KR101747196B1 - 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법 - Google Patents

동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101747196B1
KR101747196B1 KR1020157008474A KR20157008474A KR101747196B1 KR 101747196 B1 KR101747196 B1 KR 101747196B1 KR 1020157008474 A KR1020157008474 A KR 1020157008474A KR 20157008474 A KR20157008474 A KR 20157008474A KR 101747196 B1 KR101747196 B1 KR 101747196B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
boron
ionization
enriched
registration fee
setting registration
Prior art date
Application number
KR1020157008474A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150041194A (ko
Inventor
로버트 카임
조셉 디 스위니
올레그 바일
쉐라드 엔 예다브
에드워드 이 존스
펑 조우
윙 탕
배리 루이스 챔버스
리차드 에스 레이
Original Assignee
엔테그리스, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/913,721 external-priority patent/US8138071B2/en
Application filed by 엔테그리스, 아이엔씨. filed Critical 엔테그리스, 아이엔씨.
Publication of KR20150041194A publication Critical patent/KR20150041194A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101747196B1 publication Critical patent/KR101747196B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/06—Boron halogen compounds
    • C01B35/061—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/06—Boron halogen compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B9/00—General methods of preparing halides
    • C01B9/08—Fluorides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/88—Isotope composition differing from the natural occurrence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701—Ion implantation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 둘 이상의 붕소 원자 및 하나 이상의 불소 원자를 포함하며, 이때 하나 이상의 붕소 원자는 자연 존재 농도 또는 비율보다 큰 농도 또는 비율로 목적하는 붕소 동위원소를 포함한다. 상기 화합물은 B2F4의 화학식을 가질 수 있다. 이런 화합물의 제조 방법 및 이런 화합물을 사용한 이온 주입 방법뿐 아니라, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물이 후속 분배 사용을 위해 유리하게 포함된 저장 및 분배 용기가 기재되어 있다.

Description

동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법{ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}
본 발명은 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 조성물 및 이들의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다.
관련된 출원에 대한 교차-참고
이 출원은 "동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법{ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}"이라는 발명의 명칭으로 올렉 빌(Oleg Byl)등의 명의로 2010년 8월 30일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/378,353 호; "동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법{ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}"이라는 발명의 명칭으로 올렉 빌 등의 명의로 2010년 8월 18일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/375,031 호; "이온 주입 기체 운반 시스템을 위한 활성 냉각{ACTIVE COOLING FOR ION IMPLANT GAS DELIVERY SYSTEM}"이라는 발명의 명칭으로 에드워드 존스(Edward Jones) 등의 명의로 2010년 6월 25일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/358,514 호; "이온 주입 기체 운반 시스템을 위한 활성 냉각{ACTIVE COOLING FOR ION IMPLANT GAS DELIVERY SYSTEM}"이라는 발명의 명칭으로 에드워드 존스 등의 명의로 2010년 5월 27일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/349,202 호; "붕소 이온 주입 장치 및 방법{BORON ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD}"이라는 발명의 명칭으로 로버트 카임(Robert Kaim) 등의 명의로 2009년 8월 27일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/255,097 호를 35 USC 119(e) 하에서 우선권 주장하는 "동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 제조 및 사용 방법{ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}"이라는 발명의 명칭으로 로버트 카임 등의 명의로 2010년 10월 27일 출원된 미국 특허 출원 제 12/913,721 호의 35 USC 120 하의 계속 출원인, "동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 제조 및 사용 방법{ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME}"이라는 발명의 명칭으로 로버트 카임 등의 명의로 2011년 3월 15일 출원된 미국 특허 출원 제 13/048,367 호에 대해 우선권을 주장한다. 전술한 미국 특허 출원 제 12/913,721 호, 미국 가특허 출원 제 61/378,353 호 및 미국 가특허 출원 제 61/375,031 호의 우선권은 본 출원에서 부가적으로 주장된다. 미국 특허 출원 제 13/048,367 호 및 12/913,721 호 및 미국 가특허 출원 제 61/378,353 호; 61/375,031 호; 61/349,202 호 및 61/255,097 호의 모든 개시 내용은 모든 목적을 위해 그들 각각 전체로 본원에 참조로서 인용된다.
이온 주입은 도판트(dopant) 불순물의 제어된 양을 반도체 웨이퍼들로 정확하게 도입하기 위해 집적 회로 제조에서 사용되고, 마이크로전자/반도체 제조에서 매우 중요한 공정이다.
이러한 주입 시스템에서, 이온 소스는 도판트 소스 기체의 원하는 도판트 성분을 이온화한다. 이온 소스는 도판트 소스 기체("공급원료 기체"로 일반적으로 칭함)로 채워진 진공 챔버(chamber)로 전자를 유도함으로써 이온을 발생시킨다. 주입 종(species)을 발생시키기 위해 사용된 공급원료 기체는 BF3, B10H14, B12H22, PH3, AsH3, PF5, AsF5, H2Se, N2, Ar, GeF4, SiF4, O2, H2 및 GeH4를 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 주입할 도판트 성분을 포함한 조성물은 전형적으로 도판트 소스 또는 전구체를 의미한다. 전자들이 기체 안의 도판트 원자들 및 분자들과 충돌하여 양성 및 음성 도판트 이온으로 이루어진 이온화된 플라즈마의 생성을 야기한다.
생성된 이온은 원하는 에너지의 이온 빔의 형태로 소스로부터 추출된다. 추출은, 추출된 빔의 통과를 위한 개구를 포함하는 적절하게 모양을 갖춘 추출 전극에 고전압을 적용함으로써 달성된다. 추출된 빔은 시준된 이온 빔으로서 개구 및 이온 소스 외부로 통과하여 기판을 향해 가속된다.
이온 빔은 도판트 성분을 기판에 주입하기 위해 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 표면상에 부딪힌다. 빔의 이온은 기판의 표면에 침투하여 원하는 도전성의 영역을 형성한다. 주입된 이온 종은 다양하게 B, P, As, Se, N, Ar, Ge, Si, O, 및 H를 포함하며, 특히 붕소가 광범위하게 사용되는 주입종이다.
집적 회로의 제조에서 중요한 단계중 하나는 실리콘 웨이퍼로 붕소를 주입하는 것이다. 심지어 높은 온도에서도 원소형 붕소는 매우 낮은 증기압을 나타내기 때문에, 휘발성 붕소-함유 화합물의 활용이 필요하다. 현재 붕소 트라이플루오라이드(BF3)가 붕소 주입을 위한 공급(feed) 기체로서 널리 사용된다(예를 들어, 이온 주입을 위한 BF3의 2007년 연간 세계 소비량은 대략 3000kg으로 추산됨).
광범위한 사용에도 불구하고, BF3은 단점을 가지고 있다. BF3 분자는 이온화하기 매우 어렵고 이온 소스 내로 유입된 총 BF3의 약 15%만이 분열될 수 있다(fragmented). 나머지는 버려진다. 게다가, 이온화된 BF3의 약 30%만이 주입에 사용될 수 있는 B+ 이온으로 전환된다. 이는, 주입 공정 처리량이 엄격하게 제한되는 낮은 B+ 빔 전류를 야기한다.
B+ 빔 전류의 증가는 공정 변수의 변화(예컨대 추출 전류의 증가) 및 BF3 유량의 증가로 달성할 수 있다. 이 방안은, 이온 소스의 단축된 수명, 장비의 불안정을 야기하는 고전압 아크, 및 빔 에너지 오염의 원인인 진공불량을 초래한다. 주입 공정 변수의 과격한 조정이 없어도, 붕소의 주입은, 집적회로 제조자에게 다른 문제를 제시하는 더 빈번한 예방적 보수 중단을 필요로 함이 증명되었다.
낮은 B+ 빔 전류에 의한 처리량 한계의 문제는, 반도체 산업의 일반적인 추세가 더 낮은 주입 에너지를 사용하는 것이기 때문에, 최근에 더욱 중요하게 되었다. 더 낮은 주입 에너지에서, B+ 빔은 공간 전하와 붕소의 낮은 원자량에 의한 더 큰 블로우 아웃(blow-out) 효과에 당면한다.
앞선 문제 이외에도, 원소형 붕소가 매우 낮은 증기압을 갖는다는 것은 언급되었다. 따라서, 붕소-함유 전구체가 과도하게 분해되어 붕소 잔기의 침착(deposition)을 야기하기 쉽다면, 이온 주입기 장치의 조작 관점에서, 이는 이온 주입용으로 적절하지 않을 수 있다.
따라서, 당업계에서는 개선된 붕소 전구체를 계속 개발하고자 하고 있다.
본 발명은 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다.
일 양태에서, 본 발명은, 둘 이상의 붕소 원자 및 하나 이상의 불소 원자를 포함하는 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물에 관한 것이며, 이때 상기 하나 이상의 붕소 원자는 자연 존재 농도 또는 비율보다 큰 농도 또는 비율로 원하는 붕소의 동위원소를 포함한다.
본 발명의 다른 양태는, 상기에 설명된 유형의 화합물을 이온화하여 붕소 이온을 생성시키는 단계; 및 기판에 상기 붕소 이온을 주입하는 단계를 포함하는, 기판내로 붕소를 주입하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는, 상기에 설명한 화합물의 소스를 포함하는, 빔-라인 이온 주입, 플라즈마 침지 이온 주입 또는 플라즈마 도핑 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 상기에 설명한 유형의 화합물을 포함하는 기체 저장 및 분배 용기에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 상기에 설명한 유형의 화합물을 유동시키는 단계; 및 상기 화합물로부터 이온 빔을 생성시키는 단계를 포함하는, 이온 주입 공정을 위한 빔 전류 향상 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 붕소-함유 기체를 붕소 금속에 접촉시키는 단계를 포함하는, 상기에 설명한 유형의 화합물의 합성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 대한 다른 양태는, 저장 및 분배 용기를 상기에 설명한 유형의 화합물로 채우는 단계를 포함한, 상기 화합물의 소스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 상기에 설명한 유형의 화합물을, 비활성 기체, 아르곤, 질소, 헬륨, 수소, 암모니아, 제논, 제논 다이플루오라이드, 동위원소-농축된 다이보레인 및 자연 존재 다이보레인으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 공동-유동 종과 함께 이온 주입 장치로 유동시키는 단계를 포함하는 이온 주입 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 BF3 화합물과 함께 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 B2F4 화합물을 이온 주입 장치로 유동시키는 단계를 포함하는, 이온 주입 방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는, 이온 주입 장치에 상기에 설명한 유형의 화합물을 사용하고, 이온 주입 조작에 의해 적어도 부분적으로 상기 장치 또는 그의 부품에 형성된 침착물의 제거에 효과적인 세정제를 유동시킴으로써 상기 장치 또는 그의 부품을 주기적으로 세정하는 것을 포함하는, 이온 주입 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 이온 주입 장치 조작시에 사용되는 유일한 도판트 소스 화합물로서 상기에 설명한 유형의 화합물을 이온 주입 장치에 사용하는 것을 포함하는 이온 주입 실행 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태는, 도판트 화합물로서 오직 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 B2F4를 사용하여 이온 주입 장치에서 이온 주입을 수행하는 것을 포함하는 이온 주입 실행 방법에 관한 것이다.
또 다른 양태에서, 본 발명은, 도판트 화합물로서 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 B2F4를 사용하여 이온 주입 장치에서 이온 주입을 수행하는 것을 포함하는 이온 주입 실행 방법에 관한 것이되, 이때 이온 주입 장치가 아르신, 포스핀, 이산화탄소, 일산화탄소, 규소 테트라플루오라이드 및 붕소 트라이플루오라이드 중 하나 이상으로 처리된다.
본 발명의 다른 양태는, 물리적 흡착제 및 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택된 저장 매체에 상기에 설명된 유형의 화합물을 포함하는 저장 및 분배 용기에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는, 상기에 설명한 유형의 화합물을 포함하는 저장 및 분배 용기에 관한 것이되, 이때 용기는 용기내에 또는 용기의 출구부 내에 위치한 제한된 유동 오리피스(orifice)를 포함한다.
본 발명의 다른 양태는, 상기에 설명한 유형의 화합물을 포함하는 저장 및 분배 용기에 관한 것이되, 이때 용기는 대기압 이하의 압력에서 화합물을 분배하기 위해 압력-조절된다.
다른 양태에서 본 발명은, 이온 주입용 이온 종을 생성하는 AMU 분리에 유용한 이온화된 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 BF3 이외의 붕소 전구체 화합물로부터 유도되고, 상기 붕소 전구체 화합물은 10B 및 11B중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축되어 있고, 상기 조성물은 B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, F+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, F++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++, B+++ 및 F+++ 중 하나 이상의 종을 포함하되, 이들의 붕소-함유 종은 10B 및 11B중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축되어 있다.
본 발명의 다른 양태는, B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++ 및 B+++중에서 선택되고 10B 및 11B중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축된 붕소 이온 종 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양태는, 동위원소-농축되지 않은 붕소-함유 화합물에 비해 향상된 빔 전류를 생성하는 동위원소-농축된 이온 종을 형성하는데 효과적인 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 사용하는 것을 포함하는, 이온 주입 공정을 위한 빔 전류의 개선 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 양태들, 특징들 및 실시예들은 아래의 설명 및 첨부한 청구범위로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시양태에 따라, 전구체 공급 용기로부터 동위원소-농축된 붕소-함유 전구체를 수용하도록 배열된 이온 주입 시스템을 포함하는 반도체 제조 시설의 개략도이다.
본 발명은 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 조성물 및 이들의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다.
일 양태에서, 본 발명은, 둘 이상의 붕소 원자 및 하나 이상의 불소 원자를 포함하는 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물에 관한 것이며, 이때 상기 하나 이상의 붕소 원자는 자연 존재 농도 또는 비율보다 큰 농도 또는 비율로 목적하는 붕소 동위원소를 포함한다.
붕소-함유 화합물은 임의의 적절한 형태가 될 수 있고, 임의의 수의 붕소 원자를 포함할 수 있다. 일 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 둘 이상의 붕소 원자 및 하나 이상의 불소 원자를 포함한다. 다른 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 다이붕소 화합물(예컨대 B2F4, B2F6, H2B2F6, H2B2F2O3, H2B2F2O6 및 H2B2F4O2), 트라이붕소 화합물(예컨대 B3F6), 테트라붕소 화합물(예컨대 H4B4F10, B(BF2)3CO 및 (F2B)3BCO), 펜타붕소 화합물, 헥사붕소 화합물, 헵타붕소 화합물, 옥타붕소 화합물(예컨대 B8F12), 노나보레인 화합물, 데카붕소 화합물(예컨대 B10F12), 운데카붕소 화합물, 도데카붕소 화합물 등 B80 화합물(예컨대 풀러렌 유사체 B80)까지를 비롯하여, 2 내지 80 개의 붕소 원자를 포함한다. 다른 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 또는 11 개의 붕소 원자를 포함할 수 있다. 추가의 실시양태에서 클러스터(cluster) 붕소 화합물을 포함할 수 있다. 다른 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 다이붕소 화합물이 될 수 있다. 다른 실시양태에서 붕소-함유 화합물은 특정 붕소-함유 화합물 종 외에 다이붕소 화합물(예컨대 다이보레인 외에 다이붕소 화합물)을 포함할 수 있다. 그러므로, 본 발명이 폭 넓은 범위 내에서 광범위하게 다양한 붕소-함유 화합물로 고려함이 이해될 것이다.
동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 일 실시양태에서, 목적하는 동위원소는 원자량 10 붕소이고 자연 존재 농도가 약 19.9%이다. 이러한 붕소 화합물에서, 원자량 10 붕소 동위원소의 농도는 예를 들어, 특정 조성 변형으로 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%, 99.9% 또는 99.99%가 될 수 있다. 예를 들어, 원자량 10 붕소 동위원소의 농도는 20 내지 25%, 25 내지 30%, 30 내지 35%, 35 내지 40%, 40 내지 45%, 45 내지 50%, 50 내지 55%, 55 내지 60%, 60 내지 65%, 65 내지 70%, 70 내지 75%, 75 내지 80%, 80 내지 85%, 85 내지 90%, 90 내지 95%, 95 내지 99%, 95 내지 99.9%가 될 수 있다. 다른 실시양태에서, 원자량 10 붕소 동위원소의 농도는 20 내지 30%, 30 내지 40%, 40 내지 50%, 50 내지 60%, 60 내지 70%, 70 내지 80%, 80 내지 90% 또는 90 내지 99%가 될 수 있다. 이 다양한 실시양태 중 다양한 것에서, 붕소-함유 화합물은 두 개의 붕소 원자를 포함한다.
동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 다른 실시양태에서, 원하는 동위원소는 원자량 11 붕소이고 자연 존재 농도가 약 80.1%이다. 예를 들어, 특정 조성 변형으로 80.1%, 85%, 90%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%, 99.9% 또는 99.99%가 될 수 있다. 예를 들어, 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 81 내지 85%, 85 내지 90%, 90 내지 95%, 95 내지 99%, 95 내지 99.9%가 될 수 있다. 특정한 실시양태에서, 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 81 내지 90% 또는 90 내지 99%가 될 수 있다. 이 다양한 실시양태 중 다양한 것에서, 붕소-함유 화합물은 두 개의 붕소 원자 및 하나 이상의 불소 원자를 포함하고, 다른 화합물에서는 10B에 대한 11B의 비율이 4.1 내지 10,000의 범위이다.
상기에 설명한 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 다양한 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 B2F4의 화학식을 갖는다. 상기에 설명한 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 다양한 다른 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 B2F6의 화학식을 갖는다.
더 일반적으로, 본 발명의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물에서, 두 개 이상의 붕소 원자 중의 원하는 동위원소의 농도는 다른 하나와 같거나 다를 수 있다. 본 발명의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 다양한 실시양태에서, 붕소-함유 화합물은 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 또는 11 개의 붕소 원자를 포함한다.
일 양태에서, 본 발명은 본원에 다양하게 설명된 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 이온화시켜 붕소 이온을 생성시키는 단계 및 기판에 상기 붕소 이온을 주입하는 단계를 포함하는, 기판 내로의 붕소 주입 방법에 관한 것이다. 이런 방법에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 상기 본원에서 설명한 적절한 유형일 수 있다. 일 실시양태에서, 화합물은 B2F4의 화학식을 갖는다. 이런 방법의 다양한 다른 실시양태에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 B2F6의 화학식을 갖는다.
본 발명의 다른 양태는 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물(단, 화합물은 상기 본원에 설명한 다양한 유형이 될 수 있음)의 소스를 포함하는 빔-라인 이온 주입, 플라즈마 침지 이온 주입, 또는 플라즈마 도핑 시스템에 관한 것이다. 일 실시양태에서, 상기 화합물은 B2F4의 화학식을 갖는다. 이런 방법의 다양한 다른 실시양태에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 B2F6의 화학식을 갖는다.
다른 실시양태에서, 본 발명은, 붕소 이온이 생성되고 기판(예컨대 마이크로 전자 장치 기판)에 충돌시키기 위한 전기장에 의해 가속되는 이온 주입에 관한 것이다. 하나의 구현에서 이런 붕소-함유 이온 주입의 방법은, 종래의 열(hot) 음극 이온 소스를 사용한 아크 전압(100볼트 미만, 적절하게 90볼트 미만, 더 적절하게 80볼트 미만 및 가장 적절하게 70볼트 미만) 또는 다른 이온 소스를 이용한 필적하는 전압을 사용하여, 15% 이상의 높은 이온화 효율로 붕소-함유 도판트 종을 이온화하는 것을 포함한다. 다른 실시양태에서, 이온 주입은 구체적으로 플라즈마 침지 공정을 제외한다.
상기에 설명된 빔-라인 이온 주입, 플라즈마 침지 이온 주입, 또는 플라즈마 도핑 시스템은 특정 구현에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 이온화 챔버로의 전달을 위해 적당한 도관을 포함하며, 이때 도관은 도관의 막힘 및/또는 도관에서의 화합물의 분해를 최소화 또는 억제하는데 효과적인 온도로 유지된다. 그런 목적을 위하여, 이온화 챔버 및/또는 전구체 공급 도관은 능동적 냉각 능력(예컨대 이온화 챔버로 들어가는 유입 도판트 기체의 온도를 낮추기 위해 열 교환 흐름 회로를 공급함으로써)을 갖추고 있을 수 있다.
이온 주입 장치로의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 전달에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 다른 구성요소, 예컨대 불활성 기체 종(예컨대 아르곤, 제논, 질소, 헬륨 등), 수소, 암모니아, 다른 붕소 전구체(예컨대 자연 존재 붕소 전구체, 다른 동위원소-농축된 붕소-함유 전구체), 다른 도판트 전구체(즉, 비-붕소 도판트 전구체) 또는 상기 구성요소들 중 하나 이상과 함께 이온 주입 장치로 전달(예컨대 공동-유동)될 수 있다.
일 실시양태에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물(예컨대, 농축된, 원자량 11 붕소 동위원소-함유 B2F4)은 농축된 원자량 11 붕소 동위원소-함유 BF3와 함께 이온 주입 장치로 공동-유동되며, 이로써 동위원소-농축된 BF3에 의한 동위원소-농축된 B2F4의 희석에 의해 장치로의 공급 라인의 막힘에 대한 전구체 스트림의 저항성이 증가된다. 이 경우, 이온 소스의 수명을 극대화하면서도 빔 전류는 조작 상에 상당한 이익을 제공하는 수준으로 유지될 수 있다.
동위원소-농축된 붕소-함유 전구체의 사용의 다양한 다른 구현에서, 이온 주입 시스템의 조작은, 시스템의 부품의 동일반응계(in-situ) 세정으로, 예컨대 주기적 간격으로 세정할 시스템 또는 그의 특정 부품 내로 세정제를 유동시킴으로써 수행될 수 있다. 이런 조작에서 사용된 세정제는 적절한 형태, 예컨대 제논 다이플루오라이드, 불소, 질소 트라이플루오라이드, 또는 세정할 이온 주입 시스템 또는 그의 특정 부품에 형성된 침착물과 접촉시 적어도 부분적으로 침착물을 제거하기에 효과적인 다른 물질이 될 수 있다. 이온 주입 시스템에서 이런 정기적인 세정제의 도입에 의해 세정되어야 할 위치는 기체 튜브, 아크 챔버, 전방선(foreline) 또는 이온 주입 조작에 사용된 화학 종에 의해 침착물이 형성될 수 있는 임의의 다른 위치 또는 장치 또는 부속 장비의 영역일 수 있다.
전구체로서 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 사용하는 또 다른 구현에서, 이온 주입 장치는 유일한 도판트 전구체로서 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 B2F4를 사용하여 조작된다. 또 다른 구현에서, 이온 주입은, 아르신, 포스핀, 이산화탄소, 일산화탄소, 규소 테트라플루오라이드 및 붕소 트라이플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 도판트 전구체를 수반하는 도핑 조작을 수행하는데 또한 사용되는 이온 주입 장치에서 도판트 종으로서 동위원소-농축된 원자량 11 붕소 B2F4를 사용하여 수행된다.
본 발명의 다른 양태는 본원에 다양하게 설명된 유형의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 포함하는 기체 저장 및 분배 용기에 관한 것이다. 예를 들어 이런 기체 저장 및 분배 용기는 B2F4의 화학식을 갖는 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 포함할 수 있다. 특정 실시양태에서, 기체 저장 및 분배 용기는 하나 이상의 조절기, 체크 밸브, 흡착제, 필터 및 용기의 내부 공간에 배치된 모세관류 제한 장치를 포함할 수 있다. 다른 실시양태에서, 상기 용기는 붕소-함유 화합물을 위한 저장 매체, 예컨대 고체-상태 물리적 흡착제 또는 달리 이온성 액체 저장 매체를 포함할 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 상기 용기는 용기의 내부 공간 안에 또는 용기의 연결 포트(예컨대 출구 포트) 안에 위치한 제한적인 유동 오리피스를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 붕소-함유 기체와 붕소 금속을 접촉시키는 단계를 포함하는 본원에서 설명된 적절한 유형의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 합성 방법에 관한 것이다. 이 방법에서, 붕소-함유 기체 및 붕소 금속 중의 하나 또는 둘 모두는 동위원소-농축된 것일 수 있다. 그러므로, 예를 들어 일 실시양태로, 본 발명은, 동위원소-농축된 붕소 금속 및 자연 존재 붕소 트라이플루오라이드의 조합을 접촉시키는 것을 고려한다. 다른 예시적인 실시양태에서, 본 발명은, 접촉되는 종으로서 자연 존재 붕소 금속 및 동위원소-농축된 붕소 트라이플루오라이드의 조합을 고려하고, 다른 예시적인 실시양태에서, 본 발명은 동위원소-농축된 붕소 금속과 동위원소-농축된 붕소 트라이플루오라이드의 접촉을 고려한다.
상기 설명한 합성 방법의 특정 예시로서, 접촉단계에서 합성되는 동위원소-농축 붕소-함유 화합물은 B2F4일 수 있고 붕소-함유 기체는 붕소 트라이플루오라이드일 수 있다.
상기 합성 방법은 붕소 금속에 원자량 10 붕소 동위원소를 적절한 농도로 사용하여 수행될 수 있다. 특정 실시양태에서, 붕소 금속 중의 원자량 10 붕소 동위원소의 농도는 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 클 수 있다.
다른 실시양태에서, 상기 합성 방법은 붕소 금속에 원자량 11 붕소 동위원소를 사용하여 수행될 수 있고, 이 유형의 특정 실시양태에서 붕소 금속 중의 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 클 수 있다.
붕소 트라이플루오라이드가 사용되는 합성 방법의 또 다른 실시양태에서는, 동위원소-농축된 붕소 트라이플루오라이드 종, 예컨대 원자량 10 붕소 동위원소의 농도가 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 큰 붕소 트라이플루오라이드가 사용될 수 있다.
다른 실시양태에서, 동위원소-농축된 형태로 동위원소-농축된 붕소 트라이플루오라이드를 사용하는 합성 방법은, 붕소 트라이플루오라이드가 원자량 11 붕소 동위원소-농축된 것으로 수행될 수 있으며, 이때 붕소 트라이플루오라이드 중의 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크다.
다른 실시양태에서 본 발명은, 상응하는 동위원소-농축되지 않은 붕소-함유 화합물에 비해 개선된 빔 전류를 생산하는데 효과적인 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 사용을 포함하는, 이온 주입 공정을 위한 빔 전류의 개선 방법에 관한 것이다. 특정 실시양태에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 동위원소-농축된 B2F4를 포함한다.
본 발명의 다른 양태는, 본원에서 전술한 적절한 유형의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 유동시키고 상기 화합물로부터 이온 빔을 생성시킴을 포함하는, 이온 주입 공정에서 빔 전류를 개선하는 방법에 관한 것이다. 이 방법에서, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 B2F4의 화학식을 갖는 화합물을 포함할 수 있다. 이런 붕소-함유 화합물은 이온화시 B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, F+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, F++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++, B+++ 및 F+++ 중 하나 이상의 종을 포함하는 다양한 이온 종 및 분절(fragment)을 형성한다.
빔 전류에서 상당한 개선은, AMU 자석을 포함하는 선별기 또는 다른 선별기에 의해, 주입을 위해 선택된 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물 및 이들과 상응하게 농축된 붕소-함유 이온 종 및 분절을 사용하여 달성될 수 있다. 이런 다양한 실시양태에서, 붕소-함유 화합물, 및 이로부터의 이온 종 및 분절에서 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 클 수 있다. 달리, 원자량 10 붕소 동위원소가 농축된 붕소-함유 화합물, 예컨대 원자량 10 분소 동위원소의 농도가 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 큰 붕소-함유 화합물, 및 이로부터의 이온 종 및 분절에 해당하는 것이 활용될 수 있다.
이온 주입을 위한 공급 기체 소스로서 동위원소-농축된 화합물을 활용하는 것 이외에, 본 발명은 다양한 개선, 예컨대 빔 전류 및/또는 이온 주입 조작의 다른 조작 변수의 개선, 분해 및 이로부터의 침착 수준의 감소, 이온 주입 시스템에서 유동 통로의 막힘에 대한 저항의 증가 등을 달성하는데 붕소-함유 소스 화합물의 조합을 활용하는 구성을 고려한다.
본 발명은 또한, 이온 주입 조작 및 시스템의 빔 전류 또는 다른 조작 변수의 개선을 달성하기 위해 붕소 이온 주입을 위한 전구체로서 붕소 동위원소가 균질한 화합물, 즉 모든 붕소 원자가 10B 또는 11B인 붕소-함유 화합물, 및 이로부터의 이온 종 및 분절을 사용하는 것을 고려한다.
동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 사용은 선택된 이온 종에 대해 빔 전류를 상당히 개선함이 입증되었는데, 예컨대 이온 주입을 위해 선택되는 특정 이온 종에 따라 5 내지 30% 이상의 빔 전류 개선 정도를 보였다. 붕소 함량에 있어서 동위원소-농축된 이온 종은 임의의 적절한 유형이 될 수 있고 예를 들어 B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, F+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, F++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++, B+++ 및 F+++ 중의 하나 이상을 포함할 수 있다. 그러므로, 동위원소-농축은 원하는 유형의 이온(예컨대 BF2 +, BF+ 또는 F+)의 AMU 자석 선택을 개선하는데 활용될 수 있다. 이런 동위원소-농축된 종에 의한 이온 주입 장치에서의 빔 전류의 증가에 의해, 소스 기체 흐름 및 소스 아크 파워를 증가시킬 필요성(예컨대 높은 빔 흐름 정도를 얻기 위해 필요하지만 낮은 효율 및 이온 주입을 위한 소스 기체의 낮은 활용을 야기함)이 배제될 수 있다.
동위원소-농축된 B2F4의 사용은, 자연 존재 동위원소 조성에서도 이런 붕소 소스 화합물은 같은 조건 및 같은 이온 주입 장치(예컨대 BF2 + 및 B+ 같은 종을 위한)하에서 붕소 트라이플루오라이드를 사용하여 얻어진 빔 흐름과 비교할 때 빔 흐름에서 상당한 개선을 제공하기 때문에, 특별히 선호된다.
본 발명의 다른 양태는, 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 이온화에서 이온화로 유용한 이온 종을 생성하는 방법에 관한 것이며, 이때 동위원소-농축된 붕소-함유 이온 종은 B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, F+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, F++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++, B+++ 및 F+++중에서 선택된다. 본 발명은 또한, 이런 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 이온화로부터 생산된 이온 종의 하나 이상의 AMU 자석 선택과 이런 동위원소-농축된 붕소-함유 이온 종의 기판(예컨대 마이크로전자 장치 기판)내로의 주입을 고려한다.
동위원소-농축된 붕소-함유 종은 동위원소-농축되어, 자연 존재 수준으로부터 다양한 원자량 11 붕소 동위원소의 농도 또는 원자량 10 붕소 동위원소의 농도를 상기에 설명한 임의의 농도, 즉 이온 종 중의 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 큰 원자량 11 붕소 동위원소의 농도를 갖거나 또는 원자량 10 붕소 동위원소의 농도가 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99% 보다 큰 동위원소-농축된 붕소 함유 종을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는, 동위원소-농축된 붕소-함유 소스 화합물의 사용에 따른, 이온 주입 장치의 표면상의 물질의 열 분해 및 침착의 감소 방법에 관한 것이다. 이온 주입에 사용된 붕소-함유 소스 화합물의 열 분해는 붕소 트라이플루오라이드의 생산물 또는 다른 부산물 기체 종의 생성과 함께 원소형 붕소의 침착을 야기할 수 있다. 기체 공급 라인이 충분히 냉각됨에도 불구하고, 약간의 열 분해는 아크 챔버 벽에서 필연적으로 발생한다. 이런 분해 및 관련 침착의 결과로써 형성된 침착물은 소스 기체로부터 유도되는 붕소 금속, 및 아크 챔버 벽으로부터의 텅스텐 또는 몰리브덴의 혼합물일 수 있다. 침착물은 이온 소스 근처의 기체 공급 라인뿐 아니라 노즐의 안쪽 및 표면, 아크 챔버 베이스 플레이트, 이온화 장치의 베이스 플레이트 라이너 아래에도 형성될 수 있다. 이런 침착물은 예컨대 연마 세정 및 화학적 방법(예를 들어 적절한 세정 기체를 침착물을 포함하는 장치에 통과시켜, 제거될 수 있도록 침착물을 휘발시킴)에 의한 주기적인 보수 제거가 필요하다. 생성 유출물은 유출물 스트림으로부터 특정 물질을 회수하기 위해 공정 처리될 수 있다.
만약 이온 주입기가 오직 붕소 도판트만으로 조작되지 않는다면, 구성 물질(예컨대 상기에 설명한 텅스텐 및 몰리브덴 물질)에 따라 붕소 소스 화합물로부터 유도된 이온과 진공 챔버에 있는 다른 물질 사이의 상호작용에 의해 다양한 유형의 고체 물질 또는 이온이 형성될 것이다. 알루미늄 절연체가 구비된 텅스텐 아크 챔버에서, 이온은 WFX +(이때, x=0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6) 및 AlFy +(이때, y=0, 1, 2 또는 3)을 비롯하여 광범위하게 다양한 유형이 형성될 수 있다. 이런 이온은 동위원소-농축된 붕소-함유 소스 화합물과 반응하여 해당 동위원소-농축된 침착물을 형성할 수 있다. 이런 침착물의 동위원소 성질은, 동위원소 조성의 결과로서 그에 대해 선택적인 세정제를 활용할 기회를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 양태는 상기에서 설명한 임의의 적절한 유형의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물의 소스의 제조 방법에 관한 것이며, 이 방법은 저장 및 분배 용기를 상기 화합물로 채우는 단계를 포함한다. 이 방법의 일 실시양태에서 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 B2F4의 화학식을 갖는다.
본 발명의 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 표준 조건(1기압, 25℃)에서 기체, 고체 또는 액체 형태인 광범위한 다양한 화합물을 포함한다.
그러므로 본 발명은 이온 주입을 위한 이온 종을 생성하기 위한 AMU 분리에 유용한 이온화된 조성물을 고려하며, 이 조성물은, 10B 및 11B 중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축된, BF3 이외의 붕소 전구체 화합물로부터 유도되고, B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, F+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, F++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++, B+++ 및 F+++중 하나 이상(이의 붕소-함유 종은 10B 및 11B 중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축됨)을 포함한다.
이 조성물에서, 붕소 전구체 화합물은 B2F4의 화학식 또는 다른 적절한 화학식을 가질 수 있다. 상기 조성물은 붕소-함유 이온 종 중의 원자량 10 붕소 동위원소의 농도가 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99% 보다 크도록 구성될 수 있다. 달리, 상기 조성물은 붕소-함유 이온 종 중의 원자량 11 붕소 동위원소의 농도가 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는, B2F4 +, B2F3 +, B2F2 +, BF3 +, BF2 +, BF+, B+, B2F4 ++, B2F3 ++, B2F2 ++, BF3 ++, BF2 ++, BF++, B++, B2F4 +++, B2F3 +++, B2F2 +++, BF3 +++, BF2 +++, BF+++ 및 B+++ 중에 선택되고 10B 및 11B 중 하나가 자연 존재비 이상으로 동위원소-농축된 붕소 이온 종에 관한 것이다. 붕소 이온 종에서, 붕소 이온 종 중의 원자량 10 붕소 동위원소의 농도가 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크거나, 달리 붕소 이온종 중의 원자량 11 붕소 동위원소의 농도가 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크다.
본 발명의 다른 양태는, 상응하는 동위원소-농축되지 않은 붕소-함유 화합물에 비해 개선된 빔 전류를 생성하는 동위원소-농축된 이온 종을 형성하는데 효과적인 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 사용하는 것을 포함하는, 이온 주입 공정을 위한 빔 전류의 개선 방법에 관한 것이다.
동위원소-농축된 붕소-함유 화합물은 B2F4의 화학식을 갖거나, 또는 다른 적절한 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물을 포함할 수 있다. 일 실시양태에서, 동위원소-농축된 이온 종 중의 원자량 10 붕소 동위원소의 농도는 19.9%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 80%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크다. 다른 실시양태에서, 동위원소-농축된 이온 종 중의 원자량 11 붕소 동위원소의 농도는 80.1%, 85%, 90%, 95%, 99%, 99.9% 또는 99.99%보다 크다.
본 발명의 다른 양태는, 도판트 전구체 조성물로서의 B2F4와 다이보레인(B2H6)의 조합물의 용도에 관한 것이다. 이런 도판트 전구체 조성물에서 B2F4는 본원에서 다양하게 설명된 것처럼 동위원소-농축되거나 또는 달리 동위원소-농축되지 않은 형태일 수 있다. 마찬가지로 이런 도판트 전구체 조성물 중의 다이보레인은 붕소 동위원소 종에 있어서 동위원소-농축되거나 또는 달리 동위원소-농축되지 않은 형태일 수 있다. B2F4 및 다이보레인의 이런 도판트 전구체 조성물에서의 용도에서, B2F4 및 다이보레인 화합물은 서로 미리 혼합되어 동일 소스 패키지로부터 운반될 수 있거나, 달리 상기 B2F4 및 다이보레인 화합물은 별개의 소스 패키지로부터 공급되어 적절한 방법으로 별개의 소스 패키지로부터 공정 장치로 유동될 수 있다. 예를 들어, 각각의 B2F4 및 다이보레인 화합물은 별개의 소스 패키지로부터 공정 장치로 공동-유동될 수 있거나, 달리 상기 화합물들은 순차적으로 또는 교차 방식으로 공정 장치로 운반될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에서, 본 발명의 붕소 화합물 및 조성물은, 본원에 다양하게 설명된 농축된 또는 비-농축된 B2F4 및 B2F4-함유 조성물로부터 유도된 붕소 이온을 사용하여, 태양 전지의 생산을 위한 기판의 플라즈마 도핑을 위해 활용될 수 있다.
이제 도면을 참조하면, 도 1은 본 발명의 일 실시양태에 따라 전구체 공급 용기로부터 동위원소-농축된 붕소-함유 전구체를 수용하도록 배열된 이온 주입 시스템을 포함하는 반도체 제조 시설의 개략도이다.
도 1에서 보이듯이, 반도체 제조 시설(180)은, 도판트 전구체를 이온 주입 시스템의 이온 소스 챔버로 제공하도록 배열된 도판트 전구체 공급 용기(182)를 포함한다. 도판트 전구체 공급 용기(182)는 임의의 적절한 유형이 될 수 있고, 예를 들어 ATMI 사(미국 코네티컷주 댄버리 소재)로부터 "SDS" 상표명으로 상업적으로 입수가능한 유형의 흡착제-기반 유체 저장 및 분배 장치로 구성될 수 있고, 이는, 도판트 전구체가 기체의 형태이고 용기에 포함된 흡착제 매체에 물리적으로 흡착할 수 있는 경우, 대기압 미만의 압력(예를 들어 600토르 이하의 압력, 예컨대 약 10 내지 약 500 토르 범위 내의 압력)하에서 도판트 전구체 기체를 공급하도록 배열된다. 달리, 도판트 전구체는, 가압 상태로 저장된, 예컨대 ATMI 사(미국 코네티컷주 댄버리 소재)로부터 "VAC" 상표명으로 상업적으로 입수가능한 유형의 압력-조절 용기에 저장된 액체 형태일 수 있고, 이는 액체-함유 용기로부터 더 낮은 압력으로 기체를 분배하도록 배열된다. 다른 대안으로서, 도판트 전구체는 고체 형태일 수 있고, ATMI 사(미국 코네티컷주 댄버리 소재)로부터 ProE-Vap 상표명으로 상업적으로 입수가능한 유형의 기화기 용기에 제공될 수 있으며, 이 도판트 전구체 고체는 가열되어, 이온 주입 조작을 위한 전구체 증기를 생성한다.
예시적인 도 1 시스템에서 도판트 전구체는 예를 들어 동위원소-농축된 다이붕소 테트라플루오라이드(B2F4) 또는 다른 동위원소-농축된 붕소-함유 전구체를 포함할 수 있다.
도판트 기체는, 공급 라인(184)에서, 이온 소스(190)의 고전압 주입구(188)의 상류의 도판트 기체의 이온화를 억제하기 위해 구성되고 배열된 기체 운반 유닛(186)으로 유동되며, 이온 소스(190)에서 도판트 기체는 이온화되어 원하는 성질의 도판트 이온을 형성한다.
생성된 도판트 이온은 통로(192)를 통해 이온 소스(190)로부터 주입 챔버(194)로 전송되고, 여기에서는 웨이퍼(도시되지 않음)가 도판트 종의 이온 스트림에 대해 이온 충돌 위치로 배치되어 있다.
주입 챔버로부터 유출된 부산물은 유출물 처리 라인(196)을 통해 유출물 처리 유닛(198)으로 유동되며, 여기서 유출물은 처리 및/또는 회수 공정을 거쳐, 유출물 처리 유닛(198)으로부터 배출되는 최종 유출물을 생성한다.
본 발명을 특정 양태, 특징 및 예시적 실시양태를 참조하여 본원에 개시하였지만, 본 발명의 유용성은 그에 제한되지 않으며, 본원의 기재내용을 기초로 본 발명 분야의 통상의 숙련자에게 제시되는 다수의 다른 변형, 변경 및 다른 실시양태들로 연장되거나 또는 이들을 포함할 수 있음을 알 것이다. 따라서, 이후의 특허청구범위 발명은 본 발명의 진의 및 범주 내에 드는 이러한 모든 변형, 변경 및 다른 실시양태를 포함하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다.

Claims (31)

  1. B2F4와 다이보레인을 이온화 대역으로 공동-유동시키는 단계,
    이온화 대역 내에서, 공동-유동된 B2F4와 다이보레인을 이온화하여 붕소 도판트 종(species)을 형성하는 단계, 및
    상기 붕소 도판트 종을 이온 주입하는 단계
    를 포함하는, 이온 주입 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 B2F4와 상기 다이보레인 중 적어도 하나가 동위원소-농축된(isotopically enriched) 것인, 방법.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 B2F4가 동위원소-농축된 것인, 방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 다이보레인이 동위원소-농축된 것인, 방법.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 2 항에 있어서,
    상기 B2F4 및 상기 다이보레인이 둘 다 동위원소-농축된 것인, 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 붕소 도판트 종의 이온 빔을 생성하기 위해 상기 이온화를 수행하고,
    상기 붕소 도판트 종의 이온 빔이 전기장에 의해 가속되어 기판 내에 붕소-함유 이온을 주입하는, 방법.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    붕소-도핑된 물질을 포함하는 제품, 조립체 또는 하위조립체(subassembly)의 제조 방법에서 수행되는 방법.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 7 항에 있어서,
    상기 제품, 조립체 또는 하위조립체가 반도체 제품, 조립체 또는 하위조립체를 포함하는, 방법.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 7 항에 있어서,
    상기 제품, 조립체 또는 하위조립체가 태양 에너지 제품, 조립체 또는 하위조립체를 포함하는, 방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 7 항에 있어서,
    상기 제품, 조립체 또는 하위조립체가 평판 디스플레이 제품, 조립체 또는 하위조립체를 포함하는, 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    B2F4와 다이보레인을 공정 장치(tool)로 공동-유동시키는, 방법.
  12. 동위원소-농축된 B2F4의 15% 이상을 이온화하기에 효과적인 이온화 조건에서, 동위원소-농축된 B2F4를 포함하는 붕소 전구체 조성물을 이온화하여 붕소 이온을 생성시키는 단계, 및
    상기 이온화로부터의 붕소 이온을 기판에 주입하는 단계
    를 포함하되,
    상기 이온화 조건이 100볼트 미만의 이온화 전압을 포함하는,
    붕소를 기판에 주입하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 붕소 전구체 조성물이 상기 동위원소-농축된 B2F4 이외에 하나 이상의 다른 붕소 전구체를 포함하는, 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다른 붕소 전구체가 동위원소-농축된 것인, 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다른 붕소 전구체가 BF3, B2H6 및 B2F6 중 하나 이상을 포함하는, 방법.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다른 붕소 전구체가 BF3를 포함하는, 방법.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 16 항에 있어서,
    상기 BF3가 동위원소-농축된 것인, 방법.
  18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다른 붕소 전구체가 B2H6를 포함하는, 방법.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 18 항에 있어서,
    상기 B2H6가 동위원소-농축된 것인, 방법.
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다른 붕소 전구체가 B2F6를 포함하는, 방법.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 B2F6가 동위원소-농축된 것인, 방법.
  22. 제 12 항에 있어서,
    상기 이온화 조건이 90볼트 미만의 이온화 전압을 포함하는, 방법.
  23. 제 12 항에 있어서,
    상기 이온화 조건이 80볼트 미만의 이온화 전압을 포함하는, 방법.
  24. 제 12 항에 있어서,
    상기 이온화 조건이 70볼트 미만의 이온화 전압을 포함하는, 방법.
  25. 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 12 항에 있어서,
    상기 이온화로부터 상기 붕소 이온의 이온 빔을 생성하는 단계, 및
    기판에 붕소 이온을 주입하기 위해 상기 이온 빔을 기판에 충돌시키는(impinging) 단계
    를 추가로 포함하는 방법.
  26. 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 12 항에 있어서,
    상기 이온화가 열 음극(hot cathode) 이온 소스를 사용하여 수행되는, 방법.
  27. 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 12 항에 있어서,
    상기 주입이 빔-라인 이온 주입, 플라즈마 침지 이온 주입, 또는 플라즈마 도핑을 포함하는, 방법.
  28. 제 12 항에 있어서,
    상기 이온화가 이온화 챔버 내에서 수행되고,
    상기 붕소 전구체 조성물이 공급 도관 내에서 상기 이온화 챔버로 공급되고,
    상기 방법이 상기 이온화 챔버 및 상기 공급 도관 중 적어도 하나를 능동적 냉각하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  29. 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 28 항에 있어서,
    상기 능동적 냉각이, 상기 이온화 챔버로 들어가는 붕소 전구체 조성물의 온도를 낮추는 것을 포함하는, 방법.
  30. 제 12 항에 있어서,
    상기 이온화가, 이온 주입 시스템의 이온화 챔버 내에서 수행되고,
    상기 주입이 상기 이온 주입 시스템의 주입 챔버 내에서 수행되고,
    상기 방법이, 상기 이온 주입 시스템 또는 그의 부품을 세정하여, 상기 붕소 전구체 조성물로부터 유도된 침착물을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 세정이, 제논 다이플루오라이드, 불소, 및 질소 트라이플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정제를 사용하여 수행되는, 방법.
KR1020157008474A 2010-08-18 2011-08-16 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법 KR101747196B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37503110P 2010-08-18 2010-08-18
US61/375,031 2010-08-18
US37835310P 2010-08-30 2010-08-30
US61/378,353 2010-08-30
US12/913,721 2010-10-27
US12/913,721 US8138071B2 (en) 2009-10-27 2010-10-27 Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
US13/048,367 US8062965B2 (en) 2009-10-27 2011-03-15 Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
US13/048,367 2011-03-15
PCT/US2011/047942 WO2012024310A2 (en) 2010-08-18 2011-08-16 Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137006728A Division KR101536832B1 (ko) 2010-08-18 2011-08-16 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150041194A KR20150041194A (ko) 2015-04-15
KR101747196B1 true KR101747196B1 (ko) 2017-06-14

Family

ID=45605637

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157008474A KR101747196B1 (ko) 2010-08-18 2011-08-16 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법
KR1020137006728A KR101536832B1 (ko) 2010-08-18 2011-08-16 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137006728A KR101536832B1 (ko) 2010-08-18 2011-08-16 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8062965B2 (ko)
EP (2) EP2606004B1 (ko)
JP (2) JP5837070B2 (ko)
KR (2) KR101747196B1 (ko)
CN (2) CN105645423A (ko)
SG (2) SG188215A1 (ko)
TW (4) TWI513658B (ko)
WO (1) WO2012024310A2 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG165321A1 (en) * 2005-08-30 2010-10-28 Advanced Tech Materials Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation
US8598022B2 (en) 2009-10-27 2013-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
US8138071B2 (en) * 2009-10-27 2012-03-20 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
TWI689467B (zh) 2010-02-26 2020-04-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備
US8779383B2 (en) 2010-02-26 2014-07-15 Advanced Technology Materials, Inc. Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same
US9205392B2 (en) 2010-08-30 2015-12-08 Entegris, Inc. Apparatus and method for preparation of compounds or intermediates thereof from a solid material, and using such compounds and intermediates
TWI583442B (zh) 2011-10-10 2017-05-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 Ｂ２ｆ４之製造程序
MY176371A (en) * 2012-08-28 2020-08-04 Praxair Technology Inc Silicon-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during silicon ion implantation
US8883620B1 (en) * 2013-04-24 2014-11-11 Praxair Technology, Inc. Methods for using isotopically enriched levels of dopant gas compositions in an ion implantation process
JP2016534560A (ja) 2013-08-16 2016-11-04 インテグリス・インコーポレーテッド 基板へのシリコン注入およびそのためのシリコン前駆体組成物の提供
US9570271B2 (en) 2014-03-03 2017-02-14 Praxair Technology, Inc. Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation
CN107078009B (zh) * 2014-09-01 2019-04-12 恩特格里斯公司 利用增强源技术进行磷或砷离子植入
US9887067B2 (en) 2014-12-03 2018-02-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Boron implanting using a co-gas
JP2016127088A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 国立大学法人北海道大学 ダイヤモンド半導体デバイス
CN109195910B (zh) * 2016-03-28 2022-05-24 恩特格里斯公司 氢化且富含三氟化硼同位素的掺杂剂来源的气体组合物
JP7418331B2 (ja) 2017-12-15 2024-01-19 インテグリス・インコーポレーテッド プラズマフラッドガン（ｐｆｇ）の動作のためにフッ素含有ガスおよび不活性ガスを使用する方法および組立体
CN109300778B (zh) * 2018-09-30 2021-10-15 上海华力集成电路制造有限公司 离子注入方法
EP4000086A4 (en) * 2019-07-18 2023-07-19 Entegris, Inc. ION IMPLANTATION SYSTEM USING A MIXTURE OF ARC CHAMBER MATERIAL
US20220406655A1 (en) * 2021-06-18 2022-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009506580A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6482262B1 (en) 1959-10-10 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Deposition of transition metal carbides
US4331647A (en) * 1980-03-03 1982-05-25 Goldenberg Milton David Tumor localization and therapy with labeled antibody fragments specific to tumor-associated markers
US4348376A (en) * 1980-03-03 1982-09-07 Goldenberg Milton David Tumor localization and therapy with labeled anti-CEA antibody
JPS588071A (ja) 1981-07-08 1983-01-18 Nippon Iyakuhin Kogyo Kk ２−ベンゾチアゾリノン−３−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法
US4459427A (en) 1981-10-31 1984-07-10 The British Petroleum Company P.L.C. Process for the conversion of an alkane to a mixture of an alcohol and a ketone
JPS60221566A (ja) 1984-04-18 1985-11-06 Agency Of Ind Science & Technol 薄膜形成装置
US4722978A (en) 1985-08-30 1988-02-02 The B. F. Goodrich Company Allyl terminated macromolecular monomers of polyethers
US4680358A (en) 1985-11-08 1987-07-14 The B F Goodrich Company Styryl terminated macromolecular monomers of polyethers
JPS6315228A (ja) 1986-07-08 1988-01-22 Asahi Glass Co Ltd エレクトロクロミツク素子
JPH0772167B2 (ja) 1986-09-04 1995-08-02 サントリー株式会社 ４―アミノ―３―ヒドロキシ酪酸誘導体の製法
JPS6383147A (ja) 1986-09-26 1988-04-13 Nippon Petrochem Co Ltd 熱可塑性エラストマ−
US4851255A (en) 1986-12-29 1989-07-25 Air Products And Chemicals, Inc. Ion implant using tetrafluoroborate
JPH01225117A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP2699549B2 (ja) 1988-06-03 1998-01-19 日産化学工業株式会社 ４―ベンゾイル―５―ヒドロキシピラゾール類の製法
JP2533639B2 (ja) 1988-10-07 1996-09-11 株式会社富士電機総合研究所 Ｐ形炭素添加非晶質シリコンの生成方法
JPH05254808A (ja) 1992-03-10 1993-10-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ほう素の作製方法
JPH0680681A (ja) 1992-07-15 1994-03-22 Nippon Kayaku Co Ltd ホスホニウム化合物及びそれを用いた電子写真用トナー
EP0656668B1 (en) 1993-06-23 1999-03-31 Toray Industries, Inc. Cell electrode, secondary cell using the cell electrode, and method for manufacturing the cell electrode
JPH0790201A (ja) 1993-09-22 1995-04-04 Hokko Chem Ind Co Ltd 水中防汚塗料
JP3502185B2 (ja) * 1995-04-12 2004-03-02 松下電器産業株式会社 イオン注入方法
US5977552A (en) 1995-11-24 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Boron ion sources for ion implantation apparatus
US5993766A (en) 1996-05-20 1999-11-30 Advanced Technology Materials, Inc. Gas source and dispensing system
GB2317265A (en) 1996-09-13 1998-03-18 Aea Technology Plc Radio frequency plasma generator
JPH10251592A (ja) 1997-03-07 1998-09-22 Kansai Paint Co Ltd 塗料組成物およびその塗装法
US6086837A (en) 1997-04-24 2000-07-11 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Method of synthesizing enriched decaborane for use in generating boron neutron capture therapy pharmaceuticals
US6096467A (en) 1997-11-19 2000-08-01 Mita Industrial Co., Ltd. Positive charging color toner
US6135128A (en) 1998-03-27 2000-10-24 Eaton Corporation Method for in-process cleaning of an ion source
US6096047A (en) * 1998-09-03 2000-08-01 Smit; Julie Ann Gynecological cylinders which treat diseases
US6614082B1 (en) 1999-01-29 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Fabrication of semiconductor devices with transition metal boride films as diffusion barriers
US6376664B1 (en) 1999-03-17 2002-04-23 The Ohio State University Cyclic bis-benzimidazole ligands and metal complexes thereof
US6420304B1 (en) 2000-04-20 2002-07-16 China Petrochemical Development Corporation Polymer-supported carbonylation catalyst and its use
ATE333471T1 (de) 2000-06-19 2006-08-15 Kimberly Clark Co Neue photoinitiatoren
KR20000072651A (ko) 2000-08-08 2000-12-05 이관호 식물 신품종 쌈추 및 그 육종방법
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
US7094670B2 (en) 2000-08-11 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
US20020058385A1 (en) 2000-10-26 2002-05-16 Taiji Noda Semiconductor device and method for manufacturing the same
AU2002364611A1 (en) 2001-12-31 2003-07-24 The Ohio State University Research Foundation Strapped and modified bis (benzimidazole) diamides for asymmetric catalysts and other applications
GB2417365B (en) 2002-03-28 2006-05-17 Applied Materials Inc Monatomic boron ion source and method
US7138768B2 (en) 2002-05-23 2006-11-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Indirectly heated cathode ion source
US20040002202A1 (en) 2002-06-26 2004-01-01 Horsky Thomas Neil Method of manufacturing CMOS devices by the implantation of N- and P-type cluster ions
KR100464935B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-05 주식회사 하이닉스반도체 불화붕소화합물 도핑에 의한 초박형 에피채널을 갖는반도체소자의 제조 방법
US20040110351A1 (en) 2002-12-05 2004-06-10 International Business Machines Corporation Method and structure for reduction of junction capacitance in a semiconductor device and formation of a uniformly lowered threshold voltage device
US7396745B2 (en) 2004-12-03 2008-07-08 Tel Epion Inc. Formation of ultra-shallow junctions by gas-cluster ion irradiation
AU2003299614A1 (en) 2002-12-12 2004-06-30 Epion Corporation Re-crystallization of semiconductor surface film and doping of semiconductor by energetic cluster irradiation
US6780896B2 (en) 2002-12-20 2004-08-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Stabilized photoinitiators and applications thereof
JP4619951B2 (ja) 2003-08-25 2011-01-26 パナソニック株式会社 不純物導入層の形成方法
JP2005093518A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物導入の制御方法および不純物導入装置
TWI375660B (en) 2004-01-22 2012-11-01 Semequip Inc Isotopically-enriched boranes and methods of preparing them
TWI372725B (en) * 2004-01-30 2012-09-21 Semequip Inc Methods of synthesis of isotopically enriched borohydride and methods of synthesis of isotopically enriched boranes
US7648682B2 (en) * 2004-07-08 2010-01-19 Air Products And Chemicals, Inc. Wick systems for complexed gas technology
US7397048B2 (en) * 2004-09-17 2008-07-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for boron implantation
US7687025B2 (en) 2004-11-12 2010-03-30 The Boeing Company Isotopic lightening
US20060104851A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Tillotson Brian J Isotopic densification of propellant
US6998626B1 (en) * 2004-12-20 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Method of producing a dopant gas species
WO2006095086A2 (fr) 2005-03-07 2006-09-14 Laurence Faure Traçabilite des anomalies du cycle cellulaire ciblant l'oncologie et la neurodegenerescence.
US20100112795A1 (en) 2005-08-30 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices
DE102005054218B4 (de) 2005-11-14 2011-06-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements und Halbleiterelement
US20070178679A1 (en) 2006-01-28 2007-08-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods of implanting ions and ion sources used for same
US7473606B2 (en) 2006-02-22 2009-01-06 United Microelectronics Corp. Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistors
US7732309B2 (en) * 2006-12-08 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Plasma immersed ion implantation process
US7887634B2 (en) 2006-12-22 2011-02-15 Infineon Technologies Ag Method of producing a semiconductor element and semiconductor element
US7833886B2 (en) 2007-05-14 2010-11-16 Infineon Technologies Ag Method of producing a semiconductor element in a substrate
US7994487B2 (en) 2008-05-30 2011-08-09 Axcelis Technologies, Inc. Control of particles on semiconductor wafers when implanting boron hydrides
US7759657B2 (en) 2008-06-19 2010-07-20 Axcelis Technologies, Inc. Methods for implanting B22Hx and its ionized lower mass byproducts
US8796131B2 (en) * 2009-10-27 2014-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ion implantation system and method
CN103026478B (zh) * 2010-06-18 2015-08-19 恩特格里斯公司 用于毛细管辅助的流动控制的终点确定

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009506580A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013540676A (ja) 2013-11-07
CN103153858A (zh) 2013-06-12
KR20150041194A (ko) 2015-04-15
TW201442958A (zh) 2014-11-16
JP5837070B2 (ja) 2015-12-24
JP6204438B2 (ja) 2017-09-27
WO2012024310A2 (en) 2012-02-23
TWI513658B (zh) 2015-12-21
EP2606004B1 (en) 2015-09-23
SG188215A1 (en) 2013-04-30
EP2606004A2 (en) 2013-06-26
US20110159671A1 (en) 2011-06-30
KR101536832B1 (ko) 2015-07-14
EP2937314A1 (en) 2015-10-28
TW201219305A (en) 2012-05-16
EP2606004A4 (en) 2014-02-19
US8062965B2 (en) 2011-11-22
WO2012024310A3 (en) 2012-05-31
CN105645423A (zh) 2016-06-08
TWI558664B (zh) 2016-11-21
TW201529475A (zh) 2015-08-01
TWI513657B (zh) 2015-12-21
SG2014006068A (en) 2014-03-28
KR20130097758A (ko) 2013-09-03
JP2016103629A (ja) 2016-06-02
CN103153858B (zh) 2016-01-20
TW201609542A (zh) 2016-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101747196B1 (ko) 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법
US9685304B2 (en) Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
US8138071B2 (en) Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
KR101856921B1 (ko) 이온 주입에 사용하기 위한 패키지된 가스 혼합물
EP1933992B1 (en) Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation
TW201338022A (zh) 用於植入束與源壽命性能改善的碳摻雜物氣體與共流

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant