JP2016103629A - 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 - Google Patents
同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016103629A JP2016103629A JP2015215991A JP2015215991A JP2016103629A JP 2016103629 A JP2016103629 A JP 2016103629A JP 2015215991 A JP2015215991 A JP 2015215991A JP 2015215991 A JP2015215991 A JP 2015215991A JP 2016103629 A JP2016103629 A JP 2016103629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron
- containing compound
- isotopically enriched
- isotope
- atomic weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/06—Boron halogen compounds
- C01B35/061—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/88—Isotope composition differing from the natural occurrence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Description
本出願は、ロバート・ケイム(Robert Kaim)らの名義で「同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法」として2011年3月15日に提出された米国特許出願第13/048,367号の優先権を主張する。該出願は、米国特許法第120条において、ロバート・ケイムらの名義で「同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法」として2010年10月27日に提出された米国特許出願第12/913,721号の一部継続出願であり、米国特許法第119条(e)において、以下の米国特許仮出願の優先権の利益を主張している。該仮出願は、オレッグ・ビル(Oleg Byl)らの名義で「同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法」として2010年8月30日に提出された米国特許仮出願第61/378,353号、オレッグ・ビルらの名義で「同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法」として2010年8月18日に提出された米国特許仮出願第61/375,031号、エドワード・ジョーンズ(Edward Jones)らの名義で「イオン注入ガス運搬システムのための能動的冷却」として2010年6月25日に提出された米国特許仮出願第61/358,514号、エドワード・ジョーンズらの名義で「イオン注入ガス運搬システムのための能動的な冷却」として2010年5月27日に提出された米国特許仮出願第61/349,202号、およびロバート・ケイムらの名義で「ホウ素イオン注入装置および注入方法」として2009年10月27日に提出された米国特許仮出願第61/255,097号である。前述の米国特許出願第12/913,721号、米国特許仮出願第61/378,353号、および米国特許仮出願第61/375,031号の優先権も本願で主張されている。前述の全ての米国特許出願第13/048,367号、第12/913,721号および米国特許仮出願第61/378,353号、第61/375,031号、第61/358,514号、第61/349,202号、および第61/255,097号の全内容を、全ての目的のために本願に援用する。
〔技術分野〕
本開示は、同位体濃縮ホウ素含有化合物、組成、並びにその製造方法及び使用方法に関する。
〔関連技術の説明〕
イオンの注入は、制御された量のドーパント不純物を正確に半導体ウェハに導入するために集積回路の製造において用いられ、マイクロ電子回路/半導体の製造において極めて重要な工程である。
る。
を注入するための供給ガスとして広く用いられている(例えば、2007年に世界でイオン注入に用いられたBF3の年間消費量は、3000kg以下であったと推定される)。
ント化されず、残りは廃棄されてしまう。更に、イオン化されたBF3の約30%しか、
注入に使用可能なB+イオンに変換されないのである。このことにより、注入工程のスル
ープットを著しく制限してしまう、低いB+ビーム電流がもたらされることになる。
変えることによって、B+ビーム電流を多少増加させることは可能であるが、これらの方
法によってイオンソースの寿命が縮まったり、高圧アーク放電が生じて機械が不安定になったり、低真空状態が起きビームエネルギーの純度が低下したりする。注入工程のパラメータを大幅に調節しなくても、ホウ素の注入には、予防メンテナンスのためにより頻繁な中断が必要であり、このことが集積回路の製造に他の問題を提起しているということは、広く認識されている。
より低い注入エネルギーを使用する傾向にあるため、近年、より重要になってきている。より低い注入エネルギーでは、空間電荷とホウ素が低い原子量を有することとに起因して、B+ビームにより大きなブローアウト効果が起こる。
本開示は、同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法に関する。
本開示の別の局面は、上記のタイプの化合物を備える、ガス貯蔵・分配容器(vessel)に関する。
本開示は他の局面において、上述のタイプの化合物のソースを準備する方法であって、貯蔵・分配容器を該化合物で満たすステップを含む方法に関する。
オン注入方法に関する。
本開示の更に別の局面は、上記のタイプの化合物を収容する貯蔵・分配容器であって、該容器は、該容器の中あるいは該容器の出力ポートの中のどちらか一方に設けられた流量制限オリフィスを備える、貯蔵・分配容器に関する。
容器は、該化合物を大気圧よりも低い圧力で分配するために、圧力が調整されている貯蔵・分配容器に関する。
、10Bおよび11Bの一方において、その天然存在度を超えて同位体濃縮されている。また、前記組成は、B2F4 +,B2F3 +,B2F2 +,BF3 +,BF2 +,BF+,B+,F+,B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++,B++,F++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,BF+++,B+++,およびF+++のうち1種あるいはそれより多くの複数種を備え、該組成が備える種のうちホウ素含有種は、10Bおよび11Bの一方において天然存在度を超えて同位体濃縮されている。
B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++,B++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,BF+++およびB+++から選択され、10Bおよび11
Bの一方において天然存在度を超えて同位体濃縮されたホウ素イオン種に関する。
1つの局面における本開示は、2つ以上のホウ素原子と、少なくとも1つのフッ素原子とを含む、同位体濃縮ホウ素含有化合物であって、少なくとも1つの該ホウ素原子は、ホウ素の所望の同位体を(所望の同位体の)天然存在濃度あるいは天然存在割合よりも高い濃度あるいは割合で含んでいる化合物に関する。
H6,H2B2F6,H2B2F2O3,H2B2F2O6,およびH2B2F4O2などのジボラン化合物、例えばB3F6などのトリボロン化合物、例えばH4B4F10,B(BF2)3CO,および(F2B)3BCOなどのテトラボロン化合物、ペンタボロン化合物、ヘキサボロン化合物、セプタボロン(ヘプタボロン)化合物、例えばB8F12などのオクタボロン化合物、
ノナボラン化合物、例えばB10F12などのデカボロン化合物、ウンデカボロン化合物、ドデカボロン化合物など、B80フラーレン類縁体などのB80化合物までが含まれる。他の実施例において、該ホウ素含有化合物は2,3,4,5,6,7,8,9,10,あるいは
11のホウ素原子を含むことが可能である。追加の実施例では、ホウ素クラスター化合物を含んでいてもよい。更に他の実施例において、該ホウ素含有化合物はジボロン化合物であってもよい。他の実施例において、該ホウ素含有化合物は特定のホウ素含有化合物種、例えばジボラン以外のジボロン化合物、を備えることが可能である。従って、本開示では、その広い範囲において幅広い種類のホウ素含有化合物が考慮されているということが明らかである。
イオン注入機へと併流される。こうすることによって、同位体濃縮されたB2F4と同位体濃縮されたBF3との希釈物は、注入機に接続する供給管に前駆体の流れが詰まるのを防
ぐ役割を果たす。このような場合、ビーム電流は、操作面で大きな利益をもたらすと同時に、イオンソースの寿命を最大化するレベルで維持されてもよい。
て操作される。更に他の実施例において、イオン注入は、同位体濃縮された原子量11のホウ素B2F4を、イオン注入機においてドーパント種として用いて行われ、該イオン注入機はアルシン、ホスフィン、二酸化炭素、一酸化炭素、四フッ化ケイ素、および三フッ化ホウ素で構成される群から選択されたドーパント前駆体を用いて、ドーピング操作を行うためにも用いられる。
F4を含む。
BF2 +,BF+,B+,F+,B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++
,B++,F++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,BF+++,B+++,およびF+++の中から1つあるいはそれ以上の種を含んだ、いくつかのイオン種およびフラグメントを形成してもよい。
ネットによる所望のタイプのイオン、例えばBF2 +,BF+あるいはF+、の選択を向上させることが可能である。イオン注入機のビーム電流に、このような同位体濃縮された種を増加させることによって、ソースのガス流量およびソースのアーク電力を増加させる必要性を回避することが可能である。さもなければビーム電流のレベルを高くする必要があり得るが、それは非効率的であり、イオン注入のためのソースガスの利用度が低くなってしまう。
ム電流と比較して、ビーム電流に大幅な向上をもたらすからである。同位体の濃縮は、このような向上の度合いを更に増加させることが可能である。
ら選択される。本開示では更に、同位体濃縮ホウ素含有化合物のイオン化から生成されるこのようなイオン種の1つあるいはそれより多くの種を、質量分析マグネット(AMUマグネット)が選択することについて、およびこのような同位体濃縮ホウ素を含むイオン種を基板、例えばマイクロ電子装置の基板、に注入することについて検討されている。
濃縮ホウ素を含む種を提供するべく、同位体濃縮されてもよい。
ンアークチャンバにおいて、イオンは、x=0,1,2,3,4,5あるいは6であるWFx +、およびy=0,1,2,あるいは3であるAlFy +を含む、幅広い様々なタイプから形成されてもよい。このようなイオンは同位体濃縮ホウ素を含むソース化合物と反応可能で、対応する同位体濃縮された堆積物を形成する。このような堆積物の同位体の性質によって、自身の同位体組成と同一のものに対して選択的である洗浄剤を用いる機会が得られてもよい。
ウ素前駆体化合物に由来し、前記ホウ素前駆体化合物は、10Bおよび11Bの一方において天然存在度を超えて同位体濃縮されている。また、前記組成はB2F4 +,B2F3 +,B2F2 +,BF3 +,BF2 +,BF+,B+,F+,B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++,B++,F++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,B
F+++,B+++,およびF+++の中の1つあるいはそれより多くの種を含んでおり、前記組
成の該ホウ素含有種は、10Bおよび11Bの一方において、天然存在度を超えて同位体濃縮されている。
B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++,B++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,BF+++およびB+++の中から選択され、10Bおよ
び11Bの一方において天然存在度を超えて同位体濃縮された、ホウ素イオン種に関する。該ホウ素イオン種において、前記ホウ素イオン種における原子量10のホウ素同位体の濃度は19.9%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,80%,85%,90%,95%,99%,99.9%あるいは99.99%より大きく、あるいは前記ホウ素イオン種における原子量11のホウ素同位体の濃度は80.1%,85%,90%,95%,99%,99.9%あるいは99.99%より大きい。
よい。
Claims (20)
- 2つ以上のホウ素原子と、少なくとも1つのフッ素原子とを含むホウ素含有化合物であって、該ホウ素含有化合物は、ホウ素同位体をその天然存在濃度あるいは天然存在割合よりも大きな濃度あるいは割合で含んでいることを特徴とするホウ素含有化合物。
- 原子量10のホウ素同位体を、19.9%よりも大きい濃度で含んでいることを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 原子量11のホウ素同位体の濃度が、80.1%よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 前記ホウ素含有化合物が、2つのホウ素原子を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 前記ホウ素含有化合物が、化学式B2F4を有することを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 11Bの10Bに対する割合が、4.1〜10,000の範囲となっていることを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 請求項1に記載のホウ素含有化合物のイオン化に由来し、イオン注入のためのイオン種を生成するためのAMU分離に有用なイオン組成であって、
前記ホウ素含有化合物は、10Bまたは11Bの天然存在度を超えて同位体濃縮されており、前記組成は、B2F4 +,B2F3 +,B2F2 +,BF3 +,BF2 +,BF+,B+,F+,B2F4 ++,B2F3 ++,B2F2 ++,BF3 ++,BF2 ++,BF++,B++,F++,B2F4 +++,B2F3 +++,B2F2 +++,BF3 +++,BF2 +++,BF+++,B+++,およびF+++からなる群から選択される1種または複数種を備え、該組成が備える種のうちホウ素含有種は、10Bまたは11Bの天然存在度を超えて同位体濃縮されている、イオン組成。 - 請求項1に記載のホウ素含有化合物を保持している、ガス貯蔵及び分配容器。
- イオン注入またはプラズマドーピングのための請求項1に記載のホウ素含有化合物の使用。
- 前記ホウ素含有化合物を、不活性ガス、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素、アンモニア、キセノン、二フッ化キセノン、同位体濃縮ジボラン、および天然存在ジボランからなる群から選択された伴流される種と共に、イオン注入のために供給することを含む、請求項9に記載の使用。
- 前記ホウ素含有化合物は、化学式B2F4を有する、請求項9及び10の何れかに記載の使用。
- 同位体濃縮された原子量11ホウ素のB2F4化合物を、同位体濃縮された原子量11ホウ素のBF3化合物と共にイオン注入機に流すことを含む、請求項9に記載の使用。
- 前記ホウ素含有化合物は、11Bの10Bに対する割合が、4.1〜10,000の範囲となっている、請求項9及び10の何れかに記載の使用。
- イオン注入工程におけるビーム電流を改善するために、対応する非同位体濃縮ホウ素含有化合物に関連して前記ホウ素含有化合物をイオン化することを含む、請求項9に記載の使用。
- 請求項1に記載のホウ素含有化合物を生成する方法であって、ホウ素含有ガスをホウ素含有固体と接触させることを含み、前記ホウ素含有ガス及び前記ホウ素含有固体の少なくとも1つは、原子量10のホウ素同位体または原子量11のホウ素同位体の天然存在度を超えて同位体濃縮されている、方法。
- 原子量10のホウ素同位体を、20%よりも大きい濃度で含んでいることを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 原子量10のホウ素同位体を、90%よりも大きい濃度で含んでいることを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 原子量11のホウ素同位体の濃度が、85%よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 原子量11のホウ素同位体の濃度が、95%よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
- 原子量11のホウ素同位体の濃度が、99%よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のホウ素含有化合物。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37503110P | 2010-08-18 | 2010-08-18 | |
US61/375,031 | 2010-08-18 | ||
US37835310P | 2010-08-30 | 2010-08-30 | |
US61/378,353 | 2010-08-30 | ||
US12/913,721 US8138071B2 (en) | 2009-10-27 | 2010-10-27 | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US12/913,721 | 2010-10-27 | ||
US13/048,367 | 2011-03-15 | ||
US13/048,367 US8062965B2 (en) | 2009-10-27 | 2011-03-15 | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524931A Division JP5837070B2 (ja) | 2010-08-18 | 2011-08-16 | 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016103629A true JP2016103629A (ja) | 2016-06-02 |
JP6204438B2 JP6204438B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=45605637
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524931A Active JP5837070B2 (ja) | 2010-08-18 | 2011-08-16 | 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 |
JP2015215991A Active JP6204438B2 (ja) | 2010-08-18 | 2015-11-02 | 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524931A Active JP5837070B2 (ja) | 2010-08-18 | 2011-08-16 | 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8062965B2 (ja) |
EP (2) | EP2606004B1 (ja) |
JP (2) | JP5837070B2 (ja) |
KR (2) | KR101536832B1 (ja) |
CN (2) | CN103153858B (ja) |
SG (2) | SG2014006068A (ja) |
TW (4) | TWI513657B (ja) |
WO (1) | WO2012024310A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG2014011944A (en) | 2005-08-30 | 2014-08-28 | Advanced Tech Materials | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
US8138071B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
TWI386983B (zh) | 2010-02-26 | 2013-02-21 | Advanced Tech Materials | 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備 |
WO2012030679A2 (en) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for preparation of compounds or intermediates thereof from a solid material, and using such compounds and intermediates |
TWI583442B (zh) | 2011-10-10 | 2017-05-21 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | B2f4之製造程序 |
KR101603482B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2016-03-14 | 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 | 규소 이온 주입 동안에 이온 빔 전류 및 성능을 개선하기 위한 규소-함유 도펀트 조성물, 시스템 및 그의 사용 방법 |
US8883620B1 (en) * | 2013-04-24 | 2014-11-11 | Praxair Technology, Inc. | Methods for using isotopically enriched levels of dopant gas compositions in an ion implantation process |
SG10201801299YA (en) | 2013-08-16 | 2018-03-28 | Entegris Inc | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
US9570271B2 (en) | 2014-03-03 | 2017-02-14 | Praxair Technology, Inc. | Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation |
KR102214208B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2021-02-08 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 향상된 소스 기술을 이용한 인 또는 비소 이온 주입 |
US9887067B2 (en) | 2014-12-03 | 2018-02-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Boron implanting using a co-gas |
JP2016127088A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 国立大学法人北海道大学 | ダイヤモンド半導体デバイス |
EP3436404B1 (en) * | 2016-03-28 | 2020-08-26 | Entegris, Inc. | Hydrogenated isotopically enriched boron trifluoride dopant source gas composition |
JP7418331B2 (ja) | 2017-12-15 | 2024-01-19 | インテグリス・インコーポレーテッド | プラズマフラッドガン(pfg)の動作のためにフッ素含有ガスおよび不活性ガスを使用する方法および組立体 |
CN109300778B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-10-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 离子注入方法 |
US11139145B2 (en) | 2019-07-18 | 2021-10-05 | Entegris, Inc. | Ion implantation system with mixture of arc chamber materials |
US20220406655A1 (en) * | 2021-06-18 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor Devices and Methods of Manufacture |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288233A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Matsushita Electron Corp | イオン注入方法 |
WO2005027208A1 (ja) * | 2003-09-12 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入の制御方法および不純物導入装置 |
JP2009506580A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成 |
WO2011056515A2 (en) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ion implantation system and method |
WO2011160105A2 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Endpoint determination for capillary-assisted flow control |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482262B1 (en) * | 1959-10-10 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Deposition of transition metal carbides |
US4331647A (en) * | 1980-03-03 | 1982-05-25 | Goldenberg Milton David | Tumor localization and therapy with labeled antibody fragments specific to tumor-associated markers |
US4348376A (en) * | 1980-03-03 | 1982-09-07 | Goldenberg Milton David | Tumor localization and therapy with labeled anti-CEA antibody |
JPS588071A (ja) | 1981-07-08 | 1983-01-18 | Nippon Iyakuhin Kogyo Kk | 2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法 |
US4459427A (en) | 1981-10-31 | 1984-07-10 | The British Petroleum Company P.L.C. | Process for the conversion of an alkane to a mixture of an alcohol and a ketone |
JPS60221566A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成装置 |
US4722978A (en) * | 1985-08-30 | 1988-02-02 | The B. F. Goodrich Company | Allyl terminated macromolecular monomers of polyethers |
US4680358A (en) * | 1985-11-08 | 1987-07-14 | The B F Goodrich Company | Styryl terminated macromolecular monomers of polyethers |
JPS6315228A (ja) | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
JPH0772167B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1995-08-02 | サントリー株式会社 | 4―アミノ―3―ヒドロキシ酪酸誘導体の製法 |
JPS6383147A (ja) | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Nippon Petrochem Co Ltd | 熱可塑性エラストマ− |
US4851255A (en) * | 1986-12-29 | 1989-07-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Ion implant using tetrafluoroborate |
JPH01225117A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
JP2699549B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1998-01-19 | 日産化学工業株式会社 | 4―ベンゾイル―5―ヒドロキシピラゾール類の製法 |
JP2533639B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1996-09-11 | 株式会社富士電機総合研究所 | P形炭素添加非晶質シリコンの生成方法 |
JPH05254808A (ja) | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化ほう素の作製方法 |
JPH0680681A (ja) | 1992-07-15 | 1994-03-22 | Nippon Kayaku Co Ltd | ホスホニウム化合物及びそれを用いた電子写真用トナー |
WO1995000977A1 (en) | 1993-06-23 | 1995-01-05 | Toray Industries, Inc. | Cell electrode, secondary cell using the cell electrode, and method for manufacturing the cell electrode |
JPH0790201A (ja) | 1993-09-22 | 1995-04-04 | Hokko Chem Ind Co Ltd | 水中防汚塗料 |
US5977552A (en) * | 1995-11-24 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Boron ion sources for ion implantation apparatus |
US5993766A (en) * | 1996-05-20 | 1999-11-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas source and dispensing system |
GB2317265A (en) | 1996-09-13 | 1998-03-18 | Aea Technology Plc | Radio frequency plasma generator |
JPH10251592A (ja) | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Kansai Paint Co Ltd | 塗料組成物およびその塗装法 |
US6086837A (en) * | 1997-04-24 | 2000-07-11 | Bechtel Bwxt Idaho, Llc | Method of synthesizing enriched decaborane for use in generating boron neutron capture therapy pharmaceuticals |
US6096467A (en) | 1997-11-19 | 2000-08-01 | Mita Industrial Co., Ltd. | Positive charging color toner |
US6135128A (en) * | 1998-03-27 | 2000-10-24 | Eaton Corporation | Method for in-process cleaning of an ion source |
US6096047A (en) * | 1998-09-03 | 2000-08-01 | Smit; Julie Ann | Gynecological cylinders which treat diseases |
US6614082B1 (en) * | 1999-01-29 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Fabrication of semiconductor devices with transition metal boride films as diffusion barriers |
US6376664B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-04-23 | The Ohio State University | Cyclic bis-benzimidazole ligands and metal complexes thereof |
US6420304B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-16 | China Petrochemical Development Corporation | Polymer-supported carbonylation catalyst and its use |
KR100772772B1 (ko) * | 2000-06-19 | 2007-11-01 | 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. | 신규한 광개시제 및 그의 용도 |
KR20000072651A (ko) * | 2000-08-08 | 2000-12-05 | 이관호 | 식물 신품종 쌈추 및 그 육종방법 |
US6893907B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation |
US7094670B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US20020058385A1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-16 | Taiji Noda | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
AU2002364611A1 (en) | 2001-12-31 | 2003-07-24 | The Ohio State University Research Foundation | Strapped and modified bis (benzimidazole) diamides for asymmetric catalysts and other applications |
GB2387022B (en) * | 2002-03-28 | 2005-12-21 | Applied Materials Inc | Monatomic boron ion source and method |
US7138768B2 (en) | 2002-05-23 | 2006-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode ion source |
US20040002202A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Horsky Thomas Neil | Method of manufacturing CMOS devices by the implantation of N- and P-type cluster ions |
KR100464935B1 (ko) * | 2002-09-17 | 2005-01-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화붕소화합물 도핑에 의한 초박형 에피채널을 갖는반도체소자의 제조 방법 |
US20040110351A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-10 | International Business Machines Corporation | Method and structure for reduction of junction capacitance in a semiconductor device and formation of a uniformly lowered threshold voltage device |
AU2003299614A1 (en) | 2002-12-12 | 2004-06-30 | Epion Corporation | Re-crystallization of semiconductor surface film and doping of semiconductor by energetic cluster irradiation |
US6780896B2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-08-24 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Stabilized photoinitiators and applications thereof |
JP4619951B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 不純物導入層の形成方法 |
TWI375660B (en) * | 2004-01-22 | 2012-11-01 | Semequip Inc | Isotopically-enriched boranes and methods of preparing them |
TWI372725B (en) * | 2004-01-30 | 2012-09-21 | Semequip Inc | Methods of synthesis of isotopically enriched borohydride and methods of synthesis of isotopically enriched boranes |
US7648682B2 (en) * | 2004-07-08 | 2010-01-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Wick systems for complexed gas technology |
US7397048B2 (en) * | 2004-09-17 | 2008-07-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for boron implantation |
US20060104851A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tillotson Brian J | Isotopic densification of propellant |
US7687025B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-03-30 | The Boeing Company | Isotopic lightening |
EP1787321A4 (en) * | 2004-12-03 | 2008-12-03 | Tel Epion Inc | TRAINING OF ULTRASONIC TRANSITIONS THROUGH GASCLUSTER ION RADIATION |
US6998626B1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Method of producing a dopant gas species |
WO2006095086A2 (fr) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Laurence Faure | Traçabilite des anomalies du cycle cellulaire ciblant l'oncologie et la neurodegenerescence. |
US20100112795A1 (en) * | 2005-08-30 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices |
DE102005054218B4 (de) * | 2005-11-14 | 2011-06-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements und Halbleiterelement |
US20070178679A1 (en) * | 2006-01-28 | 2007-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods of implanting ions and ion sources used for same |
US7473606B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-01-06 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistors |
US7732309B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersed ion implantation process |
US7887634B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-02-15 | Infineon Technologies Ag | Method of producing a semiconductor element and semiconductor element |
US7833886B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-11-16 | Infineon Technologies Ag | Method of producing a semiconductor element in a substrate |
EP2283509A1 (en) * | 2008-05-30 | 2011-02-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Control of particles on semiconductor wafers when implanting boron hydrides |
US7759657B2 (en) * | 2008-06-19 | 2010-07-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for implanting B22Hx and its ionized lower mass byproducts |
-
2011
- 2011-03-15 US US13/048,367 patent/US8062965B2/en active Active
- 2011-08-16 KR KR1020137006728A patent/KR101536832B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-16 SG SG2014006068A patent/SG2014006068A/en unknown
- 2011-08-16 KR KR1020157008474A patent/KR101747196B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-16 JP JP2013524931A patent/JP5837070B2/ja active Active
- 2011-08-16 EP EP11818672.5A patent/EP2606004B1/en active Active
- 2011-08-16 CN CN201180049806.4A patent/CN103153858B/zh active Active
- 2011-08-16 EP EP15171765.9A patent/EP2937314A1/en not_active Withdrawn
- 2011-08-16 SG SG2013011028A patent/SG188215A1/en unknown
- 2011-08-16 CN CN201610004212.6A patent/CN105645423A/zh active Pending
- 2011-08-16 WO PCT/US2011/047942 patent/WO2012024310A2/en active Application Filing
- 2011-08-18 TW TW100129581A patent/TWI513657B/zh active
- 2011-08-18 TW TW103126445A patent/TWI513658B/zh active
- 2011-08-18 TW TW104137028A patent/TW201609542A/zh unknown
- 2011-08-18 TW TW104114164A patent/TWI558664B/zh active
-
2015
- 2015-11-02 JP JP2015215991A patent/JP6204438B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288233A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Matsushita Electron Corp | イオン注入方法 |
WO2005027208A1 (ja) * | 2003-09-12 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入の制御方法および不純物導入装置 |
JP2009506580A (ja) * | 2005-08-30 | 2009-02-12 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成 |
WO2011056515A2 (en) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ion implantation system and method |
JP2013509004A (ja) * | 2009-10-27 | 2013-03-07 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | イオン注入システムおよび方法 |
WO2011160105A2 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Endpoint determination for capillary-assisted flow control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5837070B2 (ja) | 2015-12-24 |
TW201219305A (en) | 2012-05-16 |
CN105645423A (zh) | 2016-06-08 |
WO2012024310A2 (en) | 2012-02-23 |
SG188215A1 (en) | 2013-04-30 |
KR101536832B1 (ko) | 2015-07-14 |
US20110159671A1 (en) | 2011-06-30 |
TW201442958A (zh) | 2014-11-16 |
TW201529475A (zh) | 2015-08-01 |
SG2014006068A (en) | 2014-03-28 |
JP2013540676A (ja) | 2013-11-07 |
CN103153858A (zh) | 2013-06-12 |
EP2937314A1 (en) | 2015-10-28 |
KR101747196B1 (ko) | 2017-06-14 |
TW201609542A (zh) | 2016-03-16 |
TWI558664B (zh) | 2016-11-21 |
EP2606004B1 (en) | 2015-09-23 |
KR20130097758A (ko) | 2013-09-03 |
TWI513657B (zh) | 2015-12-21 |
EP2606004A2 (en) | 2013-06-26 |
US8062965B2 (en) | 2011-11-22 |
WO2012024310A3 (en) | 2012-05-31 |
KR20150041194A (ko) | 2015-04-15 |
JP6204438B2 (ja) | 2017-09-27 |
TWI513658B (zh) | 2015-12-21 |
EP2606004A4 (en) | 2014-02-19 |
CN103153858B (zh) | 2016-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6204438B2 (ja) | 同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法 | |
US9685304B2 (en) | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same | |
KR101297964B1 (ko) | 대안적인 불화 붕소 전구체를 이용한 붕소 이온 주입 방법, 및 주입을 위한 대형 수소화붕소의 형성 방법 | |
US8138071B2 (en) | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same | |
JP2021044553A (ja) | イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置 | |
KR102138400B1 (ko) | 이온 주입 조성물, 시스템 및 방법 | |
US9171725B2 (en) | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6204438 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20171124 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |