JPS6029720B2 - ３′，４′‐ジデオキシカナマイシンｂの新規な製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は３，４′ージデオキシカナマィシンＢの新規な
製法に関する。

３，４ージデオキシカナマイシンＢは、本発明者らによ
って発明された耐性菌に有効な半合成抗生物質であって
広く臨床に使用されている薬剤である（特公昭５０一７
５９５公報及び「ジャーナル・オブ・アンティバィオテ
ックス」２年藍４８５頁（１９７１年）参照）。

従来は３，４′−ジデオキシカナマイシンＢの製法とし
ては｛１｝ カナマイシンＢを出発原料として用いて、
これとアルコキシカルボニルハロゲニドを反応させて５
個のアミノ基を保護し次いでアルデヒド、ケトンまたは
それらのアセタール又はケタールを反応させて３′，４
′位及び４″，６″位の水酸基を保護し、次いで２″位
の水酸基をアルカノィル基又はアロィル基で保護した後
、３′，４′位の水酸基の保護基を希酸で選択的に脱保
護し、次いで３′，４′位のスルホン酸ェステル化二重
結合化、水素添加を順次行い、次に４″，６″位の水酸
基の保護基を酸で脱保護した後、残余の保護基を脱離す
る方法が知られている（特公昭５０−７５９５号公報参
照）。

‘２｝ またカナマイシンＢを出発物質としアミノ基を
シッフ塩基化して保護し、次いで３，４位及び４″，が
位の水酸基をアセタール化又はケタ−ル化して保護し、
この誘導体を以後は前記の方法（１）と同機な工程によ
り処理して３′，４′ージデオキシカナマィシンＢ（以
下、ＤＫＢと略称することもある）を得る方法も知られ
ている（特関昭４７一４３２８６号公報参照）。

これらの従来方法は、アミノ基及び水酸基の保護及び脱
離が複雑でかつ収率も１０％台と低い。本発明者等は、
上記従来法の欠点のない新しいＤＫＢ合成法を開発する
目的で研究した結果、カナマイシンＢの５個のアミノ基
を低級アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基及
びアラルキルスルホニル基から選ばれたアミノ基の保護
基で保護された３，４′ージデオキシカナマイシンＢを
調製し、こうして得られたペンターＮースルホニル化カ
ナマイシンＢに対して、４″，６″ーヒドロキシル基を
保護するためにアルキリデン化剤、アリーリデン化剤、
シク。へキシリデン化剤又はテトラヒドロピラニリデン
化剤を作用させ、これによってペンターＮースルホニル
ー４″，６″ー○−保護カナマイシンＢを生成させ、さ
らにこの４″，６″−０−保護体に対してピリジン中で
塩化ペンジルスルホニル又は塩化メタンスルホニル（即
ち塩化メシル）を低温で作用させて３′，４′ージ−０
ーベンジルスルホニル化生成物（又は３，４−ジ−○ー
メシル化生成物）あるいは３′，４′，２″ートリ−○
ーベンジルスルホニル化生成物（又は３′，４′，２″
−トリー○ーメシル化生成物）又はこれらの混合物を生
成させ得ることを知見した。このようにして得られたペ
ン夕−Ｎ−スルホニルー４″，６″−０−保護−３′，
４′ージー○ースルホニルー又は３′，４′，２″ート
リ−○ースルホニルカナマイシンＢは、これに対して亜
鉛末を存在させることなく沃化ナトリウムのみを有機溶
剤中で作用させることによって３′，４′位のペンジル
スルホニルオキシ基又はメシルオキシ基を脱離して３，
４′位炭素結合を不飽和結合に転化できることを発見し
た。このように亜鉛末の使用を省略できることは、前出
の特公昭５０−７５９５号及び特開昭４７・−４３２８
６号の何れの方法でも３′，４′位不飽和結合化に際し
て亜鉛末を必要としたことから見ると全く予想外であり
、カナマイシンＢのァミノ基がスルホニル化により保護
を受けていることの影響に由ると推定される。上記の３
，４′一不飽和結合化によって、ベンターＮースルホニ
ル−４″，６″−○−保護−３，４′ージデオキシ−３
′−ェノカナマイシンＢ又はペンターＮースルホニル−
４″，６″−○一味護−２″−０ースルホニルカナマィ
シンＢが生成されるが、この３′−ェノ体を水素添加す
ると、対応の３′，４−ジデオキシカナマィシンＢ保護
体が生成され、さらにこの水素添加生成物から４″，６
″ー○−保護基を常法で脱離させると、ベンターＮース
ルホニル−３，４′ージデオキシカナマイシンＢ又はペ
ン夕−Ｎ−スルホニルー２′一○ースルホニルー３′，
４′ージデオキシカナマィシンＢが生成される。

これを液体アンモニア又はアルキルアミン、等の如き塩
基性試薬の存在下にアルカリ金属又はアルカリ士類金属
で処理すると、５個のアミノ基及び２″−ヒドロキシル
基上の保護基として存在するスルホニル基が一挙に脱離
できることも発見した。これらの知見に基づいて本発明
は完成された。従って、第１の本発明の要旨とするとこ
ろは、次の一般式（Ｖ）〔式中、ＲＩは、低級アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基及びアラルキルス
ルホニル基から選ばれたアミノ基の保護基を表わし、Ｒ
２は水素原子、もしくは低級アルキルスルホニル基、ア
リールスルホニル基又はアラルキルスルホニル基型のヒ
ドロキシル保護基を表わし、Ｙはペンジルスルホニル基
又はメシル基を表わし、×はアルキリデン基、アリーリ
デン基、シクロヘキシリデン基又はテトラヒドロピラニ
リデン基を表わす〕で表わされるペン夕−Ｎ−スルホニ
ルー４″，６″ー○−保護−３′，４′ージー○−ペン
ジルスルホニルー又はメシルーカナマィシンＢを有機溶
媒中で沃化ナトリウムのみで処理することにより次の一
般式（Ｗ）〔式中、Ｒ１，Ｒ２及び×は前記と同じ意味
である〕で表わされる３，４′ージデオキシ−３−ェノ
カナマィシンＢ保護議導体を生成し、式（Ｗ）の化合物
を水素添加して次式（血）〔式中、Ｒ１，Ｒ２及び×は
前記と同じ意味である〕で表わされる３′，４′ージデ
オキシカナマィシンＢ保護誘導体を生成し、さらに式（
肌）の化合物から４″，６″−○−保護基（Ｘ）を公知
の脱保護法で脱離することによって次の一般式（０）〔
式中、ＲＩ及びＲ２は前記と同じ意味である〕で表わさ
れる３′，４−ジデオキシカナマィシンＢ保護誘導体を
生成し、式（０）の化合物を塩基性試薬の存在下にアル
カリ金属もしくはアルカリ士競金属で処理することによ
り保護基ＲＩ及びＲ２を脱離することを特徴とする、次
式（１）で示される３′，４′−ジデオキシカナマイシ
ンＢの製造法を提供するものである。

次に第１の本発明をさらに具体的に説明する。

まず、第１の本発明の方法の出発物質である一般式（Ｖ
）で示される化合物の調製法について説明する。すなわ
ち、先づスルホニル型の保護基で５個のアミノ基を保護
された３′，４′ージデオキシカナマィシンＢ又はこれ
の２″−○ースルホニル化保護誘導体の調製を例えば次
の要領で行う。

カナマイシンＢ（遊離塩基）を炭酸ナトリウムの如きア
ルカリの存在下にジデオキサンの如き不活性の有機溶剤
中で−３０〜５ぴ０の範囲で次式Ｒ３Ｓ０２×〔式中、
Ｒ３Ｓ０２一は前記のＲＩと同じスルホニル基である意
味をもち、×は塩素又は臭素である〕のスルホン酸と実
質的に化学量論的割合量で作用させる。

これによってペンターＮースルホニル化カナマイシンＢ
が得られる。ここで基亥１及びＲ２の具体例を示すと、
ＲＩについて低級アルキルスルホニル基としては例えば
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルス
ルホニル基、インプロピルスルホニル基、ブチルスルホ
ニル基があげられ、アリールスルホニル基としては例え
ばｐートルェンスルホニル基、○−ニトロベンゼンスル
ホニル基、ｐ−ニトロベンゼンスルホニル基、ｐ−メト
キシベンゼンスルホニル基、１一又は２−ナフタレンス
ルホニル基があげられ、アラルキルスルホニル基として
はペンジルスルホニル基があげられる。

またＲ２について水素原子、低級アルキルスルホニル基
としては例えばメチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、プロピルスルホニル基、インプロピルスルホニル基
、ブチルスルホニル基があげられ、アリールスルホニル
基としては例えばｐ−トルェンスルホニル基、０ーニト
。ベンゼンスルホニル基、ｐ−ニトロベンゼンスルホニ
ル基、ｐ−メトキシベンゼンスルホニル基、１一又は２
−ナフタレンスルホニル基があげられ、アラルキルスル
ホニル基としてはペンジルスルホニル基があげられる。
次に、ベンターＮースルホニル化カナマイシンＢに対し
て特公昭５０−７５９５号公報に記載されるようにアセ
タール又はケタール基型のヒドロキシル保護基で４″，
６″−ヒドロキシル基を保護するために該公報に記載さ
れるアルキリデン化剤、アリーリデン化剤、シクロヘキ
シリデン化剤又はテトラヒド。ピラニリデン化剤を比較
的低温で例えば１０〜８０午○の範囲の温度で作用させ
る。これによって、４″，６″ーヒドロキシル基がアル
キリデン又はアリーリデン基、もしくはシクロヘキシリ
デン基又はテトラヒドロピラニリデン基Ｘで保護された
４″，６″−０一保護誘導体が生成される。さらに、こ
の４″，６″−○−保護誘導体に対して、ピリジン中で
塩化ペンジルスルホニル又は塩化メシルを低温で例えば
一３０〜３０ｑｏの範囲の温度で作用させると、３′及
び４位のヒドロキシル基がペンジルスルホニル化又はメ
シル化を受け、また時には、２″位のヒドロキシル基も
ペンジルスルホニル化又はメシル化を受けるので、一般
式Ｖで表わされる３，４′ージー○ーベンジルスルホニ
ル（又はメシル）化生成物又はぎ，４′，２″−トリー
○ーベンジルスルホニル（又はメシル）化生成物又はこ
れらの混合物が生成される。第１の本発明の方法では、
この式Ｖの化合物をジメチルホルムアミドの如き不活性
の有機溶剤中で例えば５０〜１５ぴ０の範囲の温度で約
１５分〜３時間沃化ナトリウムで処理する。これによっ
て、３，４′位から脱ペンジルスルホニルオキシ化又は
脱メシルオキシ化して式ので表わされる３′，４′ー不
飽和譲導体（３，４′−ジデオキシ−３′−ェノカナマ
ィシンＢ誘導体）が生成される。この式のの３′，４−
不飽和誘導体を公知の要領で、例えば特公昭５０−７５
９５号公報の方法の接触水素還元工程と同様な反応条件
で水添すると、式Ｗで表わされる対応のペン夕−Ｎ−ス
ルホニルー４″，６″ー○−保護−３，４′ージデオキ
シカナマイシンＢが生成される。

次にこの水添生成物から４″，６″−○−保護基を脱離
するために、該化合物を４″，６″−○−保護基の種類
に応じて公知の適当な脱保護法にかけると、前記一般式
０‘こ相当する化合物が生成されるのである。第１の本
発明の方法において、次いで反応は、塩基性試薬、例え
ばアンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、
ジメチルアミン、ジエチルアミン、の如き低級ジアルキ
ルアミン；メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミ
ンの如き低級アルキルアミン；アニリン、メチルアニリ
ン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、ジエチルアニ
リン、トルィジン、の如き低級アルキルアニリン、ベン
ジルアミン、ジベンジルアミン、ジフエニルアミン、ナ
フチルアミン、の如きアミン塩基のような塩基性試薬の
単独又はそれらの混合又は上記試薬とメタノール、エー
テル、ベンゼンなどの通常溶媒との混合体に式０の化合
物を溶解し、リチウム、ナトリウム、カリウムから選ば
れたアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム、バリウ
ムから選ばれたアルカリ士類金属のうちいずれか一種又
は二種以上を作用させて行わしめる。

この時の温度は−８ぴ〜十５００で反応を行う。室温以
上で行う場合には封管内で行なう方がよい。反応時間は
０．５〜２４時間が適当である。またアルカリ金属、ア
ルカリ士類金属の添加量は、一般式１の化合物に対して
１０〜１００モル位が適当である。さらに、これらの金
属片は、１〜数回に分けて使用することも可能である。
反応終了後、塩化アンモニウム等を加えて残余のアルカ
リ金属、アルカリ土類金属を分解し、次いで溶媒を除去
し、残溝を水に溶解し、通常用いられる精製手段例えば
カラムクロマトグラフ等で精製を行い３′，４′ージデ
オキシカナマィシンＢを得る。これから硫酸塩、塩酸塩
、メタンスルホン酸塩等を製造する場合は、該化合物に
常法で酸を作用させる、例えば該化合物を水に溶解して
おき、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸等を加えることに
よって製造することができる。さらに本発明は前記一般
式ロの化合物に対応する式ｍの３−ェノ誘導体を第１の
本発明の方法と同機に塩基性試薬の存在下にアルカリ金
属又はアルカリ士類金属で処理すると、同様に保護基Ｒ
Ｉ及びＲ２を一挙に脱離できること、またその脱保護生
成物を水素還元反応に付して３′−ェノ体の３′，４′
ー不飽和結合を飽和させると、ＤＫＢが生成することを
知見した。

次の一般式Ｖ 〔式中、ＲＩは、低級アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基及びアラルキルスルホニル基から選ばれた
アミノ基の保護基を表わし、Ｒ２は水素原子、もしくは
低級アルキルスルホニル基、フリールスルホニル基又は
アラルキルスルホニル基型のヒドロキシル保護基を表わ
し、Ｙはペンジルスルホニル基又はメシル基を表わし、
×はアルキリデン基、アリーリデン基、シクロヘキシリ
デン基又はテトラヒドロピラニリデン基を表わす〕で表
わされるペン夕−Ｎ−スルホニル−４″，６″−○−保
護−３，４′−ジー０ーベンジルスルホニル一又はメシ
ルーカナマィシンＢを有機溶媒中で沃化ナトリウムのみ
で処理することにより次の一般式（Ｗ）〔式中、Ｒ１，
Ｒ２及び×は前記と同じ意味である〕で表わされる３′
，４′ージデオキシー３′ーェノカナマィシンＢ保護誘
導体を生成し、式のの化合物から４″，６″−○−保護
基Ｘを公知の脱保護法で脱離することによって次の一般
式ｍ〔式中、Ｒ１，及びＲ２は前記と同じ意味である〕
で表わされる３′，４′ージデオキシ−３′ーェノカナ
マィシンＢ保護誘導体を生成し、この式（ｍ）の化合物
を塩基性試薬の存在下にアルカリ金属もしくはアルカリ
士類金属で処理することにより保護基ＲＩ及びＲ２を脱
離ごせて次式Ｗで示される３′，４′ージデオキシー３
′ーエノカナマィシンＢを生成し、次いでこれを還元反
応に付すことを特徴とする、次式１で示される３，４−
ジデオキシカナマイシンＢの製造法にある。

次に第二の本発明について具体的に説明するに、第２の
本発明の方法の各工程は第１の本発明方法の対応する工
程と同じ要領で実施できる。

ここで一般式Ｖ乃至ｍで示される化合物基ＲＩ及びＲ２
の具体例を示すと、ＲＩについて低級アルキルスルホニ
ル基としては例えば、メチルスルホニル基、エチルスル
ホニル基、プロピルスルホニル基、インプロピルスルホ
ニル基、ブチルスルホニル基があげられ、アリールスル
ホニル基として例えばｐ−トルェンスルホニル基、０−
ニトロベンゼンスルホニル基、ｐーニトロベンゼンスル
ホニル基、ｐーメトキシベンゼンスルホニル基、１−又
は２−ナフタレンスルホニル基があげられ、アラルキル
スルホニル基としては、ベンジルスルホニル基があげら
れる。またＲ２について、水素原子、低級アルキルスル
ホニル基としては例えば、メチルスルホニル基、エチル
スルホニル基、プロピルスルホニル基、インプロピルス
ルホニル基、ブチルスルホニル基があげられ、アリール
スルホニル基としては例えばｐ−トルェンスルホニル基
、０−ニトロベンゼンスルホニル基、ｐ−ニトロベンゼ
ンスルホニル基、ｐーメトキシベンゼンスルホニル基、
１一又は２−ナフタレンスルホニル基があげられアラル
キルスルホニル基としては、ベンジルスルホニル基があ
げられる。アミノ基脱保護工程の反応は第１の本発明で
用いられたと同じ塩基性試薬、例えばアンモニア、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピル
アミン、アニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリン
、エチルアニリン、ジエチルアニリン、トルイジン、ベ
ンジルアミン、ジベンジルアミン、ジフエニルアミン、
ナフチルアミン等の如きアミン塩基のような塩基性試薬
の単独又はそれらの混合、又は上記試薬とメタノール、
エーテル、ベンゼンなどの通常溶媒との混合体に溶解し
、リチウム、ナトリウム、カリウムから選ばれたアルカ
リ金属、カルシウム、マグネシウム、バリウムから選ば
れたアルカリ士類金属のうちいずれか一種又は二種以上
を作用させて行わしめる。

この時の温度は−８０００〜５０ｑｏで反応を行う。室
温以上で行う場合には封管内で行なう方がよい。反応時
間は０．５〜２岬時間が適当である。またアルカリ金属
、アルカリ士類金属の添加量は、一般式ｍの化合物に対
して１０〜１００モル位が適当である。さらにこれらの
金属片は、１〜数回に分けて使用することも可能である
。反応終了後、塩化アンモニウム等を加えて残余のアル
カリ金属、アルカリ士類金属を分解し、次いで溶媒を除
去し、残湾を水に溶解し、カラムクロマトグラフで精製
を行い前記の式Ｗで示される３，４′ージデオキシー３
−ェノカナマイシンＢを得る。次いでこうして得られた
式Ｎの３′，４′−ジデオキシー３′ーェノカナマイシ
ンＢを還元する。この還元反応は、水、メタノール、エ
タノール、ィソプロパノール、アセトン、ジオキサン、
ピリジン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、シクロヘキサン、酢酸エチルまたはこれらの混合溶媒
の如き不活性の溶媒に溶解し、ラネーニッケル、白金、
酸化白金、パラジウム炭素、コバルト、ロジウムコンプ
レックス、銅、鉄などの公知の水添触媒存在下に水素ガ
スを導入することにより行われる。水還元反応は−４０
℃〜１２０℃の温度で行われるが、室温〜１０ぴ０が好
ましい、。反応は常圧でも容易に進行するが５〜１００
ｋ９／洲の加圧下に行うこともできる。反応時間は０．
５〜４８時間が適当である。かくして本発明の目的物質
である前記式１の３，４′−ジデオキシカナマィシンＢ
を得ることができる。

こうして得られた３，４′ージデオキシカナマイシンＢ
は、第一の本発明で述べた如く精製を行い、これから硫
酸塩、塩酸塩、メタンスルホン酸塩等の酸付加塩を製造
することができる。

以上述べた如く本発明は、カナマイシンＢから収率よく
３′，４′ージデオキシカナマィシンＢを製造する方法
を提供するものであるが、１ 反応ステップが単純で全
収率は４０％以上である２ ２″位をアシル基などで保
護する工程を省略することが出釆るようになり工程が短
縮される。

３ アミノ基及び水酸基の脱保護が一度に行え、副反応
が生じない。

４ 従来の方法で二重結合形成に必要であった亜鉛を必
要とせず、安価でしかも廃棄物の処理の問題も起らない
。

などの秀れた特長を有するものである。

参考例 １ １ ペンターＮ一トシルーカナマィシンＢの製造カナマ
イシンＢ遊離塩基５．４ｇを水５５の上に溶解し、炭酸
ソーダ６．７ｇを加えジオキサン１１０の‘を加えた。

氷冷後、塩化トシル１総（カナマイシンＢＩモルに対し
て約６モル）を加え１脚時間氷冷下かくはんした。反応
液を４５ｏｏ付近で減圧濃縮し、濃縮液を水中に投入し
た。懸濁物（目的物）を炉取し、中性になるまで水洗し
て、さらにエーテルで洗った後、乾燥した。収量１３．
８ｇこの物質をシリカゲルカラムクロマトによりクロロ
ホルムーェタノール（１０：１）を展開系として精製し
、１０．滋（７３％）のペンターＮ一トシルーカナマイ
シンＢを得た。２ ペンターＮ−トシル−４″，６″ー
○−シクロヘキシリデンカナマィシンＢの製造ペンター
Ｎートシル−カナマイシンＢ（１７雌）をジメチルホル
ムアミド１７ｍ‘に溶解し、よく乾燥したｐートルェン
スルホン酸の触媒量５３ｍｇ、シクロヘキサノンジメチ
ルケタール０．６の【を加え５０３仇ｈｍＨｇで３０分
間反応させた。

シリカゲル薄層クロマトグラフ（酢酸エチル；ベンゼン
＝３：１）にてＲｆｏ．０４のスポットがなくなりＲｆ
ｏ．３８（目的物のスポット）とジシクロヘキシリデン
体（Ｒｒｏ．５６）がほぼ２：１の比でできたら水０．
０１の‘０．４倍モル、ジメチルホルムアミドにとかし
て加える）を加え室温で一夜放置した。重量１２５ｈｇ
の水飽和液をよく損辞しつつ一気に加え、溶液を減圧で
ほとんど濃縮し、これを水にそそいだ。

得られた固体を炉取、水洗し乾燥しペン夕−Ｎートシル
−４′′，６″一〇−シクロヘキシリデンカナマィシン
Ｂを得た。収量１．８０ｇ（定量的）、ｍｐ．１７５〜
１７６ｑｏ（分解）。〔Ｑ〕客＋１３０（ＣＩ，ＤＭＦ
）元素分析 Ｃ５虹７５Ｎ５０２ｏＳ５として計算値：
Ｃ５３．１０日５．６６Ｎ５．２５ＳＩ２．０１％ 実験値：Ｃ５２．７３日５．５１ Ｎ４．８３ＳＩＩ．６８％ ３ ３，４′ージー○−ペンジルスルホニル−ペン夕−
Ｎ−トシル−４″，６″一〇−シクロヘキシリデンカナ
マィシンＢ及び３′，４′，２″−トリ−○ーベンジル
スルホニルーベンターＮートシルー４″，６″一○ーシ
クロヘキシリデンカナマイシンＢの製造ペン夕−Ｎート
シル−４″，６″−○ーシクロヘキシリデンカナマイシ
ンＢＩ．７舵をピリジン３６の‘に溶解し塩化ペンジル
スルホニル（５０５ｍｇ、２倍モル）を加え、一３〜一
５℃で２．５時間反応させた。

さらに塩化ペンジルスルホニル２５３ｍｇを加え約３℃
で一夜放置し、反応液に水０．４の‘を加えた後、濃縮
し得られた階赤色のシロップをクロロホルム１２０の‘
に溶解し、１０％硫酸水素カリウム液、５％重曹水、さ
らに水で順次洗糠し、硫酸マグネシウムで乾燥し、クロ
ロホルムを蟹去して３，イージー０−ペンジルスルホニ
ルーベンターＮ−トシル−４″，６′ｒ−○−シクロヘ
キシリデンカナマイシンＢ及び３，４′，２′′−トリ
−○−ペンジルスルホニルーベン夕−Ｎートシルー４′
′，６′′一○ーシクロヘキシリデンカナマイシンＢの
混合物を褐色固体２．１６ｇ（定量的）として得た。本
混合物２．１鍵をシリカゲルカラム（ワコーゲルＣ−２
００、１４雌、ベンゼン；酢酸エチル＝３：２を使用）
で精製し、３，４′ージ−○ーベンジルスルホニルーベ
ンターＮ−トシルー４″，ザー○ーシクロヘキシリデン
カナマイシンＢを１．３１ｇ（６１％）ｍｐ．１６９〜
１７ｑ０（分解）、〔Ｑ〕色５０ｏ（ＣＩ，クロロホル
ム）、また３′，４′，２″ートリ−０ーベンジルスル
ホニルーベンタ−Ｎ−トシル−４″，６″−○ーシクロ
ヘキシリデンカナマイシンＢ４７３ｈｇ（２０％）ｍｐ
．１６３〜Ｉ６４Ｏ（分解）、〔Ｑ〕容＋２０ｏ（ＣＩ
１、クロロホルム）を得た。

これら二物質は上述の如く分離せず、混合物のまま以下
の反応を行なっても同一の結果が得られた。実施例 １
【１１ ペンターＮ−トシルー４″，６′′−○ーシク
ロヘキシリデン−３，４ージデオキシ−３′ーエノカナ
マィシンＢの製造参考例１の３）で得られた３′，４′
−ジー○−ペンジルスルホニル−ペンターＮートシル−
４′′，６″一〇ーシクロヘキシリデンカナマイシンＢ
Ｉ９９ｈｇをジメチルホルムアミド４の‘に溶解し、乾
燥した沃化ナトリウム２．０総を加え縄拝しつつ１００
ｑｏにて３０分反応せしめた。

２分後反応液は均一となり、次第に沃素が生成するため
反応液は赤褐色から黒褐色になる。

まだ反応液のなるべく温かいうちにクロロホルムを加え
、析出した沈澱を炉過又は遠心分離で除去した。除去固
体は充分クロロホルムで洗い、前の液と合した。クロロ
ホルム溶液を減圧で濃縮し、クロロホルムと随伴したジ
メチルホルムアミドを除去した。残澄をクロロホルムに
溶解し５％ハィポ水溶液で洗って沃素を除去し、さらに
水洗した後、クロロホルム溶液を無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を留去しペンターＮートシルー４″，６
″−シクロヘキシリデン−３，４′ージデオキシー３′
ーエノカナマイシンＢ１３．７ｍｇ（８７％）を得た。
元素分析値：Ｃ５汎７３Ｎや，８Ｓ５に対し計算値：Ｃ
，５４．４９；日，５．６６；Ｎ，５．３９：Ｓ，１２
．３３％実験値：Ｃ，５４．３２：日，５．５１：Ｎ，
５．１６：Ｓ，１１．９７％（２｝ ２″一○ーベンジ
ルスルホニルーベンタ−Ｎ−トシルー４″，６″一○ー
シクｏヘキシリデンー３′，４′ージデオキシー３′−
エノカナマイシンＢの製造参考例１の３）で得られた３
′，４′，２″ートリ−○ーベンジルスルホニルーベン
タ−Ｎートシルー４″，６″‐０−シクｏヘキシリデン
カナマイシンＢ２３２ｍｇをジメチルホルムアミド４．
６地に溶解し沃化ナトリウム２．４蜜を加え、１００ｏ
ｏで１時間反応せしめた。

クロロホルム２０の上を加えた後５％ハィポ液を加えよ
く振糧した。クロロホルム層を取り、水洗後硫酸マグネ
シウムで乾燥し、濃縮した。さらにトルェンで共沸して
ジメチルホルムアミドを留去し、淡褐色固体１９７ｍｇ
を得た。これをシリカゲルカラム（ワコーゲルＣ−２０
０，ｌｏｇ，ベンゼン：酢酸エチル＝２：１）で精製し
、無色固体１６４ｍｇ（８７％）を得た。ｍＰ．：１５
６〜１５７０（分解） 〔Ｑ〕奪：−１５ｏ（ＣＩ，クロロホルム）元素分析値
Ｃ６６日７９Ｎ５０２ｏＳ６に対し計算値：Ｃ，５４
．４９；日，５．４７：Ｎ，４．８１；Ｓ，１３．２２
％実験値：Ｃ，５４．１７；日，５．４９；Ｎ，４．５
０；Ｓ，１２．９５％（３ｌ ペン夕−Ｎ−トシルー４
″，６″−０ーシクロヘキシリデン−３，４−ジデオキ
シカナマイシンＢの製造ペン夕−Ｎートシルー４″，６
″−○−シクロヘキシリデンー３′，４′一ジデオキシ
ー３′ーエノカナマィシンＢ１５７ｍｇを酢酸エチル１
．５机【とジオキサン０．５の‘の混液に溶解し、酸化
白金３仇ｈｇを加え、３．５気圧の水素気圧下、室温で
１時間反応させた。

反応液にジオキサンを加えて加熱し、溶解せしめた後炉
過して白金を除く。炉液を濃縮するとシロップを得た。
これに水を加え沈澱を生ぜしめ、遠沈し乾燥すると白色
固体のペンターＮ−トシルー４″，６″−○−シクロヘ
キシリデン−３，４′ージデオキシカナマィシンＢ１２
４ｍｇ（収率：８４％）を得た。ｍＰ．：１５５〜１５
が０ 〔Ｑ〕客：００（ＣＯ．４，ジメチルホルムアミド）元
素分析値 Ｃ５虹７５Ｎ５０，８Ｓ５に対し計算値：Ｃ
，５４．４０；日，５．８０；Ｎ，５．３８；Ｓ，１２
．３１％実験値：Ｃ，５３．９１：日，５．７９；Ｎ，
４．９６：Ｓ，ｉｌ．７４％（４ー ２′′−○ーベン
ジルスルホニル−ペンターＮ−トシルー４″，６″−０
−シクロヘキシリデン−３，４′−ジデオキシカナマィ
シンＢの製造前項■で得られた２′一○ーベンジルスル
ホニルーベンターＮートシルー４″，６″一〇ーシクロ
ヘキシリデン一３，４′ージデオキシ−３′ーエノカナ
マィシンＢＩ１２の９をジオキサン２泌に溶解し、酸化
白金３仇ｈｇを加え、３．５気圧下水素で１時間反応し
た。

触媒をシリカゲルカラムで除き、ジオキサンで洗う。溶
液からジオキサンを留去すると無色固体の２″−○ーベ
ンジルスルホニルーベンターＮ−トシルー４″，６″一
○−シクロヘキシリデンー３′，４′ージデオキシカナ
マィシンＢＩ１３ｈｇを得た。ｍＰ．：１５６〜１５７
つ０（分解）〔Ｑ〕客：十１６０（ＣＩ，クロロホルム
）元素分析 Ｃ６６日８，Ｎ５０２ｏＳ６に対し計算値
：Ｃ，５４．４２：日，５．６０：Ｎ，４．８１；Ｓ，
１３．２０％実験値：Ｃ，５４．５６：日，５．５７；
Ｎ，４．６９；Ｓ，１３．０１％‘５’ ペン夕−Ｎ−
トシルー３，４′−ジデオキシカナマィシンＢの製造前
項で得られたペン夕−Ｎートシルー４″，が−○−シク
ロヘキシリデンー３，４′ージデオキシカナマィシンＢ
３９．肌ｇを酢酸１．１奴‐水０．３の‘に懸濁せしめ
８０００で１時間反応せしめた。

反応液は約１０分でほとんど溶解するか不熔分を除き炉
液を濃縮し乾燥するとペン夕−Ｎ−トシル−３，４′ー
ジデオキシカナマィシンＢ３１．仇ｈｇ（収率；８５％
）を得た。‘６｝ ２′′−○ーベンジルスルホニルー
ベンターＮ−トシル−３，４′−ジデオキシカナマイシ
ンＢの製造前項で得られた２″−○ーベンジルスルホニ
ル−ペン夕−Ｎ−トシル−４″，６′′一〇−シクロヘ
キシリデン−３′，４−ジデオキシカナマイシンＢＩ１
３ｈｇを８０％酢酸２の上中８０００で１．５時間処理
した。

懸濁液が均一となった後、反応液を減圧で濃縮し、トル
ェソで共雛すると無色固体の２″−○−ペンジルスルホ
ニルーベンターＮ−トシルー３，４′ージデオキシカナ
マィシンＢＩ０４ｍｇ（収率：９７％）を得た。【７）
ペンターＮートシル−３′，４′ージデオキシ−３ーェ
ノカナマィシンＢの製造前項【１｝で得られたペンター
Ｎートシルー４″，６″ー○−シクロヘキシリデン−３
′，４−ジデオキシー３−ェノカナマィシンＢ４２ｈｇ
を酢酸１の【一水０．３机に懸濁せしめ８０００で１時
間反応せしめた反応後不溶部を除き炉液を濃縮し乾燥す
るとペンターＮ−トシルー３，４′ージデオキシー３−
エノカナマィシンＢ３２ｈｇを得た。

｛８’ ２″−０ーベンジルスルホニルーベンタ−Ｎ−
トシルー３，４′ージデオキシ−３′ーエノカナマイシ
ンＢの製造前項■で得られた２″−○−ペンジルスルホ
ニル−ペン夕−Ｎ−トシル−４′′，６″−○ーシクロ
ヘキシリデン−３，４′ージデオキシ−３′−エノカナ
マィシンＢ３８ｍｇを｛７｝で述べた方法と全く同機に
処理して２″−○−ペンジルスルホニルーベン夕−Ｎー
トシルー３，４′−ジデオキシ−３′ーエノカナマイシ
ンＢ２９ｈｇを得た。

参考例 ２ １４′′，パー○−シクロヘキシリデンカナマイシンＢ
ペンタトシレートの製造カナマイシンＢペンタトシレ−
，ト（１．錐）をジメチルホルムアミド２５机上に溶解
し、トルェンスルホン酸１水塩４５仇ｈｇ、シクロヘキ
サノンジメチルケタール０．７肌を加え、５０００で７
印ｈｍＨｇで３０分間反応させた。

大量のエーテルを加えて固体を沈澱せしめ、この固体を
炉取し、よくエーテルで洗液し、乾燥し、４″，６″−
○−シクロヘキシリデンカナマィシンＢペンタトシレー
ト１．１５ｇを得た。２ ペンターＮ−ペンジルスルホ
ニルー３，４ージー○−ペンジルスルホニルー４″，６
″−○−シクロヘキシリデンカナマイシンＢ及びペン夕
−Ｎ−ペンジルスルホニルー３，４，２″−トリー○ー
ベンジルスルホニル一４′′，６′′一〇ーシクロヘキ
シリデンカナマイシンＢの製造但しＱ＝Ｈｏｒ聡，Ｂｓ
＝Ｃ６日５ＣＨ２Ｓ０２４″，６″ー○ーシクロヘキシ
リデンカナマイシンＢペンタトシレート１．１雌をピリ
ジソ４０私に溶解し、溶液を氷冷後トリェチルアミン０
．鍵と塩化ペンジルスルホニル１．５ｇを徐々に加えた
。

５時間後さらに塩化ペンジルスルホニル１．０ｇとトリ
ェチルアミン０．５ｇを加え、約３℃に一夜放置した。

反応液に水０．５地を加えた後濃縮し、得られた脂赤色
シロップをクロロホルムに溶解し、１０％硫酸水素カリ
ウム液、５％重曹水、さらに水で厭次洗修し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、クロロホルムを蟹去して固体を得た
。本固体をシリカゲルカラム（ワコーゲルＣ−２００，
ベンゼン：酢酸エチル５：２を使用）で精製し、ベン夕
−Ｎ−ペンジルスルホニル−３′，４′ージ−○ーベン
ジルスルホニル−４″，６″−○−シクロヘキシリデン
カナマイシンＢを得た。０．３１ｇ〔Ｑ〕色５十５ｏ（
ＣＩ：クロロホルム），またペン夕−Ｎ−ペンジルスル
ホニル−３，４，２″ートリ−ペンジルスルホニル−４
′′，６″一○ーシクｏヘキシリデンカナマイシンＢＯ
．１３ｇを得た。

〔Ｑ〕色５十１が（ＣＩ，クロロホルム）実施例 ２ ‘１） ベンタ−Ｎーベンジルスルホニル−４″，６″
ー０−シクロヘキシリデン−３，４−ジデオキシ−３−
ェノカナマィシンＢの製造参考例２の２）で得られたペ
ン夕−Ｎ−ペンジルスルホニル−３，４′ージー○−ペ
ンジルスルホニル−４″，６″−○ーシクロヘキシリデ
ンカナマイシンＢ２０靴ｇをジメチルホルムァミド４の
‘に溶解し、沃化ナトリウム滋を加え１００℃にて３粉
ご反応せしめた。

以下実施例１の（１｝と同様に処理してペンターＮ−ペ
ンジルスルホニル−４′′，６′一○ーシクｏヘキシリ
デン−３，４−ジデオキシ−３′−エノカナマィシンＢ
１４５ｈｇを得た。元素分析値 Ｃ５虹７３Ｎ５０，８
Ｓ５に対し計算値：Ｃ，５４．３９；日，５．６６：Ｎ
，５．３９：Ｓ，１２．３３％実験値：Ｃ，５３．９１
；日，５．４０：Ｎ，５．０７；Ｓ，１１．８３％｛２
） ペン夕−Ｎ−ペンジルスルホニルー３，４′ージデ
オキシカナマィシンＢの製造前項‘１｝で得られたペン
夕−Ｎ−ペンジルスルホニル−４″，６″−○−シクロ
ヘキシリデン３，４−ジデオキシ−３−ェノカナマィシ
ンＢを実施例１の｛３’と全く同様に処理して二重結合
を還元した後、得られたシロップ状物質を精製すること
なく実施例１の｛５’と全く同様に処理してシクロヘキ
シリデン基を加水分解で脱離しペン夕−Ｎ−ペンジルス
ルホニル−３，４′−ジデオキシカナマイシンＢを得た
。

参考例 ３ １ ４″，６″ー○−シクロヘキシリデン−ペンターＮ
−メシルー３，４，２′′ートリー○−メシルカナマィ
シンＢの製造４″，６″ー○ーシクロヘキシリデンカナ
マイシンＢペンタトシレート１．４０ｇをピリジン４０
の上に溶解し、溶液を氷冷し、トリェチルアミン０．７
柳ロえた後氷冷し、塩化メタンスルホニル１ｇを徐々に
加えた。

５時間後、さらにトリェチルアミン０．５ｇと塩化メタ
ンスルホニル０．６ｇを加え冷蔵庫中に一夜放置した。

反応液に水０．５奴‘を加えた後濃縮し、得られたシロ
ップをクロロホルムに溶解し、この溶液を水で洗って後
硫酸マグネシウムで乾燥し、クロロホルムを蟹去して固
体を得た。本固体をシリカゲルカラム（クロロホルムを
使用）で精製し、４′′，６″一〇ーシクロヘキシリデ
ン−ペン夕−Ｎ−メシル−３，４，２′′−トリ−○−
メシ／ルカナマイシンＢＯ．２６ｇ（〔Ｑ〕色５十２５
０（ＣＩ，クロロホルム））を得た。実施例 ３ ｛１’４″，６″−○−シクロヘキシリデン−３，４−
ジデオキシー３′ーエノーベンターＮーメシル−２″−
○−メシルカナマィシンＢの製造参考例３の１）で得ら
れた４″，６′′−○−シクロヘキシリデン−ペン夕−
Ｎーメシル−３，４２″ートリ−○−メシルカナマイシ
ンＢ１８８ｈｇをジメチルホルムアミド４の‘に溶解し
、沃化ナトリウム滋を加え１００００にて３帖テ反応せ
しめた。

以下実施例１のｍと同様に処理して４″，６″ー○ーシ
クロヘキシリデン一３，４ージデオキシ−３ーエノーペ
ンタ−Ｎ−メチル一２′′一○ーメシルカナマイシンＢ
１４仇ｈｇを得た。元素分析値 Ｃ３日５５Ｎ５０２ｏ
Ｓ６に対し計算値：Ｃ，３６．１１；日，５．５６；Ｎ
，７．０２；Ｓ，１９．２４％実験値：Ｃ，３６．３５
；日，５．７１；Ｎ，７．２９；Ｓ，１８．８０％｛２
）ペン夕−Ｎ−メシル−２″−○−メシルカナマイシン
Ｂの製造前項（１’で得られた４″，６″−○−シクロ
ヘキシリデン−３，４−ジデオキシー３−エノーベンタ
−Ｎーメシルーメー○ーメシルカナマイシンＢ１４仇ｈ
ｇを水−ジオキサン（１：４）５肌に溶解し、酸化白金
を加え３．５気圧の水素圧下室温で１時間反応させた。

溶液を炉過後濃縮し、シロップを得た。このシロップを
水−酢酸（１：３）に溶解し、８０００で１時間反応せ
しめた後濃縮乾団しペン夕−Ｎーメシル−２′′一〇−
メシルカナマイシンＢＩ０７ｍｇを得た。実施例 ２ 実施例１の｛５｝で得られたペン夕−Ｎ−トシル−３，
４−ジデオキシカナマイシンＢ２６．３ｈｇを５Ｍの液
体アンモニア（一６０００）に溶解し、金属ナトリウム
約５ｍｇを加えた。

約１５分後ナトリウムは完全に熔解し反応液が淡黄色に
なったので、さらに金属ナトリウム約５ｈｇを加えた。
３び分後反応液は階青色のままだったので反応完了とみ
なし、塩化アンモニウムを少量づつ加え黄色液にもちき
たした。

徐々に常温にし、アンモニアを留去した。残澄を水に溶
解し、酢酸で中和後、ＣＭ−セフアデックスＣ−２５の
カラムに加え３０叫の水で洗った後０．０３→０．３規
定のアンモニアで展開しＩＱｈｇの３，４−ジデオキシ
カナマィシンＢＩ炭酸塩を得た。本物質は、シリカゲル
薄層クロマトグラフ（ｎ−ブタノール：エタノール：ク
ロロホルム：１７％アンモニア＝４：４：２：３，二度
あげ）にてＲｆｏ．１９を示し、３，４′ージデオキシ
カナマイシンＢの標品の値と全く一致した。また抗菌ス
ペクトルも３′，４′ージデオキシカナマィシンＢのそ
れと完全に一致した。

実施例 ２ 実施例１の■で得られた２″−○−ペンジルスルホニル
−ペン夕−Ｎ−トシルー３，４′ージデオキシカナマィ
シンＢ２１．軌ｈｇを液体アンモニア２の‘に溶解し以
下実施例１と同様に処理し８仇ｈｇの３′，４′−ジデ
オキシカナマィシンＢを無色の固体として得た。

薄層クロマトグラム、抗菌スベクトラム共３′，４ージ
デオキシカナマィシンＢの１炭酸塩の標品と完全に一致
した。実施例 ６２″一○−ペンジルスルホニルーベン
夕−Ｎ−トシル−３，４−ジデオキシカナマイシンＢ３
２ｈｇをエチルアミン２．５地と液体アンモニア３の‘
の冷却泥液（約一３０００）に溶解し、金属ナトリウム
約１０ｍｇを加え、粥拝しつつ温度を徐々に上昇せしめ
た。

金属ナトリウムは次第に溶解し、反応は極めて徐々に進
行した。３時間後加溢して溶媒を留去し、残澄を水に熔
解し、ｐートルヱンスルホン酸で中和した。

溶液を濃縮乾固し、得られた固体を充分乾燥後、ジメチ
ルホルムアミドを加え、約５０００で３回抽出した。抽
出液を合し濃縮乾固した。かくして得られた、ほぼ脱塩
された物質をＣＭーセフアデックスＣ−２５のカラムに
加え水洗後０．０３→０．３規定のアンモニアで展開し
、３，４′−ジデオキシカナマィシンＢを１炭酸塩とし
て、１１．５ｍｇ得た。実施例 ７ ２′′−○−ペンジルスルホニル−ペン夕−Ｎ−トシル
−３，４ージデオキシカナマイシンＢ３１．７ｍｇをエ
チルアミン４地に０℃にて溶解し、金属リチウム約■ｈ
ｇを加え、燈拝しつつ温度を徐々に上昇せしめた。

３時間後加溢して溶媒を蟹去し、以下実施例６と全く同
様に処理して３，４−ジデオキシカナマイシンＢを１炭
酸塩として１１ｍｇ得た。

実施例 ８ ２′′−○ーベンジルスルホニルーベン夕−Ｎートシル
ー３，４′−ジデオキシカナマイシンＢ３１．３ｈｇを
エチルアミン４の‘に０℃にて溶解し、金属カルシウム
約１比ｈｇを加え、以下実施例６と全く同様に処理して
３，４′ージデオキシカナマイシンＢを１炭酸塩として
１０．８ｈｇ得た。

実施例 ９ ペン夕−Ｎーベンジルスルホニル一３，４′ージデオキ
シカナマィシンＢ２９ｈｇを実施例４と全く同様に処理
して３′，４ージデオキシカナマィシンＢＩ炭酸塩８．
５ｍｇを得た。

薄層クロマトグラム、抗菌スベクトラム共３，４′−ジ
デオキシカナマィシンＢの標品と完全に一致した。また
参考例２の２）で得られた、カラムクロマトグラフで分
離前のペン夕−Ｎ−ペンジルスルホニル−３，４′ージ
ー○ーベンジルスルホニルー４″，ザー○−シクロヘキ
シリデンカナマイシンＢ及びペン夕−Ｎ−ペンジルスル
ホニル−３′，イー，２′′ートリ−○−ペンジルスル
ホニルー４″，６″ー○−シクロヘキシリデンカナマイ
シンＢの混合物１．５３ｇを実施例２の（１｝，（２｝
と全く同様に処理して得られたペン夕−Ｎ−ペンジルス
ルホニルー３，４′−ジデオキシカナマイシンＢとペン
夕−Ｎーベンジルスルホニル−２″一〇ーベンジルスル
ホニル−３，４′ージデオキシカナマイシンＢの混合物
０．８８ｇを上述と同様に処理し３，４−ジデオキシカ
ナマイシンＢを１炭酸塩として０．３１ｇを得た。

実施例 １０実施例９で述べたと同一の、ベンタ−Ｎ−
ペンジルスルホニルー３，４ージデオキシカナマイシン
Ｂとペン夕−Ｎーベンジルスルホニル−２″−０−ペン
ジルスルホニル−３′，４′−ジデオキシカナマィシン
Ｂの混合物６２仇ｈｇをエチルアミン３０の上に溶解し
金属リチウムを徐々に加え反応せしめた。

以下実施例７と全く同様に処理して３，４′ージデオキ
シカナマイシンＢを１炭酸塩として２２９ｈｇを得た。
実施例 １１ 実施例３の｛２）で得られたペン夕−Ｎ−メシル−２″
−○−メシルカナマイシンＢ２７・７ｍｇを５の【の液
体アンモニア（一６０００）に溶解し、実施例４と全く
同様に処理して３′，４−ジデオキシカナマィシンＢ・
１炭酸塩１３．７脚を得た。

薄層クロマトグラム、抗菌スベクトラムは３′，４−ジ
デオキシカナマィシンＢの標品と完全に一致した。実施
例 １２ １ ３，４′−ジデオキシー３−エノカナマイシンＢの
製造実施例１の【７ーで得られたペン夕−Ｎートシル−
３，４ージデオキシ−３′ーエノカナマイシンＢ２６ｍ
ｇをエチルアミン４叫に０℃にて溶解し、金属リチウム
約弧ｇを加え同温度で濃伴しっっ反応せしめた。

３時間後実施例６と同様に処理し、３′，４′ージデオ
キシ−３−エノカナマイシンＢを１炭酸塩として９．６
ｈｇ得た。

２ ３，４′ージデオキシカナマィシンＢの製造上述１
）で得た３，４′ージデオキシ−ゴーェノカナマィシン
Ｂ炭酸塩１１．肌ｇを水０．５の‘に溶解し、酢酸１適
を加えて後酸化白金２ｈｇを加え３．５気圧の水素圧下
室温で１時間反応せしめた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の一般式（V） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は、低級アルキルスルホニル基、アリー
   ルスルホニル基及びアラルキルスルホニル基から選ばれ
   たアミノ基の保護基を表わし、Ｒ＾２は水素原子、もし
   くは低級アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基
   又はアラルキルスルホニル基型のヒドロキシル保護基を
   表わし、Ｙはベンジルスルホニル基又はメシル基を表わ
   し、Ｘはアルキリデン基、アリーリデン基、シクロヘキ
   シリデン基又はテトラヒドロピラニリデン基を表わす〕
   で表わされるペンタ−Ｎ−スルホニル−４″，６″−Ｏ
   −保護−３′，４′−ジ−Ｏ−ベンジルスルホニル−又
   はメシル−カナマイシンＢを有機溶媒中で沃化ナトリウ
   ムのみで処理することにより次の一般式（VI）▲数式、
   化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１，Ｒ＾２及びＸは前記と同じ意味である
   〕で表わされる３′，４′−ジデオキシ−３′−エノカ
   ナマイシンＢ保護誘導体を生成し、式（VI）の化合物を
   水素添加して次式（VII）▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ 〔式中、Ｒ＾１，Ｒ＾２及びＸは前記と同じ意味である
   〕で表わされる３′，４′−ジデオキシカナマイシンＢ
   保護誘導体を生成し、さらに式（VII）の化合物から４
   ″，６″−Ｏ−保護基（Ｘ）を公知の脱保護法で脱離す
   ることによつて次の一般式（II）▲数式、化学式、表等
   があります▼ 〔式中、Ｒ＾１及びＲ＾２はは前記と同じ意味である〕
   で表わされる３′，４′−ジデオキシカナマイシンＢ保
   護誘導体を生成し、式（II）の化合物を塩基性試薬の存
   在下にアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属で処理す
   ることにより保護基Ｒ＾１及びＲ＾２を一挙に脱離する
   ことを特徴とする、次式（I）▲数式、化学式、表等が
   あります▼ で示される３′，４′−ジデオキシカナマイシンＢの製
   造法。 ２ 次の一般式（V） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は、低級アルキルスルホニル基、アリー
   ルスルホニル基及びアラルキルスルホニル基から選ばれ
   たアミノ基の保護基を表わし、Ｒ＾２は水素原子、もし
   くは低級アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基
   又はアラルキルスルホニル基型のヒドロキシル保護基を
   表わし、Ｙはベンジルスルホニル基又はメシル基を表わ
   し、Ｘはアルキリデン基、アリーリデン基、シクロヘキ
   シリデン基又はテトラヒドロピラニリデン基を表わす〕
   で表わされるペンタ−Ｎ−スルホニル−４″，６″−Ｏ
   −保護−３′，４′−ジ−Ｏ−ベンジルスルホニル−又
   はメシル−カナマイシンＢを有機溶媒中で沃化ナトリウ
   ムのみで処理することにより次の一般式（VI）▲数式、
   化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１，Ｒ＾２及びＸは前記と同じ意味である
   〕で表わされる３′，４′−ジデオキシ−３′−エノカ
   ナマイシンＢ保護誘導体を生成し、式（VI）の化合物か
   ら４″，６″−Ｏ−保護基（Ｘ）を公知の脱保護法で脱
   離することによつて次の一般式（III）▲数式、化学式
   、表等があります▼〔式中、Ｒ＾１，及びＲ＾２は前記
   と同じ意味である〕で表わされる３′，４′−ジデオキ
   シ−３′−エノカナマイシンＢ保護誘導体を生成し、こ
   の式（III）の化合物を塩基性試薬の存在下にアルカリ
   金属もしくはアルカリ土類金属で処理することにより保
   護基Ｒ＾１及びＲ＾２を一挙に脱離させて次式（IV）▲
   数式、化学式、表等があります▼で示される３′，４′
   −ジデオキシ−３′−エノカナマイシンＢを生成し、次
   いでこれを還元反応に付すことを特徴とする、次式（I
   ）▲数式、化学式、表等があります▼ で示される３′，４′−ジデオキシカナマイシンＢの製
   造法。