KR101670312B1 - 광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법 - Google Patents

광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101670312B1
KR101670312B1 KR1020140112610A KR20140112610A KR101670312B1 KR 101670312 B1 KR101670312 B1 KR 101670312B1 KR 1020140112610 A KR1020140112610 A KR 1020140112610A KR 20140112610 A KR20140112610 A KR 20140112610A KR 101670312 B1 KR101670312 B1 KR 101670312B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
photoacid generator
group
formula
Prior art date
Application number
KR1020140112610A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150026923A (ko
Inventor
어빈데르 카우어
에마드 아콰드
콩 류
쳉-바이 슈
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
Publication of KR20150026923A publication Critical patent/KR20150026923A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101670312B1 publication Critical patent/KR101670312B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D317/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3
    • C07D317/72—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 spiro-condensed with carbocyclic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D319/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D319/04—1,3-Dioxanes; Hydrogenated 1,3-dioxanes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light

Abstract

화학식 (1)의 광산 발생제 화합물이 개시된다:
Figure 112014081974895-pat00071

상기 식에서, n은 0 또는 1이고; R1-R6은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 또는 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, C1-20 사이클로알킬, C6-20 아릴, C3-20 헤테로아릴, 또는 하기 구조의 산-발생 그룹이고:
Figure 112014081974895-pat00072

여기서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이고; Z-는 일가의 음이온성 그룹이고; M+는 요오도늄 또는 설포늄 양이온이다.
제미날 R 그룹은 이들이 결합된 탄소와 함께 환을 형성할 수 있지만, 단 2개 이하의 환이 형성되어야 한다. R1-R6의 적어도 하나는 산-발생 그룹을 포함하거나, 또는 2개의 제미날 R 그룹이 함께, 산-발생 그룹을 형성할 수 있다. 또한 광산 발생제 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물, 이 포토레지스트 조성물층을 포함하는 코팅된 기판, 및 상기 포토레지스트 조성물층을 사용한 전자 디바이스의 형성방법이 개시된다.

Description

광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법{PHOTOACID GENERATOR, PHOTORESIST, COATED SUBSTRATE, AND METHOD OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 광산 발생제 및 포토레지스트 조성물에서의 그의 용도에 관한 것이다.
193 nm 침지 리소그래피와 같은 고도의 리소그래피 기술들은 보다 작은 로직(logic) 및 메모리 트랜지스터를 형성할 목적으로, 마이크로리소그래피 공정에서 고품질과 더 작은 피쳐(feature) 크기를 달성하기 위해 개발되어 왔다. 높은 노광 허용도(exposure latitude, EL) 및 넓은 초점 심도(depth of focus, DOF)와 같은 우수한 공정 제어 공차(tolerace)를 유지하면서도, 마이크로리소그래피 공정에 사용되는 이미지화된 포토레지스트에서 보다 작은 임계 치수(critical dimension, CD)를 달성하고, 포토레지스트가 가장 낮은 라인 엣지 조도(line edge roughness, LER) 및 선폭 조도(line width roughness, LWR)을 제공하도록 하는 것이 중요하다. 마스크 패턴에 대한 치수 변화 대비 분할된 레지스트 패턴에 대한 임계 치수(CD) 변화의 비로서 정의되는 낮은 마스크 에러 인자(MEF)가 또한 중요하다.
고해상도 리소그래피에 의해 생기는 레지스트 물질에 대한 해결과제들을 만족시키기 위하여, 수성 현상제에 용해성이며 낮은 흡광도를 갖는 광산 발생제(PAG)들이 만들어지고 있다. 포토레지스트를 제제화(formulation)하는데 사용된 다양한 광산 발생제들이 공지되었다.
그러나, 증가된 노광 허용도, 감소된 마스크 에러 인자 및 저하된 선폭 조도중 하나 이상을 가지는 포토레지스트 조성물을 제공하는 PAG에 대한 필요성이 남아있다.
개요
일 구체예는 하기 화학식 (1)의 광산 발생제 화합물이다:
Figure 112014081974895-pat00001
상기 식에서, n은 0 또는 1이고; R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴, 또는 하기 구조의 일가 그룹이고:
Figure 112014081974895-pat00002
여기서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이고; Z-는 카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트, 설폰아미데이트 (설폰아미드의 음이온), 및 설폰이미데이트 (설폰이미드의 음이온)에서 선택되는 일가의 음이온성 그룹이고; M+는 이치환된 요오도늄 이온 및 삼치환된 요오도늄 이온에서 선택되는 양이온이고; R1 및 R2는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R3 및 R4는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R5 및 R6은 함께, 환을 형성할 수 있으나, 단 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6에 의해 총 2개 이하의 환이 형성되고, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6의 하나는 다음 구조를 가지며:
Figure 112014081974895-pat00003
, 또는
R1 및 R2는 함께,
Figure 112014081974895-pat00004
를 형성하거나,
R3 및 R4 는 함께,
Figure 112014081974895-pat00005
를 형성하거나,
R5 및 R6는 함께,
Figure 112014081974895-pat00006
를 형성한다.
다른 구체예는 산-민감성 폴리머, 및 상기 광산 발생제 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물이다.
다른 구체예는 (a) 그의 표면 상에 패턴화될 하나 이상의 층을 가지는 기판; 및 (b) 패턴화될 하나 이상의 층 위에 포토레지스트 조성물의 층을 포함하는 코팅된 기판이다.
다른 구체예는 (a) 기판 상에 포토레지스트 조성물층을 도포하고; (b) 포토레지스트 조성물층을 활성화 방사선에 패턴식으로 노광하고; (c) 노광된 포토레지스트 조성물층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 것을 포함하는, 전자 디바이스의 형성방법이다.
상기 및 다른 구체예들을 이하에 상세히 기술한다.
상세한 설명
본 발명자들은 특정 타입의 광산 발생 화합물이 증가된 노광 허용도, 감소된 마스크 에러 인자 및 저하된 선폭 조도중 하나 이상을 가지는 포토레지스트 조성물을 제공한다는 것을 발견하였다. 특히, 광산 발생 화합물은 산-불안정성 1,3-디옥솔란-4-온 또는 1,3-디옥산-4-온 부분을 함유한다. 어떤 특정 작업 메카니즘에 결부됨이 없이, 본 발명자들은 1,3-디옥솔란-4-온 또는 1,3-디옥산-4-온 부분의 아세탈 또는 케탈 작용기가 노광후 베이킹 (PEB) 동안 발생되는 산과 반응하여 차후 염기성 현상제 단계에서 이온화하는 하이드록실 그룹 및 카복실산 그룹을 가지는 화합물을 발생한다고 판단하였다(반응식 1 참조).
반응식 1
Figure 112014081974895-pat00007
따라서, 광산 발생 화합물은 노광후 베이킹 단계동안 제한된 확산, 및 현상 단계동안 증가된 확산을 제공한다.
따라서, 일 구체예는 하기 화학식 (I)을 가지는 광산 발생제 화합물이다:
Figure 112014081974895-pat00008
상기 식에서, n은 0 또는 1이고; R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴, 또는 하기 구조의 일가 그룹이고:
Figure 112014081974895-pat00009
여기서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이고; Z-는 카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트, 설폰아미데이트 (설폰아미드의 음이온), 및 설폰이미데이트 (설폰이미드의 음이온)에서 선택되는 일가의 음이온성 그룹이고; M+는 이치환된 요오도늄 이온 및 삼치환된 요오도늄 이온에서 선택되는 양이온이고; R1 및 R2는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R3 및 R4는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R5 및 R6은 함께, 환을 형성할 수 있으나, 단 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6에 의해 총 2개 이하의 환이 형성되고, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6의 하나는 다음 구조를 가지며:
Figure 112014081974895-pat00010
, 또는
R1 및 R2는 함께,
Figure 112014081974895-pat00011
를 형성하거나,
R3 및 R4는 함께,
Figure 112014081974895-pat00012
를 형성하거나,
R5 및 R6은 함께,
Figure 112014081974895-pat00013
를 형성한다.
본원에서 사용되는 "치환"은 할로겐(즉, F, Cl, Br, I), 하이드록실, 아미노, 티올, 카복실, 카복실레이트, 아미드, 니트릴, 설파이드, 디설파이드, 니트로, C1-18 알킬, C1-18 알콕실, C2-18 알케닐, C2-18 알케닐옥실, C6-18 아릴, C6-18 아릴옥실, C7-18 알킬아릴 또는 C7-18 알킬아릴옥실과 같은 적어도 하나의 치환체를 포함하는 것을 의미한다. 본원의 식들에 대해서 개시된 임의의 그룹 또는 구조가 또한 다르게 특정되지 않는 한 상기와 같이 치환될 수 있는 것으로 이해하여야 할 것이다. 또한, "불소화"는 그룹으로 도입되는 하나 이상의 불소 원자를 가짐을 의미한다. 예를 들어, C1-18 플루오로알킬 그룹이 칭해지는 경우, 플루오로알킬 그룹은 탄소의 각 자유 원자가에 하나 이상의 불소 원자, 예를 들어, 1개의 불소 원자, 2개의 불소 원자 (예컨대, 1,1-디플루오로에틸 그룹으로서), 3개의 불소 원자 (예컨대, 2,2,2-트리플루오로에틸 그룹으로서), 또는 불소 원자 (예컨대, -CF3, -C2F5-, -C3F7, 또는 -C4F9와 같이 과불소화된 그룹으로서)를 포함할 수 있다.
화학식 (1) PAG의 일부 구체예에서, n이 0인 경우, PAG는 치환된 1,3-디옥솔란-4-온이다. 화학식 (1) PAG의 다른 구체예에서, n이 1인 경우, PAG는 치환된 1,3-디옥산-4-온이다.
화학식 (1)에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴, 또는 하기 구조의 일가 그룹이고:
Figure 112014081974895-pat00014
여기서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이고; Z-는 카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트, 설폰아미데이트 (설폰아미드의 음이온), 및 설폰이미데이트 (설폰이미드의 음이온)에서 선택되는 일가의 음이온성 그룹이고; M+는 이치환된 요오도늄 이온 및 삼치환된 요오도늄 이온에서 선택되는 양이온이다. 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬 그룹의 예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, 디페닐메틸, 2-페닐프로판-2-일, 1,1-디페닐에탄-1-일, 및 트리페닐메틸을 들 수 있다. 비치환되거나 치환된 C3-20 사이클로알킬 그룹의 예로서는 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 메틸사이클로헥산-1-일, 에틸사이클로헥산-1-일, 1-노르보닐, 2-노르보닐, 7-노르보닐, 1-아다만틸, 2-아다만틸, 2-메틸바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일, 및 2-메틸아다만탄-2-일을 들 수 있다. 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴의 예로서는 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸을 들 수 있다. 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴의 예로서는 2-이미다졸릴, 4-이미다졸릴, 2-피리딜, 3-피리딜, 및 4-피리딜을 들 수 있다.
화학식 (1)에서, R1 및 R2는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R3 및 R4는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나, R5 및 R6은 함께, 환을 형성할 수 있으나, 단 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6에 의해 총 2개 이하의 환이 형성된다. 이들 구체예에서, 환이 R1 및 R2가 결합되는 탄소 원자를 포함함이 이해될 것이다. 환을 형성하는 R1 및 R2의 예로서는 다음을 들 수 있다:
Figure 112014081974895-pat00015
[상기 식에서, n은 0 또는 1이다].
환을 형성하는 R3 및 R4의 예로서는 다음을 들 수 있다:
Figure 112014081974895-pat00016
[상기 식에서, n은 0 또는 1이다].
환을 형성하는 R5 및 R6의 예로서는 다음을 들 수 있다:
Figure 112014081974895-pat00017
Figure 112014081974895-pat00018
화학식 (1)에서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이다. 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹의 예로서는 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬렌 (예컨대, 메탄-1,1-디일 (-CH2-), 에탄-1,2-디일 (-CH2CH2-), 에탄-1,1-디일 (-CH(CH3)-), 프로판-2,2-디일 (-C(CH3)2-)), 비치환되거나 치환된 C3-20 사이클로알킬렌 (예컨대, 1,1-사이클로펜탄디일, 1,2-사이클로펜탄디일, 1,1-사이클로헥산디일, 1,4-사이클로헥산디일, 노르보난디일, 및 아다만탄디일), 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴렌 (예컨대, 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 1,4-나프틸렌, 1,5-나프틸렌, 및 2,6-나프틸렌), 및 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴렌 (예컨대, 이미다조-2,4-일렌, 2,4-피리딜렌, 및 2,5-피리딜렌)을 들 수 있다.
화학식 (1)에서, Z-는 카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트, 설폰아미데이트 (설폰아미드의 음이온), 및 설폰이미데이트 (설폰이미드의 음이온)에서 선택되는 일가의 음이온성 그룹이다. 일부 구체예에서, Z-는 설포네이트이다.
화학식 (1)에서, M+는 이치환된 요오도늄 이온 및 삼치환된 요오도늄 이온에서 선택되는 양이온이다. 이치환된 요오도늄 이온은 다음의 구조를 가질 수 있다:
Figure 112014081974895-pat00019
상기 식에서, Ar은 치환되거나 비치환된 C6-30 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴이고; R9는 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴이다. Ar 및 R9는, 임의로, 서로 결합하여 요오드 원자를 가지는 환을 형성할 수 있다. 삼치환된 요오도늄 이온은 다음의 구조를 가질 수 있다:
Figure 112014081974895-pat00020
상기 식에서, Ar은 치환되거나 비치환된 C6-30 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴이고; R10 및 R11은 각각 독립적으로 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴이다. 일부 구체예에서, R10 및 R11은 서로 결합하여 황 원자를 가지는 환을 형성할 수 있다. 일부 구체예에서, R10 또는 R11은 Ar과 결합하여 황 원자를 가지는 환을 형성한다.
일부 구체예에서, M+는 하기 화학식 (4), (5), (6), (7)을 가지는 삼치환된 요오도늄 이온이다.
Figure 112014081974895-pat00021
상기 식에서, R10, R11, 및 R12는 각 경우 독립적으로 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C1-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴이고, R10 및 R11는 임의로 서로 결합하여 황 원자를 가지는 환을 형성하고; e는 0 내지 4이고, x는 0 내지 5이고, y는 0 내지 3이고, z는 각 경우 독립적으로 0 내지 4이다. 일부 구체예에서, M+는 트리페닐설포늄 이온, 또는 페닐 디벤조티오페늄 이온이다.
일부 구체예에서, 광산 발생제 화합물은 하기 화학식 (2a)를 가진다:
Figure 112014081974895-pat00022
상기 식에서,
R3 또는 R4는
Figure 112014081974895-pat00023
이거나, 또는
R3 및 R4는 함께,
Figure 112014081974895-pat00024
를 형성하고;
R1, R2, L, 및 M+는 상기 정의된 바와 같다.
일부 구체예에서, R1 및 R2는 함께, 환을 형성한다. 예를 들어, R1 및 R2 및 이들이 결합된 탄소는 아다만틸 환을 형성할 수 있고, 따라서 광산 발생제 화합물은 하기 구조를 가진다:
Figure 112014081974895-pat00025
광산 발생제 화합물이 화학식 (2a)를 가지는 일부 구체예에서, L은 다음 화학식 (3)을 가지는 치환된 C1-50 이가 그룹, L1이고:
Figure 112014081974895-pat00026
여기서, m은 0 또는 1이고, Y는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고, W1은 비치환되거나 치환된 이가 C5-20 알리사이클릭 그룹이고, X는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고, R7 및 R8은 각각 독립적으로 불소, 또는 부분 불소화된 C1-12 알킬, 또는 과불소화된 C1-12 알킬이다.
제한적 문맥, "Y는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌"과 관련하여, 치환된 C1-20 알킬렌은 알킬렌 그룹에 부착된 하나 이상의 일가 치환체를 가지는 종 뿐만 아니라, 알킬렌 그룹의 주쇄 내의 이가 치환체도 포함하는 것으로 이해하여야 할 것이다. 예를 들어, 치환된 C1-20 알킬렌은 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00027
마찬가지로, 제한적 문맥, "X는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌"과 관련하여, 치환된 C1-20 알킬렌은 알킬렌 그룹에 부착된 하나 이상의 일가 치환체를 가지는 종 뿐만 아니라, 알킬렌 그룹의 주쇄 내의 이가 치환체도 포함하는 것으로 이해하여야 할 것이다. 예를 들어, 치환된 C1-20 알킬렌은 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00028
화학식 (2a)를 가지는 광산 발생제 화합물의 특정 예는 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00029
Figure 112014081974895-pat00030
및 이들의 조합[상기 식에서, M+는 상기 정의된 바와 같다].
광산 발생제 화합물이 화학식 (2a)를 갖고, L은 화학식 (3)의 치환된 C1-50 이가 그룹, L1을 가지는 일부 구체예에서, W1은 아다만틸렌 그룹, 예를 들어,
Figure 112014081974895-pat00031
이다.
일부 구체예에서, 광산 발생제 화합물은 다음 화학식 (2b)를 가진다:
Figure 112014081974895-pat00032
상기 식에서,
R1 또는 R2는
Figure 112014081974895-pat00033
이거나, 또는
R1 및 R2 는 함께,
Figure 112014081974895-pat00034
를 형성하고;
R3, R4, L, 및 M+는 상기 정의된 바와 같다.
광산 발생제 화합물이 화학식 (2b)를 가지는 특정 구체예에서, R2 및 R3은 수소이고; R4는 다음 구조를 가지며:
Figure 112014081974895-pat00035
여기서, m은 0 또는 1이고, Y는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고, W2는 비치환되거나 치환된 일가 C5-20 알리사이클릭 그룹이고; L은 다음 구조를 가지는 치환된 C1-50 이가 그룹, L2이고:
Figure 112014081974895-pat00036
여기서, X는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고, R7 및 R8은 각각 독립적으로 불소, 또는 부분 불소화된 C1-12 알킬, 또는 과불소화된 C1-12 알킬이다. 이들 특정 구체예의 일부분에서, W2는 비치환되거나 치환된 아다만틸 그룹, 예를 들어
Figure 112014081974895-pat00037
이다.
화학식 (2b)를 가지는 광산 발생제 화합물의 특정 예는 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00038
및 이들의 조합[상기 식에서, M+는 상기 정의된 바와 같다].
광산 발생제 화합물은 코폴리머로의 도입을 용이하게 하기 위해 중합가능한 이중결합을 포함할 수 있다. 중합가능한 이중결합을 가지는 작용기는 (메트)아크릴레이트, 비닐 에테르, 노르보네닐을 포함한다. 대안적으로, 또는 추가적으로 광산 발생제 화합물이 비닐 에테르 그룹을를 포함하는 경우, 코폴리머와의 연결은 케탈 또는 아세탈 연결을 통해서 일 수 있다. 이들 구체예에서, 작용기는 화학식 (1)의 R1-R6의 치환된 구체예에서의 치환체로서 간주된다.
광산 발생제 화합물은 포토레지스트 조성물의 유용한 성분이다. 따라서, 일 구체예는 상술된 임의 변형으로 산-민감성 폴리머, 및 광산 발생제 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물이다. 광산 발생제 화합물와 조합하여 포토레지스트를 형성하는데 유용한 산-민감성 폴리머는 산 탈보호가능한 모노머, 염기-용해성 모노머, 해리속도 변형 모노머 및 내에칭성 모노머의 공중합 산물을 포함한다. 예를 들어 193 nm 포토레지스트 폴리머를 형성하는데 적합한 임의의 이런 모노머 또는 모노머의 조합이 사용될 수 있다. 일부 구체예에서, 산 탈보호가능한 그룹을 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머 (탈보호로 염기-용해성 그룹이 발생됨), 락톤 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머 및 산 탈보호가능한 염기-용해성 그룹과 동일하지 않은 염기-용해성 그룹을 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머로부터 선택되는 적어도 2개의 상이한 모노머를 포함하는 모노머들의 조합이 사용된다. 산-민감성 폴리머는 적어도 3개의 상이한 모노머를 포함할 수 있으며, 그중 적어도 하나는 상기 모노머의 각 타입으로부터 선택된다. 기타 모노머들, 예를 들면, 접착성, 내에칭성 등을 개선시키기 위한 (메트)아크릴레이트 모노머가 또한 포함될 수 있다.
193 nm 포토레지스트 폴리머를 형성하는데 유용한 임의의 산-탈보호가능 모노머가 사용될 수 있다. 산-탈보호가능 모노머들의 예는 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00039
및 이들의 조합[여기서, Ra는 H, F, CN, C1-10 알킬, 또는 C1-10 플루오로알킬이다]
193 nm 포토레지스트 폴리머를 형성하는데 유용한 임의의 락톤 함유 모노머가 사용될 수 있다. 이런 락톤 함유 모노머의 예는 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00040
및 이들의 조합[여기서, Ra는 H, F, CN, C1-10 알킬, 또는 C1-10 플루오로알킬이다].
193 nm 포토레지스트 폴리머를 형성하는데 유용한 임의의 염기-용해성 모노머가 사용될 수 있다. 추가적인 염기-용해성 (메트)아크릴레이트 모노머의 예는 다음을 포함한다:
Figure 112014081974895-pat00041
및 이들의 조합[여기서, Ra는 H, F, CN, C1-10 알킬, 또는 C1-10 플루오로알킬이고, Rc는 C1-4 퍼플루오로알킬 그룹이다].
광산 발생제 화합물은 산-민감성 폴리머와 혼합 또는 공중합을 통해 조합되어 포토레지스트 조성물을 형성한다. 포토레지스트 조성물은 임의로 제2 산-민감성 폴리머, 제2 광산 발생제 화합물, 광속도 및/또는 산 확산을 조절하는 아민 또는 아미드 첨가제, 용매. 계면활성제 또는 이들의 조합을 추가로 포함한다.
상기 제2 산-민감성 폴리머는 193 nm에서 사용하기 위한 포토레지스트를 제제화하기에 적합한 임의의 폴리머일 수 있다. 이런 산-민감성 폴리머는 산 민감성 그룹 및 락톤-함유 그룹을 포함하는 산 민감성 폴리머를 포함하고, 여기서 산 민감성 그룹은 산에 노출시 염기-용해성 그룹을 탈보호한다.
포토레지스트 조성물은 아민 또는 아미드 화합물 (본원에서는 "퀀처 (quencher)"라고 함)을 추가로 포함할 수 있다. 퀀처는 보다 넓게, 예를 들면, 하이드록사이드, 카복실레이트, 아민, 이민 및 아미드를 기반으로 한 것들을 포함할 수 있다. 일 구체예로서, 유용한 퀀처는 아민, 아미드, 또는 이들의 조합이다. 바람직하게, 이러한 퀀처는 C1-30 유기 아민, 이민 또는 아미드를 포함하거나, 또는 강염기(예: 하이드록사이드 또는 알콕사이드) 또는 약염기(예: 카복실레이트)의 C1-30 4급 암모늄 염일 수 있다. 퀀처의 예로는 아민, 예컨대, 트로거 염기(Troger's base), 입체장해(hindered) 아민, 예컨대, 디아자바이사이클로운데센(DBU) 또는 디아자바이사이클로노넨(DBN), N-보호된 아민, 예컨대, N-t-부틸카보닐-1,1-비스(하이드록시메틸)-2-하이드록시에틸아민(TBOC-TRIS) 또는 4급 알킬 암모늄 염을 포함하는 이온성 퀀처, 예컨대, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(TBAH) 또는 테트라부틸 암모늄 락테이트 등을 들 수 있다.
성분들을 용해, 분산 및 코팅하기에 일반적으로 적합한 용매에는 아니솔, 알콜, 예컨대, 에틸 락테이트, 메틸 2-하이드록시부티레이트(HBM), 1-메톡시-2-프로판올(또한 프로필렌 글리콜 메틸 에테르로 언급, PGME), 및 1-에톡시-2-프로판올, 에스테르, 예컨대, n-부틸 아세테이트, 1-메톡시-2-프로필 아세테이트(프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트로 언급, PGMEA), 메톡시에틸 프로피오네이트, 에톡시에틸 프로피오네이트, 및 감마-부티로락톤, 케톤, 예컨대, 사이클로헥사논 및 2-헵타논, 및 이들 용매 중 적어도 하나를 포함하는 조합 등이 포함된다.
계면활성제로는 불소화 및 비-불소화 계면활성제가 포함되고, 바람직하게 비이온성이다. 불소화 비이온성 계면활성제의 예로는, 퍼플루오로 C4 계면활성제, 예컨대, FC-4430 및 FC-4432 계면활성제 (3M Corporation으로부터 입수가능); 및 플루오로디올, 예컨대, POLYFOX PF-636, PF-6320, PF-656, 및 PF-6520 플루오로 계면활성제(Omnova) 등을 들 수 있다.
광산 발생제 화합물은 포토레지스트 조성물중에 고체의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게 0.1 내지 15 중량%의 양으로 존재한다. 폴리머 결합된 광산 발생제 화합물이 사용되는 경우, 상응하는 모노머로서 폴리머 결합된 광산 발생제 화합물은 동일한 양으로 존재한다. 폴리머 함량은 포토레지스트 조성물중에 고체의 총 중량을 기준으로 50 내지 99 중량%, 바람직하게 55 내지 95 중량%, 보다 바람직하게 60 내지 90중량%, 및 보다 더 바람직하게 65 내지 90 중량%의 양으로 존재할 수 있다. 포토레지스트 내 성분에 관한 단락에서 사용되는 "폴리머"는 본원에서 개시된 산-민감성 폴리머만을 의미할 수 있거나 또는 산-민감성 폴리머와 포토레지스트에 유용한 임의의 기타 폴리머의 조합을 의미할 수 있을 것이다. 계면활성제는 포토레지스트 조성물중에 고체의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게 0.1 내지 4 중량%, 및 보다 바람직하게 0.2 내지 3 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 퀀처는 상대적으로 적은 양, 예를 들면, 포토레지스트 조성물중에 고체의 총 중량을 기준으로 0.03 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 기타 첨가제, 예컨대 침지 리소그래피 적용을 위한 내장 베리어층(EBL) 물질은 고체의 총 중량을 기준으로 30 중량% 이하, 특히 20% 이하, 보다 특히 10% 이하의 양으로 포함될 수 있다. 포토레지스트 조성물에 대한 총 고체의 함량은, 고체 및 용매의 총 중량을 기준으로 0.5 내지 50 중량%, 특히 1 내지 45 중량%, 보다 특히 2 내지 40 중량%, 및 보다 더 특히 5 내지 35 중량%일 수 있다. "고체"에는 코폴리머, 광산 발생제, 퀀처, 계면활성제 및 용매를 제외한 기타 임의의 첨가제가 포함된다는 것을 알 수 있을 것이다.
본원에 개시된 포토레지스트는 포토레지스트를 포함하는 필름을 형성하는데 사용될 수 있고, 이 기판 상의 필름은 코팅된 기판을 구성한다. 이러한 코팅된 기판은: (a) 그의 표면상에 패턴화될 하나 이상의 층을 갖는 기판; 및 (b) 패턴화될 하나 이상의 층 위에 포토레지스트 조성물층을 포함한다. 바람직하게, 패턴화는 248 nm 미만, 특히 193 nm 파장의 자외선 복사를 사용하여 실시한다. 따라서 패턴화가능한 필름은 광산 발생제 화합물을 포함한다. 전자 디바이스를 형성하는 방법은 (a) 제7항의 포토레지스트 조성물층을 기판 상에 적용하는 단계; (b) 포토레지스트 조성물층을 활성화 방사선에 패턴식으로 노광하는 단계; 및 (c) 노광된 포토레지스트 조성물 층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 단계를 포함한다. 일부 구체예에서, 방사선은 극자외선 (EUV) 또는 전자빔(e-빔) 방사선이다.
패턴을 현상하는 것은 패턴식 노광 영역이 수성 염기성 현상제, 예컨대 수성 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)의 작용으로 제거되는 포지티브 톤 현상(PTD)에 의해 수행된다. 포지티브 톤 현상제의 일례는 0.26N TMAH(aq.)이다. 대안적으로 동일한 패턴식 노광은 패턴의 비노출된 영역이 네가티브 톤 현상제의 작용에 의해 제거되는 네가티브 톤 현상(NTD)을 제공하는 유기 용매 현상제를 사용하여 현상될 수 있다. 네가티브 톤 현상을 위한 유용한 용매는 용해, 분산 및 코팅에 유용한 것들을 포함한다. 네가티브 톤 현상제 용매의 일례는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 메틸 2-하이드록시이소부티레이트(HBM), 메톡시에틸 프로피오네이트, 에톡시에틸 프로피오네이트 및 감마-부티로락톤, 사이클로헥사논, 2-헵타논, 및 이들 용매중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함한다. 따라서 패턴을 만들기 위한 방법은 활성화 방사선으로의 포토레지스트 조성물층을 패턴식 노광하는 것과 패턴을 포지티브 톤 릴리프 이미지를 형성하기 위해 수성 알칼리성 현상제로 처리하거나 또는 네가티브 톤 릴리프 이미지를 형성하기 위해 유기 용매 현상제로 처리하여 패턴을 현상하는 것을 포함한다.
기판은 임의의 치수와 형상일 수 있으며, 바람직하게 포토리소그래피에 유용한 것, 예컨대, 실리콘, 실리콘 디옥사이드, 실리콘-온-인슐레이터(SOI), 변형 실리콘(strained silicon), 갈륨 아르세나이드, 코팅된 기판(예컨대 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 티타늄 니트라이드, 탄탈륨 니트라이드, 하프늄 옥사이드와 같은 초박 게이트 옥사이드로 코팅된 것을 포함), 금속 또는 금속 코팅된 기판(예컨대, 티타늄, 탄탈륨, 구리, 알루미늄, 텅스텐, 이들의 합금으로 코팅된 것을 포함) 및 이들의 조합이다. 바람직하게, 본원에서 기판의 표면은 패턴화될 임계 치수(critical dimension) 층, 예컨대, 하나 이상의 게이트-레벨(gate-level) 층 또는 기타 반도체 제조용 기판상의 임계 치수 층을 포함한다.
기판은 예를 들어, 직경 200 mm, 300 mm 또는 그 이상의 치수, 또는 웨이퍼 조립 생산에 유용한 다른 치수들을 갖는 원형(circular) 웨이퍼로서 형성될 수 있다.
본 발명은 이하의 실시예들을 통하여 더욱 상세히 예시된다.
실시예 1: PAG-A1의 합성
반응식 2에 예시되고 하기 단락에 기술된 다단계 합성에 의하여 광산 발생제 PAG-A1이 제조되었다.
Figure 112014081974895-pat00042
반응식 2: PAG-A1의 합성
2-(2,2-아다만틸-5-옥소-1,3-디옥솔란-4-일)아세틸 클로라이드. 2-(2,2-아다만틸-5-옥소-1,3-디옥솔란-4-일)아세트산의 디클로로메탄 용액(1.1, 50 그램, 0.19 밀리몰)(350 밀리리터)에 1 mL의 N,N-디메틸포름아미드를 가하였다. 옥살릴 클로라이드(35 밀리리터, 0.38 몰)를 적가하고 결과 반응 혼합물을 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 감압 하에 용매를 증발시켜 생성물(1.2)로서 백색 고체를 얻었으며, 이는 추가 정제 없이 사용되었다. 1H NMR ((CD3)2CO, 300 MHz): δ 1.76 (m, 6H), 1.99 (m, 8H), 3.65 (m, 2H), 4.88 (t, 1H).
PAG-A1. 아세토니트릴(300 밀리리터) 내의 트리페닐설포늄 4-하이드록시-1,1,2,2-테트라플루오로부탄설포네이트(1.3, 12 그램, 0.024 몰) 및 피리딘(3.94 그램, 0.05 몰)의 혼합물에, 2-(2,2-아다만틸-5-옥소-1,3-디옥솔란-4-일)아세틸 클로라이드(1.2, 7.5 그램, 0.025 몰)의 아세토니트릴 용액(30 밀리리터)을 실온에서 서서히 가하였다. 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 용매를 증발시키고, 잔류물을 디클로로메탄(300 밀리리터)에 재용해하고, 탈이온수(300 밀리리터)로 5회 세척하였다. 모아진 여과액을 증발시켜 조 생성물(crude product)을 얻고, 디클로로메탄(120 밀리리터) 중에 재용해한 후, 빠르게 교반되는 2 리터의 메틸 tert-부틸 에테르(MTBE)에 시린지 필터를 통해 서서히 부었다. 검성(gummy) 잔류물을 진공 하에 건조하여 불투명 백색(off-white) 고체로서 PAG-A1을 수득하였다(14 그램, 76 % 수율). 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): δ 1.70 (m, 9H), 2.01 (m, 5H), 2.79 (m, 4H), 4.42 (m, 2H), 4.74 (m, 1H), 7.73 (m, 15H). 19F NMR: δ -118.54, -112.59.
실시예 2: PAG-A2의 합성
반응식 3에 예시되고 하기 단락에 기술된 다단계 합성에 의하여 광산 발생제 PAG-A2가 제조되었다.
Figure 112014081974895-pat00043
반응식 3: PAG-A2의 합성
PAG-A2. 아세토니트릴(300 밀리리터) 내의 트리페닐설포늄 4-하이드록시-1,1,2,2-테트라플루오로부탄설포네이트(1.4, 12.7 그램, 0.024 몰) 및 피리딘(3.94 그램, 0.05 몰)의 혼합물에, 2-(2,2-아다만틸-5-옥소-1,3-디옥솔란-4-일)아세틸 클로라이드(1.2, 7.5 그램, 0.025 몰)의 아세토니트릴 용액(30 밀리리터)을 실온에서 서서히 가하였다. 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 용매를 증발시키고, 잔류물을 디클로로메탄(300 밀리리터)에 재용해하고, 탈이온수(300 밀리리터)로 5회 세척하였다. 모아진 여과액을 증발시켜 조 생성물을 얻고, 디클로로메탄(120 밀리리터) 중에 재용해한 후, 빠르게 교반되는 2 리터의 메틸 tert-부틸 에테르(MTBE)에 시린지 필터를 통해 서서히 부었다. 검성 잔류물을 진공 하에 건조하여 불투명 백색 고체로서 PAG-A2를 수득하였다(13 그램, 67 % 수율). 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): δ 1.75 (m, 8H), 1.99 (m, 6H), 2.45 (s, 9H), 2.76 (m, 4H), 4.40 (m, 2H), 4.72 (m, 1H), 7.47 (d, 6H), 7.53 (d, 6H). 19F NMR: δ -118.65, -112.64.
실시예 3: PAG-A3의 합성
반응식 4에 예시되고 하기 단락에 기술된 다단계 합성에 의하여 광산 발생제 PAG-A3가 제조되었다.
Figure 112014081974895-pat00044
반응식 4: PAG-A3의 합성
PAG-A3의 합성: 아세토니트릴(300 밀리리터) 내의 화합물 1.5(20 그램, 0.046 몰; Heraeus DayChem으로부터 구입) 및 트리에틸아민(9.26 그램, 0.12 몰)의 혼합물에, 2-(2,2-아다만틸-5-옥소-1,3-디옥솔란-4-일)아세틸 클로라이드(1.2, 20 그램, 0.07 몰)의 아세토니트릴 용액(30 mL)을 실온에서 서서히 가하였다. 혼합물을 50℃로 24시간 동안 가열하였다. 반응 완료 후, 용매를 증발시키고, 잔류물을 디클로로메탄(300 밀리리터)에 재용해하고, 탈이온수(300 밀리리터)로 5회 세척하였다. 모아진 여과액을 증발시켜 조 생성물(1.6)을 얻고, 디클로로메탄(120 밀리리터) 중에 재용해한 후, 빠르게 교반되는 2 리터의 메틸 tert-부틸 에테르(MTBE)에 시린지 필터를 통해 서서히 부었다. 검성 잔류물을 진공 하에 건조하여 불투명 백색 고체로서 PAG-A3를 수득하였다.
실시예 4: 산 확산 측정(Acid Diffusion Measurement)
이하의 과정에 의하여 산 확산 측정이 결정되었다. 아래에 나타낸 산-분해성(acid-cleavable) 폴리머 A1(2-아다만틸-2-프로필 메타크릴레이트/알파-(감마-부티로락톤) 메타크릴레이트/1-하이드록시아다만틸-3-메타크릴레이트 터폴리머, 30/50/20 몰비, Mw = 10,000 원자 질량 단위(atoomic mass units))(총 배합의 5.981 중량 퍼센트)과, 퀀쳐(quencher)로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 및 메틸 2-하이드록시이소부티레이트(HBM)의 50/50(중량/중량) 혼합물 내의 tert-부틸 4-하이드록시피페리딘-1-카복실레이트(총 배합의 0.019 중량 퍼센트)를 조합하여 산 검출층 배합(acid detector layer formulation)을 제조하였다:
Figure 112014081974895-pat00045
폴리머 A1
별도로, t-부틸 아크릴레이트/메타크릴산(70/30 몰 퍼센트, 모노머 100 몰 퍼센트에 대하여) 코폴리머(배합의 0.891 중량 퍼센트)와, 2-메틸-1-부탄올 및 데칸의 80/20(중량/중량) 혼합물 내의 PAG(총 배합 기준으로 153.40 마이크로몰/그램)를 조합하여 산 공급원층 배합(acid source layer formulation)을 제조하였다. 0.2 마이크로미터 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 시린지 필터를 사용하여 산 검출층 배합 및 산 공급원층 배합을 각각 별도로 여과하였다.
기판(Si 웨이퍼, 200 밀리미터 직경)을 ARTM 77 반사방지 코팅(Dow Electronic Materials로부터 입수 가능)으로 코팅하고, 205℃에서 60초간 베이킹하여 84 나노미터 두께의 반사방지층을 형성하고, 그 반사방지층 위에 120 나노미터 두께의 산 검출층 배합을 코팅하고, 110℃에서 60초간 베이킹하였다. 다음으로, 산 검출층 위에 산 공급원층 배합을 코팅하고, 90℃에서 60초간 베이킹하였다. 모든 코팅 공정들은 TEL ACT 8 코팅 트랙(Tokyo Electron사 제) 상에서 수행되었다.
다음으로, 코팅된 웨이퍼가, 193 나노미터 노광 장비(ASML-1100, ASML사 제) 및 환형 조명(annular illumination)을 사용하여 초기 용량(dose) 1 밀리줄/센티미터2에서 시작하여 0.2 밀리줄/센티미터2의 증가분으로 100 용량 증가분(개별 용량들)에 대하여 오픈-프레임(open-frame) 노광되었다. 웨이퍼가 110, 120, 또는 130℃에서 60초간 노광후 베이킹(PEB)되었다. 노광 동안 산 공급원층 내에 있던 산이 PEB 단계 동안 방출되어 산 검출층 내로 확산되었고, 이는 산 검출층의 폴리머의 산 불안정성 그룹의 탈보호화를 야기하였다. PEB 후에, 0.26 N 수성 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액을 사용하여 패턴을 현상하였다. 패턴의 미노광 영역과 노광 영역 사이의 필름 두께 차이가 총 필름 손실(ΔL)이다. 노광 영역에서의 필름 두께 손실이 클수록 산 확산이 크다.
PAG의 확산도(diffusivity) D는 Fick's 확산 법칙(식 1)에 의해 정의된다:
Figure 112014081974895-pat00046
(식 1)
여기서 ΔL은 노광 영역과 미노광 영역 사이의 두께 차이(본 명세서에서, 필름 두께 손실이라고도 함)이고, tPEB는 PEB 시간이며, erfc는 에러 함수 보충(error function complement)이고, Eth는 필름 두께 손실이 처음으로 관찰된 노광 용량(밀리줄/센티미터2)이며, E는 노광 용량(밀리줄/센티미터2)이다. 일단 확산도가 결정되면, 이어서 식 2를 사용하여 확산 길이 DL을 계산하였다:
Figure 112014081974895-pat00047
(식 2)
실시예 및 비교예의 PAGS에 대한 확산 길이 데이터를 하기 표 1에 정리하였다.
표 1: PAGs 산 확산 길이 결과
Figure 112014081974895-pat00048
표 1에서 알 수 있듯이, 산 확산 측정은, 비교 PAG 1(TPSPFBuS) 및 비교 PAG 2(TPS Ad TFBS)와 비교하였을 때, PEB 온도 110, 120 및 130℃에서 PAG-A2에 대하여 더 짧은 산 확산 길이를 보여준다. 이 결과들은 탁월한 패턴화 특성을 갖는 고해상도 포토레지스트의 제조에 있어서 본 발명의 PAG들이 유용함을 예증한다.
실시예 5: 리소그래픽 평가
이하의 절차에 따라 광산 발생제들이 리소그래피 측면에서 평가되었다. 표 2에 나타낸 성분들 및 비율들을 사용하여 포토레지스트가 배합되었다. 포토레지스트 폴리머 A2가 모든 예에서 사용되었다. 폴리머 A2는 아래에 나타낸 모노머 M1, M2, M3, M4 및 M5가 도입된 펜타폴리머이다.
Figure 112014081974895-pat00049
M1/M2/M3/M4/M5의 몰 퍼센티지는 모노머 총 100 몰 퍼센트에 대하여 20/20/30/20/10이다. 폴리머의 중량평균분자량(Mw)은 8,000 원자 질량 단위였다. PAG, 염기(t-부틸옥시카보닐-4-하이드록시피리딘, TBOC-4HP), 및 표면 평탄화제(계면활성제) PF 656(Omnova사로부터 입수 가능)의 함량들(표 2 참조)은 100% 고체 함량을 기준으로 한 중량 퍼센트(wt%)이며, 고체의 잔량(balance)은 폴리머이다. 이 배합들에서 사용된 용매는 PGMEA(S1) 및 HBM(S2)이다. 예시들 양자 모두에서 최종 고체 퍼센트는 4 중량 퍼센트였다. 최종 배합 내 용매의 중량비 S1:S2는 1:1이었다. 비교 PAG 1, 비교 PAG 2, 및 본 발명의 PAG-A1의 구조들을 표 2에 나타내었다.
표 2
Figure 112014081974895-pat00050
비교예 1, 2 및 실시예 1의 포토레지스트 배합 조성물을 하기 표 3에 나타내었다.
표 3
Figure 112014081974895-pat00051
상기 포토레지스트들을 이하와 같이 리소그래피 처리하였다. 84 나노미터 두께의 유기 반사방지 코팅(ARTM 77, Dow Electronic Materials)을 갖는 200 밀리미터 직경의 실리콘 웨이퍼 상에 포토레지스트를 스핀코팅하고, 110℃에서 60초간 베이킹하여 100 나노미터 두께의 레지스트 필름을 형성하였다. 90 나노미터의 선폭 및 180 나노미터의 피치(pitch)를 갖는 라인 및 스페이스 패턴(L/S pattern)을 타겟으로 하는 마스크 패턴을 통하여 포토레지스트를 ArF 엑시머 레이저(193 나노미터)로 노광하였으며, ArF 노광 장비 ASML-1100(ASML사 제), NA(numerical aperture) = 0.75를 사용하여 0.89/0.64의 외측/내측 편차(sigma) 및 초점 옵셋/단계 0.10/0.05로 환형 조명 하에 수행하였다. 웨이퍼를 100℃에서 60초간 노광후 베이킹하였고, 이어서 0.26 N 수성 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 현상제로 현상하였으며, 후속하여 수세하였다.
각 예시에서, 90 나노미터의 선폭 및 180 나노미터의 피치를 갖는 라인/스페이스(L/S) 패턴이 형성되었다. 가속전압 800 볼트(V), 프로브 전류 8.0 피코암페어(pA)에서 작동하고, 200 Kx 배율을 사용하는 Hitachi 9380 CD-SEM을 이용한 탑-다운 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 캡쳐된 이미지를 처리하여 마스크 에러 인자(MEF) 및 노광 허용도(Exposure Latitude)(EL)를 결정하였다. 노광 허용도(EL)는 사이징(sizing) 에너지로 정규화된 타겟 직경의 +/-10%를 프린트하기 위한 노광 에너지의 차이로서 정의되었다. 마스크 에러 인자(MEF)는 해상된 레지스트 패턴 상의 임계 치수(CD) 변화 대 마스크 패턴 상의 치수 변화의 비로서 정의되었다.
AR™77을 기판으로 사용한 상기 포토레지스트 배합들의 리소그래피 평가로부터 나온 결과들을 표 4에 기재하였다.
표 4
Figure 112014081974895-pat00052
표 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 PAG-A1을 포함하는 실시예 1의 포토레지스트는 노광 허용도, 마스크 에러 인자 및 선폭 거칠기(Line width roughness)(LWR)의 측면에서 향상된 리소그래피 성능을 나타내었다.
상기 포토레지스트들을 또한 다른 기판상에 코팅한 후 리소그래피 처리하였다. 84 나노미터 두께의 Silicon 반사방지 코팅(XS080532AA/XS110532AA/HMDS, SiARC, Dow Electronic Materials)을 갖는 200 밀리미터 실리콘 웨이퍼 상에 포토레지스트를 스핀코팅하고, 110℃에서 60초간 베이킹하여 100 나노미터 두께의 레지스트 필름을 형성하였다. 80 나노미터의 선폭 및 160 나노미터의 피치를 갖는 라인 및 스페이스(L/S) 패턴을 타겟으로 하는 마스크 패턴을 통하여 포토레지스트를 ArF 엑시머 레이저(193 nm)로 노광하였으며, ArF 노광 장비 ASML-1100(ASML사 제), NA = 0.75를 사용하여 0.89/0.64의 외측/내측 편차 및 초점 옵셋/단계 0.10/0.05로 환형 조명 하에 수행하였다. 웨이퍼를 100℃에서 60초간 노광후 베이킹하였고, 이어서 0.26 N 수성 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 현상제로 현상하였으며, 후속하여 수세하였다.
SiARC를 기판으로 사용한 상기 포토레지스트 배합들의 리소그래피 평가로부터 나온 결과들을 표 5에 기재하였다.
표 5
Figure 112014081974895-pat00053
표 5에서 알 수 있듯이, PAG-A1을 포함하는 포토레지스트는 노광 허용도, 마스크 에러 인자 및 선폭 거칠기(LWR)의 측면에서 향상된 리소그래피 성능을 나타내었다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 (1)의 광산 발생제 화합물:
    Figure 112016054889623-pat00054

    상기 식에서,
    n은 0 또는 1이고;
    R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 비치환되거나 치환된 C1-20 선형 또는 C3-20 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C3-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C6-20 아릴, 비치환되거나 치환된 C3-20 헤테로아릴, 또는 하기 구조의 일가 그룹이고:
    Figure 112016054889623-pat00055

    여기서, L은 비치환되거나 치환된 C1-50 이가 그룹이고; Z-는 카복실레이트, 설페이트, 설포네이트, 설파메이트, 설폰아미데이트, 및 설폰이미데이트에서 선택되는 일가의 음이온성 그룹이고; M+는 이치환된 요오도늄 이온 및 삼치환된 설포늄 이온에서 선택되는 양이온이고;
    R1 및 R2는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나,
    R3 및 R4는 함께, 환을 형성할 수 있고/있거나,
    R5 및 R6은 함께, 환을 형성할 수 있으나,
    단, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6에 의해 총 2개 이하의 환이 형성되고,
    R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6의 하나는
    Figure 112016054889623-pat00056

    의 구조를 갖거나, 또는
    R1 및 R2 는 함께,
    Figure 112016054889623-pat00057
    를 형성하거나,
    R3 및 R4는 함께,
    Figure 112016054889623-pat00058
    를 형성하거나,
    R5 및 R6은 함께,
    Figure 112016054889623-pat00059
    를 형성한다.
  2. 제1항에 있어서, 하기 화학식 (2a)를 가지는 광산 발생제 화합물:
    Figure 112016054889623-pat00060

    상기 식에서,
    R3 또는 R4는
    Figure 112016054889623-pat00061
    이거나, 또는
    R3 및 R4는 함께,
    Figure 112016054889623-pat00062
    를 형성하고;
    R1, R2, L, 및 M+는 제1항에 정의된 바와 같되, 단, R1 및 R2 중 어느 것도
    Figure 112016054889623-pat00073
    가 아니고, R1 및 R2가 함께
    Figure 112016054889623-pat00074
    를 형성하지도 않는다.
  3. 제2항에 있어서, L은 하기 화학식 (3)을 가지는 치환된 C7-50 이가 그룹, L1인 광산 발생제 화합물:
    Figure 112016054889623-pat00063

    상기 식에서,
    m은 0 또는 1이고,
    Y는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고,
    W1은 비치환되거나 치환된 이가 C5-20 알리사이클릭 그룹이고,
    X는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고,
    R7 및 R8은 각각 독립적으로 불소, 또는 부분 불소화된 C1-12 알킬, 또는 과불소화된 C1-12 알킬이다.
  4. 제1항에 있어서, 하기 화학식 (2b)를 가지는 광산 발생제 화합물:
    Figure 112016054889623-pat00064

    상기 식에서,
    R1 또는 R2는
    Figure 112016054889623-pat00065
    이거나, 또는
    R1 및 R2는 함께,
    Figure 112016054889623-pat00066
    를 형성하고;
    R3, R4, L, 및 M+는 제1항에 정의된 바와 같되, 단, R3 및 R4 중 어느 것도
    Figure 112016054889623-pat00075
    가 아니고, R3 및 R4가 함께
    Figure 112016054889623-pat00076
    를 형성하지도 않는다.
  5. 제4항에 있어서,
    R2 및 R3은 수소이고;
    R4는
    Figure 112016054889623-pat00067

    의 구조를 가지며,
    여기서, m은 0 또는 1이고, Y는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고, W2는 비치환되거나 치환된 일가 C5-20 알리사이클릭 그룹이고;
    L은 하기 구조를 가지는 치환된 C2-50 이가 그룹, L2이고:
    Figure 112016054889623-pat00068

    여기서,
    X는 비치환되거나 치환된 C1-20 알킬렌이고,
    R7 및 R8은 각각 독립적으로 불소, 또는 부분 불소화된 C1-12 알킬, 또는 과불소화된 C1-12 알킬인 광산 발생제 화합물.
  6. 제1항에 있어서, 다음을 포함하는 광산 발생제 화합물:
    Figure 112016054889623-pat00077

    Figure 112016054889623-pat00070

    또는 이들의 조합[상기 식에서, M+는 제1항에 정의된 바와 같다].
  7. 산-민감성 폴리머 및
    제1항 내지 제6항중 어느 한항의 광산 발생제 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물.
  8. (a) 그의 표면 상에 패턴화될 하나 이상의 층을 가지는 기판; 및
    (b) 패턴화될 하나 이상의 층 위에 제7항의 포토레지스트 조성물의 층을 포함하는 코팅된 기판.
  9. (a) 기판 상에 제7항의 포토레지스트 조성물의 층을 도포하고;
    (b) 포토레지스트 조성물층을 활성화 방사선에 패턴식으로 노광하고;
    (c) 노광된 포토레지스트 조성물층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 것을 포함하는, 전자 디바이스의 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 활성화 방사선이 극자외선(EUV) 또는 전자빔 방사선인 방법.
KR1020140112610A 2013-08-28 2014-08-27 광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법 KR101670312B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/012,577 US9067909B2 (en) 2013-08-28 2013-08-28 Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
US14/012,577 2013-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150026923A KR20150026923A (ko) 2015-03-11
KR101670312B1 true KR101670312B1 (ko) 2016-10-28

Family

ID=52583712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112610A KR101670312B1 (ko) 2013-08-28 2014-08-27 광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9067909B2 (ko)
JP (1) JP5923566B2 (ko)
KR (1) KR101670312B1 (ko)
CN (1) CN104423151B (ko)
TW (1) TWI544277B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9256125B2 (en) 2013-03-30 2016-02-09 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Acid generators and photoresists comprising same
TWI662364B (zh) * 2015-12-31 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光致抗蝕劑組合物、包含光致抗蝕劑組合物的經塗佈基板及形成電子裝置的方法
TWI619699B (zh) 2015-12-31 2018-04-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
JP6938946B2 (ja) * 2016-02-29 2021-09-22 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6938945B2 (ja) * 2016-02-29 2021-09-22 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7115822B2 (ja) * 2016-05-13 2022-08-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7115821B2 (ja) * 2016-05-13 2022-08-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10662274B2 (en) 2016-12-02 2020-05-26 Georgia Tech Research Corporation Self-immolative polymers, articles thereof, and methods of making and using same
US10527935B2 (en) 2016-12-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Radiation-sensitive compositions and patterning and metallization processes
JP7158150B2 (ja) * 2017-02-20 2022-10-21 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10670963B2 (en) * 2017-03-08 2020-06-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
KR101748820B1 (ko) 2017-03-24 2017-07-03 로움하이텍 주식회사 신규한 술폰산염 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP7245583B2 (ja) * 2018-05-09 2023-03-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7307005B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-11 信越化学工業株式会社 硬化触媒の拡散距離を測定する方法
CN111116605B (zh) * 2019-12-28 2021-06-04 上海博栋化学科技有限公司 由戊醛糖合成的光刻胶树脂单体及其合成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011201866A (ja) 2010-03-02 2011-10-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 酸発生剤用の塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE68272T1 (de) 1984-06-01 1991-10-15 Rohm & Haas Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
JPH04199152A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Toshiba Corp 感光性組成物
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
US6090526A (en) 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7304175B2 (en) 2005-02-16 2007-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
US7459260B2 (en) 2005-03-29 2008-12-02 Intel Corporation Method of reducing sensitivity of EUV photoresists to out-of-band radiation and EUV photoresists formed according to the method
CN1955846B (zh) 2005-10-28 2011-12-07 住友化学株式会社 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
US8404427B2 (en) 2005-12-28 2013-03-26 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, and pattern-forming method and resist film using the photosensitive composition
JP2007293250A (ja) 2006-03-27 2007-11-08 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US7718344B2 (en) 2006-09-29 2010-05-18 Fujifilm Corporation Resist composition and pattern forming method using the same
US7488568B2 (en) 2007-04-09 2009-02-10 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
US7776510B2 (en) 2007-06-13 2010-08-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
WO2009020089A1 (ja) 2007-08-07 2009-02-12 Adeka Corporation 芳香族スルホニウム塩化合物
JP5364444B2 (ja) 2008-07-15 2013-12-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
JP5559501B2 (ja) 2008-09-30 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5548487B2 (ja) 2009-03-25 2014-07-16 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
KR20120012792A (ko) 2009-04-15 2012-02-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 이것에 이용하는 중합체 및 이것에 이용하는 화합물
JP5544212B2 (ja) 2009-04-27 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物およびその製造方法、酸発生剤
TWI469959B (zh) 2009-05-28 2015-01-21 Sumitomo Chemical Co 鹽及含有該鹽之光阻組成物
US8318403B2 (en) 2009-05-28 2012-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
US9221785B2 (en) 2009-06-12 2015-12-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
KR101744715B1 (ko) * 2009-07-16 2017-06-08 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
JP5717959B2 (ja) 2009-11-17 2015-05-13 株式会社Adeka 芳香族スルホニウム塩化合物
JP5664328B2 (ja) 2010-03-03 2015-02-04 住友化学株式会社 塩及びレジスト組成物
JP5474867B2 (ja) 2010-06-01 2014-04-16 コリア クンホ ペトロケミカル カンパニー リミテッド 光酸発生剤、この製造方法、及びこれを含むレジスト組成物
KR101184901B1 (ko) 2010-06-10 2012-09-20 금호석유화학 주식회사 화합물, 이를 포함하는 중합체 및 상기 중합체를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
JP5542043B2 (ja) * 2010-06-25 2014-07-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
TWI530491B (zh) 2010-11-30 2016-04-21 住友化學股份有限公司 鹽及包括該鹽之光阻組成物
TWI579262B (zh) * 2011-06-09 2017-04-21 住友化學股份有限公司 鹽、光阻組成物及光阻圖案的製造方法
JP5802510B2 (ja) * 2011-09-30 2015-10-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
TWI527792B (zh) 2012-06-26 2016-04-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑、含該光酸產生劑之光阻劑及含該光阻劑之經塗覆物件
JP5972765B2 (ja) * 2012-11-26 2016-08-17 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9256125B2 (en) * 2013-03-30 2016-02-09 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Acid generators and photoresists comprising same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011201866A (ja) 2010-03-02 2011-10-13 Sumitomo Chemical Co Ltd 酸発生剤用の塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5923566B2 (ja) 2016-05-24
KR20150026923A (ko) 2015-03-11
JP2015071590A (ja) 2015-04-16
US20150064620A1 (en) 2015-03-05
CN104423151A (zh) 2015-03-18
US9067909B2 (en) 2015-06-30
TW201523129A (zh) 2015-06-16
CN104423151B (zh) 2019-05-14
TWI544277B (zh) 2016-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101670312B1 (ko) 광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법
JP6525377B2 (ja) 複数の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト
KR102262814B1 (ko) 카바메이트 성분을 포함하는 포토레지스트
JP2020126257A (ja) 酸発生剤および同剤を含むフォトレジスト
KR102068039B1 (ko) 광산 발생제, 포토레지스트, 코팅된 기판 및 전자 디바이스의 형성 방법
KR102394708B1 (ko) 산 발생제 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트
KR102204530B1 (ko) 산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
KR102062561B1 (ko) 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 조성물을 포함하는 코팅된 기판, 및 전자 소자를 형성하기 위한 방법
JP6571912B2 (ja) 樹状化合物、フォトレジスト組成物、および電子デバイスを作製する方法
TW201715299A (zh) 光阻材料及使用該光阻材料的圖案形成方法
KR20190008394A (ko) 광산 발생제
TWI629562B (zh) 酸不穩定超支化共聚物及相關聯的光致抗蝕劑組合物以及形成電子器件之方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant