JPS588071A - 2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法 - Google Patents
2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法Info
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- JPS588071A JPS588071A JP10639081A JP10639081A JPS588071A JP S588071 A JPS588071 A JP S588071A JP 10639081 A JP10639081 A JP 10639081A JP 10639081 A JP10639081 A JP 10639081A JP S588071 A JPS588071 A JP S588071A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ノン−3一酢酸アンド靜−導(Kfl/)またはその塩
類の新規な製造法に関する。
類の新規な製造法に関する。
本発明方法により製造されるコーペンゾチアゾリノンー
3ー酢酸アンド鱒導体〔■)&家、消炎鎮痛剤として有
用な@薬である。本発明考等はコーペンソf 7 ソI
Jノンー3−酢酸誘導体(1)にヒペラゾン誘導111
)v反応させコーペンゾチアゾリノンー3ー酢酸アミド
霞導領■〕を製造するにあたり、/一置換ーコーハロピ
リジニウム塩〔1〕と篤三級アミンとの存在下で反応を
行わせると、反応条件が緩和であり、したがって*與薬
品の経済的な使用が可能となることから,工業的な製法
として遍することを見出した。
3ー酢酸アンド鱒導体〔■)&家、消炎鎮痛剤として有
用な@薬である。本発明考等はコーペンソf 7 ソI
Jノンー3−酢酸誘導体(1)にヒペラゾン誘導111
)v反応させコーペンゾチアゾリノンー3ー酢酸アミド
霞導領■〕を製造するにあたり、/一置換ーコーハロピ
リジニウム塩〔1〕と篤三級アミンとの存在下で反応を
行わせると、反応条件が緩和であり、したがって*與薬
品の経済的な使用が可能となることから,工業的な製法
として遍することを見出した。
以下本発明な詳細に説明する。本発明は、一般式
(式中Xエ はハロダン原子または水素原子を意味する
)で示されるコーペンゾチアゾリノンー3−酢酸誘導体
K。
)で示されるコーペンゾチアゾリノンー3−酢酸誘導体
K。
一般式
(式中Rは必要により保llされていてもよいヒド誼キ
シ低級アルキル基を意味する)で示されるピペラジン誘
導体を (式中x3 はハログン厚子Y はハa f yイオン
、四フツ化ホウ素イオン、Δットルエンスルホン酸イオ
ン、メチル硫酸イオン、および遥堪素酸イオンからなる
群から遥ばれた一員である。2は低級アルキル基な意味
する)で示されるl一置換一コーハ四ビリジニウム塩と
纂三級アンンとの存在下に反応させることを特徴とする
。
シ低級アルキル基を意味する)で示されるピペラジン誘
導体を (式中x3 はハログン厚子Y はハa f yイオン
、四フツ化ホウ素イオン、Δットルエンスルホン酸イオ
ン、メチル硫酸イオン、および遥堪素酸イオンからなる
群から遥ばれた一員である。2は低級アルキル基な意味
する)で示されるl一置換一コーハ四ビリジニウム塩と
纂三級アンンとの存在下に反応させることを特徴とする
。
一般式
(式中X 及びRは前記定義の通りである)で示される
ユーペンゾチアゾリノン−3−酢酸アきド鱒導体または
その薬学的に活性な塩類の製造法に関するものである。
ユーペンゾチアゾリノン−3−酢酸アきド鱒導体または
その薬学的に活性な塩類の製造法に関するものである。
従来コーペンゾチアゾリノンー3一酢酸誘導体(1)か
らコーペンゾチアゾリノンー3−酢酸アきド誘導体□□
□な得る製法は多数報告されている.しかしそれらの製
法は,ユーペンゾチアゾリノン−3−酢酸誘導体(1)
のカルブキシ基における反応性誘導体(例えば酸クロリ
ド、エステル等)V使用して苛酷な反応条件下に行う力
)または高価なピペラジン−導体(n)を大過剰に使用
して製造する方法であワ、それ故工業的製法として好ま
しい方法とは1えないものであった。
らコーペンゾチアゾリノンー3−酢酸アきド誘導体□□
□な得る製法は多数報告されている.しかしそれらの製
法は,ユーペンゾチアゾリノン−3−酢酸誘導体(1)
のカルブキシ基における反応性誘導体(例えば酸クロリ
ド、エステル等)V使用して苛酷な反応条件下に行う力
)または高価なピペラジン−導体(n)を大過剰に使用
して製造する方法であワ、それ故工業的製法として好ま
しい方法とは1えないものであった。
本発明看等はそこでニーベンゾチアゾリノンー3−酢酸
アさド誘導体の工業的製法につき鋭意研究な行ない本発
明に到達した。
アさド誘導体の工業的製法につき鋭意研究な行ない本発
明に到達した。
すなわち本発明の一方法によれば、殆んど等毫ル量の一
一ペンゾチアゾリノンー3一酢酸誘導領■〕とピペラジ
ン誘導Ill)とより、緩和な反応条件下でユーペンゾ
チアゾリノン−3一酢酸誘導体(財)を好収率で得るこ
とが可能である。
一ペンゾチアゾリノンー3一酢酸誘導領■〕とピペラジ
ン誘導Ill)とより、緩和な反応条件下でユーペンゾ
チアゾリノン−3一酢酸誘導体(財)を好収率で得るこ
とが可能である。
本発明において使用される出発原料のうちコーペンゾチ
アゾリノンー3−酢酸誘導体とは前記一般式〔、■〕で
示されるものであり、さらに評MKはXよとしてフロル
、クロル、クロル、ヨードの如き原子なそのぺ/ゼン核
の任意の位置に有する化合物を意味する。
アゾリノンー3−酢酸誘導体とは前記一般式〔、■〕で
示されるものであり、さらに評MKはXよとしてフロル
、クロル、クロル、ヨードの如き原子なそのぺ/ゼン核
の任意の位置に有する化合物を意味する。
しかして一般式(1)で示される化金物、は公知の方法
により作ることができる。例えばダーク四一一コーペン
ゾチアゾリノンー.7−11lIは、II&lisI特
許第141226号記載の方法で製造することができる
。
により作ることができる。例えばダーク四一一コーペン
ゾチアゾリノンー.7−11lIは、II&lisI特
許第141226号記載の方法で製造することができる
。
本発明に於てピーe之ジン誘導体と体、前記一般式〔幻
で示されるものである。さらに詳lIIKはRとしてヒ
ドロキシメチル、コーヒド胃キシエチル、3−とド四キ
シプロビル等のヒドロキシアルキル基及びこれらのヒド
ロキシ基がトリチル基等で保護された基を有する化合物
な意味する。具体例として/−(コーヒドロキシエチル
)ピペラジンを挙げることができ、それは市場に談で容
易に入手可能である。本発明に於てl−置換−ユーハロ
ビリジニウム塩とは前記一般式〔厘〕で示されるもので
あり、さらに1111aKは×2として70ル、りqル
、ブロム等のハロゲン原子;Yとしてはハロゲンイオン
就中曹−ドイオン、四7ツ化ホウ素イオン、・4ツトル
エンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、過塩素酸イ
オン、等のイオン;2としてメチル、エチル、プロビル
、ブチル等の低級アルキル基を有する化合物な意味する
。
で示されるものである。さらに詳lIIKはRとしてヒ
ドロキシメチル、コーヒド胃キシエチル、3−とド四キ
シプロビル等のヒドロキシアルキル基及びこれらのヒド
ロキシ基がトリチル基等で保護された基を有する化合物
な意味する。具体例として/−(コーヒドロキシエチル
)ピペラジンを挙げることができ、それは市場に談で容
易に入手可能である。本発明に於てl−置換−ユーハロ
ビリジニウム塩とは前記一般式〔厘〕で示されるもので
あり、さらに1111aKは×2として70ル、りqル
、ブロム等のハロゲン原子;Yとしてはハロゲンイオン
就中曹−ドイオン、四7ツ化ホウ素イオン、・4ツトル
エンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、過塩素酸イ
オン、等のイオン;2としてメチル、エチル、プロビル
、ブチル等の低級アルキル基を有する化合物な意味する
。
その具体例としては、/−メチル−コークayビリジニ
クムヨーシド、ノーメチルーコープロモピリジニウムメ
チルサルフエート、l−メチル−コークロロビリジニウ
ム、/#ラドルエンスルホナート、/−エチル−コープ
ロムピリゾニクムテトラフロローーレート等があげられ
る。
クムヨーシド、ノーメチルーコープロモピリジニウムメ
チルサルフエート、l−メチル−コークロロビリジニウ
ム、/#ラドルエンスルホナート、/−エチル−コープ
ロムピリゾニクムテトラフロローーレート等があげられ
る。
これらは例えばプレチン・オシ・デ・ケミカル・ンサイ
エテイ・オシ・ジャパン、第SO巻/163頁(ノック
デ年)に記載の方法で製造することができる。
エテイ・オシ・ジャパン、第SO巻/163頁(ノック
デ年)に記載の方法で製造することができる。
本発明に於て使用する第三級アミンとしては、トリエチ
ルアミン、トリノルマルブチルアミン、N、N−ジメチ
ルシクロヘキシルアミン、l、!−ジアデビシク四(ダ
、、7.0)−よ−ノネン、/、に一ジアゾビシクロ(
1,+、O)−クークンデセン、I、亭−ジアゾビシク
ロ〔コ9.2.コ〕オクタン等があげられ、これらは市
販されている。
ルアミン、トリノルマルブチルアミン、N、N−ジメチ
ルシクロヘキシルアミン、l、!−ジアデビシク四(ダ
、、7.0)−よ−ノネン、/、に一ジアゾビシクロ(
1,+、O)−クークンデセン、I、亭−ジアゾビシク
ロ〔コ9.2.コ〕オクタン等があげられ、これらは市
販されている。
次に反応条件について述べる。
本発明の反応は通常溶媒中で行われる。皺反応溶媒とし
ては無水の有機溶媒であれば、大体すべての公知溶媒な
用いうる。例えばテトラヒドロ7ラン、/、コージメト
キシエタン、ア1トニト早ル、ペンゼ/、塩化メチレン
、りI2曹ホルム、N、N−ジメチルホルムアミへN−
−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等をあ
げることがで會る。反応温度は室温下または必要により
加熱下で行う。
ては無水の有機溶媒であれば、大体すべての公知溶媒な
用いうる。例えばテトラヒドロ7ラン、/、コージメト
キシエタン、ア1トニト早ル、ペンゼ/、塩化メチレン
、りI2曹ホルム、N、N−ジメチルホルムアミへN−
−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等をあ
げることがで會る。反応温度は室温下または必要により
加熱下で行う。
通常/−置換−コーハロピリノニウム塩(厘〕の溶液ま
たは、けんだく液中に、コーペンゾチアゾリノンー3−
酢酸誘導(01)及びピペラジン誘導体(n)及び第三
級アミンの溶液を滴下する方法によることが望ましいが
、必ずしもこれに拘泥するものではない。
たは、けんだく液中に、コーペンゾチアゾリノンー3−
酢酸誘導(01)及びピペラジン誘導体(n)及び第三
級アミンの溶液を滴下する方法によることが望ましいが
、必ずしもこれに拘泥するものではない。
得られたコーペンゾチアゾリノンー3−酢酸アミド誘導
体CN”Jkl、さらに常法に工9、塩酸、硫酸、マレ
イン酸、酒石酸等の薬学的に活性な塩類に導(ことがで
きる。
体CN”Jkl、さらに常法に工9、塩酸、硫酸、マレ
イン酸、酒石酸等の薬学的に活性な塩類に導(ことがで
きる。
以下、実施例をあげて本発明方法を更に具体的に説明す
るが、本発明方法はもとよりこれらに限定されるもので
はない。
るが、本発明方法はもとよりこれらに限定されるもので
はない。
実施例/
N−メチルーコークロロピリジニウムヨージトo、tt
、4tt1g−クロローーーペンゾチアゾリノ/−3−
酢酸0.’l g 7 fY:N、N−ジメチルホルム
アミド10rntに溶解し!;0−!;!;”Cに加温
した。
、4tt1g−クロローーーペンゾチアゾリノ/−3−
酢酸0.’l g 7 fY:N、N−ジメチルホルム
アミド10rntに溶解し!;0−!;!;”Cに加温
した。
ついで、こhK/−(,2−ヒドロキシエチル)ピペラ
ジン0.2g&?、及びトリノルマルブチルアミン0.
3り/f、N、N−ジメチルホルムアミド/382の溶
液を滴下し、さらに同温度で90分攪拌した。次いで反
応液K / N −NaOH水溶液コ0ILtな加え、
さらにクロロホルムlIow、10wLt。
ジン0.2g&?、及びトリノルマルブチルアミン0.
3り/f、N、N−ジメチルホルムアミド/382の溶
液を滴下し、さらに同温度で90分攪拌した。次いで反
応液K / N −NaOH水溶液コ0ILtな加え、
さらにクロロホルムlIow、10wLt。
10威を用い3回抽出した。クロロホルム溶液な飽和食
塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去した。得られた残分なシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、5−クロロ−3−(+−(u−ヒドロキ
シエチル)−/−ピペラジニル)カルがニルメチルーコ
ーペンゾチアゾリノン)0.66二tを得た。これV更
にメタノール−エタノール(/:、S−)から再結晶し
てmp/j7−759℃の白色結晶o、t、、 o s
tを得た。
塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去した。得られた残分なシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、5−クロロ−3−(+−(u−ヒドロキ
シエチル)−/−ピペラジニル)カルがニルメチルーコ
ーペンゾチアゾリノン)0.66二tを得た。これV更
にメタノール−エタノール(/:、S−)から再結晶し
てmp/j7−759℃の白色結晶o、t、、 o s
tを得た。
分析値 0□5H0,03Sα
計算値 C!T O,1,3、H!、/ 0、N//、
ざへSデ、Q/、αデ、96 実験値 c t o、b s、ss、ii、N//、g
g、 S9.10α/ 0.0 / 実施例ユ N−メチル−2−クロロピリジニクムヨージト0.6
A IIfをN、N−ジメチルホルムアミド10酩に溶
解しgoNj!’cに加温した。
ざへSデ、Q/、αデ、96 実験値 c t o、b s、ss、ii、N//、g
g、 S9.10α/ 0.0 / 実施例ユ N−メチル−2−クロロピリジニクムヨージト0.6
A IIfをN、N−ジメチルホルムアミド10酩に溶
解しgoNj!’cに加温した。
ついで、これに3−クロローコーペンゾチアゾリリノン
−3−昨#10.ダ17?、/−(ニーヒドロキシエチ
ル)ピペラジンO1λg62及びトリノルマルブチルア
ミン0.37/f、N、N−ジメチルホルムアミド15
1の溶液を滴下し、引続き同温度で9θ分攪拌した。こ
の反応液K / N −NaOH水溶液コQatを加え
、つい゛ズクロロホルムtOν、ioy、ioνを用い
3回抽出した。クロロホルム溶gを飽和食塩水で洗浄し
た後、硫酸マグネシウム乾燥し溶媒を留去した。
−3−昨#10.ダ17?、/−(ニーヒドロキシエチ
ル)ピペラジンO1λg62及びトリノルマルブチルア
ミン0.37/f、N、N−ジメチルホルムアミド15
1の溶液を滴下し、引続き同温度で9θ分攪拌した。こ
の反応液K / N −NaOH水溶液コQatを加え
、つい゛ズクロロホルムtOν、ioy、ioνを用い
3回抽出した。クロロホルム溶gを飽和食塩水で洗浄し
た後、硫酸マグネシウム乾燥し溶媒を留去した。
丈に、得られた残分なエタノールを用いて洗浄u、!−
10ロー3−(クー(ニーヒドロキシエチル)−/−ヒ
ペラジニル)カルがニルメチルーコーベ/ゾチアゾリノ
ン0.57θtY:得た。
10ロー3−(クー(ニーヒドロキシエチル)−/−ヒ
ペラジニル)カルがニルメチルーコーベ/ゾチアゾリノ
ン0.57θtY:得た。
こttv更にメタノール−エタノール(/:j)から再
結晶して、mp/ !; 7−/ !; 9℃の白色結
晶実施例3 トリノルマルブチアミンの代りIfC/、g−ジアゾビ
シクロ〔左、11.o)−クーウンデセンθ、/ A
7 fを用いて実施例1と同様に反応させ、後処理なし
て5−クロロ−3−(クー(コーヒドロキシエチk)−
/−ピベラノニル)カルがニルメチルーコーペンゾチア
ゾリノン0.1. + / fを得た。これをさらにメ
タノールに溶解し、濃塩酸を加えて塩酸塩!得た後、9
0%メタノールから再結晶した。
結晶して、mp/ !; 7−/ !; 9℃の白色結
晶実施例3 トリノルマルブチアミンの代りIfC/、g−ジアゾビ
シクロ〔左、11.o)−クーウンデセンθ、/ A
7 fを用いて実施例1と同様に反応させ、後処理なし
て5−クロロ−3−(クー(コーヒドロキシエチk)−
/−ピベラノニル)カルがニルメチルーコーペンゾチア
ゾリノン0.1. + / fを得た。これをさらにメ
タノールに溶解し、濃塩酸を加えて塩酸塩!得た後、9
0%メタノールから再結晶した。
、1−−10ロー3− (+−(,2−ヒドロキシエチ
ルノーミーピペラジニル)カルがニルメチルーニーベン
ゾチアゾリノンの塩酸塩0.4.2 ff fが得られ
た。
ルノーミーピペラジニル)カルがニルメチルーニーベン
ゾチアゾリノンの塩酸塩0.4.2 ff fが得られ
た。
mp2!rl−26グ℃(分解)
分析値 C工。H□803N、SαHα計算値 C4
t&、? 、?、H弘、ざg%N / 0.7 /、S
ざ、/7αlざ、07 実験値 C’i< !;、7 !;%HtIj 3、
N10.t、!f、 Sg、ダ/C1/g、/4 手 続 補 正 書 1、事件の表示 昭和56年特許願第10乙390号3
8 補正をする者 事件との関係 出願人 ニホンイヤクヒンコウギ1つ 名称 日本医薬品工業株式会社 4、代理人 6゜
t&、? 、?、H弘、ざg%N / 0.7 /、S
ざ、/7αlざ、07 実験値 C’i< !;、7 !;%HtIj 3、
N10.t、!f、 Sg、ダ/C1/g、/4 手 続 補 正 書 1、事件の表示 昭和56年特許願第10乙390号3
8 補正をする者 事件との関係 出願人 ニホンイヤクヒンコウギ1つ 名称 日本医薬品工業株式会社 4、代理人 6゜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (/) 一般式 (式中Xユはハロゲン原子または水素原子を意味する)
で示されるコーペンゾチアゾリノン=3−酢酸鱒導体K
、 一般式 %式% (式中Rは必IKより保躾されていてもよいヒドロ中シ
低級アルキル基を意味する)で示さく式中×8はハロゲ
ン原子、Y はハロゲンイオン、四フッ化ホウ素イオン
、パラトルエンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、
および過塩素酸イオンからなる群から選ばれた一員であ
る。2は低級アルキル基な意味する)で示される/−置
換−コーハロビリジニウム塩と第三級ア建ンとの存在下
に反応させることを特徴とする。 一般式 (式中X工及びRはIII記定義の通りである)で示さ
れるコーベンゾチアゾリノy−3.−酢鐵アtpHi1
g体またはその県学的Kfl!憔な塩−の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10639081A JPS588071A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10639081A JPS588071A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS588071A true JPS588071A (ja) | 1983-01-18 |
Family
ID=14432361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10639081A Pending JPS588071A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 2−ベンゾチアゾリノン−3−酢酸アミド誘導体またはその薬学的に活性な塩類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS588071A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7943204B2 (en) | 2005-08-30 | 2011-05-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
US8062965B2 (en) | 2009-10-27 | 2011-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8138071B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
US9012874B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system |
US9205392B2 (en) | 2010-08-30 | 2015-12-08 | Entegris, Inc. | Apparatus and method for preparation of compounds or intermediates thereof from a solid material, and using such compounds and intermediates |
US9938156B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-04-10 | Entegris, Inc. | B2F4 manufacturing process |
US9960042B2 (en) | 2012-02-14 | 2018-05-01 | Entegris Inc. | Carbon dopant gas and co-flow for implant beam and source life performance improvement |
US10497569B2 (en) | 2009-07-23 | 2019-12-03 | Entegris, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US11062906B2 (en) | 2013-08-16 | 2021-07-13 | Entegris, Inc. | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10639081A patent/JPS588071A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9455147B2 (en) | 2005-08-30 | 2016-09-27 | Entegris, Inc. | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
US8389068B2 (en) | 2005-08-30 | 2013-03-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
US7943204B2 (en) | 2005-08-30 | 2011-05-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
US10497569B2 (en) | 2009-07-23 | 2019-12-03 | Entegris, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US8062965B2 (en) | 2009-10-27 | 2011-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8138071B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US8598022B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US9685304B2 (en) | 2009-10-27 | 2017-06-20 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US9142387B2 (en) | 2009-10-27 | 2015-09-22 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
US9171725B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-10-27 | Entegris, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
US9012874B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system |
US9754786B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-09-05 | Entegris, Inc. | Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system |
US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
US9205392B2 (en) | 2010-08-30 | 2015-12-08 | Entegris, Inc. | Apparatus and method for preparation of compounds or intermediates thereof from a solid material, and using such compounds and intermediates |
US9764298B2 (en) | 2010-08-30 | 2017-09-19 | Entegris, Inc. | Apparatus and method for preparation of compounds or intermediates thereof from a solid material, and using such compounds and intermediates |
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US10354877B2 (en) | 2012-02-14 | 2019-07-16 | Entegris, Inc. | Carbon dopant gas and co-flow for implant beam and source life performance improvement |
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