JPS5821918B2 - １−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３′−デオキシリ ボスタマイシンの新規な製造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノアシル）−３
７−ゾオキシリボスタマイシンの新規な製造法に関する
。

本発明者は、従来から緑膿菌を含む各種薬剤に耐性を示
す病原菌に対して有効な抗生物質の開発に従事して来た
。

先に本発明者らによって明らかにされた患者から分離さ
れた耐性菌の種々の耐性機構に基づき得られた知見を基
礎にして研究を進めた結果、３′・４′−ジデオキシリ
ボスタマイシン（特願昭４５−１０４０４３号参照）、
３／−デオキシカナマイシンＡ（特開昭４７−２７９５
７号公報参照）、３′・４′−ジデオキシカナマイシン
Ｂ（特願昭４５−６５７６０号及び同４６−３０８７１
号参照）、３／−デオキシリボスタマイシン（特願昭４
７−１２２４３６号参照）等の化合物が合成された。

他方、天然から培養法で得られたブチロシンすなわち１
−Ｎ−（（ｓ）−α−ヒドロキシ−ｒ−アミノ−ｎ−ブ
チリル） −５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルまたは
リボフラノシルネアミン〔テトラヘドロンレターズ（Ｔ
ｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）２８巻２
６１７〜２６２０頁（１９７１年）、ドイツ公開公報１
９１４５２７）の発見以来この抗生物質の１位アミノ基
を経て結合している側鎖をなす一例の（Ｓ）−α−ヒド
ロキシ−γ−アミノ酪酸は、これが一般に塩基性抗生物
質に結合された場合にその結合体物質が各種の耐性菌に
有効な抗菌性を獲取することを可能にすることが推定さ
れるに到った。

本発明者らはこれらの知見に基づき先に１−Ｎ−（α−
ヒドロキシ−ω−アミノブチリル） ａ／−デオキシ
リボスタマイシン（３′−デオキシブチロジンＢ）を合
成した（特開昭４９−８００３９号公報参照）。

本発明の目的は上記特開昭４９−８００３９号の方法と
は異なる方法によってリボスタマイシンから１−Ｎ−（
α−ヒドロキシ−ω−アミノアシル）−３′−デオキシ
リボスタマイシンを短縮された工程で且つ高収率で製造
する方法を提供するものである。

特開昭４９−８００３９号の方法によれば、３′−デオ
キシリボスタマイシンを出発物質として用い、これに炭
酸ベンジルバラニトロフェニルを反応させて、６′位の
アミン基を保護した後、（Ｓ′）−α−ヒドロキシ−ｒ
−Ｎ−フタロイルアミノ酪酸を反応させてアシル化しさ
らに保護基を脱離せしめて１−Ｎ−（（ｓ）−α−ヒド
ロキシ−γ−アミノブチリル） ａ／−デオキシリボ
スタマイシンを製造している。

この方法は３′−デオキシリボスタマイシンを出発物質
にしており、リボスタマイシンから上記１−Ｎ−（（Ｓ
）−α−ヒドロキシ−γ−アミノブチリル） ３／−
デオキシリボスタマイシンを製造する方法としては必ず
しも有利な方法とは言えない。

なぜなら３′−デオキシリボスタマイシンを単離する工
程を必要とするからである。

また、所望の１位アミン基以外の３位、２′位のアミン
基もアシル化を受は得るので、所望でない混成のアシル
化生成物が生成し、効率は必らずしも満足できるもので
はないからである。

本発明者らは、リボズタマイシンのデオキシストレプタ
ミン部分の１位のアミン基と６位の水酸基が１・６−カ
ルバメート結合を生成する新反応を発見した（ザ、ジャ
ーナル、オブ、アンチビオチツクス第２５巻１２号７４
１−７４２頁（１９７２）参照）。

この反応を利用して、リボスタマイシンの反応性に富む
１位のアミン基と６位の水酸基を、これらからカルバメ
ート体の形に転化して保護し且つ残厚のアミン基をすべ
て保護した後、先づ３１位をデオキシ化し、次に脱カル
バメート（カルバメート環の開環）シて１位のアミン基
のみを選択的に遊離な状態にし、そして後に１位のアミ
ン基をアシル化するか、若しくは、脱カルバメート（カ
ルバメート環の開環）を先づ行い、遊離（脱保護）した
１位アミン基をアシル化しその後、３′−デオキシ化す
るか、若しくは３′コデオキシ化操作の途中に脱カルバ
メート及び１−Ｎ−アシル化の工程を適宜に間挿するこ
とによって１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）
ａ／−デオキシリボスタマイシンを従来法に比べて短
かい工程で且つ高収率で製造できることを認めたもので
ある。

本発明の方法は、上述の如（，１位のアミノ基を選択的
にアシル化するために、３′−デオキシリボスタマイシ
ンを通過しないために収率よく工程も短いために工業的
に有利な方法である。

すなわち、第１の本発明においては、次の一般式 〔式中Ｚは式−Ｃ（１）Ｒ４（但しＲ４はアルキル基、
アリール基又はアラルキル基を示す）で示されるアミン
保護基を表わし、Ｒ１、Ｒ２は同じでも異ってもよ（水
素原子、アルキル基又はアリール基をデン基又はテトラ
ヒドロピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル
基、ヘミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカ
ルボニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で
表わされる化合物に次の一般式 ％式％（） （式中Ｒ５は、アルキル基、アリール基又はアラルキル
基を表わし、Ｘは）・ロゲン原子又はＯ８Ｏ□Ｒ５を表
わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させて
一般式 （式中Ｚ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は上記と同様な意義
を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、次
いで該スルホニル化合物にハロゲン化合物を反応させて
３′位をハロゲン化し、さらに３′−ハロ基を還元して
３′位をデオキシ化し、次いで加水分解を行って次の一
般式 （式中Ｚ、Ｒ１、Ｒ２は上記と同様な意義を有し、Ｒ３
′は水素原子またはＲ３と同様な意義を有する）で表わ
される化合物を製造し、次いで次の一般式％式％） 〔但しＲ６は−ＯＨ１−ＮＨ２または−ＮＨＲ，。

（但しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３お
よび４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ１アシル基、
アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
ニル基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ
９はＨ、アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わ
されるアシル化Ｍｌ）ｌヒ合物又はこのカルボキシル基
における反応性誘導体を作用させて式（ＩＶ）の化合物
の１位アミン基をアシル化し、その後にそのアシル化生
成物から残留するアミノ保護基及びヒドロキシル保護基
を常法で脱離させることを特徴とする、次の一般式（式
中Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさせる
１−Ｎ−（α一置換−ふ−アミノアシル）−３′−デオ
キシリボスタマイシンの製造法を要旨とする。

第２の本発明においては、次の一般式 〔式中Ｚは式−ＣＯＯＲ４（但しＲ４はアルキル基、ア
リール基又はアラルキル基を示す）で示されるアミン保
護基を表わしＲ１、Ｒ２は同じでも異っオもよく水素原
子、アルキル基又はアリール基を表ン基又はテトラヒド
ロピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基、
ヘミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカルボ
ニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす〕で表わ
される化合物に次の一般式 ％式％（） （式中Ｒ５は、アルキル基、アリール基又はアラルキル
基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は−０８Ｏ□Ｒ３を表
わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させ、
一般式 （式中Ｚ、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は上記と同様な意
義を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、
次いで該スルホニル化合物にハロゲン化合物を反応させ
て３′位をハロゲン化し、次いで加水分解を行って、次
の一般式 （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｚ、Ｒ，、Ｒ２は上
記と同様な意義を有し、Ｒ３′は水素原子またはＲ３と
同様な意義を有する）で表わされる化合物を製造し、次
いで次の一般式 ％式％） （但しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３お
よび鴫を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、
アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
ニル基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ
９、はＨ１アルキル基またはアリール基を表わす〕で表
わされるアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基にお
ける反応性誘導体を作用させて式（■′）の化合物の１
位アミン基をアシル化し、その後に、アシル生成物から
残留するアミン保護基及びヒドロキシル保護基を脱離さ
せて次の一般式 （式中Ｘ、Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有するで表わ
される化合物を製造し次に式（■つの化合物から３′位
・・四基（Ｘ）を還元により脱離することを特徴とする
、次の一般式 （式中Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさ
せる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル） ３／
−デオキシリボスタマイシンの製造法を要旨とする。

第３の本発明において、次の一般式 〔式中ｚは式−ＣＯＯＲ４（Ｒ４はアルキル基、アリー
ル基又はアラルキル基を示す）で示されるアミン保護基
を表わしＲ１、Ｒ２は同じでも異なってもよ（水素原子
、アルキル基又はアリール基を表革又はテトラヒドロピ
ラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基、ヘミ
アセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカルボニル
基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で表わされ
る化合物に、次の一般式 （式中Ｒ５は、アルキル基、アリール基又はアラルキル
基）を表わし、Ｘはハロゲン原子又はＯ８Ｏ□Ｒ６を表
わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させ一
般式 （式中Ｚ、、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６は上記と同様な意
義を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、
次いで該スルホニル化合物をアルカリ性の条件で脱カル
バメート化処理して、次の一般式（式中Ｚ、Ｒ，、Ｒ２
、Ｒ５は上記と同様な意義を有し、Ｒ３′は水素原子又
はＲ３と同様な意義を有する）で表わされる化合物を製
造し、次いで一般式 ％式％（） 〔但しＲ６は一０Ｈ１−ＮＦ２または−ＮＨＲ１ｏ（但
しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３および
４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ１アシル基、アル
キルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ９は
Ｈ、アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わされ
るアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基における反
応性誘導体を作用させて式（■つの化合物の１位アミン
基をアシル化し、その後に、そのアシル化生成物にハロ
ゲン化合物を反応させて３′位を）・ロゲン化し、さら
に３′位ハロ基を還元して３′位をデオキシ化し、次い
でそのデオキシ化生成物から残留するアミン保護基及び
ヒドロキシル保護基を脱離させることを特徴とする、次
の一般式 （式中Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさ
せる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル） ａ／
−デオキシリボスタマイシンの製造法を要旨とする。

第４の本発明は次の一般式 〔式中２は式−ＣＯＯＲ４（Ｒ４はアルキル基、アリー
ル基、又はアラルキル基を示す）で示されるアミン保護
基を表わし、Ｒ１、Ｒ２は同じでも異なってもよく水素
原子、アルキル基又はアリール基デン基又はテトラヒド
ロピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基、
ヘミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカルボ
ニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で表わ
される化合物に、次の一般式 （式中Ｒ６は、アルキル基、アラルキル基、又はアリー
ル基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は０８０２Ｒ５を表
わす）で表わされるスルホモル化剤化合物を反応させ、
一般式 （式中Ｚ、Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ３は上記と同様な意義
を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、こ
のスルホニル化合物をアルカリ性の条件テ脱カルバメー
ト化処理して、次の一般式（式中Ｚ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
は、上記の同様な意義を有し、Ｒ１は水素原子またはＲ
３と同様な意義を有する）で表わされる化合物を製造し
、次いで一般式 ％式％） 〔但しＲ６は一０Ｈ１−ＮＨ２または−ＮＨＲ１ｏ（但
しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３および
４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、アル
キルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒｏは
Ｈ１アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わされ
るアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基における反
応性誘導体を作用させて式（■つの化合物の１位アミン
基をアシル化し、その後に、このアシル化生成にハロゲ
ン化合物を反応させて３′位をハロゲン化し、つぎに残
留するアミノ保護基及びヒドロキシル保護基を脱離させ
次の一般式 （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ６、ｎは上記と同
様な意義を有する）で表わされる化合物な製造し、つい
で３′位ハロ基（Ｘ）を還元により脱離することを特徴
とする、次の一般式 （式中Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさ
せる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル） ３／
−デオキシリボスタマイシンの製造法を要旨とする。

以下に本発明の方法を工程順にさらに詳細に述べる。

すなわち第一の本発明の方法ではまず、次の一般式（Ｉ
）の表わされるリボスタマイシン−１・６−カルバメー
ト化合物の保護誘導体に次の一般式（ＩＩ）のスルホニ
ル止剤化合物を反応させて３′位ＯＨ基をスルホニル化
し式（ＩＩＩ）のスルホニル化合物を生成する。

この時のスルホニル化反応に当って用いる反応溶媒はピ
リジン、ジオキサン、塩化メチレン等、反応に不活性の
溶媒はすべて使用可能であるが、なかでも無水ピリジン
が好ましい。

なお温度は１０〜５０℃が適当である。

また一般式（Ｉ）で示さ、れる出発化合物のＲ１、Ｒ２
の具体的な例としては、Ｒ１、Ｒ２は同一でも異なって
もよ（水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基があげられ、アリール基の適当な例はフェニル基、
メチルフェニル基、クロアルキリデン基を表わす時の適
当な例は炭素数５〜７のシクロアルキリデン基、例えば
シクロペンチリチン基、シクロヘキシリチン基、シクロ
アルキリデン基である。

またＲ３の具体的な例として、アシル基としてはアセチ
ル基、グロピオニル基、ブチリル基があげられ、アロイ
ル基としてはベンゾイル基、パラクロロベンゾイル基、
バラニトロベンゾイル基があげられ、ヘミアセタール基
又はヘミケタール基としてはテトラヒドロピラニル基又
は１−メトキシシクロヘキシル基があげられ、アルコキ
シカルボニル基としてはエトキシカルボニル基、ｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｔ−アミルオキシカルボニル基が
あげられ、アラルコキシカルボニル基としてはベンジル
オキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカル
ボニル基、パラエトキシベンジルオキシカルボニル基、
パラクロロベンジルオキシカルボニル基などの化合物を
あげることが出来る。

さらにＺの具体的な例としては、アルコキシカルボニル
基特に炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、例えば
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポ
キシカルボニル基、インプロポキシカルボニル基、ブト
キシカルボニル基があげられ、アリールオキシカルボニ
ル基の例としては、フェノキシカルボニル基、バラニト
ロフェノキシカルボニル基があげられる。

アラルコキシカルボニル基の例としては、ベンジルオキ
シカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニ
ル基、ハラエトキシベンジルオキシカルボニル基、パラ
クロロベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジ
ルオキシカルボニル基などがあげられる。

さらに、一般式（ｎ）で示されるスルホニル止剤化合物
の具体的な例としては、アルキルスルホニルハロゲニド
、例エバメチル、スルホニルクロライド、メチルスルホ
ニルブロマイド、エチルスルホニルクロライド、フロビ
ルスルホニルクロライド、ブチルスルホニルクロライド
、などがあげられ、アラルキルスルホニルハロゲニドと
してはベンジルスルホニルクロライドがあげられ、アリ
ールスルホニルハロゲニドとしてはパラトルエンスル＊
＝ ／１／ クロライド、オルトニトロベンゼンスル
ホニルクロライド、ハラニトロベンゼンスルホニルクロ
ライド、２−ナフタレンスルホニルクロライドなどの化
合物が使用出来る。

またスルホン酸無水物の例としてはメチルスルホン酸無
水物、トルエンスルホン酸無水物が使用出来る。

かくして得られた一般式（ＩＩＩ）で示される３′−ス
ルホニル化合物は、第１の本発明では、・・ロゲン化合
物を反応させて３′位のハロゲン化体を製造する。

この時使用出来る溶媒はジメチルホルムアミド、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジメチルアセトアミド、プロピレングリコ
ールジメチルエーテル、アセトニトリルなどであり、ハ
ロゲン化合物としてはヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウ
ム、臭化リチウム、塩化リチウムなどの化合物が使用出
来る３かくして得られた３／−ハロゲン化体を還元に付
し３′−デオキシ化合物に導（。

この時の還元反応で使用出来る溶媒としてはジオキサン
、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、ジメチルホルム
アミド、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロ
パツールなど及びその含水溶媒が使用出来る。

この還元は、触媒としてはラネーニッケル、パラジウム
−炭素、パラジウム−炭酸バリウム、鉄、銅、酸化白金
、ロジウムコバルトを単独又は併用して使用し水素ガス
を作用させることにより行う。

この水素還元反応は一２０〜１２０℃の温度で行われる
が室温〜１００’Ｃが好ましい。

また反応は常圧でも行われるが、１〜５０ｋｇ／ｃ４の
加圧下に行うことが出来る。

この時トリエチルアミン又は水酸化カリウム等の塩基を
加えることにより反応を促進することが出来る。

上記の如くして生成された３′−デオキシ化生成物は、
ついで塩基性試薬、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化
バリウム、炭酸ナトリウムなどを用いて加水分解に附し
て、選択的に１位のアミン基を遊離し、（他のアミン基
を保護している保護基は残留する）次の一般式（ＩＶ）
で表わされる化合物を製造する。

この際５“位ＯＨ基の保護基Ｒ３は脱離されることもあ
るが、脱離されてもあるいはされなくても、次後に行う
反応にさしつかえることは全（ない。

かくして得られた一般式（ＩＶ）で示される化合物に一
般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表わされるアシル化剤化合物
又はこの均等的な官能誘導体、すなわちカルボキシル基
における反応性誘導体を反応させて１位のアミン基をα
−置換−ω−アミノアシル化する。

この時のアシル化反応の反応溶媒は、水、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエー
テル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
プロピレングリコールジメチルエーテル又はそれらの混
合溶媒が使用できるが、なかでも水とテトラヒドロフラ
ンの混合溶媒が好ましい。

反応温度は５０℃以下、好ましくは２５℃以下が最適で
ある。

さらにこの時使用出来るアシル化剤化合物（Ｖ）又は（
ＶＩ）の反応性誘導体としては酸ハロゲニド、酸アジド
、活性エステル、混合酸無水物があげられる。

また本発明で使用される一般式（Ｖ）、（ＶＩ）で表わ
されるα−置換−ω−アミノアシル化合物はラセミ体で
も光学活性体であってもよいが、例えばα−ヒドロキシ
−γ−アミ酪酸（ｎ−２の場合）およびα−ヒドロキシ
−δ−アミノ吉草酸の場合には目的物の抗菌性から考慮
して５体が好ましい。

かくして得られた式（■）のアシル化生成Ｒ０を脱離さ
せるが例えばＺは酸性試薬たとえば酢酸により、または
塩基性試薬たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化バリウ
ム、炭酸ナトリウム、ナトリウムアミド、液体アンモニ
アなどにより、またはパラジウム、白金、ラネーニッケ
ル、ロジウム、ルテニウム、およびニッケル等から選ば
れた触媒を用いて還元分解することにより常法で離脱さ
せることが出来る。

この時使用する溶媒としては水、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、エチレンクリコールジメチルエーテル、フ
ロピレンゲリコールジメチルエーテルから選ばれた水−
水混和性溶媒が使用出来る。

この時の条件としては水素圧、１〜５気圧、反応温度０
〜１００℃、反応時間０．５〜４８時間である。

物を塩酸、硫酸等の無機酸、酢酸、プロピオン酸等の有
機酸の０．５〜２頬定の溶液に溶解して室温〜１００℃
に加熱することにより、または上述の触媒による還元分
解により効率よく行われる。

また保護基Ｒ３は酸又は塩基試薬により離脱され本さら
にＲ７、Ｒ８、Ｒ９は上述の何れかの反応で同時に離脱
される。

かくして本発明の目的物質である一般式（■）（式中Ｒ
６、ｎは上記と同様な意義を有する。

）で表わさせる１−Ｎ〜（α−尋裸−ω−アミノアシル
）−３′−デオキシリボスタマイシンを製造することが
出来る。

さらに第２の本発明では、第１の本発明で得られた一般
式（ｍ）の３′−ノ・ロゲン化体を塩基性試薬たとえば
水酸化ナトリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウムな
どを用いて加水分解を行って１位のアミン基を遊離し、
一般式（■′）で示される化合物に導く、次いで以下箱
１の本発明と同一の条件で１位のアミン基を一般ｑ（Ｖ
）又は（ＶＩ）で示される化合物又はこのカルボキシル
基における反応性誘導体を作用させた後、さらに同一の
条件で保護基を脱離させ一般式（■つで示される化合物
を製造し、さらに同一の条件で３′位のハロ基を還元に
より脱離させて一般式（■）で示される目的化合物を製
造する。

さらに第３の本発明では一般式（ｍ）で示される化合物
を水酸化バリウム、炭酸ナトリウムメタノール性アンモ
ニアなどの溶液に溶解して脱カルバメート（１・６−カ
ルバメート環の開裂）を行って次の一般式 （式中、Ｚ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６は上記と同様な意義を有
しＲ３′は水素原子またはＲ３と同様な意義を有する）
で表わされる化合物を製造し、次いで以下箱１の本発明
と同一の反応条件によりこの式（■′）の化合物に次の
一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）のアシル止剤化合物又はこの
カルボキシル基における反応性誘導体を作用させた後、
ハロゲン化合物を反応させて３′位を・・ロゲン化し、
さらに還元して３′位をデオキシ化し次いで保護基を脱
離させることによって、次の一般式（■）で表わされる
目的物質、すなわち１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノア
シル）−３′−デオキシリボスタマイシンを製造するこ
とが出来る。

さらに第４の本発明では、第３の本発明で得られた３′
−ハロゲン化体を第３の本発明と同一の条件で残余の保
護基を脱離せしめ、次いで同一の条件でＳ位のハロゲン
を還元脱離させて目的物質である一般式（■）で得られ
る化合物を製造することが出来る。

か（して得られた本発明の目的物質である一般式（■）
で示される化合物はアンバーライトＩＲＣ５０、ＣＭセ
ファデックスカラムなどのカラムクロマトグラムによっ
て精製することが出来る。

本発明で得られた一般式（■）の化合物は副作用少なく
、緑膿菌を含む各種薬剤耐性菌に有効な物質である。

次に本発明によって得られた１−Ｎ−（（Ｓ−α−ヒド
ロキシ−ω−アミノブチリル） ’ ３／−テオキシ
リボスタマイシン（３’−チオキシブチロシンＢ ）
１−Ｎ −（（Ｓ）−β−アミ）−α−ヒドロキシプロ
ピオニル） ａ／−デオキシリボスタマイシン、１−
Ｎ−（（Ｒ８）−β−アミノ−α−ヒドロキシプロピオ
ニル） ａ／−テオキシリボスタマイシン）と、ブチ
ロシンＢの抗菌試験（ＭＩＣ）（ｍｃｇ／ｍｌ）の結果
を表１に示す。

表１かられかるように、本発明で得られた３′−デオキ
シブチロシンＢ、■−Ｎ−（（Ｓ）−β−アミノ−α−
ヒドロキシプロピオニル）−３’−テオキシリボスタマ
イシン、−Ｎ−（（Ｒ８）−β−アミノーα−ヒドロキ
シグロピオニル） ３／−デオキシリボスタマイシン
はブチロシン耐性菌を初め客種のダラム陽性、陰性菌に
有効な抗生物質である。

なお、本発明の第１から第４の発明で使用する一般式（
Ｉ）で示される化合物はいずれも新規化合物であって、
その製造法の１例を示すと次の如くである。

テトラ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′・４′・
２“・３“−ジー０−シクロへキシリデン−５“−Ｏ−
（１−７７）キシシクロヘキシル）リボスタマイシン〔
池田、銘木、土星、梅沢、Ｂ ｕｌ ｌ。

Ｃｈｅｍ 、 Ｓ ｏｃ、Ｊ ａｐａｎ ±６ ３２
１０（１９７３の方法により製造〕を酢酸−アセトンの
混液に溶解し５“位の１−メトキシシクロヘキシル基を
除去する。

反応生成物を無水のジメチルホルムアミドに溶解し、ジ
メチルホルムアミド沖５０％水素化ナトリウムを反応さ
せるとトリーＮ−ベンジルオキシカルボニル−３′・４
′；２“・３“−０−シクロヘキシリデンリボスタマイ
シント６−カルバメートが得られる（ザ、ジャーナル、
オブ、アンチビオチツクス第２５巻１２号７４１頁（１
９７２）参照）。

これを無水ピリジン中無水酢酸でアセチル化後、酢酸で
３１・４′一位のシクロヘキシリデン基を選択的に脱離
すると、一般式（Ｉ）で示される化合物の１例である５
“−０−アセチル−）１，１−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリテンリボスタ
マイシント６−カルバメートが得られる。

次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。

なお、本発明の出発物質である一般式（Ｉ）で示される
化合物の製造法を参考例として掲げた実施例 １ （−１’） ５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジ
ルオキシカルボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリ
デンー３’−０−）シルリボスタマイシン、１・６−カ
ルバメートの製造 ５“−０−アセチル−トリーＮ−ベンジルオキシカルボ
ニル−２“・３“−０−シクロヘキシリデンリボスタマ
イシン１．７７？を無水ピリジンに溶解し、塩化ｐ−）
ルエンスルホニル１．９１を加え、３７℃で一夜放置し
た。

溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーによりベンゼン−酢酸エチル（１：１）を展開剤と
して精製し固体ｔ５５ｆ（７６％）を得た。

（ａ ） ｐ ＋ １３°（ｃｌ、７、クロロホルム）
分析値：Ｃ５９，３０、Ｈ５，７８、Ｈ４，７２、Ｓ２
．６６％ 言慣イ直Ｃ５７■６６ Ｈ４０２０Ｓ として：Ｃ５
９，０６、Ｈ５，７４、Ｈ４，８３、Ｓ２．７７％ （ロ）５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジルオキシ
カルボニル−２“・３“−０−シクロヘキシリフ”：／
−３’−〇−（０−二トロベンゼンスルホニル）リボス
タマイシン、ｌ・６−カルバメートの製造 実ｍ例１（ロ）の塩化ｐ−トルエンスルホニルに代工て
塩化Ｏ−ニトロベンゼンスルホニルを使用すると上記の
化合物を５５％の収率で得た。

Ｃａ ） ｐ ＋６．５°（ｃ２−３、クロロホルム）
、ｍｐ １１４〜１１６℃ 分析値：Ｃ５６，２５、Ｈ５，４０、Ｈ５，７５、Ｓ２
．８８％ 計算値Ｃ５６Ｈ６３Ｈ５ｏ２□Ｓとして：Ｃ５６，５１
、Ｈ５，３４、Ｈ５，８８、Ｓ２．６９％ Ｃ→ ５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジルオキシ
カルボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリデンー３
′−ヨードボスタマイシン、■・６−カルバメートの製
造 実施例１（ロ）で得た物質０．９５Ｐをジメチルホルム
アミド２０ｍ１に溶解しヨウ化ナトリウム９．５１を加
え１００℃にて１．５時間加熱した。

反応液に大量のクロロホルムを加え、溶液を沢過し食塩
水で洗滌した。

クロロホルム溶液から溶媒を留去後得られた固体をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーによりベンゼン−酢酸
エチル（１：１）を展開剤として精製した。

収量ｏ、４９Ｌｆ？（ｓ５％）、〔α、１１）＋４．６
゜（ｃ２．７、クロロホルム）、 分析値：Ｃ５４，２３、Ｈ５，４９、Ｈ５，０２，１１
１，０５％ 計算値Ｃ３０Ｈ５９Ｎ４０１７ Ｉ として：Ｃ５３
，８６、Ｈ５，３４、Ｈ５，０３、Ｉｌｌ、３８％ なお実施例１（イ）で得た化合物を上町Ｉと同様に処理
すると上記の化合物が４７％の収率で得られた。

（：）５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジルオキシ
カルボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリデンー３
７−クロロリホスタマイシント６−カルバメートの製造 実施例１（ロ）で得た物質１．０１をジメチルホルムア
ミド２５ｍ１に溶解し、塩化リチウムＩＯＰを加え１０
０℃にて１．５時間加熱した。

以下実施例１０→と同様に処理し、目的物質０．４５
Ｐを得た。

〔α〕。＋４．３°（ｃｌ、クロロポルム分析値：Ｃ５
８，５９、Ｈ５，７２、Ｈ５，３０、Ｃ１０，３４％ 言慎イ直Ｃ５０Ｈ５９Ｎ４０１７ Ｃｌとして：Ｃ５８
，６７、Ｈ５，８１、Ｎ５４７、 Ｃ１０，４７％ （イ） ５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジルオキ
シルカルボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリデン
ー３′−デオキシリボスタマイシント６−カルバメート
の製造 実施例１０うで得られたヨード体３１０〜をジオキサン
９ｒｒＬｌに溶解し、トリエチルアミン５０〜を加え、
水素を通じつつ、ラネーニッケルで還元した。

後、常法にしたがい処理した。収量１７０７７２＆（６
２％）、〔α〕Ｄ＋５ （ｃｌ、クロロホルム）、ｍｐ
９７〜９９℃ 分析値：Ｃ６０，３５、Ｈ６，２０，Ｈ５，５２％計算
値Ｃ５’０Ｈ６ＯＮ４０１７ として：Ｃ６０，７２Ｈ
６，１１、Ｈ５，６６％ （へ） ３・２′・６′−トリーＮ−ベンジルオキシカ
ルボニル、２“：３“−〇−シクロヘキシリチンー３′
−デオキシリボスタマイシンの製造 実施例１（（１）で得た物質１５６〜をジオキサン３ｒ
ｒＬｌに溶解し、０．２規定水酸化バリウム溶液２．４
麻を加え、６０℃にて１時間加温した。

炭酸ガスをふきこみ濾過後、溶媒を留去し１５１〜の固
体を得た。

〔α）Ｄ＋１２°（Ｃ１、クロロホルム） （ト） ３・２′・６′−トリーＮ−ベンジルオキシカ
ルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）−γ−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−２−ヒドロキシブチリル）−２“・３“
−〇−シクロヘキシリデンーイーデオキシリボスタマイ
シンの製造 実施例１（ハ）で得た物質３７０ｍＩ？をテトラヒドロ
フラン８１ｒＬｌに溶解し、４０■のトリエチルアミン
を加えた後水冷した。

これに（Ｓ）−γ−ベンジルオキシカルボニルアミノ−
α−ヒドロキシ酪酸のＮ−ヒドロキシサクシミドエステ
ル０、１７ ｆを加え、水冷下１時間放置した。

溶液を減圧で濃縮し、残渣を酢酸エチルに溶解し、濾過
後、減圧で溶媒を留去した。

残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによりクロ
ロホルム−イソプロピルアルコール（１０：１）を展開
剤として精製した。

収量２ｏ２１ｒ１９、〔α）Ｄ＋２．５°（ｃｌ、りｏ
ｏホルム）、ｍｐ１０２〜１０６℃、 分析値：Ｃ６１−１１、Ｈ６，３９、Ｈ６，３３％言慎
イ直Ｃ３ｏＨ７３Ｎ、０１９として：Ｃ６１，２９、Ｈ
６，３６、Ｈ６，０６％、 （チ １−Ｎ−（（Ｓ）−γ−アミノーα−ヒドロキシ
ブチリル）−３′−デオキシリボスタマイシン（すなわ
ち３′−デオキシブチロシンＢ）の製造実施例１（ト）
で得られた化合物１７８〜をジオキサン４．３ＴｒＬｌ
に溶解し、水１．，４ｍｌを加えパラジウム黒を触媒と
して還元した。

溶液を濾過し、減圧で濃縮した。

得られた固体を１規定塩酸に溶解し、６０℃で１時間反
応せしめた（脱シクロヘキシリデン化）、得られた組物
質をＣＭ−セファデックスＣ−２５０カラムによりアン
モニアの濃度をＯより０．４規定まで次第に濃度を増大
しつつ溶離した。

目的を含む部分を集め濃縮した。

収量３４■（３７％）、〔α、］ ■＋２７°（ｃ２、
水） 分析値：Ｃ４３，４４、Ｈ７，２６、Ｎ１１．４５％ 計算値Ｃ２１Ｈ４１Ｈ５０□１・Ｈ２ＣＯ３として：Ｃ
４３，９２、Ｈ７，２０、Ｎ１１．６４％ 実施例 ２ （イ） ３・２′・６’−）ＩＪ−Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル−３７−クロロ−２“・３！′−０−シクロ
へキシリデンリボスタマイシンの製造。

実施例１に）で得た物質１４０ｒｎ９をジオキサン３Ｔ
Ｉｔｌに溶解し、０．２規定水酸化バリウム溶液２．５
ｍｌを加え、６０℃にて１時間加温した。

炭酸ガスをふきこみ沢過後、溶媒を留去し、固体１２３
〜を得た。

〔α〕Ｄ＋１２°（ｃｌ、クロロホルム） （ロ） ３・２′・６′−トリーＮ−ベンジルオキシ
カルボニル−１−Ｎ−（（ｓ）−γ−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−α−ヒドロキシブチリル）−３７−ク
ロロ−２“・３“−〇−シクロへキシリデンリボスタマ
イシンの製造 実姉例２（イ）で得た物質３４０ｒｎ９をテトラヒドロ
クラン８ｍｌに溶解し、４０〜のトリエチルアミンを加
えた後水冷した。

これに（Ｓ）−γ−ベンジルオキシカルボニルアミノ−
α−ヒドロキシ酪酸のＮ−ヒドロキシサクシミドエステ
ル０．１８ｆを加え、水冷下１時間放置した。

以下実施例１（ハ）と全く同様に精製し、固体１９０〜
を得た。

〔α）Ｄ＋３．２°（ｃｌ、クロロホルム）。

分析値：Ｃ５９，４３、Ｈ６，００、Ｈ５，８１１ＣＩ
２．７７％ 計算値Ｃ５９Ｈ７□Ｎ３０１９Ｃ１として：Ｃ５９，５
１、Ｈ６，１０、Ｈ５，８８、ＣＩ２．９８％ （／→ １−Ｎ−（（Ｓ）−γ−アミノーα−ヒドロキ
シブチリル） ａ／−クロロリボスタマイシンの製造
。

実施例２（ロ）で得られた物質１６０ダをジオキサン５
ｍｌに溶解し、水１．５ｍｌを加え、パラジウム黒を触
媒として還元した。

以下実施例１（ｆ′Ｊと全く同様に処理し、目的物質５
２■を得た。

〔α）Ｄ＋２４°（ｃｌ、水）。

分析値：Ｃ４１，３０、Ｈ６，７７、Ｎ１０．８６、Ｃ
Ｉ５．４５％ 計算値Ｃ２１Ｈ４９Ｎ５０．１Ｃ１・Ｈ２ＣＯ３として
Ｃ４１，５４、Ｈ６，６６、Ｎ１１．０１、ＣＩ５．５
８％ に） １−Ｎ−（（Ｓ）−γ−アミノーα−ヒドロキシ
ビチリル）−Ｊ−デオキシリボスタマイシンの製造。

実施例２（／→で得られた物質２０ｒｖを水１ ｍｌに
溶解し、水酸化カリウム３１ｒＩ９を加え、水素を通じ
つつラネーニッケルで還元した。

炭酸ガスをふきこんで後濃縮し、得られた粗物質をＣＭ
−セファデックスＣ−２５０カラムによりアンモニアの
濃度を０より０．４規定まで次第に濃度を増大しつつ展
開し、目的物質を含む部分を集め濃縮し、実施例１（イ
）で得たと同一の目的物質１３ｍ９を得た。

実施例 ３ （イ） ３・２′・６’−） ソーＮ−ベンジルオキ
シカルボニル−２“・３“−０−シクロヘキシリチン−
３’−０−）シルリボスタマイシンの製造。

実施例１（イ）で得た物質３０３〜をジオキサン６ｍｌ
に溶解し、０．２規定水酸化バリウム６ｒｕｌを加え６
０℃にて１時間加温した。

炭酸ガスをふきこんで後混合液を沢過し、涙液を濃縮し
固体を得た。

これを熱ジオキサンに溶解し、ｒ過後濃縮し、固体２４
５１ｎ９を得た。

〔α〕Ｄ＋７（ｃ１１クロロホルム）。

分析値： Ｃ５９，３１，Ｈ６，２３、Ｈ５，００、Ｈ
２，７６％ 計算値Ｃ５４Ｈ５６Ｈ４ｏ、８ Ｓ として：Ｃ５９，
４４、Ｈ６，１０、Ｈ５，１３、Ｈ２，９４％ （ロ） ３・２′・６’ −） ！Ｊ −Ｎ−ベンジル
オキシカルボニル−１−Ｎ−（（Ｒ８）−β−ベンジル
オキシカルボニルアミノ−α−ヒドロキシグロピオニル
）−２“・３“−〇−シクロヘキシリチンー３’−〇−
トシルリボスタマイシンの製造実施例３（イ）で得た物
質２５０ダをテトラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、２５
ｍ９のトリエチルアミンを加えた後水冷した。

これに（Ｒ８）−β−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−α−ヒドロキシプロピオン酸のＮ−ヒドロキシサクシ
ミドエステル０．１２Ｐを加え、水冷下１時間放置した
。

溶液を減圧で濃縮後、その残渣を酢酸エチルに溶解し、
沢過後、溶媒を留去した。

残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによりクロ
ロホルム−インプロピルアルコール（１０：１）を展開
剤として精製した。

収量１８５Ｔｎ９、〔α〕。

＋４ （ｃｌ、クロロホルム）。分析値：Ｃ５９，８３
、Ｈ６，０５、Ｈ４，１３、Ｈ２，２２％ 計算値Ｃ６５Ｈ７□Ｎ５０□２Ｓとして：Ｃ６０，１３
、Ｈ５，９８、Ｈ４，３２、Ｈ２，４７％ （）→ ３・２′−６フートリーＮ−ベンジルオキシカ
ルボニル−１−Ｎ−（（Ｒ８）−β−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−α−ヒドロキシプロピオニル）−２“
・３“−〇−シクロヘキシリチンー３７−ヨードリボス
タマイシンの製造。

実施例３（ロ）で得た物質０．１１をジメチルホルムア
ミド２ｍｌに溶解し、ヨウ化ナトリウム１グを加え１０
０℃に１時間加熱した。

反応液に大量のクロロホルムを加え、溶液を沢過しこの
Ｐ液を飽和食塩水で洗滌した。

クロロホルム溶液を濃縮乾固し得られた固体をカラムク
ロマトグラフィーによりベンゼン−酢酸エチル（１：
１）を展開剤として精製した。

収量０．０６Ｐ、〔α）Ｄ＋５ （ｃｌ、クロロホル
ム）。

分析値：Ｃ５５，１１、Ｈ５，７１、Ｈ５，３８、Ｉ９
．９６％ 計算値ｃ６８ Ｈ７０Ｈ５ｏ１９ Ｉ として：Ｃ５
４，９３、Ｈ５５６、Ｈ５，５２， １１０，０１％ に） ３・２′・６’−） ソーＮ−ベンジルオキシカ
ルボニル−１−Ｎ−（（Ｒ８）−β−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−α−ヒドロキシプロピオニル）−３′
−クロロ−２“・３“−０−シクロ４ヘキシリデンリボ
スタマイシンの製造。

実施例３（ロ）で得た物質１０５ηをジメチルホルムア
ミド２ｒｕｌに溶解し、塩化リチウム１．２ ｍｇを加
え１００℃にて１時間加熱した。

以下実施例３←］と全く同様に処理した。

収量７１ｒｎ＆、〔α）Ｄ＋４．２°（ｃｌ、クロロホ
ルム）（ホ） ３・２′・６’ −） ＩＪ −Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル−１−Ｎ−（（Ｒ８）−β−ベ
ンジルオキシカルボニルアミノ−α−ヒドロ阜フシプロ
ピオニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリチン３／−
テオキシリボスタマイシンの製造。

実施例３ｅ→で得られたヨード体５０７７１１ｐをジオ
キサン２ｍｌに溶解しトリエチルアミン１０７Ｑを加え
、水素を通じつつ、ラネーニッケルで還元した。

その後、常法にしたがい処理した。収量３９Ｔｎ９、〔
α〕Ｄ＋３ （ＣＩ、クロロホルム：分析値：Ｃ６０，
８７、Ｈ６，２９、Ｈ６，０３％計算値Ｃ５８Ｈ７１Ｎ
５０□、として：Ｃ６０，９９、Ｈ６，２７、Ｈ６，１
３％ （へ） ■−Ｎ−（（Ｒ８）−β−アミノ−α−ヒドロ
キシプロピオニル）−３′−デオキシリボスタマイシン
の製造 実施例３（力で得た物質１０■を１ｍＡ’のジオキサン
に溶解し、水０．３ ｍｌを加え、パラジウム黒を触媒
として還元し、以下実施例８と全く同様に処理し目的物
質を得た。

収量２．３１ｎｇ〔α〕Ｄ＋３８°（ｃｌ、水） 分析値：Ｃ４３，２３、Ｈ７，１５、Ｎ１１．９８％ 計算値Ｃ２０Ｈ３９Ｈ５ｏ、１ ” Ｈ２ｃｏ３として
：Ｃ４２，９２、Ｈ７，０３、Ｎ１１．９２％。

実施例 ４ ｌ−Ｎ−（（Ｓ）−β−アミノ−α−ヒドロキシプロピ
オニル）−３’−ｆオキシリボスタマイシンの製造。

実施例３（イ）で得た物質３００ダを出発物質とし、こ
れに実施例３（ロ）に述べたと全（同一の手法によりく
Ｒ８）−β−ベンジルオキシカルボニルアミノ−α−ヒ
ドロキシプロピオン酸の代りに（Ｓ）−β−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−α−ヒドロキシプロピオン酸を
作用せしめた。

以下同側の如く精製し得られた３・２′・６′−トリー
Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）−β
−ベンジルオキシカルボニルアミノ−α−ヒドロキシプ
ロピオニル）−２“・３“−０−シクロへキシリチン−
３’−０−）シルリボスタマイシンシ順次実施例３Ｃ／
→、（に）、（川と全く同様に処理し、目的物質２６即
を得た。

〔α〕１δ＋２５° （ｃｌ、水）。分析値：Ｃ４３，
１９、Ｈ６，８８、Ｎ１１．６８％計算値Ｃ２６Ｈ３９
Ｈ５ｏｌｌ ” Ｈ２Ｃｏ ３として：Ｃ４２，９２、
Ｈ７，０３、Ｎ１１．９２％。

実施例 ５ ｌ−Ｎ−（（Ｒ８）−β−アミノ−α−ヒドロキシプロ
ピオニル） −３／−クロロリボスタマイシンの製造 実施例３に）で得た物質５２１ｎ９をジオキサン２ｒｕ
ｌに溶解し、水０．６ｍｌを加え、パラジウム黒を触媒
として還元した。

以下実施例１（力・と全く同様に処理し、目的物質１８
〜を得た。

〔α）Ｄ＋３５゜（ｃｌ、水）。

分析値：Ｃ４１，５８、Ｈ６，１９、Ｎ１０．９２、Ｃ
Ｉ５．４１％ 計算値Ｃ２ｏＨ３８Ｎ、０１．Ｃ１−Ｈ２Ｃ０３として
：Ｃ４１，６７、Ｈ６，３６、Ｎ１１．０５、ＣＩ５．
６０％ 本物質はその後、実施例２（・→と全く同様に処理する
ことにより実施例３（ハ）で得られたのと同一の１−Ｎ
−（（Ｒ３）−β−アミノ−α−ヒドロキシグロピオニ
ル） ａ／−デオキシリボスタマイシンを得た。

参考例 １ ５“−０−アセチル−）！Ｊ−Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリテンリボスタ
マイシン、１・６−カルバメートの製造 （イ）テトラ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′・
４′：２“・３“−ジー０−シクロヘキシリテンリボス
タマイシンの調製 テトラ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′・４′・
２“・３“−ジー０−シクロヘキシリチン−５“−〇−
（１−メトキシシクロヘキシル）リボスタマイシン（池
田、銘木、土星、悔涙、Ｂｕｌｌ、Ｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ
、 Ｔａｐａｎ、 ４６．３２１０（１９７３））を４
０％酢酸−アセトン（１：５）の混液に溶解し、３７℃
７時間放置した。

反応液を飽和炭酸水素ナトリウムとクロロホルムの混液
に流入し、クロロホルム層をとり、減圧で溶媒を留去し
た。

得られた固体をシリカゲル力ジムクロマトグラフにより
ベンゼン・酢酸エチル（５：３）を展開剤として精製し
た。

収率６３％、〔α） Ｄ＋２３°（ｃ２、クロロホルム
；分析値：Ｃ６３，５１、Ｈ６，４７、Ｈ４，８５％計
算値Ｃ６，Ｈ７４Ｎ４０□８として：Ｃ６３，６４、Ｈ
６，４８、Ｈ４，８７％。

（ロ） トリーＮ−ベンジルオキシカルボニル−３′・
４′；２“・３“−ジー０−シクロへキシリデンリボス
タマイシント６−カルバメートの製造。

前言αイ）で得た物質１．０１を無水ジメチルホルムア
ミド１１ｍ１に溶解し氷冷した。

この溶液に５０％油性水素化ナトリウム８６ｍｇを加え
攪拌した。

１時間後酢酸を加え水〜クロロホルム混液に注入し、ク
ロロホルム液をとり無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を
留去し、固体０．５９′ｉ！′（６５％）を得た。

〔α）Ｄ＋２６°（ｃ２、クロロホルム）：赤外吸収ス
ペクトル：１７７０ｃｍ ’ （環状カルバメート
）。

分析値：Ｃ６２，０７、Ｈ６，４４、Ｎ５５０％計算値
Ｃ５４Ｈ３６Ｈ４０１□として：Ｃ６２，１８、Ｈ６，
３８、Ｈ５，３７％ ≧９５“−〇−アセチルートリーＮ−ベンジルオキシカ
ルボニル−２“・３“−〇−シクロヘキシリデンリボス
タマイシント６−カルバメートの製造 前記（ロ）で得た物質、２．９２を無水ピリジン５０１
ｒＬｌに溶解し、無水酢酸を加え、常法に従いアセチル
化した（５“−０−アセチル化）。

得られたアセチル誘導体を６０％酢酸−アセトン（１：
１）の混液１２０ｍ１に溶解し、６０℃に１時間加熱し
た。

溶媒を留去後得られた固体をクロロホルムで抽出し、こ
の溶液を水洗、無水硫酸す） ＩＪウムで乾燥後、溶媒
を留去した。

収量２．６ｆ（９３％） （ａ ：］ ｐ ＋ １１°
（ｃｌ、９、クロロホルム）、ｍｐ、１０９〜１１２℃
。

分析値：Ｃ５９，５９、Ｈ６，０４、Ｈ５，３３％。

計算値Ｃ５０Ｈ６０Ｈ４ｏ１８として：Ｃ５９，７５、
）Ｉ６．０２、Ｎ５５７％

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の一般式 〔式中Ｚは式−ＣＯＯＲ４（但しＲ４はアルキル基、ア
   リール基又はアラルキル基を示す）で示されるアミン保
   護基を表わし、Ｒ１、Ｒ２は同じでも異ってもよく水素
   原子、アルキル基又はアリール基をデン基又はテトラヒ
   ドロピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基
   、ヘミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカル
   ボニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で表
   わされる化合物に次の一般式 （式中Ｒ５は、アルキル基、アリール基又はアラルキル
   基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は−〇５０２Ｒ５を表
   わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させて
   一般式 （式中Ｚ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は上記と同様な意義
   を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し次い
   で該スルホニル化合物にハロゲン化合物を反応させて３
   ′位をハロゲン化し、さらに３′−ハロ基を還元して３
   ′位をデオキシ化し、次いで加水分解を行って次の一般
   式 （式中Ｚ、Ｒ１、Ｒ２は上記と同様な意義を有しＲＡは
   水素原子またはＲ３と同様な意義を有する）で表わされ
   る化合物を製造し、次いで次の一般式〔但しＲ６は−Ｃ
   Ｈ１−ＮＨ２または−ＮＨＲ，。 （但しＲＩＯはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３お
   よび４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、
   アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
   ニル基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ
   ９はＨｌ アルキル基またはアリール基を表わす〕で表
   わされるアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基にお
   ける反応性誘導体を作用させて式（ＩＶ）の化合物の１
   位アミン基なアシル化し、その後にそのアシル化生成物
   から残留するアミン保護基及びヒドロキシル保護基を常
   法で脱離させることを特徴とする、次の一般式（式中Ｒ
   ６、ｎは上記と同様な意義を有する。 ）で表わさせる１−Ｎ（α一置換−ω−アミノアシル）
   −３７−ゾオキシリボスタマイシンの製造法。 ２ 次の一般式 〔式中Ｚは式−ＣＯＯＲ４（但しＲ４はアルキル基、ア
   リール基又はアラルキル基を示す）で示されるアミン保
   護基を表わしＲ１、Ｒ２は同じでも異ってもよく水素原
   子、アルキル基又はアリール基を表革又はテトラヒドロ
   ピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基、ヘ
   ミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカルボニ
   ル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で表わさ
   れる化合物に次の一般式 （式中Ｒ５は、アルキル基、アリール基又はアラルキル
   基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は−０８Ｏ□Ｒ５を表
   わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させ一
   般式 （式中Ｚ、 Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は上記と同様な意
   義を有する。 ）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、次いで該ス
   ルホニル化合物にハロゲン化合物を反応させて３′位を
   ハロゲン化し次いで加水分解を行って、次の一般式 （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｚ、 Ｒ１、Ｒ２、
   は上記と同様な意義を有し、Ｒ，７は水素原子またはＲ
   ３と同様な意義を有する）で表わされる化合物を製造し
   、次いで次の一般式 ％式％（） 〔但しＲ６は−ＣＨ１−ＮＨ２または−ＮＨＲ１ｏ（但
   ・しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３およ
   σ４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、ア
   ルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニ
   ル基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ９
   はＨ、アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わさ
   れるアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基における
   反応性誘導体を作用させて式（■りの化合物の１位アミ
   ン基をアシル化し、その後に、アシル化生成物から残留
   するアミン保護基及びヒドロキシル保護基を脱離させて
   次の一般式 （式中Ｘ、Ｒ６、ｎ１ｌｈ記と同様な意義を有するで表
   わされる化合物を製造し、次に式（■りの化合物から３
   ′位）・口塞（Ｘ）を還元により脱離することを特徴と
   する、次の一般式 （式中Ｒ６、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさ
   せる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル） −３／
   −デオキシリボスタマイシンの製造法。 ３ 次の一般式 〔式中ｚは式−ＣＯＯＲ４（Ｒ４は７／Ｌ／ キ＃基、
   アリール基、又はアラルキル基を示す）で示されるアミ
   ン保護基を表わしＲ１，Ｒ２は同じでも異なってもよく
   水素原子、アルキル基又はアリール基をン基又はテトラ
   ヒドロピラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル
   基、ヘミアセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカ
   ルボニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で
   表わされる化合物に、次の一般式 （式中Ｒ５は、アルキル基、アラルキル基、又はアリー
   ル基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は−０８Ｏ□Ｒ５を
   表わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させ
   、一般式 （式中Ｚ、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５は上記と同様な意
   義を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、
   次いで該スルホニル化合物をアルカリ性の条件で脱カル
   バメート化処理して、次の一般式（式中Ｚ、 Ｒ１、Ｒ
   ２、Ｒ５は、上記と同様な意義を有し、Ｒ′３は水素原
   子またはＲ３と同様な意義を有する）で表わされる化合
   物を製造し、次いで一般式 ％式％（） 〔但しＲ６は一０Ｈ１−ＮＨ２または−ＮＨＲ１ｏ（但
   しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３および
   ４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、アル
   キルオキシカルボニル基、アラルオキシカルボニル基ま
   たはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ９はＨ１
   アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わされるア
   シル化剤化合物又はこのカルボキシ基における反応性誘
   導体を作用させて式（■′）の化合物の１位アミン基を
   アシル化し、その後に、そのアシル化生成物にハロゲン
   化合物を反応させて３′位をハロゲン化しさらに３′位
   ハロ基を還元して３′位をデオキシ化し次いでそのデオ
   キシ化生成物から残留するアミン保護基及びヒドロキシ
   ル保護基を脱離させることを特徴とする、次の一般式 （式中Ｒ６、ｎは上記と同様な意味を有する。 ）で表わさせる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル
   ）−３７−ゾオキシリボスタマイシンの製造法。 ４ 次の一般式 〔式中Ｚは式−ＣＯＯＲ４（Ｒ４はアルキル基、アリー
   ル基又はアラルキル基を示す）で示されるアミノ保護基
   を表わしＲ１、Ｒ２は同じでも異なってもよく水素原子
   、アルキル基又はアリール基を表革又はテトラヒドロピ
   ラニル基を表わし、Ｒ３はアシル基、アロイル基、ヘミ
   アセタール基、ヘミケタール基、アルコキシカルボニル
   基又はアラルコキシカルボニル基を表わす）で表わされ
   る化合物に、次の一般式 ％式％（） （式中Ｒ３は、アルキル基、アラルキル基又はアリール
   基を表わし、Ｘはハロゲン原子又は−０８０２Ｒ５を表
   わす）で表わされるスルホニル化剤化合物を反応させ一
   般式 （式中Ｚ、 Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５ハ上記と同様な意
   義を有する）で表わされるスルホニル化合物に誘導し、
   次いでこのスルホニル化合物をアルカリ性の条件で脱カ
   ルバメート化処理して、次の一般式（式中Ｚ、 Ｒ１、
   Ｒ２、Ｒ５は、上記と同様な意義を有し、Ｒ３′は水素
   原子またはＲ３と同様な意義を有する）で表わされる化
   合物を製造し、次いで一般式 ％式％） 〔但しＲ６は一０Ｈ１−ＮＦ２または−ＮＨＲ１゜（但
   しＲｌｏはアシル基）を表わし、ｎは１．２．３および
   ４を表わし、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれＨ、アシル基、アル
   キルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
   基またはアリールオキシカルボニル基を表わし、Ｒ９は
   Ｈ、アルキル基またはアリール基を表わす〕で表わされ
   るアシル化剤化合物又はこのカルボキシル基における反
   応性誘導体を作用させて式（ホ）の化合物の１位アミン
   基をアシル化し、その後に、このアシル化生成物にハロ
   ゲン化合物を反応させて３′位をハロゲン化し、つぎに
   残留するアミン保護基及びヒドロキシル保護基を脱離さ
   せ次の一般式 （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ６、ｎは上記と同
   様な意義を有する）で表わされる化合物を製造し、つい
   で３′位・・四基（Ｘ）を還元により脱離することを特
   徴とする、次の一般式 （式中Ｒ，、ｎは上記と同様な意義を有する）で表わさ
   せる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３７−
   テオキシリボスタマイシンの製造法。