KR101642174B1 - 점착제 및 그것을 사용한 점착재, 그리고 그들의 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유하고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시키는 점착제.
(1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다.
(2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.
(3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.

Description

점착제 및 그것을 사용한 점착재, 그리고 그들의 사용 방법 {ADHESIVE AND ADHESIVE MATERIAL USING SAME, AND USAGE METHOD THEREFOR}
본 발명은 고온 환경 하에서도 점착성이 유지되는 점착제, 및 그것을 사용한 점착재, 그리고 그들의 사용 방법에 관한 것이다.
종래, 점착제로는, 아크릴계 점착제가 많이 사용되고 있다. 또, 내열성 점착제로는, 예를 들어 특허문헌 1 에 실리콘계 점착제가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2009-256542호
그런데, 아크릴계 점착제에는 고온 환경 하 (예를 들어, 200 ℃ 이상) 에서는 점착성을 유지하지 못하여, 플로팅이나 박리를 일으킨다는 문제가 있다.
또, 실리콘계 점착제에는 가격이 비싸고, 첩부 (貼付) 하는 대상이 한정된다 (예를 들어, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 재료에 대한 점착성이 낮다) 는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은 고온 환경 하에서도 점착성을 유지할 수 있는 신규 점착제, 및 그 사용 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 그 점착제를 사용한 점착재, 및 그 사용 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면은 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유하는 점착제에 관한 것이다.
그리고, 상기 점착제는 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시킨다.
(1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다.
(2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.
(3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.
상기 점착제에 의하면, 고온 환경 하 (예를 들어, 200 ℃ 이상) 에서도 높은 점착성이 유지되어, 플로팅이나 박리의 발생이 충분히 억제된다. 또, 상기 점착제는 플라스틱 재료 등의 피착체에 대해 높은 점착성을 나타낸다. 또한, 상기 점착제는, 피착체로부터 박리한 후에도 높은 점착성이 유지되기 때문에, 피착체에 대한 첩부 및 박리를 반복하여 실시할 수 있다.
상기 점착제는 상기 (1) 및 (2) 의 쌍방을 만족시키는 것이 바람직하다. 이와 같은 점착제에 의하면, 점착성이 한층 더 향상된다. 또, 이와 같은 점착제는, 예를 들어, 0 ∼ 50 ℃ 에서 가압함으로써 용이하게 피착체에 첩부할 수 있다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지는 폴리아미드이미드 수지, 폴리이미드 수지 및 폴리아미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지는 폴리아미드 수지인 것이 바람직하다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지 중의 상기 구조 단위는 상기 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 (2) 에 있어서의 폴리옥시알칸디일기는 상기 구조 단위에 포함되어 있는 것이 바람직하다.
상기 점착제에 있어서, 상기 구조 단위 중의 상기 모노머 (B) 에서 유래하는 구조는 상기 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 (2) 에 있어서의 폴리옥시알칸디일기는 상기 구조 단위 중의 상기 모노머 (B) 에서 유래하는 구조에 포함되어 있는 것이 바람직하다.
상기 점착제에 있어서, 상기 중합성 모노머는 폴리옥시알칸디일기 및 적어도 2 개의 아미노기를 갖는 모노머 (b-1) 을 상기 모노머 (A) 및 상기 모노머 (B) 의 총량에 대해 2.5 ∼ 10 ㏖％ 의 비율로 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면은 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 축합계 수지를 함유하고, 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는 점착제에 관한 것이다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지는 시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위와, 폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위를 함유하는 것이면 된다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지는 2 가의 방향 고리기를 추가로 갖고 있어도 되고, 2 가의 방향 고리기를 갖는 디카르복실산 단위를 함유하고 있어도 된다.
또, 본 발명의 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지는 1,4-피페라진디일기를 추가로 갖고 있어도 되고, 1,4-피페라진디일기를 갖는 디아민 단위를 함유하고 있어도 된다.
상기 점착제에 있어서, 상기 축합계 수지의 함유량은 50 질량％ 이상인 것이 바람직하다. 또, 상기 점착제는 상기 축합계 수지로 이루어지는 것이어도 된다. 이와 같은 점착제는 내열성이 한층 더 우수하기 때문에, 내열성 점착제로서 한층 더 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 점착제는, 예를 들어, 피착체에 첩부되고, 200 ℃ 이상으로 가열된 후에 그 피착체로부터 박리되는 내열성 점착제로서 사용할 수 있다. 즉, 상기 점착제는 200 ℃ 이상의 고온에 노출되는 공정을 갖는 프로세스에도 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시키는 축합계 수지의 점착제로서의 사용에 관한 것이다.
(1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다.
(2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.
(3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.
본 발명의 다른 측면은 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시키는 축합계 수지의, 점착제의 제조를 위한 사용에 관한 것이다.
(1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다.
(2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.
(3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.
본 발명의 다른 측면은 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 축합계 수지로서, 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는 축합계 수지의 점착제로서의 사용에 관한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 축합계 수지로서, 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는 축합계 수지의, 점착제의 제조를 위한 사용에 관한 것이다.
본 발명은 또한 지지체와, 그 지지체 상에 형성된 상기 점착제를 함유하는 점착층을 구비하는 점착재를 제공한다.
본 발명은 또한 제 1 피착체에, 상기 점착제를 함유하는 점착층을 개재하여, 제 2 피착체를 첩부하는 첩부 공정과, 상기 점착층의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서 상기 제 1 피착체 및 상기 제 2 피착체를 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정을 거친 상기 제 1 피착체로부터 상기 점착층 및 상기 제 2 피착체를 박리하는 박리 공정을 구비하는 점착제의 사용 방법을 제공한다.
상기 점착제의 사용 방법에서는, 상기 첩부 공정에 있어서, 상기 제 1 피착체와 상기 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부하는 것이 바람직하다.
상기 점착제의 사용 방법에서는, 상기 박리 공정에 있어서, 상기 제 1 피착체로부터 상기 점착층 및 상기 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리하는 것이 바람직하다.
상기 점착제의 사용 방법에서는, 상기 박리 공정에서 박리된 상기 점착층을 상기 첩부 공정에 재이용할 수 있다.
본 발명은 또한 피착체에, 상기 점착재를 상기 점착층이 상기 피착체에 가까운 쪽에 배치되도록 첩부하는 첩부 공정과, 상기 점착재의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서 상기 피착체를 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정을 거친 상기 피착체로부터 상기 점착재를 박리하는 박리 공정을 구비하는 점착재의 사용 방법을 제공한다.
상기 점착재의 사용 방법에서는, 상기 첩부 공정에 있어서, 상기 점착재를 상기 피착체에 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부하는 것이 바람직하다.
상기 점착재의 사용 방법에서는, 상기 박리 공정에 있어서, 상기 피착체로부터, 상기 점착재를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리하는 것이 바람직하다.
상기 점착재의 사용 방법에서는, 상기 박리 공정에서 박리된 상기 점착재를 상기 첩부 공정에 재이용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 고온 환경 하에서도 점착성을 유지할 수 있는 신규 점착제, 및 그 사용 방법이 제공된다. 또, 본 발명에 의하면, 그 점착제를 사용한 점착재, 및 그 사용 방법이 제공된다.
도 1 은 본 발명의 점착제의 바람직한 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
본 발명의 점착제 및 점착재의 바람직한 실시형태에 대하여 이하에 설명한다.
(점착제)
본 실시형태에 관련된 점착제는 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유한다.
그리고, 본 실시형태에 관련된 점착제는 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시킨다.
(1) 모노머 (A), 모노머 (A) 의 무수물 및 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다.
(2) 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.
(3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.
이와 같은 점착제에 의하면, 예를 들어 200 ℃ 이상의 고온 환경 하에 유지해도 높은 점착성이 유지되어, 플로팅이나 박리의 발생이 충분히 억제된다.
또한, 상기 축합계 수지는 반드시 상기 중합성 모노머를 축합 중합하여 제조된 것일 필요는 없고, 상기 중합성 모노머의 축합 반응에 의해 형성될 수 있는 구조 단위를 갖고 있으면 된다.
즉, 상기 (1) 을 만족시키기 위해서는, 반드시 상기 축합계 수지가 25 ℃ 에서 액상인 모노머 (또는 무수물이 25 ℃ 에서 액상인 모노머) 를 사용하여 제조된 것일 필요는 없고, 상기 축합계 수지가 25 ℃ 에서 액상인 모노머 (또는 무수물이 25 ℃ 에서 액상인 모노머) 를 함유하는 중합성 모노머의 축합 반응에 의해 형성될 수 있는 구조 단위를 갖고 있으면 된다.
상기 축합계 수지 중의 상기 구조 단위는 1 종의 모노머 (A) 및 모노머 (B) 를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위이어도 되고, 복수의 모노머 (A) 및 모노머 (B) 를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위이어도 된다. 후자의 경우, 상기 (1) 을 만족시키기 위해서는, 복수의 모노머 (A), 그들의 무수물 및 복수의 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이면 된다.
상기 구조 단위를 형성할 수 있는 모노머 (A) 및 모노머 (B) 는 다음의 방법에 의해 확인할 수 있다. 즉, 상기 구조 단위를 가수분해했을 때에 생성되는, 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 화합물 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 화합물을 각각 모노머 (A) 및 모노머 (B) 로 할 수 있다.
예를 들어, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 구조 단위는 하기 식 (A-1) 로 나타내는 모노머 및 하기 식 (B-1) 로 나타내는 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위라고 할 수 있다. 또한, 식 중, R1 및 R2 는 2 가의 유기기를 나타낸다.
[화학식 1]
Figure 112013101036986-pct00001
[화학식 2]
HO2C-R1-CO2H (A-1)
[화학식 3]
H2N-R2-NH2 (B-1)
여기서, 식 (1-1) 로 나타내는 구조 단위가 상기 (1) 을 만족시키기 위해서는, 식 (A-1) 로 나타내는 모노머 및 식 (B-1) 로 나타내는 모노머 중, 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이면 된다.
또, 예를 들어 하기 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위는 하기 식 (A-2) 로 나타내는 모노머 및 상기 식 (B-1) 로 나타내는 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위라고 할 수 있다. 또한, 식 중, R3 은 3 가의 유기기를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure 112013101036986-pct00002
[화학식 5]
Figure 112013101036986-pct00003
여기서, 식 (1-2) 로 나타내는 구조 단위가 상기 (1) 을 만족시키기 위해서는, 식 (A-2) 로 나타내는 모노머, 식 (B-1) 로 나타내는 모노머 및 하기 식 (A-2') 로 나타내는 무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이면 된다.
[화학식 6]
Figure 112013101036986-pct00004
또한, 예를 들어 하기 식 (1-3) 으로 나타내는 구조 단위는, 하기 식 (A-3) 으로 나타내는 모노머 및 상기 식 (B-1) 로 나타내는 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위라고 할 수 있다. 또한, 식 중, R4 는 4 가의 유기기를 나타낸다.
[화학식 7]
Figure 112013101036986-pct00005
[화학식 8]
Figure 112013101036986-pct00006
여기서, 식 (1-3) 으로 나타내는 구조 단위가 상기 (1) 을 만족시키기 위해서는, 식 (A-3) 으로 나타내는 모노머, 식 (B-1) 로 나타내는 모노머 및 하기 식 (A-3') 로 나타내는 무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이면 된다.
[화학식 9]
Figure 112013101036986-pct00007
모노머 (A) 로는, 카르복실기를 2 개 갖는 모노머 (식 (A-1) 로 나타내는 모노머), 카르복실기를 3 개 갖는 모노머 (식 (A-2) 로 나타내는 모노머), 카르복실기를 4 개 갖는 모노머 (식 (A-3) 으로 나타내는 모노머) 등을 들 수 있다.
카르복실기를 2 개 갖는 모노머로는, 예를 들어 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바크산, 1,9-노난디카르복실산, 도데칸이산, 테트라데칸이산, 펜타데칸이산, 옥타데칸이산 등의 알킬렌디카르복실산, 프탈산, 테레프탈산, 이소프탈산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 아세나프틸렌-5,6-디카르복실산, 피리딘-2,3-디카르복실산, 피리딘-2,6-디카르복실산, 1H-이미다졸-4,5-디카르복실산, 1H-피롤-2,4-디카르복실산, 푸란-2,5-디카르복실산, 티오펜-2,5-디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 4-메틸헥사하이드로프탈산, 3-메틸헥사하이드로프탈산, 3-에틸헥사하이드로프탈산, 4-에틸헥사하이드로프탈산, 메틸노르보르난-2,3-디카르복실산 등의 시클로헥산 골격을 갖는 디카르복실산, 3-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산, 4-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산, 메틸-3,6-엔도메틸렌-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 등의 시클로헥센 골격을 갖는 디카르복실산 등을 들 수 있다.
즉, 식 (1-1) 에 있어서의 R1 로는, 알칸디일기, 2 가의 지환기, 2 가의 방향 고리기 등을 들 수 있다.
알칸디일기로는 탄소수 1 ∼ 30 의 알칸디일기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 20 의 알칸디일기가 보다 바람직하다. 알칸디일기는 직사슬형이어도 되고 분기형이어도 되고, 바람직하게는 직사슬형인 것이 바람직하다.
알칸디일기의 구체예로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판디일기, 부탄디일기, 펜탄디일기, 헥산디일기, 헵탄디일기, 옥탄디일기, 노난디일기, 데칸디일기, 운데칸디일기, 도데칸디일기, 트리데칸디일기, 헥사데칸디일기 등을 들 수 있다.
2 가의 지환기는 방향족성을 갖지 않는 포화 또는 불포화의 탄소 고리 구조를 갖는 기이다. 2 가의 지환기의 탄소수는 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다. 또, 2 가의 지환기는 시클로헥산 고리를 갖는 것이 바람직하다.
2 가의 지환기로는 1,3-시클로헥산디일기, 1,4-시클로헥산디일기, 4-알킬시클로헥산-1,2-디일기, 3-알킬시클로헥산-1,2-디일기, 4,5-디알킬시클로헥산-1,2-디일기, 3,4-디알킬시클로헥산-1,2-디일기, 노르보르난디일기, 5-알킬노르보르난-2,3-디일기, 3-알킬-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-알킬-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-메틸-3,6-엔도메틸렌-4-시클로헥센-1,2-디일기 등을 들 수 있다.
여기서, 2 가의 지환기의 탄소 고리 구조에 결합된 알킬기는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
2 가의 방향 고리기는 방향족성을 갖는 고리 구조를 갖는 기이다. 2 가의 방향 고리기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 2 가의 방향 고리기가 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 의 2 가의 방향 고리기가 보다 바람직하다.
2 가의 방향 고리기로는, 예를 들어 벤젠디일기, 나프탈렌디일기, 비페닐디일기, 아세나프틸렌-5,6-디일기, 피리딘-2,3-디일기, 피리딘-2,6-디일기, 1H-이미다졸-4,5-디일기, 1H-피롤-2,4-디일기, 푸란-2,5-디일기, 티오펜-2,5-디일기를 들 수 있다. 또, 벤젠디일기로는 1,2-벤젠디일기, 1,3-벤젠디일기, 1,4-벤젠디일기를 들 수 있다. 또, 나프탈렌디일기로는 1,2-나프탈렌디일기, 1,3-나프탈렌디일기, 1,4-나프탈렌디일기, 1,5-나프탈렌디일기, 1,6-나프탈렌디일기, 1,7-나프탈렌디일기, 1,8-나프탈렌디일기, 2,3-나프탈렌디일기, 2,6-나프탈렌디일기, 2,7-나프탈렌디일기 등을 들 수 있다. 또, 비페닐디일기로는 비페닐-4,4'-디일기를 들 수 있다.
카르복실기를 3 개 갖는 모노머로는, 예를 들어 트리멜리트산 등의 방향족 트리카르복실산, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산 등의 지환식 트리카르복실산 등을 들 수 있다.
즉, 식 (1-2) 에 있어서의 R3 으로는, 3 가의 지환기, 3 가의 방향 고리기 등을 들 수 있다.
3 가의 지환기로는 시클로헥산트리일기가 바람직하고, 시클로헥산-1,2,4-트리일기가 보다 바람직하다.
3 가의 방향 고리기로는, 예를 들어 벤젠트리일기, 나프탈렌트리일기를 들 수 있고, 벤젠-1,2,4-트리일기가 바람직하다.
카르복실기를 4 개 갖는 모노머로는, 예를 들어 피로멜리트산, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카르복실산, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카르복실산, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카르복실산, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐에테르테트라카르복실산, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 1-트리플루오로메틸-2,3,5,6-벤젠테트라카르복실산, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스(프탈산), p-페닐렌비스(트리멜리테이트), 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)메틸페닐실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐디메틸실릴)벤젠, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐술파이드, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산, 티오펜-2,3,4,5-테트라카르복실산, 테트라하이드로푸란-2,3,4,5-테트라카르복실산, 에틸렌테트라카르복실산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 1,1,2,2-에탄테트라카르복실산, 1,1,2,3-프로판테트라카르복실산, 1,1,6,6-헥산테트라카르복실산, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 데카하이드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 비시클로-[2.2.2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산, 비스(엑소비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산)술폰, 1,2,4,5-테트라카르복시시클로헥산, 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3,5,6-테트라카르복실산, 5,5'-(1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산-1,5-디일)비스(비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산) 등을 들 수 있다.
즉, 식 (1-3) 에 있어서의 R4 로는, 알칸테트라일기, 4 가의 지환기, 4 가의 방향 고리기 또는 4 가의 복소 고리기를 들 수 있다. 바꾸어 말하면, R4 로는, 알칸, 지환식 화합물, 방향족 화합물 또는 복소 고리형 화합물로부터 4 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.
알칸테트라일기의 탄소수는 2 ∼ 10 이 바람직하고, 2 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 알칸테트라일기로는, 예를 들어 에탄-1,1,2,2-테트라일기, 프로판-1,1,2,3-테트라일기, 부탄-1,2,3,4-테트라일기, 헥산-1,1,6,6-테트라일기, 에틸렌테트라일기를 들 수 있다.
4 가의 지환기로는 탄소수가 4 ∼ 50 인 것이 바람직하고, 탄소수가 6 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다. 또, 4 가의 지환기는 시클로헥산 고리를 갖는 것이 바람직하다.
4 가의 지환기로는, 예를 들어 시클로헥산, 시클로펜탄, 시클로부탄, 비시클로헥산, 데카하이드로나프탈렌, 비시클로[2,2,2]옥탄, 비시클로[2,2,1]헵탄, 디메틸헥사하이드로나프탈렌, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔, 5,5'-(1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산-1,5-디일)비스(비시클로[2.2.1]헵탄) 또는 비스(비시클로[2,2,1]헵탄)술폰으로부터 수소 원자를 4 개 제거하여 이루어지는 기를 들 수 있다.
4 가의 방향 고리기로는, 예를 들어 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 비페닐, 벤조페논, 비페닐에테르, 디페닐술폰, 트리플루오로메틸벤젠, 디페닐메탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판, 비스벤조산페닐, 디페닐디메틸실란, 트리페닐메틸실란, 테트라페닐실란, 1,3-디페닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 비스(디페닐디메틸실릴)벤젠, 2,2-디페닐헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-페녹시페닐)헥사플루오로프로판 또는 디페닐술파이드로부터 수소 원자를 4 개 제거하여 이루어지는 기를 들 수 있다.
4 가의 복소 고리기로는, 예를 들어 피리딘, 피라진, 티오펜, 피롤리딘 또는 테트라하이드로푸란으로부터 수소 원자를 4 개 제거하여 이루어지는 기를 들 수 있다.
이들 모노머 (A) 및 그 무수물 중, 25 ℃ 에서 액상인 화합물로는, 3-메틸헥사하이드로프탈산 무수물, 4-메틸헥사하이드로프탈산 무수물, 3-에틸헥사하이드로프탈산 무수물, 4-에틸헥사하이드로프탈산 무수물, 3-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 4-메틸-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 메틸-3,6-엔도메틸렌-1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 5,5'-엑소-(1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산-1,5-디일)비스(비시클로[2.2.1]헵탄-엑소-2,3-디카르복실산) 2 무수물 등을 들 수 있다.
여기서, 상기 식 (1-1) 에 있어서의 R1 이, 예를 들어 4-알킬시클로헥산-1,2-디일기, 3-알킬시클로헥산-1,2-디일기, 3-알킬-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-알킬-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-메틸-3,6-엔도메틸렌-4-시클로헥센-1,2-디일기일 때 (바람직하게는 4-메틸시클로헥산-1,2-디일기, 3-메틸시클로헥산-1,2-디일기, 3-메틸-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-메틸-4-시클로헥센-1,2-디일기, 4-메틸-3,6-엔도메틸렌-4-시클로헥센-1,2-디일기일 때), 본 실시형태에 관련된 점착제는 상기 (1) 을 만족시킨다.
또, 상기 식 (1-3) 에 있어서의 R4 가, 예를 들어 5,5'-엑소-(1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산-1,5-디일)비스(비시클로[2.2.1]헵탄-엑소-2,3-디일기)일 때, 본 실시형태에 관련된 점착제는 상기 (1) 을 만족시킨다.
또, 모노머 (B) 로는, 아미노기를 2 개 갖는 모노머가 바람직하고, 이와 같은 모노머로는, 예를 들어 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸비페닐-4,4'-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 2,6,2',6'-테트라메틸비페닐-4,4'-디아민, 5,5'-디메틸-2,2'-술포닐-비페닐 4,4'-디아민, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (4,4'-디아미노)디페닐술폰, (4,4'-디아미노)벤조페논, (3,3'-디아미노)벤조페논, (4,4'-디아미노)디페닐메탄, (4,4'-디아미노)디페닐에테르, (3,3'-디아미노)디페닐에테르 등의 방향족 디아민；에틸렌디아민, 프로필렌디아민 등의 알킬렌디아민, 폴리에틸렌옥사이드디아민, 폴리프로필렌옥사이드디아민 등의 폴리알킬렌옥사이드디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, (4,4'-디아미노)디시클로헥실메탄, 이소포론디아민, 1,4-비스아미노프로필피페라진, [3,4-비스(1-아미노헵틸)-6-헥실-5-(1-옥테닐)]시클로헥센, 비스아미노메틸노르보르난 등의 지방족 디아민, 폴리디메틸실록산디아민 등의 실록산디아민 등을 들 수 있다.
즉, 식 (1-1), (1-2) 및 (1-3) 에 있어서의 R2 로는, 알칸디일기, 폴리옥시알칸디일기, 2 가의 지환기, 2 가의 방향 고리기, 2 가의 복소 고리기, 폴리실록산디일기 등을 들 수 있다.
R2 에 있어서의 알칸디일기로는 탄소수 1 ∼ 30 의 알칸디일기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 20 의 알칸디일기가 보다 바람직하다. 알칸디일기는 직사슬형이어도 되고 분기형이어도 되고, 바람직하게는 직사슬형인 것이 바람직하다.
R2 에 있어서의 알칸디일기로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판디일기, 부탄디일기, 펜탄디일기, 헥산디일기, 헵탄디일기, 옥탄디일기, 노난디일기, 데칸디일기, 운데칸디일기, 도데칸디일기, 트리데칸디일기, 헥사데칸디일기 등을 들 수 있다.
R2 에 있어서의 2 가의 지환기로는, 탄소수 3 ∼ 10 의 지환기가 바람직하고, 4 ∼ 8 의 지환기가 보다 바람직하다. 또, 2 가의 지환기는 시클로헥산 고리를 갖는 것이 바람직하다.
R2 에 있어서의 2 가의 지환기로는, 시클로헥산디일기, 알킬시클로헥산-1,4-디일기, 디알킬시클로헥산-1,4-디일기, 노르보르난디일기, 알킬노르보르난-2,3-디일기, 디시클로헥실메탄디일기, 디시클로헥실프로판디일기, 이소포로닐기, 비스메틸렌시클로헥산기, 비스메틸렌노르보르난기 등을 들 수 있다.
또한, R2 에 있어서의 2 가의 지환기의 탄소 고리 구조에 결합된 알킬기는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
R2 에 있어서의 2 가의 방향 고리기로는, 예를 들어 벤젠디일기 (1,2-벤젠디일기, 1,3-벤젠디일기, 1,4-벤젠디일기), 나프탈렌디일기 (1,2-나프탈렌디일기, 1,3-나프탈렌디일기, 1,4-나프탈렌디일기, 1,5-나프탈렌디일기, 1,6-나프탈렌디일기, 1,7-나프탈렌디일기, 1,8-나프탈렌디일기, 2,3-나프탈렌디일기, 2,6-나프탈렌디일기, 2,7-나프탈렌디일기 등), 4,4'-비페닐디일기, 3,3'-비페닐디일기, 4,4'-(2,2'-디페닐프로판)디일기, 3,3'-(2,2'-디페닐프로판)디일기, 4,4'-(디페닐술폰)디일기, 3,3'-(디페닐술폰)디일기, 4,4'-(3,3-디페닐헥사플루오로프로판)디일기, 3,3'-(3,3-디페닐헥사플루오로프로판)디일기, 4,4'-(디페닐에테르)디일기, 3,3'-(디페닐에테르)디일기, 4,4'-(디페닐케톤)디일기, 3,3'-(디페닐케톤)디일기, 4,4'-(2,2'-디메틸비페닐)디일기, 4,4'-(2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐)디일기, 4,4'-(2,6,2',6'-테트라메틸비페닐)디일기를 들 수 있다.
R2 에 있어서의 2 가의 복소 고리기로는, 예를 들어 (1,4-디프로필피페라진)디일기를 들 수 있다.
R2 에 있어서의 폴리실록산디일기로는, 예를 들어 폴리디메틸실록산디일기 등을 들 수 있다.
이들 모노머 (B) 중, 25 ℃ 에서 액상인 모노머로는, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 이소포론디아민, 1,4-비스아미노프로필피페라진, [3,4-비스(1-아미노헵틸)-6-헥실-5-(1-옥테닐)]시클로헥센, 알킬렌옥사이드디아민, 비스아미노메틸노르보르난, 알킬디아민, 폴리알킬렌옥사이드디아민, 실록산디아민 등을 들 수 있다.
여기서, 식 (1-1), (1-2) 및 (1-3) 에 있어서의 R2 가, 예를 들어 알칸디일기, (1,4-디프로필피페라진)디일기, 비스메틸렌노르보르난기 또는 이소포로닐기일 때, 본 실시형태에 관련된 점착제는 상기 (1) 을 만족시킨다.
축합계 수지는 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 기를 갖는 축합계 수지는, Tg 가 저하되어, 저온에서 양호한 점착성을 갖는 것이 된다.
여기서, 폴리옥시알칸디일기로는, 하기 식 (2) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 또한, 식 중, n 은 2 이상의 정수를 나타내고, R5 는 알칸디일기를 나타낸다. 복수 존재하는 R5 는 서로 동일해도 되고 상이해도 된다.
[화학식 10]
Figure 112013101036986-pct00008
R5 에 있어서의 알칸디일기는 직사슬형이어도 되고 분기형이어도 된다. R5 에 있어서의 알칸디일기로는, 탄소수 2 ∼ 4 의 알칸디일기가 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 3 의 알칸디일기가 보다 바람직하다. R5 에 있어서의 알칸디일기로는, 예를 들어 에틸렌기, 1,2-프로판디일기, 1,3-프로판디일기, 1,4-부탄디일기 등을 들 수 있다.
식 (2) 에 있어서의 n 은 2 ∼ 70 인 것이 바람직하고, 6 ∼ 33 인 것이 보다 바람직하다.
폴리옥시알칸디일기로는 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리부틸렌옥사이드, 폴리테트라메틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리에틸렌글리콜 폴리테트라메틸렌글리콜 공중합체, 폴리프로필렌글리콜 폴리테트라메틸렌글리콜 공중합체, 폴리에틸렌글리콜 폴리프로필렌글리콜 폴리테트라메틸렌글리콜 공중합체 등의 폴리알킬렌옥사이드로부터 유도되는 기가 바람직하고, 폴리옥시에틸렌기, 폴리옥시-1,2-프로판디일기가 보다 바람직하다.
축합계 수지에 상기 폴리옥시알칸디일기를 도입하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 등의 축합계 수지를 변성하여 상기 폴리옥시알칸디일기를 도입하는 방법을 들 수 있다.
또, 축합계 수지는 상기 구조 단위 중에 상기 폴리옥시알칸디일기를 갖고 있는 것이 바람직하고, 상기 구조 단위 중의 모노머 (B) 에서 유래하는 구조에 상기 폴리옥시알칸디일기가 존재하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 모노머 (A) 및 모노머 (B) 중 적어도 1 종이 상기 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 바람직하고, 모노머 (B) 중 적어도 1 종이 상기 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 보다 바람직하다.
축합계 수지는 상기 구조 단위 중의 모노머 (B) 에서 유래하는 구조가 폴리옥시알칸디일기를 갖는 것이 보다 바람직하다.
즉, 축합계 수지로는, 폴리옥시알칸디일기 및 적어도 2 개의 아미노기를 갖는 모노머 (b-1) 을 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다.
모노머 (b-1) 로는, 폴리알킬렌옥사이드디아민을 들 수 있고, 예를 들어 제파민 D-230 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 D-400 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 D-2000 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 D-4000 (HUNTSMAN, 상품명) 등의 폴리프로필렌옥사이드디아민；제파민 ED-600 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 ED-900 (HUNTSMAN, 상품명) 등의 폴리프로필렌옥사이드와 폴리에틸렌옥사이드의 공중합체 디아민；제파민 EDR-148 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 EDR-176 (HUNTSMAN, 상품명) 등의 폴리에틸렌옥사이드디아민；제파민 T-403 (HUNTSMAN, 상품명), 제파민 T-3000 (HUNTSMAN, 상품명) 및 제파민 T-5000 (HUNTSMAN, 상품명) 등의 트리아민을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 병용해도 된다.
중합성 모노머 중의 모노머 (b-1) 의 함유량은 모노머 (A) 및 모노머 (B) 의 총량에 대해 0.5 ∼ 20 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 2 ∼ 8 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지에 의하면, 피착체와의 밀착성이 한층 더 우수한 점착제가 얻어진다.
축합계 수지는 시클로헥산 고리를 갖는다. 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 가짐으로써, 점착제의 흡수율이 저하되어, 고온 환경 하에서의 점착제의 점착력 변화가 한층 더 억제된다.
축합계 수지는 상기 구조 단위 중에 시클로헥산 고리를 갖고 있는 것이 바람직하다. 즉, 상기 (3) 에 있어서의 시클로헥산 고리가 모노머 (A) 및 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위에 함유되어 있는 것이 바람직하고, 바꾸어 말하면, 중합성 모노머가 시클로헥산 고리를 갖는 모노머를 함유하는 것이 바람직하다.
또, 축합계 수지는 상기 구조 단위 중의 모노머 (A) 또는 모노머 (B) 에서 유래하는 구조에 시클로헥산 고리를 갖고 있는 것이 바람직하고, 모노머 (B) 에서 유래하는 구조에 시클로헥산 고리를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 즉, 모노머 (A) 및 모노머 (B) 중 적어도 1 종이 시클로헥산 고리를 갖는 모노머인 것이 바람직하고, 모노머 (B) 중 적어도 1 종이 시클로헥산 고리를 갖는 모노머인 것이 보다 바람직하다.
시클로헥산 고리를 갖는 모노머 (A) (이하, 경우에 의해 「모노머 (a-1)」이라고 한다) 로는, 예를 들어 식 (A-1) 의 R1 이 시클로헥산 고리를 갖는 2 가의 지환기인 화합물, 식 (A-2) 의 R3 이 시클로헥산 고리를 갖는 3 가의 지환기인 화합물, 식 (A-3) 의 R4 가 시클로헥산 고리를 갖는 4 가의 지환기인 화합물을 들 수 있다.
또, 모노머 (a-1) 의 구체예로는, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 4-메틸헥사하이드로프탈산, 3-메틸헥사하이드로프탈산, 3-에틸헥사하이드로프탈산, 4-에틸헥사하이드로프탈산, 메틸노르보르난-2,3-디카르복실산, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복실산, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 데카하이드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 비시클로[2.2.2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산, 비스(엑소비시클로[2.2.1]헵탄-2,3-디카르복실산)술폰, 1,2,4,5-테트라카르복시시클로헥산, 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3,5,6-테트라카르복실산 등을 들 수 있다.
시클로헥산 고리를 갖는 모노머 (B) (이하, 경우에 따라 「모노머 (b-2)」라고 한다) 로는, 예를 들어 식 (B-1) 의 R2 가 시클로헥산 고리를 갖는 2 가의 지환기인 화합물을 들 수 있다.
또, 모노머 (b-2) 의 구체예로는, 예를 들어 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-시클로헥산디아민, (4,4'-디아미노)디시클로헥실메탄, 이소포론디아민, [3,4-비스(1-아미노헵틸)-6-헥실-5-(1-옥테닐)]시클로헥센, 비스아미노메틸노르보르난 등을 들 수 있다.
중합성 모노머 중의 시클로헥산 고리를 갖는 모노머의 함유량은 모노머 (A) 및 모노머 (B) 의 총량에 대해 0.5 ∼ 40 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 20 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 4 ∼ 16 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지에 의하면, 흡수율이 한층 더 억제되어, 고온 환경 하에 있어서의 점착력 변화를 더욱 억제할 수 있다.
25 ℃ 에서 액상 또는 25 ℃ 에서 무수물이 액상인 모노머 (A) 를 모노머 (a-2) 로 하고, 25 ℃ 에서 액상인 모노머 (B) 를 모노머 (b-3) 으로 했을 때, 중합성 모노머 중의 모노머 (a-2) 및 모노머 (b-3) 의 합계 함유량은 모노머 (A) 및 모노머 (B) 의 총량에 대해 15 ∼ 60 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 50 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 25 ∼ 45 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다.
중합성 모노머의 바람직한 조합으로서, 모노머 (A) 가 식 (A-1) 의 R1 이 2 가의 방향 고리기인 화합물, 식 (A-2) 의 R3 이 3 가의 방향 고리기인 화합물 및 식 (A-3) 의 R4 가 4 가의 방향 고리기인 화합물 중 적어도 1 종을 함유하고, 모노머 (B) 가 모노머 (b-1), 모노머 (b-2) 및 모노머 (b-3) 을 함유하는 것이 바람직하다.
또, 중합성 모노머의 바람직한 조합으로서, 모노머 (A) 가 2 가의 방향 고리기인 화합물, 식 (A-2) 의 R3 이 3 가의 방향 고리기인 화합물 및 식 (A-3) 의 R4 가 4 가의 방향 고리기인 화합물 중 적어도 1 종과 모노머 (a-1) 을 함유하고, 모노머 (B) 가 모노머 (b-1) 및 모노머 (b-3) 을 함유하는 것도 바람직하다.
축합계 수지는, 예를 들어, 모노머 (A) 및 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머의 축합 반응에 의해 얻을 수 있다. 또, 모노머 (A) 대신에 모노머 (A) 의 무수물, 모노머 (A) 의 에스테르화물, 모노머 (A) 의 산할로겐화물 등을 사용할 수도 있다. 또, 중합성 모노머는 디이소시아네이트 화합물 등의 다른 모노머를 함유하고 있어도 된다.
중합성 모노머 중의 모노머 (A) 및 모노머 (B) 의 함유량은 중합성 모노머의 총량에 대해 30 ㏖％ 이상인 것이 바람직하고, 50 ㏖％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70 ㏖％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 모노머 (A) 및 모노머 (B) 의 함유량은 100 ㏖％ 이어도 된다.
축합 반응의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 상기 중합성 모노머를 용매에 용해시켜, 반응 온도 0 ∼ 200 ℃, 반응 시간 1 ∼ 5 시간 정도로 반응시키는 방법을 채용할 수 있다.
축합 반응에 사용하는 용매로는, 예를 들어 N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-메틸숙시이미드, 디메틸푸란, 톨루엔, N,N'-디메틸아세트아미드, 헥사메틸렌포스포르아미드, 디메틸술폭사이드 등을 들 수 있다. 이 중에서 수지의 용해성의 관점에서 N-메틸피롤리돈이 바람직하다.
또, 축합 반응에 있어서는, 축합 반응을 촉진시킬 목적으로, 촉매 등의 가속제를 사용할 수 있다. 가속제의 첨가량은 중합성 모노머 10 ㏖ 등량에 대해 0.1 ∼ 50 ㏖ 등량으로 하는 것이 바람직하다. 가속제로는, 예를 들어 염화리튬, 염화칼슘, 로단칼슘 등의 무기염；트리에틸아민, 피리딘 등의 3 급 아민；테트라메틸암모늄클로라이드, 테트라에틸암모늄브로마이드, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드 등의 4 급 암모늄염을 들 수 있다.
축합계 수지는 축합 반응에 의해 얻어진 중합체를 추가로 변성한 것이어도 되고, 예를 들어 올레핀 변성 폴리아미드, 알콕시실란 변성 폴리아미드, 실록산 변성 폴리이미드, 에폭시 변성 폴리아미드, 폴리카보네이트 변성 폴리아미드, 올레핀 변성 폴리이미드, 실록산 변성 폴리이미드, 에폭시 변성 폴리이미드, 폴리카보네이트 변성 폴리이미드, 실록산 변성 폴리이미드, 올레핀 변성 폴리아미드이미드, 알콕시실란 변성 폴리아미드이미드, 실록산 변성 폴리아미드이미드, 에폭시 변성 폴리아미드이미드, 에폭시 변성 폴리아미드이미드, 폴리카보네이트 변성 폴리아미드이미드 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 축합계 수지는, 예를 들어 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 폴리이미드 수지이어도 된다. 이와 같은 축합계 수지는 적어도 상기 (2) 및 (3) 을 만족시킨다.
이 축합계 수지는 폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위와, 시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위를 함유하는 것이면 된다. 즉, 폴리옥시알칸디일기 및 시클로헥산 고리가 각각 축합계 수지의 디아민 단위에 함유되어 있으면 된다.
폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위로는, 예를 들어 폴리알킬렌옥사이드디아민 단위를 들 수 있다. 폴리알킬렌옥사이드디아민 단위로는, 상기 폴리알킬렌옥사이드디아민으로서 예시된 모노머에서 유래하는 모노머 단위를 들 수 있다.
시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위로는, 예를 들어 상기 모노머 (b-2) 에서 유래하는 모노머 단위를 들 수 있고, 당해 모노머 단위로는, 1,3-시클로헥산디아민 단위, 1,4-시클로헥산디아민 단위, (4,4'-디아미노)디시클로헥실메탄 단위, 이소포론디아민 단위, [3,4-비스(1-아미노헵틸)-6-헥실-5-(1-옥테닐)]시클로헥센 단위, 비스아미노메틸노르보르난 단위 등을 들 수 있다.
이 축합계 수지는 2 가의 방향 고리기를 추가로 갖고 있어도 되고, 2 가의 방향 고리기를 갖는 디카르복실산 단위를 함유하고 있어도 된다. 축합계 수지가 2 가의 방향 고리기를 가짐으로써, 점착제의 고온 환경 하에서의 점착력의 변화를 한층 더 억제할 수 있다.
2 가의 방향 고리기를 갖는 디카르복실산 단위로는, 상기 식 (A-1) 의 R1 이 2 가의 방향 고리기인 화합물을 들 수 있다.
축합계 수지는 2 가의 방향 고리기로서 벤젠디일기를 갖고 있어도 되고, 프탈산 단위, 이소프탈산 단위 및 테레프탈산 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하고 있어도 된다. 축합계 수지가 벤젠디일기를 가짐으로써, 점착제의 고온 환경 하에서의 점착력의 변화를 한층 더 억제할 수 있다.
이 축합계 수지는 또한 1,4-피페라진디일기를 추가로 갖고 있어도 되고, 1,4-피페라진디일기를 갖는 디아민 단위를 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 디아민 단위에 의하면, 점착제의 고온 환경 하에서의 점착력의 변화가 한층 더 억제된다.
1,4-피페라진디일기를 갖는 디아민 단위로는, 예를 들어 1,4-비스(ω-아미노알킬)피페라진 단위를 들 수 있다. 1,4-비스(ω-아미노알킬)피페라진 단위에 있어서, ω-아미노알킬기의 탄소수는 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 4 인 것이 보다 바람직하다.
1,4-비스(ω-아미노알킬)피페라진 단위로는, 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 단위 등을 들 수 있다.
축합계 수지에 있어서, 상기 시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위의 함유량 C1 에 대한 폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위의 함유량 C2 의 비 C2/C1 은 몰비로 0.1 ∼ 40 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8 인 것이 보다 바람직하다.
축합계 수지에 있어서의 모노머 (A) 에서 유래하는 구조 단위는 모노머 (A) 단위라고 할 수 있고, 모노머 (B) 에서 유래하는 구조 단위는 모노머 (B) 단위라고 할 수 있고, 축합계 수지는 모노머 (A) 단위 및 모노머 (B) 단위를 함유하는 축합계 수지라고 할 수 있다.
축합계 수지에 있어서의 시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위의 함유량은 모노머 (A) 단위 및 모노머 (B) 단위의 총량 기준으로 0.1 ∼ 40 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 20 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 4 ∼ 16 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 축합계 수지에 의하면, 흡수율이 한층 더 억제되어, 고온 환경 하에 있어서의 점착력 변화를 더욱 억제할 수 있다.
축합계 수지에 있어서의 폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위의 함유량은 모노머 (A) 단위 및 모노머 (B) 단위의 총량 기준으로 0.5 ∼ 20 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 2 ∼ 8 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 축합계 수지에 의하면, 피착체와의 밀착성이 한층 더 우수한 점착제가 얻어진다.
축합계 수지에 있어서의 2 가의 방향 고리기를 갖는 디카르복실산 단위의 함유량은 모노머 (A) 단위 및 모노머 (B) 단위의 총량 기준으로 20 ∼ 50 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 50 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 40 ∼ 50 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다.
축합계 수지에 있어서의 1,4-피페라진디일기를 갖는 디아민 단위의 함유량은 모노머 (A) 단위 및 모노머 (B) 단위의 총량 기준으로 15 ∼ 60 ㏖％ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 50 ㏖％ 인 것이 보다 바람직하고, 25 ∼ 45 ㏖％ 인 것이 더욱 바람직하다.
축합계 수지의 중량 평균 분자량은 20000 ∼ 100000 인 것이 바람직하고, 30000 ∼ 60000 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서 중, 중량 평균 분자량은 GPC 법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 나타낸다.
본 실시형태에 관련된 점착제에 있어서의 축합계 수지의 함유량은 점착제의 전체량 기준으로 50 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 70 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 축합계 수지의 함유량이 상기 범위 내이면, 고내열성을 충분히 유지하면서, 한층 더 높은 점착성을 얻을 수 있다. 또, 축합계 수지의 함유량은 96 질량％ 이하이어도 되고, 90 질량％ 이하이어도 된다. 또, 본 실시형태에 관련된 점착제는 축합계 수지로 이루어지는 것 (즉, 축합계 수지의 함유량이 100 질량％) 이어도 된다. 단, 축합계 수지의 함유량은 용도에 따라 적절히 상기 범위 외로 할 수도 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 점착제는, 고온 환경 하에서의 점착성을 양호하게 유지하는 관점에서, 열경화성 수지의 함유량이 30 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 열경화성 수지를 함유하지 않는 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제에는, 밀착성을 높이기 위해, 발명의 목적을 저해하지 않는 범위 내에서 로진 수지, 테르펜 수지, 쿠마론 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족계 석유 수지, 방향족계 석유 수지, 지방족 방향족 공중합계 석유 수지 등의 점착 부여제 등을 첨가해도 된다.
(점착제의 사용 방법)
본 실시형태에 관련된 점착제는, 고온 환경 하에서도 점착성을 유지할 수 있기 때문에, 하기 (1) ∼ (3) 의 공정을 구비하는 용도에 사용할 수 있다.
(1) 제 1 피착체에 점착제를 함유하는 점착층을 개재하여 제 2 피착체를 첩부하는 첩부 공정.
(2) 점착층의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서 제 1 피착체 및 제 2 피착체를 가열하는 가열 공정.
(3) 가열 공정을 거친 제 1 피착체로부터 점착층 및 제 2 피착체를 박리하는 박리 공정.
첩부 공정에서는, 예를 들어 제 1 피착체의 일면 상에 점착층을 형성하고, 그 점착층의 제 1 피착체와는 반대측의 면 상에 제 2 피착체를 배치하여, 제 1 피착체 및 제 2 피착체를 서로 압착함으로써, 제 1 피착체에 제 2 피착체를 첩부할 수 있다.
또, 제 2 피착체의 일면 상에 점착층을 형성하고, 그 점착층의 제 2 피착체와는 반대측의 면 상에 제 1 피착체를 배치하여, 제 1 피착체 및 제 2 피착체를 서로 압착함으로써, 제 1 피착체에 제 2 피착체를 첩부할 수도 있다.
점착층은, 예를 들어, 점착제 및 용매를 함유하는 점착제 바니시를 조제하고, 당해 점착제 바니시를 도포하여 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 점착제 바니시에 사용되는 용매는 특별히 제한되지 않지만, 점착제가 양호한 용해성을 나타내는 점에서, 글리콜계 용제, 글리콜에테르계 용제, 글리콜에스테르계 용제 등이 바람직하다.
용매로는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, PMA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 및 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 들 수 있다. 상기 이외에도, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-메틸숙시이미드, N,N'-디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드도 사용할 수 있다. 이들 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 혼합시켜 사용해도 된다.
첩부 공정에 있어서의 점착층은, 점착제 바니시를 제 1 피착체 또는 제 2 피착체의 일면 상에 도포하고 건조시킴으로써, 당해 일면 상에 형성된 것이어도 되고, 후술하는 지지체 상에 형성한 점착층을 제 1 피착체 또는 제 2 피착체의 일면 상에 라미네이트하여 전사함으로써 당해 일면 상에 형성된 것이어도 된다.
첩부 공정에서는, 예를 들어 제 1 피착체와 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부할 수 있다.
가열 공정에서는, 제 1 피착체 및 제 2 피착체가 가열된다. 가열 방법 및 가열 목적은 특별히 제한되지 않지만, 당해 가열에 의해 점착층은 200 ℃ 이상의 온도 하에 노출된다. 통상적으로, 내열성이 낮은 점착제 (예를 들어, 아크릴계 점착제) 를 이와 같은 가열 공정에 제공하면, 점착성이 유지되지 않아 플로팅이나 박리가 발생해 버린다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 점착제를 함유하는 점착층에 의하면, 이와 같은 가열 공정을 거쳐도 점착성이 유지되기 때문에, 플로팅이나 박리의 발생을 충분히 억제할 수 있다.
가열 공정에 있어서는, 가열된 제 1 피착체 및 제 2 피착체를 성형 가공해도 된다. 본 실시형태에 관련된 점착제를 함유하는 점착층은 추종성이 우수하기 때문에, 성형 가공에 의해 제 1 피착체 및 제 2 피착체가 변형된 경우라도, 플로팅이나 박리의 발생이 충분히 억제된다.
박리 공정에서는, 제 1 피착체로부터 점착층 및 제 2 피착체를 박리한다. 여기서, 점착층과 제 2 피착체는 일체가 되어 제 1 피착체로부터 박리되어도 되고, 각각 독립적으로 제 1 피착체로부터 박리되어도 된다.
박리 공정에서는, 예를 들어 제 1 피착체로부터, 점착층 및 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리할 수 있다.
박리 공정에서 박리된 점착층은, 상기 가열 공정을 거쳐도 점착성이 유지되고 있기 때문에, 첩부 공정에 재이용할 수 있다.
제 1 피착체 및 제 2 피착체로는 특별히 제한되지 않지만, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 트리아세틸셀룰로오스, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 아크릴, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등에서 선택되는 적어도 1 개의 유기 재료를 포함하는 것을 들 수 있다. 또, 무기 재료를 포함하는 지지체를 사용할 수도 있어, 예를 들어 알루미늄, 마그네슘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 주석, 유리, 구리, 실리콘 웨이퍼 및 합금에서 선택되는 적어도 1 개의 무기 재료를 포함하는 것을 사용할 수 있다.
제 1 피착체 및 제 2 피착체로는, 200 ℃ 이상의 온도에 대한 내열성을 갖는 재료를 사용해도 되고, 예를 들어 나일론 6, 나일론 66, 나일론 46 등의 폴리아미드 수지；폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트, 폴리트리메틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지；폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 수지；아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아릴레이트 수지 또는 그들의 혼합 수지, 알루미늄, 마그네슘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 주석이나 유리, 구리, 실리콘 웨이퍼를 들 수 있다. 이들 재료 중에서는, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 알루미늄, 마그네슘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 주석, 유리, 구리, 실리콘 웨이퍼가 높은 내열성을 나타내는 점에서 바람직하다.
상기 사용 방법에 의하면, 예를 들어 강성이 낮은 제 1 피착체를 고온 가공시에는 제 2 피착체에 확실하게 고정시키고, 가공 후에는 제 1 피착체에 손상을 주거나 변형시키거나 하지 않고 박리할 수 있다.
(점착재)
도 1 은 본 발명의 점착제의 바람직한 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1 에 나타내는 점착제 (1) 는 지지체 (10) 와, 그 지지체 (10) 상에 형성된 점착제를 함유하는 점착층 (14) 을 구비한다.
지지체로는 특별히 제한되지 않지만, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 트리아세틸셀룰로오스, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 아크릴, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등에서 선택되는 적어도 1 개의 유기 재료를 포함하는 것을 들 수 있다. 또, 무기 재료를 포함하는 지지체를 사용할 수도 있어, 예를 들어 알루미늄, 마그네슘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 니켈, 아연, 주석, 유리, 구리, 실리콘 웨이퍼 및 합금에서 선택되는 적어도 1 개의 무기 재료를 포함하는 것을 사용할 수 있다.
점착재는, 예를 들어 점착제 및 용매를 함유하는 점착제 바니시를 지지체 상에 도포하고 건조시킴으로써 점착층을 형성하여 제작할 수 있다. 이와 같은 캐스팅법에 의한 제작 방법은 평탄한 점착층이 용이하게 얻어지는 점에서 바람직하다. 점착제 바니시에 사용되는 용매로는, 상기와 동일한 것을 예시할 수 있다.
또, 점착재는 점착제 및 용매를 함유하는 점착제 바니시를, 이형 필름 상에 도포하고 건조시킴으로써 형성된 점착층을, 지지체에 라미네이트하여 전사시킴으로써 제작할 수도 있다.
점착층의 두께는 0.1 ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 50 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 점착층의 두께는 상기 점착제 바니시에 있어서의 점착제의 농도나 점착제 바니시의 도포량에 의해 적절히 조정할 수 있다.
(점착재의 사용 방법)
본 실시형태에 관련된 점착제는, 고온 환경 하에서도 점착성을 유지할 수 있기 때문에, 하기 (1) ∼ (3) 의 공정을 구비하는 용도에 사용할 수 있다.
(1) 피착체에 점착재를 점착층이 피착체에 가까운 쪽에 배치되도록 첩부하는 첩부 공정.
(2) 점착재의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서 피착체를 가열하는 가열 공정.
(3) 가열 공정을 거친 피착체로부터 점착재를 박리하는 박리 공정.
첩부 공정에서는, 점착재의 점착층과 피착체가 접하도록 하여 가압함으로써, 점착재를 피착체에 첩부할 수 있다. 첩부 공정에서는, 제 1 피착체와 제 2 피착체를 임의의 온도에서 첩부할 수 있는데, 예를 들어 적절한 점착성의 발현과 작업 효율의 관점에서 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부하는 것이 바람직하다.
가열 공정에서는, 피착체가 가열되고, 그와 함께 점착층이 200 ℃ 이상의 온도 하에 노출된다. 통상적으로, 내열성이 낮은 점착제 (예를 들어, 아크릴계 점착제) 를 이와 같은 가열 공정에 제공하면, 점착성이 유지되지 않아 플로팅이나 박리가 발생해 버린다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 점착재에 의하면, 이와 같은 가열 공정을 거쳐도 점착성이 유지되기 때문에, 플로팅이나 박리의 발생을 충분히 억제할 수 있다.
가열 공정에 있어서는, 가열된 피착체를 성형 가공해도 된다. 본 실시형태에 관련된 점착제를 함유하는 점착층은 추종성이 우수하기 때문에, 성형 가공에 의해 피착체가 변형된 경우라도, 플로팅이나 박리의 발생이 충분히 억제된다.
박리 공정에서는, 피착체로부터 점착재를 박리한다. 박리 공정에서는, 예를 들어 피착체로부터 점착재를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리할 수 있다.
박리 공정에서 박리된 점착재는, 상기 가열 공정을 거쳐도 점착성이 유지되고 있기 때문에, 첩부 공정에 재이용할 수 있다.
본 사용 방법에 있어서의 피착체로는, 상기 제 1 피착체 및 제 2 피착체와 동일한 것을 예시할 수 있다.
상기 사용 방법에 의하면, 예를 들어 강성이 낮은 피착체를, 고온 가공시에는 지지체에 확실하게 고정시키고, 가공 후에는 피착체에 손상을 주거나 변형시키거나 하지 않고 박리할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 본 발명의 일 양태는 상기 모노머 (A) 및 상기 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖고, 상기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 상기 (3) 을 만족시키는 축합계 수지의 점착제로서의 사용에 관한 것이다.
또, 본 발명의 다른 양태는 상기 모노머 (A) 및 상기 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖고, 상기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 상기 (3) 을 만족시키는 축합계 수지의, 점착제의 제조를 위한 사용에 관한 것이다.
또, 본 발명의 다른 양태는 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 축합계 수지로서, 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는 축합계 수지의 점착제로서의 사용에 관한 것이다.
또, 본 발명의 다른 양태는 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 축합계 수지로서, 시클로헥산 고리 및 폴리옥시알칸디일기를 갖는 축합계 수지의, 점착제의 제조를 위한 사용에 관한 것이다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 질소 도입관을 구비한 세퍼러블 플라스크에, 이염화이소프탈로일 43.75 부 (몰비), 이염화테레프탈로일 6.25 부 (몰비), 폴리프로필렌옥사이드디아민 (JEFFAMINE (등록 상표) D-2000, HUNTSMAN 사 제조) 5 부 (몰비), 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 2.5 부 (몰비) 및 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 42.5 부 (몰비) 를, 산 중화제로서 트리에틸아민 110 부 (몰비) 를 함유하는 N-메틸피롤리돈 중, 빙랭 하에서 축합 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 혼합액에 3 배량의 물을 첨가하여 불용 성분을 분리, 건조시킴으로써 폴리아미드 수지를 얻었다.
이어서, 얻어진 점착제 바니시를, 두께 25 ㎛, 폭 20 ㎝ 의 폴리이미드 필름에, 건조 후의 점착층의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 어플리케이터를 사용하여 도포하고, 130 ℃ 에서 5 분, 이어서 150 ℃ 에서 30 분 가열하여 건조시켜 점착재를 제작하였다.
(실시예 2)
축합 반응에 있어서, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 5 부 (몰비) 및 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 40 부 (몰비) 로 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 폴리아미드 수지, 점착제 바니시 및 점착재를 제작하였다.
(실시예 3)
축합 반응에 있어서, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 10 부 (몰비) 및 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 35 부 (몰비) 로 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 폴리아미드 수지, 점착제 바니시 및 점착재를 제작하였다.
(실시예 4)
축합 반응에 있어서, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 5 부 (몰비) 및 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 35 부 (몰비), 노르보르난디아민 (NBDA, 미츠이 화학 파인사 제조) 5 부로 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 폴리아미드 수지, 점착제 바니시 및 점착재를 제작하였다.
(비교예 1)
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 질소 도입관을 구비한 세퍼러블 플라스크에, 이염화이소프탈로일 43.75 부 (몰비), 이염화테레프탈로일 6.25 부 (몰비), 폴리프로필렌옥사이드디아민 (JEFFAMINE (등록 상표) D-2000, HUNTSMAN 사 제조) 5 부 (몰비) 및 1,4-비스(3-아미노프로필)피페라진 45 부 (몰비) 를, 산 중화제로서 트리에틸아민 110 부 (몰비) 를 함유하는 N-메틸피롤리돈 중, 빙랭 하에서 축합 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 혼합액에 3 배량의 물을 첨가하여 불용 성분을 분리, 건조시킴으로써 폴리아미드 수지를 얻었다.
(비교예 2)
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 질소 도입관을 구비한 세퍼러블 플라스크에, 이염화이소프탈로일 43.75 부 (몰비), 이염화테레프탈로일 6.25 부 (몰비), 폴리프로필렌옥사이드디아민 (JEFFAMINE (등록 상표) D-2000, HUNTSMAN 사 제조) 5 부 (몰비) 및 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 45 부 (몰비) 를, 산 중화제로서 트리에틸아민 110 부 (몰비) 를 함유하는 N-메틸피롤리돈 중, 빙랭 하에서 축합 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 혼합액에 3 배량의 물을 첨가하여 불용 성분을 분리, 건조시킴으로써 폴리아미드 수지를 얻었다.
실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1, 2 에서 얻어진 각 폴리아미드 수지에 대하여, 이하의 방법으로 중량 평균 분자량을 구하였다. 또, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 4 에서 얻어진 각 점착재에 대하여, 이하의 방법으로 점착성, 박리 잔여성 및 내열성을 평가하였다. 또한, 이하의 방법으로 흡습성을 평가하였다. 결과는 표 1 에 나타내는 바와 같았다.
(점착성의 평가)
점착재를, 두께 70 ㎛ 의 10 ㎝×10 ㎝ 유리판 상에 배치하고, 17 ∼ 25 ℃ 의 조건 하에서, 롤압 0.3 ㎫ 의 라미네이터를 0.8 m/분의 속도로 통과시킴으로써 첩부하였다. 첩부된 점착재의 폴리이미드 필름의 단부를 약간 벗겨 파지하고, 레오미터 RE3305R (야마덴 제조) 인장 시험기를 사용하여, 폭 10 ㎜ 를 90 도, 인장 속도 300 ㎜/min 으로 폴리이미드 필름을 떼어내는 데에 필요로 하는 최소의 힘 (N/㎝) 을 측정하였다.
(박리 잔여성의 평가)
점착재의 중량을 측정하고, 미리 측정한 폴리이미드 필름의 중량을 뺌으로써, 점착재의 점착층의 중량을 산출하였다. 이어서, 점착성의 평가와 동일하게 하여, 점착재의 유리판에 대한 첩부 및 점착재의 박리를 실시하였다. 박리된 점착재의 중량을 측정하고, 미리 측정한 폴리이미드 필름의 중량을 뺌으로써, 박리 후의 점착재의 점착층의 중량을 산출하였다. 이 때, 첩부 전의 점착층의 중량에 대한, 박리 후의 점착층의 중량의 비율이 90 ％ 이상인 경우를 「A」, 90 ％ 미만인 경우를 「B」로 하여 박리 잔여성의 유무를 평가하였다.
(내열성의 평가)
점착성의 평가와 동일하게 하여, 점착재의 유리판에 대한 첩부를 실시하였다. 점착재를 첩부한 유리판을 200 ℃ 의 클린 오븐 중에서 1 시간 가열하고, 점착재의 유리판으로부터의 박리 유무를 육안으로 확인하였다. 박리되지 않은 경우를 「A」, 박리된 경우를 「B」로 하여 내열성을 평가하였다.
(흡습성의 평가)
실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1, 2 에서 얻어진 각 폴리아미드 수지에 대하여, 약 10 ㎎ 를 칭량하여 넣고, 열중량 감소량을 시차열 열중량 동시 측정 장치 TAPS3000S (브루커ㆍ에이엑스에스사 제조) 로 10 ℃/분의 승온 속도로 측정하였다. 흡수율은 50 과 100 ℃ 의 사이의 열중량 감소량으로부터 산출하였다.
흡수율 (％) 중량 평균
분자량		 점착성 (N/㎝) 박리 잔여성 내열성
실시예 1 2.04 46000 0.48 A A
실시예 2 1.77 44000 0.22 A A
실시예 3 1.73 45000 0.20 A A
실시예 4 1.80 43000 0.22 A A
비교예 1 2.64 52500 0.70 A A
비교예 2 1.00 35000 실온에서
첩부되지 않음		 - -

Claims (29)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 폴리아미드 수지를 함유하고,
    상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이고,
    상기 폴리아미드 수지가 시클로헥산 고리, 폴리옥시알칸디일기 및 1,4-피페라진디일기를 갖고, 프탈산 단위, 이소프탈산 단위 및 테레프탈산 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 점착제.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 폴리아미드 수지가 시클로헥산 고리를 갖는 디아민 단위와, 폴리옥시알칸디일기를 갖는 디아민 단위를 함유하는 점착제.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 폴리아미드 수지가 1,4-피페라진디일기를 갖는 디아민 단위를 함유하는 점착제.
  10. 제 5 항에 있어서,
    피착체에 첩부되고, 200 ℃ 이상으로 가열된 후에 그 피착체로부터 박리되는 내열성 점착제로서 사용되는 점착제.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 폴리아미드 수지의 함유량이 50 질량％ 이상인 점착제.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 폴리아미드 수지로 이루어지는 점착제인 점착제.
  13. 지지체와, 그 지지체 상에 형성된 제 5 항에 기재된 점착제를 함유하는 점착층을 구비하는 점착재.
  14. 제 1 피착체에, 제 5 항에 기재된 점착제를 함유하는 점착층을 개재하여, 제 2 피착체를 첩부하는 첩부 공정과,
    상기 점착층의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서, 상기 제 1 피착체 및 상기 제 2 피착체를 가열하는 가열 공정과,
    상기 가열 공정을 거친 상기 제 1 피착체로부터 상기 점착층 및 상기 제 2 피착체를 박리하는 박리 공정을 구비하는 점착제의 사용 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 첩부 공정에 있어서, 상기 제 1 피착체와 상기 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부하는 사용 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 박리 공정에 있어서, 상기 제 1 피착체로부터, 상기 점착층 및 상기 제 2 피착체를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리하는 사용 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 박리 공정에서 박리된 상기 점착층을 상기 첩부 공정에 재이용하는 사용 방법.
  18. 피착체에, 제 13 항에 기재된 점착재를 상기 점착층이 상기 피착체에 가까운 쪽에 배치되도록 첩부하는 첩부 공정과,
    상기 점착재의 온도가 200 ℃ 이상이 되는 조건 하에서 상기 피착체를 가열하는 가열 공정과,
    상기 가열 공정을 거친 상기 피착체로부터 상기 점착재를 박리하는 박리 공정을 구비하는 점착재의 사용 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 첩부 공정에 있어서, 상기 점착재를 상기 피착체에 0 ∼ 50 ℃ 에서 첩부하는 사용 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 박리 공정에 있어서, 상기 피착체로부터 상기 점착재를 0 ∼ 50 ℃ 에서 박리하는 사용 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 박리 공정에서 박리된 상기 점착재를 상기 첩부 공정에 재이용하는 사용 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
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