TWI488002B - 藉由蝕刻遮罩多側之半導體設備解析度增強 - Google Patents

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TWI488002B
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保羅 艾克曼
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Description

藉由蝕刻遮罩多側之半導體設備解析度增強
本發明係關於半導體設備，且尤係關於藉由蝕刻遮罩多側之半導體設備解析度增強。
在半導體裝置製造中，可例如利用供晶片堆疊使用的基底穿孔(through-substrate via；TSV)達到三維(3D)整合。第一金屬(例如銅)層與接觸層之間的連接通孔對於達成此類整合是一種有用的方法，對20奈米(nm)以下的技術而言尤其如此。故期望對這些連接通孔達到最小間距(pitch)及最小關鍵尺寸(CD)而在接觸件與第一金屬層之間產生儘可能多的連接件。目前用於形成高密度(tightly packed)連接通孔的作法係在雙圖案程序中使用兩個分劃板(reticle)，以便在金屬與TSV層之間完成期望的連接點(points of connectivity)。
對於在半導體裝置中提升通孔連接覆蓋率(coverage)所需要的是用於提供解析度增強的更好設施。對此尤其有用的一種應用是在半導體裝置之基底穿孔(TSV)頂部最大 化通孔連接覆蓋率。
透過提供包括置於遮罩第一側上之複數個第一相移區；以及置於遮罩第二側上之複數個第二相移區的遮罩，得以克服先前技術的缺點並且提供額外優點。
另外，提供一種方法，包括例如形成置於遮罩第一側上之複數個第一相移區；以及形成置於遮罩第二側上之複數個第二相移區。
還有，提供一種半導體裝置製造方法，包括在半導體裝置中製造複數個通孔，此製造包括取得包括例如置於遮罩第一側上之複數個第一相移區、和置於遮罩第二側上之複數個第二相移區的遮罩；以及令遮罩遭受電磁輻射的曝照，所述曝照對於將所述複數個通孔印製在所述半導體裝置之基底上起作用(operative)。
另外的特徵及優點係透過本發明的概念予以實現。本發明的其它具體實施例及態樣係詳述於本文並且係視為所主張發明專利權的一部分。
100‧‧‧微影系統
102‧‧‧晶圓
104‧‧‧室體
106‧‧‧輻射源
108‧‧‧聚光透鏡總成
110‧‧‧遮罩或劃分板
112‧‧‧物透鏡總成
114‧‧‧工作台
116‧‧‧基底
118‧‧‧層件
120‧‧‧光阻層
122‧‧‧透明或半透明基底
124‧‧‧不透明或圖案化層
200‧‧‧遮罩
202‧‧‧不透明材料
204‧‧‧蝕刻區
206‧‧‧半透明基底
300‧‧‧相移遮罩
302‧‧‧不透明材料
304‧‧‧第一相移區
306‧‧‧半透明基底
308‧‧‧第二相移區
402‧‧‧不透明阻障材料
402a‧‧‧不透明材料
402b‧‧‧不透明材料
404‧‧‧第一相移區
404a‧‧‧第一相移區
404b‧‧‧第一相移區
408‧‧‧第二相移區
408a‧‧‧第二相移區
502‧‧‧遮罩
504‧‧‧蝕刻區
604a‧‧‧第一相移區
604b‧‧‧第一相移區
608a‧‧‧第二相移區
608b‧‧‧第二相移區
本發明的一或多個態樣係予以特別指出並且清楚地主張作為本說明書結論處申請專利範圍中的實施例。本發明的前述及其它目的、特徵、以及優點經由下文的詳細說明配合附圖將顯而易知，其中：第1圖是微影系統之一個實施例的概要圖；第2A圖是具有陣列型蝕刻區用於在晶圓上 生產陣列型通孔佈局之遮罩的一個實施例；第2B圖是第2A圖之遮罩沿著劃線2A-2A’的剖面側視圖；第2C圖是沿著劃線2A-2A’而取穿過第2A圖之遮罩之光之強度截面(intensity profile)的示意圖；第3A圖是根據本發明一或多個態樣之遮罩的一個實施例；第3B圖是第3A圖之遮罩沿著劃線3A-3A’的剖面側視圖；第3C圖是沿著劃線3A-3A’光穿過第3A圖之遮罩之強度截面的概要圖；第4圖是根據本發明的一或多個態樣具有不同寬度之相移區之遮罩的剖面側視圖；第5圖描述遮罩的一部分，表示具有其寬度及間距的蝕刻區；第6A圖根據本發明的一或多個態樣描述使用遮罩完成改良型間距的實施例；以及第6B圖根據本發明的一或多個態樣描述使用遮罩完成增加蝕刻尺寸的實施例。
半導體或積體電路(IC)產業的目標在於製造裝置密度愈來愈高的IC於更小的晶片面積上，以達到更好的功能並且降低製造成本。對於大型整合的期望已導致電路尺寸及裝置特徵持續縮減。用以降低此類特徵尺寸的 能力係由積體電路(IC)結構藉以形成於晶圓上的微影程序中的效能增強所驅使。此程序也稱為光學微影，或簡稱微影。如眾所周知，微影程序可用於將光罩(亦即，「遮罩」，本文中也與「劃分板(reticle)」互稱)的圖案轉移到晶圓。
在一個實施例中，圖案係藉由令輻射能量穿透具有用以將期望圖案影射到光阻層上之配置的遮罩而由晶圓上所沉積的光阻層形成。所以，圖案係轉移至光阻層。在光阻得到充份曝照的區域中，並且在顯影周期之後，光阻材料可變得可溶解而令其可遭到移除而選擇性地曝照下伏層(underlying layer)(例如，半導體層、金屬或含金屬層、介電層、硬罩層等)。光阻層未遭曝照達輻射能量臨界量的部分將不會被移除，並且將在進一步處理晶圓(例如，蝕刻下伏層的曝露部位，將離子佈植到晶圓內等)期間作為保護下伏層的作用。之後，可移除光阻層的殘留部分。雖然上述指的是正阻劑(resist)程序，也可利用負阻劑程序圖案化光阻層。下文搭配第1圖的微影系統說明微影程序的進一步細節。
第1圖的微影系統100適用於圖案化晶圓102。微影系統100包括室體104、輻射源106(通常為光源)、聚光透鏡總成108(在第1圖中標示為「光學裝置(OPTICS)」)、遮罩或劃分板110、物透鏡總成112(在第1圖中標示為「光學裝置」)、以及工作台114(stage)。微影系統100係經配置用以將遮罩110上提供的圖案或影像轉移到靶材料(target material)或晶圓102的表面。
晶圓102包括基底116、層件118、以及光阻層120。光阻層120係置於層件118上，以及層件118係置於基底116上。如第1圖所示，晶圓102可為整片半導體晶圓或其一部分。基底116可為半導體基底，如矽、砷化鎵、鍺、或任何適用的基底材料。基底116可包括一或多層材料及/或特徵，如線件、互連件、通孔、摻雜區、或諸如此類，以及基底116可再包括裝置或其部分，如電晶體、微致動器、微感測器、電容器、電阻器、二極體、或諸如此類。
層件118可為絕緣層、導電層、阻障層、或任何待蝕刻、摻雜、處理、加工、或層化的靶材料。在某些具體實施例中，層件118是硬遮罩層，如氮化矽層或金屬層。硬遮罩層可作用為圖案化層以供處理基底116或處理基底116上的層件。在又一具體實施例中，層件118是抗反射塗層(ARC)。基底116和層件118非以限制性方式予以說明，並且可各包括導電性、半導電性、或絕緣性材料。
光阻層120可包括各種適用於微影應用的光阻材料、組成、或化學品。光阻層120係經選擇而具有對輻射源106所射出之電磁輻射(本文也稱為「光」)起反應的光化學反應並且對電磁輻射具有足夠透明度(transparency)而有益於圖案化光阻層。含括光阻層120的材料尤其(among others)可包括基質材料(matrix material)或樹脂、敏化劑或抑制劑、以及溶劑。光阻層120可為化學放大性、正或負型、有機類光阻。光阻層120還可為含矽 光阻。光阻層120可為但不侷限於丙烯酸酯類聚合物、脂環類聚合物、或酚類聚合物。
光阻層120係使用例如藉由在層件118上旋轉塗佈之沉積之類的任何適用技術而在晶圓102的層件或靶材料上形成。光阻層120的厚度係根據特殊微影技術予以選擇舉例用於真空紫外線(VUV)微影、深紫外線(DUV)微影、及/或極紫外線(EUV)微影(使用的是例如曝照波長為193奈米、157奈米、126奈米、或13.4奈米的輻射)中。就此而言，光阻層120可具有範圍為15至1000奈米的厚度。
輻射源106經由聚光透鏡總成108、遮罩110、以及物透鏡總成112而對光阻層120提供電磁輻射。在一個具體實施例中，輻射源106可為產生波長為248奈米、193奈米、172奈米、157奈米、或126奈米之輻射的准分子雷射、或產生波長為13.4奈米之輻射的軟x射線源。或者，輻射源106可為任何經適當組構能夠發射波長範圍為紫外線(UV)、VUV、DUV、EUV、或x射線之輻射的輻射源。或者，本系統可利用經適當組構的電子/離子束源。
總成108和112包括透鏡、鏡件、准直器(collimator)、分束器、及/或其它光學組件用以適當地將輻射(來自輻射源106隨遮罩110上所提供圖案或影像而調整的輻射)的圖案聚集並且導向於光阻層120上。工作台114支撐晶圓102並且可相對於總成112移動晶圓102。
遮罩110在一個具體實施例為二元遮罩。遮罩110包括透明或半透明基底122(例如，玻璃或石英)以及位於其上的不透明或圖案化層124(舉例而言，其可由鉻或氧化鉻予以形成)。不透明層124提供待投射至光阻層120上之期望電路圖案、特徵、或裝置相關聯的圖案或影像。在一個具體實施例中，遮罩110為交替型相移遮罩或其它類型的遮罩。
隨著光波從光源106傳到遮罩110，入射到遮罩半透明區上的光將穿過遮罩，同時入射到不透明區上的光將遭到阻擋。穿過遮罩的光曝照晶圓121的部分光阻層120。
IC製造技術普遍存在的趨勢是提高得以配置之各種結構的密度。例如，特徵尺寸、線寬、以及特徵與線件之間的間隔正日益變得更小。良率由諸如遮罩圖案保真度(fidelity)、光學近接效應(optical proximity effect)、以及光阻處理等因素所影響。
根據本發明的態樣在本文中提供解析度增強。對於解析度增強的一種尤其有用的應用在於基底穿孔(TSV)頂部的通孔連接區。TSV相對較大-通常頂部約6微米，具有數百微米的凹部(dip)。雖然TSV頂部的單一固態金屬連接將提供最佳連接性，但那方法仍行不通。反而，為了與裝置上層的連接性而形成導致TSV的二維(2D)陣列較薄通孔(例如各大約45奈米)。2D陣列通孔中的通孔應該儘可能地小(亦即具有最緊密的可能間距)以增加TSV頂 部所形成通孔的數量，藉以增加接觸面積並且降低電阻，同時避免應力誘發式孔洞(stress-induced void)。
參照第2A及2B圖所示及所述的是具有陣列型蝕刻區用於在晶圓上產生陣列型通孔佈局的習知遮罩。第2A圖描述遮罩200的俯視圖。遮罩200包括沉積在半透明基底206(第2B圖)上的不透明材料202。區域204係被蝕刻到不透明材料202內以產生依兩方向(本實施例中為垂直和水平)陣列化的複數個蝕刻區204。遮罩200僅描述九個蝕刻區204，但一般遮罩可包括數百或數千個此類蝕刻區。
區域204的蝕刻通常含括化學性及/或機械性移除部分不透明材料202以曝露下伏半透明基底的表面。此係示於描繪沿著劃線2B-2B’之遮罩200之剖面側視圖的第2B圖中。此剖面描繪貫通不透明材料202蝕刻至半透明基底206的區域204。蝕刻區204係由不透明材料202予以分隔。
隨著將光引至遮罩200(例如遮罩垂直上方)，入射到不透明材料202的光將遭到實質阻擋而不會穿過基底206至晶圓的光阻區，但穿過蝕刻區204並且入射到基底206曝露部位的光將穿過基底206至光阻區。此曝照將在晶圓的光阻區中形成相應的通孔圖案。
光強度將越過晶圓之部位取決於那些部位是否曝照於穿過基底之光而變化。第2C圖是沿著劃線2B-2B’光通過第2A圖遮罩200之強度截面(intensity profile) 的示意圖。強度截面為簡單起見係經表示成以二元方式在0與1之間變化，其中0代表經受無或較少光曝照的區域(如不透明材料202直下方)，以及1代表經受強烈或較高光曝照的區域(如蝕刻區204下方)。忽略繞射效應，對應於遮罩200的適當「光影(shadow)」將被投射至所圖案化的晶圓。
然而，實際上，入射至晶圓之阻劑層各個區域的光係受到來自介於遮罩之不透明區與蝕刻區之間之邊緣的繞射光所影響。藉由減少不透明區之間的距離，得以形成令穿過孔件(aperture)之光繞射的小孔件。繞射光導致光在穿過遮罩時易於擴展或折彎的效應，以至於未分辨兩個不透明區之間的空間。由於所投射之「光影」的明/暗對比受到負面影響，這令繞射對光學性光微影成為限制性因素。這隨著遮罩之蝕刻區之間的間距(以中心為準的間隔(on-center spacing))減少以容納待印製在晶圓上的更緊密配置之特徵而更成為問題。
處理此繞射效應的一種方式是透過如擁有本技術普通技能者所了解的光相移。在相移中，遮罩被製造成以便在穿過半透明基底的某些光中造成相移。光波之間的干擾在那些波異相時得以降低。所以，當曝照晶圓之一個區域之光的相位與曝照鄰近區之光的相位偏離時，得以最小化干擾、改良對比、並且增加使用遮罩可得的解析能力。
改變遮罩之某些半透明區域中遮罩基底的 厚度是造成此類相移的一種方式。改變深度的區域可被蝕刻至遮罩的前側上而在穿過其基底的光中引進相移的改變程度。請再參閱第2A及2B圖，某些區域204可擴展到一部分下伏基底206內，減少蝕刻區204底下之基底206的厚度並且相對於穿過基底在其蝕刻區底下之其它(較厚)區域的光引進相移。
根據本發明的一個態樣，提供的遮罩具有複數個第一與第二相移區。在一實施例中，第一相移區係在遮罩的第一側上藉由蝕刻第一側而予以放置，而第二相移區係在遮罩的第二側上藉由蝕刻第二側而予以放置。第3A圖根據本發明的一或多個態樣表示遮罩的一個實施例。
相移遮罩300包括沉積於如石英之類之半透明基底306(第3B圖)上的如鉬矽氮化物(MoSiN)之類的不透明材料302。第一相移區304如同第二相移區308係朝圖中垂直與水平兩方向而陣列化並且對齊。第二相移區在本實施例中是180度相移區，然而，第二相移區308如同第一相移區304可具有任何期望的相移。
第3B圖表示沿著劃線3B-3B’所取之第3A圖遮罩300的剖面側視圖。第一相移區304係(例如藉由蝕刻)而置於遮罩其上有不透明材料302沉積之側。為了方便起見，遮罩300的此側係稱為遮罩的前側。遮罩的前側係在第一相移區304之間、以及第二相移區308垂直上方被另外蝕刻。蝕刻遮罩在第二相移區308上方的前側會曝露出第二相移區308上方的基底而能令光穿透遮罩及第二相 移區308。第二相移區308在本實施例中係(藉由蝕刻)而置於遮罩的對側(例如背側)上。將第二相移區308蝕刻到基底306的背側內而在第二相移區308提供比在第一相移區304更薄的半透明基底區。因此，相移區304與308在光穿過時會具有(亦即產生)不同的光相移；亦即，第二相移區308所產生的相移將有別於第一相移區304所產生的相移。
在一個實施例中，可期望第一相移區304的相移與第二相移區308的相移有180的相差。尤其是，第一相移區304可具有0度(或實質無)相移，意指在那區域隨著光穿過基底並未由那區域引進相移。未產生(或實質無)相移的相移區也可稱為「非相移區」。另外或或者，第二相移區308可具有180度(或實質180度)相移。因此，在一特殊實施例中，可形成第一相移區304而未產生(亦即0度)相移，同時可形成第二相移區308而產生180度相移。第一與第二相移區304與308之間180度的相位差分別將使來自第一相移區304之光波與來自第二相移區308之光波之間的抵消效應最大化並且干擾最小化。
雖然第3圖僅表示九個相移區，但如上所述仍理解一般遮罩可包括數百或數千個此類相移區。
另外關於第3A圖，看到的是相鄰第一相移區304的隔開不僅是藉由遮罩前側上的不透明材料302區，還藉由遮罩背側上的第二相移區308。類似地，遮罩之背側上的相鄰第二相移區308的隔開是藉由不透明材料 302及第一相移區304，兩者都位於遮罩300的前側上。
第3C圖是沿著劃線3B-3B’所取之穿過第3A圖遮罩之光之強度截面的示意圖。強度截面在-1、0、以及1之間變化，原因不僅是有無光的存在，還導因於穿過第一相移區304之光的相位和穿過第二相移區308之光的相位的差異。第3C圖的強度截面是在第一相移區304與第二相移區308有180度相差(亦即穿過區域304之光的相位與穿過區域308之光的相位差異為180度)時所產生的。在那情況下，1表示經受強烈或較高光曝照的區域(如蝕刻區304下方)，0表示未經受或經受少量光曝照的區域(如不透明材料302的直下方)，以及-1表示藉由與穿過第一相移區304之光有180度相差之光經受強烈或較高光曝照的區域(如蝕刻區308下方)。
第3A圖之遮罩的解析度能力係因第一相移區(強度為1)與第二相移區(強度為-1)之間的較高對比潛能而提升2倍(2x)。就佈局觀點來看，額外的對比使相移區之間的間隔(以及介於晶圓上所形成之通孔之間的間隔)減少，藉以提升使用遮罩所達成的解析度。下文參照第6A及6B圖提供進一步細節。
根據本發明的態樣，並且對比於僅蝕刻遮罩單側的習知蝕刻技術，遮罩的第二側(例如基底的底側)係經蝕刻而引進期望的第二相移區之相移。相較於多劃分板組構，用以蝕刻遮罩背側的一個優點在於製造遮罩時及用以曝照晶圓之微影程序期間所需要的程序步驟較少。僅 使用單一遮罩提供交替的相移區，並且可使用那單一遮罩經由單一曝照形成通孔。這比例如製造並且在雙圖案化程序中利用兩個劃分板的雙劃分板程序更具有優勢。
還有，對於偏離背側第二相移區蝕刻的關鍵尺寸提供較大餘裕。此係示於第4圖，其根據本發明的一或多個態樣描述具有不同寬度相移區之遮罩的剖面側視圖。在本實施例中，第一相移區404係隨著寬度W1 的蝕刻而置，而第二相移區408係隨著寬度W2 的蝕刻而設置。舉例而言，由於光(在本圖中)由上方照射(strike)遮罩，第一相移區404及第二相移區408上方的開口係以具有寬度W1 的較高精密度予以蝕刻。由於光係入射至具有不透明阻障材料402之遮罩的前側，所以可利用寬於第二相移區408上方的這些蝕刻的方式而蝕刻第二相移區408。在此情況下，由於上方不透明材料將作用為用於阻擋那開口外之光的遮罩，所以在蝕刻遮罩背側時對於誤差有較大的允差。如果遮罩背側的蝕刻未擴展至任何第一相移區404直下方，則第二相移區408可有特意過大(亦即W2 )的尺寸以阻絕符合目標W2 時可能的失效狀況；只要第二相移區408的寬度至少為W1 並且窄到足以令其未在任何第一相移區404下方擴展，這是可接受的。就此而論，在一個具體實施例中，第二相移區408a的寬度W2 有上與下限。下限是第二相移區408a(亦即不透明材料402a右緣與不透明材料402b左緣之間)直接(垂直)上方之前側開口的寬度(第4圖實施例中的W1 )。上限是第一相移區404a之右緣與第一相 移區404b之左緣之間的距離。接著，在第4圖的說明中，第二相移區408a可從第一相移區404a之右緣下方擴展至第一相移區404b之左緣下方。依此方式，背側蝕刻(408)的製造比前側蝕刻(404)的製造有更大的允差。舉例而言，背側蝕刻可能較寬或未對齊(偏離不透明材料402a與402b之間的中心)而不影響第二相移區的功效。
如上所述，本發明之態樣所提供的額外對比能有助於縮減相移區之間的間隔。為了描述，並且請參閱第5圖，所描繪的是表示蝕刻區具有其寬度與間距的一部分遮罩。遮罩502包括具有寬度W並且以距離D(D是介於蝕刻區504之間的「間距」)予以隔開的多個蝕刻區504。本發明的態樣有助於提供解析度增強，其能夠例如縮減介於相移區之間的間距及/或增加相移區尺寸，此與晶圓上所印製之特徵(例如通孔)的特徵尺寸增大及間距減小直接成比例。此間距及尺寸增強從而增加使用遮罩所產生之通孔陣列的覆蓋面積。
根據本發明的態樣使用遮罩所產生之通孔的最小間距在某些情況下可縮減多達50%。第6A圖描繪根據本發明的一或多個態樣使用遮罩所達成之改良型間距的一個實施例。藉由實施例並且非限制，第6A圖的第一相移區604a為遮罩的0度相移區並且第二相移區608a為遮罩的180度相移區。在此情況下，相移區604a和608a的寬度W’相較於第5圖維持一樣，但相鄰區域(相移不同)之間的間距得以縮減。第6A圖的間距D’小於第5圖的間 距D，其中第一與第二相移區504a與508a分別間隔較靠近在一起而未負面影響對比。這是由於導因於穿過第一相移區604a之光與穿過第二相移區608a之光之間相位差異的抵消效應，如上所述。
第6B圖描述用於解析度增強之增加的蝕刻尺寸。再藉由實施例並且非限制，第6B圖的第一相移區604b是遮罩的0度相移區並且第二相移區608b是遮罩的180度相移區。在本實施例中，間距如第5圖維持一樣(D”=D)。第一相移區604b與第二相移區608b係製作得較大(W”)，從而增加這些相移區所產生之通孔的覆蓋面積。在另一具體實施例中，間距與特徵尺寸兩者可共同改進(亦即減小間距，並且增大第一與第二相移區的尺寸)以增加通孔覆蓋面積。
在替代具體實施例中，若期望的話，可將第一與第二相移區蝕刻至遮罩同一側上。在此組構中，藉由將第二相移區蝕刻到前側基底內而非在遮罩背側蝕刻，得以將第二相移區置於遮罩前側第一相移區之間。所產生的組構係如第3A圖所示的棋盤圖案，其差異是第二相移區係置於前側而非背側，並且係隨著遮罩前側的蝕刻(在一個實施例中)比形成遮罩前側第一相移區的蝕刻更深而置。
根據本發明的態樣有助於增加使用單一遮罩所產生之通孔的覆蓋面積。鑒於習知方法使用兩個或更多個劃分板最小化間距及/或最大化特徵尺寸，本發明的態樣有助於使用單一遮罩讓此增強成為可能。
本發明的態樣另外包括用於製造具有上述組構之遮罩的方法，以及使用此遮罩製造半導體裝置的方法。因此，遮罩製造方法可包括形成置於遮罩第一側上的多個第一相移區，以及形成置於遮罩第二側上的複數個第二相移區，如上所述。另外，半導體裝置製造可包括取得如上所述的遮罩並且令遮罩承受電磁輻射的曝照，例如參照以上第1圖所述的技術，而將通孔印製到半導體裝置的基底上。
本文所使用的術語其目的只是說明特殊具體實施例並且無意於限制本發明。如本文中所用，單數形式「一」、「一種」、「一個」、以及「該」的用意在於同時包括複數形式，上下文另有所指除外。將再理解術語「包含」(以及包含的任何形式，如單數的「包含」和動名詞的「包含」)、「具有」(以及具有的任何形式，如單數的「具有」和動名詞的「具有」)、「包括」(以及包含的任何形式，如單數的「包括」和動名詞的「包括」)、「含有」(以及包含的任何形式，如單數的「含有」和動名詞的「含有」)為開放式連接動詞。因此，「包含」、「具有」、「包括」或「含有」一或多個步驟或元件的方法或裝置處理那些一或多個步驟或元件，但不受限於僅處理那些一或多個步驟或元件。同樣地，「包含」、「具有」、「包括」或「含有」一或多個特徵之方法的步驟或裝置的元件處理那些一或多個特徵，但不受限於僅處理那些一或多個特徵。此外，以特定方式予以配置的裝置或結構係以至少那方式予以配置，但也可用未 列示的方式予以配置。
下文申請專利範圍中所有手段或步驟加上功能元件的相應結構、材料、動作、及均等意，若存在，係有意於包括以明確主張專利權之其它所主張專利權元件共同用於進行功能的任何結構、材料、或動作。已為了描述及說明而呈現本發明的說明，但無意於具有徹底性或侷限於所揭示形式的發明。許多改進及變化對於具有本技術普通技能者將顯而易知而不脫離本發明的範疇及精神。具體實施例經選用及說明是為了解釋本發明一或多個態樣的原理及實際應用，並且令具有本技術普通技能者隨著適於所思的特定使用能夠對於具有各種改進之各種具體實施例理解本發明的一或多個態樣。
300‧‧‧相移遮罩
302‧‧‧不透明材料
304‧‧‧第一相移區
308‧‧‧第二相移區

Claims (15)

  1. 一種遮罩，包含：置於該遮罩之第一側上的複數個第一相移區；以及置於該遮罩之第二側上的複數個第二相移區，其中，該複數個第一相移區的第一相移區以及該複數個第二相移區的第二相移區係藉由沉積於該遮罩之該第一側上的不透明材料予以分隔，其中，該不透明材料係置於半透明基底的第一側上方，以及其中，該複數個第二相移區係藉由蝕刻該半透明基底的第二側予以形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該複數個第一相移區的相移與該複數個第二相移區的相移有不同的相位。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩，其中，該複數個第一相移區的相移與該複數個第二相移區的相移有大約180度的相位差。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該複數個第一相移區的第一相移區具有零度相移。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該複數個第二相移區的第二相移區具有180度相移。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該複數個第一相移區與該複數個第二相移區係以越過該遮罩的 至少一個方向予以對齊，並且依越過該遮罩的該至少一個方向以交替方式予以分隔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之遮罩，其中，該複數個第一相移區及該複數個第二相移區係以第一方向及垂直於該第一方向的第二方向予以對齊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該第一側包含該遮罩的前側以及該第二側包含該遮罩的背側，以及其中，該複數個第一相移區係藉由蝕刻該遮罩的該前側予以形成，以及該複數個第二相移區係藉由蝕刻該遮罩的該背側予以形成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩，其中，該複數個第二相移區的寬度大於該複數個第一相移區的寬度。
  10. 一種製造半導體裝置之方法，包含：形成置於遮罩之第一側上的複數個第一相移區；以及形成置於該遮罩之第二側上的複數個第二相移區，其中，該複數個第一相移區的第一相移區及該複數個第二相移區的第二相移區係藉由沉積於該遮罩之該第一側上的不透明材料予以分隔，其中，該方法更包含在半透明基底的第一側上方沉積該不透明材料，以及蝕刻該不透明材料以曝露該半透明基底之該第一側的複數個部位，以及其中，形成該複數個第二相移區包含蝕刻該半透 明基底的第二側。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，該複數個第一相移區的相移與該複數個第二相移區的相移有不同的相位。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，形成該複數個第一相移區及形成該複數個第二相移區包含以越過該遮罩的至少一個方向對齊該複數個第一相移區與該複數個第二相移區，以及以越過該遮罩的該至少一個方向依交替方式分隔該複數個第一相移區和該複數個第二相移區。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，該第一側包含該遮罩的前側以及該第二側包含該遮罩的背側，以及其中，形成該複數個第一相移區包含蝕刻該遮罩的該前側，以及形成該複數個第二相移區包含蝕刻該遮罩的該背側。
  14. 一種半導體裝置製造方法，包含：在半導體裝置中製造複數個通孔，該製造包含：取得遮罩，係包含(i)置於該遮罩之第一側上的複數個第一相移區、和(ii)置於該遮罩之第二側上的複數個第二相移區；以及使該遮罩承受電磁輻射的曝照，該曝照對於將該複數個通孔印製在該半導體裝置的基底上起作用，其中，該複數個第一相移區的第一相移區和該複數個第二相移區的第二相移區係藉由在該遮罩之該第 一側上沉積的不透明材料予以分隔，以及其中，該複數個第二相移區係藉由蝕刻該半透明基底的第二側予以形成。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體裝置製造方法，其中，該遮罩的該第一側包含該遮罩的前側，以及該遮罩的該第二側包含該遮罩的背側，以及其中，該複數個第一相移區係藉由蝕刻該遮罩的該前側予以形成，以及該複數個第二相移區係藉由蝕刻該遮罩的該背側予以形成。
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