CN101770162A - 背侧相栅掩模及其制造方法 - Google Patents

背侧相栅掩模及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101770162A
CN101770162A CN200910160237A CN200910160237A CN101770162A CN 101770162 A CN101770162 A CN 101770162A CN 200910160237 A CN200910160237 A CN 200910160237A CN 200910160237 A CN200910160237 A CN 200910160237A CN 101770162 A CN101770162 A CN 101770162A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
pattern
phase
substrate
phase region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910160237A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101770162B (zh
Inventor
吴宬贤
南炳虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of CN101770162A publication Critical patent/CN101770162A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101770162B publication Critical patent/CN101770162B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种背侧相栅掩模及其制造方法。该掩模包括形成在基板前侧上的掩模图案以及形成在基板背侧上的相栅。掩模图案对应于斜图案的布局，该斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸。相栅的延伸方向平行于所述掩模图案的延伸方向。相栅包括交替设置在基板背侧上的第一相区和第二相区，第一相区和第二相区之间具有180°的相差。第一相区和第二相区导致阻挡入射到基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到掩模图案的相干涉。

Description

背侧相栅掩模及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻，更具体地，涉及一种背侧相栅掩模及其制造方法。
背景技术
作为增加半导体器件集成度的方法，已经提出了一种将诸如动态随机存取存储器(DRAM)器件的半导体器件的单元结构从8F2单元布局转换成6F2单元布局的方法。在6F2单元布局中，有源区在相对于彼此垂直的字线和位线的斜线方向延伸，因此允许在有限的区域内布置更多的晶体管。界定有源区的图案是斜图案，该斜图案相对于字线或位线旋转预定的角度。
与字线或位线不同，斜图案不是以直角坐标系的形式被引入而是以沿在直角坐标系上旋转预定角度的方向延伸的形式被引入。因此，适于直角坐标系的修正的照明系统对斜图案无效。尽管该修正的照明系统诸如双极照明系统被引入以改善曝光光源的分辨率极限，但当转移的图案是沿XY直角坐标系的X轴方向或者Y轴方向延伸的线和间隔图案时，其能够获得期望的效果。
修正的照明系统，诸如具有沿X轴布置的一对双极的X轴双极，改善了沿Y轴方向延伸的线和间隔图案的分辨率。然而，当X轴双极照明系统被用于图案转移相对于Y轴旋转预定角度的斜图案的曝光工艺时，双极的位置角度和斜图案边缘的位置角度彼此偏离。因此，通过双极照明来改善分辨率的效果会降低一半。而且，因为斜图案不能以沿设计方向延伸的形式被图案转移而是其延伸方向因双极照明而向Y轴方向偏移，所以导致图案缺陷。也就是说，转移到晶片上的斜图案可以按更小的角度而不是相对于Y轴的设计角度转移。
因此，需要开发改良的照明系统。
发明内容
本发明的实施例旨在提供一种能够图案转移斜图案的掩模及其制造方法，该斜图案沿相对于直角坐标系的轴向旋转预定角度的方向延伸。
在一个实施例中，掩模包括基板；掩模图案，形成在基板的前侧上，该掩模图案与斜图案的布局相对应，该斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸；以及相栅，具有线性形状且形成在基板的背侧上，该相栅的延伸方向平行于掩模图案的延伸方向。
优选地，斜图案对应于6F2单元布置中的有源区的布局。
优选地，相栅包括第一相区和第二相区，第一相区和第二相区交替设置在基板的背侧上且之间具有180°的相差，以便导致阻挡入射到基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到掩模图案的相干涉。
优选地，第一相区包括沟槽，该沟槽到基板背侧表面的深度提供180°的相差，并且第二相区是基板背侧的由沟槽界定的表面区域。
优选地，包括第一相区的宽度和第二相区的宽度的栅节距大致是图案节距的两倍，该图案节距包括每个掩模图案的宽度和相邻掩模图案的间隔的宽度。
优选地，相栅设置在相对于设置掩模图案的区域的外侧加宽800到1000μm的区域中。
在另一个实施例中，掩模包括基板；第一区域，具有形成在基板的前侧上的第一掩模图案，第一掩模图案与斜图案的布局相对应，该斜图案沿从直角坐标系的轴朝预定方向旋转的方向延伸；第二区域，具有沿直角坐标系的轴向延伸的第二掩模图案；以及相栅，具有线性形状且选择性地形成在基板的背侧区域上，其中相栅区域与第一区域相对应且相栅区域的延伸方向平行于第一掩模图案的延伸方向。
在再一个实施例中，制造掩模的方法包括在基板的前侧上形成掩模图案，该掩模图案与斜图案的布局相对应，该斜图案沿从直角坐标系的轴朝预定方向旋转的方向延伸；以及在基板的背侧上形成具有线性形状的相栅，该相栅的延伸方向与掩模图案的延伸方向平行。
优选地，相栅的形成包括在基板的背侧上形成光致抗蚀剂图案；以及通过对基板的由光致抗蚀剂图案暴露的背侧实施选择性刻蚀而形成沟槽，该沟槽具有提供180°相差的到基板的背侧表面的深度。
优选地，光致抗蚀剂图案的形成包括在基板背侧上形成抗反射涂层(ARC)；在ARC上涂敷光致抗蚀剂层；制造具有相栅的图案布局的母掩模；以及利用母掩模选择性曝光和显影光致抗蚀剂层的一部分。
根据本发明，提供一种掩模以及制造这种掩模的方法，所提供的掩模的背侧设置有相栅图案，该相栅图案提供适于形成在基板的前侧上的掩模图案的修正照明。
附图说明
图1示出根据本发明实施例的6F2单元布置中的斜图案布局；
图2示出根据本发明实施例的相栅布局；
图3示出根据本发明实施例的掩模的结构；
图4A和4B示出模拟结果，用于示出根据本发明实施例的掩模的分辨率改善效果；
图5和6示出根据本发明实施例的掩模结构的第一修改；
图7示出根据本发明实施例的掩模结构的第二修改；
图8到图12示出根据本发明实施例的掩模的制造工艺步骤。
具体实施方式
为了在6F2单元布置结构中图案转移沿对XY直角坐标系的轴向旋转预定角度的方向延伸的斜图案，本发明的实施例提供一种掩模，该掩模设置有形成在掩模前侧上的多个掩模图案以及形成在掩模背侧上的多个相栅图案。相栅图案引起相移且其延伸方向平行于斜图案的延伸方向。
相栅图案会引起曝光工艺期间入射到掩模的光离轴入射而超过曝光装置的离轴入射限制，并导致孔径的最外区域在曝光中被使用。根据在掩模前侧上的形成为光屏蔽图案的掩模图案的布局，相栅图案沿平行于掩模图案延伸方向的方向延伸形成以实现适当形式的修正照明，诸如双极照明。
相栅图案带来这样的效果：双极的一极的轴沿垂直于掩模图案延伸方向的方向布置，从而可以带来初级光(primary light)(或者负初级光)入射到掩模图案边缘的效果。因此，对于斜图案可以有效地实现分辨率改善效应，从而改善曝光工艺的工艺余量，该分辨率改善效应等效于在直角坐标系中沿垂直于线和间隔图案的X轴布置的双极的该极的轴所带来的效应，该线和间隔图案沿Y轴延伸。因此，甚至在未引入单独的修正照明而是引入常规照明的曝光工艺中，也可以精确地图案转移斜图案。因此，可以减少开发适用于斜图案的单独的修正照明系统的时间及成本，从而增加半导体制造工艺的生产率。
参考图1，在DRAM器件的6F2单元布置中暴露有源区域的斜图案100的布局被设计成线性图案或者矩形图案，该线性图案或者矩形图案沿相对于彼此垂直的字线和位线旋转预定角度的斜线方向延伸。因为字线和位线平行于XY直角坐标系的轴向，所以斜图案100沿相对于X轴或者Y轴倾斜预定角度的方向延伸。当利用曝光装置图案转移斜图案100时，在修正的照明系统诸如双极照明系统中，利用初级光改善分辨率的效果被降低一半。这是因为修正的照明系统设置有沿Y轴方向(或者X轴方向)布置的成对的极，但是斜图案100的边缘不沿X轴方向(或者Y轴方向)延伸，该X轴方向(或者该Y轴方向)垂直于成对的极的方向。
为了改善修正的照明系统的分辨率，沿斜线方向延伸的线性形状的相栅200被设计为如图2所示。设置相栅200使得第一相区201和第二相区203交替布置。第一相区201和第二相区203被设置为沿与斜图案100的方向同向延伸的线性形状。而且，第一相区和第二相区被设置为具有180°相差的0°相区或者180°相区，使得透过第一相区201和第二相区203的光产生彼此相干涉以阻挡0级光且允许初级光或者负初级光从其透过。
如图3所示，图1的斜图案100的布局和图2的相栅200的布局分别设置在诸如石英的透明基板300的前侧和背侧上。掩模图案310以铬(Cr)的光屏蔽图案或者钼(Mo)合金的相移图案形成在基板300的前侧上。掩模图案310对应于图1的斜图案100的布局形成。第一相区321设置在基板300的背侧上，包括设置为沟槽的第二相区323的相栅图案320对应于图2的相栅200的布局形成，该沟槽设定第一相区321。
栅节距PG包括第一相区321和第二相区323的宽度且是图案节距PC的两倍，图案节距PC包括掩模图案310的宽度和相邻掩模图案310的间隔的宽度。尽管这个节距倍数可以根据基板300的厚度而改变，但是考虑到曝光所得到的图像对比度，将节距倍数设置为两倍仍是有效的。形成相栅图案320的第一相区321和第二相区323形成为具有180°的相差而用于相干涉。从而，形成为沟槽的第二相区323形成到距表面的深度为导致180°相差的深度。
此掩模可以通过设置在其背侧上的相栅图案320而为掩模图案310提供修正的照明。当入射到相栅图案320的曝光光是常规照明时，通过相栅图案320的入射光产生相干涉，从而零级光被该干涉阻挡而正初级光或者负初级光透过到达基板300的内部。因此，掩模图案310经受初级光(或者负初级光)基本向其入射的效应。这个效应与引入修正的照明系统的离轴照明(OAI)的效应基本相同。
对于利用根据本发明实施例的掩模的曝光工艺，尽管未引入单独的修正的照明系统且仅采用常规照明但仍可以获得利用修正照明的改善图案转移分辨率的效果。从而，因为可以省略开发适用于斜图案(图1的100)的带有单独孔径的修正的照明系统的过程以及将其安装到曝光装置的过程，所以可以更精确地将各种形式的斜图案100图案转移到晶片上。
参考图4A，利用各种修正的照明系统对线和间隔图案进行曝光模拟的结果显示引入根据本发明实施例的相栅图案320可以给出与双极照明系统相似的效果。曝光模拟的第一结果401显示对比度随着离焦的增加而急剧降低，其中采用具有位于0.8倍透镜半径位置处的圆形透光部的圆形照明系统。相比较，曝光模拟的第二结果403和曝光模拟的第三结果405具有相似的形状且显示了比第一结果401更高的对比度，在第二结果403中，相栅图案320被引入且采用常规照明系统，在第三结果405中，成对的透光部分以极的形式设置在从0.6倍透镜半径到0.8倍透镜半径的位置处。
如图4B所示，这些结果显示当斜图案100不是沿XY直角坐标系的轴向延伸而是沿斜线方向411延伸时，根据本发明实施例的掩模可以有效地提供与引入斜线双极照明系统410的效果相同的效果，在斜线双极照明系统410中极412沿垂直于斜图案100边缘的方向设置。
图3中示出的掩模可以设置为具有图5所示的矩形板形状的掩模530。参考图5和图6，芯片区或者相栅区520被设定为宽于掩模区510且在掩模区510的外部延伸，掩模图案(图3的310)设置在在芯片区中，相栅图案(图3的320)设置在相栅区520中。当从掩模区510的外部进入到掩模区510的内部的杂散光560包括零级光时，利用提供自相栅区520的初级光的改善图案分辨率的效果会降低一半。也就是说，掩模区510的边界处的掩模图案310的图案转移分辨率会因杂散光560而退化。通过在宽于掩模区510的区域中布置相栅区520，由杂散光造成的分辨率的部分降低被避免。考虑到产生能够靠近掩模区510的外部的杂散光的位置以及掩模530的厚度，相栅区520布置为具有相对于掩模区510加宽800到1000μm的宽度。
根据本发明实施例的相栅图案(图3的320)可以选择性地设置在掩模图案310随斜图案(图2的200)定位的区域中。参考图7，包括对应于斜图案200的第一掩模图案711的第一区域721和第二区域723可以设置成一个掩模700，第二区域723具有沿直角坐标系的轴向延伸的为垂直图案的第二掩模图案712。相栅图案721选择性地设置在第一区域721中。因此，利用修正照明为与斜图案200相对应的第一掩模图案711带来分辨率改善。然而，由相栅图案721带来的修正照明的效果被排除在具有第二掩模图案712的第二区域723之外，在第二掩模图案712中利用修正照明获得的此效应可以使分辨率降低一半或者引起图案移动。第二掩模图案712可以包括垂直图案、水平图案或者孔图案。
如图8所示，为了制造根据本发明实施例的图3的掩模，掩模图案810形成在基板800的前侧上。掩模图案810的形成包括掩模层沉积、电子束曝光以及选择刻蚀工艺以与图1的斜图案100相对应。
参考图9，底部抗反射涂层(ARC)形成在形成有掩模图案810的基板810的背侧上。ARC 830是可溶解的底部ARC，底部ARC可以被显影且与光致抗蚀剂840一起被去除。
由于引入ARC 830，所以改善了与随后将被涂敷的光致抗蚀剂层的界面性质且因此增强了附着性。当光致抗蚀剂840直接涂敷在石英基板800的表面上时，因为石英和光致抗蚀剂之间的差的界面附着性而会引起诸如光致抗蚀剂840的部分分离的缺陷。ARC 830可以改善这种界面缺陷。而且，因为曝光光致抗蚀剂层840时对扩散反射的抑制，可以实现图案分辨率的改善。
参考图10，实施曝光光致抗蚀剂层840的工艺。可以对光致抗蚀剂层实施利用相栅(图2的200)的布局的电子束曝光工艺。然而，这会花费较多的时间和成本来实施在制造每个掩模时的电子束曝光工艺。因此，曝光光致抗蚀剂840的工艺可以作为用于引入母掩模850的光学曝光工艺被实施，在母掩模850中相栅图案(图5的320)被设置为透光区域851和光屏蔽区域852。在掩模制造工艺中制造母掩模850之后，利用安置在步进光刻机或者曝光装置中的母掩模850进行曝光工艺。这种光学曝光工艺可以减少制造掩模所需的时间和成本。
参考图11，被曝光的光致抗蚀剂层(图10的840)被显影以形成光致抗蚀剂图案841。因为ARC是可溶性底部ARC，所以ARC(图10的830)的因显影光致抗蚀剂图案841所暴露的部分可以通过显影液被溶解而被去除。因此，ARC图案831的显影和图案化可以与光致抗蚀剂图案841的显影一起进行。
参考图12，基板800的被光致抗蚀剂图案841暴露的背侧部分被选择性刻蚀以形成沟槽821。沟槽821可以用作第二相区(图2的203)，且基板800的由沟槽821界定的背侧的表面区域823可以用作第一相区(图2的201)。
从以上描述可以显见，根据本发明实施例的掩模设置有对该掩模提供修正照明的相栅图案(图3的320)，因此为斜图案的掩模图案(图3的310)提供诸如双极照明的修正的照明。因此，可以排除开发用于单独的修正照明的孔径的工艺且增加光刻工艺的生产率。
尽管针对特定的实施例对本发明进行了描述，但是对于本领域的技术人员显见的是，可以在不脱离由所附权利要求所定义的本发明的精神和范围的前提下进行各种改变和修改。
本发明要求2008年12月26提交的韩国专利申请号10-2008-0134826的优先权，并以参考方式将其整体合并在此。

Claims (17)

1.一种掩模，包括：
基板；
掩模图案，形成在所述基板的前侧上，所述掩模图案与斜图案的布局相对应，所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸；以及
相栅，具有线性形状且形成在所述基板的背侧上，所述相栅的延伸方向平行于所述掩模图案的延伸方向。
2.如权利要求1所述的掩模，其中所述斜图案对应于6F2单元布置中的有源区的布局。
3.如权利要求1所述的掩模，其中所述相栅包括交替设置在所述基板的背侧上的第一相区和第二相区，所述第一相区与所述第二相区之间具有180°的相差，其中所述第一相区和所述第二相区导致相干涉，所述相干涉阻挡入射到所述基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到所述掩模图案。
4.如权利要求3所述的掩模，其中所述第一相区包括沟槽，所述沟槽到所述基板的背侧表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相区是所述基板的背侧的由所述沟槽界定的表面区域。
5.如权利要求3所述的掩模，其中包括所述第一相区的宽度和所述第二相区的宽度的栅节距大致是图案节距的两倍，所述图案节距包括每个掩模图案的宽度和相邻掩模图案的间隔的宽度。
6.如权利要求3所述的掩模，其中所述相栅设置在相对于设置所述掩模图案的区域的外侧加宽800到1000μm的区域中。
7.一种掩模，包括：
基板；
第一区域，具有形成在所述基板的前侧上的第一掩模图案，所述第一掩模图案与斜图案的布局相对应，所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸；
第二区域，具有沿所述直角坐标系的轴向延伸的第二掩模图案；以及
相栅，具有线性形状且选择性地形成在所述基板的背侧区域上，其中所述相栅与所述第一区域相对应且所述相栅的延伸方向平行于所述第一掩模图案的延伸方向。
8.如权利要求7所述的掩模，其中所述斜图案对应于6F2单元布置中的有源区的布局。
9.如权利要求8所述的掩模，其中所述相栅包括交替设置在所述基板的背侧上的第一相区和第二相区，所述第一相区和所述第二相区之间具有180°的相差，其中所述第一相区和所述第二相区导致相干涉，所述相干涉阻挡入射到所述基板的曝光光的零级光且允许初级光入射到所述掩模图案。
10.如权利要求9所述的掩模，其中所述第一相区包括沟槽，所述沟槽到所述基板的背侧表面的深度提供所述180°的相差，并且所述第二相区是所述基板的背侧的由所述沟槽界定的表面区域。
11.如权利要求9所述的掩模，其中包括所述第一相区的宽度和所述第二相区的宽度的栅节距大致是图案节距的两倍，所述图案节距包括每个掩模图案的宽度和相邻掩模图案的间隔的宽度。
12.如权利要求9所述的掩模，其中所述相栅设置在相对于设置所述掩模图案的区域的外侧加宽800到1000μm的区域中。
13.一种制造掩模的方法，包括：
在基板的前侧上形成掩模图案，所述掩模图案与斜图案的布局相对应，所述斜图案沿从直角坐标系的轴朝向预定方向旋转的方向延伸；以及
在所述基板的背侧上形成具有线性形状的相栅，所述相栅的延伸方向与所述掩模图案的延伸方向平行。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述相栅的形成包括：
在所述基板的背侧上形成光致抗蚀剂图案；以及
通过对所述基板的由所述光致抗蚀剂图案暴露的背侧实施选择性刻蚀而形成沟槽，所述沟槽具有提供180°相差的到所述基板的背侧表面的深度。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述沟槽形成为具有大致是图案节距两倍的节距，所述图案节距包括每个掩模图案的宽度和相邻掩模图案的间隔的宽度。
16.如权利要求13所述的方法，其中所述光致抗蚀剂图案的形成包括：
在所述基板的背侧上形成抗反射涂层；
在所述抗反射涂层上涂敷光致抗蚀剂层；
制造具有所述相栅的图案布局的母掩模；以及
利用所述母掩模选择性曝光和显影所述光致抗蚀剂层的一部分。
17.如权利要求13所述的方法，其中所述斜图案对应于6F2单元布置中的有源区的布局。
CN2009101602375A 2008-12-26 2009-07-30 背侧相栅掩模及其制造方法 Expired - Fee Related CN101770162B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080134826A KR101095680B1 (ko) 2008-12-26 2008-12-26 후면 위상 격자 마스크 및 그 제조 방법
KR134826/08 2008-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101770162A true CN101770162A (zh) 2010-07-07
CN101770162B CN101770162B (zh) 2012-09-05

Family

ID=42285357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101602375A Expired - Fee Related CN101770162B (zh) 2008-12-26 2009-07-30 背侧相栅掩模及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8021805B2 (zh)
JP (1) JP2010156943A (zh)
KR (1) KR101095680B1 (zh)
CN (1) CN101770162B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103365070A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种pss图形的相移掩膜版及其制备方法
CN103869597A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 格罗方德半导体公司 借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强
CN111413847A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 长鑫存储技术有限公司 光掩膜以及光刻光学式叠对标记测量方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120237858A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Nanya Technology Corporation Photomask and a method for determining a pattern of a photomask
JP5684168B2 (ja) * 2012-02-15 2015-03-11 株式会社東芝 フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置
KR20140016662A (ko) * 2012-07-30 2014-02-10 에스케이하이닉스 주식회사 극자외선 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법, 마스크 정렬도 에러 보정방법
US9335625B2 (en) * 2012-07-30 2016-05-10 SK Hynix Inc. Blank masks for extreme ultra violet lithography, methods of fabricating the same, and methods of correcting registration errors thereof
TWI452416B (zh) 2013-01-21 2014-09-11 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci 可調式光罩
JP7193304B2 (ja) * 2018-03-19 2022-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源システム、光学回折素子製造方法、および測距システム、ならびに光学回折素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2630694B2 (ja) * 1991-07-12 1997-07-16 日本電信電話株式会社 投影露光装置用マスク
JPH04343410A (ja) * 1991-05-21 1992-11-30 Anelva Corp Ｘ線マスクの製作方法、及びこの製作方法で製作されるｘ線マスクを用いたｘ線露光装置
JP3250563B2 (ja) * 1992-01-17 2002-01-28 株式会社ニコン フォトマスク、並びに露光方法及びその露光方法を用いた回路パターン素子製造方法、並びに露光装置
US5703675A (en) * 1992-01-17 1997-12-30 Nikon Corporation Projection-exposing apparatus with deflecting grating member
US5851701A (en) * 1997-04-01 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Atom lithographic mask having diffraction grating and attenuated phase shifters
JP2000200842A (ja) * 1998-11-04 2000-07-18 Sony Corp 不揮発性半導体記憶装置、製造方法および書き込み方法
JP3848006B2 (ja) 1999-03-15 2006-11-22 株式会社東芝 マスク欠陥修正方法
JP4145003B2 (ja) * 2000-07-14 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
KR100446294B1 (ko) * 2002-02-06 2004-09-01 삼성전자주식회사 사입사 조명을 구현하는 포토마스크 및 그 제조 방법
JP2005003950A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp フォトマスクおよびその製造方法
CN1908812B (zh) * 2005-04-12 2012-02-22 Asml蒙片工具有限公司 执行双重曝光光刻的方法、程序产品和设备
KR20070068895A (ko) 2005-12-27 2007-07-02 주식회사 하이닉스반도체 사선 패턴을 제조하기 위한 전자빔 노광 장비 및 이를이용한 사선 패턴을 갖는 포토 마스크의 제조방법
JP2007271999A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Renesas Technology Corp フォトマスクおよびその製造方法ならびに電子デバイスの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103365070A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种pss图形的相移掩膜版及其制备方法
CN103869597A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 格罗方德半导体公司 借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强
TWI488002B (zh) * 2012-12-11 2015-06-11 格羅方德半導體公司 藉由蝕刻遮罩多側之半導體設備解析度增強
CN111413847A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 长鑫存储技术有限公司 光掩膜以及光刻光学式叠对标记测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101095680B1 (ko) 2011-12-19
US8021805B2 (en) 2011-09-20
KR20100076698A (ko) 2010-07-06
CN101770162B (zh) 2012-09-05
JP2010156943A (ja) 2010-07-15
US20100167182A1 (en) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101770162B (zh) 背侧相栅掩模及其制造方法
US8580685B2 (en) Integrated circuit having interleaved gridded features, mask set, and method for printing
CN103777462B (zh) 显示装置制造用光掩模和图案转印方法
US20060073396A1 (en) Multi-exposure semiconductor fabrication mask sets and methods of fabricating such multi-exposure mask sets
US8986911B2 (en) Multiple-patterning photolithographic mask and method
JP2002072442A (ja) 位相シフトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法
US8048592B2 (en) Photomask
US7491474B2 (en) Masks for lithographic imagings and methods for fabricating the same
US9977324B2 (en) Phase shift mask and method of forming patterns using the same
CN102646576A (zh) 具有细微图案的半导体元件的制备方法
US8742546B2 (en) Semiconductor device with a plurality of dot patterns and a line pattern having a projection part
US20070298329A1 (en) Photomask and method for using the same
CN103869597A (zh) 借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强
JP2006319369A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
CN1256753C (zh) 一种形成暨测试一相移掩膜的方法
US7008733B2 (en) Method of improving a resolution of contact hole patterns by utilizing alternate phase shift principle
CN101620375B (zh) 修正凸块光掩膜图案的方法
KR100434707B1 (ko) 반도체 소자 제조용 노광 마스크
KR20130022677A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴들의 배열을 형성하는 방법
JP2003031479A (ja) 露光方法、マスク
US8241836B2 (en) Method of fabricating a line pattern in a photoresist layer by using a photomask having slanted unit patterns
KR100896860B1 (ko) 단차 영역의 패턴 균일도 향상을 위한 광학 근접 보상 방법
KR100771550B1 (ko) 포토마스크 및 그 형성방법
KR20050068970A (ko) 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법
JP2006319368A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120905

Termination date: 20160730

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee