KR101578996B1 - Ｘ선 마스크 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일체로 성형되고, 적어도 하나의 박형부(thinned portion)를 구비하며, 상기 적어도 하나의 박형부가 하나의 벽부에 의해 둘러싸이는 지지기판; 상기 지지기판의 적어도 하나의 박형부 상에 설치되고, 상기 적어도 하나의 박형부와 함께 적층막(laminated membrane)을 형성하는 최상층(top layer); 및 상기 적어도 하나의 박형부의 상방의 상기 최상층 상에 설치되는 복수개의 X선 흡수 패턴을 포함하며, 상기 적어도 하나의 박형부 및 상기 벽부는 상기 최상층을 기계적으로 지지하고, 상기 적층막은 복수개의 X선 흡수 패턴을 기계적으로 지지하는 X선 마스크 구조에 관한 것이다.

Description

Ｘ선 마스크 구조 및 그 제조방법{X-RAY MASK STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
본 발명은 X선 마스크 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 고 정밀도, 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 기술자들은 미크론/나노미터 어셈블리의 패턴을 형성하기 위하여, 광빔, 전자빔 및 X선을 사용하는 각종 리소그래피 기술을 발전시켰다. 그 중, X선 리소그래피 기술은 비교적 미세한 고 종횡비를 가지는 구조를 제공할 수 있어 많은 관심을 받고 있다. X선 리소그래피 기술 중의 하나의 관건적인 어셈블리는 마스크인 바, X선에 대해 투명한 지지기판 및 그 상방에 형성되는 X선 흡수패턴을 포함한다. 일반적으로, 마스크를 제조하는 지지기판의 각종 재료는 노광비율을 증가하기 위하여 반드시 X선에 대하여 상대적으로 투명해야 한다.
전술한 선행기술의 설명은 단지 배경기술을 제공하는 것이고, 전술한 선행기술의 설명이 본 발명을 공개한다는 것을 승인하지 않으며, 본 발명의 선행기술이 될 수 없으며, 전술한 선행기술의 어떠한 설명도 본 발명의 임의의 부분으로 보아서는 안될 것이다.
본 발명은 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 X선 마스크 구조의 제조방법의 실시예는 최상면 및 최저면을 구비하는 지지기판을 마련하는 단계; 상기 최상면에 최상층을 형성하고 상기 최저면에 최저층을 형성하며, 상기 최저층에는 개구를 설치하는 단계; 상기 지지기판에 적어도 하나의 박형부를 형성하도록 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 X선 마스크 구조의 실시예는 일체로 성형되고 적어도 하나의 박형부를 구비하며, 상기 적어도 하나의 박형부가 벽부에 의해 둘러싸이는 지지기판; 상기 지지기판의 적어도 하나의 박형부 상에 설치되고, 상기 적어도 하나의 박형부와 함께 적층막을 형성하는 최상층; 및 상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 설치되는 복수개의 X선 흡수 패턴을 포함하며, 상기 적어도 하나의 박형부 및 상기 벽부는 상기 최상층을 기계적으로 지지하고, 상기 적층막은 복수개의 X선 흡수 패턴을 기계적으로 지지한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 적어도 하나의 박형부 및 상기 벽부는 상기 최상층을 기계적으로 지지하는 일체로 형성된 지지기판을 구성하는데, 상대적으로, 상기 최상층 하방에 적어도 하나의 박형부가 없을 경우, 상기 벽부만으로는 상기 최상층을 충분하게 기계적으로 지지할 수 없다. 따라서, 상기 적어도 하나의 박형부가 없이 상기 벽부만으로 상기 최상층을 지지할 경우, 잔여응력 및 성장흠결로 인해 아주 취약할 수 있다. 다시 말하면, 본 발명에 따른 X선 마스크 구조는 상기 적어도 하나의 박형부 및 벽부로 이루어지고 일체로 성형된 지지기판을 사용하였기 때문에 고 정밀도 및 고 강성을 구비한다.
본 발명에 따른 실시예에서, 일체로 성형된 지지기판의 박형부는 상당히 안정적인 기계적 성질을 제공할 수 있고, 상기 최상층은 우월한 내화학성 및 강화된 기계적 성질을 제공할 수 있다. 실제상에서, 단층의 박막과 비교했을 때, 상기 최상층 및 상기 적어도 하나의 박형부로 형성된 적층막의 수율 및 강성은 적어도 하나의 오더(order)로 제고될 수 있다. 이 밖에, 본 발명에 따른 X선 마스크 구조는 상기 적층막에 의하여 기계적 지지를 제고하고, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴이 비교적 큰 두께를 가지도록 허용하여, X선 리소그래피 시스템의 전이패턴의 정밀도를 진일보 증가하였다.
앞에서는 이미 본 발명의 기술적 특징 및 이점에 대하여 상당히 광범위하게 개괄하여, 이하의 본 발명의 상세한 설명으로 하여금 더욱 좋은 이해가 있도록 한다. 본 발명에 따른 특허청구범위를 구성하는 기타 기술적 특징 및 우점은 하기에서 설명된다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 이하에서 공개된 개념과 특정된 실시예를 이용하여 기타 구조 또는 제조방법을 보정하거나 설계하여 본 발명과 동일한 목적을 실현할 수 있다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 이런 등가적인 구성은 첨부되는 특허청구범위에 의해 한정된 본 발명의 사상과 범위를 벗어날 수 없다는 것을 이해해야 할 것이다.
앞의 설명 및 이하의 도면을 참조하여, 본 발명의 기술적 특징 및 이점에 대하여 완전히 이해하도록 한다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른, 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조의 제조방법을 예시적으로 나타내는 흐름도이다.
도2 내지 도9는 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조를 제조하기 위한 본 발명에 따른 실시예의 제조과정을 예시적으로 나타내는 단면도이다.
도10은 본 발명의 실시예에 따른 X선 마스크 구조를 예시적으로 나타내는 단면도이다.
본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 완전히 이해하도록 하기 위하여, 이하의 설명에서 단계 및 구조에 대하여 상세하게 설명한다. 알다시피, 본 발명의 실현은 관련 분야의 통상의 지식을 가진 자가 숙지하고 있는 특수 세부사항에 의하여 한정되는 것이 아니다. 한편, 본 발명에 대하여 불필요한 한정을 조성하는 것을 피면하기 위하여 공지된 구조 또는 단계에 대하여는 상세히 설명하지 않는다. 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하면 하기와 같다. 그러나 이런 상세한 설명 외에도 본 발명은 기타 실시예에서 광범위하게 실시될 수 있고, 본 발명의 범위는 이에 의하여 한정되지 않으며 이하에 기재되는 특허청구범위를 기준으로 해야 할 것이다.
이하, 첨부되는 도면 및 세부사항에 대한 진술을 통하여 본 발명에 따른 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 명세서에서 제시된 “실시예”,“이 실시예”, “기타 실시예” 등은 본 발명의 상기 실시예에 따른 관련된 특수한 특성, 구조 또는 특징을 가리킨다. 명세서 각 부분에서 나타나는 “이 실시예에서”라는 어구는 모두 필연적으로 동일한 실시예를 가리키는 것은 아니다.
본 발명은 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이하, 본 발명의 실시단계 및 구조에 대하여 상세히 설명하여 본 발명을 보다 완전하게 이해할 수 있도록 한다. 이 밖에, 본 발명에 대하여 불필요한 한정을 조성하는 것을 피하기 위하여 공지된 구조 또는 단계에 대하여는 상세히 설명하지 않는다. 이하, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하지만 본 발명은 이런 상세한 설명 외에도 기타 실시예에서 광범위하게 실시될 수 있다. 본 발명의 범위는 하기의 기재에 의하여 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위에 의하여 정의되어야 할 것이다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른, 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조의 제조방법(100)을 예시적으로 나타내는 흐름도이다. 상기 제조방법(100)은 최상면 및 최저면을 구비하는 지지기판을 마련하는 단계(101)로부터 시작한다. 상기 지지기판의 재료는 실리콘, 유리, 석영 또는 이들의 조합을 포함하지만 본 발명은 상기 재료에 의하여 한정되지 않는다.
단계(103)에서는 증착과정을 진행하여 상기 최상면에 최상층을 형성하고 상기 최저면에 최저층을 형성하며 상기 최저층에 개구를 설치한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 화학적 기상증착 과정은 상기 최상층 및 상기 최저층을 형성하기 위한 것이고, 리소그래피 및 식각과정은 상기 최저층의 개구를 형성하기 위한 것이다. 상기 최상층 및 상기 최저층의 재료는 바륨, 티타늄, 실리콘, 흑연, 질화물, 산화물 또는 탄화물을 포함하지만 본 발명은 상기 재료에 의하여 한정되지 않는다.
단계(105)에서는 상기 최저층의 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여 상기 지지기판에 적어도 하나의 박형부를 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 상기 개구를 구비하는 상기 최저층은 식각과정에서 식각 마스크로 쓰이는 바, 이는 상기 지지판의 적어도 하나의 박형부를 형성하기 위한 것이다. 여기서 식각과정은 화학적 식각, 플라스마 식각, 레이저 어블레이션, 기계적 가공 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명에 따른 실시예에서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여 적층막을 형성하는 바, 이 적층막은 상기 최상층 및 상기 적어도 하나의 박형부를 포함하고, 여기서 상기 적어도 하나의 박형부의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛ 사이이고, 상기 최상층의 두께는 10nm 내지 10㎛ 사이이다.
본 발명에 따른 실시예에서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여 상기 지지기판의 상기 최저면에 적어도 하나의 오목부를 형성하고, 상기 적어도 하나의 오목부는 상기 지지기판의 하나의 벽부에 의해 둘러싸인다. 여기서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여 상기 적어도 하나의 오목부를 형성하는데, 이 오목부는 상기 지지기판을 관통하지 않는다. 본 발명에 따른 실시예에서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여 상기 적어도 하나의 박형부를 형성하는데 이 박형부는 상기 지지기판의 상기 벽부에 의해 둘러싸인다.
단계(107)에서는 상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계는 전기도금, 기계적 가공, 증착, 레이저 어블레이션, 인쇄 또는 입자 빔 가공을 진행하는 것을 포함한다. 상기 복수개의 X선 흡수 패턴의 재료는 금, 백금, 텅스텐, 하프늄, 납, 탄탈 또는 이들의 조합을 포함하지만 본 발명은 상기 재료에 의하여 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 실시예에서, 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계는 상기 최상층 상에 시드층을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 박형부 상방에 복수개 설치되는 홀을 구비하는 광 차페층을 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 복수개의 홀 중에 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
도2 내지 도9는, 고 정밀도 및 고 강성을 구비하는 X선 마스크 구조(10)를 제조하기 위한 본 발명에 따른 실시예의 제조과정을 예시적으로 나타내는 단면도이다. 이하의 제조과정은 제조방법(100)의 실시예를 대표한다.
도2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예에서, 지지기판(실리콘 기판)(11)은 그 최상면(13B) 및 최저면(13A)을 연마하고, 최상면(13B) 및 최저면(13A)에서 세척과정을 진행한다. 이후, 증착과정(예컨대 화학기상 증착과정)을 진행하여 각각 최상면(13B)에는 최상층(15B)을 형성하고, 최저면(13A)에는 최저층(15A)을 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 최상층(15B) 및 최저층(15A)은 질화규소로 구성되고, 약 0.5㎛ 두께를 가지며, 지지기판(11)의 좌측 및 우측은 질화규소로 피복될 수 있다.
도3을 참조하면, 스핀코팅과정 및 리소그래피과정을 진행하여 최저층(15A)에 패턴화 광 차페층(17)을 형성하고; 그 후, 식각과정을 진행하여 패턴화 광 차페층(17)에 의해 피복되지 않은 최저층(15A)을 국부적으로 제거하여 최저층(15A)에 하나의 개구(19)를 형성한 후, 패턴화 광 차페층(17)을 제거한다. 도4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예에서, 도3 및 도4의 식각과정은 건식 식각과정(예컨대 플라스마 식각과정)이고, 최저층(15A)의 개구(19)는 지지기판(11)의 중앙부를 노출시킨다.
도5를 참조하면, 또 다른 식각과정을 진행하여 최저층(15A)의 개구(19)가 노출된 지지기판(11)을 국부적으로 제거하여 지지기판(11)의 최저부에 적어도 하나의 오목부(23)를 형성하는데 여기서 오목부(23)는 지지기판(11)의 하나의 벽부(25)에 의해 둘러싸인다. 본 발명에 따른 실시예에서, 도5의 식각과정은 수산화칼륨용액(1M, 60℃)를 사용하는 비등방성 식각과정이고, 최저층(15A)은 습식 식각과정의 식각마스크로 쓰인다. 식각액은 교반해야 하고, 식각속도는 신중하게 조절/모니터링하여 적어도 하나의 박형부(21)를 형성하며, 박형부(21)의 두께는 벽부(25)의 두께보다 작다.
본 발명에 따른 실시예에서, 지지기판(11)을 국부적으로 제거하여 형성한 오목부(23)는 지지기판(11)을 관통하지 않고, 이를 통하여 지지기판(11)의 벽부(25)에 의해 둘러싸인 박형부(21)를 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 지지기판(11)을 국부적으로 제거하여 최상층(15B) 및 박형부(21)를 포함하는 적층막(27)을 형성하는데, 여기서 박형부의 두께는 약 3.0㎛고, 최상층(15B)의 두께는 약 0.5㎛이다.
도6을 참조하면, 세척 및 건조과정을 진행한 후, 증착과정(예컨대 스퍼터링 과정)을 통하여 최상층(15B)에 시드층(29)을 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 시드층(29)은 금층이고, 두께는 약 50nm이다.
도7을 참조하면, 스핀코팅과정 및 이소그래피과정을 진행하여 최상층(15B)에 패턴화 광 차페층(31)을 형성하는데, 여기서 패턴화 광 차페층(31)은 박형부(21)의 상방에 설치된 복수개의 홀(33)을 구비한다.
도8을 참조하면, 전기도금과정을 진행하여 박형부(21)의 상방의 홀(33)에 복수개의 X선 흡수 패턴(35)을 형성한다. 이후, 도9에 도시된 바와 같이 패턴화 광 차페층(31)은 선택적으로 제거가능하다. 본 발명에 따른 실시예에서, X선 흡수 패턴(35)에 의해 피복되지 않은 시드층(29)도 선택적으로 국부적인 제거가 가능하여 X선의 관통을 증가함으로써 높은 노출비율을 제공한다.
본 발명에 따른 실시예에서, X선 흡수 패턴(35)의 두께는 약 4.0㎛ 내지 20.0㎛ 사이이다. X선 흡수 패턴(35)의 재료는 금, 백금, 텅스텐, 하프늄, 납, 탄탈 또는 이들의 조합을 포함하지만 본 발명은 상기 재료에 의하여 한정되지 않는다.
도10은 본 발명의 실시예에 따른 X선 마스크 구조(60)를 예시적으로 나타내는 단면도이다. 본 발명에 따른 실시예에서, 최저층(15A)은 복수개의 개구(19)를 형성할 수 있지만, 도4에 도시된 식각과정은 복수개의 개구(19)로부터 지지기판의 복수개의 영역을 국부적으로 제거하여 지지기판(11)의 최저부에 복수개의 박형부(21) 및 복수개의 오목부(23)를 형성할 수 있다. 이후, 도5 내지 도9에 도시된 제조과정을 진행하여 다수 조의 X선 흡수 패턴(35)을 각각 복수개의 박형부(21)의 상방에 형성한다. 본 발명에 따른 실시예에서, 어느 한 조의 X선 흡수 패턴(35)의 배치는 다른 조의 X선 흡수 패턴(35)의 배치와 다를 수 있다.
본 발명에 따른 실시예에서, 박형부(21) 및 벽부(25)는 일체로 성형된 지지기판(11)을 구성하는데, 이는 최상층(15B)을 기계적으로 지지할 수 있다. 상대적으로, 오목부(23)를 형성하는 식각과정(도5)에서 지지기판(11)을 관통할 경우, 즉 최상층(15B)의 하방에 박형부(21)가 없이 단지 벽부(25)만으로는 최상층(15B)을 충분히 기계적으로 지지할 수 없다. 따라서, 박형부(21)가 없이 벽부(25)만으로 상기 최상층(15B)을 지지할 경우, 잔여응력 및 성장흠결로 인해 아주 취약할 수 있다. 다시 말하면, 도9의 X선 마스크 구조(10) 또는 도10의 X선 마스크 구조(60)는 박형부(21) 및 벽부(25)로 구성되고 일체로 성형된 지지기판(11)을 사용하였기 때문에 고 정밀도 및 고 강성을 구비한다.
본 발명에 따른 실시예에서, 일체로 성형된 지지기판(11)의 박형부(21) 및 최상층(15B)으로 이루어진 적층막(27)은 복수개의 X선 흡수 패턴(35)에 상당히 안정적인 기계적 성질을 제공할 수 있다. 이 밖에, 일체로 성형된 지지기판(11)의 박형부(21)는 상당히 안정적인 기계적 성질을 제공할 수 있고, 질화규소로 이루어진 최상층(15B)은 우월한 내화학성 및 강화된 기계적 성질을 제공할 수 있다. 실제상에서, 질화규소로 이루어진 단층 박막(도5의 오목부(23)를 형성하는 식각과정에서 지지기판(11)을 관통할 경우, 즉 최상층(15B)의 하방에 박형부(21)가 없으면)과 비교했을 때, 최상층(15B) 및 박형부(21)로 형성된 적층막(27)의 수율 및 강성은 적어도 하나의 오더로 제고될 수 있다.
X선 리소그래피 시스템은 고 에너지의 동기화 X선을 광원으로 사용하기에 그 전이 패턴의 정밀도는 주요하게 마스크의 질량에 의해 결정된다. 거의 모든 물질은 모두 X선을 흡수하기 때문에 마스크 필름은 될수록 경원자재료(질화규소, 탄화규소, 베릴륨 등)를 선택하여 두께를 감소하도록 하고, X선 흡수 패턴은 될수록 중원자재료(금, 텅스텐, 백금 등)를 선택하여 두께를 증가하도록 하여 높은 노광비율을 제공한다. 본 발명에 따른 X선 마스크 구조(10)는 적층막(27)에 의하여 기계적 지지를 제고하고, 복수개의 X선 흡수 패턴(35)이 비교적 큰 두께를 가지도록 허용하여 X선 리소그래피 시스템의 전이패턴의 정밀도를 진일보 증가하였다. 본 발명의 기술적 내용 및 기술적 특징은 상기와 같이 공개하였지만 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 뒤에 첨부되는 특허청구범위가 한정한 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 정황하에서 본 발명의 시사 및 공개에 의하여 다양한 교체 및 수식을 진행할 수 있음을 이해해야 할 것이다. 예를 들면, 위에서 공개한 많은 제조과정은 상이한 방법으로 실시되거나 기타 제조방법으로 치환되거나 상기 두가지 방법의 조합을 사용할 수 있다.
이 밖에, 본 발명의 청구범위는 위에서 공개된 특정된 실시예의 제조과정, 기계, 제조, 물질의 성분, 장치, 방법 또는 단계에 의하여 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 시사 및 공개한 제조과정, 기계, 제조, 물질의 성분, 장치, 방법 또는 단계에 의하여 현존하는 것이든 추후 개발자가 본 발명의 실시예 공개자와 실질적으로 동일한 방식으로 실질적으로 동일한 기능을 실행하여 실질적으로 동일한 결과에 도달하는 것은 모두 본 발명을 사용한 것으로 보아야 할 것이다. 따라서, 하기의 특허청구범위는 이러한 제조과정, 기계, 제조, 물질의 성분, 장치, 방법 또는 단계를 포함하기 위한 것이다.
10 X선 마스크 구조 11 지지기판 13A 최저면
13B 최상면 15A 최저층 15B 최상층
17 패턴화 광 차페층 19 개구 21 박형부
23 오목부 25 벽부 27 적층막
29 시드층 31 패턴화 광 차페층
33 홀 35 X선 흡수 패턴
60 X선 마스크 구조 100 제조방법
101, 103, 105, 107 단계

Claims (27)

  1. 최상면 및 최저면을 구비하는 지지기판을 마련하는 단계;
    상기 최상면에 최상층을 형성하고 상기 최저면에 최저층을 형성하며, 상기 최저층에는 개구를 설치하는 단계;
    상기 지지기판에 적어도 하나의 박형부(thinned portion)를 형성하도록 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하여, 박형부(thinned portion)가 불순물이 도핑되지 않은 같은 물질로 이루어진 벽부에 의해 둘러싸인 구조를 갖도록 하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 상기 최상층 및 상기 적어도 하나의 박형부를 포함하는 적층막을 형성하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 상기 지지기판의 상기 최저면에 적어도 하나의 오목부를 형성하고, 상기 적어도 하나의 오목부는 상기 지지기판의 벽부에 의해 둘러싸이는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 상기 지지기판을 관통하지 않는 상기 적어도 하나의 오목부를 형성하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 상기 지지기판의 상기 벽부에 의해 둘러싸이는 상기 적어도 하나의 박형부를 형성하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계는 화학적 식각, 플라스마 식각, 레이저 어블레이션(Laser ablation), 기계적 가공 또는 이들의 조합을 진행하는 것을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지기판은 실리콘, 유리, 석영 또는 이들의 조합을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 최상층은 바륨, 티타늄, 실리콘, 흑연, 질화물, 산화물 또는 탄화물을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 박형부의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛ 사이인 X선 마스크 구조의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 최상층의 두께는 10nm 내지 10㎛ 사이인 X선 마스크 구조의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴은 금, 백금, 텅스텐, 하프늄, 납, 탄탈 또는 이들의 조합을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계는 전기도금, 기계적 가공, 증착, 레이저 어블레이션, 인쇄 또는 입자 빔 가공을 진행하는 것을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계는 상기 최상층에 시드층을 형성하는 것을 포함하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴을 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 박형부 상방에 설치되는 복수개의 홀을 구비하는 광 차페층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴은 상기 복수개의 홀 중에 형성되는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 복수개의 박형부를 형성하는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 개구가 노출된 상기 지지기판을 국부적으로 제거하는 단계에서, 상기 지지기판의 상기 최저면에 복수개의 오목부를 형성하고, 상기 복수개의 오목부는 상기 지지기판의 벽부에 의해 둘러싸이는 X선 마스크 구조의 제조방법.
  17. 일체로 성형되고 적어도 하나의 박형부를 구비하며, 상기 적어도 하나의 박형부가 벽부에 의해 둘러싸이고, 벽부와 박형부는 불순물이 도핑되지 않은 같은 물질로 이루어지는 지지기판;
    상기 지지기판의 상기 적어도 하나의 박형부 상에 설치되고, 상기 적어도 하나의 박형부와 함께 적층막을 형성하는 최상층; 및
    상기 적어도 하나의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 설치되는 복수개의 X선 흡수 패턴을 포함하며,
    상기 적어도 하나의 박형부 및 상기 벽부는 상기 최상층을 기계적으로 지지하고, 상기 적층막은 상기 복수개의 X선 흡수 패턴을 기계적으로 지지하는 X선 마스크 구조.
  18. 제17항에 있어서, 상기 지지기판은 상기 지지기판을 관통하지 않는 적어도 하나의 오목부를 구비하고, 상기 적어도 하나의 오목부는 상기 지지기판의 벽부에 의해 둘러싸이는 X선 마스크 구조.
  19. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 박형부의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛ 사이인 X선 마스크 구조.
  20. 제17항에 있어서, 상기 최상층의 두께는 10nm 내지 10㎛ 사이인 X선 마스크 구조.
  21. 제17항에 있어서, 상기 지지기판은 실리콘, 유리, 석영 또는 그 조합을 포함하는 X선 마스크 구조.
  22. 제17항에 있어서, 상기 최상층은 바륨, 티타늄, 실리콘, 흑연, 질화물, 산화물 또는 탄화물을 포함하는 X선 마스크 구조.
  23. 제17항에 있어서, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴은 금, 백금, 텅스텐, 하프늄, 납, 탄탈 또는 이들의 조합을 포함하는 X선 마스크 구조.
  24. 제17항에 있어서, 상기 최상층 상에 설치되는 시드층을 더 포함하고, 상기 복수개의 X선 흡수 패턴은 상기 시드층 상에 설치되는 X선 마스크 구조.
  25. 제17항에 있어서, 상기 지지기판은 복수개의 박형부를 구비하는 X선 마스크 구조.
  26. 제25항에 있어서, 상기 복수개의 박형부 상방의 상기 최상층 상에 설치되는 복수개의 X선 흡수 패턴을 포함하는 X선 마스크 구조.
  27. 제17항에 있어서, 상기 지지기판은 복수개의 오목부를 구비하는 X선 마스크 구조.
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