JPS6052719B2 - ３′，４′−ジデオキシカナマイシンｂの新規な製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 新＋＝ｗデオキシカナマイシンＢの ３″，４″ージデオキシカナマイシンＢは、本発明−者
らによつて発明された耐性菌に有効な半合成抗生物質で
あつて広く臨床に使用されている薬剤である（特公昭５
０−７５９５号公報及び「ジャーナル，オブ，アンテイ
バイオテツクス」２４巻４８５頁（１９７１年）参照）
。

３″，４″−ジデオキシカナハマイシンＢの製造の従来
法としては、（１）カナマイシンＢを出発原料として用
いて、これとアルコキシカルボニルハロゲニドを反応さ
せて５個のアミノ基をアルコキシカルボニル型のアミノ
保護基で保護し、次いでアルキリデン化剤、アリーリデ
ン化剤、シクロアルキリデン化剤又はテトラヒドロピラ
ニリデン化剤を反応ノ させて３″，４″一位の一対の
水酸基及び４″，６″位の一対の水酸基を夫タアセター
ル又はケタール型のヒドロキシル保護基で保護し、次い
で７位の水酸基をアルカロイル基又はアロイル基で保護
した後、３″，４″位の水酸基の保護基を希酸で選択的
に脱保護し、次いで３″，４″位の水酸基をスルホン酸
エステル化、３″，４″位の炭素結合の二重結合化、水
素添加を順次行い、次に４″，６″位の水酸基の保護基
を酸で脱保護した後、残余の保護基を脱離する方法が知
られている（特公昭５０−７５９５号公報参照）。

（２）またカナマイシンＢを出発物質としてアミノ基を
シッフ塩基化して保護し且つ３″，４″位の一対及び４
″，６″位の一対の水酸基を保護し、ならびに２″位の
水酸基もベンゾイル基で保護した後、次いでその保護誘
導体を以後は前記の方法（１）と同様な工程により処理
して３″，４″ージデオキシカナマイシンＢ（以下、Ｄ
ＫＢと略称することもある）を得る方法も知られている
（特開昭４７−４３２８６号公報参照）。

これらの従来方法は、アミノ基及び水酸基の保護及び脱
離が複雑でかつ収率も１０％台と低い。本発明者は、上
記の従来方法の欠点のないＤＫＢ合成法を提供する目的
で研究した結果、本出願人の出願に係る特願昭５０−１
４６９０３号明細書（昭和５拝６月１４日公開の特開昭
５２−７１４４６号公報参照）に開示した新合成法を開
発した。

この新合成法は、従来法で用いられた種類のアミノ保護
基と違つて、低級アルキルスルホニル基、アリールスル
ホニル基及びアラルキルスルホニル基から選ばれるスル
ホニル基型のアミノ保護基を用いてカナマイシンＢの５
個のアミノ基を保護できること、一部の水酸基を保護す
るためにアルキリデン化剤、アリーリデン化剤、シクロ
アルキリデン化剤又はテトラヒドロピラニリデン化剤を
反応させるに当つて反応条件を加減すると３″，４″位
の水酸基を閉塞しないで４″，６″位の一対の水酸基の
みをアセタール又はケタール型のヒドロキシル保護基で
選択に保護できること、こうして得られた４″，６″−
０一保護誘導体に対して適当なスルホニル化剤を作用さ
せて３″，４−０−スルホニル化生成物又は３″，４″
，２′″一トリー０−スルホニル化生成物を生成できる
こと、またこれに沃化アルカリを作用すると３″，４″
位から脱スルホニル化して対応の３″，４″ージデオキ
シー３″一エノ体が生成されること、この３″，４″ー
ジデオキシー３″一エノ体を塩基性試薬の存在下にアル
カリ金属又はアルカリ土類金属を作用させると前記スル
ホニル基型のアミノ保護基が脱離でき、しかも７″位の
水酸基上にスルホニル基が存在する場合にはこれも一挙
に脱離できること、こうして得た脱保護体（３″一エノ
体）を接触還元すると目的のＤＫＢを生成できることを
知見し、これに基づいて完成されたものである。本発明
者は更に研究を進めた結果、特願昭５０−，１４６９０
３号明細書に示された新ＤＫＢ合成法で用いられたスル
ホニル型のアミノ保護基に代えてベンジルオキシカルボ
ニル基型のアミノ保護基を用いるように改変するが、前
出の特公昭５０−７５９５号及ひ特開昭４７−４３２８
６号の方法の場合と違つて２″位一水酸基を予じめ保護
することなく、前記の特願昭５０−１４６９０３号の方
法の場合と同様な手法で３″，４″位の水酸基の両方を
スルホン酸エステル化する際に、従来回避されていた２
″″位水酸基のスルホン酸エステル化を許るすけれども
、次後の段階でアミノ保護のベンジルオキシカルボニル
基を脱離させるために液体アンモニア中でアルカリ金属
又はアルカリ土類金属で処理する脱離法（以下、単に液
体アンモニア中アルカリ金属処理法という）を選択する
ならば、２″−０−スルホニル基が隣接の３″″−Ｎ−
ベンジルオキシカルボニルアミノ基に対して液体アンモ
ニア中アルカリ金属処理中に反応してアチリジン環を形
成するという望ましくない副反応を予想外にも惹起する
ことなく、２″−０−スルホニル基がアミノ保護のベン
ジルオキシカルボニル基と一緒に除去できることを今回
初めて発見したのであり、こうして、前記の如くアミノ
保護基の種類を改変しても成功裡にＤＫＢを製造できる
ことを今回知見したのである。

しかも、上記の如き改変法によると、ＤＫＢの全収率が
特願昭５０−１４６９０３号の方法による場合に比べて
も、ほ〜１０％程度又はそれ以上向上できることを発見
した。本発明は上記の発見に基づいて完成されたもので
あり、カナマイシンＢから出発してＤＫＢを効率よく合
成する方法を可能にする新方法を開発したものである。

すなわち、第１の本発明の要旨とするところは、次の一
般式（）〔式中Ｒ１は非置換又は置換ベンジルオキシカ
ルボニル基であるアミノ保護基を表わし、Ｒ２は低級ア
ルキルスルホニル基、アリーススルホニル基又はアラル
キルスルホニル基を表わす〕で表わされる３″，４″ー
ジデオキシー３″一エノカナマイシンＢ保護誘導体を液
体アンモニア中でアルカリ金属もしくはアルカリ土類金
属と反応させてアミノ保護基Ｒ１とスルホニル基Ｒ２と
を一挙に脱離させ、これにより次式（）で示される３″
，４ージデオキシー３″一エノカナマイシンＢを生成し
、次いでこれを還元反応に付することを特徴とする、次
式（１）で示される３″，４″ージデオキシカナマイシ
ンＢの製造法にある。

第１の本発明の方法で出発原料として用いられる式（）
の３″，４″ージデオキシー３″一エノカナマイシンＢ
誘導体におけるアミノ保護基Ｒ１としての非置換又は置
換ベンジルオキシカルボニル基について、その具体例を
示すと、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−クロルベン
ジルオキシカルボニル基、ｐ−アミノベンジルオキシカ
ルボニル基、α一又はβ−ナフチルメチルオキシカルボ
ニル基、ｐ−フェニルベンジルオキシカルボニル基、ｐ
−フェノキシベンジルオキシカルボニル基、ｍ一又はｐ
−イソプロピルベンジルオキシカルボニル基などが挙げ
られる。

ヒドロキシル保護基Ｒ２については、低級アルキルスル
ホニル基、例えばメチルスルホニル基、エチルスルホニ
ル基、プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル
基、ブチルスルホニル基；アリールスルホニル基、例え
ばｐ−トルエンスルホニル基、ｏ−ニトロベンゼンスル
ホニル基、ｐ−ニトロベンゼンスルホニル基、ｐ−メト
キシベンゼ゛ンスルホニル基、１一又は２−ナフタレン
スルホニル基；アラルキルスルホニル基例えばベンジル
スルホニル基があげられる。第１の本発明の方法におい
て、式（）の化合物からアミノ保護基Ｒ１と２″″−０
−スルホニル基Ｒ２とを一挙に除去させる反応は、液体
アンモニア中に一般式（）の化合物を溶解し、リチウム
、ナトリウム、カリウムから選ばれたアルカリ金属、若
しくはカルシウム、マグネシウム、バリウムから選ばれ
たアルカリ土類金属のうちいずれか一種又は二種以上を
作用させて行わしめる。

この時の反応温度は−８００〜＋５０℃であるのがよい
。反応時間は０．２〜１？Ｉｌｉｌ間が適当である。ま
たアルカリ金属、アルカリ土類金属の添加量は、一般式
（）の化合物に対して１０〜１００モル位が適当である
。さらに、これらの金属片は、１〜数回に分けて使用す
ることも可能である。

反応終了後、水、アルコール、塩化アンモニウム等を加
えて残余のアルカリ金属、アルカリ土類金属を分解し、
次いで溶媒を除去し、残渣を水に溶解し、通常用いられ
る精製手段、例えばカラムクロマトグラフィ等で精製を
行うと次式（）で示される３″，４″ージデオキシー３
″一エノーカナマイシンＢが得られる。次いでこれを還
元反応に付し次式（１）で示される３″，４″ージデオ
キシカナマイシンＢを製造する。

この還元反応は、水、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、アセトン、ジオキサン、ピリジン、テトラ
ヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサン
、酢酸エチルまたはこれらの混合溶媒の如き溶媒に一般
式（）の化合物を溶解し、ラネーニツケル、白金、酸化
白金、パラジウム炭素、コバルト、ロジウムコンプレッ
クス、銅、鉄などの公知の水添触媒の存在下に水素ガス
を作用させることにより行われる。本還元反応は−４０
℃〜１２０℃の温度で行われるが、室温〜１００℃が好
ましい。反応は常圧でも容易に進行するが５〜１００ｋ
９１ｃＩｔの加圧下に行うこともできる。反応時間は０
．５〜４ｍ間が適当である。こうして得られたＤＫＢは
、必要あらば例えばカラムクロマトグラフィ的に精製を
行うことができ、また酸を作用させることにより硫酸塩
、塩酸塩、メタンスルホン酸塩等の酸付加塩を製造する
ことができる。本発明で用いられる非置換又は置換ベン
ジルオキシカルボニル基のうちの一部のものがカナマイ
シンＢ誘導体の合成に当つてアミノ基の保護に使用され
うる言及（例えば特公昭５０−７５９５号公報参照）は
あるけれどもその脱離は専ら接触的還元分解又は酸分解
（たとえば酢酸中、臭化水素酸）によつて行なわれたも
のである。

本発明は、従来用いた接触的還元分解又は酸分解による
脱離法に代えて、ベンジルオキシカルボニル基型のアミ
ノ保護基を液体アンモニア中でアルカリ金属又はアルカ
リ土類金属の作用により脱離するものであり、この際、
式（）の化合物の２″位の水酸基に前段階の３″，４″
位水酸基のスルホン酸エステル化反応で望ましくなく結
合して終つた低級アルキルスルホニル基、アリールスル
ホニル基又はアラルキルスルホニル基までが、不望のア
チリジン形成反応（隣接の３″″−Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニルアミノ基と作用して）を惹起することなく、
一挙に同時に脱離される利点がある。

他方ベンジルオキシカルボニル基が液体アンモニア中金
属ナトリウムによつてアミノ基から脱離されることは古
くより知られていた（たとえばＳｌｆｆｅｒｄ及びＶｉ
ｇｎｅａｕｄｌ「Ｊ．ＢｉＯｌ．ＣｈｅｍＪｌＢ巻７５
３頁、１９３師）が、この手法をアミノ糖抗生物質に応
用した例は知られていない。第１の本発明の方法て用い
られる式（）の化合物の如く、５個のアミノ基をベンジ
ルオキシカルボニル基型のアミノ保護基で保護された３
″，４″ージデオキシー３″一エノカナマイシンＢ保護
誘導体が本法における如く反応させることによりＤＫＢ
を製造するための出発原料として使用可能であると知見
されたのは、先の特願昭５０−１４６９０３号明細書に
開示される新ＤＫＢ合成法を発明するに当つて、３″，
４゛位の一対の水酸基を遊離させたま）選択的に４，６
″位の一対の水酸基をアセタール又はケタール型のヒド
ロキシル保護基で保護できることを知見したに始まり、
特願昭５０−１４６９０３号明細書に示されたＤＫＢ合
成上の新技術的知見を基礎として、但し特願昭５０−１
４６９０３号明細書の方法と違つて、アミノ基を低級ア
ルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はアラル
キルスルホニル基で保護する代りに非置換又は置換ベン
ジルオキシカルボニル基で保護できること、またこの場
合に、ベンジルオキシカルボニル基の脱離法として液体
アンモニア中アルカリ金属処理法を選択するならば、２
″位水酸基が３″，４″位のスルホニルオキシ化で同時
にスルホニルオキシ化されていても後段の反応に支障を
及ぼさないばかりでなく、むしろアミノ保護基の脱保護
と２″−０−スルホニル基の除去とが一挙に遂行できる
ことを発見して初めて為されたことである。

更に、第１の本発明の方法においては、アミノ基保護基
の脱保護と２″−０−スルホニル基の除去はほとんど定
量的に行なわれ、そのためカナマイシンＢからの３″，
４″ージデオキシカナマイシンＢの製造収率は特願昭５
０−１４６９０３号明細書の新侶合成法の約４０％より
さらに約１０％程度又はそれ以上上昇し、５０％を越え
る予想外の利点が得られた。更に、本発明者は第１の本
発明の方法における式（）の化合物の液体アンモニア中
アルカリ金属処理工程を初めに行う代りに、先づ式（）
の化合物を接触還元反応に付し、それによつて対応の３
″，４″一飽和体（カナマイシンＢ誘導体）を生成し、
これをその後に保護基脱離工程に付してもＤＫＢを製造
できることを知見した。

従つて、第２の本発明の要旨とするところは、次の一般
式（）〔式中Ｒ１は非置換又は置換ベンジルオキシカル
ボニル基であるアミノ保護基を表わし、Ｒ２は低級アル
キルスルホニル基、アリールスルホニル基又勘Ｌづ二１
↓１−？１上−１，廿ナ幸ムーＪ−）プ土ム↓柄る化合
物を接触還元反応に付して次の一般式〔式中、Ｒ１及び
Ｒ２は前記の意味を表わす〕で表わされる３″，４″ー
ジデオキシカナマイシンＢ保護誘導体又は該保護体のア
ミノ保護基Ｒ１の一部が脱離した生成物を生成し、次い
でこれを液体アンモニア中でアルカリ金属もしくはアル
カリ土類金属と反応させてアミノ保護基Ｒ１とスルホニ
ル基Ｒ２とを一挙に脱離することを特徴とする、３″，
４″ージデオキシカナマイシンＢの製造法にある。

第２の本発明の方法において、その第１段の接触還元工
程及び第２段の液体アンモニア中アルカリ金属処理工程
は第１の本発明の方法における夫々の対応の工程と同じ
要領及び反応条件下で実施できる。しかし、第２の本発
明の方法で還元工程を行うと、式（）の化合物が生成さ
れるが、使用される還元触媒の種類によつては、ベンジ
ルオキシカルボニル基Ｒ１が一部、還元工程中に脱離す
ることもある。それ故、３″，４″一不飽和結合を専ら
水添するように作用する酸化白金、酸化パラジウムを用
いるのが好ましい。しかし、ベンジルオキシカルボニル
基Ｒ１が一部脱離した生成物も次段の液体アンモニア中
アルカリ金属処理工程に支障なく用いることができる。
以上述べた如く第１又は第２の何れの本発明の方法を利
用すると、カナマイシンＢから収率よくＤＫＢを製造す
ることが可能であつて、しかも（１）カナマイシンＢか
らＤＫＢを合成する各々の反応工程が単純でＤＫＢの全
収率はカナマイシンＢに基づいて５０％以上である。

（２）２″位ヒドロキシル基をアシル基などで保護する
工程を特別に行うことを省略出来るようになりＤＫＢ合
成過程が短縮される。

（３）アミノ基からの脱保護と望ましくなく結合した２
″−０−スルホニル基の除去とが一度に行え、副反応が
生じない。

などの秀れた特長を有するものである。

次に第１及び第２の本発明の方法の出発物質である一般
式（）で示される出発化合物の調整法について説明する
。

先づ前記の一般式（）で表わされるベンジルオキシカル
ボニル型のアミノ保護基で５個のアミノ基を保護された
３″，４ージデオキシー３−エノカナマイシンＢの２″
−０−スルホニル体の調製は、例えば次の要領で行い得
る。

すなわち、カナマイシンＢ（遊離塩基）に対して、炭酸
ナトリウムの如きアルカリの存在下に水、アルコール、
ジオキサンの如き溶剤又はその混合溶剤中で−３０〜５
０℃の範囲で次式〔式中、Ｒ３は水素、アミノ基、ハロ
基、低級アルキル基、アリール基、例えばフェニル基、
フェノキシ基、式のフェニル基に縮合したベンゼン環、
又はアラルキル基を示し、Ｘは塩素又は臭素である〕で
表わされる非置換又は置換ベンジルオキシカルボニル基
導入剤を実質的に化学量論量で作用させる。

これによつてベンダーＮ一非置換又は置換ベンジルオキ
シカルボニル化されたカナマイシンＢが得られる。次に
このＮ一保護生成物に対して特公昭５０−７５９５号公
報に記載されるようにアセ”タール又はケタール基型の
ヒドロキシル保護基で４″，６″−ヒドロキシル基を保
護するために該公報に記載されるアルキリデン化剤、ア
リーリデン化剤、シクロヘキシリドン化剤又はテトラヒ
ドロピラニリデン化剤を、比較的低温で例えば１０〜８
０℃の範囲の温度で作用させる。これによつて、４″″
，６″−ヒドロキシル基のみがアルキリデン又はアセタ
ール又はケタール基、詳しく言えばアリーリデン基、も
しくはシクロヘキシリデン基又はテトラヒドロピラニリ
デン基で選択的に保護された４″，Ｌ６″−０一保護誘
導体が生成される。又上述の反応は順序を逆にすること
も可能である。すなわち４″，６７のヒドロキシル基を
まづケタールあるいはアセタール型の保護基で保護し、
ついでアミノ基を保護することもできる。さらに、この
４″，６″−０一保護誘導体に対して、ピリジン中でハ
ロゲン化低級アルキルスルホニル、ハロゲン化アリール
スルホニル又はハロゲン化アラルキルスルホニルを低温
で例えば−３０〜３０℃の範囲の温度で相当な時間作用
させると、３″，４″位及び２″位のヒドロキシル基が
スルホニル化（スルホン酸エステル化）を受け、３″，
４″，２″，一トリー０−スルホニル化生成物が生成さ
れる。

この生成物を次にジメチルホルムアミドの如き不活性の
有機溶剤中で例えば５０〜１５０℃の範囲の温度で約１
紛〜３時間、アルカリ金属沃化物又は臭化物、例えば沃
化ナトリウム又は沃化カリウム及び亜鉛末の如き還元性
金属（特願昭５０−１４６９０３号の場合と違つて、ベ
ンジルオキシカルボニル型アミノ保護基を有する上記ス
ルホニル化生成物を３″，４″一不飽化するためには亜
鉛末の如き還元性金属の併用を必要とすることが今回認
められた）で処理すると、３″，４″位が脱スルホニル
化して３″，４″一不飽和誘導体（３″一エノ体）が生
成される。

この３″，４″一不飽和誘導体から４″，６″−０一保
護基を脱離するために、該化合物を４″，６″−０一保
護基の種類に応じて公知の適当な脱保護法にかけると、
前記一般式（）に相当する化合物が調製されるのである
。第２の本発明で用いられる一般式（）の化合物の調製
は、前記の一般式（）の化合物の調製過程で得られる前
記３″，４″一不飽和誘導体（３″ーエノ体）を直ちに
３″，４″−０一保護基の前述の如き公知の適当な脱保
護法にかけることによつて行われる。

次に第１及び第２の本発明の方法で用いられる式（）の
化合物の製造例を示す参考例を記載する。

参考例１ （１）ベンダーＮ−ベンジルオキシカルボニルー４″″
，６″″−０−シクロヘキシリデンカナマイシンＢの製
造カナマイシン遊離塩基４．７ｙを水５０ｍ１に溶解し
、炭酸ナトリウム６ｙを加えジオキサン１００ｍ１を加
えて後、塩化ベンジルオキシカルボニル９．０ｙを加え
常温で４時間攪拌した。

濃縮後、濃縮液を水に投入し、不溶液を枦取、水洗、充
分乾燥した。この固体をジメチルホルムアミド５０ｍ１
に溶解し、無水ｐ−トルエンスルホン酸１００ｍ９、シ
クロヘキサノンジメチルケタール４ｍ１を加え常温で一
夜放置した。反応液を大量の諦アンモニア水溶液にそそ
ぎ、析出した固体をｐ取、水洗し乾燥して表題化合物を
得た。９．６８ｙ（９１％）、〔α〕芭０＋４８。

（Ｃ１、ピリジン）。元素分析Ｃ６４Ｈ７５Ｎ５Ｃ２Ｏ
として 計算値：Ｃ６２．２８Ｈ６．ｌ２Ｎ５．６７％実験値：
Ｃ６２．ｌ９Ｈ６．ｌ８Ｎ５．７７％（２）ベンダーＮ
−ベンジルオキシカルボニルー３″，４″，２′５−ト
リー０−ベンジルスルホニルー４″″，６″″−０−シ
クロヘキシリデンカナマイシンＢの製造但しＺ＝ＣＯ２
ＣＨ２Ｃ６Ｈ５、ＢＳ＝ＳＯ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ５前記（１
）項で得られた物質２００ｍ９をピリジン４ｍ１に溶解
し、−゛２０℃に冷却後塩化ベンジルスルホニル１２３
ｍ９を加えその温度で４．５時間放置した。

水０．１ｍ１を加えた後、反応液を濃縮し、この濃縮液
を０．０５％炭酸ナトリウム水溶液中にそそぎ、析出し
た沈澱を枦取し、水洗し乾燥して表題化合物を得た。２
７２ｍ９（９９％）、〔α〕？＋５９化（ＣＯ．＆ジオ
キサン）。

元素分析Ｃ８５Ｈ９３Ｎ５Ｏ２６Ｓ３として計算値：Ｃ
６Ｏ．ｌ４Ｈ５．５３Ｎ４．ｌ３Ｓ５．６７％実験値：
Ｃ５９．９ＯＨ５．４５Ｎ４．Ｏ３Ｓ５．６７％（３）
ベンダーＮ−ベンジルオキシカルボニルー２″−０−ベ
ンジルスルホニルー４″，６Ｉ−０−シクロヘキシリデ
ンー３″，４″ージデオキシー３″−エノカナマイシン
Ｂの製造上記（２）項で得られた物質１６９ｍ９、沃化
ナトリウム１．７ｙ及び亜鉛末８４０ｍｇをジメチルホ
ルムアミド３．４ｍ１に懸濁し、９５℃で３紛間攪拌し
た。

冷却後、固化した溶液をクロロホルムで抽出し、クロロ
ホルム液を水洗、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮してシ
ロツプを得た。このシロツプを熱クロロホルムに溶解し
、ヘキサンを加えて固体を沈澱せしめて表題化合物を得
た。１１５ｍ９（８６％）、〔α〕芭５＋１２．５。（
ＣＯ．Ｆ３ｓジオキサン）；核磁気共鳴スペクトル（Ｃ
ＤＣｌ３中）δ５．６（２ＨＡＢクアルテツト、Ｊ＝約
１１ヘルツ、Ｈ−３″，４″）元素分析Ｃ７ｌＨ７９Ｎ
５Ｏ２。

Ｓとして計算値：Ｃ６２．９６Ｈ５．８８Ｎ５．ｌ７Ｓ
２．３７％実験値：Ｃ６２．７３Ｈ５．９６Ｎ５．Ｏ４
Ｓ２．３２％（４） ベンダーＮ−ベンジルオキシカル
ボニルー２′５−０−ベンジルスルホニルー３″，４″
ージデオキシー３″一エノカナマイシンＢの製造前記（
３）項で得た物質１１５ｍｇをジオキサン（０．２５ｍ
Ｌ）、水（０．１５ｍｔ）及び酢酸（１．６Ｔｎｔ）の
混液に溶解し一、溶液を８０℃で２．時間加熱した。

溶液を濃縮し、残渣をジオキサンに溶解し、水を加えて
固体を沈澱せしめて表題化合物を得た。１０４ｍ９（９
６％）、〔α〕乙５＋１０オキサン）。

元素分析Ｃ６５Ｈ７ｌＮ５Ｏ２ＯＳとして計算値：Ｃ６
ｌ．２６Ｈ５．６２Ｎ５．５ＯＳ２．５２％実験値：Ｃ
６ｌ．３５Ｈ５．６３Ｎ５．２２Ｓ２．８９％次に本発
明を実施例によりさらに詳細に説明す５。

辷施例１１）３″，４ージデオキシー３″一エノカナマ
イシンＢの製造（第１の発明）ベンダーＮ−ベンジルオ
キシカルボニルー２″−０−ベンジルスルホニルー３″
，４′ージデオキシー３″一エノカナマイシンＢ（参考
例１、（４）の生成物）６１ｍ９を液体アンモニア（−
５０℃、〜１８ｍ１）に溶解し、金属ナトリウム約１２
０ｍ９を投入し、−（イ）℃にてゆるく１時間攪拌した
。

メタノールを加え過剰のナトリウムを消去して後、徐々
に室温にもどしアンモニアを蒸発せしめた。残渣を水に
溶解し、これにダウエツクス５０Ｗ×２（Ｈ型）レジン
４ｍ１を加えかくはん後、あらかじめ同レジン３．５ｍ
１をつめたカラムに上記処理レジン混合物をそそぎ、カ
ラム全体を充分に水洗後、１Ｍアンモニア水溶液で展関
した。ニンヒドリン活性部分を集め濃縮した。１炭酸塩
として２３．８ｍｇ（９７％）の３″，４″ージデオキ
シー３″一エノカナマイシンＢ（一般式）を得た。

本物質は抗菌力を示した。〔α〕臣十４４た（ＣＯ．４
．水）元素分析Ｃｌ８Ｈ３５Ｎ５Ｏ８，Ｈ２ＣＯ３とし
て計算値：Ｃ４４．６ｌＨ７．２９Ｎｌ３．４ｌ％実験
値：Ｃ４４．７６Ｈ７．５ｌＮｌ３．７５％（２）３″
，４″ージデオキシカナマイシンＢの製造実施例１の（
１）項で得た物質１２．１ｍ９を水０．３ｍｔに溶解し
酸化プラチニウム（約５ｍ９）を加え、水素圧３．５ｋ
９１ｃＴｉで１．時間還元した。

溶液を枦過後濃縮し、目的とする３″，４″ージデオキ
シカナマイシンＢｌｌ．５ｍｇ（９５％）を１炭酸塩と
して得た。〔α〕芭５＋１１００（Ｃ１、水）、本物質
は従来法て得られたものと、核磁気共鳴、赤外線吸収ス
ペクトル及び抗菌スペクトルに於て完全に標品と一致し
た。元素分析Ｃｌ８Ｈ３７Ｎ５Ｏ８，Ｈ２ＣＯ３として
計算値：Ｃ４４．４３Ｈ７．６６Ｎｌ３．６４％実験値
：Ｃ４４．９ｌＨ７．９６Ｎｌ３．６３％実施例２ベン
ダーＮ−ベンジルオキシカルボニルー２Ｉ−０−ベンジ
ルスルホニルー３″，４″ージデオキシー３″一エノカ
ナマイシンＢ（参考例１、４項の生成物）１０８ｍ９を
水−ジオキサン（１：５）中酸化白金を用い、実施例１
の２項と同様に還元処理してベンダーＮ−ベンジルオキ
シカルボニルー２″−０一ベンジルスルホニルー３″，
４″−ジデオキシカナ”マイシンＢを含む生成物を得た
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）〔式中Ｒ＾１
   は非置換又は置換ベンジルオキシカルボニル基であるア
   ミノ保護基を表わし、Ｒ＾２は低級アルキルスルホニル
   基、アリールスルホニル基又はアラルキルスルホニル基
   を表わす〕で表わされる３′、４′−ジデオキシ−３′
   −エノカナマイシンＢ保護誘導体を液体アンモニア中で
   アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属と反応させてア
   ミノ保護基Ｒ＾１とスルホニル基Ｒ＾２とを一挙に脱離
   させ、これにより次式（III）▲数式、化学式、表等が
   あります▼（III）で示される３′、４′−ジデオキシ
   −３′−エノカナマイシンＢを生成し、次いでこれを還
   元反応に付することを特徴とする、次式（ I ）▲数式
   、化学式、表等があります▼（ I ）で示される３′、
   ４′−ジデオキシカナマイシンＢの製造法。 ２ 次の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）〔式中Ｒ＾１
   は非置換又は置換ベンジルオキシカルボニル基であるア
   ミノ保護基を表わし、Ｒ＾２は低級アルキルスルホニル
   基、アリールスルホニル基又はアラルキルスルホニル基
   を表わす〕で表わされる化合物を接触環元反応に付して
   次の一般式（IV）▲数式、化学式、表等があります▼（
   IV）〔式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は前記の意味を表わす〕
   で表わされる３′，４′ジデオキシカナマイシンＢ保護
   誘導体又は該保護体のアミノ保護基Ｒ＾１の一部が脱離
   した生成物を生成し、次いでこれを液体アンモニア中で
   アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属と反応させてア
   ミノ保護基Ｒ＾１とスルホニル基Ｒ＾２とを一挙に脱離
   することを特徴とする、３′，４′−ジデオキシカナマ
   イシンＢの製造法。