JP2008515006A - 異なる位相シフト・アパーチャを通して平衡した光強度を提供する位相シフト・マスクおよびそのような位相シフト・マスクを形成する方法 - Google Patents
異なる位相シフト・アパーチャを通して平衡した光強度を提供する位相シフト・マスクおよびそのような位相シフト・マスクを形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008515006A JP2008515006A JP2007533753A JP2007533753A JP2008515006A JP 2008515006 A JP2008515006 A JP 2008515006A JP 2007533753 A JP2007533753 A JP 2007533753A JP 2007533753 A JP2007533753 A JP 2007533753A JP 2008515006 A JP2008515006 A JP 2008515006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- aperture
- phase shift
- light
- light absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれている、Gong Chen等によって2005年9月26日に出願された「Phase−Shift Mask Providing Balanced Light Intensity Through Different Phase−Shift Apertures And Method For Forming Such Phase−Shift Mask」という名称の米国仮特許出願第60/613,343号の優先権を主張するものである。
Claims (30)
- 異なる位相シフト・アパーチャを通して実質的に平衡した光強度を提供するフォトマスクを形成する方法であって、
パターン層と、前記パターン層に隣接する位相シフト層と、光が前記パターン層および前記位相シフト層を通過することができるようにし第1位相シフトを提供するように動作可能な第1アパーチャと、光が前記パターン層および前記位相シフト層を通過することができるようにし第1位相シフトとは異なる第2位相シフトを提供するように動作可能な第2アパーチャと、を含むフォトマスク構造体を提供するステップと、
前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくなるように前記第1アパーチャを通過する光の強度を低減するように動作可能な光吸収材料を含む、前記第1アパーチャに隣接する光吸収層を形成するステップと
を含む方法。 - 前記光吸収層は金属フィルムまたは有機フィルムを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光吸収層は前記パターン層と同じ1つまたは複数の材料で形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記光吸収層は入射光の約5%から約10%までの間を吸収する、請求項1に記載の方法。
- 前記光吸収層は約0.2nmから約10nmまでの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1アパーチャは0度位相シフト・アパーチャを含み、前記第2アパーチャは180度位相シフト・アパーチャを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位相シフト層は石英を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターン層上の特定の位置で、前記位相シフト層は前記パターン層の第1面に隣接して形成され、前記光吸収層は前記パターン層の前記第1面の反対側の前記パターン層の第2面に隣接して形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記光吸収層の厚さは、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくなるように予め決められる、請求項1に記載の方法。
- 前記光吸収層の厚さは、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくはないが、それと所望の関係を有するように予め決められる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1アパーチャは、前記位相シフト層の第1表面を露出する前記パターン層内に第1開口部を含み、
前記第2アパーチャは、前記位相シフト層の第2表面を露出する前記パターン層内に第2開口部を含み、
前記光吸収層は、前記位相シフト層の前記第1表面に隣接して、ただし前記位相シフト層の前記第2表面には隣接せずに、形成される、請求項1に記載の方法。 - 異なる位相シフト・アパーチャを通して実質的に平衡した光強度を提供する方法であって、
パターン層および前記パターン層に隣接する位相シフト層を形成するステップであって、前記パターン層は前記位相シフト層の第1部分を露出する第1開口部および前記位相シフト層の第2部分を露出する第2開口部を含む、ステップと、
光吸収層の第1部分が前記位相シフト層の前記第1露出部分を被覆し、前記光吸収層の第2部分が前記位相シフト層の前記第2露出部分を被覆するように、前記パターン層に隣接し、前記パターン層内の前記第1開口部および第2開口部の中まで延在する前記光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層の前記第1露出部分を被覆する前記光吸収層の前記第1部分に隣接するが、前記光吸収層の前記第2露出部分を被覆する前記光吸収層の前記第2部分には隣接しない、レジスト層を形成するステップと、
前記光吸収層の前記第2部分が除去されるが、前記光吸収層の前記第1部分は除去されないように前記レジスト層を通して1つまたは複数のエッチング・プロセスを行うステップと、
前記レジスト層を除去するステップと、
を含む方法。 - 前記結果としての構造体は、前記パターン層内の前記第1開口部に対応する第1アパーチャおよび前記パターン層内の前記第2開口部に対応する第2アパーチャを含み、前記第1アパーチャおよび第2アパーチャは、入射光に異なる角度の位相シフトを提供し、前記光吸収層の前記第1部分は、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくなるように前記第1アパーチャを通過する光の強度を低減するように動作可能である、請求項12に記載の方法。
- 前記光吸収層は、金属フィルムまたは有機フィルムを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記光吸収層は、前記パターン層と同じ1つまたは複数の材料で形成される、請求項12に記載の方法。
- 前記光吸収層は、入射光の約5%から約10%までの間を吸収する、請求項12に記載の方法。
- 前記光吸収層は、約0.2nmから約10nmまでの範囲の厚さを有する、請求項12に記載の方法。
- 前記第1アパーチャは0度位相シフト・アパーチャを含み、前記第2アパーチャは180度位相シフト・アパーチャを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記1つまたは複数のエッチング・プロセスは、前記結果としての第1アパーチャおよび第2アパーチャが入射光に異なる角度の位相シフトを提供するように前記第2開口部に対応する前記位相シフト層の一部分を除去する、請求項12に記載の方法。
- パターン層と、
前記パターン層に隣接する位相シフト層と、
光が前記パターン層および前記位相シフト層を通過することができるようにし第1位相シフトを提供するように動作可能な第1アパーチャと、
光が前記パターン層および前記位相シフト層を通過することができるようにし第1位相シフトと異なる第2位相シフトを提供するように動作可能な第2アパーチャと、
前記第1アパーチャに隣接して配置され、前記光吸収層は、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくなるように前記第1アパーチャを通過する光の強度を低減するように動作可能な光吸収材料を含む、光吸収層と、
を含むフォトマスク。 - 前記光吸収層は金属フィルムまたは有機フィルムを含む、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記光吸収層は前記パターン層と同じ1つまたは複数の材料で形成される、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記光吸収層は、入射光の約5%から約10%までの間を吸収する、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記光吸収層は約0.2nmから約10nmまでの範囲の厚さを有する、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記第1アパーチャは0度位相シフト・アパーチャを含み、前記第2アパーチャは180度位相シフト・アパーチャを含む、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記位相シフト層は石英を含む、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記パターン層の特定の位置で、
前記位相シフト層は、前記パターン層の第1面に隣接して配置され、
前記光吸収層は、前記パターン層の前記第1面の反対側の前記パターン層の第2面に隣接して配置される、請求項20に記載のフォトマスク。 - 前記光吸収層の厚さは、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくなるように選択される、請求項20に記載のフォトマスク。
- 前記光吸収層の厚さは、前記第1アパーチャを通過する光の強度が前記第2アパーチャを通過する光の強度に実質的に等しくはないが、それと所望の関係を有するように選択される、請求項20に記載のフォトマスク。
- ペリクル・アセンブリをさらに含む、請求項20に記載のフォトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61334304P | 2004-09-27 | 2004-09-27 | |
PCT/US2005/034785 WO2006037027A1 (en) | 2004-09-27 | 2005-09-26 | Phase-shift mask providing balanced light intensity through different phase-shift apertures and method for forming such phase-shift mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008515006A true JP2008515006A (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=36119238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007533753A Pending JP2008515006A (ja) | 2004-09-27 | 2005-09-26 | 異なる位相シフト・アパーチャを通して平衡した光強度を提供する位相シフト・マスクおよびそのような位相シフト・マスクを形成する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070160919A1 (ja) |
JP (1) | JP2008515006A (ja) |
CN (1) | CN101065647A (ja) |
WO (1) | WO2006037027A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100876806B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 패터닝 기술을 이용한 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법 |
US8318536B2 (en) * | 2007-12-31 | 2012-11-27 | Intel Corporation | Utilizing aperture with phase shift feature in forming microvias |
US20100182580A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | Micron Technology, Inc. | Photolithography systems with local exposure correction and associated methods |
JP5742517B2 (ja) | 2011-07-04 | 2015-07-01 | 住友電気工業株式会社 | サンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法 |
US8895211B2 (en) * | 2012-12-11 | 2014-11-25 | GlobalFoundries, Inc. | Semiconductor device resolution enhancement by etching multiple sides of a mask |
US9454073B2 (en) * | 2014-02-10 | 2016-09-27 | SK Hynix Inc. | Photomask blank and photomask for suppressing heat absorption |
US9341940B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle and method of fabricating the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5480548A (en) * | 1993-12-28 | 1996-01-02 | Ch2M Hill, Inc. | Wastewater biological phosphorus removal process |
US6780548B1 (en) * | 2001-01-11 | 2004-08-24 | Dupont Photomasks, Inc. | Alternating aperture phase shifting photomask with improved transmission balancing |
US20040185348A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-23 | Progler Christopher J. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69500268T2 (de) * | 1994-02-14 | 1997-10-30 | Ibm | Dämpfende Phasenverschiebungsmaske und Herstellungsverfahren |
US5480747A (en) * | 1994-11-21 | 1996-01-02 | Sematech, Inc. | Attenuated phase shifting mask with buried absorbers |
US6548417B2 (en) * | 2001-09-19 | 2003-04-15 | Intel Corporation | In-situ balancing for phase-shifting mask |
US6852455B1 (en) * | 2002-07-31 | 2005-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Amorphous carbon absorber/shifter film for attenuated phase shift mask |
-
2005
- 2005-09-26 WO PCT/US2005/034785 patent/WO2006037027A1/en active Application Filing
- 2005-09-26 CN CNA2005800401260A patent/CN101065647A/zh active Pending
- 2005-09-26 JP JP2007533753A patent/JP2008515006A/ja active Pending
-
2007
- 2007-03-23 US US11/690,382 patent/US20070160919A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5480548A (en) * | 1993-12-28 | 1996-01-02 | Ch2M Hill, Inc. | Wastewater biological phosphorus removal process |
US6780548B1 (en) * | 2001-01-11 | 2004-08-24 | Dupont Photomasks, Inc. | Alternating aperture phase shifting photomask with improved transmission balancing |
US20040185348A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-23 | Progler Christopher J. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101065647A (zh) | 2007-10-31 |
WO2006037027A1 (en) | 2006-04-06 |
US20070160919A1 (en) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8021806B2 (en) | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same | |
US20080248408A1 (en) | Photomask and Method for Forming a Non-Orthogonal Feature on the Same | |
JP2005513520A (ja) | マルチトーンフォトマスクおよびその同一物の製造方法 | |
JP2004521376A (ja) | トリ・トーン減衰位相シフト・マスクにおける近接効果を補正するための構造及び方法 | |
US8563227B2 (en) | Method and system for exposure of a phase shift mask | |
JP2008515006A (ja) | 異なる位相シフト・アパーチャを通して平衡した光強度を提供する位相シフト・マスクおよびそのような位相シフト・マスクを形成する方法 | |
US7838173B2 (en) | Structure design and fabrication on photomask for contact hole manufacturing process window enhancement | |
CN105097455A (zh) | 光掩模及其制造方法 | |
US20100086212A1 (en) | Method and System for Dispositioning Defects in a Photomask | |
US6150058A (en) | Method of making attenuating phase-shifting mask using different exposure doses | |
JP4478568B2 (ja) | 改良されたレチクルの製造のためにアモルファスカーボン層を使用する方法 | |
US6797439B1 (en) | Photomask with back-side anti-reflective layer and method of manufacture | |
JP2002107910A (ja) | 3元フォトマスクおよびその形成方法 | |
US7008735B2 (en) | Mask for improving lithography performance by using multi-transmittance photomask | |
JPH1115127A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 | |
US20240069431A1 (en) | Method of manufacturing photo masks | |
Socha et al. | Design of 200-nm, 170-nm, and 140-nm DUV contact sweeper high-transmission attenuating phase-shift mask through simulation I | |
JP2009053575A (ja) | フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 | |
US20070111461A1 (en) | Systems And Methods For Forming Integrated Circuit Components Having Matching Geometries | |
JP2007503621A (ja) | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 | |
JP2008508724A (ja) | 精密な特性を有する集積回路構成部分を形成するためのシステムおよび方法 | |
WO2005036264A2 (en) | Photomask having an internal substantially transparent etch stop layer | |
US6251546B1 (en) | Method of fabricating devices using an attenuated phase-shifting mask and an attenuated phase-shifting mask | |
US7425393B2 (en) | Phase shift photomask and method for improving printability of a structure on a wafer | |
JP2005181721A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110819 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110826 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120214 |