JPS5913519B2 - １−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−５−ｏ−ペントフラノシルネアミン誘導体の新規な製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はネアミン誘導体の一つである１−Ｎ−（α一置
換−ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−５−０−ペ
ントフラノシルネアミン誘導体を製造する新規な方法に
関する。

本発明者等は、患者より分離された薬剤耐性グラム陰性
菌をはじめ耐性ブドウ球菌、緑膿菌がカナマイシンの３
″位の水酸基を燐酸化する酵素を産生し、この酵素によ
つてカナマイシン、カナマイシンＢを不活化する耐性機
構を有することを見い出した（サイエンス１５７巻、１
５５９頁、１９６７年）。

この耐性機構に基づいてカナマイシン耐性菌に有効な抗
生物質の合成に着手し、３′−デオキシカナマイシンＡ
（特公昭５１−３３１０９号）；３ζ４′−ジデオキシ
カナマイシンＢ（以下、ＤＫＢという）（特公昭５０−
７５９５号）：３′−デオキシカナマイシンＢ及び３′
−デオキシリボスタマイシン（特公昭５７−８７６号）
；が合成された。

そして、これらデオキシ誘導体は上述の耐性菌に対し強
い抗菌作用を示し、ＤＫＢについては既に臨床効果が確
認されている。さらに患者より分離された少数の耐性グ
ラム陰性菌（Ｒ因子大腸菌）がカナマイシン、ＤＫＢの
２″位の水酸基をヌクレオチジル化して不活化する酵素
をつくつていることを見出した（ジヤーナル・オブ・ア
ンチビオチクス、２５巻、４９２頁、１９７２年）。そ
こで本発明者等はカナマイシンの分子模型から考察して
、カナマイシン群抗生物質の１位のアミノ基を修飾して
つくる立体障害によつて、この酵素反応をうけない誘導
体をつくることができると考え、種々の誘導体の研究を
行つた。そして耐性菌に有効な１−Ｎ−（４−アミノ−
２−ヒドロキシブチリル）−ＤＫＢ（特公昭５２−３３
６２９号）、１−Ｎ−（４−アミノ−２−ヒドロキシブ
チリノリカナマイシン（特開昭４９−９４６４８号）、
１−Ｎ−イソセリルーカナマイシン（特公昭５５−１２
０３８号）、並びに１−Ｎ−イソセリルカナマイシンＢ
および１−Ｎ−イソセリルＤＫＢ（特公昭５５−３１７
９８号）などを合成した。

さらに本発明者等はカナマイシンＢまたはＤＫＢの１位
と２′位の両アミノ基が一般式Ｈ２Ｎ−（ＣＴＩ２）ｎ
−ＣＨ（０Ｈ）−ＣＯＯＨで示されるα−ヒドロキシア
ミノ酸でアシル化されたカナマイシンＢ誘導体を合成し
、カナマイシン感受性菌のみならず、緑膿菌を含む種々
の耐性菌に強い抗菌性を有し、毒性の低い物質であるこ
とを確認した。

これらの誘導体は上述の如くアミノ配糖体抗生物質の耐
性機構の鮮明と、活性と構造の関係の研究に基いて、化
学的に誘導された物質である。また本発明者らは先に１
−Ｎ−（α一置換−ωアミノアンツリー３′−デオキシ
リボスタマイシンを合成した（特公昭５５−３３５７号
及び特開昭５１−１２７０４６号）。本発明はこれら２
の発明とは異なる方法で１−Ｎ−（α一置換−ω一アミ
ノアシル）−３′−デオキシリボスタマイシンを初めと
する１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノアシル）−３′−
デオキシ−５−０−ペントフラノシルネアミン誘導体を
製造する方法を提供するものである。すなわち本発明で
は３′−デオキシパロマミン又は３１−デオキシネアミ
ンの１位のアミノ基と、６位の水酸基とが互に結合して
１・６−カルバメート環を形成することを発見し、さら
に４／・６′の水酸基又はこれら水酸基とアミノ基が容
易に保護試薬と反応して保護、閉塞された形となり、５
位の水酸基のみを選択的に遊離の状態とすることができ
、これに五炭糖のハロゲニド又はこれの１位活性体を反
応させると容易に３′−デオキシパロマミン又は３′−
デオキシネアミン部分の５位と五炭糖の１〃位との間に
結合が起り、５・１〃一結合が生成することを発見した
。さらに、前記の１・６−カルバメート化合物はアルカ
リ性条件下で加水分解されると、特異的にその１・６−
カルバメート環が分解して１位のアミノ基が遊離となり
、この際に、他の保護されたアミノ基からは保護基が脱
離されないこと、並びに遊離の１位アミノ基に一般式（
）で示されるアミノ酸化合物又はそのカルボキシル基に
於ける官能性誘導体を反応させると、高収率で１位アミ
ノ基がｌ−Ｎ−（α一置換−ω−アミノアシル）化され
ることを発見した。これら発，見に基づいて本発明を完
成した。すなわち、第１の本発明の要旨とするところは
次の一般式〔式中Ｙは次式 （但しＲ１及びＲ２はそれぞれ水素原子、アルキル基又
はアリール基を示す）を表わすか又はシクロアルキリデ
ン基、テトラヒドロピラニル基、カルボニル基又はフエ
ニルボロン基を表わすヒドロキシル保護基であり、ｚは
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基
、アラルコキシカルボニル基、アシル基、アロイル基、
アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はアラ
ルキルスルホニル基を表わすアミノ保護基である〕で表
わされる３′−デオキシパロマミン１・６−カルバメー
ト誘導体化合物に次の一般式〔式中Ｒ３はアシル基、ア
ロイノ曝、アルコキシカルボニル基又はアラルコキシカ
ルボニル基を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｘはハ
ロゲン原子、アシノ匈ｊ幻まアロイル基を表わし、ｗは
基−０Ｒ３（但しＲ３は上記と同一の意義を有する）で
示されるアシルオキシ基を表わす〕で表わされるペント
フラノシル化合物又は次の一般式〔式中Ｒ３及びｗは前
記と同一の意義を有し、Ｒ４はアルキル基又はアリール
基を表わし、Ｒ５はアルキル基を表わす〕で表わされる
ペントフラノシル・オルソエステル化合物を反応させて
次の一般式〔式中Ｒ３、Ｒ４、Ｙ．Ｚ及びＷは前記と同
一の意義を有する〕で表わされる化合物を生成させ、そ
の後に該化合物を加水分解することによりヒドロキシル
保護基の一部を脱離して次の一般式〔式中、Ｒ３、 Ｒ４、 Ｚ及びｗは前記と同じ意義を 有する〕で表わされる化合物を生成し、次いでこれを次
の一般式Ｒ６ＳＯ２Ｔ（Ｖ） 〔式中Ｒ６はアルキル基、アリール基、又はアラルキル
基を表わし、Ｔはハロゲン原子特に塩素又は臭素、若し
くは−０Ｓ０２Ｒ６（但しＲ６は前記の意味をもつ）の
基を表わす〕で表わされるスルホン化剤化合物を反応さ
せて６粒ヒドロキシル基を選択的にスルホン化させ、さ
らにアジ化化合物を作用させて６′位スルホニルエステ
ル基をアジド化して６′−アジド基に転化させ、さらに
塩基性条件下で加水分解して１・６−カルバメート環を
開裂させることにより１位アミノ基と６位ヒドロキシル
基を遊離させ、これと同時に、残存したヒドロキシル保
護基の一部又は全部を脱離させ、その生成物に次の一般
式〔式中、Ｒ７は−０Ｈ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ８（
但しＲ８はアシル基である）を表わし、ｎは１、２、３
又は４の整数を表わし、Ａは水素原子又は公知の一価の
アミノ基保護基を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価
のアミノ基保護基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が
一諸になつて一つの公知の二価のアミノ基保護基を表わ
す〕で表わされるアミノ酸化合物又はこれのカルボキシ
ル基におけるおける反応性誘導体を作用させて次の一般
式〔式中、Ａ．Ｂ．Ｒ７、ｚ及びｎは前記と同じ意義を
表わし、Ｒ７３は水素原子又はＲ３（Ｒ３は前記と同一
の意義を有する）を表わし、Ｗは水酸基（即ち０Ｈ）又
はＷ（Ｗは前記と同一の意義を有する）を表わす〕で表
わされる１−Ｎ−アシル化化合物な生成し、つぎに６′
−アジド基を還元してアミノ化せしめ、これと同時に又
はその以後に、残存した保護基があればこれを脱離する
ことを特徴とする、次の一般式〔式中、Ｒ７及びｎは前
記と同じ意義を有する〕で表わされる１−Ｎ−（α一置
換一ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−５−０−ペ
ントフラノシルネアミン誘導体の製造法にある。

第１の本発明において、原料化合物である一般式（１）
の１・６−カルバメート化合物について、基Ｙはの型の
ヒドロキシル保護基を示す時は、 Ｒ，、Ｒ２力ぐアルキル基である適当な例は炭素数１〜
４のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基である。

Ｒ１、Ｒ２がアリール基である適当な例は、フエニル基
、メチルフエニル基、メトキシフエニル基である。Ｙが
シクロアルキリデン基を表わす適当な例は、炭素数５〜
７のシクロアルキリデン基、例えばシクロペンチリデン
基、シクロヘキシリデン基、シクロヘプチリデン基であ
る。またＹはテトラヒドロピラニノ曝（０（Ｘ）、カル
ボニル基、フエニルボロン基を表わすこともできる。

またＺがアルコキシカルボニル基、特に炭素数１〜４の
アルコキシカルボニル基である場合の例としては、メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基があげられ、
アリールオキシカルボニル基の例としては、フエノキシ
カルボニル基、パラニトロフエノキシカルボニル基、Ｚ
がアラルコキシカルボニル基である場合の例としてはベ
ンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキ
シカルボニル基、パラエトキシベンジルオキシカルボニ
ル基、パラクロロベンジルオキシカルボニル基、パラニ
トロベンジルオキシカルボニル基があげられ、Ｚがアシ
ル基である場合の例としては炭素数２〜５のアルカノイ
ル基、特にアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、
バレリル基があげられ、Ｚがアロィル基である場合の例
としてはベンゾイル基、パネーニトロベンゾイル基、ナ
フトール基があげられる。一般式（）又は（Ｗ）で示さ
れるペントフラノシル化合物の例としては、β−Ｄ−リ
ボフラノシル誘導体、β−Ｄ−キシロフラノシル誘導体
、α−Ｌ−アラビノフラノシル誘導体、５−アミノ−５
−デオキシ−β−Ｄ−キシロフラノシル誘導体、即ち一
般的にペントフラノシル誘導体があげられる。

一般式（）又は（○のベントフラノシル化合物における
Ｒ３がアシル基である場合は、その具体的な例として炭
素数２〜５のアルカロイル基、例えばアセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基があげられ、Ｒ３がアロイル基
である場合の例としてはベンゾイル基、パラクロロベン
ゾイル基パラニトロベンゾイル基があげられる。

Ｒ３がアルコキシカルボニル基である場合の例としては
エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニノ堪、ｔ
−アミルオキシカルボニル基があげられ、アラルコキシ
カルボニル基である場合の例としては、ベンジルオキシ
カルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル
基、パラエトキシベンジルオキシカルボニル基、パラク
ロロベンジルオキシカルボニル基などの化合物をあげる
ことが出来る。また式（）の化合物中の基Ｘとしては特
にハロゲン原子すなわち臭素、ヨウ素、塩素、フツ素か
ら選ばれた置換基をあげることが出来る。一般式（″）
で示される化合物のＲ４の具体的な例としてはメチル基
、フエニル基、パラニトロフエニル基があげられ、Ｒ５
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基などがあげられる。この際（○式の
化合物は１・２−シスのオルソエステルの形である。第
１の本発明の方法において、（１）式θ化合物に（）又
は（つの化合牧険縮合反応させる時の反応溶媒としては
、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、アセトュトリル、ュトロメタン、ベンゼン、ト
ルエン、エーテル等の如き、反応に不活性な溶媒はすべ
て使用可能である。

また反応を促進させるためにシアン化第二水銀、臭化第
二水銀、炭酸銀、酸化銀、ピリジン等を加えて反応を行
わしめるのが適当である。反応は０〜１５０℃の範囲で
行われ反応時間は０．５〜４８時間である。かくして得
られた（）又は（″）式の化合物を、例えば、希塩酸、
含水酢酸、含水プロピオン酸等の含水脂肪族カルボン酸
を用いる酸性条件下で、又は限られた量の水酸化バリウ
ム水溶液等を用いる塩基性条件下で加水分解すると、こ
の加水分解反応により、ヒドロキシル保護基の一部とし
て基Ｙが脱離され、（）又は（ＩＶ）式の化合物が生成
する。

次いで（）又は（ＩＶ○式の化合物に対して（Ｖ）式の
スルホン化剤化合物（Ｒ６ＳＯ２Ｔ）を作用させて６／
位ヒドロキシル基を選択的にスルホン化させる。

この時の（）式の化合物のＲ６ＳＯ２基がアルキルスル
ホニル基である場合の例としては、メチルスルホニル基
、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチル
スルホニル基があげられ、アリールスルホニル基である
場合の例としてはパラトルエンスルホニノレ基、オルト
ニトロベンゼンスルホニル基、パラニトロベンゼンスル
ホニル基、２−ナフタレンスルホニル基などがあげられ
、アラルキルスルホニル基である場合の例としてベンジ
ルスルホニル基があげられる。

またＴが−０Ｓ０２Ｒ６である場合、すなわち（）式の
スルホン化剤がスルホン酸無水物の形である場合の例と
してはメチルスルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無
水物が使用出来る。このスルホン化反応で使用する反応
溶媒としては、ピリジン、ジオキサン、塩化メチレン等
の如き反応に不活性な溶媒はすべて使用可能である。ス
ルホン化反応は一般に−３００〜１５０℃の範囲で行わ
れる。かくして得られた６′−スルホン化体にアジ化剤
を反応させて６″−アジ化体を製造する。この時使用出
来るアジ化剤の例としては、アジ化ナトリウム、アジ化
カリウムの如きアルカリ金属アジ化物又はアジ化アンモ
ニウムなどの化合物があげられる。このアジ化反応に使
用できる溶媒としてはジメチルホルムアミド、アセトニ
トリル、ジオキサン、ピリジン、ジクロロメタン等の溶
媒が使用できる。かくして得られた６′−アジ化体を塩
基性試薬、例えば水酸化ナトリウム、水酸化バリウム、
炭酸ナトリウムを用いて塩基性条件下で加水分解を行つ
て１・６−カルバメート環を開裂させ、このようにして
１位のアミノ基及び６位の水酸基を遊離する。

この加水分解の際に２〃、３〃、５〃位の保護基Ｒ３は
、その種類に応じて加水分解により同時に脱離されるこ
とがある。次いで次の一般式（） 〔式中、Ｒ７は−０Ｈ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ８（但
しＲ８はアシル基、特に低級アルカノイル基である）を
表わし、ｎは１１２、３又は４の整数を表わし、Ａは水
素原子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、Ｂは
水素原子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、若
しくはＡ及びＢは両者が一諸になつて一つの公知の二価
のアミノ基保護基を表わす〕で表わされるアミノ酸化合
物又はこれのカルボキシル基における反応性誘導体例え
ば酸ハライド、酸無水物又はＮ−ハイドロキシサクシイ
ミドエステルを作用させると、一般式（）の１−Ｎ−ア
シル化化合物を生成する。

ここで一般式（）で示されるアミノ酸化合物（アシル化
剤）のα一置換基Ｒ７としては、水酸基、アミノ基又は
アシル置換アミノ基例えばアセチルアミノ基があげられ
る。式（）のアミノ酸化合物において、Ａ及びＢは共に
水素であることもできるがＡ．Ｂの各々が一価のアミノ
保護基である時はアシル基、アルコキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基またはアリールオキシカ
ルボニル基又はスルホニル基であるのが好ましい。Ａ及
びＢが一諸になつて一つの公知の二価のアミノ基保護基
を表わす場合には、アルキリデン基またはアリーリデン
基であるのが好ましい。一価のアミノ基保護基Ａ．Ｂの
具体例としては、アシル基として例えばアセチル基、ベ
ンゾイル基およびオルトニトロフエニル基：アルコキシ
カルボニル基としては例えば第三級ブチルオキシカルボ
ニル基および第三級アミルオキシカルボニル基：アラル
コキシカルボニル基としては例えばベンジルオキシカル
ボニルニル基およびパラニトロベンジルオキシカルボニ
ル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基；アリ
ールオキシカルボニル基としては例えばフエノキシカル
ボニル基、パラメトキシフエノキシカルボニル基：低級
アルキルスルホニル基としては例えばメチルスルホニル
基；アリールスルホニル基として例えばパラトルエンス
ルホニル基；アラルキルスルホニル基としては例えばベ
ンジルスルホニル基などの置換基があげられる。基Ａ及
びＢ力Ｌ体として一つの二価アミノ基保護基であるとき
は、これは式〈 》Ｄ又は一ＣＨＤ（こＸにＤはアルキ
ル基又はアリール基）で示される基であるのが好ましく
、前者の場合はたとえば全体としてプタロール基、また
後者の場合のＤとしてはアルキル基としてはメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基：アリール基としては
フエニル基、パラメトキシフエニル基、パラクロロフエ
ニル基、パラニトロフエニル基などの置換基があげられ
る。

この時の１−Ｎ−アシル化反応の溶媒は、水ｌテトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチル
エーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、プロピレングリコールジメチルエーテル又はそれら
の混合溶媒が使用できるが、なかでも水とテトラヒドロ
フランの混合溶媒が好ましい。

１−Ｎ−アシル化反応の温度は５０℃以下、好ましくは
２５℃以下が最適である。

さらにこの時使用出来るアミノ酸の反応性誘導体として
は酸ハロゲニド、酸アジド、活性エステル、混合酸無水
物があげられる。また本発明で使用される一般式（）で
表わさせるアシル化剤化合物、すなわち。

一置換一。アミノ酸化合物はラセミ体でも光学活性体で
あつてもよいが、例えばα−ヒドロキシ−γ−アミノ酪
酸（ｎ＝２の場合）およびα−ヒドロキシ−δアミノ吉
草酸の場合には目的物の抗菌性からＬ体が好ましい。前
記の１−Ｎ−アシル化反応で得られた一般式（）の１−
Ｎ−アシル化合物を、次いでパラジウム、白金、ラネー
ニツケル、ロジウム、ルテニウムおよびニツケル等から
選ばれた触媒の存在下に水素で処理をするか又は液体ア
ンモニア中の金属リチウム、金属ナトリウムなどで処理
することによつて、ｌ−Ｎ−アシル化化合物の６′位ア
ジド基をアミノ基に還元する。

この際、水素還元であると、これと同時に、３・グ位の
アミノ保護基Ｚ及び保護基Ａ．Ｂはその種類（例えばア
ラルコキシカルボニル基）に応じて加水素分解により脱
離される。なお土述の接触水素還元反応に使用する溶媒
としては水、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール
ジメチルエーテルから選ばれた水一水混和性溶媒が使用
できる。この時の接触水素還元反応の条件としては水素
圧１〜５気圧、反応温度０〜１００℃、反応時間０．５
〜４８時間である。なお、こＸで生成した６′−アミノ
化生成物中にアミノ保護基が残存しているならば、これ
ら残存のアミノ保護基Ａ．Ｂ．Ｚを脱離させるが、例え
ばアミノ保護基がアシル基、アルコキシカルボニル基、
トリチル基である場合には、塩基又は酸による加水分解
で常法で脱離される。

またアミノ保護基としてアラルキルオキシカルボニル基
（とくにベンジル基を含む）がなお残存する時にはパラ
ジウム、白金、ラネーニツケル、ロジウム、ルテニウム
およびニッケルから選ばれた触媒を用ぃて水素で前述の
条件下で還元より離脱させるがパラジウム一炭素が好ま
しい。またアミノ保護基がアルキルスルホニノ堪、アラ
ルキルスルホニル基、アリールスルホニル基である場合
にも、常法により例えば光化学分解、ラジカルによる分
解、液体アンモニア中のアルカリ金属（たとえばナトリ
ウム）で処理することにより離脱させるが、液体アンモ
ニア中ナトリウムで処理するのが好ましい。かくして得
られた目的物質（）はＣＭ−セフアデツクス等を用いる
クロマトグラフイ精製法によつて精製することが出来る
。第１の本発明の方法では、３′−デオキシパロマミン
１・６−カルバメート誘導体化合物から出発して１−Ｎ
−（α一置換−ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−
５−０−ペントフラノシルネァミン誘導体（）を合成し
たが、３′−デオキシネアミン．１．６−カルバメート
誘導体から出発して第１の本発明の方法と類似の手法で
目的物質（）を合成できることを認めた。

すなわち、第２の本発明においては、次の一般式〔式中
Ｑはアシル基、アロイル基、アルコキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニ
ル基を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｚはアルコキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラル
コキシカルボニル基、アシル基、アロイル基、アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基又はアラルキルス
ルホニル基を表わすアミノ保護基である〕で表わされる
３′−デオキシネアミン１・６−カルバメート誘導体化
合物に次の一般式〔式中Ｒ３はアシル基、アロイル基、
アルコキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニル基
を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｘはハロゲン原子
、アシル基又はアロイル基を表わし、Ｗは基０Ｒ３（但
しＲ３は上記と同一の意義を有する）で示されるアシル
オキシ基を表わす〕で表わされるペントフラノシル化合
物又は次の一般式〔式中Ｒ３及びｗは前記と同一の意義
を有し、Ｒ４はアルキノ堪又はアリール基を表わし、Ｒ
５はアルキル基を表わす〕で表わされるペントフラノシ
ル・オルソエステル化合物を反応させて次の一般式１〔
式中Ｒ３、Ｒ４、Ｑ．Ｚ及びＷは前記と同一の意義を有
する〕で表わされる化合物を生成させ、その後に該化合
物を塩基性条件下で加水分解して１・６−カルバメート
環を開裂させることにより１位アミノ基と６位ヒドロキ
シノレ基を遊離させ、これと同時にヒドロキシル保護基
の一部又は全部を脱離させ、その生成物に次の一般式〔
式中、Ｒ７は−０Ｈ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ８（但し
Ｒ８はアシル基である）を表わし、ｎは１、２、３又は
４の整数を表わし、Ａは水素原子又は公知の一価のアミ
ノ基保護基を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価のア
ミノ基保護基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が一諸
になつて一っの公知の二価のアミノ基保護基を表わす〕
で表わされるアミノ酸化合物又はこれのカルボキシル基
における反応性誘導体を作用させて次の一般式〔式中Ａ
．Ｂ．Ｒ７、Ｚ及びｎは前記と同一の意義を有し、Ｒ″
３は水素原子又はＲ３（Ｒ３は前記と同一の意義を有す
る）を表わし、ｗは水酸基（即ち０Ｈ）又はＷ（Ｗは前
記と同一の意義を有する）を表わし、Ｑ′は水素原子又
はＱ（Ｑは前記と同一の意義を有する）を表わす〕で表
わされる１−Ｎアシル化化合物を生成させ、次いで残存
した保護基があればこれを脱離させることを特徴とする
、次の一般式〔式中、Ｒ７及びｎは前記と同じ意義を有
する〕で表わされる１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノア
シル）−３′−デオキシ−５−０−ペントフラノシルネ
アミン誘導体の製造法が提供される。

この第２の本発明の方法で出発化合物として用いる（）
式の３′−デオキシネアミン１・６−カルバメート誘導
体において、アミノ保護基Ｚは、第１の本発明の方法に
おける出発化合物（１）におけるアミノ保護基Ｚと全く
同種であることができるが、アルキルスルホニル基、ア
ラルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基である
こともできる。

また、４５−ヒドロキシル基の保護基Ｑがアシル基であ
る場合には、その例として炭素数２〜５のアルカノイル
基、特にアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バ
レリル基があげられる。またＱがアロィル基の具体例と
してはベンゾイル基、オルトニトロベンゾイル基、パラ
ニトロベンゾイル基、１−ナフトール基、２−ナフトー
ル基があげられる。またＱがアルコキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニ
ル基である場合は、この型のＱは式ＣＯＯＲ，（但しＲ
９はアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わす
）で表わされ、Ｑがアルコキシカルボニル基である場合
には、これの例として省捉炭素数１〜４のアルコキシカ
ルボニル基、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカ
ル ｌボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポ
キシカルボニル基、ブトキシカルボニル基があげられ、
アリールオキシカルボニル基の例としては、フエノキシ
カルボニル基、パラニトロフエノキシカルボニル基があ
げられる。

アラルコキシカルボニル基の例としてはベンジルオキシ
カルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル
基、パラエトキシベンジルオキシカルボニル基、パラク
ロロベンジルオキシカルボニル基 パラニトロベンジル
オキシカルボニル基があげられる。 ２第２
の本発明の方法において、出発化合物（）に縮合させる
べきペントフラノシル化合物誘導体（）又は（″）は、
第１の本発明の方法で用いられるそれと全く同一である
。また、第２の本発明の方法において出発化合物（）に
反応剤（）乏又は（つを縮合させる反応も、第１の本発
明の方法の場合と全く同じに行い得る。すなわち、この
時の反応溶媒としてはジクロロメタン、クロロホルム、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアシ
ド、ジメチルアセトアジド、アセ ５トニトリル、ニト
ロメタン、ベンゼン、トルエンエーテル等反応に不活性
な溶媒はすべて使用可能である。また反応を促進させる
ためにシアン化第二水銀、臭化第二水銀、炭酸銀、酸化
銀、ピリジン等を加えて反応を行わしめるのが適当であ
る。 ５反応はＯ〜１５０℃の範囲で行われ、反応時間
は０．５〜４８時間である。この縮合反応によつて、上
記の（Ｘ）又は（Ｘ′）式の化合物が生成される。

この化合物（Ｘ）又は（Ｘつについて、１・６−カルバ
メートの開環の ４ためのアルカリ加水分解反応、１−
Ｎ−アシル化反応及び保護基の脱離反応は、第２の本発
明の方法においても、第１の本発明の方法の夫々対応す
る工程の場合と同一の反応条件、同一の手法で行うこと
ができる。かくして最終目的物質として式（）の１−Ｎ
−（α一置換−ω−アミノアシノの−３′−デオキシ−
５−０−ペントフラノシルネアミン誘導体が得られる。
第２，の本発明の方法においては、出発化合物（）は、
１・６−カルバメート環１個を有するものであるが、４
′−ヒドロキシノ堪及び６′−アミノ基の間に形成され
たカルバメート環１個を追加的に有する対応の化合物を
出発化合物として使用しても、第２の本発明の方法と同
様の方法で目的物質（）を合成できることが見出された
。

従つて、第３の本発明においては次の一般式〔式中Ｚは
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基
、アラルコキシカルボニル基、アシル基、アロイル基、
アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はアラ
ルキルスルホニル基を表わすアミノ保護基である〕で表
わされる３′−デオキシネアミン１・６；ｌ・６′−ジ
カルバメート誘導体化合物に次の一般式〔式中Ｒ３はア
シノレ基、アロイノ楳、アルコキシカルボニル基又はア
ラルコキシカルボニル基を表わすヒドロキシル保護基で
あり、Ｘはハロゲン原子、アシル基又はアロイル基を表
わし、ｗは一０Ｒ３（但しＲ３は上記と同一の意義を有
する）で示されるアシルオキシ基を表わす〕で表わされ
るペントフラノシル化合物又は次の一般式〔式中Ｒ３及
びＷは前記と同一の意義を有し、Ｒ４はアルキル基又は
アリール基を表わし、Ｒ５はアルキル基を表わす〕で表
わされるペントフラノシル・オルソエステル化合物を反
応させて次の一般式〔式中Ｒ３、Ｒ４．Ｚ及びＷは前記
と同一の意義を有する〕で表わされる化合物を生成させ
、その後に該化合物を弱塩基性条件下で加水分解して１
・６−カルバメート環を選択的に開裂させることにより
１位のアミノ基と６位のヒドロキシル基を遊離させ、こ
れと同時にヒドロキシル保護基の一部又は全部を脱離さ
せ、その生成物に一般式〔式中、Ｒ７は−０Ｈ、−ＮＨ
２または−ＮＨＲ８（但しＲ８はアシル基である）を表
わし、ｎは１、２、３又は４の整数を表わし、Ａは水素
原子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、Ｂは水
素原子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、若し
くはＡ及びＢは両者が一諸になつて一つの公知の二価の
アミノ基保護基を表わす〕で表わされるアミノ酸化合物
又はこれのカルボキシル基における反応性誘導体を作用
させて次の一般式〔式中、Ｒ７、Ａ．Ｂ．Ｚ及びｎは前
記と同一の意義を有し、Ｒ二は水素原子又はＲ３（Ｒ３
は前記と同一の意義を有する）を表わし、Ｗ′は水酸基
（即ち０Ｈ）又はＷ（Ｗは前記と同一の意義を有する）
を表わす〕で表わされる１−Ｎ−アシル化化合物＊〔式
中、Ｒ７及びｎは前記と同じ意義を有する〕で表わされ
る１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノアシル）−３′−デ
オキシ−５−０−ペントフラノシルネアミン誘導体の製
造法が提供される。

この第３の本発明の方法で出発物質として用いられる（
）式の１・６：４ζ６′−ジカルバメート体において、
アミノ保護基Ｚは、第１の本発明の方法で用いる出発化
合物（）における基ｚとネを生成し、次いで、塩基性条
件下で加水分解して４′・６′一カルバメート環を開裂
させ、これと同時に又はこれ以後に残存した保護基を脱
離させることを特徴とする、次の一般式全く同種であり
得る。

また、（）式の１・６：４′・６／−ジカルバメート体
と縮合させるべきペントフラシル化合物誘導体（）又は
（○も、第１の本発明の方法に用いられるものと全く同
種のものであることができる。第３の本発明の方法にお
ける出発化合物（）と化合物（）又は（″）との縮合反
応も、第１の本発明の方法における出発化合物（１）と
化合物（）又は（○との反応と全く同一の要領で実施で
きる。この縮合反応によつて、（ＸＩ［［）又は（Ｘｍ
つ式の化合物が生成されるが、この化合物について１・
６−カルバメート環を選択的に開環のための加水分解反
応は次の如ぎ条件で行われる。すなわち含水テトラヒド
ロフラン、含水ジオキサン、含水メタノールなどの含水
有機溶媒中で制限された量のアルカリ性試薬たとえば炭
酸ナトリウム、水酸化バリウムを反応液の液性を弱〜微
アルカリ性に保ちつつ常温あるいは常温以下の温度で徐
々に加える。この際より不安定な１・６−カルバメート
環がより安定な４′・６ζカルバメート環に先だつて開
裂される。第３の本発明の方法において、上記のアルカ
リ加水分解による１・６−カルバメート開環反応及びこ
れに伴うヒドロキシル保護基の脱離反応によつて生成し
た４ζ６−カルバメート化合物に対して、次いで、式（
）のアミノ酸化合物を作用させて１−Ｎ−アシル化反応
を行い、また残存アミノ保護基の脱離反応を行なうが、
これらの反応は、第２の本発明の方法の場合と全く同様
に、従つて第１の本発明の方法の対応する工程の場合と
同一の反応条件、同一の手法で実施できる。等しく、目
的生成物として式（）の１−Ｎ−（α一置換−ω−アシ
ル）−３′−デオキシ−５−０−ペントフラノシルネア
ミン誘導体が得られる。第２の本発明の方法で出発物質
として用いられる（）式の３′−デオキシネアミン１・
６−カルバメート誘導体化合物について、これの６′−
アミノ基を６″−アジド基で置き代えた誘導体を用いて
も、これを（）又は（５）式のペントフラノシル化合物
と縮合させ、その後に、６′−アジド基を還元して６″
−アミノ基に転化する工程を挿入するば、第２の本発明
の方法と類似の方法で式（）の目的化合物を合成できる
ことを見出した。

従つて、第４の本発明においては、次の一般式〔式中Ｑ
はアシル基、アロイル基、アルコキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニル
基を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｚはアルコキシ
カルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルコ
キシカルボニル基、アシル基、アロイル基、アルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基又はアラルキルスル
ホニル基を表わすアミノ保護基である〕で表わされる６
′−アジド−６′−デアミノ一３１−デオキシネアミン
１・６−カルバメート誘導体化合物に次の一般式〔式中
Ｒ３はアシル基、アロイル基、アルコキシカルボニル基
又はアラルコキシカルボニル基を表わすヒドロキシル保
護基であり、Ｘはハロゲン原子、アシル基又はアロイル
基を表わし、ｗは基０Ｒ３（但しＲ３は上記と同一の意
義を有する）で示されるアシルオキシ基を表わす〕で表
わされるペントフラノシル化合物又は次の一般式〔式中
Ｒ３及びＷは前記と同一の意義を有し、Ｒ４はアルキル
基又はアリール基を表わし、Ｒ５はアルキル基を表わす
〕で表わされるペントフラノシノいオルソエステル化合
物を反応させて次の一般式〔式中Ｒ３、Ｒ４、Ｑ．Ｚ及
びＷは前記と同一の意義を有する〕で表わされる化合物
を生成させ、その後にその生成物を塩基性条件で加水分
解して１・６−カルバメート環を開裂させることにより
１位アミノ基と６位ヒドロキシル基を遊離させ、これと
同時にヒドロキシル保護基の一部又は全部を除去し、次
にその生成物に次の一般式〔式中、Ｒ７は一、−ＮＨ２
または−ＮＨＲ８（但しＲ８はアシル基である）を表わ
し、ｎは１、２、３又は４の整数を表わし、Ａは水素原
子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、Ｂは水素
原子又は公知の一価のアミノ基保護基を表わし、若しく
はＡ及びＢは両者が」諸になつて一つの公知の二価のア
ミノ基保護基を表わす〕で表わされるアミノ酸化合物又
はこれのカルボキシル基における反応性誘導体を作用さ
せて次の一般式〔式中、Ｒ７、Ａ，．Ｂ及びｎは前記と
同一の意義をし、Ｒ（３は水素原子又はＲ３（Ｒ３は前
記と同一の意義を有する）を表わし、Ｗ′は水酸基（即
ち０Ｈ）又はＷ（Ｗは前記と同一の意義を有する）を表
わしｑは水素原子又はＱ（Ｑは前記と同一の（意義を有
する）を表わす〕で表わされる１−Ｎアシル化化合物を
生成し、次に６′−アジド基を還元してアミノ基に転化
させ、これと同時に又はその以後に、残存した保護基を
脱離させることを特徴とする、次の一般式〔式中、Ｒ７
及びｎは前記と同じ意義を有する〕で表わされる１−Ｎ
−（α一置換−ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−
５−０−ペントフラノシルネアミン誘導体の製造法が提
供される。

この第４の本発明の方法で出発物質として用いられる６
′−アジド体（Ｘ）は、例えば第１の本発明の方法で用
いる出発化合物（１）を酢酸中で加水分解してヒドロキ
シル保護基Ｙを脱離し、遊離したＧ−ヒドロキシノレ基
をスルホン酸エステル化し、この６′−スルホン酸エス
テル基にアジ化化合物を作用させて、６′−アジド基と
し、次に４５一ヒドロキシル基をアシル化して保護する
ことにより調製される。

第４の本発明の方法において出発化合物として用いる６
′−アジド体（ＸＶ）におけるアミノ保護基ｚは、第１
の本発明の方法の出発化合物（１）における基ｚと全く
同種であることができ、またヒドロキシノレ保護基Ｑは
第２の本発明の方法の出発化合物（）における基Ｑと全
く同種であることができる。

また出発化合物（ＸＶ）と、これに縮合すべき化合物（
）又は（″）との縮合反応は、第２の本発明の方法の場
合と全く同じ要領で行われる。これによつて、式（ＸＶ
Ｉ）又は（Ｘつの化合物が生成される。次いで、１・６
−カルバメート環を開裂させるための加水分解反応が第
２の本発明の方法と同様に行われる。さらに式（）のア
ミノ酸化合物を用いる１−Ｎ−アシル化反応、並びに６
′−アジド基を還元して６′−アミノ基に転化する工程
は、第１の本発明の方法における夫々対応の工程と同一
の反応条件、同一の手法で行われる。本発明の方法で製
造された式（）の目的生成物の例をあげると、次Ｑ通り
である。

化合物滝１１−Ｎ−（（ＲＳ）−３−アミノ２−ヒドロ
キシプロピオニノ（へ）−３′−デオキシ−５−０−β
−Ｄ−キシロフラノシルネアミン（新規化合物）。

化合物／Ｆ６２ｌ−Ｎ−（（Ｓ）−３−アミノ−２ーヒ
ドロキシプロピオニル）−３′−デオキシ−５−０−β
−Ｄ−キシロフラノシルネアミン（新規化合物）。

化合物屑３１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２ヒドロキ
シブチリル）−３′−デオキシ−５−０−α−Ｌ−アラ
ビノフラノシルネアミン（新規化合物）。

化合物滝４１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロ
キシブチリル）−３′−デオキシ−５一０−β−Ｄ−リ
ボフラノシルネアミン（即ち公知の３′−デオキシブチ
ロシンＢ）。

化合物滝５１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２ヒドロキ
シブチリル）−３′−デオキシ−５一０−β−Ｄ−キシ
ロフラノシルネアミン（即ち公知の３／−デオキシブチ
ロシンＡ）。

一般式（）のこれら１−Ｎ−（α一置換−ω−アミノア
シル）−３／−デオキシ−５−０−ペントフラノシルネ
アミン誘導体化合物は、グラム陰性菌、陽性菌等を含め
て広範囲の細菌に対して抗菌力を有し、これらの抗菌ス
ペクトルは下記の表１に示す通りである。

最低阻止濃度（Ｍ．Ｉ．Ｃ．）（ＭｃｆＶｍｌ）は培養
温度３７℃、培養時間１８時間で測定したが、但しミコ
バクテリウム・スメグマティスの場合の培養時間は４８
時間であつた。また本発明で使用される出発物質である
一般式（１）、（）、（）及び（ＸＶ）の化合物はいず
れも新規物質であつて、その製造法の例は後に参考例と
して示した。次に第１の発明の実施を示す実施例１〜２
、第２の本発明の実施を示す実施例３〜５、第３の本発
明の実施を示す実施例６、第４の本発明の実施を示す実
施例７〜１１により本発明がさらに詳細に説明する。

なお、各実施例に用いた出発物質の調製例は参考例で示
す。実施例 １ （ａ）下記の式で示される４″・６′−０−ベンジリデ
ン−３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３
′−デオキシパロマミン １・６−カルバメート５０８
Ｔ！！ｆ（後記の参考例１又は２参照）を無水ジクロロ
メタン１５ｍ１に懸濁させ、無水硫酸カルシウム３′Ｉ
７とシアン化第２水銀１ｙを加え ２た後２・３・５−
トリ−０−（ｐ−ニトロベンゾイル）−０−リボフラノ
シル・プロマイド１．５ｆ（参考例８参照）を加えて一
夜激しく撹拌して縮合反応を行つた。

不溶物を沢去した後、沢取物をジクロロメタンでよく洗
滌し、沢液と ２洗液とを合し、順次飽和炭酸水素ナト
リウム溶液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フイ一によりクロロホルム一酢酸エチル（３：１）を展
開系として精製し、下記の式の４′・６１−０−ベンジ
リデン−３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
−３／−デオキシ５−０−（２・３・５−トリ−０−ｐ
−ニトロベンゾイル−β−Ｄ−リボフラノシル）パロマ
ミン １・６−カルバメートを含む部分を集め濃縮乾固
した。

収量６２５ワ〔α〕も０＋２６濃（ｃ１、クロロホルム
）分廿腎直：Ｃ５８．６ｌＨ４．３８Ｎ６．５８（％）
計算値（Ｃ６２Ｈ５６Ｎ６Ｏ２４として）；Ｃ５８，６
７Ｈ４，４５Ｎ６．５２（％）（ｂ）上記で得られた物
質５００叩を７０％酢酸に溶解し、８０℃で１時間加熱
した。

減圧で溶媒を留去後、残渣をクロロホルムに溶解し、そ
の溶液を水洗した後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒を留去し、下記の式で示される３・２′ジ一Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル一３″−デオキシ−５−０−（２
・３・５−トリ−０−ｐニトロベンゾイル一β−Ｄ−リ
ボフラノシル）パロマミン １・６−カルバメートの固
体３８０ηを得た。

（ｃ）このようにして得られた物質７５０ヮをピリジン
１５ｍ１に溶解し−１０℃に冷却しｐ−トルエンスルホ
ニルクロリド５００ηを加え、同温度にて一夜放置した
。

少量の水を加えて後溶液を濃縮しシロツプを得た。これ
をクロロホルムに溶解しその溶液を０．４規定硫酸水素
カリウム溶液、飽和炭酸水素ナトリウム溶液、水で順次
洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後濃縮し固体を得
た、これをシリカゲルカラムによりクロロホルム一酢酸
エチル（３：１）を展開剤として精製した。下記の式で
示される３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
−３′−デオキシ−５−０−（２・３・５−トリ−０−
ｐ−ニトロベンゾイル−β−Ｄリボフラノシル）−６し
Ｏ−トシルパロマミン １・６−カルバメートの固体６
３３ηを得た。

〔α〕賃＋４カ（ＣＯ．４、クロロホルム）分析値：Ｃ
５５．６３Ｈ４．２９Ｎ６．Ｏ３Ｓ２ ．ｌ８（％） 計算値（Ｃ６２Ｈ５８Ｎ６Ｏ２６Ｓとして）Ｃ５５．７
７Ｈ４．３８Ｎ６．２９Ｓ２．４Ｏ（％） ］）本物質６２７〜を無水ジメチルホルムアミド１２ｍ
１に溶解し、アジ化ナトリウム５００▼を加えて６０℃
にて７時間撹拌した。

反応液を沢過し沢液を減圧で留去した。残渣をよく水洗
後乾燥し、さらにジオキサンに溶解し、溶液を沢過し、
沢液より溶媒を留去し、下記の式で示される６１−アジ
ド−３・２−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３／
・６５−ジデオキシ−５−０一（２・３・５−トリ−０
−ｐ−ニトロベンゾイル−β−Ｄ−ニボフラノシル）パ
ロマシン１・６−カルバメートの固体４３０ｍ９を得た
。

〔α〕賀＋６．５Ｄ（ＣＯ．８、クロロホルム）分杉百
直 ： Ｃ５４．６２Ｈ４．ｌｌＮｌＯ．７７（％）計算値（Ｃ
５５Ｈ５ｌＮ９Ｏ２３として）Ｃ５４．７７Ｈ４．２６
ＮｌＯ．４５（％）（ｅ）本物質４１０ηをとり、これ
をジオキサン２０ｍ１に溶解し、溶液を６０℃に加温し
、これに０．１Ｎ水酸化バリウム溶液２２ｍ１を徐々に
３時間かけて添加した。

炭酸ガスを吹き込んで後析出した沈殿を沢過し沢液を濃
縮乾固した。得られた固体をジオキサンに溶解し溶液を
沢過し、沢液を濃縮し下記式で示される６／−アジド−
３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３ζ６
仁ジデオキシ−５−０−β−Ｄ−リボフラノシルパロマ
ミンの固体２５０ηを得た。

赤外線吸収スペクトルで２１００（アジド基）、１７０
０鑞−１に吸収を確認した。（ｆ）ここで得られた物質
５０ηをテトラヒドロフ ２ラン０．８ｍ１に溶解せし
め（Ｓ）−４−ベンジルォキシカルボニルアミノ一２−
ヒドロキシ酪酸のＮ一ヒドロキシサクシンイミドエステ
ル３２即を加え且つトリエチルアミン１０ｒｎ９を加え
た後室温で１時間反応せしめて１−Ｎ−アシル化を行２
つた。

反応液を沢過し、沢液を濃縮乾固し、その残渣をクロロ
ホルムに溶解しこの溶液を０．４規定硫酸水素カリウム
溶液、ついで飽和炭酸水★素ナトリウムで洗滌し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。▲過後▲液を濃縮乾固し、
この残渣をゾリカゲルカラムクロマトグラフイ一により
クロロホルム−メタノール（１０：１）を展開系として
展開し、目的とする部分を集め、濃縮乾固し、下記式で
示される６５−アジド−３・２７−ジ一Ｎベンジルオキ
シカルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）一４−ベンジルオキシ
カルボニルアミノ一２＝ヒドロキシブチリル）−３ζ６
′−ジデオキシ−５−Ｏ−β−Ｄ−リボフラノシルパロ
マミン２４ηを得た〔α〕υ＋１８．５キ（ＣＯ．３、
クロロホルム）分析値， Ｃ５５．６２、Ｈ５．８ｌ、Ｎ９．９５（％）計算値（
Ｃ４５Ｈ５７Ｎ７Ｏｌ７として） ３Ｃ５
５．８４、Ｈ５．９４、ＮｌＯ．ｌ３（％）（ｇ）この
ようにして得られた６１−アシド−３・２／ジ一Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル一１−Ｎ−（（Ｓ）−４−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ２−ヒドロキシブチリル）
−３５・６しジデオ ｌキシ一５−０−β−Ｄ−リボフ
ラノシルパロマ８５０５Ｔ１９（参考例３参照）を無水
ジクロロメタン１５ｍ２に懸濁させ、以下、実施例１（
ａ）と同様に２・３・５−トリ−０−（ｐ−ニトロベン
ゾミン３４Ｔ９をジオキサン０．６ｍ１に溶解し、水０
．４ｍ１を加えて後、酢酸１滴を加え、パラジウム黒を
触媒として水素にて還元した。

反応液を沢過し、沢液を濃縮乾固して粉末を得た。これ
を水に溶解し、ＣＭ−セフアデツクスＣ−２５のカラム
によりアンモニア（０．１〜０．４規定に順次濃度を増
大させる）を展開剤として展開し、最終目的物である下
記式で示される１−Ｎ一（（？−４−アミノ−２−ヒド
ロキシブチリル）−３′−デオキシ−５−０−β−Ｄ−
リボフラノシルネアミンの固体１０ηを得た、〔α〕Ｆ
＋２６．３フ（Ｃｌ．水）実施例 ２ （ａ）下記の式で示される３・２１−ジ一Ｎ−ベンジル
オキシカルボニル−４′・６′−０−シクロヘキシリデ
ン一３仁デオキシパロマミン １・６一カルバメートク
ロヘキシリデン一 ３’−デオキシ−５ −０一（２・
３・５−トリ−０ −ｐ −ニトロベンゾイル−β−Ｄ
−リボフラノゾル）パロマミン １・６−カルバメート
の固体６１１Ｔｆ！Ｉｆ７を得た。

〔α〕Ｗ＋１０゜（ｃｌ、クロロホルム）分析値： Ｃ５７．８３Ｈ４．９２Ｎ６．５８（％）計算値（ Ｃ
６ｌＨ６ＯＮ６Ｏ２４として）Ｃ５８．Ｏ９Ｈ４．８Ｏ
Ｎ６．６６（％）（ｂ）本物質５００〜を７０％酢酸に
て溶解し、８５℃で１０時間加熱した。

以下、実施例１（ｂ）と同様に処理し３ ・ ２’−ジ
一Ｎ −ベンジルオキシカルボニル− ３ ′−デオキ
シ−５−０−（２ ・３・５−トリ−０−ｐ−ニトロベ
ンゾイル−β−Ｄ −リボフラノシル）パロマミン １
・６−カルバメート３５０〜を得た。本物質は以下実施
例１（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）と同様に
処理して最終目的化合物の１−Ｎ −（（Ｓ）− ４
−アミノ−２−ヒドロキシブチリル）− ３ ′ −デ
オキシ−５一ｏ−β−Ｄ −リボフラノJャ泣lアミンに
誘導された。実施例 ３ （ａ）下記の式で示される３ ・ ２’・ ６’一トリ
一Ｎベンジルオキシカルボニル− ３’−デオキシ−
４’一０−α−ナフトイルーネアミン １・６−カルバ
メート８３η（参考例４参照）を無水ジクロロメタン１
ｍ１に懸濁せしめ無水硫酸カルシウム４００ｍ１１シア
ン化第二水銀１７０ηを加えて後、トリ一０−ベンゾイ
ル−Ｄ−キシロフラノシル・ブロマイド０．３ｍ１のジ
クロロメタン溶液を加え＝夜激しく攪拌した。

不溶物を沢去した後、沢取物をジクロロメタンでよく洗
滌し、沢液と洗液とを合し、飽和炭酸水素ナトリウム溶
液、水で順次洗い、無水硫※酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を留去した。

残渣をカラムクロマトグラフイ一によりクロロホルム一
酢酸エチル（２：１）を展開系として精製し所期の物質
である下記の式で示される５−０（２・３・５−トリ−
０−ベンゾイル−β−Ｄ−キゾロフラノシル）−３・２
ζ６しトリＮ−ベンジルオキシカルボニル一３′−デオ
キシ４′−０−α−ナフトイルネアミン １・６カルバ
メートを含む部分を集め、濃縮乾固した。収量７８即。
〔α〕智＋１６．３ロホルム） 分析値： Ｃ６６．４６Ｈ５．３８Ｎ４．ｌ９（％）計算値（Ｃ７
４Ｈ６８Ｎ４Ｏ２Ｏとして）Ｃ６６．６６Ｈ５．ｌ４Ｎ
４，２Ｏ（％）（ｂ）本物質６０ηをジオキサン３ｍ１
に溶解し、溶液を６０℃に加温し、これに０．１規定水
酸化バリウム溶液３．３ｍ１を攪拌しつつ徐々に３時間
かかつて投入した。

炭酸ガスを吹きこんで後析出した沈殿を▲過し、沢液を
濃縮乾固した。得られた固体をジオキサンに溶解し、溶
液を沢過後、沢液を濃縮し、次式で示される３・２″・
６″一トリ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３１・６
′ジデオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノシル パ
ロマミンを得た。

（ｃ）本物質を実施例１（ｆ）と同様に（Ｓ）−４−ベ
ンジルオキシカルボニルアミノ一２−ヒドロキシ酪酸の
Ｎ−ヒドロキシサクシンイミドエステルと反応、処理し
、さらに実施例１（ｇ）と同様にしてパラジウム黒を触
媒として水素で還元処理した。

１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロキシブチリ
ル）−３′−デオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノ
シルネアミンが得られた。

〔α〕賃＋２２ネ（Ｅｌ．水） 実施例 ４ （ａ）次の式で示される３／−デオキシ−３！・２′・
６５トリ−Ｎ−エトキシカルボニル−４７−０−α−ナ
フトイルーネアミン １・６−カルバメート７５ワ（参
考例５参照）を無水ジクロロメタン１ｍ１に懸濁せしめ
実施例３（ａ）と同様の条件下でトリ−０−ベンゾイル
−Ｄ−キシロフラノシル・プロマイドを反応させ下記の
式で示される５一０−（２・３・５−トリ−０−ベンゾ
イノレ一β一Ｄ−キシロフラノシル）−３′−デオキシ
−３・２ζ６′一トリ一Ｎ−エトキシカルボニル−４！
０−ナフトイルネアミン １・６−カルバメートJモV〜
を得た。

〔α〕智＋１８６（り、クロロホルム）撹拌しつつ徐々
に３時間かかつて投Ｘした。

炭酸ガスを吹きこんで後、析出した沈殿を▲過し、▲液
を蒸発乾固した。得られた固体をジオキサンに溶解し溶
液を▲過後、濃縮した。３！−デオキシ−３・２ζ６′
一トリ一Ｎ−エトキシカルボニル−５−０−β−Ｄ−キ
シロフラノシルネアミン３０．５ηを得た。

（ｃ）本物質をテトラヒドロフランに溶解せしめ、これ
に、あらかじめ（Ｓ）−２−ヒドロキシ−４プタロール
アミノ酪酸２５ワ、Ｎ−ヒドロキシサクシンイミド１１
〜およびシンクロヘキシルカルボイミド２２ηを無水テ
トラヒドロフラン中で混合し反応せしめて合成した上記
酪酸の活性エステルを加え、一夜室温で攪拌した。

析出した沈殿を沢去後溶液を濃縮し次式で示される３′
−デオキシ−３・２１゛・６′一トリ一Ｎ−エトキシカ
ルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）−２−ヒドロキシ４−フタ
ロイルアミノブチリル）−５−０β−Ｄ−キシロフラノ
シルネアミン を含む固体を得た。

これをシリカゲルカラムクロマトグラフイ一によりクロ
ロホルム−メタノール（１０：１）を展開系として精製
し固体１３ηを得た。〔α〕甘＋１９て（ＣＯ．ｌ、ク
ロロホルム）（ｄ） このようにして得られた物質２４
ワを使用し、これを８０％エタノール水に溶解し、少量
の抱水ヒドラジンを加え６０℃で２時間反応せしめた。

反応液を濃縮後、濃縮液をクロロホルムで処理しその不
溶分をとり、アセトンと混合せしめた。氷室中一夜放置
後アセトン不溶分をとり、ＣＭ−セフアデツクスＣ−２
５のカラムで０．１〜０．４規定のアンモニアを展開剤
として展開し目的物質を含む部分を集め濃縮乾固し１−
Ｎ（（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロキシブチリル）−
３′−デオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルネ
アミン５．１即を得た。〔α〕賃＋２２５（ｃ１、水） 実施例 ５ 下記式で示される３″−デオキシ−４″−０−αナフト
ール−３・２ζ６′一トリ一Ｎ−フエノキシカルボニル
ネアミン １・６−カルバメート８０即（参考例６参照
）を無水ジクロロメタン１ｍ１に懸濁せしめ実施例３（
ａ）と同様の方法によつてトリ−０−ベンゾイル−Ｄ−
キシロフラノシル・プロマイドを縮合せしめ、下記式に
示す５−０（２・３・５−トリ−０−ベンゾイル−β−
Ｄキシロフラノシル）−３′−デオキシ−４′−０−α
ナフトール−３・２′・６′一トリ一Ｎ−フエノキシカ
ルボニルネアミン １・６−カルバメート７６▼を得た
。

〔α〕甘＋１７ト（ｃ１、クロロホルム）分析値Ｚ２Ｃ
６５．８ｌＨ４．７３Ｎ４．２４（％）計算値（Ｃ７ｌ
Ｈ６２Ｎ４Ｏ２Ｏとして）Ｃ６６．Ｏ４Ｈ４．８４Ｎ４
．３４（％）本物質を実施例１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
と同様にして処理し１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２
−ヒドロキシフチリル）−３仁デオキシ−５−０−β−
Ｄ−キシロフラノシルネアミンを得た。

実施例 ６ （ａ）下記の式で示される３・２！−ジ一Ｎ−ベンジル
オキシカルボニル一３′−デオキシネアミン１ ・６；
４ζ６′−ジカルバメート５８▼（参考例７参照）を無
水シンクロメタン１ｍ１に懸濁せしめ、実施例１（ａ）
と同様にしてトリ一０−ベンゾイル一Ｄ−キシロフラノ
ンル゜プロマイドを縮合せしめて、下記の式で示される
５−０−（２・３・５−トリ−０−ベンゾイル−β−Ｄ
−キシロフラノシル）−３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオ
キシカルボニル−３７−デオキシネアミン １・６：４
ζ６／−ジカルバメート１７Ｔｆ１９を得た。

〔α〕π＋１６ロロホルム） 分析値： Ｃ６２．Ｏ７Ｈ５．ｌ３Ｎ５．ｌ２（％）計算値（Ｃ５
６Ｈ５４Ｎ４Ｏ，，として）Ｃ６ｌ．８７Ｈ５．ＯｌＮ
５．ｌ５（％） ２（ｂ）本物質１５〜をジオキサ
ン２ｍ１に溶解し、これに０．０５規定水酸化バリウム
溶液を５０℃に※おいて少しづつ加え反応液が恒常的に
微アルカリ性を保つ時点で反応を止め炭酸ガスで中和し
た。

析出した沈殿を沢過し沢液を濃縮乾固した。下記式で示
される３・２″−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−
３′−デオキシ−５−０−βＤ−キシロフラノJャ泣lア
ミン４′・６′一カーバメートを含む固体が得られるが
、これを含水ジオキサン（１：５）に溶解し、沢過後再
び溶媒を留去した。

収量１１ｍｆ７（ｃ）本物質を実施例４（ｂ）と同様に
して処理して・（Ｓ）−２−ヒドロキシ４−プタロール
アミノ酪酸を１位のアミノ基に縮合せしめた。

さらに実施例５（ｃ）、（ｄ）と同様に処理して１−Ｎ
−（Ｓ）−４アミノ−２−ヒドロキシブチリル）−３′
−デオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルネアミ
ンを得た。実施例 ７ （ａ）次の式で示される６５−アジド−３・２／−ジＮ
−ベンジルオキシカルボニル−３ζ６′−ジデオキシ−
４１−０−（α−ナフトール）パロマミン １・６−カ
ルバメート１０３η（参考例３参照）を無水ジクロロメ
タン２ｍ１に懸濁せしめ、無水硫酸カルシウム（ドライ
ライト）６００〜、シアン化第二水銀３５０ｍ９を加え
た後、２・３・５−トリ−０（ｐ−ニトロベンゾイノ（
ハ）−Ｄ−リボフラノシル・プロマイド３３０Ｔｆ９を
加え一夜激しく攪拌した。

不溶物を沢去した後、沢取物をジクロロメタンでよく洗
滌し、沢液と洗液とを合し順次飽和炭酸水素ナトリウム
溶液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を
留去した。残渣をカラムクロマトグラフイ一によりクロ
ロホルム一酢酸エチル（３：１）を展開系として精製し
、所期の物質である次式で示される６″−アジド−３・
２７−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル一３１・６′
−ジデオキシ−４′−０−（α−ナフトール）−５−０
（２・３・５−トリ−０一ｐ−ニトロベンゾイル−β−
Ｄ−リボフラノシル）パロマミン １・６−カルバメー
トを含む部分を集め濃縮乾固した。

収量１１９１１１９、〔α〕智＋２５め（ｃ１、クロロ
ホルム）分析値： Ｃ５８．Ｏ４Ｈ４．３２Ｎ８．９９（％）計算値（Ｃ６
６Ｈ５７Ｎ９Ｏ２４として）Ｃ５８．２８Ｈ４．２２Ｎ
９．２７（％）（日 このようにして得られた６／−ア
ジド−３・２７−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−
３ζ６′−ジデオキシ−４／−０−（α−ナフトール）
一５−０−（２・３・５−トリ−０−ｐ−ニトロベンゾ
イル−β−Ｄ−リボフラノシル）パロマミン １・６−
カルバメート４６２ηをジオキサン２０ｍ１に溶解し、
実施例１（ｅ）と同様に水酸化バリウムで処理して実施
例１（ｅ）で得たと同一の６′−アジド−３・２１−ジ
一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３７・６！−ジデオ
キシ−５−０β−Ｄ−リボフラノシルパロマミン２４５
ワを得た。

以下、本物質を実施例１（ｆ）、（ｇ）と同様に処理し
て１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロキシブチ
リル）−３′−デオキシ−５−０−β−Ｄリボフラノシ
ルネアミン（すなわち３／−デオキシブチロシンＢ）を
得た。

こ施例 ８ ０１７０即のテトラ−０−ベンゾイル一Ｄ−キシロブラ
ノースを文献記載の方法（Ｊ．Ｊ．ＦＯｘ，．Ｊ．Ｆ．
ＣＯｄｉｎｇｔＯｎ．Ｎ．Ｃ．Ｙｕｎｇ．Ｌ．Ｋａｐｌ
ａｎ及びＪ．Ｏ．Ｌａｍｐｅｎｌ「ジヤーナル●オブ・
アメリカン・ケミカルソサエテイ・−」８０巻・５１５
５頁・１９５８年）にて処理して、相当するブロム糖を
得た。

次に６′−アジド−３・２７−ジ一Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル−３１・６１−ジデオキシ−４７０−（α−
ナフトール）パロマミン１・６−カルバメート７８ヮ（
参考例３参照）を無水ジクロロメタン１ｍ１に懸濁せし
め、無水硫酸カルシウム４００即、シアン化第二水銀１
７０ηを加えた後、上記ブロム糖の０．３ｍ１のジクロ
ロメタン溶液を加え一夜激しく攪拌した。

不溶物を沢去した後、▲取物をジクロロメタンでよく洗
滌し、沢液と洗液とを合し、順次飽和炭酸水素ナトリウ
ム溶液、水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。

残渣をカラムクロマトグラJャC一によりクロロホルム一
酢酸エチル（２：１）を展開系として精製し所期の物質
である６′−アジド−５−０−（２・３・５−トリ−０
−ベンゾイル−β−Ｄ−キシロフラノシル）−３・２′
−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３７・６７−ジ
デオキシ−４／−０α−ナフトイルパロマミン １・６
−カルバメートを含む部分を集め濃縮し乾固した。

収量７５〜、〔α〕＋１８．５濃（ｃ１、クロロホルム
）分析値：Ｃ６４．９３Ｈ４．８ｌＮ６．６６（％）計
算値（Ｃ６６Ｈ６ＯＮ６Ｏｌ３として：Ｃ６４．７ＯＨ
４．９４Ｎ６．８６（％）（ｂ）本物質６０ｍ９をジオ
キサン３ｍ１に溶解し、溶液を６０℃に加温し、これに
０．１規定水酸化バリウム溶液３．３ｍ１を攪拌しつつ
徐々に３時間かかつて投人した。

炭酸ガスを吹きこんで後、析出した沈殿を沢過し、沢液
を濃縮乾固した。得られた固体をジオキサンに溶解し、
溶液を▲過後、沢液を濃縮し次式で示される６″−アジ
ド−３・２７−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル一３
７・６７−ジデオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノ
シルバロマミン３９．８ｍｙを得た。

赤外線吸収スペクトル：２１００及び１７００Ｃ７ｒＬ
−１（ｃ）本物質５０ηをテトラヒドロフラン０．８ｍ
１に溶解し、実施例１（ｆ）と同様に１−Ｎ−アシル化
反応を行い処理して６７−アジド−３・２／−ジＮ−ベ
ンジルオキシカルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）一４−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−２ヒドロキシブチリル）
−３′・６′−ジデオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフ
ラノシルノ柘マミン１９ηを得た。

分析値． Ｃ５５．９３Ｈ５．７ＯＮ９．８Ｏ（％）計算値（Ｃ４
５Ｈ５７Ｎ７Ｏｌ７として、）Ｃ５５．８４Ｈ５．９４
ＮｌＯ．ｌ３（％）（ｄ）本物質３５ｍｆ！をジオキサ
ン０．６ｍ１に溶解し、実施例１（ｇ）と同様に処理し
１−Ｎ−（（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロキシブチリ
ル）−３′−デオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノ
シルネアミン（３１−デオキシブチロシンＡ）の固体１
０ワを得た。

〔α〕賃＋２３ロ（ｃ１、水）辷施例 ９ １）実施例８（ｂ）で得た６′−アジド−３・２′−ジ
一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′・６′−ジデオ
キシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルパロマミン５
０ηをテトラヒドロフラン０．８ｍ１に溶解し（ＲＳ）
−３−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−ヒドロキ
シプロピオン酸のＮーヒドロキシサクシンイミドエステ
ル３０〜を加え、トリエチルアミン１０ワを加えた後室
温で１時間反応せしめた。

以下実施例１（ｆ）と同様に後処理して下記の式で示さ
れるところの６′−アジド−３ζ２′−ジ一Ｎ−ベンジ
ルオキシカルボニル一１−Ｎ−（ＲＳ）−３−ベンジル
オキシカルボニルアミノ−２−ヒドロキシプロピオニル
）−３ζ６１−ジデオキシ−５−０−β−Ｄ一キシロフ
ラノシルパロマミンの固体２６７ｒ１９を得た。

〔α〕υ＋１５く（ｃ（ＣＯ．２、クロロホルム）（ｂ
）このようにして得られた本物質３２Ｔ！Ｚ９をジオキ
サン０．６ｍ１に溶解し実施例１（ｇ）と同様に処理
〕して１−Ｎ−（（ＲＳ）−３−アミノ−２−ヒドロキ
シプロピオニル）−３′−デオキシ−５−０一β−Ｄ−
キシロフラノシルネアミン ９．６ｍ９を得た。

〔α〕賃＋２５．５ネ（ｃ１、水）実施例 １０（ａ）
実施例８（ｂ）で得た６″−アジド−３・２″−ジＮ−
ベンジルオキシカルボニル−３′・６″−ジデオキシ−
５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルパロマミン５０ｍ９
をテトラヒドロフラン０．８ｍ１に溶解し、（Ｓ）−３
−ベンジルオキシカルボニルアミノ一２−ヒドロキシプ
ロピオン酸のＮ−ヒドロキシサクシンイミドエステル３
０７ｒ１９を加えトリエチルアミン１０ηを加えた後室
温で１時間反応せしめた。

以下実施例１（ｆ）と同様に後処理して６′−アジド−
３・２仁ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−１−Ｎ−
（（Ｓ）−３−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−
ヒドロキシプロピオニル）−３′・６／−ジデオキシ−
５−０−β一Ｄ−キシロフラノシルパロマミンの固体２
５ηを得た。〔α〕青＋１３ロ（Ｃ２、クロロホルム）
分析値： Ｃ５５．３６Ｈ５．７２ＮｌＯ．３８（％）計算値（Ｃ
４４Ｈ５５Ｎ７Ｏｌ７として）Ｃ５５．４ＯＨ５．８ｌ
ＮｌＯ．２８（％））） このようにして得られる本物
質３２即をジオキサン０．６ｍ１に溶解し実施例１（ｇ
）と同様に処理し、下記式で示される１−Ｎ−（（Ｓ）
−３−アミノ−２−ヒドロキシプロピオニル）−３１−
デオキシ−５−０−β−Ｄ−キシロフラノシルネアくン
の固体９．８ワを得た。

〔α］賃＋２１１（ｃ１、水）分杉百直： Ｃ４３．Ｏ８Ｈ６．９３Ｎｌｌ．７ｌ（％）計算値（Ｃ
２ＯＨ３９Ｎ５Ｏｌ，・Ｈ２ＣＯ３として）Ｃ４２．９
２Ｈ７．Ｏ３Ｎｌｌ．９２（％）実施例 １１（ａ）メ
チルトリ−０−ベンゾイル−α−Ｌ−アラビノフラノシ
ド（Ｒ．Ｂａｒｋｅｒ及びＨ．Ｇ．Ｆｌｅｃｈｅｒ．Ｊ
ｒ．ジャーナル・オブ・オルガニツク・ケミストリ一、
２６巻、４６０５（１９６１年））をメタノール中ナト
リウムメトキサイドの作用によりメチルα−Ｌ−アラビ
ノフラノシドに導いた。

これをピリジン中無水酢酸の作用によりメチルトリ−０
−アセチル−α−Ｌ−アラビノフラノシドに導いた。

この物質１０８ηを酢酸１ｍ１に溶解し、無水酢酸０．
０５ｍ１、臭化水素酸飽和酢酸０．２５ｍ１を加え、６
０℃２時間放置した。反応溶液を減圧で濃縮し糖プロマ
イドのシロツプを得た。このシロツプを無水ジクロロメ
タン１ｍ１に溶解し無水硫酸カルシウム１７０ワ、６５
−アジド３・２１−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
３ζ６／−ジデオキシ−４′−０−（α−ナフトール）
パロマミン１・６−カルバメート１０４ワ、さらにシア
ン化第二水銀１７３ワを加え、常温で一夜激しく撹拌し
た。

反応液を沢過し、沢液を炭酸水素ナトリウム水溶液、水
で順次洗滌後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮し、次
式で示される５−０−（２・３・５−トリ−０アセチル
一α−Ｌ−アラビノフラノシル）６１−アジド−３・２
１−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３／・６１−
ジデオキシ−４／−０−αナフトイルパロマミン １・
６−カルバメート〔但しＡｃはアセチル基］を含む固体
を得た。

これをシリカゲルカラムクロマトグラフイ一によりクロ
ロホルム−エタノール（５０：１）を展開剤として展開
し目的物質を含む部分を集め、闘濃縮し、固体９８ワを
得た。〔α〕智＋２６め（ｃ１、クロロホルム）分析値
： Ｃ５８．８７Ｈ５．３ｌＮ７．８２（％）計算値 Ｃ５
ｌＨ５４Ｎ６Ｏｌ８として：Ｃ５８．９５Ｈ５．２４Ｎ
８．Ｏ９（％）（ｂ）本物質６０〜をジオキサン３０ｍ
１に溶解し、実施例１（ｅ）と同様に処理して５−０−
α−Ｌ−アラビノフラノシル一６５−アジド−３・２／
−ジＮ−ベンジルオキシカルボニル−３７・６７−ジデ
オキシパロマミンの固体３７ηを得た。

（ｃ）このようにして得られた５−０−α−Ｌ−アラビ
ノフラノシル一６′−アジド−３・２′−ジ一Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−３ζ６″−ジデオキシパロマミ
ン５０即をテトラヒドロフラン０．８ｍ１に溶解せしめ
（Ｓ）−４−ベンジルオキシカルボニルアミノ一２−ヒ
ドロキシ酪酸のＮ−ヒドロキシサクシンイミドエステル
を使用し、実施例１（ｆ）と同様に処理して５−０−α
−Ｌ−アラビノフラノシル一６′−アジド−３・２′−
ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−１−Ｎ−（（Ｓ）
４−ベンジルオキシカルボニルアミノ一２ヒドロキシブ
チリル）−３ζ６７−ジデオキシパロマミン １７ｍ９
を得た。

〔α〕昭＋２００（ｃ１、クロロホルム）分析値． Ｃ５５．７ｌ、Ｈ５．７５、ＮｌＯ．Ｏ６（％）計算値
Ｃ４５Ｈ５７Ｎ７Ｏｌ７として：Ｃ５５．８４、Ｈ５
．９４、ＮｌＯ．ｌ３（％）Ｃｉ）このようにして得ら
れた本物質３５ワをジオキサン０．６ｍ１に溶解し、実
施例１（ｇ）と同様に処理して下記式で示される１−Ｎ
−（Ｓ）−４−アミノ−２−ヒドロキシブチリル）−５
−０−αＬ−アラビノフラノシル一３１−デオキシネア
ミンの固体８８叩を得た。

〔α〕貨＋２９−（ｃ１、水）分析値 Ｃ４４、３０、Ｈ７．ｌｌ．Ｎｌｌ．３３（％）計算値
Ｃ２ｌＨ４ｌＮ５Ｏｌｌ・Ｈ２ＣＯ３として：Ｃ４３
．９２、Ｈ７．２Ｏ，．Ｎｌｌ．６４（％）参考例 １
（ａ） トリ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３／−
デオキシパロマミン３′−デオキゾパロマミン５．３２
ｙを水２６ｍ１闘に溶解し、炭酸ナトリウム５．４７を
加え、撹拌しつつメタノール８５ｍ１を加えた。

この沈殿を含む混液に撹拌しつつ塩化ギ酸ベンジル（Ｃ
ｌＣＯＯＣＨ２Ｃ６Ｈ５）７．０８ｆ７を滴下した。

２時間後沢過し、沢取物を水およびエーテルで ３洗つ
て後乾燥した。

収量９．０ｆ、〔α］Ｍ＋４３た（ＣＯ．５、ジオキサ
ン）。

分析値：Ｃ６Ｏ．７Ｏ．Ｈ６．Ｏ６、Ｎ５．６３％計算
値 （Ｃ３６Ｈ４３Ｎ３Ｏｌ２として）：Ｃ６Ｏ．９２
、Ｈ６．ｌｌ、Ｎ５．９２％ｂ） ３・２１−ジ一Ｎ−
ベンジルオキシカルボニル３／−デオキシパロマミン１
・６−カルバメート前項（ａ）の生成物１０７を無水ジ
メチルホルムアミド２５０ｍ１に溶解し、５０％油性水
素化ナトリウム２ｙを加え、氷冷下２．５時間攪拌した
。

酢酸４ｍ１を加えて後反応混合液を濃縮し、その濃縮液
を氷水中に投人した。析出した沈殿を沢取し、水洗し、
乾燥した。次式 （但しＢｚはベンジル基）で示される表題化合物を得た
。

収量６．６ｔ０（ｃ） ４″・６仁０−ベンジリデン−
３．２′−ジ一Ｎベンジルオキシカルボニル−３′−デ
オキシパロマミン １・６−カルバメート前項（ｂ）の
生成物１．２ｙを無水ジメチルホルムアミド２５ｍ１に
溶解し、これにｐ−トルエンスルホン酸７０即、ベンズ
アルデヒドジメチルアセタール３ｙを加え５０℃で３０
１ｔｍ水銀柱減圧下に１時間加熱した。

溶液を減圧下ほとんど濃縮し、濃縮液を大量のクロロホ
ルムに溶解し、この溶液を炭酸水素ナトリウム溶液で洗
浄後、さらに水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃
縮乾固して表題の化合物を得た。収量１，１６ｆ１〔α
〕智＋３２化（Ｃｌ．ジオキサン）：赤外線吸収スペク
トル：１７６０ＣＴＩＬ−１（環状カルバメート）。分
析値． Ｃ６２．４７、Ｈ５．６８、Ｎ６．ｌ２％計算値（Ｃ３
６Ｈ３９Ｎ３Ｏｌｌとして）：Ｃ６２．６９、Ｈ５．７
Ｏ、Ｎ６．Ｏ９％参考例 ２ （ａ） トリ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−４ζ６
′−０−シクロヘキキシリデン一３″−デオキシパロマ
ミントリ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′デオキ
シパロマミン２．５７をジメチルホルムアミド４０ｍ１
に溶解しこれにｐ−トルエンスルホン酸１００即、１・
１−ジメトキシシクロヘキサン４ｍ１を加え５０℃で１
時間加温した。

溶液の大部分を減圧下濃縮した後この濃縮液に６０％酢
酸５０ｄを加え、この混合液を３０℃にさらに１時間加
温して後、炭酸水素ナトリウム２００ワを加え混合溶液
を濃縮し乾固した。残渣をクロロホルムに溶解し、この
溶液を水洗後、硫酸ナトリウムで乾燥し減圧下濃縮し乾
固し物質２．７ｔとして次式で表わされる表題化合物を
得た。

〔α〕＋３１表（ｃ１、クロロホルム）。

（ｂ） ３・２′−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル
こ４／・６／−０−シクロヘキシリデン一３仁デオキ
シパロマミン １・６−カルバメート前項（ａ）で得た
物質１．５２７を無水ジメチルホルムアミド２５ｍ１に
溶解し５０％油性水素化ナトリウム２５０Ｗ１９を加え
、氷冷下３時間撹拌した。

以後、参考例１（ｂ）と同様に処理し、表題の物質１．
０９ｙを得た。〔α〕賃＋５２し、（Ｃｌ．ピリジン）
。分析値： Ｃ６ｌ．３８、Ｈ６．４ｌ、Ｎ６．Ｏ８％計算値（Ｃ３
５Ｈ４３Ｎ３Ｏｌｌとして）：Ｃ６ｌ．６６、Ｈ６．３
６、Ｎ６．ｌ６％参考例 ３ （ａ） トリ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３／デ
オキシ−６′−０−トシルパロマミントリ一Ｎ−ベンジ
ルオキシカルボニル−３′デオキシパロマミン９．７８
７を無水ピリジンに溶解し、塩化ｐ−トルエンスルホニ
ル３．５ｙを加え、−１０℃に一夜放置した。

少量の水を加えて後溶液を濃縮し、得られたシロツプ状
物質をクロロホルムに溶解し、この溶液を水洗し、無水
硫酸ナトリウムで脱水後濃縮乾固した。収量８．０４７
、Ｍｐ．ｌ８５〜１８６℃、〔α周＋３３、（Ｃｌ．ジ
オキサン）、 分析値： Ｃ５９．８９、Ｈ５．７Ｏ，．Ｎ４．８７、Ｓ３．７２
％計算値（Ｃ４３Ｈ４９Ｎ３Ｏｌ４Ｓとして）：Ｃ５９
．７８、Ｈ５．７２、Ｎ４．８６、Ｓ３．７ｌ％ ｂ） トリ−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３７一デ
オキシ一６／−０−メシルパロマミントリ一Ｎ−ベンジ
ルオキシカルボニル−３′デオキシパロマミンを塩化メ
シルで参考例３（ａ）と同様に処理した。

収率６２％、〔α〕２Ｂ＋３５。

（Ｃ１、ジオキサン）ｃ） ６′−アジド−トリ−Ｎ−
ベンジルオキシカルボニル−３′・６′−ジデオキシパ
ロマミン前凋ａ）の生成物５．４６７をジメチルホルム
アミド１００ｍ１に溶解し、アジ化ナトリウム４．２７
を加え６０℃にて７時間攪拌した。

溶液を沢過し、沢液を濃縮し、さらにトルエンを加えて
濃縮をくりかえし、ジメチルホルムアミドを留去した。
残渣をジオキサンに溶解し沢過後、溶液を濃縮乾固した
。収量４．２３７、Ｍｐ．２Ｏ６〜２０９℃、〔α〕＋
９０．（ＣＯ．５、ジオキサン）：赤外線吸収スペクト
ル：２１００？−１（Ｎ３基）分析値： Ｃ５８．８７、Ｈ５．７８、Ｎｌｌ．２Ｏ％計算値（Ｃ
３６Ｈ４２Ｎ６Ｏｌｌとして）：Ｃ５８．８５、Ｈ５．
７６、Ｎｌｌ．４４％（ｄ）前項（ｂ）の生成物を前項
（ｃ）と同様に処理し、前項（ｃ）の生成物と同一の物
質を得た。

収率９３％、（ｅ） ６１−アジド−３・２１−ジ一Ｎ
−ベンジルオキシカルボニル−３１・６仁ジデオキシパ
ロマミン１・６−カルバメート前項（ｃ）の生成物１．
１７を無水ジメチルホルムアミド２２ｍ１に溶解し、５
０％油性水素化ナ゛トリウム２４０ｍ′を加え、氷冷下
２．５時間攪拌した。

酢酸０．３５ｍ１を加えて後、反応混合液を氷水中に投
入した。析出した沈殿を沢取し、水洗し、乾燥した。こ
の固体をジオキサンに溶解し、ｎ−ヘキサンを加えて沈
殿せしめた。収量０．７５７、〔α〕賀＋７３し（Ｃｌ
．ジオキサン）：赤外線吸収スペクトル：２１００（Ｎ
３）、１７５０（環状カルバメート）、１７００（ウレ
タン型カルボニル）、１５２０（アミド）。

分析値：Ｃ５５．６７、Ｈ５．５Ｏ．Ｎｌ２．９ｌ％計
算値（Ｃ２９Ｈ３４Ｎ６ＯｌＯとして）：Ｃ５５．５９
、Ｈ５．４７、Ｎｌ３．４ｌ％（ｆ） ６７−アジド−
３・２″−ジ一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３２・
６／−ジデオキシ−４！−０（α−ナフトール）パロマ
ミン １・６−カルバメート前項（ｅ）の生成物１．０
３ｙを無水ピリジン２０ｍｊに溶解し、氷一食塩で冷却
後塩化α−ナフトール３７０▼を加え−１０℃に一夜放
置した。

水０．０５ｍ１を加えて後反応液を濃縮し、得られたシ
ロツプをクロロホルムに溶解し、この溶液を水洗し、乾
燥後濃縮し、乾固した。得られた固体をシリカゲルによ
るカラムクロマトグラフイ一によりベンゼン一酢酸エチ
ル（１：１）を展開剤として精製した。表題の化合物を
得た。収量８２６ワ・〔α〕智＋９８化（ｃ１・ジオキ
サン）分析値： Ｃ６ｌ．４２、Ｈ５．２４、ＮｌＯ．４９％計算値（Ｃ
４ＯＨ４ＯＮ６Ｏｌｌとして）：Ｃ６ｌ．５３、Ｈ５．
ｌ７、ＮｌＯ．７６％参考例 ４３・２′・６′一トリ
一Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−３′−デオキシ−４
′−０−α−ナフトイルネアミン １・６−カルバメー
ト参考例３（ｆ）で得た物質３２０ηを水一ジオキサン
（１：９、１０ｍ０に溶解しパラジウム一水素により定
法により還元した後、溶液を沢過し、▲液に少量の炭酸
水素ナトリウムと塩化ギ酸ベンジル（ＣｌＣＯＯＣＨ２
Ｃ６Ｈ５）２８５即を加え、１時間常温で攪拌した。

混液を濃縮乾固し、残渣をクロロホルムで抽出し、クロ
ロホルム溶液を水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を留去した。表題の化合物が得られた。収量２８１７Ｔ
１９、〔α〕賃＋８３れ（ｃ１、クロロホルム）。分析
値．Ｃ６５．ｌ３、Ｈ５．３２、Ｎ６．Ｏ８％計算値（
Ｃ４８Ｈ４８Ｎ４Ｏｌ３として）：Ｃ６４．８５、Ｈ５
．４４、Ｎ６．３Ｏ％参考例 ５ ３′−デオキシ−３・２１・６１−トリ−Ｎ−エトキシ
カルボニル−４／−０−α−ナフトイルネアミン １・
６−カルバメート上記の参考例４において塩化ギ酸ベン
ジルの代りに塩化ギ酸エチル（ＣｌＣＯＯＣ２Ｈ５）を
使用すると、表題の化合物を得た。

収率７３％、〔α〕＋９００（Ｃｌ．クロロホルム） 分析値： Ｃ５６．３Ｏ．Ｈ５．８８、Ｎ７．７６％計算値（Ｃ３
３Ｈ４２Ｎ４Ｏ，３として）：Ｃ５６．４Ｏ、Ｈ６．Ｏ
２、Ｎ７．９７％参考例 ６ ３′−デオキシ−４７−０−α−ナフトール−３・２′
・６７−トリ−Ｎ−フエノキシカルボニルネアミン １
・６−カルバメート上記の参考例４において塩化ギ酸ベ
ンジルの代りに塩化ギ酸フエニル（ＣｌＣＯＯＣ６Ｈ５
）を使用すると、表題の化合物を得た。

収率６４％、〔α〕１０８＋８３物（ＣＯ．５、クロロ
ホルム）分析値：Ｃ６３．９６、Ｈ４．８ｌ、Ｎ６．４
３％計算値（Ｃ４５Ｈ４２Ｎ４Ｏｌ３として）：Ｃ６３
．８２、Ｈ５．ＯＯ，．Ｎ６．６２％参考例 ７３・２
′−ジ４−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル３′−デオキ
シネアミン １・６：４７・６７−ジカルバメート３″
−デオキシネアミンを参考例１（ａ）と同様にして塩化
ギ酸ベンジルと作用させることによりテトラ−Ｎ−ベン
ジルオキシカルボニル−３′−デオキシネアミンを得た
。

本物質２．３７をジメチルホルムアミド４０ｍ１に溶解
し、５０％油性水素化ナトリウム３００ワを加え、氷冷
下２．５時間攪拌した。酢酸０．５ｍ１を加えて後反応
混合液を減圧で濃縮し、濃縮液を氷水に投人した。析出
した沈澱を沢取し、水洗し、乾燥した。表題の化合物が
得られた。収量１．２１７、〔α〕ｔ＋９００（ｃ１、
ジメチルホルムアミド）。分析値： Ｃ５７．６３、Ｈ５．５５、Ｎ８．７４％計算値（Ｃ３
ＯＨ２４Ｎ４Ｏｌｌとして）：Ｃ５７．５Ｏ，．Ｈ５．
４７、Ｎ８．９４％参考例 ８２・３・５−トリ−０−
（ｐ−ニトロベンゾイル）−Ｄ−リボフラノシル ブロ
マイドＤ−リボース２．０７を４０ｍ１のメタノールに
溶解し、これに１規定塩酸メタノール溶液４ｍ１を加え
５゜Ｃに放置してメチルβ−Ｄ−リボフラノシドを製造
した。

これをピリジン５０ｍ１に溶解し、ｐニトロベンゾイル
クロリド８．２７を常温で作用せしめた。溶媒を留去
後残渣をクロロホルムに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウ
ムで洗滌し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した
。生成したメチル２・３・５−トリ−０−（ｐ−ニトロ
ベンゾイル）−β−Ｄ−リボフラノシド４。２ｙを無水
ジクロロメタン２０ｍｅに溶解し、氷冷しつつ臭化水素
を飽和せしめた酢酸２０ｍ１を加え暗処で１時間放置し
た。

溶液を減圧で濃縮し、得られたシロツプ状物質をジクロ
ロメタンに溶解し、溶液を炭酸水素ナトリウム溶液で洗
滌後、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣
を無水ベンゼンにて再結晶し固体３．４７として表題の
化合物を得た。分析値： Ｃ４７．Ｏ７、Ｈ２．４４、Ｎ６．ｌ７、Ｂｒｌ２．４
３％ 計算値（Ｃ２６Ｈｌ８Ｎ３Ｏｌ３Ｂｒとして）：Ｃ４７
．２９、Ｈ２．７５、Ｎ６，３６、Ｂｒｌ２．ｌＯ％ 参考例 ９ ２・３−ジ一０−アセチル−５−０−（ｐ−トルエンス
ルホニル）−Ｄ−キシロフラノシルフロマイド１・２−
０−イソプロピリデン一５−０−（ｐ−トルエンスルホ
ニル）一α−Ｄ−キシロフラノース（Ｒ．Ａ．Ｌｅｖｅ
ｎｅａｎｄＡ．Ｌ．Ｒａｙ］１１ａｎｄ１「ジヤーナル
・オブ・バイオロジカル・ケミストリ一」１０２巻、３
１７頁 １９３３年の方法による）３．４４７を酢酸５
３ｍ１に溶解し、無水酢酸６ｍｅを加えて後、氷冷し、
３．２ｍ１の濃塩酸を液温が１５゜Ｃ以上にならないよ
うにしつつ加えた。

室温にて一夜放置後約３００ｍ１の氷水中に注ぎこの水
混液から５０ｍ１のクロロホルムで３回抽出した。クロ
ロホルム液を合し；炭酸水素ナトリウム溶液、つづいて
水で洗つて後無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し
た。得られた１・２・３−トリ−０−アセチル−５−０
−（ｐ−トルエンスルホニル）−Ｄ−キシロフラノース
４．２７を７５ｍ１のジクロロメタンに溶解し、０℃に
し臭化水素ガスを飽和せしめた。０℃にて３時間放置後
濃縮乾固して表題のブロマイド化合物４．９５をシロツ
プ状として得た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ） 〔式中Ｙは次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但しＲ＿１及びＲ＿２はそれぞれ水素原子、アルキル
   基又はアリール基を示す）を表わすか又はシクロアルキ
   リデン基、テトラヒドロピラニル基、カルボニル基又は
   フェニルボロン基を表わすヒドロキシル保護基であり、
   Ｚはアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
   ル基、アラルコキシカルボニル基、アシル基、アロイル
   基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又は
   アラルキルスルホニル基を表わすアミノ保護基である〕
   で表わされる３′−デオキシパロマミン１・６−カルバ
   メート誘導体化合物に次の一般式▲数式、化学式、表等
   があります▼（II）〔式中Ｒ＿３はアシル基、アロイル
   基、アルコキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニ
   ル基を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｘはハロゲン
   原子、アシル基又はアロイル基を表わし、Ｗは基−ＯＲ
   ＿３（但しＲ＿３は上記と同一の意義を有する）で示さ
   れるアシルオキシ基を表わす〕で表わされるペントフラ
   ノシル化合物又は次の一般式▲数式、化学式、表等があ
   ります▼（II）〔式中Ｒ＿３及びＷは前記と同一の意義
   を有し、Ｒ＿４はアルキル基又はアリール基を表わし、
   Ｒ＿５はアルキル基を表わす〕で表わされるペントフラ
   ノシル・オルソエステル化合物を反応させて次の一般式
   ▲数式、化学式、表等があります▼（III）又は ▲数式、化学式、表等があります▼（III′）〔式中Ｒ
   ＿３、Ｒ＿４、Ｙ、Ｚ及びＷは前記と同一の意義を有す
   る〕で表わされる化合物を生成させ、その後に該化合物
   を加水分解することによりヒドロキシル保護基の一部を
   脱離して次の一般式▲数式、化学式、表等があります▼
   （IV）又は ▲数式、化学式、表等があります▼（IV′）〔式中、Ｒ
   ＿３、Ｒ＿４、Ｚ及びＷは前記と同じ意義を有する〕で
   表わされる化合物を生成し、次いでこれを次の一般式Ｒ
   ＿６ＳＯ＿２Ｔ（Ｖ） 〔式中Ｒ＿６はアルキル基、アリール基、又はアラルキ
   ル基を表わし、Ｔはハロゲン原子若しくは−ＯＳ＿２Ｒ
   ＿６（但しＲ＿６は前記の意味をもつ）の基を表わす〕
   で表わされるスルホン化剤化合物を反応させて６′位ヒ
   ドロキシル基を選択的にスルホン化させ、さらにアジ化
   化合物を作用させて６′位スルホニルエステル基をアジ
   ド化して６′−アジド基に転化させ、さらに塩基性条件
   下で加水分解して１・６−カルバメート環を開裂させる
   ことにより１位アミノ基と６位ヒドロキシル基を遊離さ
   せ、これと同時に、残存したヒドロキシル保護基の一部
   又は全部を脱離させ、その生成物に次の一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼（VI）〔式中、Ｒ＿７は−Ｏ
   Ｈ、−ＮＨ＿２または−ＮＨＲ＿８（但しＲ＿８はアシ
   ル基である）を表わし、ｎは１、２、３又は４の整数を
   表わし、Ａは水素原子又は公知の一価のアミノ基保護基
   を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価のアミノ基保護
   基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が一諸になつて一
   つの公知の二価のアミノ基保護基を表わす〕で表わされ
   るアミノ酸化合物又はこれのカルボキシル基における反
   応性誘導体を作用させて次の一般式▲数式、化学式、表
   等があります▼（VII）〔式中、Ａ、Ｂ、Ｒ＿７、Ｚ及
   びｎは前記と同じ意義を表わし、Ｒ′＿３は水素原子又
   はＲ＿３（Ｒ＿３は前記と同一の意義を有する）を表わ
   し、Ｗ′は水酸基（即ちＯＨ）又はＷ（Ｗは前記と同一
   の意義を有する）を表わす〕で表わされる１−Ｎ−アシ
   ル化化合物を生成し、つぎに６′−アジド基を還元して
   アミノ化せしめ、これと同時に又はその以後に、残存し
   た保護基があればこれを脱離することを特徴とする、次
   の一般式▲数式、化学式、表等があります▼（VIII）〔
   式中、Ｒ＿７及びｎは前記と同じ意義を有する〕で表わ
   される１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３′
   −デオキシ−５−Ｏ−ペントフラノシルネアミン誘導体
   の製造法。 ２ 次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IX）〔式中Ｑはア
   シル基、アロイル基、アルコキシカルボニル基、アリー
   ルオキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニル基を
   表わすヒドロキシル保護基であり、Ｚはアルコキシカル
   ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルコキシ
   カルボニル基、アシル基、アロイル基、アルキルスルホ
   ニル基、アリールスルホニル基又はアラルキルスルホニ
   ル基を表わすアミノ保護基である〕で表わされる３′−
   デオキシネアミン１・６−カルバメート誘導体化合物に
   次の一般式▲数式、化学式、表等があります▼（II）〔
   式中Ｒ＿３はアシル基、アロイル基、アルコキシカルボ
   ニル基又はアラルコキシカルボニル基を表わすヒドロキ
   シル保護基であり、Ｘはハロゲン原子、アシル基又はア
   ロイル基を表わし、Ｗは基−ＯＲ＿３（但しＲ＿３は上
   記と同一の意義を有する）で示されるアシルオキシ基を
   表わす〕で表わされるペントフラノシル化合物又は次の
   一般式▲数式、化学式、表等があります▼（II′）〔式
   中Ｒ＿３及びＷは前記と同一の意義を有し、Ｒ＿４はア
   ルキル基又はアリール基を表わし、Ｒ＿５はアルキル基
   を表わす〕で表わされるペントフラノシル・オルソエス
   テル化合物を反応させて次の一般式▲数式、化学式、表
   等があります▼（Ｘ）又は ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ′）〔式中Ｒ＿
   ３、Ｒ＿４、Ｑ、Ｚ及びＷは前記と同一の意義を有する
   〕で表わされる化合物を生成させ、その後に該化合物を
   塩基性条件下で加水分解して１・６−カルバメート環を
   開裂させることにより１位アミノ基と６位ヒドロキシル
   基を遊離させ、これと同時にヒドロキシル保護基の一部
   又は全部を脱離させ、その生成物に次の一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼（VI）〔式中、Ｒ＿７は−Ｏ
   Ｈ、−ＮＨ＿２または−ＮＨＲ＿８（但しＲ＿８はアシ
   ル基である）を表わし、ｎは１、２、３又は４の整数を
   表わし、Ａは水素原子又は公知の一価のアミノ基保護基
   を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価のアミノ基保護
   基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が一諸になつて一
   つの公知の二価のアミノ基保護基を表わす〕で表わされ
   るアミノ酸化合物又はこれのカルボキシル基における反
   応性誘導体を作用させて次の一般式▲数式、化学式、表
   等があります▼（Ｘ I ）〔式中Ａ、Ｂ、Ｒ＿７、Ｚ及
   びｎは前記と同一の意義を有し、Ｒ′＿３は水素原子又
   はＲ＿３（Ｒ＿３は前記と同一の意義を有する）を表わ
   し、Ｗ′は水酸基（即ちＯＨ）又はＷ（Ｗは前記と同一
   の意義を有する）を表わし、Ｑ′は水素原子又はＱ（Ｑ
   は前記と同一の意義を有する）を表わす〕で表わされる
   １−Ｎ−アシル化化合物を生成させ、次いで残存した保
   護基があればこれを脱離させることを特徴とする、次の
   一般式▲数式、化学式、表等があります▼（VIII）〔式
   中、Ｒ＿７及びｎは前記と同じ意義を有する〕で表わさ
   れる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３′−
   デオキシ−５−Ｏ−ペントフラノシルネアミノ誘導体の
   製造法。 ３ 次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸII）〔式中Ｚは
   アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基
   、アラルコキシカルボニル基、アシル基、アロイル基、
   アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はアラ
   ルキルスルホニル基を表わすアミノ保護基である〕で表
   わされる３′−デオキシネアミン１・６：４′・６′−
   ジカルバメート誘導体化合物に次の一般式▲数式、化学
   式、表等があります▼（II）〔式中Ｒ＿３はアシル基、
   アロイル基、アルコキシカルボニル基又はアラルコキシ
   カルボニル基を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｘは
   ハロゲン原子、アシル基又はアロイル基を表わし、Ｗは
   基−ＯＲ＿３（但しＲ＿３は上記と同一の意義を有する
   ）で示されるアシルオキシ基を表わす〕で表わされるペ
   ントフラノジル化合物又は次の一般式▲数式、化学式、
   表等があります▼（II′）〔式中Ｒ＿３及びＷは前記と
   同一の意義を有し、Ｒ＿４はアルキル基又はアリール基
   を表わし、Ｒ＿５はアルキル基を表わす〕で表わされる
   ペントフラノシル・オルソエステル化合物を反応させて
   次の一般式▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIII
   ）又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸIII′）〔式中
   Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｚ及びＷは前記と同一の意義を有する
   〕で表わされる化合物を生成させ、その後に該化合物を
   弱塩基性条件下で加水分解して１・６−カルバメート環
   を選択的に開裂させることにより１位のアミノ基と６位
   のヒドロキシル基を遊離させ、これと同時にヒドロキシ
   ル保護基の一部又は全部を脱離させ、その生成物に一般
   式▲数式、化学式、表等があります▼（VI）〔式中、Ｒ
   ＿７は−ＯＨ、−ＮＨ＿２または−ＮＨＲ＿８（但しＲ
   ＿８はアシル基である）を表わし、ｎは１、２、３又は
   ４の整数を表わし、Ａは水素原子又は公知の一価のアミ
   ノ基保護基を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価のア
   ミノ基保護基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が一諸
   になつて一つの公知の二価のアミノ基保護基を表わす〕
   で表わされるアミノ酸化合物又はこれのカルボキシル基
   における反応性誘導体を作用させて次の一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼（ＸIV）〔式中、Ｒ＿７、Ａ
   、Ｂ、Ｚ及びｎは前記と同一の意義を有し、Ｒ′＿３は
   水素原子又はＲ＿３（Ｒ＿３は前記と同一の意義を有す
   る）を表わし、Ｗ′は水酸基（即ちＯＨ）又はＷ（Ｗは
   前記と同一の意義を有する）を表わす〕で表わされる１
   −Ｎ−アシル化化合物を生成し、次いで、塩基性条件下
   で加水分解して４′・６′−カルバメート環を開裂させ
   、これと同時に又はこれ以後に残存した保護基を脱離さ
   せることを特徴とする、次の一般式▲数式、化学式、表
   等があります▼（VIII）〔式中、Ｒ＿７及びｎは前記と
   同じ意義を有する〕で表わされる１−Ｎ−（α−置換−
   ω−アミノアシル）−３′−デオキシ−５−Ｏ−ペント
   フラノシルネアミン誘導体の製造法。 ４ 次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸＶ）〔式中Ｑは
   アシル基、アロイル基、アルコキシカルボニル基、アリ
   ールオキシカルボニル基又はアラルコキシカルボニル基
   を表わすヒドロキシル保護基であり、Ｚはアルコキシカ
   ルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルコキ
   シカルボニル基、アシル基、アロイル基、アルキルスル
   ホニル基、アリールスルホニル基又はアラルキルスルホ
   ニル基を表わすアミノ保護基である〕で表わされる６′
   −アジド−６′−デアミノ−３′−デオキシネアミン１
   ・６−カルバメート誘導体化合物に次の一般式▲数式、
   化学式、表等があります▼（II）〔式中Ｒ＿３はアシル
   基、アロイル基、アルコキシカルボニル基又はアラルコ
   キシカルボニル基を表わすヒドロキシル保護基であり、
   Ｘはハロゲン原子、アシル基又はアロイル基を表わし、
   Ｗは基−ＯＲ＿３（但しＲ＿３は上記と同一の意義を有
   する）で示されるアシルオキシ基を表わす〕で表わされ
   るペントフラノシル化合物又は次の一般式▲数式、化学
   式、表等があります▼（II′）〔式中Ｒ＿３及びＷは前
   記と同一の意義を有し、Ｒ＿４はアルキル基又はアリー
   ル基を表わし、Ｒ＿５はアルキル基を表わす〕で表わさ
   れるペントフラノシル・オルソエステル化合物を反応さ
   せて次の一般式▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘ
   VI）又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ＸVI′）〔式中Ｒ
   ＿３、Ｒ＿４、Ｑ、Ｚ及びＷは前記と同一の意義を有す
   る〕で表わされる化合物を生成させ、その後にその生成
   物を塩基性条件で加水分解して１・６−カルバメート環
   を開裂させることにより１位アミノ基と６位ヒドロキシ
   ル基を遊離させ、これと同時にヒドロキシル保護基の一
   部又は全部を除去し、次にその生成物に次の一般式▲数
   式、化学式、表等があります▼（VI）〔式中、Ｒ＿７は
   −ＯＨ、−ＮＨ＿２または−ＮＨＲ＿８（但しＲ＿８は
   アシル基である）を表わし、ｎは１、２、３又は４の整
   数を表わし、Ａは水素原子又は公知の一価のアミノ基保
   護基を表わし、Ｂは水素原子又は公知の一価のアミノ基
   保護基を表わし、若しくはＡ及びＢは両者が一諸になつ
   て一つの公知の二価のアミノ基保護基を表わす〕で表わ
   されるアミノ酸化合物又はこれのカルボキシル基におけ
   る反応性誘導体を作用させて次の一般式▲数式、化学式
   、表等があります▼（ＸVII）〔式中、Ｒ＿７、Ａ、Ｂ
   及びｎは前記と同一の意義をし、Ｒ′＿３は水素原子又
   はＲ＿３（Ｒ＿３は前記と同一の意義を有する）を表わ
   し、Ｗ′は水酸基（即ちＯＨ）又はＷ（Ｗは前記と同一
   の意義を有する）を表わしＱ′は水素原子又はＱ（Ｑは
   前記と同一の意義を有する）を表わす〕で表わされる１
   −Ｎ−アシル化化合物を生成し、次に６′−アジド基を
   還元してアミノ基に転化させ、これと同時に又はその以
   後に、残存した保護基を脱離させることを特徴とする、
   次の一般式▲数式、化学式、表等があります▼（VIII）
   〔式中、Ｒ＿７及びｎは前記と同じ意義を有する〕で表
   わされる１−Ｎ−（α−置換−ω−アミノアシル）−３
   ′−デオキシ−５−Ｏ−ペントフラノシルネアミン誘導
   体の製造法。