전극의 대향 개소의 일부에, 제1 셀을 형성하는 금속 선재 또는 제2 셀을 형성하는 금속 선재 중 적어도 어느 한쪽이, 선폭이 작게 되어 있거나, 혹은 단선부로 되어 있어도 된다. 상기한 바와 같이 상방 전극의 피치를 하방 전극의 피치보다 크게 취함과 동시에 상방 전극의 폭을 크게 취한 경우, 상방 전극과 하방 전극의 대향 면적이 커진다. 따라서, 대향하는 개소에서 대향 면적을 작게 하는 설계를 함으로써 기생 용량을 조절하는 것이 가능하다. 이로써, S/N비의 개선을 도모할 수 있다.
[10] 또, 본 발명은, 상기와 같이 구성된 도전 시트를 갖는 정전 용량식 터치 패널이다.
[11] 또한, 본 발명은, 상기의 정전 용량식 터치 패널을 갖는 표시 장치이다.
본 발명에 의하면, 하방 전극의 평균 셀 피치보다 상방 전극의 평균 셀 피치를 크게 하고, 또한 양 평균 셀 피치의 비를 1보다 크고 8 이하로 하도록 하고 있다. 이와 같은 구성에서는, 손가락에 의한 압압 전후에 있어서의 정전 용량의 변화량을 크게 할 수 있으므로, 터치 검출의 정밀도가 향상되고, 투과율이 향상된다. 또, 하방 전극 또는 상방 전극 중 적어도 한쪽을 랜덤 셀로 이루어지는 메시로 하고 있으므로, 평균 셀 피치의 비가 1보다 크고 8 이하의 사이의 어떤 수치여도 무아레가 충분히 저감된다.
도 1은 본 실시형태에 관한 터치 패널을 구비하는 표시 장치의 주요부 분해 사시도이다.
도 2는 상기 터치 패널을 구성하는 도전 시트의 주요부 분해 사시도이다.
도 3은 상기 도전 시트의 개략 종단면도이다.
도 4는 상기 도전 시트에 형성된 하방 전극을 형성하는 제2 셀의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 5는 상기 도전 시트에 형성된 상방 전극을 형성하는 제1 셀의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6은 하방 전극과 상방 전극의 중첩 부분을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7은 전극폭이 작은 부위를 갖는 하방 전극과, 전극폭이 일정한 상방 전극을 서로 중첩하도록 했을 때의 개략 평면도이다.
도 8은 도 3과는 별도의 형태에 관한 도전 시트의 개략 종단면도이다.
도 9는 하방 전극의 평균 셀 피치(Pd)와 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)의 비인 Ps/Pd와, 손가락에 의한 압압 전후에서의 정전 용량의 변화량의 관계를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명에 관한 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널에 대하여, 이들을 구비하는 표시 장치와의 관계에서 적합한 실시형태를 예로 들어, 첨부의 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 "~"는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로서 사용된다.
도 1은, 본 실시형태에 관한 터치 패널(100)을 포함하는 표시 장치(108)의 주요부 분해 사시도이다. 터치 패널(100)에 대하여 먼저 설명하면, 그 터치 패널(100)은, 센서 본체(102)와, 도시하지 않은 제어 회로(IC 회로 등)를 갖는다.
센서 본체(102)는, 제1 시트체(10A)와 제2 시트체(10B)가 하방으로부터 이 순서로 적층되어 구성된 적층 도전 시트(도전 시트)(12)와, 제2 시트체(10B) 상에 적층된 보호층(106)을 갖는다. 즉, 센서 본체(102)에 있어서는, 하방으로부터, 제1 시트체(10A), 제2 시트체(10B), 보호층(106)이 적층되어 있다.
센서 본체(102)(적층 도전 시트(12) 및 보호층(106))는, 표시 장치(108)에 있어서의 표시 패널(110) 상에 배치되며, 예를 들면, 액정 디스플레이 등을 구성한다. 센서 본체(102)는, 상면으로부터 시인했을 때에, 표시 패널(110)의 표시 화면(110a)에 대응한 영역에 배치된 터치 위치의 센서부(112)와, 표시 패널(110)의 외주 부분에 대응하는 영역에 배치된 단자 배선부(114)(이른바 액자)를 갖는다.
여기에서, 적층 도전 시트(12)에 대하여, 주요부를 확대한 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
제1 시트체(10A)는, 절연층인 제1 투명 기체(14A)의 일 주면 상에 형성된 하방 전극(18A)을 갖는다. 제2 시트체(10B)도 마찬가지로, 절연성의 제2 투명 기체(14B)의 일 주면 상에 형성된 상방 전극(18B)을 갖는다. 도 2 및 도 3에서는, 도전막의 사이에 절연층으로서 투명 기체가 배치되는 양태에 대하여 설명하고 있는데, 도전막끼리를 대향시킨 구성(절연층으로서 투명 접착제가 배치된 구성)이어도 된다.
하방 전극(18A), 상방 전극(18B) 중 적어도 어느 한쪽, 또는 쌍방이, 랜덤의 셀로 이루어지는 메시이면 되는데, 한쪽이 랜덤의 셀로 이루어지는 메시이며, 또한 나머지 한쪽이 서로 동일한 형상(정형)의 셀로 이루어지는 메시여도 된다. 본 실시형태에서는, 하방 전극(18A)이 정형의 셀로 이루어지는 제2 메시 전극이며, 상방 전극(18B)이 랜덤의 셀로 이루어지는 제1 메시 전극인 경우를 설명한다. 또한, 제2 메시 전극인 하방 전극(18A)을 형성하는 셀을 "제2 셀", 제1 메시 전극인 상방 전극(18B)을 형성하는 셀을 "제1 셀"이라고 표기하고, 각각의 참조 부호를 22A, 22B로 한다.
제1 투명 기체(14A) 및 제2 투명 기체(14B)의 두께는 20~350μm 이하가 바람직하고, 30~250μm가 더 바람직하며, 40~200μm가 특히 바람직하다.
제1 투명 기체(14A) 및 제2 투명 기체(14B)로서는, 플라스틱 필름, 플라스틱판, 유리판 등을 들 수 있다.
상기 플라스틱 필름 및 플라스틱판의 원료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터류; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스타이렌, 폴리에틸렌바이닐아세테이트(EVA) 등의 폴리올레핀류; 바이닐계 수지; 그 외, 폴리카보네이트(PC), 폴리아마이드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 트라이아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀 폴리머(COP) 등을 이용할 수 있다. 제1 투명 기체(14A) 및 제2 투명 기체(14B)의 투과율은, 85% 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 경우, 하방 전극(18A)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각각 제1 방향(y 방향/길이 방향)으로 뻗는 복수의 띠 형상의 패턴을 갖는다. 하방 전극(18A)은, 제2 방향(제1 방향과 직교하는 방향: x 방향)을 향하는 소정의 폭방향 치수(전극폭(Wd))를 가짐과 함께, 복수 개가 그 x 방향을 따라 병렬 배치되어 있다.
또한, 도 2에서는, 인접하는 하방 전극(18A)끼리의 사이를 공백으로 하고 있는데, 하방 전극(18A)이 시인되는 것을 방지하기 위하여, 인접하는 하방 전극(18A)끼리의 사이에 더미 메시를 배치하는 것이 바람직하다. 이 더미 메시는, 동일 면 상에 형성되는 하방 전극의 셀과 동일한 형상의 셀을 채용하는 것이 바람직하다.
각 하방 전극(18A)은, 은, 구리, 몰리브데넘, 또는 이들 중의 1종 이상을 포함하는 합금 등으로 이루어지는 세선(20A)(금속 선재)끼리가 교차함으로써 형성된다. 이 교차에 수반하여, 세선(20A)에 의하여 포위되는 공간(개구부), 즉, 제2 셀(22A)이 복수 개 형성된다.
이 경우, 제2 셀(22A)끼리는 동일 형상을 이룬다. 즉, 세선(20A)에 의하여 형성되는 하방 전극(18A)은, 동일 형상의 제2 셀(22A)이 복수 개 이어진 메시로 형성되어, 이른바 정형 패턴을 나타내고 있다.
제2 셀(22A)은, 예를 들면, 평행사변형 형상을 이루며, 전형적으로는, 도 4에 예시하는 바와 같이, 4변의 길이가 동일한 능형 형상을 이룬다. 도 4에 예시한 제2 셀(22A)은, 2개의 둔각과, 2개의 예각을 갖는다. 대각 관계에 있는 둔각의 교차 각도(α1)는 90°초과의 동일 각도이며, 예각의 교차 각도(β1)는 90°미만의 동일 각도이다.
예각인 교차 각도(β1)는, 70°이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 무아레를 저감하는 데에 유효하다. 단, β1이 과도하게 작은 경우에도 무아레가 발생하기 쉬워진다. 이것을 회피하기 위하여, β1은, 30°~70°의 범위 내, 나아가서는 45°~70°의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
제2 셀(22A)은, 도 4에 예시한 가로로 긴 능형에 한정되는 것이 아니라, 세로로 긴 능형이어도 되는 것은 물론이다. 이들 각도는 디스플레이의 화소와 무아레를 발생시키지 않도록 설계되는 것이 바람직하다.
제2 셀(22A)에 있어서, 세선(20A)의 폭방향 치수(선폭 W1)는, 바람직하게는 10μm 이하이며, 더 바람직하게는 5μm 이하로 설정된다. 이로써 세선(20A)에 의한 도전 패턴의 무아레 및 세선이 보이는 것이 개선되어, 시인성이 양호해진다(즉, 메시를 이루는 세선(20A)이 시인되기 어려워진다). 또한, 도전 시트로서 필요한 도전성을 확보하기 위하여, 세선(20A)의 폭방향 치수는 1μm 이상인 것이 바람직하다.
도 2 및 도 4에서는 능형의 예를 기재하고 있는데, 제2 셀(22A)은 제1 셀(22B)과 마찬가지로 랜덤 셀이어도 되고, 또, 육각형이나 삼각형 등, 다른 다각형으로 구성된 정형 패턴이어도 된다. 제2 셀(22A)은, 랜덤 또는 능형으로 하는 것이 바람직하고, 능형으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 제2 셀(22A)로 구성되는 제2 메시 전극이 상방 전극이 되어도 되고 하방 전극이 되어도 되는데, 능형의 셀을 채용한 경우에는 하방 전극이 되는 것이 보다 바람직하다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 각 하방 전극(18A)의 한쪽의 단부는, 제1 결선부(40a)를 통하여 제1 단자 배선 패턴(42a)에 전기적으로 접속되어 있다.
한편, 제2 시트체(10B)를 구성하는 제2 투명 기체(14B)(도 3 참조)의 일 주면 상에 형성된 상방 전극(18B)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각각 제2 방향(x 방향)으로 뻗는 복수의 띠 형상의 패턴을 갖는다. 이들 복수의 상방 전극(18B)은, 제1 방향(y 방향)을 따라 배열되어 있다. 즉, 적층 도전 시트(12)에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 절연성의 제2 투명 기체(14B)를 통하여 하방 전극(18A)과 상방 전극(18B)이 대향한다.
각 상방 전극(18B)도 하방 전극(18A)과 마찬가지로, 세선(20B)끼리가 교차함으로써 형성된다. 이 교차에 수반하여, 세선(20B)에 의하여 포위되는 공간(개구부), 즉, 제1 셀(22B)이 형성된다.
제1 셀(22B)의 일례를 도 5에 나타낸다. 이 경우, 해칭으로 나타낸 제1 셀(22B)은, 정점(C1) 및 정점(C2)을 직선으로 연결하는 세선(20p)과, 정점(C2) 및 정점(C3)을 직선으로 연결하는 세선(20q)과, 정점(C3) 및 정점(C4)을 직선으로 연결하는 세선(20r)과, 정점(C4) 및 정점(C1)을 직선으로 연결하는 세선(20s)으로 형성되며, 다각형 형상을 이루고 있다. 그 외의 셀(제1 셀(22B))도 마찬가지로, 다각형 형상을 나타내고 있다. 요컨대, 상방 전극(18B)은, 제1 셀(22B)의 형상이 서로 상이하고, 규칙성(통일성)이 낮은 랜덤 형상의 셀로 이루어지는 메시이다.
도 5에 나타내는 랜덤 패턴에 있어서, 평균 셀 피치(이하, 필요에 따라 "Ps"라고 나타내는 경우도 있음)는 50~400μm인 것이 바람직하고, 50μm~300μm인 것이 더 바람직하다. 여기에서, 평균 셀 피치는, 전극이 뻗어 있는 방향의 제1 셀(22B)의 최대의 길이를 임의의 30개의 셀로 측정하여, 그 평균 길이로 정의된다.
세선(20B)의 폭방향 치수(선폭)는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 10μm 이하로 설정할 수 있는데, 5μm 이하가 바람직하다. 제1 셀(22B)의 형상이 랜덤인 것과, 세선(20B)의 선폭이 이와 같이 작은 것이 어우러져, 무아레가 개선되어 시인성이 양호해진다. 선폭은, 4μm 이하로 하는 것이 더 바람직하다. 또한, 도전 시트로서 필요한 도전성을 확보하기 위하여, 세선(20B)의 선폭은 1μm 이상인 것이 바람직하다.
여기에서, 상방 전극(18B)의 평균 셀 피치(Ps)는, 바람직하게는 50μm보다 크고 3200μm 이하의 범위 내이고, 또한 하방 전극(18A)의 평균 셀 피치(Pd)에 비하여 크게 설정된다. 또한, 하방 전극(18A)의 평균 셀 피치(Pd)는, 상방 전극(18B)과 마찬가지로, 전극이 뻗어 있는 방향의 제2 셀(22A)의 최대 길이를 측정하여, 임의의 30개의 제2 셀(22A)의 길이를 평균한 산출값으로서 정의된다.
그리고, 평균 셀 피치(Ps)는, 평균 셀 피치(Pd)의 1배보다 크고 8배 이하이다. 요컨대, 평균 셀 피치(Ps)와 평균 셀 피치(Pd)의 사이에는, 이하의 관계식이 성립된다.
1<Ps/Pd≤8
즉, 예를 들면, 제2 셀(22A)의 평균 셀 피치(Pd)가 100μm일 때에는, 제1 셀(22B)의 평균 셀 피치(Ps)는 100μm보다 크고 800μm 이하의 범위 내로 설정된다. 또, 제2 셀(22A)의 평균 셀 피치(Pd)가 250μm일 때에는, 제1 셀(22B)의 평균 셀 피치(Ps)는, 250μm보다 크고 2000μm 이하의 범위 내로 설정된다.
이와 같이, 상방 전극(18B)의 평균 셀 피치(Ps)를, 하방 전극(18A)의 평균 셀 피치(Pd)보다 소정의 범위 내에서 크게 함으로써, Ps/Pd가 1인 경우, 환언하면, 제2 셀(22A)의 평균 셀 피치(Pd)와 제1 셀(22B)의 평균 셀 피치(Ps)가 동일한 경우에 비하여, 손가락에 의한 압압(터치) 전후에서의 정전 용량의 변화량이 커진다. 이 점에 대해서는 후술한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 각 상방 전극(18B)의 한쪽의 단부는, 제2 결선부(40b)를 통하여 제2 단자 배선 패턴(42b)에 전기적으로 접속되어 있다.
여기에서, 하방 전극(18A)의 x 방향을 향하는 폭방향 치수(전극폭)를 Wd, 상방 전극(18B)의 y 방향을 향하는 폭방향 치수(전극폭)를 Ws라고 할 때, Ws/Wd는, 0.5 이상 1.5 이하로 설정할 수 있다. 즉, 이 경우, 상방에 위치하는 상방 전극(18B)의 전극폭(Ws)을, 하방에 위치하는 하방 전극(18A)의 전극폭(Wd)보다 작게 하는 것이 필수는 아니고, 경우에 따라서는, 전극폭(Ws)과 전극폭(Wd)을 동일하게 하는 것이나, 전극폭(Ws)을 전극폭(Wd)보다 크게 하는 것이 가능하다. 물론, 전극폭(Ws)을 전극폭(Wd)보다 작게 하도록 해도 된다.
Ws/Wd는, 0.8 이상 1.2 이하인 구성이 보다 바람직하다. 하방 전극(18A)과 상방 전극(18B)의 폭을 동일 정도로 함으로써, 터치 영역에 대한 세로 방향의 감도와 가로 방향의 감도가 동일해지기 때문에 보다 바람직하다.
이상과 같이 구성되는 상방 전극(18B)의 유효 전극 면적은, 터치 유효 면적의 70% 이상인 것이 바람직하다. 이로써, 상방 전극(18B)의 도전성을 높이기 쉬워진다. 여기에서, 유효 전극 면적이란, 상방 전극(18B)이 표시 영역 내에서 덮는 면적의 비율을 나타낸다. 구체적으로는, 도 2에 있어서, 상방 전극(18B)의 전극폭(Ws)과 센서부(112)의 y 방향의 길이와 상방 전극(18B)의 전극 수의 곱을, 센서부(112)의 면적으로 나누어 산출한 값이다. 또한, 서로 인접하는 상방 전극(18B)끼리의 사이에 더미 전극이 존재하는 경우에는, 당해 더미 전극은 유효 전극 면적에 포함하지 않는다.
터치 패널(100)에 적용한 제1 시트체(10A)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 센서부(112)에 대응한 부분에, 상술한 다수의 하방 전극(18A)이 배열되고, 단자 배선부(114)에는 각 제1 결선부(40a)로부터 도출된 제1 단자 배선 패턴(42a)이 배열되어 있다.
도 1의 예에서는, 단자 배선부(114) 중, 제1 시트체(10A)의 한쪽의 장변측(x 방향)의 둘레 가장자리부에는, 그 길이 방향 중앙 부분에, 복수의 제1 단자(116a)가 상기 한쪽의 장변의 길이 방향으로 배열 형성되어 있다. 또, 센서부(112)의 단변(y 방향)을 따라, 하방 전극(18A)과 접속되는 복수의 제1 결선부(40a)가 직선 형상으로 배열되어 있다. 각 제1 결선부(40a)로부터 도출된 제1 단자 배선 패턴(42a)은, 제1 시트체(10A)의 단자 배선부(114)를 인회하여, 각각 대응하는 제1 단자(116a)에 전기적으로 접속되어 있다.
한편, 제2 시트체(10B)의 외형은, 상면으로부터 보아 장방 형상을 갖고, 센서부(112)의 외형도 장방 형상을 갖는다. 단자 배선부(114) 중, 제2 시트체(10B)의 한쪽의 장변측(x 방향)의 둘레 가장자리부에는, 그 길이 방향 중앙 부분에, 복수의 제2 단자(116b)가 상기 한쪽의 장변의 길이 방향으로 배열 형성되어 있다. 또, 센서부(112)의 한쪽의 장변을 따라, 상방 전극(18B)과 접속되는 복수의 제2 결선부(40b)가 직선 형상으로 배열되어 있다. 각 제2 결선부(40b)로부터 도출된 제2 단자 배선 패턴(42b)은, 제2 시트체(10B)의 한쪽의 장변에 있어서의 대략 중앙부를 향하여 인회되어, 각각 대응하는 제2 단자(116b)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제1 단자 배선 패턴(42a)의 도출 형태를 상술한 제2 단자 배선 패턴(42b)과 동일하게 해도 되고, 반대로, 제2 단자 배선 패턴(42b)의 도출 형태를 상술한 제1 단자 배선 패턴(42a)과 동일하게 해도 된다.
적층 도전 시트(12)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 시트체(10A)에 제2 시트체(10B)가 적층되어 구성된다. 이때, 제1 시트체(10A)의 상단면(즉, 하방 전극(18A) 및 제1 투명 기체(14A) 상)과, 제2 시트체(10B)의 하단면의 사이에, 점착 시트로서 첩부된 점착제(OCA라고도 지칭됨)(30)가 배치되어도 된다.
이와 같이 하여 형성된 적층 도전 시트(12)에 있어서, 하방 전극(18A)과 상방 전극(18B)이 중첩된 개소(중첩 부분)의 일례를, 평면도로 하여 도 6에 나타낸다. 도 6 중의 굵은 실선이 하방 전극(18A)(정형 메시 패턴)의 제2 셀(22A)(작은 피치)이며, 가는 실선이 상방 전극(18B)(랜덤 메시 패턴)의 제1 셀(22B)(큰 피치)이다.
이상과 같이 구성되는 하방 전극(18A), 상방 전극(18B)을 포함한 적층 도전 시트(12)를 터치 패널(100)로서 사용하는 경우는, 제2 시트체(10B) 상에 보호층(106)을 형성해도 된다. 또한, 제2 시트체(10B)의 상단면과 보호층(106)의 하단면의 사이에도, 점착 시트로서의 점착제(OCA)(30)가 배치되는 것이 바람직하다. 그리고, 제1 시트체(10A)의 다수의 하방 전극(18A)으로부터 도출된 제1 단자 배선 패턴(42a)과, 제2 시트체(10B)의 다수의 상방 전극(18B)으로부터 도출된 제2 단자 배선 패턴(42b)을, 예를 들면, 스캔을 컨트롤하는 제어 회로에 접속한다.
하방 전극(18A) 및 상방 전극(18B)은, 선폭이 좁은 패턴을 얻기 위하여, 적합하게는, 포토리소그래피 프로세스를 사용한 에칭, 혹은 마이크로콘택트 인쇄 패터닝법 또는 은염법에 따라 형성할 수 있다. 대량의 패턴을 반복할 수 있기 위해서는, 은염법이 보다 바람직하다.
마이크로콘택트 인쇄 패터닝법이란, 마이크로콘택트 인쇄법을 이용하여 선폭이 좁은 패턴을 얻는 방법이다. 여기에서, 마이크로콘택트 인쇄법은, 탄력성이 있는 폴리다이메틸실록세인의 스탬프를 이용하여, 싸이올 용액을 잉크로서 금 기재에 접촉시켜 단분자막의 패턴을 제작하는 방법이다(Whitesedes 저, Angew. Chem. Int. Ed., 1998년 제37권 제550페이지 참조).
마이크로콘택트 인쇄 패터닝법의 대표적인 프로세스는, 예를 들면, 이하와 같다. 즉, 먼저, 기재에 금속이 코팅된다(예를 들면, 은이, PET 기재에 스퍼터 코팅된다).
다음으로, 단분자막의 마스킹이, 금속이 코팅된 기재에 마이크로콘택트 인쇄법을 이용하여 스탬핑된다. 그 후, 마스킹하의 패턴을 제외하고, 기재에 코팅된 금속이 에칭에 의하여 제거된다.
이상에 대하여, 그 구체적인 작업 등은, 일본 공표특허공보 2012-519329호의 단락 <0104>에 상세하게 설명되어 있다.
한편, 은염법은, 감광성 은염 함유층을 갖는 감광 재료를 노광·현상함으로써, 메시 형상을 이루는 세선(20A, 20B)의 패턴을 얻는 것이다. 그 구체적인 작업 등은, 일본 공개특허공보 2009-4348호의 단락 <0163>~<0241>에 상세하게 설명되어 있다.
본 발명은, 상기한 실시형태에 특별히 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 상기한 바와 같이, 하방 전극(18A) 및 상방 전극(18B)의 쌍방을 랜덤 메시 패턴으로 해도 된다. 또한, 하방 전극(18A) 또는 상방 전극(18B) 중 어느 한쪽이 랜덤 메시 패턴, 나머지 한쪽이 정형 메시 패턴인 것이 바람직하다.
하방 전극(18A)을 랜덤 메시 패턴, 상방 전극(18B)을 정형 메시 패턴으로 하도록 해도 되는데, 하방 전극(18A)을 정형 메시 패턴, 상방 전극(18B)을 랜덤 메시 패턴으로 한 양태가 가장 바람직하다. 이 이유는, 랜덤 메시는, 세선을 랜덤 배치하기 때문에, 정형 패턴과 비교하여 도전성에 기여가 작은 불필요한 선분이 발생하게 된다. 이로 인하여, 랜덤 메시에서는, 도전성이 동등한 정형 메시와 비교하면, 투과율이 약간 저하하는 경향이 있다. 따라서, 평균 셀 피치가 작은 하방 전극에는 불필요함이 적은 정형 메시 패턴을 채용하고, 평균 셀 피치가 큰 상방 전극에 랜덤 메시 패턴을 채용하는 것이 가장 바람직하다.
어느 경우에 있어서도, 상방 전극(18B)의 평균 셀 피치(Ps)를, 하방 전극(18A)의 평균 셀 피치(Pd)보다 크게, 1보다 크고 8 이하(바람직하게는 2~6)의 범위 내로 한다.
또, 상기의 실시형태에서는, 전극폭(Ws, Wd)을 일정하게 하고 있는데(도 2 참조), 도 7에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 하방 전극(18A)의 일부의 전극폭을, 길이 방향으로 뻗어 있는 도중에 좁게 하도록 해도 된다. 이 경우, 전극폭이 좁은 부위가 상방 전극(18B)의 상방에 배치되도록 하면 된다.
도 7과는 반대로, 하방 전극(18A)의 일부의 전극폭을 작게 하도록 해도 된다. 이 경우, 전극폭이 작은 부위의 상방에 상방 전극(18B)을 배치하면 된다. 또, 하방 전극(18A) 및 상방 전극(18B)의 쌍방에 대하여, 일부의 전극폭을, 길이 방향으로 뻗어 있는 도중에 작게 하여, 전극폭이 작아진 부위끼리를 적층 배치하도록 해도 된다.
이 경우, 하방 전극(18A)과 상방 전극(18B)이 대향하는 개소에서의 정전 용량의 초깃값이 작아진다. 따라서, S/N비의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 제2 셀(22A)(하방 전극(18A))에 있어서, 본래라면 제1 셀(22B)(상방 전극(18B))과 대향해야 할 개소의 세선의 일부를, 선폭을 작게 하거나, 단선부로 하거나 하는 것도 바람직하다. 환언하면, 하방 전극(18A)을 이루는 세선(20A)에, 상방 전극(18B)과의 대향하는 개소에 폭협부(幅狹部)나 단선부를 마련하도록 하면 된다. 물론, 이와는 반대로, 상방 전극(18B)을 이루는 세선(20B)의, 하방 전극(18A)과의 교차 개소의 일부를 절단하도록 해도 된다.
이 경우, 단선부에서는 기생 용량이 작아진다. 즉, 정전 용량의 초깃값이 작아진다. 정전 용량의 초깃값이 큰 경우, 조작자에 의한 손가락으로의 압압에 수반하여 정전 용량이 변화했을 때에, S/N비를 향상시키는 것이 용이하지 않게 되는데, 하방 전극(18A)과 상방 전극(18B)이 대향하는 개소에서 대향하는 면적을 감소시키는 설계를 함으로써, S/N비의 향상을 도모할 수 있다.
그리고, 적층 도전 시트(12)는, 제1 투명 기체(14A)의 일 주면에 하방 전극(18A)을 형성하고, 제2 투명 기체(14B)의 일 주면에 상방 전극(18B)을 형성하여 적층하는 것(도 2 및 도 3 참조)에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 투명 기체(14A)의 일 주면에 하방 전극(18A)이 형성되고, 또한 그 제1 투명 기체(14A)의 타 주면에 상방 전극(18B)이 형성된 것이어도 된다. 이 경우, 제2 투명 기체(14B)가 존재하지 않고, 하방 전극(18A) 상에 제1 투명 기체(14A)가 적층되며, 제1 투명 기체(14A) 상에 상방 전극(18B)이 적층된 형태가 된다.
어느 경우에 있어서도, 적층 도전 시트(12)의 용도는, 터치 패널(100)의 센서 본체(102)에 특별히 한정되는 것은 아니고, 무기 EL 소자, 유기 EL 소자, 혹은 태양전지 등의 각종 전극에 이용하는 것도 가능하다. 또한, 전극 이외에도, 전류를 흐르게 함으로써 발열하는 투명 발열체(예를 들면, 차량의 디프로스터), 전자파를 차단하는 전자파 실드재에도 적용 가능하다.
실시예 1
전극폭(Wd)이 5mm, 평균 셀 피치(Pd)가 300μm인 하방 전극(18A)을 투명 기체 상에 1개 형성한 도전 시트와, 전극폭(Ws)이 5mm인 상방 전극(18B)을 투명 기체 상에 1개 형성한 도전 시트를, OCA를 통하여 첩합하여 전극 적층체를 얻었다. 물론, 하방 전극과 상방 전극의 일부끼리를 대향시켰다.
이 구성에 있어서, 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)를 하기의 표 1에 나타내는 바와 같이 다양하게 변경하여, 실시예 1~7, 비교예 1, 2의 전극 적층체를 구성했다. 그 후, 각 전극 적층체에 있어서의 터치 전후의 정전 용량의 변화량(ΔCm값)을 구했다. ΔCm의 값이 클수록, 터치한 것을 검출할 수 있는 가능성이 높아져, 검출 정밀도가 양호해진다.
[표 1]
Figure 112016050229201-pct00001
결과를, 가로축을 Ps/Pd(평균 셀 피치 배율), 세로축을 ΔCm으로 하는 그래프로서 도 9에 나타낸다. 이 도 9로부터, Ps/Pd가 1보다 크고 또한 8 이하의 범위 내이면, Ps/Pd=1(비교예 1)일 때보다 ΔCm이 향상되는 것을 알 수 있다. 특히, Ps/Pd가 2~6인 경우, 환언하면, 제1 셀(22B)(상방 전극(18B))의 평균 셀 피치(Ps)가, 제2 셀(22A)(하방 전극(18A))의 평균 셀 피치(Pd)의 2배~6배일 때 현저하다. 이것은, S/N비, 나아가서는 터치 검출 정밀도를 향상시킬 수 있는 것을 의미한다.
이 이유는, 평균 셀 피치(Ps)를 평균 셀 피치(Pd)에 비하여 크게 한 것에 수반하여, 하방 전극(18A)의 메시로부터 상방 전극(18B)의 메시로 향하는 전계가, 상방 전극(18B)의 셀의 개구를 용이하게 통과하게 되고, 이로 인하여 손가락에 의한 압압 전후에 있어서의 정전 용량의 변화량이 커지기 때문이다. 따라서, 상방 전극(18B)의 전극폭(Ws)을 작게 하지 않고, 터치 검출의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, Ps/Pd가 3이 되는 부근을 피크로 하여 저하되어 가는 이유로서는, 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)가 커짐에 따라, 상방 전극의 개구의 중심 부근에 위치하는 하방 전극의, 상방 전극으로부터의 거리가 멀어지므로, 그 하방 전극으로부터의 전계가 상방 전극에 미치는 영향이 저하되기 때문에 ΔCm값에 대한 기여가 적어지는 것을 생각할 수 있다. 따라서, 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)가 크면 클수록 바람직하게는 되지 않아, 바람직한 범위를 갖는다.
표 1에는, 실시예 1~7, 비교예 1, 2의 전극 적층체의 무아레 평가를 함께 나타내고 있다. 여기에서, 표 1 중의 "A"는, 평가자가 주의 깊게 확인해도 무아레가 확인되지 않았던 것을 나타낸다. 표 1로부터, Ps/Pd가 1보다 크고 8 이하일 때에는, Ps/Pd=1.5, Ps/Pd=2.5일 때(실시예 1, 3)의 무아레 평가를 참조하여 명백한 바와 같이, Ps/Pd가 자연수가 되지 않는 경우에도 무아레가 발생하지 않는 것을 알 수 있다.
이것은, 한쪽의 전극이 랜덤 셀로 구성되기 때문에, 상방 전극과 하방 전극의 피치의 차이에 기인하는 무아레(주기적인 간섭)의 발생이 억제되기 때문이다. 상방 전극과 하방 전극의 쌍방을 능형 등으로 이루어지는 정형 패턴으로 한 경우에는, 피치의 차이에 기인하여 주기적으로 간섭의 소밀(疎密)이 발생하고, 강한 무아레가 시인되게 되기 때문에 채용 가능한 Ps/Pd는 엄밀하게 한정된다. 이에 대하여, 랜덤 셀을 갖는 메시를 채용한 경우, Ps/Pd는 1보다 크고 8 이하의 범위이면 어떤 값이라도 설정할 수 있다. 이로 인하여, 설계 자유도가 높아진다.
이상으로부터, Ps/Pd를 1보다 크고 8 이하, 더 바람직하게는 2~6의 범위 내로 함으로써, 터치 패널(100)(표시 장치(108))에 있어서, 무아레가 저감하고 또한 터치 검출 정밀도를 높게 할 수 있다.
또한, 상방 전극(18B)의 전극폭(Ws)을 극단적으로 작게 할 필요가 없으므로, 제1 셀(22B)의 평균 셀 피치를 작게 할 필요도 없다. 이로 인하여 그 상방 전극(18B)의 투과율이 저하되는 것을 회피할 수 있으므로, 투과율이 양호해진다.
10A…제1 시트체
10B…제2 시트체
12…적층 도전 시트(도전 시트)
14A…제1 투명 기체
14B…제2 투명 기체
18A…하방 전극
18B…상방 전극
20A, 20B…세선
22A…제2 셀
22B…제1 셀
30…점착제(OCA)
100…터치 패널
102…센서 본체
106…보호층
108…표시 장치
110…표시 패널
112…센서부
114…단자 배선부

Claims (11)

  1. 하방 전극과 상방 전극이, 절연층을 통하여 적층된 도전 시트에 있어서,
    상기 하방 전극 또는 상기 상방 전극 중 어느 한쪽이, 금속 선재끼리가 교차함으로써 형성되는 복수 개의 제1 셀이 이어진 제1 메시 전극으로 이루어지고, 상기 복수 개의 제1 셀의 형상이 서로 상이한 랜덤 셀이며, 또한 상기 제1 메시 전극은, 제1 방향을 따라 뻗어 있음과 함께, 상기 제1 방향에 대하여 직교하는 제2 방향을 따라 복수 개 병렬되며,
    상기 상방 전극 또는 상기 하방 전극의 나머지 한쪽이, 금속 선재끼리가 교차함으로써 형성되는 복수 개의 제2 셀이 이어진 제2 메시 전극으로 이루어지고, 또한 상기 제2 메시 전극은, 상기 제2 방향을 따라 뻗어 있음과 함께, 상기 제1 방향을 따라 복수 개 병렬되며,
    상기 하방 전극의 평균 셀 피치를 Pd, 상기 상방 전극의 평균 셀 피치를 Ps로 할 때, Ps/Pd가 1보다 크고 8 이하인 것을 특징으로 하는 도전 시트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    Ps/Pd가 2 이상 6 이하인 도전 시트.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 상방 전극의 유효 전극 면적이 터치 유효 면적의 70% 이상인 도전 시트.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 하방 전극의 전극폭을 Wd, 상기 상방 전극의 전극폭을 Ws라고 할 때, Ws/Wd가 0.5 이상 1.5 이하인 도전 시트.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 셀이 능형인 도전 시트.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 하방 전극의 평균 셀 피치(Pd)가 50μm 이상 400μm 이하이며, 또한 상기 상방 전극의 평균 셀 피치(Ps)가 50μm보다 크고 3200μm 이하인 도전 시트.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 메시 전극이 상기 상방 전극인 도전 시트.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 하방 전극과 상기 상방 전극의 대향 개소에서, 상기 하방 전극 또는 상기 상방 전극 중 적어도 어느 한쪽의 전극폭이 대향 개소 이외의 부위에 비하여 작게 설정되어 있는 도전 시트.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 하방 전극과 상기 상방 전극의 대향 개소의 일부에, 제1 셀을 형성하는 금속 선재 또는 제2 셀을 형성하는 금속 선재 중 적어도 어느 한쪽이 절단된 단선부가 마련되어 있는 도전 시트.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 따른 도전 시트를 갖는 것을 특징으로 하는 정전 용량식 터치 패널.
  11. 청구항 10에 따른 정전 용량식 터치 패널을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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